JPH06243806A - 画像変換管及び該管における迷薄光を除去する方法 - Google Patents
画像変換管及び該管における迷薄光を除去する方法Info
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- JPH06243806A JPH06243806A JP6005369A JP536994A JPH06243806A JP H06243806 A JPH06243806 A JP H06243806A JP 6005369 A JP6005369 A JP 6005369A JP 536994 A JP536994 A JP 536994A JP H06243806 A JPH06243806 A JP H06243806A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/501—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/50005—Imaging and conversion tubes characterised by form of illumination
- H01J2231/5001—Photons
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- H01J2231/50036—X-rays
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入力スクリーンにより与えられるＸ線像を可
視像に変換する画像変換管の内部の絶縁体で発生する可
能性のある迷薄光を除去する装置と方法とを提供する。 【構成】 絶縁性楔１２が、電極７２、７３の様な２個
の金属部分の間に配置され、いわゆる薄層技術で付着さ
れる、低二次放出速度と低導電度とを持つ物質の層１４
で被覆されている。絶縁性楔１２と比較すると、層１４
は、二次電子放出による絶縁体１２の帯電から入射電子
を防止する外装のように機能する。
視像に変換する画像変換管の内部の絶縁体で発生する可
能性のある迷薄光を除去する装置と方法とを提供する。 【構成】 絶縁性楔１２が、電極７２、７３の様な２個
の金属部分の間に配置され、いわゆる薄層技術で付着さ
れる、低二次放出速度と低導電度とを持つ物質の層１４
で被覆されている。絶縁性楔１２と比較すると、層１４
は、二次電子放出による絶縁体１２の帯電から入射電子
を防止する外装のように機能する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像変換管の改良に関
し、この改良は、これら管内部の絶縁体で発生の可能性
のある漂遊薄光（ｓｔｒａｙ ｇｌｉｍｍｅｒ）即ちグ
ロー（ｇｌｏｗ）の除去を可能にする。
し、この改良は、これら管内部の絶縁体で発生の可能性
のある漂遊薄光（ｓｔｒａｙ ｇｌｉｍｍｅｒ）即ちグ
ロー（ｇｌｏｗ）の除去を可能にする。
【０００２】本発明は又、この望ましくない、即ち漂遊
薄光の除去を実行するための方法に関する。
薄光の除去を実行するための方法に関する。
【０００３】画像変換管の構造と動作に関する予備的説
明を、本発明に課せられた問題の性質及び、それにより
提案される解決策の性質の理解を容易にするために行
う。これら説明及び、本発明に関連する説明は、例えば
放射線像増幅管の非制限的実施例に基づくものである。
明を、本発明に課せられた問題の性質及び、それにより
提案される解決策の性質の理解を容易にするために行
う。これら説明及び、本発明に関連する説明は、例えば
放射線像増幅管の非制限的実施例に基づくものである。
【０００４】
【従来の技術】画像増幅管は真空管であり、これは、該
管の前部に置かれた入力変換器と、電子光学システム
と、同管の出力ウインドウ側の、同管の後部に置かれた
可視像観測用スクリーンとを備えている。
管の前部に置かれた入力変換器と、電子光学システム
と、同管の出力ウインドウ側の、同管の後部に置かれた
可視像観測用スクリーンとを備えている。
【０００５】放射線像増幅管（ＲＩＩ管と略称する）に
おいて、入力変換器は、入射Ｘ光子を可視光子に変換す
るシンチレータースクリーンを備えている。
おいて、入力変換器は、入射Ｘ光子を可視光子に変換す
るシンチレータースクリーンを備えている。
【０００６】図１は、このような放射線タイプの画像増
幅管の略図を示す。
幅管の略図を示す。
【０００７】ＲＩＩ管はガラス又は金属製のケーシング
１を備え、その一端は同管の前部に入力スクリーン２を
有する。この端部はＸ光子照射に暴露される入力ウイン
ドウ３で閉じられている。
１を備え、その一端は同管の前部に入力スクリーン２を
有する。この端部はＸ光子照射に暴露される入力ウイン
ドウ３で閉じられている。
【０００８】ケーシングの、管後部を形成する第２端部
は、光透過性の出力ウインドウ４で閉じられている。
は、光透過性の出力ウインドウ４で閉じられている。
【０００９】Ｘ線はシンチレータースクリーン５で光線
