JPH0624088B2 - 超高周波スイッチ装置 - Google Patents

超高周波スイッチ装置

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JPH0624088B2
JPH0624088B2 JP1223721A JP22372189A JPH0624088B2 JP H0624088 B2 JPH0624088 B2 JP H0624088B2 JP 1223721 A JP1223721 A JP 1223721A JP 22372189 A JP22372189 A JP 22372189A JP H0624088 B2 JPH0624088 B2 JP H0624088B2
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/12Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
    • H01P1/127Strip line switches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H15/00Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for actuation in opposite directions, e.g. slide switch
    • H01H15/005Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for actuation in opposite directions, e.g. slide switch adapted for connection with printed circuit boards

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超高周波スイッチ装置に係り,特に,低周波か
らGHz帯の超高周波までの広い帯域にわたってインピ
ーダンス・マッチングさせた状態で,手動による信号切
換えの可能な超高周波スイッチ装置に関する。
〔従来の技術〕
従来,GHz帯の超高周波信号を切り換えるスイッチ装
置のうち電子的構成のものとしては,例えばスイッチダ
イオードを用いた構成が知られている。
これはスイッチダイオードに流す直流電流をON/OF
FすることによってスイッチダイオードがON/OFF
動作する特性を用いるものである。
また,機構的な構成のものとしては,スライドスイッチ
やリードリレー等が知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら,上述したスイッチダイオードを用いるス
イッチ装置は挿入損失が大き,複数個直列に接続して用
いる場合には全体の信号損失を無視できず,実用的でな
い。
また,スライドスイッチは,インピーダンス線路のマッ
チングを保ちながら信号を切り換える用途に適するもの
ではなく,例えば100MHz程度の信号でもミスマッ
チングを生じて超高周波信号帯では事実上使用できな
い。
さらに,リードリレーは,構造によっては超高周波信号
帯での使用が可能ではあるが,超高周波信号用のものは
回路との接続に特別の工夫が必要であり,形状も大きく
極めて高価となる難点がある。
このような欠点を解決するために本発明者は,特願昭6
3−234289号をもって新規な構成の超高周波スイ
ッチ装置を提案した。
すなわち,片面に接地電極の形成された誘電体層の対面
面に,その接地電極と対向して共通固定接点と,これを
間に挟むとともに互いの間隔を置いて対をなす被選択固
定接点とを形成し,それら各被選択固定接点と共通固定
接点の間にシールド電極を形成し,それら共通固定接点
および被選択固定接点の上方にてばねホルダーを上記被
選択固定接点間方向にスライド可能に保持させ,W型に
成形された可動接点ばねがその両側湾曲部を上記被選択
固定接点の一方と上記共通固定接点とに接触させるよう
にしてそのばねホルダーに収納されてなるものである。
しかしながら,この構成では各被選択固定接点と共通固
定接点の間にシールド電極があるので,スライド時に可
動接点ばねが一時的に接地され,超高周波スイッチ装置
を外部回路と接続する場合にはその外部回路がECLで
あると,ECL内のICを破壊するおそれがあり,特別
