JPH06239770A - ビフェニル誘導体の製造方法 - Google Patents
ビフェニル誘導体の製造方法Info
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- JPH06239770A JPH06239770A JP5030386A JP3038693A JPH06239770A JP H06239770 A JPH06239770 A JP H06239770A JP 5030386 A JP5030386 A JP 5030386A JP 3038693 A JP3038693 A JP 3038693A JP H06239770 A JPH06239770 A JP H06239770A
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- compound
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ）
【化１】
で表わされる化合物を反応させることを特徴とする一般
式（Ｉ） 【化２】 （Ｚa、Ｚb：単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、ｐ、ｑ：０〜
４、ｍ、ｎ：０〜２、環Ａ、環Ｂ：シクロヘキサン、ベ
ンゼン、Ｒ1：アルキル、Ｙ：Ｂｒ、Ｉ）で表わされる
化合物の製造方法。 【効果】 この製造方法は、液晶材料として有用である
多くのビフェニル誘導体を、従来の製造方法よりも短工
程で、しかも高収率で製造することができ、工業的にも
極めて有用である。
式（Ｉ） 【化２】 （Ｚa、Ｚb：単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、ｐ、ｑ：０〜
４、ｍ、ｎ：０〜２、環Ａ、環Ｂ：シクロヘキサン、ベ
ンゼン、Ｒ1：アルキル、Ｙ：Ｂｒ、Ｉ）で表わされる
化合物の製造方法。 【効果】 この製造方法は、液晶材料として有用である
多くのビフェニル誘導体を、従来の製造方法よりも短工
程で、しかも高収率で製造することができ、工業的にも
極めて有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的液晶表示材料
として有用な、ビフェニル誘導体の製造方法に関する。
として有用な、ビフェニル誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。また、液晶表示方式としては、
その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ
（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ
（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）
等が知られているが、このうち現在最もよく用いられて
いるのはＴＮ型及びＳＴＮ型である。また駆動方式とし
ても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動
が一般的になり、更に単純マトリックス方式、最近では
アクティブマトリックス方式が実用化されている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。また、液晶表示方式としては、
その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ
（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ
（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）
等が知られているが、このうち現在最もよく用いられて
いるのはＴＮ型及びＳＴＮ型である。また駆動方式とし
ても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動
が一般的になり、更に単純マトリックス方式、最近では
アクティブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】これらの用途、表示方式、駆動方式に応じ
て液晶材料に要求される特性は多岐に渡っており、それ
らを満足させるために非常に多種類の液晶化合物が開発
されてきた。これらの化合物の中で分子中にビフェニル
骨格を有する誘導体は、汎用されている重要な化合物で
ある。
て液晶材料に要求される特性は多岐に渡っており、それ
らを満足させるために非常に多種類の液晶化合物が開発
されてきた。これらの化合物の中で分子中にビフェニル
骨格を有する誘導体は、汎用されている重要な化合物で
ある。
【０００４】ところで、現在のＴＮあるいはＳＴＮとい
った表示方式は、液晶材料の誘電率異方性に基づくもの
であり、駆動電圧を低く、あるいは高速応答性を保持す
るためには、液晶材料の誘電率異方性を適度に大きい正
の値に設定する必要がある。そのためには、液晶分子の
末端に電子吸引性の強い基を導入しなければならない。
このような電子吸引性の基としては、例えば、フッ素原
子、塩素原子等のハロゲン原子やシアノ基を挙げること
ができるが、このなかでもシアノ基は最も大きな効果が
得られるので、現在最もよく用いられている。
った表示方式は、液晶材料の誘電率異方性に基づくもの