に変換される。この光線が光電陰極６を励起し、同陰極
が呼応して電子を発生する。
に変換される。この光線が光電陰極６を励起し、同陰極
が呼応して電子を発生する。
【００１０】光電陰極６により発生する電子は別の電極
７と、同管の長手方向軸に沿って配置され、かつ電子光
学システムを形成する陽極８とにより出力ウインドウ４
に向けて加速される。
７と、同管の長手方向軸に沿って配置され、かつ電子光
学システムを形成する陽極８とにより出力ウインドウ４
に向けて加速される。
【００１１】出力ウインドウ４は透明ガラス素子で形成
され、これは、示された例では、陰極発光管即ち、発光
体で形成された出力スクリーン９を備えている。
され、これは、示された例では、陰極発光管即ち、発光
体で形成された出力スクリーン９を備えている。
【００１２】陰極発光管即ち出力スクリーンへの電子の
衝突により、光電陰極６の表面にまず形成された画像の
復元（輝度が増幅されている）が可能になる。
衝突により、光電陰極６の表面にまず形成された画像の
復元（輝度が増幅されている）が可能になる。
【００１３】出力スクリーン９により表示される画像は
出力ウインドウ４を構成するガラス素子を通して見え
る。一般に、光学センサーデバイス（図示されていな
い）は、管の外の出力ウインドウ４近くに配置されて、
出力ウインドウ４を通してこの画像を捕らえ、その観測
を可能にしている。
出力ウインドウ４を構成するガラス素子を通して見え
る。一般に、光学センサーデバイス（図示されていな
い）は、管の外の出力ウインドウ４近くに配置されて、
出力ウインドウ４を通してこの画像を捕らえ、その観測
を可能にしている。
【００１４】しかし、この観測は、迷薄光が活動しない
ときに初めて効率的であり得る。ところで、第１には製
造方法、そして第２には電子光学素子の高電圧の１つの
結果として、電極を支持する絶縁部分の表面に薄光が出
現する。この薄光が、観測される放射線像の品質を、特
にコントラストに関して、低下させることは容易に想像
できるであろう。
ときに初めて効率的であり得る。ところで、第１には製
造方法、そして第２には電子光学素子の高電圧の１つの
結果として、電極を支持する絶縁部分の表面に薄光が出
現する。この薄光が、観測される放射線像の品質を、特
にコントラストに関して、低下させることは容易に想像
できるであろう。
【００１５】この迷薄光は、電極の電気絶縁品質が、電
極に付着し、電界効果により、絶縁体に荷電する電子の
放出を促進するアルカリ金属の存在下で低下するという
事実から発生する。
極に付着し、電界効果により、絶縁体に荷電する電子の
放出を促進するアルカリ金属の存在下で低下するという
事実から発生する。
【００１６】本発明は、迷薄光の原因である絶縁体の電
荷を制限することを提案することにより、従来技術の欠
点に対する解決策を提供するものである。この目的は、
漏洩電流を制限する極めて低い導電度を有し、とりわけ
二次電子放出率が低い製品の薄層で絶縁体表面を被覆す
ることで達成される。ダイアモンド状カーボンが、これ
らの条件に適した物質の好例である。
荷を制限することを提案することにより、従来技術の欠
点に対する解決策を提供するものである。この目的は、
漏洩電流を制限する極めて低い導電度を有し、とりわけ
二次電子放出率が低い製品の薄層で絶縁体表面を被覆す
ることで達成される。ダイアモンド状カーボンが、これ
らの条件に適した物質の好例である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は放射線像増強
（ＲＩＩ）管に関し、同管は、真空室内に、シンチレー
ターを伴う少なくも１個の出力スクリーンと、シンチレ
ーターへ入射するＸ線を、複数の絶縁部分により固定さ
れた複数の電極により形成される電子光学ユニットによ
り出力スクリーン上に集束される電子に変換する光電陰
極とを備え、このＲＩＩ管は、動作中に絶縁体に発生す
る迷薄光を除去するために、これら絶縁体が、低二次電
子放出率と極めて低い電導度とを持ち、薄層化学的蒸着
という物理的ないし化学的方法で付着できる物質の薄層
で被覆されているものである。
（ＲＩＩ）管に関し、同管は、真空室内に、シンチレー
ターを伴う少なくも１個の出力スクリーンと、シンチレ
ーターへ入射するＸ線を、複数の絶縁部分により固定さ
れた複数の電極により形成される電子光学ユニットによ
り出力スクリーン上に集束される電子に変換する光電陰
極とを備え、このＲＩＩ管は、動作中に絶縁体に発生す
る迷薄光を除去するために、これら絶縁体が、低二次電
子放出率と極めて低い電導度とを持ち、薄層化学的蒸着
という物理的ないし化学的方法で付着できる物質の薄層
で被覆されているものである。
【００１８】本発明は、添付図面を参照した以下の例示
的態様に関する記載からより明らかに理解されるであろ
う。
的態様に関する記載からより明らかに理解されるであろ
う。
【００１９】
【課題を解決するための手段】図１は、前述の、ＲＩＩ
管の動作の概略を示す図である。図２は、より詳細に内
部電気絶縁を示している。
管の動作の概略を示す図である。図２は、より詳細に内
