JPH06240441A - ポリマー／金属複合体またはポリマー／半導体複合体の製造方法 - Google Patents

ポリマー／金属複合体またはポリマー／半導体複合体の製造方法

Info

Publication number
JPH06240441A
JPH06240441A JP5174995A JP17499593A JPH06240441A JP H06240441 A JPH06240441 A JP H06240441A JP 5174995 A JP5174995 A JP 5174995A JP 17499593 A JP17499593 A JP 17499593A JP H06240441 A JPH06240441 A JP H06240441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer
metal
composite
semiconductor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5174995A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Hoessel
ペーター、ヘセル
Klaus Harth
クラウス、ハルト
Gerhard Dr Hoffmann
ゲールハルト、ホフマン
Hartmut Dr Hibst
ハルトムート、ヒブスト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BASF SE
Original Assignee
BASF SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BASF SE filed Critical BASF SE
Publication of JPH06240441A publication Critical patent/JPH06240441A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/14—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to metal, e.g. car bodies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50—Multilayers
    • B05D7/51—One specific pretreatment, e.g. phosphatation, chromatation, in combination with one specific coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/082—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising vinyl resins; comprising acrylic resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/18—Layered products comprising a layer of metal comprising iron or steel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B32B2307/734—Dimensional stability
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポリマー／金属複合体およびポリマー／半導
体複合体の接着強度を、出来るだけ広範な使用範囲に亙
り持続的に改善すること。 【構成】 ポリマーと金属またはポリマーと半導体間に
接着層を有するポリマー／金属複合体またはポリマー／
半導体複合体の製造方法において、少なくとも２種の異
なる化学元素から成る層を金属または半導体の上に蒸着
または陰極スパッタリングにより被覆し、これらの層の
少なくとも１種の化学元素が腐食法で選択的にまたは部
分的に除去され、その上にポリマーが施されることを特
徴とする方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本願発明はポリマーと金属間もしくはポリ
マーと半導体間の接着強度が改善された接着層を有する
ポリマー／金属複合体またはポリマー／半導体複合体の
製造方法に関するものである。
【０００２】ポリマー材料は、その固有の性質（例えば
低重量、良好な化学抵抗性、高い衝撃抵抗）に基づいて
工業材料として大きい価値を示す。射出成型、鋳造、ブ
ローイング、押出し、プレス等による、それらの特に優
れた加工性は、対象物および構造部材を任意の形状に簡
単な正確な方法で製造することを可能にする。広範な使
用範囲、特に構造部品の電気的または磁気的性質、熱伝
導度または機械的性質への要求のある使用範囲に使用さ
れるとはいうものの、望ましい際立った性質はポリマー
／金属複合体またはポリマー／半導体複合体によっての
み充たされる。金属およびポリマー間の大きく異なった
材料の性質（例えば熱膨張係数、弾性率）および小さい
物理的および化学的結合力に基づいて、ポリマー／金属
界面はこれらの複合体の原理的に弱体な箇所である。
【０００３】
【従来技術】ポリマー／金属複合体の接着強度を改善す
るには既に各種の方法があり（例えば、Ｅ．Ｓａｃｈｅ
ｒ，Ｊ．−Ｊ．Ｐｉｒｅａｕ，Ｓ．Ｐ．Ｋｏｗａｌｃｚ
ｙｋ，Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｌｙｍ
ｅｒｓ，ＡＣＳ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｓｅｒｉｅｓ
４４０，１９９０；Ｋ．Ｌ．Ｍｉｔｔａｌ，Ｊ．Ｒ．Ｓ
ｕｓｋｏ，Ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ
１，Ｐｌｅｎｕｍ）、即ちポリマー或は金属層に機械的