であり、駆動電圧を低く、あるいは高速応答性を保持す
るためには、液晶材料の誘電率異方性を適度に大きい正
の値に設定する必要がある。そのためには、液晶分子の
末端に電子吸引性の強い基を導入しなければならない。
このような電子吸引性の基としては、例えば、フッ素原
子、塩素原子等のハロゲン原子やシアノ基を挙げること
ができるが、このなかでもシアノ基は最も大きな効果が
得られるので、現在最もよく用いられている。
【０００５】また、液晶材料の誘電率異方性を更に大き
くしたり、弾性定数を小さくしたり、あるいは他の化合
物との相溶性を向上させるために、中心骨格を形成する
環の側方にフッ素原子を有する化合物も非常によく用い
られている。
くしたり、弾性定数を小さくしたり、あるいは他の化合
物との相溶性を向上させるために、中心骨格を形成する
環の側方にフッ素原子を有する化合物も非常によく用い
られている。
【０００６】また、液晶相の温度範囲を特に高温域に拡
大するためには、中心骨格が３環あるいは４環等の多環
性の化合物を用いることも必要となっている。このよう
に、ビフェニル骨格を有し、更にシアノ基やフッ素原子
を有する化合物は非常に有用な化合物であり、これまで
も非常によく用いられていた。
大するためには、中心骨格が３環あるいは４環等の多環
性の化合物を用いることも必要となっている。このよう
に、ビフェニル骨格を有し、更にシアノ基やフッ素原子
を有する化合物は非常に有用な化合物であり、これまで
も非常によく用いられていた。
【０００７】しかしながら、これまでのビフェニル誘導
体の製造に関しては決して問題がないわけではなかっ
た。従来のビフェニル誘導体の製造方法は、以下の２通
りに大別できる。
体の製造に関しては決して問題がないわけではなかっ
た。従来のビフェニル誘導体の製造方法は、以下の２通
りに大別できる。
【０００８】まず、第一の方法は、入手可能なビフェニ
ル骨格を有する化合物を原料として、末端及び環の側方
に置換基を導入していく方法である。ところが、入手可
能なビフェニル骨格を有する化合物は限られており、特
定の位置にフッ素原子などを導入していくことは困難な
場合が多い。更に、末端基も順次導入しなければならな
いため、原料からの総工程数が非常に多くなってしま
う。また、中心骨格が３環あるいは４環等の化合物で
は、更に工程数が増えるうえに、中間体の溶解度が低く
なるので、工業的な反応スケールでの製造は困難である
等問題が多い。
ル骨格を有する化合物を原料として、末端及び環の側方
に置換基を導入していく方法である。ところが、入手可
能なビフェニル骨格を有する化合物は限られており、特
定の位置にフッ素原子などを導入していくことは困難な
場合が多い。更に、末端基も順次導入しなければならな
いため、原料からの総工程数が非常に多くなってしま
う。また、中心骨格が３環あるいは４環等の化合物で
は、更に工程数が増えるうえに、中間体の溶解度が低く
なるので、工業的な反応スケールでの製造は困難である
等問題が多い。
【０００９】第二の方法は、アリール−アリールカップ
リング反応によりビフェニル骨格を形成する方法であ
る。これによれば、環の側方への置換基の導入は前者に
比べると比較的容易であり、原料からの総工程数も前者
と比べて少なくなる。しかしながら、この方法では末端
にシアノ基、エステル基あるいは水酸基などの基を有す
る化合物を製造する場合には、通常反応が進行しない場
合が多い。従って、例えば、末端にシアノ基を有する化
合物の場合には、カップリング反応によってビフェニル
骨格を形成した後、前者の方法と同様にしてシアノ基を
導入していく必要があったが、このカップリング反応自
体決して高収率とは言えなかった。
リング反応によりビフェニル骨格を形成する方法であ
る。これによれば、環の側方への置換基の導入は前者に
比べると比較的容易であり、原料からの総工程数も前者
と比べて少なくなる。しかしながら、この方法では末端
にシアノ基、エステル基あるいは水酸基などの基を有す
る化合物を製造する場合には、通常反応が進行しない場
合が多い。従って、例えば、末端にシアノ基を有する化
合物の場合には、カップリング反応によってビフェニル
骨格を形成した後、前者の方法と同様にしてシアノ基を
導入していく必要があったが、このカップリング反応自
体決して高収率とは言えなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、上記のように、これまで問題点を有してい
たビフェニル骨格を有する化合物、特に末端にシアノ
基、エステル基あるいは水酸基等を有する化合物、フッ
素原子などの側方置換基を有する化合物、あるいは３
環、４環といった多環化合物の、工程数の少ない新規製
造方法を提供することにある。
する課題は、上記のように、これまで問題点を有してい
たビフェニル骨格を有する化合物、特に末端にシアノ
基、エステル基あるいは水酸基等を有する化合物、フッ
素原子などの側方置換基を有する化合物、あるいは３
環、４環といった多環化合物の、工程数の少ない新規製
造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、有機ケイ素化合物を用いることを特徴とす
るビフェニル誘導体の新規製造方法を提供する。
するために、有機ケイ素化合物を用いることを特徴とす
るビフェニル誘導体の新規製造方法を提供する。
【００１２】即ち、本発明は一般式（ＩＩ）及び一般式
（ＩＩＩ）
（ＩＩＩ）
【００１３】