部電気絶縁を示している。
【００２０】記載をより明瞭かつ具体的にするために、
このＲＩＩ管はアルカリ金属アンチモン化合物製の光電
陰極であり、３個のゲート７１、７２、７３と１個の陽
極８を備えている四極管タイプであると仮定する。
このＲＩＩ管はアルカリ金属アンチモン化合物製の光電
陰極であり、３個のゲート７１、７２、７３と１個の陽
極８を備えている四極管タイプであると仮定する。
【００２１】電極は、陽極８に対しては３０ｋＶ超、ゲ
ート７３に対しては約２０ｋＶとなり得る電圧とする。
電極７１、７１は、一般には１５００Ｖを越えることの
ない電圧とする。光電陰極６を有する一次スクリーン２
は、Ｘ線を電子線に変換し、次いで、これを電極セット
により二次スクリーン４上に集束させ、同スクリーンに
よりそれを光画像に変換する。一般に、陽極８は不変電
圧、例えば、３０ｋＶに等しくし、一方、他の電極、特
に、ゲート７３は可変電圧として入力画像を出力スクリ
ーン上へ拡大し、ズーム効果を作り出す。このズーム動
作モードにより、電極７３に対する動作電圧が２０ｋＶ
を越えることが可能になる。
ート７３に対しては約２０ｋＶとなり得る電圧とする。
電極７１、７１は、一般には１５００Ｖを越えることの
ない電圧とする。光電陰極６を有する一次スクリーン２
は、Ｘ線を電子線に変換し、次いで、これを電極セット
により二次スクリーン４上に集束させ、同スクリーンに
よりそれを光画像に変換する。一般に、陽極８は不変電
圧、例えば、３０ｋＶに等しくし、一方、他の電極、特
に、ゲート７３は可変電圧として入力画像を出力スクリ
ーン上へ拡大し、ズーム効果を作り出す。このズーム動
作モードにより、電極７３に対する動作電圧が２０ｋＶ
を越えることが可能になる。
【００２２】陽極８のゲート７１、７２、７３と出力ウ
インドウ４とのセットが、第１に、例えば、ゲート７
１、７２、７３の間のアルミナ製楔１１、１２により；
第２に、管のケーシング１と電極８、７３との間のガラ
ス／金属シール１３により；リジッドに組み立てられて
いる構造アセンブリを形成する。
インドウ４とのセットが、第１に、例えば、ゲート７
１、７２、７３の間のアルミナ製楔１１、１２により；
第２に、管のケーシング１と電極８、７３との間のガラ
ス／金属シール１３により；リジッドに組み立てられて
いる構造アセンブリを形成する。
【００２３】電極７３と陽極８とが動作する高電圧に鑑
み、管の残りの部分からそれらを電気的に絶縁するとい
う困難な問題が引き起される。構成素子を連続蒸着する
ことにより真空管１の内部からなされる光電陰極の製造
方法では、電圧印加時の特性が低下することがある。管
の軸中に挿入された坩堝を使用してのジュール効果によ
るアンチモン（Ｓｂ）蒸着は、直接的プロセスであり、
管残部における高度汚染の防止は可能であり、この状況
は、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）或いはナトリウ
ム等のアルカリ金属の化学蒸着とは全く異なる。アルカ
リ金属の蒸着は、例えば、クロメート等のこれら金属の
化合物の、アルカリ金属発生器のジュール効果による加
熱による加熱分解の結果である。分解反応を最適化する
ためのクロメートの閉じ込めに必要であるこれら発生器
の閉鎖構造と、管軸に対するそれらの偏心位置とのため
に、蒸着は方向性が極めて低い。アルカリ物質の蒸着は
管の外側でもなし得る；それらは次いで、ステムを通じ
て管内に注入される。いずれの場合も、この蒸着によ
り、管内部の至る所に付着されるミストが発生する。
み、管の残りの部分からそれらを電気的に絶縁するとい
う困難な問題が引き起される。構成素子を連続蒸着する
ことにより真空管１の内部からなされる光電陰極の製造
方法では、電圧印加時の特性が低下することがある。管
の軸中に挿入された坩堝を使用してのジュール効果によ
るアンチモン（Ｓｂ）蒸着は、直接的プロセスであり、
管残部における高度汚染の防止は可能であり、この状況
は、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）或いはナトリウ
ム等のアルカリ金属の化学蒸着とは全く異なる。アルカ
リ金属の蒸着は、例えば、クロメート等のこれら金属の
化合物の、アルカリ金属発生器のジュール効果による加
熱による加熱分解の結果である。分解反応を最適化する
ためのクロメートの閉じ込めに必要であるこれら発生器
の閉鎖構造と、管軸に対するそれらの偏心位置とのため
に、蒸着は方向性が極めて低い。アルカリ物質の蒸着は
管の外側でもなし得る；それらは次いで、ステムを通じ
て管内に注入される。いずれの場合も、この蒸着によ
り、管内部の至る所に付着されるミストが発生する。
【００２４】アルカリ金属の一部は、電極７１、７２、
７３等、ＲＩＩ管の金属部分に付着し、アルカリ金属の
別の部分は絶縁部分に付着する。図３ａが絶縁体におけ
る薄光の出現理解、従って本発明により提供される解決
策の理解を可能とする。
７３等、ＲＩＩ管の金属部分に付着し、アルカリ金属の
別の部分は絶縁部分に付着する。図３ａが絶縁体におけ