処理により粗度をつけること、ポリマー或は金属層に化
学的エッチ法（例えばクロム硫酸により）により粗度を
つけること、ポリマー或は金属層に物理的エッチ法（例
えばプラズマエッチにより）により粗度をつけること、
化学的接着基（例えば、Ｏ−含有官能基）の導入並びに
中間層（例えば、Ｓｎ、Ｃｒ等）の析出がある。
【０００４】欧州特許出願公開第１５２６３４号公報に
印刷版体の製造方法が記載されており、そこには金属中
間層、特にＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ａｌまたはそれら
の元素の合金から成る金属中間層が蒸着または浸漬／電
気メッキの析出により製造され、その後その表面に粗度
をつける方法が記載されている。
【０００５】欧州特許出願公開第２３７１１４号公報に
導電性の接着結合の製造方法が記載されており、第Ｉ列
の遷移金属Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕおよび／または第ＩＩ列の遷移金属Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから成る中間接着層
が電気化学的メッキまたはスパッタリングにより製造さ
れることが記載されている。
【０００６】これらの公知の方法の欠点は接着仲介作用
に限界があり（機械的結合が弱い）、従ってポリマー／
金属複合体の使用領域が制限されることである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本願発明の目的は、ポ
リマー／金属複合体の接着強度を、出来るだけ広範な使
用範囲に亙り持続的に改善することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】驚くべきことに、複合体
中において少なくとも２種の異なる化学元素を用い、こ
れらの層の少なくとも１種の化学元素が腐食法で選択的
にまたは部分的に除去されるとき、ポリマー／金属複合
体の接着強度が技術状態に対向して改善されることがで
きることを見出した。それにより中間層の表面にポリマ
ーの固定のための細孔を生じさせることができる。
【０００９】本願発明の対象はポリマーと金属またはポ
リマーと半導体間に接着層を有するポリマー／金属複合
体またはポリマー／半導体複合体の製造方法において、
少なくとも２種の異なる化学元素から成る層を金属また
は半導体の上に蒸着または陰極スパッタリングにより被
覆し、これらの層の少なくとも１種の化学元素が腐食法
で選択的にまたは部分的に除去され、その上にポリマー
が施されることを特徴とする。
【００１０】２種の異なる化学元素は金属または半導体
の上に蒸着または陰極スパッタリングにより同時に被覆
されるのが好ましい。
【００１１】本願発明による好ましい態様は、接着層の
製造のための異なる化学元素として硼素、ベリリウム、
マグネシウムおよびアルミニウムの群からの少なくとも
１種を、炭素、珪素、チタンおよびクロムの群からの少
なくとも１種と組み合わせて使用し、接着層が０．１ｎ
ｍと１０μｍの間の厚さを示すことである。
【００１２】ポリマーは特にプレス、射出成型、押出
し、カレンダー処理または鋳造により施工される。
【００１３】腐食方法は酸、アルカリ液または反応性ガ
スにより化学的に、或はプラズマとの協働により実施さ
れることができる。
【００１４】更に好ましい本願発明の態様はまた、ポリ
マー／金属複合体の金属が寸法的安定な金属担体、可撓
性の平面的な金属担体、金属箔、線状または繊維状の金
属担体或は金属層で被覆した物に関し、またポリマーフ
イルムの形態のポリマーが使用されることにより構成さ
れる。
【００１５】本願発明の対象はまた本願発明の方法によ
り製造された、改善された機械的、動力学的および／ま
たは電気的性質を有するポリマー／金属複合体の複合構
造部材としての使用方法並びに乗物工業または電気工業
における機械構造体の複合構造部材、または接着性感光
性層を有する印刷版体を製造するためのこのような方法
で製造されたポリマー／金属複合体或はポリマー／半導
体複合体の使用方法である。
【００１６】本願発明の方法により製造されたポリマー
／金属複合体の本質的な長所はポリマーが中間層表面に
際立って優れた結合をすることである。これらの機械的
相互作用は通常ポリマーと金属並びにポリマーと中間層
の間の弱い化学的相互作用を支援し、複合体の機械的性
質の本質的な改善を保証する。
【００１７】ポリマー／金属複合体の製造のために、少
なくとも２種の異なる化学元素の物理的沈積法、例えば
蒸着法、陰極スパッタリング法またはアークコーティン
グ法、好ましくは陰極スパッタリング法により、結合中
間層が金属担体上に分離され、続いて腐食処理を受ける
ことができる。その後ポリマーは、射出成型、押出し、
カレンダー処理、プレスまたは鋳造のような通常の方法
の工程で被覆される。少なくとも２種の異なる化学元素
から成る層の製造のために、マグネトロン−スパッタリ
ング、直流または無線周波数−スパッタリング、バイア
ス−スパッタリング並びにそれらの組合わせのような陰
極スパッタリング法の種々の変形法が適用される。マグ
ネトロン−スパッタリングは外部磁場における分離ター
ゲットに適用され、ターゲットの領域において濃縮さ
れ、そのため分離速度が高くなる。直流または無線周波
数−スパッタリングでは直流または無線周波数発生器に
より公知の方法で分離プラズマの活性化が起こる。バイ
アス−スパッタリングにおいては通常負のバイアス電圧
（バイアス）で被覆すべき構造体を被覆し、被覆の間構
造体にイオンの強い放射が実施される。
【００１８】多成分の金属による合金の製造は通常、被
覆装置において適したターゲットを用いることにより、
更に続いて貴ガスプラズマ、好ましくはアルゴンガス中
においてターゲットの分離により起こる。適したターゲ
ットは公知の方法で溶融法または粉末冶金法によって製
造された均一な合金ターゲットか、異なる化学組成の小
さい細片の組み立てによるかまたは均一なターゲット上
に小さい円盤状の材料片を載置するか貼付することによ