の工夫が必要となる。
例えば,コンデンサを介してシールド電極を高周波的に
接地すれば解決されるように考えられる。
ところが,この種の超高周波スイッチ装置は,例えば超
高周波用可変遅延線の切り換えに用いられるが,遅延線
の信号通過帯域が直流から超高周波までと広く,シール
ド電極のインダクタンス成分とコンデンサの容量で形成
される共振周波数を上述した信号通過帯域より更に高く
する必要がある。
そのため,設計が複雑化するうえ,コンデンサの容量の
ばらつき等もあって共振周波数の管理が必要となってコ
スト高を招き易く,改善の余地がある。
もっとも,シールド電極を省略して超高周波スイッチ装
置を構成すれば解決されるようにも思われるが,可動接
点ばねが共通固定接点と被選択固定接点間に落ち込まず
にスムースにスライドするように共通固定接点と被選択
固定接点間の間隔を狭くする必要があり,それら固定接
点間に生ずる静電容量が増加して信号の漏洩が問題とな
り易い。
本発明はこのような状況の下になされたもので,低周波
からGHz帯にいたるまでの広い周波数帯域にわたり,
インピーダンス・マッチングを良好に保った状態で信号
の切り換えが可能であり,信号の漏洩が少なく種々の外
部回路との接続が容易な,小型かつ安価な超高周波スイ
ッチ装置を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
このような目的を達成するために本発明は,片面に接地
電極を形成した誘電体層の対面面に,共通固定接点と,
これを間に挟むとともに互いに間隔を置いて対をなす被
選択固定接点とをその接地電極と対向して形成し,それ
ら各被選択固定接点と共通固定接点の間に独立した遊び
電極をその接地電極と対向形成し,それら共通固定接地
および被選択固定接点上方にて絶縁性ばねホルダーを上
記被選択固定接点間方向にスライド可能に保持させ,W
型に成形された可動接点ばねが,その両側湾曲部を上記
被選択固定接点の一方と上記共通固定接点とに接触させ
るようにしてそのばねホルダーに収納されて構成されて
いる。
そして,上記ばねホルダーは,接地電極に接続するとと
もにそれら共通固定接点および被選択固定接点上方に配
置した導電性ホルダーガイドに保持されてもよく,上記
遊び電極をそのばねホルダーのスライド方向と交差する
方向に分割配列することも可能である。
また,それら共通固定接点,遊び電極および被選択固定
接点の相互間の対向辺は,そのばねホルダーのスライド
方向に対して斜め方向に屈曲して延びるように形成する
ことも可能である。
さらに,上述した構成において上記誘電体層を共通にす
るとともに,被選択固定接点のうちいずれか一方の側の
被選択固定接点を各々共通にして2組構成可能である。
〔作 用〕
このような手段を備えた本発明は,共通固定接点および
被選択固定接点が誘電体層を介して接地電極に対向して
所定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ
線路となるし,可動接点ばねの可動接点が共通固定接点
と一方の被選択固定接点を接続短絡している状態からそ
の可動接点ばねをスライドすると,その可動接点が共通
固定接点と他方の被選択固定接点との短絡状態に切り換
わる。
また,各共通固定接点と遊び電極間,並びに遊び電極と
被選択固定接点間に静電容量が形成されるとともに,遊
び電極と接地電極間にも静電容量が形成され,後者の静
電容量の存在によって共通固定接点と被選択固定接点間
の信号漏洩が極めて小さくなる。
〔実施例〕
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係る超高周波スイッチ装置の一実施例
を示す分解斜視図であり,便宜上2組構成した例を示し
ている。
第1図においてスイッチ基板1は,板状の誘電体層3の
下面全体に接地電極5を形成し,対向面に第1,第2の
共通固定接点7,9,第1〜第4の被選択固定接点1
1,13,15,17および遊び電極19a〜19d,
シールド電極21を有して形成されている(第2図参
照)。
すなわち,誘電体層3の上面において,第1の共通固定
接点7を間に挟んで両側に間隔を置いて第1,第2の被
選択固定接点11,13が対向するように形成されてお
り,第1,第2の被選択固定接点11,13には各々長
方形の凹陥部11a,13aが形成されている。
第1の共通固定接点7はスイッチ基板1の端部まで延び