【化３】
【００１４】で表わされる化合物を反応させることを特
徴とする一般式（Ｉ）
徴とする一般式（Ｉ）
【００１５】
【化４】
【００１６】で表わされる化合物の製造方法を提供す
る。（各式中、Ｒaはフッ素原子、塩素原子、炭素原子
数１〜１６のアルキル基、アルコキシル基、炭素原子数
２〜１６のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコ
キシアルキル基、アルコキシアルコキシル基を表わし、
該基中の任意の水素原子はフッ素原子によって置換され
ていてもよく、環Ａ及び環Ｂはそれぞれ独立的に、トラ
ンス−１，４−シクロヘキシレン基又はフッ素原子によ
って置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表わ
し、ｍ及びｎはそれぞれ独立的に、０〜２の整数を表わ
すが、０≦ｍ＋ｎ≦２であり、Ｚa及びＺbはそれぞれ独
立的に、単結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わすが、ｍ＝０
である場合、Ｚaは単結合であり、ｎ＝０である場合、
Ｚbは単結合であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立的に０〜
４の整数を表わし、Ｒbはフッ素原子、塩素原子、臭素
原子、−ＣＮ、−ＣＯＯＲ2、−ＯＣＯＲ2、−ＣＯ
Ｒ2、−ＣＨＯ、−ＯＨ、炭素原子数１〜１６のアルキ
ル基、アルコキシル基、炭素原子数２〜１６のアルケニ
ル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基、ア
ルコキシアルコキシル基を表わし、該基中の任意の水素
原子はフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｒ1
は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表わし、Ｙはヨウ
素原子又は臭素原子を表わすが、Ｒbが臭素原子である
場合、Ｙはヨウ素原子を表わす。但し、ｍが１以上であ
り、環Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基であ
る場合には、Ｒaは炭素原子数１〜１６のアルキル基又
は炭素原子数２〜１６のアルケニル基を表わし、ｎが１
以上であり、環Ｂがトランス−１，４−シクロヘキシレ
ン基である場合、Ｒbは炭素原子数１〜１６のアルキル
基又は炭素原子数２〜１６のアルケニル基を表わし、ｍ
及びｎが共に０である場合、Ｒaはメチル基を表わすこ
とはない。）
る。（各式中、Ｒaはフッ素原子、塩素原子、炭素原子
数１〜１６のアルキル基、アルコキシル基、炭素原子数
２〜１６のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコ
キシアルキル基、アルコキシアルコキシル基を表わし、
該基中の任意の水素原子はフッ素原子によって置換され
ていてもよく、環Ａ及び環Ｂはそれぞれ独立的に、トラ
ンス−１，４−シクロヘキシレン基又はフッ素原子によ
って置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表わ
し、ｍ及びｎはそれぞれ独立的に、０〜２の整数を表わ
すが、０≦ｍ＋ｎ≦２であり、Ｚa及びＺbはそれぞれ独
立的に、単結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わすが、ｍ＝０
である場合、Ｚaは単結合であり、ｎ＝０である場合、
Ｚbは単結合であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立的に０〜
４の整数を表わし、Ｒbはフッ素原子、塩素原子、臭素
原子、−ＣＮ、−ＣＯＯＲ2、−ＯＣＯＲ2、−ＣＯ
Ｒ2、−ＣＨＯ、−ＯＨ、炭素原子数１〜１６のアルキ
ル基、アルコキシル基、炭素原子数２〜１６のアルケニ
ル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基、ア
ルコキシアルコキシル基を表わし、該基中の任意の水素
原子はフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｒ1
は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表わし、Ｙはヨウ
素原子又は臭素原子を表わすが、Ｒbが臭素原子である
場合、Ｙはヨウ素原子を表わす。但し、ｍが１以上であ
り、環Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基であ
る場合には、Ｒaは炭素原子数１〜１６のアルキル基又
は炭素原子数２〜１６のアルケニル基を表わし、ｎが１
以上であり、環Ｂがトランス−１，４−シクロヘキシレ
ン基である場合、Ｒbは炭素原子数１〜１６のアルキル
基又は炭素原子数２〜１６のアルケニル基を表わし、ｍ
及びｎが共に０である場合、Ｒaはメチル基を表わすこ
とはない。）
【００１７】本発明の製造方法において、Ｒa及びＲbに
おける炭化水素基は直鎖状であっても、分岐状であって
もよい。本発明に係わる一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の化
合物において、Ｒaは炭素原子数２〜１２の直鎖状アル
