JPH06244544A - 加熱チップとその製造方法および半田付け方法 - Google Patents
加熱チップとその製造方法および半田付け方法Info
- Publication number
- JPH06244544A JPH06244544A JP2459293A JP2459293A JPH06244544A JP H06244544 A JPH06244544 A JP H06244544A JP 2459293 A JP2459293 A JP 2459293A JP 2459293 A JP2459293 A JP 2459293A JP H06244544 A JPH06244544 A JP H06244544A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating chip
- heating
- lead
- thin film
- soldering
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、密着強度が高く、熱伝導
性の優れた絶縁性コーティング材を施した加熱チップと
その製造方法および生産性の高い半田付け方法を提供す
るものである。 【構成】 加熱チップ表面１１にＰＶＤ法あるいはＣ
ＶＤ法により、絶縁性、耐酸化性、耐剥離性、および熱
伝導性を有し、かつ母材と熱膨脹係数の近いセラミック
ス薄膜をコーティングする。ＩＣリード３と基板パター
ン１４との半田付けの際には、各辺のリード群にそれぞ
れ対応した接合面を有し、セラミックス薄膜がコーティ
ングされた加熱チップにより、ＩＣ１の４辺同時にに加
熱・接合することで、ＩＣリード３と基板パターン１４
を半田付けする。なお、絶縁性セラミックス薄膜を各加
熱チップ１１の接合面上にコーティングしているので、
４辺同時に加熱・接合する際にＩＣパターンに電流が流
れることを防止することができる。
性の優れた絶縁性コーティング材を施した加熱チップと
その製造方法および生産性の高い半田付け方法を提供す
るものである。 【構成】 加熱チップ表面１１にＰＶＤ法あるいはＣ
ＶＤ法により、絶縁性、耐酸化性、耐剥離性、および熱
伝導性を有し、かつ母材と熱膨脹係数の近いセラミック
ス薄膜をコーティングする。ＩＣリード３と基板パター
ン１４との半田付けの際には、各辺のリード群にそれぞ
れ対応した接合面を有し、セラミックス薄膜がコーティ
ングされた加熱チップにより、ＩＣ１の４辺同時にに加
熱・接合することで、ＩＣリード３と基板パターン１４
を半田付けする。なお、絶縁性セラミックス薄膜を各加
熱チップ１１の接合面上にコーティングしているので、
４辺同時に加熱・接合する際にＩＣパターンに電流が流
れることを防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣリードと基板パタ
ーンとを半田付けするための加熱チップと、その製造方
法、および半田付け方法に関する。
ーンとを半田付けするための加熱チップと、その製造方
法、および半田付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣリードと基板パターンとの半
田付けは、図５に示すように、ＩＣ１のＩＣリード２で
形成される１辺ごとの複数のリード群の中の１つリード
群に対応した接合面（斜線で示す。）を有する１個の加
熱チップ３により、ＩＣ１の周辺を１辺ごとに、４回に
分けて半田付けを行っている。
田付けは、図５に示すように、ＩＣ１のＩＣリード２で
形成される１辺ごとの複数のリード群の中の１つリード
群に対応した接合面（斜線で示す。）を有する１個の加
熱チップ３により、ＩＣ１の周辺を１辺ごとに、４回に
分けて半田付けを行っている。
【０００３】また、加熱チップに電流を流すことで、加
熱チップの表面を加熱しており、この加熱は高温と常温
のヒートサイクルを長期間繰り返すパルスヒート加熱の
ため、加熱チップの表面に酸化皮膜などが生成されて、
板厚が変化するため、加熱チップは加熱時間や温度管理
を必要としている。
熱チップの表面を加熱しており、この加熱は高温と常温
のヒートサイクルを長期間繰り返すパルスヒート加熱の
ため、加熱チップの表面に酸化皮膜などが生成されて、
板厚が変化するため、加熱チップは加熱時間や温度管理