って製造される不均一なモザイク状ターゲットかであ
る。代わるべき方法として、異なった組成の二つまたは
それ以上のターゲットが同時に分離される（同時スパッ
タリング）ことにより合金が製造される。中間層の腐食
は有機または無機酸、酸化剤或は塩基性剤によって化学
的または電気化学的に実施されることができる。例えば
（Ａｌ−Ｓｉ）−層を使用した場合、苛性ソーダ溶液に
よる腐食が好ましい方法である。他の方法では反応性ガ
スによる腐食を行うことができる。同様に腐食過程がプ
ラズマ中で行われることができる。腐食処理は、結合性
中間層の少なくとも１種の化学元素を表面近傍領域にお
いて完全にまたは部分的、選択的に除去するような形で
行われるべきである。これにより中間層中に形成された
微小空洞または微小空間がポリマーの機械的締結のため
の結合アンカーとしての役をする。
【００１９】本願発明による中間層のための担体として
は、全て伝導性の材料が考慮の対象となる。例えば鋼、
アルミニウムまたは銅のような金属担体が好ましい。
【００２０】ポリマー／半導体複合体の製造のための半
導体として、例えば珪素およびゲルマニウムのような全
て固体の半導体材料が対象になる。
【００２１】ポリマーとしては熱可塑性ポリマー、ジュ
ロプラスチックポリマーおよびジュロマーポリマーが対
象となる。
【００２２】熱可塑性ポリマーは例えば、ポリエチレン
テレフタレートおよびポリブチレンテレフタレートのよ
うなポリエステル、ポリアミド、ポリスルフォン、ポリ
エーテルスルフォン、ポリカーボネイト、ポリエーテ
ル、ポリオキシメチレン、ポリケトン、ポリ（アリー
ル）エーテルケトン、ポリメチルメタアクリレート、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルクロライド、
ポリスチロール、スチロール／ブタジエン共重合体およ
びアクリルニトリル／ブタジエン／スチロール共重合体
が好ましい。
【００２３】反応性樹脂または注型用樹脂、例えばメタ
アクリレート−またはアクリレート注型用樹脂、ポリウ
レタン樹脂またはエポキシド樹脂、並びに耐高温性樹
脂、例えばポリエステルイミド、ポリイミド、ポリアミ
ドイミド、ポリベンズイミダゾールおよびポリベンズオ
キサゾールが最初に担体上のその場所で重合されるのが
好ましい。
【００２４】その他にそれ自身、導電性のポリマー、例
えばポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポ
リパラフェニレン、ポリフェニレンビニレンおよびポリ
アセチレンがまた好ましく、それは場合によりポリマー
塩として存在するがまたはドープされ、すなわち過剰の
負荷が存在する。
【００２５】本願発明の一つの態様において、結合性の
中間層が強固な寸法的に安定な金属担体上に施される。
好ましい担体は例えば平板、円盤、シャーレ、中空体、
立方体または他の幾何学的形状をした物体である。使用
範囲は特に自動車（例えばバンパー系、フロント部分、
カルダン軸、複合バネ、シート支持、マニホールドパッ
セージ等）、航空機（尾翼、胴体部分等）または船舶に
おいて改善された機械的性質を有する複合体構造部材；
機械構造（軸、歯車、ベアリング等）において改善され
た動力学的性質を有する複合体構造部材；電気工学にお
ける構造部品（開閉器、蓄電池、高性能トランジスタ
ー、高性能ダイオード、導電体、ハウジング、三次元プ
リント回線等）、マイクロエレクトロニクスにおける構
造部品（例えば改善されたケーシングを有する構造部
品、チップケーシングに対して高度の保証をするリード
フレーム、改善された絶縁層および中間誘電絶縁体を有
するマイクロエレクトロニクス構造部品、継電器等）に
おいて改善された電気的もしくは機械的性質を有する構
造部材が使用されうる可能性がある。
【００２６】本願発明の更なる態様は、接着性中間層を
可撓性の平面状金属担体上に施すことである。適した担
体は例えば０．０５ｍｍと５ｍｍの間の厚さを有する薄
鋼板である。本願発明のポリマー／金属複合体は接着性
感光性層を有する印刷版体、接着性耐食性コーティン
グ、ラッカーコーティング、分散コーティング、印刷ま
たは接着層を有する鋼帯としての使用を見出すことがで
きる。
【００２７】本願発明の更に他の態様は、接着性中間層
が少なくとも１種の薄いポリマーフイルムまたはポリマ
ー層と少なくとも１種の薄い金属箔または金属層とから
成る積層体の中間層に使用されることができる。その場
合、ポリマーフイルムまたはポリマー層の厚さは１０ｎ
ｍと２００μｍの間の範囲であることができる。金属箔
または金属層の厚さは１ｎｍと２００μｍの間の範囲で
あることができる。この様な積層体は情報記録系（磁気
テープ）、薄層コンデンサー、集積プリント回路、シー
ルド箔、セフト保護、高透過性磁気部品の製造のための
半製品（例えばエレクトロマグネットのコアー）、トラ
ンスファーメタライジングフイルム、高導電性または高
熱伝導性接着性フイルム、或は良好な透過遮断作用を有
する包装用フイルムとしての用途が見出される。
【００２８】本願発明の更に一つの実施態様として、接
着性中間層が線状または繊維状の金属担体上に施される
ことができる。線状または繊維状の金属担体の直径は
０．１μｍから１０ｃｍの間の範囲であることができ
る。それに対応するポリマー／金属複合体は機械的な補
強および電磁的遮蔽作用を有する熱可塑性またはジュロ
プラスチック構造部品（例えば電子部品のケーシン
グ）、高い機械的安定性を有するエラストマー（例えば
スチールラジアルタイヤ）、遮蔽織成体または接着性絶
縁被覆を有するケーブルとしての用途が見出される。
【００２９】実施例で記述された部および％は、特に指
定しない限り重量部または重量％である。
【００３０】
【実施例】研磨された銅板（厚さ１ｍｍ）は商用の陰極
スパッタリング装置（例えばＦｉｍｒａ Ａｌｃａｔｅ
ｌ製ＳＣＭ８５０）に装着された。次にＡｌ70Ｓｉ30の
組成を有する丸形のターゲットが銅板に対して６０ｍｍ
の間隔で平行に装着された。陰極スパッタリング装置の
真空室は５ｘ１０-7ミリバールの真空に減圧された。そ
の後アルゴンが９ｘ１０-3ミリバールの圧力まで導入さ