キル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオ
キシ基又はフッ素原子が好ましい。
おける炭化水素基は直鎖状であっても、分岐状であって
もよい。本発明に係わる一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の化
合物において、Ｒaは炭素原子数２〜１２の直鎖状アル
キル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオ
キシ基又はフッ素原子が好ましい。
【００１８】ｍ及びｎはそれぞれ独立的に、０〜２の整
数を表わすが、０≦ｍ＋ｎ≦２であり、特にｍ＝ｎ＝
０、ｍ＝１且つｎ＝０、ｍ＝２且つｎ＝０、及びｍ＝ｎ
＝１である場合が好ましい。
数を表わすが、０≦ｍ＋ｎ≦２であり、特にｍ＝ｎ＝
０、ｍ＝１且つｎ＝０、ｍ＝２且つｎ＝０、及びｍ＝ｎ
＝１である場合が好ましい。
【００１９】Ｚa及びＺbはそれぞれ独立的に、単結合又
は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わすが、ｍ＝０である場合、Ｚa
は単結合が好ましく、ｎ＝０である場合、Ｚbは単結合
が好ましい。
は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わすが、ｍ＝０である場合、Ｚa
は単結合が好ましく、ｎ＝０である場合、Ｚbは単結合
が好ましい。
【００２０】ｐ及びｑはそれぞれ独立的に０〜４の整数
を表わすが、０≦ｐ＋ｑ≦４であることが好ましく、ｐ
＋ｑ＝０又は１であることが特に好ましい。
を表わすが、０≦ｐ＋ｑ≦４であることが好ましく、ｐ
＋ｑ＝０又は１であることが特に好ましい。
【００２１】Ｒbはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、
−ＣＮ、−ＣＯＯＲ2、−ＯＣＯＲ2、−ＣＯＲ2、−Ｃ
ＨＯ又は−ＯＨ、炭素原子数２〜１２の直鎖状アルキル
基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ
基が好ましい。また、Ｒbが臭素原子である場合には穏
和な反応条件を選ぶ必要がある。
−ＣＮ、−ＣＯＯＲ2、−ＯＣＯＲ2、−ＣＯＲ2、−Ｃ
ＨＯ又は−ＯＨ、炭素原子数２〜１２の直鎖状アルキル
基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ
基が好ましい。また、Ｒbが臭素原子である場合には穏
和な反応条件を選ぶ必要がある。
【００２２】種々のＲbを有する一般式（Ｉ）の化合物
は、液晶化合物の中間体としても非常に重要である。例
えば、一般式（Ｉ）においてＲbが−ＣＮである化合物
は、液晶化合物として多用されるほか、ピリミジン環や
ピリジン環形成のための中間体としても有用である。
は、液晶化合物の中間体としても非常に重要である。例
えば、一般式（Ｉ）においてＲbが−ＣＮである化合物
は、液晶化合物として多用されるほか、ピリミジン環や
ピリジン環形成のための中間体としても有用である。
【００２３】また、Ｒbが−ＣＨＯである化合物は、−
ＣＯＯＨあるいは−ＣＨ2ＯＨとした後、更にエステル
あるいはエーテル体に導くほか、ジオキサン環形成のた
めの中間体として用いられる。また、Ｒbが−ＯＨであ
る化合物はエーテル化あるいはエステル化により、液晶
化合物に容易に導くことができる。
ＣＯＯＨあるいは−ＣＨ2ＯＨとした後、更にエステル
あるいはエーテル体に導くほか、ジオキサン環形成のた
めの中間体として用いられる。また、Ｒbが−ＯＨであ
る化合物はエーテル化あるいはエステル化により、液晶
化合物に容易に導くことができる。
【００２４】Ｒbが−ＣＯＯＲ2、−ＯＣＯＲ2、−ＣＯ
Ｒ2である化合物は、Ｒ2が分岐状の基である場合には、
一般式（Ｉ）の化合物がラセミ体であっても光学活性体
であっても有用であり、通常のネマチック液晶としての
用途以外にも、Ｒ2が光学活性な基である場合は、強誘
電性液晶用のキラルドーパントとして重要である。
Ｒ2である化合物は、Ｒ2が分岐状の基である場合には、
一般式（Ｉ）の化合物がラセミ体であっても光学活性体
であっても有用であり、通常のネマチック液晶としての
用途以外にも、Ｒ2が光学活性な基である場合は、強誘
電性液晶用のキラルドーパントとして重要である。
【００２５】本発明の製造方法における反応条件は、製
造する化合物によって適宜選択することができる。反応
溶媒としては、エーテル系、アミド系等の極性溶媒を用
いることができ、これらは単独で用いても混合して用い
てもよい。特に、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ある
いはジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が好ましい。ま
た、他の炭化水素系、エステル系、ケトン系の溶媒を混
合しても差し支えない。
造する化合物によって適宜選択することができる。反応
溶媒としては、エーテル系、アミド系等の極性溶媒を用
いることができ、これらは単独で用いても混合して用い
てもよい。特に、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ある
いはジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が好ましい。ま