を必要としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半田付
け方法では、ＩＣリードを１個の加熱チップにより、１
箇所づつ複数回に分けて半田付けを行っている。これは
複数箇所同時に接合すると、図５中の点線に示すよう
に、分電流４，５が加熱チップ間を通じてＩＣリード間
および基板のパターン間を流れ、ＩＣを焼損破壊するた
めである。このため複数箇所をそれぞれ複数回に分けて
半田付けを行っているので、半田付けに時間がかかり生
産性が低いという問題点が有った。
け方法では、ＩＣリードを１個の加熱チップにより、１
箇所づつ複数回に分けて半田付けを行っている。これは
複数箇所同時に接合すると、図５中の点線に示すよう
に、分電流４，５が加熱チップ間を通じてＩＣリード間
および基板のパターン間を流れ、ＩＣを焼損破壊するた
めである。このため複数箇所をそれぞれ複数回に分けて
半田付けを行っているので、半田付けに時間がかかり生
産性が低いという問題点が有った。
【０００５】そこで、複数箇所を同時に半田付けするた
めに、分電流が加熱チップ間を通じてＩＣリード間およ
び基板のパターン間を流れないように、それぞれの加熱
チップ表面を絶縁することが考えられる。しかし、加熱
チップ表面を絶縁皮膜した場合には、加熱温度の低下を
生じてしまうことを防ぐ必要があり、そのため、絶縁皮
膜は絶縁的機能の他に熱伝導性が要求される。さらに、
半田付け用加熱チップは、高温と常温でのヒートサイク
ルを長期間繰り返すため、加熱チップと絶縁皮膜が剥離
するという問題点が生じる。
めに、分電流が加熱チップ間を通じてＩＣリード間およ
び基板のパターン間を流れないように、それぞれの加熱
チップ表面を絶縁することが考えられる。しかし、加熱
チップ表面を絶縁皮膜した場合には、加熱温度の低下を
生じてしまうことを防ぐ必要があり、そのため、絶縁皮
膜は絶縁的機能の他に熱伝導性が要求される。さらに、
半田付け用加熱チップは、高温と常温でのヒートサイク
ルを長期間繰り返すため、加熱チップと絶縁皮膜が剥離
するという問題点が生じる。
【０００６】この加熱チップの絶縁には、セラミック材
を張り付ける等の方法も考えられるが、この場合、密着
力に問題がある。また、張り付ける際に接着剤を用いる
ことになり、熱サイクルなどにより接着剤が劣化し、長
期間使用したとき剥離が生じ、信頼性に問題がある。セ
ラミック材を用いた場合、熱伝導性が悪くなり、半田付
け強度や半田付け性の低下を招くことも考えられる。
を張り付ける等の方法も考えられるが、この場合、密着
力に問題がある。また、張り付ける際に接着剤を用いる
ことになり、熱サイクルなどにより接着剤が劣化し、長
期間使用したとき剥離が生じ、信頼性に問題がある。セ
ラミック材を用いた場合、熱伝導性が悪くなり、半田付
け強度や半田付け性の低下を招くことも考えられる。
【０００７】そこで、本発明の目的は、密着強度が高く
熱伝導性の優れた、絶縁コーティング材を施した加熱チ
ップとその製造方法および生産性の高い半田付け方法を
提供するものである。
熱伝導性の優れた、絶縁コーティング材を施した加熱チ
ップとその製造方法および生産性の高い半田付け方法を
提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、請求項１から請求項３記載の発明においては、Ｉ
Ｃリードを基板パターンに半田付けする半田付け用の加
熱チップにおいて、ＩＣリードの複数のリード群にそれ
ぞれ対応した接合面を有し、絶縁性セラミックス薄膜を
少なくともその接合表面にコーティングしたことを特徴
とするものである。
めに、請求項１から請求項３記載の発明においては、Ｉ
Ｃリードを基板パターンに半田付けする半田付け用の加
熱チップにおいて、ＩＣリードの複数のリード群にそれ
ぞれ対応した接合面を有し、絶縁性セラミックス薄膜を
少なくともその接合表面にコーティングしたことを特徴
とするものである。
【０００９】さらに、請求項４または請求項５記載の発
明においては、加熱チップの製造方法において、加熱チ
ップの表面に、絶縁性セラミックス薄膜をＰＶＤ法また
はＣＶＤ法よりコーティングすることを特徴とするもの
である。
明においては、加熱チップの製造方法において、加熱チ
ップの表面に、絶縁性セラミックス薄膜をＰＶＤ法また
はＣＶＤ法よりコーティングすることを特徴とするもの
である。
【００１０】また、請求項６記載の発明においては、Ｉ