る薄光の出現理解、従って本発明により提供される解決
策の理解を可能とする。
【００２５】ここで、例えば、ステンレススチール製の
２個のゲート７２、７３を支持、接合するアルミナ製の
絶縁部分１２を仮定する。この場合には、ゲート７３は
約２０ｋＶ、ゲート７２は約１．５ｋＶとし、アルミナ
製楔１２は、金属素子にも起り得ることであるが、アル
カリ金属であらかじめ汚染されているとする。
２個のゲート７２、７３を支持、接合するアルミナ製の
絶縁部分１２を仮定する。この場合には、ゲート７３は
約２０ｋＶ、ゲート７２は約１．５ｋＶとし、アルミナ
製楔１２は、金属素子にも起り得ることであるが、アル
カリ金属であらかじめ汚染されているとする。
【００２６】管の内部金属部分の表面に付着したアルカ
リ金属は、金属の電子仕事関数をかなり低下させる。こ
の事実が、電界が強い場所での電界効果による電子の漂
遊放出を促進する。特に、絶縁体及び低電圧電極の近傍
では、絶縁体電荷と電子電位源とが接近しているために
電界が極めて強いことがある。
リ金属は、金属の電子仕事関数をかなり低下させる。こ
の事実が、電界が強い場所での電界効果による電子の漂
遊放出を促進する。特に、絶縁体及び低電圧電極の近傍
では、絶縁体電荷と電子電位源とが接近しているために
電界が極めて強いことがある。
【００２７】即ち、図３ａに示された放出の第１のメカ
ニズムにおいて、アルミナ製楔１２に衝突する入射電子
は増倍効果を促進し、少なくも２個の二次電子をこの楔
から放出し、その結果、楔２は少なくも１つの正電荷に
帯電する。この正電荷が、例えば、絶縁体／電極近くの
電界効果で金属部分から飛び出している電子を、図３ｂ
に示される第２のメカニズムで吸引する。このようにし
て捕捉された電子は、以前の状態へ戻り、増倍効果で二
次電子を作り出す。このように、極めて急速ななだれ効
果が存在し、電界効果による電子放出により、陰極発光
性タイプのメカニズムによる被衝撃絶縁体表面での薄光
が出現する。この薄光は、典型的には、ガラスでは青、
アルミナＡｌ2 Ｏ3 では赤である。薄光フラッシュは一
般に、経時的には安定であるが、位置的にはわずかに変
動することがある。
ニズムにおいて、アルミナ製楔１２に衝突する入射電子
は増倍効果を促進し、少なくも２個の二次電子をこの楔
から放出し、その結果、楔２は少なくも１つの正電荷に
帯電する。この正電荷が、例えば、絶縁体／電極近くの
電界効果で金属部分から飛び出している電子を、図３ｂ
に示される第２のメカニズムで吸引する。このようにし
て捕捉された電子は、以前の状態へ戻り、増倍効果で二
次電子を作り出す。このように、極めて急速ななだれ効
果が存在し、電界効果による電子放出により、陰極発光
性タイプのメカニズムによる被衝撃絶縁体表面での薄光
が出現する。この薄光は、典型的には、ガラスでは青、
アルミナＡｌ2 Ｏ3 では赤である。薄光フラッシュは一
般に、経時的には安定であるが、位置的にはわずかに変
動することがある。
【００２８】絶縁体表面での薄光は光電陰極から直接
に、或いは、電極又は管の金属壁での反射により見るこ
とができ、二次スクリーン４に再送され、増幅される。
このようにして発生した漂遊イルミネーションがＲＩＩ
管の効率的動作を乱し、有用信号がないときの薄光と、
動作中のコントラストの劣化とを引き起こす。薄光の存
在と関連付けることができるかなりの漏洩電流が、解像
度損失を伴う画像品質の低下となるＲＩＩ管の供給の不
安定源となる。
に、或いは、電極又は管の金属壁での反射により見るこ
とができ、二次スクリーン４に再送され、増幅される。
このようにして発生した漂遊イルミネーションがＲＩＩ
管の効率的動作を乱し、有用信号がないときの薄光と、
動作中のコントラストの劣化とを引き起こす。薄光の存
在と関連付けることができるかなりの漏洩電流が、解像
度損失を伴う画像品質の低下となるＲＩＩ管の供給の不
安定源となる。
【００２９】電気絶縁性を改良するために、特に、絶縁
体表面での薄光の出現を制限するために、様々な方法が
知られているが、これらの方法は動作特性の点で制限さ
れるか、依然として極めて高価である。
体表面での薄光の出現を制限するために、様々な方法が
知られているが、これらの方法は動作特性の点で制限さ
れるか、依然として極めて高価である。
【００３０】第１の方法では、電子放出の可能性が制限
される。この方法は、部品の構造とそれらの表面状態に
対する処理を要求する。電界効果による電子の漂遊放出
は、２つのパラメーター、即ち、電子仕事関数と放出部
位表面の極微界とにより支配される。仕事関数はアルカ
リ金属の不可避の存在により左右されるが、極微界は表
面条件の改良と、放出の可能性のある部位での曲率半径
の増大とにより低減し、ポイント即ち先端効果を減じる
ことができる。電子の漂遊放出、従って、絶縁体での薄
光は、例えば、絶縁体／金属接合部に、研摩され丸みを
帯びた部品を導入することで低下できる。これら部品は
一般に高価であり、注意して取り扱う必要がある。
される。この方法は、部品の構造とそれらの表面状態に