れた。２００℃の基板温度において銅板はＲＦ−電圧に
よりまず３０分間のスパッタリングエッチ処理が実施さ
れた。スパッタリングエッチ処理の終了後アルゴンの圧
力を５ｘ１０-3ミリバールまで減圧した。Ａｌ70Ｓｉ30
−ターゲットにＲＦ−電圧をかけることにより（出力５
００Ｗ）銅板上に３．５μｍの厚さの層が分離装着され
た。基板温度はそのとき２００℃で、ＲＦ−バイアスは
−９０℃に保たれた。
【００３１】得られた層は引続いて水酸化ナトリウム１
０％水溶液に２５℃において１分間浸漬し、蒸留水で洗
浄し、乾燥された。
【００３２】ポリメチルメタアクリレート粒が２００μ
ｍの層厚さで、エッチされた層の上にプレスにより装着
された。ポリメチルメタアクリレート層は非常に高いシ
ェル強度を示した。１８０℃のシェルテスト（ポリメチ
ルメタアクリレート層を表面に装着した接着テープ、例
えばＭＭＭ社製のスコッチテープ、を１８０°に屈曲後
剥離する）において、ポリマー層の基板からの剥離は観
察されなかった。これに対して、基板上に中間層が施さ
れていないポリマー層はシェルテストにおいて小さいシ
ェル強度を示した。
フロントページの続き (72)発明者 ゲールハルト、ホフマン ドイツ連邦共和国、6701、オターシュタッ ト、パペルシュトラーセ、22 (72)発明者 ハルトムート、ヒブスト ドイツ連邦共和国、6905、シュリースハイ ム、ブラニッヒシュトラーセ、23

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ポリマーと金属またはポリマーと半導体間
    に接着層を有するポリマー／金属複合体またはポリマー
    ／半導体複合体の製造方法において、少なくとも２種の
    異なる化学元素から成る層を金属または半導体の上に蒸
    着または陰極スパッタリングにより被覆し、これらの層
    の少なくとも１種の化学元素が腐食法で選択的にまたは
    部分的に除去され、その上にポリマーが施されることを
    特徴とする方法。
  2. 【請求項２】接着層の製造のための異なる化学元素とし
    て硼素、ベリリウム、マグネシウムおよびアルミニウム
    の群からの少なくとも１種を、炭素、珪素、チタンおよ
    びクロムの群からの少なくとも１種と組み合わせて使用
    することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】腐食方法が酸、アルカリ液または反応性ガ
    スにより化学的に実施されることを特徴とする請求項１
    または請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】腐食方法がプラズマの支援により実施され
    ることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】請求項１に記載の方法により製造されたポ
    リマー／金属複合体が使用されることを特徴とする改善
    された機械的、動力学的および／または電気的性質を有
    する複合構造部材の製造方法。
  6. 【請求項６】請求項１に記載の方法により製造されたポ
    リマー／金属複合体或はポリマー／半導体複合体が使用
    されることを特徴とする乗物工業または電気工業におけ
    る機械構造体の複合構造部材、或は接着性感光性層を有
    する印刷版体の製造方法。
JP5174995A 1992-07-21 1993-07-15 ポリマー／金属複合体またはポリマー／半導体複合体の製造方法 Withdrawn JPH06240441A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4223887A DE4223887A1 (de) 1992-07-21 1992-07-21 Verfahren zur Herstellung eines Polymer/Metall- oder Polymer/Halbleiter-Verbundes
DE4223887.0 1992-07-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06240441A true JPH06240441A (ja) 1994-08-30

Family

ID=6463671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5174995A Withdrawn JPH06240441A (ja) 1992-07-21 1993-07-15 ポリマー／金属複合体またはポリマー／半導体複合体の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5356511A (ja)
EP (1) EP0580050A1 (ja)
JP (1) JPH06240441A (ja)
KR (1) KR940005377A (ja)
DE (1) DE4223887A1 (ja)
TW (1) TW253869B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010004662A1 (ja) * 2008-07-07 2010-01-14 有限会社アイレックス 放熱シート及び放熱シートの製造方法
JP2013520001A (ja) * 2010-02-10 2013-05-30 タタ、スティール、ネダーランド、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ 太陽電池を金属基材上に製造する積層システム、および該積層システムを製造する方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5415762A (en) * 1993-08-18 1995-05-16 Shipley Company Inc. Electroplating process and composition
