JPH06244162A - 液処理装置 - Google Patents

液処理装置

Info

Publication number
JPH06244162A
JPH06244162A JP2836893A JP2836893A JPH06244162A JP H06244162 A JPH06244162 A JP H06244162A JP 2836893 A JP2836893 A JP 2836893A JP 2836893 A JP2836893 A JP 2836893A JP H06244162 A JPH06244162 A JP H06244162A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
processing
tank
treatment
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2836893A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Suzuki
賢二 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2836893A priority Critical patent/JPH06244162A/ja
Publication of JPH06244162A publication Critical patent/JPH06244162A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の液処理に際し、新たに供給され
た処理液(3)の加熱時間を短縮して電力の使用量を減
少させ、これと同時に液処理の中断時間を短くする。 【構成】 処理液(3)を収容すると共に処理液(3)を
ヒータ(4)により昇温させて液処理する処理槽(5)
と、処理槽(5)の周囲に配設されて処理槽(5)からオ
ーバーフローした処理液(3)を収容する回収槽(6)と
を含む液処理装置において、処理槽(5)及び回収槽
(6)の外側周囲に、高温状態にある処理済みの処理液
(3)を排出手段(14)により処理槽(5)から移し替え
て一時的に貯溜する排液貯溜槽(12)を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液処理装置に関するもの
であり、半導体装置の製造、特に、洗浄工程で使用され
る液処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造における、例えば、洗
浄工程で使用される液処理装置の従来例を図2に示して
説明する。
【0003】液処理装置(2)は、半導体ウェーハ(1)
が浸漬される処理液(3)を収容し、その処理液(3)中
にヒータ(4)を配置した処理槽(5)と、この処理槽
(5)の周囲に配設されて処理槽(5)からオーバーフロ
ーした処理液(3)を収容する回収槽(6)と、処理槽
(5)及び回収槽(6)の外側周囲に配設された漏液防止
槽(7)と、処理槽(5)とその系外に設けられた排液冷
却槽(8)との間に設けられた排液管路(9)と、処理槽
(5)と回収槽(6)の間に設けられ、ポンプ(P)及び
フィルタ(F)を有する処理液循環系(10)とで構成さ
れる。
【0004】この液処理装置では、処理槽(5)のヒー
タ(4)で処理液(3)を所定温度まで加熱した上で、そ
の処理液(3)に半導体ウェーハ(1)をキャリア(11)
ごと浸漬することによって液処理が行われるが、繰返し
使用することによって処理液(3)が劣化するので、所
定数の半導体ウェーハ(1)の液処理が終了した時点で
排液管路(9)に設けられた弁を開き、使用済みの処理
液(3)を処理槽(5)内から排液冷却槽(8)内へ排出
し、所定温度まで冷却した後、系外に排出している。
【0005】処理液(3)の全量が処理槽(5)内から排
出された時点で排液管路(9)の弁を閉じ、空になった
処理槽(5)内に新たな処理液(3)を投入する。新たな
処理液(3)の投入が終了した時点でヒータ(4)に通電
し、処理槽(5)内の新たに供給された処理液(3)を半
導体ウェーハ(1)の液処理に必要な所定の温度まで昇
温させた上で、再度、半導体ウェーハ(1)の供給によ
り液処理を開始する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記液処理で処理槽
(5)内から使用済みの高温の処理液(3)が排出され、
この代りに新たな処理液(3)が処理槽(5)内に投入さ
れ、この後、新たに供給された処理液(3)がヒータ
(4)によって半導体ウェーハ(1)の液処理温度まで昇
温される間、液処理は中断される。この液処理温度が高
い場合、新たな処理液(3)の投入後、ヒータ(4)によ
る加熱を利用して処理液(3)を所定の液処理温度まで
昇温させて安定状態に到達させるまでに長時間を要する
ため、ヒータ(4)による加熱時間が長く、新たに供給
された処理液(3)を昇温させるのに多量の電力を必要
とすることから、省エネルギー効果も阻害される。
【0007】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、ヒータによる
加熱時間の短縮化により省電力化を図り得る液処理装置
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明は、処理液を収容すると共
に処理液をヒータにより昇温させて液処理する処理槽
と、処理槽の周囲に配設されて処理槽からオーバーフロ
ーした処理液を収容する回収槽とを含む液処理装置にお
いて、処理槽及び回収槽の外側周囲に、高温状態にある
処理済みの処理液を排出手段により処理槽から移し替え
て一時的に貯溜する排液貯溜槽を設けたことを特徴とす
る。
【0009】
【作用】本発明では、使用済みの処理液を排液後に新た
な処理液を処理槽に投入するに際して、高温状態にある
使用済みの処理液を排液貯溜槽内に一旦貯溜し、その使
用済みの処理液が有する熱エネルギーを処理槽内の新た
な処理液の加熱に利用する。
【0010】
【実施例】以下、図1を参照しながら本発明装置の一実
施例を説明する。尚、以下の記述において、従来技術を
示す図2と同一の構成部材は、同一の参照番号で表示
し、重複事項に関する説明は省略する。
【0011】本発明に係る液処理装置(20)は、処理槽
(5)及び回収槽(6)の側壁部分及び底壁部分と所定の
間隔を保持して配置された排液貯溜槽(12)と、この排
液貯溜槽(12)の側壁部分及び底壁部分と対向し、か
つ、当該排液貯溜槽(12)の外壁面との間に、所定の離
間間隔を保持して配設された漏液防止槽(13)と、処理
槽(5)及び回収槽(6)と上記排液貯溜槽(12)との対
向配置によって形成された処理液(3)の貯溜空間(1
6)内に設けられた吸引ポンプ(P1)と逆止弁(17)か
らなる処理液(3)の排出手段(14)と、処理槽(5)及
び排液貯溜槽(12)のそれぞれの底壁部から系外に設け
られた排液冷却槽(8)に向って延びる2本の排液管路
(9)(15)から構成されている。
【0012】以下、本発明装置の作動順序を説明する。
半導体ウェーハ(1)をキャリア(11)ごと処理槽(5)
内の処理液(3)に浸漬することによって、半導体ウェ
ーハ(1)を液処理する。所定枚数の半導体ウェーハ
(1)の液処理が終了した時点で排出手段(14)に設け
られた逆止弁(17)を開き、吸引ポンプ(P1)による強
制吸引を利用して高温状態にある使用済み処理液(3)
を処理槽(5)から排出させ、排液貯溜槽(12)内に貯
溜する。この時、排液管路(15)に設けられている逆止
弁は閉鎖状態に維持されている。使用済み処理液(3)
の全量を排液貯溜槽(12)内に排出させた後、逆止弁
(17)を閉じ吸引ポンプ(P1)を停止させる。そして、
所定量の新たな処理液(3)を処理槽(5)に供給してヒ
ータ(4)で加熱すると共に、排液貯溜槽(12)内に貯
溜されている高温状態にある使用済みの処理液(3)の
余熱を利用することにより、新たな処理液(3)を加熱
して所定の液処理温度まで昇温させる。その上で、再
度、半導体ウェーハ(1)の供給により液処理を開始す
る。
【0013】尚、処理槽(5)内に供給された新たな処
理液(3)への熱エネルギーの伝達によって時間の経過
と共に使用済み処理液(3)の温度は低下する。熱エネ
ルギーの放出によって温度を低下させた使用済み処理液
(3)は、この後、排液管路(15)に設けられている逆
止弁を開くことによって排液貯溜槽(12)から流出し、
排液冷却槽(8)内に流入する。このようにして、使用
済み処理液(3)の余熱を利用した新たな処理液(3)の
昇温サイクルが終了する。
【0014】
【発明の効果】本発明に係る液処理装置を使用すると、
高温状態にある使用済みの処理液の熱エネルギーを、処
理槽内に新たに供給された未使用の処理液の加熱に利用
することができる。その結果、ヒータのみを使用した場
合に比較して短時間で処理液の昇温サイクルが終了す
る。従って、使用済みの処理液の余熱を併用することに
よってヒータの使用時間が短くなり、電力使用量の節減
に対しても大きな効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液処理装置を示す断面図
【図2】従来の液処理装置を示す断面図
【符号の説明】
3 処理液 4 ヒータ 5 処理槽 6 回収槽 12 排液貯溜槽 14 排出手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液を収容すると共に処理液をヒータ
    により昇温させて液処理する処理槽と、処理槽の周囲に
    配設されて処理槽からオーバーフローした処理液を収容
    する回収槽とを含む液処理装置において、 処理槽及び回収槽の外側周囲に、高温状態にある処理済
    みの処理液を排出手段により処理槽から移し替えて一時
    的に貯溜する排液貯溜槽を設けたことを特徴とする液処
    理装置。
  2. 【請求項2】 前記排液貯溜槽は、それに貯溜する排液
    により処理槽に新たに投入した処理液の加熱を助けるも
    のである請求項1記載の液処理装置。
JP2836893A 1993-02-18 1993-02-18 液処理装置 Withdrawn JPH06244162A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2836893A JPH06244162A (ja) 1993-02-18 1993-02-18 液処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2836893A JPH06244162A (ja) 1993-02-18 1993-02-18 液処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06244162A true JPH06244162A (ja) 1994-09-02