対する処理を要求する。電界効果による電子の漂遊放出
は、２つのパラメーター、即ち、電子仕事関数と放出部
位表面の極微界とにより支配される。仕事関数はアルカ
リ金属の不可避の存在により左右されるが、極微界は表
面条件の改良と、放出の可能性のある部位での曲率半径
の増大とにより低減し、ポイント即ち先端効果を減じる
ことができる。電子の漂遊放出、従って、絶縁体での薄
光は、例えば、絶縁体／金属接合部に、研摩され丸みを
帯びた部品を導入することで低下できる。これら部品は
一般に高価であり、注意して取り扱う必要がある。
【００３１】第２の方法では、被衝撃絶縁体を、粉末の
付着で保護する。かかる方法は、例えば、酸化クロム粉
末と水と、場合によっては結合剤との混合物を使用して
形成される酸化クロム付着層に依存する。この付着層は
ブラシかパッドで塗布され、低粘着性の厚い付着層を与
える。この方法では、ブラシ塗布された絶縁体表面での
薄光の除去が可能であるが、それは管における汚染源と
なり、従って、出力スクリーンでの発現という欠陥の要
因源となる。
付着で保護する。かかる方法は、例えば、酸化クロム粉
末と水と、場合によっては結合剤との混合物を使用して
形成される酸化クロム付着層に依存する。この付着層は
ブラシかパッドで塗布され、低粘着性の厚い付着層を与
える。この方法では、ブラシ塗布された絶縁体表面での
薄光の除去が可能であるが、それは管における汚染源と
なり、従って、出力スクリーンでの発現という欠陥の要
因源となる。
【００３２】最後に、鈍鋸歯状即ち円錐のアルミナの使
用により絶縁体の形態の最適化が可能である。これは高
価な方法であり、管内でのアルカリ物質の存在の故に効
率が制限される。
用により絶縁体の形態の最適化が可能である。これは高
価な方法であり、管内でのアルカリ物質の存在の故に効
率が制限される。
【００３３】本発明により、迷薄光の原因である絶縁体
の電荷が、以下の主要な特徴を持つ材料の絶縁体への付
着層１４（図２、４）により制限される。
の電荷が、以下の主要な特徴を持つ材料の絶縁体への付
着層１４（図２、４）により制限される。
【００３４】電子に衝突される場合に、二次放出を伴う
ことなくそれを吸収して増倍するように、低二次電子放
出速度を持ち；均質であり、即ち非粉末性であり、即
ち、製品と絶縁体との間に高接着性をもたらすいわゆる
「薄層」法で付着され；画像増幅管での漏洩電流を制限
する極めて低い導電度を持つ。
ことなくそれを吸収して増倍するように、低二次電子放
出速度を持ち；均質であり、即ち非粉末性であり、即
ち、製品と絶縁体との間に高接着性をもたらすいわゆる
「薄層」法で付着され；画像増幅管での漏洩電流を制限
する極めて低い導電度を持つ。
【００３５】このような付着物は、例えば、陰極スパッ
タリングにより、或いは、プラズマ励起化学的気相蒸着
（ＰＥＣＶＤ）により付着されるアモルファスカーボン
層で構成される。このＰＥＣＶＤ技術では、複雑な形状
を持つ部分への均質であり、薄く、絶縁性であり、高接
着性の付着物を得ることが可能である。この付着は、低
圧（１０-1〜１０-3トル）水素存在下での、基板表面で
のアセチレン分解操作からなる。反応を活性化するため
に、基板を１００℃に加熱し、１３．５ＭＨｚの高周波
プラズマにさらす。このタイプの薄層はアモルファスダ
イアモンド状カーボン即ちＡＤＬＣとしても知られてい
る。
タリングにより、或いは、プラズマ励起化学的気相蒸着
（ＰＥＣＶＤ）により付着されるアモルファスカーボン
層で構成される。このＰＥＣＶＤ技術では、複雑な形状
を持つ部分への均質であり、薄く、絶縁性であり、高接
着性の付着物を得ることが可能である。この付着は、低
圧（１０-1〜１０-3トル）水素存在下での、基板表面で
のアセチレン分解操作からなる。反応を活性化するため
に、基板を１００℃に加熱し、１３．５ＭＨｚの高周波
プラズマにさらす。このタイプの薄層はアモルファスダ
イアモンド状カーボン即ちＡＤＬＣとしても知られてい
る。
【００３６】アモルファスダイアモンド状カーボンは、
その低二次放出係数が知られている物質である。この係
数は電子の入射エネルギーには関係なく１より低い。こ
の物質は、電子衝撃条件如何に係わらず帯電されない。
その低二次放出係数が知られている物質である。この係
数は電子の入射エネルギーには関係なく１より低い。こ
の物質は、電子衝撃条件如何に係わらず帯電されない。
【００３７】黒鉛の形態のカーボンは、導電性なので適
当ではない。カーボンブラックは真空管技術で使用され
ているが、このタイプの付着物は、厚く、接着性が悪い
という酸化クロムペイントの欠点の全てを有しており、
従って、管内に粒子が発生する可能性がある。
当ではない。カーボンブラックは真空管技術で使用され
ているが、このタイプの付着物は、厚く、接着性が悪い
という酸化クロムペイントの欠点の全てを有しており、
従って、管内に粒子が発生する可能性がある。
【００３８】スパッタリングかＰＥＣＶＤによる薄層付
着アモルファスダイアモンド状カーボンは完全に均質で
あり、その基板に接着する。酸化クロムペイントの様に