WO1999017366A1 (de) * 1997-09-29 1999-04-08 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
TW505984B (en) 1997-12-12 2002-10-11 Applied Materials Inc Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures
US6143476A (en) * 1997-12-12 2000-11-07 Applied Materials Inc Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack
US6261961B1 (en) * 1999-03-01 2001-07-17 The Regents Of The University Of California Adhesion layer for etching of tracks in nuclear trackable materials
DE19912256C1 (de) * 1999-03-18 2000-11-16 Siemens Ag Herstellungsverfahren für ein elektronisches Gerät und elektronisches Gerät mit Kunststoffgehäuse
US6866752B2 (en) 2001-08-23 2005-03-15 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of forming ultra thin film devices by vacuum arc vapor deposition
WO2005016699A1 (en) * 2003-08-12 2005-02-24 Intier Automotive Inc. Vehicle panel with metalized film
EP2501644A1 (en) * 2009-11-20 2012-09-26 Unimicron Technology Corp. Lid, fabricating method thereof, and mems package made thereby
ITTO20120976A1 (it) 2012-11-09 2014-05-10 St Microelectronics Srl Procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici e cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici
CN105648438A (zh) * 2016-01-20 2016-06-08 梧州三和新材料科技有限公司 一种对连续非金属带材导电化和黑化处理的方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3391024A (en) * 1964-11-16 1968-07-02 Texas Instruments Inc Process for preparing improved cryogenic circuits
US3981691A (en) * 1974-07-01 1976-09-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Metal-clad dielectric sheeting having an improved bond between the metal and dielectric layers
JPS5181741A (ja) * 1975-01-16 1976-07-17 Outboard Marine Corp Kokeisoaruminyuumugokinseibutsupinno taisonshomamomennoseizoho
JPS5288772A (en) * 1976-01-20 1977-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of producing printed circuit board
US4061837A (en) * 1976-06-17 1977-12-06 Hutkin Irving J Plastic-metal composite and method of making the same
JPS5946415B2 (ja) * 1978-04-28 1984-11-12 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPS60147192A (ja) * 1984-01-11 1985-08-03 株式会社日立製作所 プリント配線板の製造方法
JPS61185994A (ja) * 1985-02-13 1986-08-19 信越化学工業株式会社 耐熱性フレキシブルプリント配線用基板およびその製造方法
US4882202A (en) * 1985-08-29 1989-11-21 Techno Instruments Investments 1983 Ltd. Use of immersion tin and tin alloys as a bonding medium for multilayer circuits
US4670089A (en) * 1986-02-27 1987-06-02 Dixon Industries Corporation Method of bonding polytetrafluoro-ethylene composition to metal substrates
DE3608010A1 (de) * 1986-03-11 1987-09-17 Philips Patentverwaltung Verfahren zum herstellen einer elektrisch leitenden klebverbindung