て信号入力端7aとなっており,第2の被選択固定接点
13はスイッチ基板1の別の端部まで延びて信号出力端
13bとなっている。
第1の共通固定接点7の両側と第1,第2の被選択固定
接点11,13の間には,いずれにも接続されない独立
した細長い遊び電極19a,19bが形成されており,
第1の共通固定接点7および第1,第2の被選択固定接
点11,13は遊び電極19a,19bを挟んで僅かな
間隔を置いて対向辺が等間隔で対向している。
第1,第2の被選択固定接点11,13は,各々第1の
共通固定接点7方向に向けて面積が広がるように台形状
に突出しており,遊び電極19a,19bはその突出形
状に沿ってく字状に折れ曲がって第1の共通固定接点7
方向に突出し,第1の共通固定接点7は遊び電極19
a,19bの突出に応じて切り欠かれ,遊び電極19
a,19bが部分的にその切り欠き領域に入り込んだ状
態になっている。
第1,第2の被選択固定接点11,13の対向方向と直
交する方向には,第2の共通固定接点9が間隔を置いて
形成されており,この第2の共通固定接点9から信号出
力端9aが延びている。
第2の共通固定接点9の両側には,上述した第1の被選
択固定接点11,13と同様な第3,第4の被選択固定
接点15,17が形成されており,第1の被選択固定接
点11と第3の被選択固定接点15は共通の導電体とな
っている。
第2の共通固定接点9と第3,第4の被選択固定接点1
5,17の間にも,いずれにも接続されない独立したく
字状の遊び電極19c,19dが形成されており,これ
ら第2の共通固定接点9,第3,第4の被選択固定接点
15,17および遊び電極19c,19dは,上述した
第1の共通固定接点7,第1,第2の被選択固定接点1
1,13,遊び電極19a,19bと同様に台形状に突
出およびく字状に折れ曲がり形成されるとともに切り欠
かれた状態になっている。
第1図中符号15a,17aは凹陥部であり,第4の被
選択固定接点17はスイッチ基板1の端部に延びて信号
出力端13bの近傍で信号入力端17bとなっている。
第2,第4の被選択固定接点13,17間および第1,
第2の共通固定接点7,9間にはシールド電極21が形
成されている。このシールド電極21は,第2,第4の
被選択固定接点13,17間において誘電体層3に貫通
形成された取付孔21a内側のスルーホール(図示せ
ず)を介して接地電極5に接続されている。
表面側接地電極23は第1,第3の被選択固定接点1
1,15を形成する導電体を間に置いて遊び電極19
a,19cとは反対側に形成されており,誘電体層3に
貫通形成された取付孔23a内側のスルーホール(図示
せず)を介して接地電極5に接続されている。
そして,スイッチ基板1における第1,第2の共通固定
接点7,9,第1〜第4の被選択固定接点11〜17は
誘電体層3を介し接地電極5と対面してマイクロストリ
ップを形成しており,第1,第2の共通固定接点7,
9,第1〜第4の被選択固定接点11〜17の厚みや
幅,誘電体層3の厚みを選択することによって目的の特
性インピーダンスが得られる。
また,遊び電極19a〜19dと第1,第2の共通固定
接点7,9や第1〜第4の被選択固定接点11〜17間
には静電容量が形成され,遊び電極19a〜19d1体
も誘電体層3を介して接地電極5と対向して静電容量が
形成されている。
スイッチ基板1には,第3図に示すように,導電帯板を
コ字状に屈曲形成したホルダーガイド25がその両端か
ら突出する取付片27a,27bを取付孔21a,23
aに挿入して先端を折り曲げることによって取付けられ
ており,取付片27a,27bが例えば半田付けによっ
て接地電極5に接続されている。
第3図におけるスイッチ基板1は第2図中のIII−III間
の断面であり,同図中の後述するホルダーガイド25お
よびばねホルダー29はやはり後述する第4図中のII
I′−III″間の階段断面図である。
ホルダーガイド25内には絶縁性の箱型ばねホルダー2
9が保持されている。このばねホルダー29は内部を二
分して2個の収納凹部39(片方しか見えない)を有し
ており(第4図参照),開口部をスイッチ基板1側に向
けてホルダーガイド25に保持されている。
ばねホルダー29は,上部に突出したつまみ31をホル
ダーガイド25のガイド孔33から突出させ,両側部か
ら突出する突出部35a,35bをホルダーガイド25
の側孔37a,37bから突出可能にして第1,第2の
被選択固定接点11,13方向(第3,第4の被選択固