微粉を発生することはない。
着アモルファスダイアモンド状カーボンは完全に均質で
あり、その基板に接着する。酸化クロムペイントの様に
微粉を発生することはない。
【００３９】ＰＥＣＶＤによるカーボン付着では、同時
に多数の部分の加工が可能である。１０００オングスト
ローム（０．１μｍ）の厚さがあれば、最高４０ｋＶに
達する電圧で動作するアルミナ製絶縁体の表面での薄光
の出現閾値に関して１．５〜２倍を獲得するのに充分で
ある。これは、ダイアモンド状カーボンは低導電度を有
し、極めて高い電圧をとるからである。
に多数の部分の加工が可能である。１０００オングスト
ローム（０．１μｍ）の厚さがあれば、最高４０ｋＶに
達する電圧で動作するアルミナ製絶縁体の表面での薄光
の出現閾値に関して１．５〜２倍を獲得するのに充分で
ある。これは、ダイアモンド状カーボンは低導電度を有
し、極めて高い電圧をとるからである。
【００４０】アモルファスカーボンの付着は、例えば、
電極７２と７３との間の絶縁体１１、１２の様なアルミ
ナ製部品或いは、ゲート７３と陽極８との間の絶縁を可
能にするガラス球１３に対してなすことができる。アル
ミナ製楔の先端の様な隣接金属部分や、ガラス球内に成
形された金属部分も被覆でき、得られる被覆物は金属基
板に接着可能であり、その厚さが小さいので付着中に粒
子が発生することはない。
電極７２と７３との間の絶縁体１１、１２の様なアルミ
ナ製部品或いは、ゲート７３と陽極８との間の絶縁を可
能にするガラス球１３に対してなすことができる。アル
ミナ製楔の先端の様な隣接金属部分や、ガラス球内に成
形された金属部分も被覆でき、得られる被覆物は金属基
板に接着可能であり、その厚さが小さいので付着中に粒
子が発生することはない。
【００４１】図４は本発明の一例である。絶縁性楔１２
が、電極７２、７３の様な２個の金属部分の間に配置さ
れ、いわゆる薄層技術で付着される、低二次放出速度と
低導電度とを持つ物質の層１４で被覆されている。
が、電極７２、７３の様な２個の金属部分の間に配置さ
れ、いわゆる薄層技術で付着される、低二次放出速度と
低導電度とを持つ物質の層１４で被覆されている。
【００４２】絶縁性楔１２と比較すると、層１４は、二
次電子放出による絶縁体１２の帯電から入射電子を防止
する外装のように機能する。
次電子放出による絶縁体１２の帯電から入射電子を防止
する外装のように機能する。
【００４３】本発明は、薄層として付着可能であって、
低二次電子放出速度の特徴を有する他のいかなるタイプ
の絶縁性物質にも応用できる。かかる物質の例は、薄層
のチタン、タングステン、バナジウム、モリブデン、
銀、銅の酸化物であり、或いは、酸化クロムでもよい。
この場合、酸化クロムは、付着物を均質にするための試
料回転装置を用いた陰極スパッタリングで付着し、次い
で、付着物を酸化する。
低二次電子放出速度の特徴を有する他のいかなるタイプ
の絶縁性物質にも応用できる。かかる物質の例は、薄層
のチタン、タングステン、バナジウム、モリブデン、
銀、銅の酸化物であり、或いは、酸化クロムでもよい。
この場合、酸化クロムは、付着物を均質にするための試
料回転装置を用いた陰極スパッタリングで付着し、次い
で、付着物を酸化する。
【００４４】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、画像変換管の内部の絶縁体で発生の可能性のある迷
薄光を除去できるという効果を有する。
で、画像変換管の内部の絶縁体で発生の可能性のある迷
薄光を除去できるという効果を有する。
【図１】従来技術のＲＩＩ管の概略断面図を示す。
【図２】本発明により解決される絶縁体の問題を示すＲ
ＩＩ管の断面図を示す。
ＩＩ管の断面図を示す。
【図３ａ】絶縁体への薄光の出現のメカニズムを示す略
図である。
図である。
【図３ｂ】絶縁体への薄光の出現のメカニズムを示す略
図である。
図である。
【図３ｃ】絶縁体への薄光の出現のメカニズムを示す略
図である。
図である。
【図４】本発明の薄層で被覆された絶縁体の断面図を示
す。
す。
１ ケーシング ２ 入力スクリーン ３ 入力ウインドウ ４ 出力ウインドウ ５ シンチレータースクリーン ６ 光電陰極 ７ 電極 ８ 陽極 ９ 出力スクリーン １４ 付着層 ７１、７２、７３ ゲート
Claims (5)
- 【請求項１】 画像変換管において、真空室内に、シン
チレーターを伴う少なくも１個の出力スクリーン；と、
シンチレーターへ入射するＸ線を、複数の絶縁部分によ
り固定された複数の電極により形成される電子光学ユニ
ットにより出力スクリーン上に集束される電子に変換す
る光電陰極；とを備え、動作中に絶縁体に発生する迷薄
光を除去するために、これら絶縁体が、低二次電子放出
率と極めて低い電導度とを持ち、薄層化学的蒸着という
物理的ないし化学的方法で付着できる物質の薄層で被覆
されているものであることを特徴とする画像変換管。 - 【請求項２】 低二次電子放出率を有する物質を次の物
質から選択する、請求項１に記載の管。ダイアモンド状
カーボン又は、チタン、タングステン、モリブデン、銀