た、他の炭化水素系、エステル系、ケトン系の溶媒を混
合しても差し支えない。
【００２６】反応温度としては、溶媒中、室温（２０
℃）〜２００℃で行われることが望ましい。反応温度は
広い範囲で選択可能であるが、室温付近では反応速度が
非常に遅いので、ある程度高温で行うことが好ましく、
５０〜１５０℃の範囲が好ましく、６５〜１１０℃の範
囲が特に好ましい。
℃）〜２００℃で行われることが望ましい。反応温度は
広い範囲で選択可能であるが、室温付近では反応速度が
非常に遅いので、ある程度高温で行うことが好ましく、
５０〜１５０℃の範囲が好ましく、６５〜１１０℃の範
囲が特に好ましい。
【００２７】反応は触媒の存在下に行われることが多い
が、触媒としてはパラジウム系の錯体が好ましい。好ま
しいパラジウム錯体としては、ジ−μ−クロロ−ビス−
（アリル）二パラジウム（ＩＩ）、アリル（シクロペン
タジエニル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（テトラフ
ェニルシクロブタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジ−μ
−クロロ−ジクロロビス（エチレン）二パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（ＩＩ）等を挙げることができるが、このうちジ−
μ−クロロ−ビス−（アリル）二パラジウム（ＩＩ）が
好ましい。
が、触媒としてはパラジウム系の錯体が好ましい。好ま
しいパラジウム錯体としては、ジ−μ−クロロ−ビス−
（アリル）二パラジウム（ＩＩ）、アリル（シクロペン
タジエニル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（テトラフ
ェニルシクロブタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジ−μ
−クロロ−ジクロロビス（エチレン）二パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（ＩＩ）等を挙げることができるが、このうちジ−
μ−クロロ−ビス−（アリル）二パラジウム（ＩＩ）が
好ましい。
【００２８】また、フッ素イオンの存在下に行われるこ
とが更に好ましく、フッ化物を反応系内に共存させるこ
とができる。このようなフッ化物としては、例えば、ア
ルカリ金属塩、４級アンモニウム塩を用いることがで
き、フッ化テトラブチルアンモニウム、フッ化カリウム
が特に好ましい。
とが更に好ましく、フッ化物を反応系内に共存させるこ
とができる。このようなフッ化物としては、例えば、ア
ルカリ金属塩、４級アンモニウム塩を用いることがで
き、フッ化テトラブチルアンモニウム、フッ化カリウム
が特に好ましい。
【００２９】本発明の製造方法は、一般式（Ｉ）で表わ
される化合物のうち、特に以下の一般式（Ｉａ）〜（Ｉ
ｅ）の化合物の製造に適している。
される化合物のうち、特に以下の一般式（Ｉａ）〜（Ｉ
ｅ）の化合物の製造に適している。
【００３０】
【化５】
【００３１】（式中、Ｒcは炭素原子数２〜１２の直鎖
状アルキル基又はアルコキシル基を表わし、Ｒdは炭素
原子数１〜１２の直鎖状アルキル基、アルケニル基、ア
ルコキシル基、アルケニルオキシ基、フッ素原子、塩素
原子、−ＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3又は−ＯＣＦ2Ｈ基
を表わし、Ｒe及びＲfはそれぞれ独立的に炭素原子数２
〜１２の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表わし、
Ｘ1〜Ｘ8はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を
表わす。）
状アルキル基又はアルコキシル基を表わし、Ｒdは炭素
原子数１〜１２の直鎖状アルキル基、アルケニル基、ア
ルコキシル基、アルケニルオキシ基、フッ素原子、塩素
原子、−ＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3又は−ＯＣＦ2Ｈ基
を表わし、Ｒe及びＲfはそれぞれ独立的に炭素原子数２
〜１２の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表わし、
Ｘ1〜Ｘ8はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を
表わす。）
【００３２】このうち、一般式（Ｉａ）で表わされる化
合物においては、Ｘ1〜Ｘ8のうち、少なくとも６つは水
素原子であることが好ましい。また、上記一般式におい
て、Ｒbがフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は−ＣＮ
である場合には、一般式（Ｉｆ）
合物においては、Ｘ1〜Ｘ8のうち、少なくとも６つは水
素原子であることが好ましい。また、上記一般式におい
て、Ｒbがフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は−ＣＮ
である場合には、一般式（Ｉｆ）
【００３３】
【化６】
【００３４】（式中、Ｘ2、Ｘ4、Ｘ6及びＸ8はそれぞれ
独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わす。）で表わ