Family

ID=12246689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2836893A Withdrawn JPH06244162A (ja) 1993-02-18 1993-02-18 液処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06244162A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09181034A (ja) * 1995-12-18 1997-07-11 Lg Semicon Co Ltd 半導体ウェーハ洗浄装置及び方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09181034A (ja) * 1995-12-18 1997-07-11 Lg Semicon Co Ltd 半導体ウェーハ洗浄装置及び方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100693238B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 시약 교환 방법
KR100260586B1 (ko) 기판 건조장치 및 기판 건조방법
KR102382902B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법
JP2003297795A (ja) 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法
JP2010021215A (ja) 洗浄システム及び洗浄液循環方法
KR100895861B1 (ko) 공정 용액 처리 방법 및 이를 이용한 기판 처리 장치
JP2002210422A (ja) 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法
JPH06244162A (ja) 液処理装置
JP4601029B2 (ja) 半導体処理装置
JP3336223B2 (ja) 洗浄システム及び洗浄方法
JPH11154657A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP4286336B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP3701811B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR20070121394A (ko) 기판 냉각 챔버 및 방법, 그리고 상기 챔버를 구비하는플라즈마 처리장치 및 방법
JPH04357836A (ja) 半導体ウエハー洗浄装置
EP3481563B1 (en) Method for restoring damaged electronic devices by cleaning and apparatus therefor
JP3545531B2 (ja) 処理装置および処理方法
JP4351981B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法及びその装置
JPH09213672A (ja) 半導体ウェハ処理装置および処理方法
JPS62195128A (ja) 処理装置
JP2000012505A (ja) 基板処理方法及びその装置
JP2003273061A (ja) 処理方法及び処理システム
KR20000024808A (ko) Tft lcd용 글라스의 자동 에칭 장치 및 에칭방법
JPH10125649A (ja) 蒸気発生装置および該装置の処理液排出方法
KR0137937Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 식각장치

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000509