定接点15,17方向)にスライド自在に保持されてい
る。
ばねホルダー29の各収納凹部39には,燐青銅等の弾
力性に富む導電帯を略W字型に湾曲成形した可動接点ば
ね41,43が,第3図および第4図に示すように収納
されている。
可動接点ばね41の両側湾曲部は可動接点45a,45
bとなって第1の共通固定接点7と第1又は第2の被選
択固定接点11,13に弾性的に当接し,可動接点ばね
43の両側湾曲部が可動接点47a,47bとなって第
2の共通固定接点9と第3又は第4の被選択固定接点1
5,17に同様に当接している。
このような本発明の超高周波スイッチ装置は,つまみ3
1をつまんでばねホルダー29をスライドさせると,可
動接点ばね41,43の可動接点45a,45b,47
a,47bは,例えば一方の第1,第3の被選択固定接
点11,15と第1,第2の共通固定接点7,9間を短
絡する第1の短絡状態から,他方の第2,第4の被選択
固定接点13,17と第1,第2の共通固定接点7,9
間を短絡する第2の短絡状態に切り換わる。
従って,第1の短絡状態では,信号入力端7aから入力
された信号が可動接点ばね41,第1,第3の被選択固
定接点11,15,可動接点ばね43および第2の共通
固定接点9を経て信号出力端9aから出力される。
第2の短絡状態では,信号入力端7aから入力された信
号が可動接点ばね41,第2の被選択固定接点13を経
て信号出力端13bから出力され,信号入力端17bか
ら入力された信号が可動接点ばね43,第2の共通固定
接点9を経て信号出力端9aから出力される。
その際,つまみ31をスライドさせると,ばねホルダー
29の突出部35a,35bがホルダーガイド25の側
孔37a,37bから突出するが,この突出部35a,
35bはつまみ31を一方に移動させた場合に,ガイド
孔33を通してばねホルダー29の反対の端が見えない
ようにしている。
そして,スイッチ基板1における第1,第2の共通固定
接点7,9,第1〜第4の被選択固定接点11〜17は
誘電体層3を介し対面してマイクロストリップを形成し
ているから,それらの厚みや幅を適当に選択することに
より,例えば50Ωの特性インピーダンスを有する外部
回路と良好なインピーダンス・マッチング状態で接続可
能となる。
しかも,本発明では,後述する第5図のように,遊び電
極19a〜19dと第1,第2の共通固定接点7,9間
に静電容量Csが,遊び電極19a〜19dと第1〜第
4の被選択固定接点11,13,15,17間にも静電
容量Csが形成される。
他方,遊び電極19a〜19dも,第1,第2の共通固
定接点7,9や第1〜第4の被選択固定接点11,1
3,15,17と同様に誘電体層3を介して接地電極と
対向しているから静電容量Cdを有し,遊び電極19a
〜19dを中心とした等価回路は第5図のようになり,
漏洩する信号が静電容量CsとCdで分割減衰され,更
に他方の静電容量Csによって漏洩信号が大きく減衰す
る。
そのため,静電容量Cdの存在により,第1,第2の共
通固定接点7,9と第1〜第4の被選択固定接点11,
13,15,17間の静電容量がCs/2となった以上
の効果が得られる。
すなわち,静電容量Cdの値は,遊び電極19a〜19
dの面積等によって異なるが静電容量Csより大きくす
ることは容易であり,遊び電極19a〜19dを形成し
ない場合に第1,第2の共通固定接点7,9と第1〜第
4の被選択固定接点11,13,15,17間の静電容
量Csによって漏洩する信号に比べ,漏洩信号レベルを
1接点当たり1/3〜1/4と低下させることが容易で
ある。
そのため,上述した本発明の構成では,信号漏洩が少な
くなるとともにGHz帯の超高周波信号まで,特性イン
ピーダンスを安定して得ることができる。
また,一般に可動接点ばね41,43はインダクタンス
成分を有するから,特性インピーダンスを超高周波信号
まで一定に保ち難くなる場合もあるが,本発明では導電
性のホルダーガイド25が接地電極5に接続されている
から,可動接点ばね41,43も接地電極5に対して分
布容量を有するインピーダンス線路として機能し,超高
周波スイッチ装置全体が特性インピーダンスを有して超
高周波信号の特性改善に寄与する。
さらに,遊び電極19a〜19dおよびこれら遊び電極
19a〜19dを挟んで配置された第1,第2の共通固
定接点7,9や第1〜第4の被選択固定接点11〜17
の対向辺が可動接点ばね41,43の移動方向に対向し