される構造を有することが好ましい。
独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わす。）で表わ
される構造を有することが好ましい。
【００３５】本発明の製造方法は、上記一般式（Ｉａ）
〜（Ｉｅ）において、Ｒbが−ＣＮである化合物、ある
いはＸ1〜Ｘ8のうち、少なくとも１つがフッ素原子であ
る化合物の場合に特に適している。
〜（Ｉｅ）において、Ｒbが−ＣＮである化合物、ある
いはＸ1〜Ｘ8のうち、少なくとも１つがフッ素原子であ
る化合物の場合に特に適している。
【００３６】本発明の製造方法において、原料として用
いられる一般式（ＩＩ）の有機ケイ素化合物は、対応す
る臭化物あるいはヨウ化物から以下のようにして容易に
製造することができる。
いられる一般式（ＩＩ）の有機ケイ素化合物は、対応す
る臭化物あるいはヨウ化物から以下のようにして容易に
製造することができる。
【００３７】一般式（ＩＶ）
【００３８】
【化７】
【００３９】（式中、Ｒa、環Ａ、ｍ、Ｚa及びｐは一般
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表わし、Ｚは臭素原子
又はヨウ素原子を表わす。）で表わされる化合物をマグ
ネシウムと反応させてグリニヤール反応剤とし、これを
一般式（ａ）
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表わし、Ｚは臭素原子
又はヨウ素原子を表わす。）で表わされる化合物をマグ
ネシウムと反応させてグリニヤール反応剤とし、これを
一般式（ａ）
【００４０】
【化８】Ｒ1ＳｉＣｌ3 （ａ） （式中、Ｒ1は一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表
わす。）で表わされる化合物と反応させて塩化物とし、
次いで三フッ化アンチモン等のフッ素化剤と反応させる
ことにより、一般式（ＩＩ）の化合物を得ることができ
る。ここで、Ｒ1としてはメチル基又はエチル基が好ま
しい。
わす。）で表わされる化合物と反応させて塩化物とし、
次いで三フッ化アンチモン等のフッ素化剤と反応させる
ことにより、一般式（ＩＩ）の化合物を得ることができ
る。ここで、Ｒ1としてはメチル基又はエチル基が好ま
しい。
【００４１】上記のようにして一般式（Ｉ）の化合物を
製造できるが、本発明の製造方法によって得られる一般
式（Ｉ）の化合物の代表的なものの例を第１表及び第２
表に示し、それらの化合物の相転移温度を第３表に示
す。
製造できるが、本発明の製造方法によって得られる一般
式（Ｉ）の化合物の代表的なものの例を第１表及び第２
表に示し、それらの化合物の相転移温度を第３表に示
す。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
【表３】
【００４５】（表中、収率は一般式（ＩＩ）の化合物に
対する総収率を表わす。Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチッ
ク相を、ＳＡはスメクチックＡ相を、ＳＢはスメクチッ
クＢ相を、Ｓは帰属不明のスメクチック相を、Ｉは等方
性液体相を表わし、（）内はモノトロピックな相である
ことを表わす。相転移温度は数字の左側の相と右側の相
との間の転移温度を表わし、例えば、Ｃｒ２２ Ｎは結
晶相とネマチック相との間の転移温度が２２℃であるこ
とを表わす。以下同様。）
対する総収率を表わす。Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチッ
ク相を、ＳＡはスメクチックＡ相を、ＳＢはスメクチッ
クＢ相を、Ｓは帰属不明のスメクチック相を、Ｉは等方
性液体相を表わし、（）内はモノトロピックな相である
ことを表わす。相転移温度は数字の左側の相と右側の相
との間の転移温度を表わし、例えば、Ｃｒ２２ Ｎは結
晶相とネマチック相との間の転移温度が２２℃であるこ
とを表わす。以下同様。）
【００４６】第１表及び第２表から、本発明の製造方法
を用いることによって、一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を高収率で得られることが明らかである。本発明の製
造方法の最大の特徴は、一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を市販の原料から短い工程で製造できる点にある。以
下に、第１表中の（Ｎｏ．４）
を用いることによって、一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を高収率で得られることが明らかである。本発明の製
造方法の最大の特徴は、一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を市販の原料から短い工程で製造できる点にある。以
下に、第１表中の（Ｎｏ．４）
【００４７】
【化９】
【００４８】の化合物の製造例をあげて説明する。この
（Ｎｏ．４）の化合物の従来の一般的な製造方法は、成
書（岡野光治・小林俊介共編「液晶・基礎編」）等にも
記されているが、以下の通りである。
（Ｎｏ．４）の化合物の従来の一般的な製造方法は、成
書（岡野光治・小林俊介共編「液晶・基礎編」）等にも
記されているが、以下の通りである。
【００４９】
【化１０】
【００５０】即ち、４−ブロモビフェニルをグリニヤー