Ｃリードを基板パターンに半田付けするＩＣリードの半
田付け方法において、ＩＣリードの複数のリード群に対
応した接合面を有し、絶縁性セラミックス薄膜をその接
合表面にコーティングした加熱チップにより、複数のリ
ード群を同時に加熱・接合することを特徴とするもので
ある。
Ｃリードを基板パターンに半田付けするＩＣリードの半
田付け方法において、ＩＣリードの複数のリード群に対
応した接合面を有し、絶縁性セラミックス薄膜をその接
合表面にコーティングした加熱チップにより、複数のリ
ード群を同時に加熱・接合することを特徴とするもので
ある。
【００１１】
【作用】請求項１から請求項３および請求項６記載の発
明においては、ＩＣリードと基板パターンとの半田付け
を行なう加熱チップの接合面がＩＣリードの複数のリー
ド群にそれぞれ対応して設けられているので、ＩＣリー
ドと基板パターンを複数箇所同時に半田付けすることが
できる。
明においては、ＩＣリードと基板パターンとの半田付け
を行なう加熱チップの接合面がＩＣリードの複数のリー
ド群にそれぞれ対応して設けられているので、ＩＣリー
ドと基板パターンを複数箇所同時に半田付けすることが
できる。
【００１２】加熱チップの接合面には絶縁性セラミック
ス薄膜がコーティングされているので、複数箇所同時に
半田付けすることにより、加熱チップの各接合面間に電
流が流れてＩＣが焼損破壊するのを防止することができ
る。請求項４および請求項５記載の発明においては、Ｐ
ＶＤ法あるいはＣＶＤ法により絶縁性セラミックス薄膜
が加熱チップの接合面に成膜される。
ス薄膜がコーティングされているので、複数箇所同時に
半田付けすることにより、加熱チップの各接合面間に電
流が流れてＩＣが焼損破壊するのを防止することができ
る。請求項４および請求項５記載の発明においては、Ｐ
ＶＤ法あるいはＣＶＤ法により絶縁性セラミックス薄膜
が加熱チップの接合面に成膜される。
【００１３】
【実施例】本発明による実施例を図面を参照して説明す
る。なお、従来技術で説明した図５と同一構成部材には
同じ符号を付して説明を省略する。本実施例の加熱チッ
プ、と半田付け方法の概要を、図１から図４に示す。
る。なお、従来技術で説明した図５と同一構成部材には
同じ符号を付して説明を省略する。本実施例の加熱チッ
プ、と半田付け方法の概要を、図１から図４に示す。
【００１４】加熱チツプ１１は、複数個の加熱チップを
電気的にシリーズに接続して構成されており、同時に通
電することで、複数個の加熱チップ１１を同時にパルス
ヒート加熱することができる。
電気的にシリーズに接続して構成されており、同時に通
電することで、複数個の加熱チップ１１を同時にパルス
ヒート加熱することができる。
【００１５】各加熱チップ１１は、ＩＣ１の各辺のリー
ド群にそれぞれ対応した接合面（斜線で示す。）を有し
ている。ＩＣリード３と基板パターン１４との半田付け
の際には、各辺のリード群にそれぞれ対応した接合面に
より、ＩＣ１の４辺同時にに加熱・接合することで、Ｉ
Ｃリード３と基板パターン１４を半田付けする
ド群にそれぞれ対応した接合面（斜線で示す。）を有し
ている。ＩＣリード３と基板パターン１４との半田付け
の際には、各辺のリード群にそれぞれ対応した接合面に
より、ＩＣ１の４辺同時にに加熱・接合することで、Ｉ
Ｃリード３と基板パターン１４を半田付けする
【００１６】このとき、複数箇所同時に半田付けするた
め、各加熱チップ１１間に電流が流れることによるＩＣ
焼損破壊を防止するために、加熱チップ１１の接合面お
よびその周面には、絶縁性セラミックス薄膜１２がコー
ティングしてある。次に、この絶縁性セラミックス薄膜
１２を加熱チップの表面に施した加熱チップの製造方法
を説明する。
め、各加熱チップ１１間に電流が流れることによるＩＣ
焼損破壊を防止するために、加熱チップ１１の接合面お
よびその周面には、絶縁性セラミックス薄膜１２がコー
ティングしてある。次に、この絶縁性セラミックス薄膜
１２を加熱チップの表面に施した加熱チップの製造方法
を説明する。
【００１７】加熱チップ１１は金属材料からなってお
り、表面に絶縁性セラミックス薄膜１２が、以下に説明
するＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）によりコーティングされている。
り、表面に絶縁性セラミックス薄膜１２が、以下に説明
するＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）によりコーティングされている。
【００１８】イオンプレーティング装置内で加熱チップ
母材をあらかじめ３５０〜５００℃程度の処理温度に加
熱し、しかる後１０-4〜１０-5Torrの真空中で反応ガス
を連続的に供給しながら、Ａｌ等の金属を連続的に蒸発
させる。約３０〜１２０分程度の処理時間で約１〜５μ
ｍの絶縁性セラミックス薄膜１２をコーティングする。
無処理材（モリブデン）およびその表面に各種絶縁性薄
膜を被覆したものの耐剥離性および耐酸化性の評価試験
結果の一例を表１に示す。
母材をあらかじめ３５０〜５００℃程度の処理温度に加
熱し、しかる後１０-4〜１０-5Torrの真空中で反応ガス
を連続的に供給しながら、Ａｌ等の金属を連続的に蒸発
させる。約３０〜１２０分程度の処理時間で約１〜５μ
ｍの絶縁性セラミックス薄膜１２をコーティングする。
無処理材（モリブデン）およびその表面に各種絶縁性薄
膜を被覆したものの耐剥離性および耐酸化性の評価試験
結果の一例を表１に示す。
【００１９】即ち、表１は絶縁性セラミックス薄膜では
Ａｌ系薄膜が耐剥離性、および耐酸化性に優れているこ
とを示している。また、セラミックス薄膜をコーティン
グをすることで、母材の耐酸化性を向上することができ
る。
Ａｌ系薄膜が耐剥離性、および耐酸化性に優れているこ
とを示している。また、セラミックス薄膜をコーティン
グをすることで、母材の耐酸化性を向上することができ
る。
【００２０】なおこの場合、Ａｌ系セラミックス薄膜は
加熱チップの母材（モリブデン）との膨脹係数が近く、
ヒートサイクルにおいてもコーティング材が母材の膨脹
および収縮に追従できるため、剥離することがなく、ま
た熱伝導性にも優れるため、加熱チップ材のコーティン
グ材として最も適している。
加熱チップの母材（モリブデン）との膨脹係数が近く、
ヒートサイクルにおいてもコーティング材が母材の膨脹
および収縮に追従できるため、剥離することがなく、ま
た熱伝導性にも優れるため、加熱チップ材のコーティン
グ材として最も適している。
【００２１】
【表１】
【００２２】本実施例によれば、絶縁性および耐酸化
性、熱伝導性、耐剥離性に優れ、さらに加熱チップ母材
と熱膨脹係数の近いセラミックス薄膜を加熱チップ上に
コーティングすることで、ＩＣリードと基板パターンを
複数箇所同時に半田付けをすることができ、半田付け時
間を数分の一に短縮することができる。そのため、半田
付けの生産性向上、および加熱チップの長寿命化を図る
ことができる。
性、熱伝導性、耐剥離性に優れ、さらに加熱チップ母材
と熱膨脹係数の近いセラミックス薄膜を加熱チップ上に
コーティングすることで、ＩＣリードと基板パターンを
複数箇所同時に半田付けをすることができ、半田付け時
間を数分の一に短縮することができる。そのため、半田
付けの生産性向上、および加熱チップの長寿命化を図る
ことができる。
【００２３】なお、絶縁性セラミックス薄膜を加熱チッ
プにコーティングする方法として、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用い
ても良い。
プにコーティングする方法として、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用い
ても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明では、絶縁性セ
ラミックス薄膜をコーティングした加熱チップにより、
ＩＣリードを基板パターンに複数箇所同時に半田付けす
ることが可能となり、半田付けの生産性を向上すること
のできる加熱チップおよび半田付け方法を提供すること
ができる。
ラミックス薄膜をコーティングした加熱チップにより、
ＩＣリードを基板パターンに複数箇所同時に半田付けす
ることが可能となり、半田付けの生産性を向上すること
のできる加熱チップおよび半田付け方法を提供すること
ができる。
【００２５】また、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により、絶
縁性セラミックス薄膜を加熱チップにコーティングする
ことで、絶縁性のみならず耐酸化性等も向上し、加熱チ
ップの長寿命化を図ることができ、信頼性のある加熱チ
ップを製造することができる。