DE3620601A1 (de) * 1986-06-19 1987-12-23 Akzo Gmbh Verfahren zur herstellung von polyimid-metall-laminaten
JPH0677980B2 (ja) * 1987-06-16 1994-10-05 田中貴金属工業株式会社 基板への貴金属箔の圧着方法
US5131987A (en) * 1989-12-26 1992-07-21 Aluminum Company Of America Process for making an adhesively bonded aluminum article
US5275693A (en) * 1990-03-30 1994-01-04 Yamato Kako Kabushiki Kaisha Film forming process
GB2243577A (en) * 1990-05-07 1991-11-06 Compeq Manufacturing Co Limite A method of bonding copper and resin
US5106454A (en) * 1990-11-01 1992-04-21 Shipley Company Inc. Process for multilayer printed circuit board manufacture
US5261154A (en) * 1991-07-22 1993-11-16 Macdermid, Incorporated Process for fabricating multilayer printed circuits

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010004662A1 (ja) * 2008-07-07 2010-01-14 有限会社アイレックス 放熱シート及び放熱シートの製造方法
JP2013520001A (ja) * 2010-02-10 2013-05-30 タタ、スティール、ネダーランド、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ 太陽電池を金属基材上に製造する積層システム、および該積層システムを製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0580050A1 (de) 1994-01-26
TW253869B (ja) 1995-08-11
DE4223887A1 (de) 1994-01-27
US5356511A (en) 1994-10-18
KR940005377A (ko) 1994-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06240441A (ja) ポリマー／金属複合体またはポリマー／半導体複合体の製造方法
US4091138A (en) Insulating film, sheet, or plate material with metallic coating and method for manufacturing same
EP0840676B2 (en) Adhesiveless flexible laminate and process for making adhesiveless flexible laminate
US5543222A (en) Metallized polyimide film containing a hydrocarbyl tin compound
KR100596290B1 (ko) 절연성 기판 표면의 적어도 일부에 금속층이 형성된도전성 시트, 그것을 이용한 제품 및 그 제조 방법
JPH08503099A (ja) 液体モノマー類の真空付着及び硬化
CN100482034C (zh) 金属层形成方法
KR20060041609A (ko) 금속화 폴리이미드필름 및 그 제조방법
JPH0793395B2 (ja) 超小形電子回路パッケージ基板の形成方法及び製造方法
JPH05106021A (ja) 有機材料−金属間の接着の改良方法、ポリイミドフイルム、可撓性電子パツケージ及びロール・スパツタ・システム
TWI598386B (zh) Hardened bodies, laminates, printed wiring boards and semiconductor devices
Kupfer et al. Ecologically important metallization processes for high-performance polymers
JPH0247257A (ja) 金属層で基板を被覆する方法
JP2501842B2 (ja) 印刷配線板の製法
JPS63107088A (ja) 銅メツキフイルムの製造法
KR101375237B1 (ko) 전자파 차폐용 얇은 금속화 필름의 제조방법 및 그에 의한 금속화 필름
RU2277764C1 (ru) Способ изготовления гибких печатных плат
EP1378346A1 (en) High polymer plate and conductive plate connecting body, and part using the connecting plate
JP2817891B2 (ja) 電磁波シールドプラスチック成形品の製造方法
JP2986948B2 (ja) ＡｌＮ回路基板
CN116887505A (zh) 高性能挠性覆铜板及其制备方法
JP2008071802A (ja) 高耐食性電磁波シールド成形体およびその製造方法
JP2003119577A (ja) 電磁波シールド膜
Kupfer et al. Metallized Plastics 5&6: Fundamental and Applied Aspects, pp. 85-96. KL Mittal (Ed.)© VSP 1998.
JP2007180193A (ja) プリント基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20001003