ル反応剤とした後、４−ペンチルシクロヘキサノンと反
応させて、式（Ａ−１）のシクロヘキサノール誘導体と
する。これを直接あるいは脱水によりシクロヘキセン誘
導体とした後、接触還元して式（Ａ−２）の４−（４−
ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルを得る。これを塩
化アルミニウム及び塩化アセチルと反応させてアセチル
化し、式（Ａ−３）のアセトフェノン誘導体を得る。次
いで、ピリジン中、ヨウ素で酸化して、式（Ａ−４）の
ビフェニルカルボン酸誘導体とし、塩化チオニルで式
（Ａ−５）の酸クロリドとする。これにアンモニアを反
応させて、式（Ａ−６）のアミドとし、これを脱水する
ことにより、（Ｎｏ．４）の化合物を得る。
ル反応剤とした後、４−ペンチルシクロヘキサノンと反
応させて、式（Ａ−１）のシクロヘキサノール誘導体と
する。これを直接あるいは脱水によりシクロヘキセン誘
導体とした後、接触還元して式（Ａ−２）の４−（４−
ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルを得る。これを塩
化アルミニウム及び塩化アセチルと反応させてアセチル
化し、式（Ａ−３）のアセトフェノン誘導体を得る。次
いで、ピリジン中、ヨウ素で酸化して、式（Ａ−４）の
ビフェニルカルボン酸誘導体とし、塩化チオニルで式
（Ａ−５）の酸クロリドとする。これにアンモニアを反
応させて、式（Ａ−６）のアミドとし、これを脱水する
ことにより、（Ｎｏ．４）の化合物を得る。
【００５１】このような従来法では、（Ｎｏ．４）の化
合物を得るには原料から実に７（あるいは８）工程が必
要である。式（Ａ−５）の化合物は式（Ａ−２）の化合
物から、蓚酸クロリド及び塩化アルミニウムを用いて１
工程で製造することもできる。しかしながら、この反応
の位置選択性あるいは収率はアセチル化程高くなく、ま
た、この工程を用いたとしても、原料からの総工程数は
５（あるいは６）工程に及ぶ。
合物を得るには原料から実に７（あるいは８）工程が必
要である。式（Ａ−５）の化合物は式（Ａ−２）の化合
物から、蓚酸クロリド及び塩化アルミニウムを用いて１
工程で製造することもできる。しかしながら、この反応
の位置選択性あるいは収率はアセチル化程高くなく、ま
た、この工程を用いたとしても、原料からの総工程数は
５（あるいは６）工程に及ぶ。
【００５２】また、式（Ａ−２）の化合物をヨウ素化し
て式（Ａ−７）
て式（Ａ−７）
【００５３】
【化１１】
【００５４】のヨードベンゼン誘導体とし、これをシア
ン化銅でシアノ化することにより、総工程数を４（ある
いは５）とすることも可能である。しかしながら、この
方法は危険なシアン化物を用いるため、工業的にもあま
り好ましいものではない。
ン化銅でシアノ化することにより、総工程数を４（ある
いは５）とすることも可能である。しかしながら、この
方法は危険なシアン化物を用いるため、工業的にもあま
り好ましいものではない。
【００５５】また、別法であるアリール−アリールカッ
プリング反応を用いる製造方法においても、式（Ｂ−
１）
プリング反応を用いる製造方法においても、式（Ｂ−
１）
【００５６】
【化１２】
【００５７】の化合物をグリニヤール反応剤とし、これ
をパラジウム錯体あるいはニッケル錯体等の触媒存在下
に、臭化ベンゼンあるいはヨウ化ベンゼンと反応させる
ことにより、前述の式（Ａ−２）の化合物を１工程で得
ることができる。しかしながら、この反応では４位にシ
アノ基、カルボキシル基、カルバモイル基、クロロホル
ミル基、アセチル基等を有する臭化ベンゼンあるいはヨ
ウ化ベンゼン誘導体と反応させることはできないので、
直接式（Ｎｏ．４）の化合物や式（Ａ−３）〜式（Ａ−
６）の化合物を得ることはできず、これ以上工程を短縮
することはできない。
をパラジウム錯体あるいはニッケル錯体等の触媒存在下
に、臭化ベンゼンあるいはヨウ化ベンゼンと反応させる
ことにより、前述の式（Ａ−２）の化合物を１工程で得
ることができる。しかしながら、この反応では４位にシ
アノ基、カルボキシル基、カルバモイル基、クロロホル
ミル基、アセチル基等を有する臭化ベンゼンあるいはヨ
ウ化ベンゼン誘導体と反応させることはできないので、
直接式（Ｎｏ．４）の化合物や式（Ａ−３）〜式（Ａ−
６）の化合物を得ることはできず、これ以上工程を短縮
することはできない。
【００５８】また、ホモカップリングによる副反応を避
けることは非常に難しく、式（Ｂ−２）
けることは非常に難しく、式（Ｂ−２）
【００５９】
【化１３】
【００６０】の４環化合物が生成してしまい、分離が困
難であるうえに収率もあまり高くならない。
難であるうえに収率もあまり高くならない。
【００６１】これを改善する方法として、グリニヤール
反応剤を有機チタン化合物、あるいは芳香族ホウ酸誘導
体に導いた後、触媒存在下に臭化ベンゼンあるいはヨウ
化ベンゼン誘導体と反応させる方法も開発されている。
この方法によれば、４位に置換基を有する化合物の存在
もある程度可能であり、工程の短縮が可能である。しか
しながら、収率は決して満足のいくものではなく、やは
りホモカップリングによる副反応はある程度避け難い。
反応剤を有機チタン化合物、あるいは芳香族ホウ酸誘導
体に導いた後、触媒存在下に臭化ベンゼンあるいはヨウ
化ベンゼン誘導体と反応させる方法も開発されている。
この方法によれば、４位に置換基を有する化合物の存在