て斜めに沿って形成されているから,可動接点ばね4
1,43を移動する際に途中の空隙に可動接点45a,
45bが落ち込まずにスムースにスライドする。
そして,第1〜第4の被選択固定接点11〜17におけ
る凹陥部11a〜17aに落ち込むことによってクリッ
ク動作し,ばねホルダー29のスライド時にそのスイッ
チ動作が明確となる。
このように本発明の超高周波スイッチ装置は,超高周波
信号特性も良好で,構造が簡単かつ小型であり,切り換
え時に可動接点ばね41,43が接地されることもな
い。
上述した本発明は誘電体層3を共通にして2回路の超高
周波スイッチ装置を構成したが,本発明は1回路を基本
的構成とするものである。
もっとも,上述したような2回路構成の超高周波スイッ
チ装置において,信号入出力端13b,17b間に所定
の遅延時間を有する遅延線を接続すると,第3図のよう
につまみ31が「0」側では入力信号が略遅延時間を伴
なわずに出力され,「1」側に移動すると所定の遅延時
間を伴った信号が出力される。
従って,第6図に示すように,2回路構成の超高周波ス
イッチ装置4組をSW〜SWとして各々の信号入出
力端13a,17b間に遅延線DL〜DLを接続し
た単位可変遅延線49,51,53,55を形成して複
数段縦続接続すれば,デジタル可変遅延線を構成でき
る。
すなわち,各遅延線DL〜DLの遅延時間を各々1
00ps,200ps,400ps,800psにする
ことにより,各単位可変遅延線49〜55における超高
周波スイッチ装置SW〜SWの切り換え操作によ
り,0〜1500ps間の遅延時間を100ps置きに
デジタル的に変化可能である。
しかも,デジタル信号を扱う可変遅延線では,1スイッ
チ当たり2個の切り換え接点が直列接続された構成とな
るから,1スイッチ部分における信号の漏洩は1/9〜
1/16程度に極めて低くなる。
第7図は単位可変遅延線49〜55を縦続接続したデジ
タル可変遅延線をケース57に収納して製品化した場合
の斜視図であり,符号59および61はカバーおよび端
子ピンである。
本発明者の実験によれば,第6図および第7図の4ビッ
ト構成のデジタル可変遅延線において3GHz帯まで略
平坦な遅延特性を得ることができた。
第8図は本発明の他の実施例を示すものであり,遊び電
極63a〜63dの形状を変更したものである。
すなわち,可動接点ばね41,43のスライド方向に対
して交差する方向,例えば直交する方向に複数個に分割
配列した遊び電極63a〜63dを形成したものであ
り,他は上述した構成と同様である。
上述した第1図の構成では静電容量Csによる信号漏洩
が少ないので超高周波信号の切り換えに好適するもので
あったが,使用周波数が高くなれば,やはり静電容量C
sの存在は好ましくない。
そこで,第8図のように構成すれば,静電容量Cs,C
d自体が小さくなってより一層超高周波帯域での使用に
好適する。
しかも,遊び電極63a〜63dが可動接点ばね41,
43のスライド方向に分割されていないから,可動接点
ばね41,43のスライドに支障がない。
上述した本発明の各超高周波スイッチ装置はデジタル可
変遅延線に用いる例を示したが,これ以外の一般的な用
途例えば第9図に示すように,信号源SGから送られた
信号ライン65を第1の出力信号ライン67と第2の出
力信号ライン69に切り換え選択する超高周波スイッチ
装置SWに応用可能である。
さらに,本発明の超高周波スイッチ装置は,ICやその
他電子部品を搭載するプリント基板を誘電体層3として
それ自体に形成することも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の超高周波スイッチ装置は,
スイッチを構成する共通固定接点や被選択固定接点自体
が特性インピーダンスを有するので,外部回路と特性イ
ンピーダンスを一致させることが容易となり,低周波か
らGHz帯の超高周波までの広い帯域にわたって良好な
マッチング状態で信号を切り換えることが可能である。
また,接地電極に対向する遊び電極を共通固定接点と被
選択固定接点間に形成したから,共通固定接点と被選択
固定接点間の静電容量を介して漏洩する信号レベルが少
なくなって損失が少なくなるうえ,切り換え時に可動接
点が接地されないから,種々の外部回路との接続が簡単
となる利点がある。
そして,ばねホルダーを接地電極に接続するとともに共
通固定接点および被選択固定接点上方に配置した導電性