縁性セラミックス薄膜を加熱チップにコーティングする
ことで、絶縁性のみならず耐酸化性等も向上し、加熱チ
ップの長寿命化を図ることができ、信頼性のある加熱チ
ップを製造することができる。
【図１】本発明による実施例の加熱チップの半田付け方
法を示す概要図である。
法を示す概要図である。
【図２】図１の加熱チップ要部の拡大断面図である。
【図３】本発明による実施例の半田付け用加熱チップの
形状を示す図である。
形状を示す図である。
【図４】図３の加熱チップ要部の拡大断面図である。
【図５】従来の加熱チップによる半田付け方法の説明図
である。
である。
１…ＩＣ、 ２…ＩＣリード ３…加熱チッ
プ、４，５…分電流、１１…加熱チップ、 １２…絶縁
性セラミックス薄膜、１３…半田、 １４…基板パ
ターン、１５…基板。
プ、４，５…分電流、１１…加熱チップ、 １２…絶縁
性セラミックス薄膜、１３…半田、 １４…基板パ
ターン、１５…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾嶋 政明 三重県三重郡朝日町大字繩生2121番地 株 式会社東芝三重工場内
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩＣリードを基板パターンに半田付けす
る半田付け用の加熱チップにおいて、ＩＣリードの複数
のリード群にそれぞれ対応した接合面を有し、絶縁性セ
ラミックス薄膜を少なくともその接合面にコーティング
したことを特徴とする加熱チップ。 - 【請求項２】 請求項１記載の加熱チップにおいて、Ｉ
Ｃリードの各辺のリード群にそれぞれ対応した接合面を
有する複数の加熱チップを電気的に接続したことを特徴
とする加熱チップ。 - 【請求項３】 請求項１記載の加熱チップにおいて、耐
剥離性及び耐酸化性が高く、母材の膨脹係数に近い絶縁
性セラミックス薄膜を加熱チップの表面にコーティング
してあることを特徴とする加熱チップ。 - 【請求項４】 加熱チップの表面に、絶縁性セラミック
ス薄膜をＰＶＤ法によりコーティングすることを特徴と
する加熱チップの製造方法。 - 【請求項５】 加熱チップの表面に、絶縁性セラミック
ス薄膜をＣＶＤ法によりコーティングすることを特徴と
する加熱チップの製造方法。 - 【請求項６】 ＩＣリードを基板パターンに半田付けす
るＩＣリードの半田付け方法において、ＩＣリードの複
数のリード群に対応した接合面を有し、絶縁性セラミッ
クス薄膜をその接合表面にコーティングした加熱チップ
により、複数のリード群を同時に加熱・接合する半田付
け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2459293A JPH06244544A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 加熱チップとその製造方法および半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2459293A JPH06244544A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 加熱チップとその製造方法および半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244544A true JPH06244544A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12142431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2459293A Pending JPH06244544A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 加熱チップとその製造方法および半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244544A (ja) |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP2459293A patent/JPH06244544A/ja active Pending
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