又は、銅の酸化物。 - 【請求項３】 物質が、約１０００オングストローム
（０．１ミクロメートル）の厚さの接着層の形態で付着
している請求項１に記載の管。 - 【請求項４】 請求項１に記載の画像変換管における迷
薄光の除去方法であって、 ダイアモンド状カーボンの層を、１０-1〜１０-3トルの
圧力の水素の存在下、１３．５ＭＨｚの存在下でアセチ
レンを分解することにより、１００℃に加熱された絶縁
体の表面に付着させる漂遊薄光の除去方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の画像変換管における迷
薄光の除去方法であって、 チタン、タングステン、バナジウム、モリブデン、銀、
銅又はクロムから選択される金属の酸化物の層を、陰極
スパッタリングにより絶縁体表面に付着させ、次いで酸
化させる漂遊薄光の除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9300638 | 1993-01-22 | ||
| FR9300638A FR2700889B1 (fr) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | Tube convertisseur d'images, et procédé de suppression des lueurs parasites dans ce tube. |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243806A true JPH06243806A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3529152B2 JP3529152B2 (ja) | 2004-05-24 |
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|---|---|---|---|
| JP00536994A Expired - Fee Related JP3529152B2 (ja) | 1993-01-22 | 1994-01-21 | 画像変換管及び該管の製造方法 |
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| JP (1) | JP3529152B2 (ja) |
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| FR (1) | FR2700889B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009217944A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | イメージインテンシファイア |
| US8335295B1 (en) | 2006-12-19 | 2012-12-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image intensifier |
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|---|---|---|---|---|
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| US3474275A (en) * | 1966-09-26 | 1969-10-21 | Rca Corp | Image tube having a gating and focusing electrode |
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| DE2461262B2 (de) * | 1974-12-23 | 1978-09-14 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Röntgenbildverstärkerröhre |
| US4001618A (en) * | 1975-01-29 | 1977-01-04 | Rca Corporation | Electron discharge image tube with electrostatic field shaping electrode |
| US4069357A (en) * | 1976-11-09 | 1978-01-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for diffusing metallic coatings into ceramics to improve their voltage withstanding capabilities |
| US4221967A (en) * | 1978-03-10 | 1980-09-09 | Diagnostic Information, Inc. | Gamma ray camera |