ホルダーガイドに保持させた構成では,可動接点ばねが
広い周波数帯域で安定した特性インピーダンス線路とな
り,周波数特性が一層安定する利点がある。
また,遊び電極を可動接点ばねのスライド方向と交差す
る方向に分割配列する構成では,固定接点間の静電容量
が小さくなって超高周波帯域においてより一層特性が良
好となるうえ,可動接点ばねの円滑なスライド状態を確
保できる。
さらに,共通固定接点,遊び電極および被選択固定接点
の対向辺をそのばねホルダーのスライド方向に対して斜
め方向に屈曲する構成でも,可動接点ばねのスムースな
スライド状態を確保できる。
さらにまた,上述した構成において上記誘電体層を共通
にするとともに,被選択固定接点のうちいずれか一方の
側の被選択固定接点を各々共通にすると,簡単に2組の
超高周波スイッチ装置を構成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る超高周波スイッチ装置の一実施例
を示す分解斜視図,第2図は第1図中のスイッチ基板を
示す平面図,第3図および第4図は第1図の超高周波ス
イッチ装置の断面図(第2図中のIII−III間断面,第4
図中のIII′−III″間階段断面図)および半断面図(第
3図中のIV−IV間半断面),第5図は第1図中の超高周
波スイッチ装置の動作を説明する等価回路図,第6図お
よび第7図は本発明の超高周波スイッチ装置の応用例を
示す回路図および斜視図,第8図は本発明の他の実施例
を示す平面図,第9図は本発明の他の応用例を示す回路
図である。 1……スイッチ基板 3……誘電体層 5……接地電極 7,9……共通固定接点(第1,第2の共通固定接点) 11,13,15,17……被選択固定接点(第1〜第
4の被選択固定接点) 19a〜19d,63a〜63d……遊び電極 21……シールド電極 25……ホルダーガイド 27a,27b……取付片 29……ばねホルダー 31……つまみ 39……収納凹部 41,43……可動接点ばね 45a,45b,47a,47b……可動接点 49,51,53,55……単位可変遅延線 65……信号ライン 67,69……第1,第2の出力信号ライン SW〜SW……超高周波スイッチ装置

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】この誘電体層の片面に形成された接地電極
    と, 前記誘電体層の対向面に前記接地電極と対向して形成さ
    れた共通固定接点と, 前記対向面に前記共通固定接点を間に挟むとともに互い
    に間隔を置き前記接地電極と対向して形成された対をな
    す被選択固定接点と, 前記対向面において前記各被選択固定接点と前記共通固
    定接点の間に前記接地電極と対向して各々形成された独
    立の遊び電極と, 前記共通固定接点および被選択固定接点上方にて前記対
    をなす被選択固定接点間方向にスライド可能に保持され
    た絶縁性ばねホルダーと, W型に成形され両側湾曲部が前記被選択固定接点の一方
    と前記共通固定接点とに接触するようにして前記ばねホ
    ルダーに収納されてなる可動接点ばねと, を具備してなることを特徴とする超高周波スイッチ装
    置。
  2. 【請求項2】前記ばねホルダーが,前記接地電極に接続
    され前記共通固定接点および被選択固定接点上方に配置
    した導電性ホルダーガイドに保持されてなる請求項1記
    載の超高周波スイッチ装置。
  3. 【請求項3】前記遊び電極が,前記ばねホルダーのスラ
    イド方向と交差する方向に分割配列されてなる請求項1
    記載の超高周波スイッチ装置。
  4. 【請求項4】前記共通固定接点,遊び電極および被選択
    固定接点の相互間の対向辺が,前記ばねホルダーのスラ
    イド方向に対して斜め方向に屈曲形成されてなる請求項
    1記載の超高周波スイッチ装置。
  5. 【請求項5】前記接地電極,共通固定接点,被選択固定
    接点,遊び電極,ばねホルダーおよび可動接点ばねを1
    組として前記誘電体層を共通にして各々2組具備されて
    なり, 前記被選択固定接点のうちいずれか一方の側の被選択固
    定接点が各々共通にされてなる請求項1記載の超高周波
    スイッチ装置。
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