| US4315184A (en) * | 1980-01-22 | 1982-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Image tube |
| JPS59215639A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 反射電子除去電極 |
| FR2600177B1 (fr) * | 1986-06-13 | 1988-08-19 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un intensificateur d'images radiologiques et intensificateur d'images radiologiques ainsi obtenu |
| FR2634057B1 (fr) * | 1988-07-08 | 1991-04-19 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un tube perfectionne intensificateur d'images radiologiques, tube intensificateur ainsi obtenu |
| EP0360906B1 (de) * | 1988-09-29 | 1994-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenbildverstärker |
| DE3833133C2 (de) * | 1988-09-29 | 1995-12-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems für einen Röntgenbildverstärker |
| NL8900039A (nl) * | 1989-01-09 | 1990-08-01 | Philips Nv | Beeldversterkerbuis met chroomoxyde coating. |
| JPH0337939A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-19 | Hitachi Ltd | 受光素子及びその動作方法 |
| DE4208538C2 (de) * | 1992-03-17 | 1994-01-05 | Siemens Ag | Röntgenbildverstärker |
-
1993
- 1993-01-22 FR FR9300638A patent/FR2700889B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-07 US US08/178,748 patent/US6147446A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-14 DE DE69401966T patent/DE69401966T3/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-14 EP EP94400099A patent/EP0608168B2/fr not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-21 JP JP00536994A patent/JP3529152B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8335295B1 (en) | 2006-12-19 | 2012-12-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image intensifier |
| JP2009217944A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | イメージインテンシファイア |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2700889B1 (fr) | 1995-02-24 |
| JP3529152B2 (ja) | 2004-05-24 |
| FR2700889A1 (fr) | 1994-07-29 |
| EP0608168B1 (fr) | 1997-03-12 |
| DE69401966D1 (de) | 1997-04-17 |
| US6147446A (en) | 2000-11-14 |
| EP0608168B2 (fr) | 2001-01-24 |
| EP0608168A1 (fr) | 1994-07-27 |
| DE69401966T2 (de) | 1997-06-26 |
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