もある程度可能であり、工程の短縮が可能である。しか
しながら、収率は決して満足のいくものではなく、やは
りホモカップリングによる副反応はある程度避け難い。
【００６２】これに対して、本発明の製造方法を用いる
と、（Ｎｏ．４）の化合物は以下のようにして得ること
ができる。
と、（Ｎｏ．４）の化合物は以下のようにして得ること
ができる。
【００６３】
【化１４】
【００６４】即ち、式（Ｂ−１）の化合物を有機リチウ
ム又はグリニヤール反応剤としてメチルトリクロロシラ
ンと反応させて式（Ｃ−１）のジクロロシラン誘導体と
し、次いで三フッ化アンチモンにより式（Ｃ−２）のジ
フルオロシラン誘導体を得る。これを、パラジウム錯体
触媒及びフッ化テトラブチルアンモニウム存在下に４−
ブロモベンゾニトリルと反応させることにより、（Ｎ
ｏ．４）の化合物をわずか３工程で得ることが可能であ
る。
ム又はグリニヤール反応剤としてメチルトリクロロシラ
ンと反応させて式（Ｃ−１）のジクロロシラン誘導体と
し、次いで三フッ化アンチモンにより式（Ｃ−２）のジ
フルオロシラン誘導体を得る。これを、パラジウム錯体
触媒及びフッ化テトラブチルアンモニウム存在下に４−
ブロモベンゾニトリルと反応させることにより、（Ｎ
ｏ．４）の化合物をわずか３工程で得ることが可能であ
る。
【００６５】この各工程における収率はいずれも８５％
以上と高く、更にカップリングの際のホモカップリング
による副生成物が全く生じないので、従来の製造方法と
比較して非常に優れていることが理解できる。
以上と高く、更にカップリングの際のホモカップリング
による副生成物が全く生じないので、従来の製造方法と
比較して非常に優れていることが理解できる。
【００６６】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００６７】（実施例１） ４−（４−ペンチルフェニ
ル）ベンゾニトリルの合成 マグネシウム８．６ｇをＴＨＦ２２０ｍｌ中に加え、こ
れに４−ペンチル−１−ブロモベンゼン５３．４ｇのＴ
ＨＦ１２０ｍｌ溶液を、溶媒が穏やかに還流する温度を
保ちながら１時間で滴下し、更に１時間加熱還流してグ
リニヤール反応剤を調製した。この反応液にエチルトリ
クロロシラン５７．８ｇのＴＨＦ２００ｍｌ溶液を室温
で１時間で滴下し、更に８時間攪拌した。反応終了後、
溶媒を減圧下に溜去して、得られた残渣にヘキサン２５
０ｍｌを加え、不溶物を濾過して除去した。更に溶媒を
溜去して、エチル（４−ペンチルフェニル）ジクロロシ
ランの油状物６６．０ｇを得た。
ル）ベンゾニトリルの合成 マグネシウム８．６ｇをＴＨＦ２２０ｍｌ中に加え、こ
れに４−ペンチル−１−ブロモベンゼン５３．４ｇのＴ
ＨＦ１２０ｍｌ溶液を、溶媒が穏やかに還流する温度を
保ちながら１時間で滴下し、更に１時間加熱還流してグ
リニヤール反応剤を調製した。この反応液にエチルトリ
クロロシラン５７．８ｇのＴＨＦ２００ｍｌ溶液を室温
で１時間で滴下し、更に８時間攪拌した。反応終了後、
溶媒を減圧下に溜去して、得られた残渣にヘキサン２５
０ｍｌを加え、不溶物を濾過して除去した。更に溶媒を
溜去して、エチル（４−ペンチルフェニル）ジクロロシ
ランの油状物６６．０ｇを得た。
【００６８】次にこの油状物を三フッ化アンチモン３
２．５ｇに−７０℃で滴下した。滴下終了後、室温で２
時間、更に１００℃で２時間攪拌した。室温に戻した
後、ヘキサン２００ｍｌを加え、不溶物を濾過して除去
し、更に水２００ｍｌを加えて生じた不溶物を除去し
た。有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱
水乾燥し、溶媒を溜去して、エチル（４−ペンチルフェ
ニル）ジフルオロシランの油状物４７．９ｇを得た。
２．５ｇに−７０℃で滴下した。滴下終了後、室温で２
時間、更に１００℃で２時間攪拌した。室温に戻した
後、ヘキサン２００ｍｌを加え、不溶物を濾過して除去
し、更に水２００ｍｌを加えて生じた不溶物を除去し
た。有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱
水乾燥し、溶媒を溜去して、エチル（４−ペンチルフェ
ニル）ジフルオロシランの油状物４７．９ｇを得た。
【００６９】耐圧反応容器内でジ−μ−クロロ−ビス−
（アリル）二パラジウム（ＩＩ）０．３ｇをＴＨＦ２５
０ｍｌに溶解した。この溶液に４−ブロモベンゾニトリ
ル３４．７ｇを加えた。更に室温で、前記エチル（４−
ペンチルフェニル）ジフルオロシラン４７．９ｇを３０
分間で滴下した。次いで、フッ化テトラブチルアンモニ
ウムのＴＨＦ溶液（１．０Ｍ）７６０ｍｌを加え、１０
０℃で５時間反応させた。放冷した後、酢酸エチル４０
０ｍｌを加え、飽和塩化アンモニウム水溶液、水で洗滌
し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。溶媒を溜去し
た後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製して、４
−（４−ペンチルフェニル）ベンゾニトリルの白色結晶
３９．４ｇを得た。（４−ペンチル−１−ブロモベンゼ
ンに対する収率：６７．３％）得られた化合物の融点は
２２℃であり、３５℃までネマチック相を示し、文献値
と一致した。
（アリル）二パラジウム（ＩＩ）０．３ｇをＴＨＦ２５
０ｍｌに溶解した。この溶液に４−ブロモベンゾニトリ
ル３４．７ｇを加えた。更に室温で、前記エチル（４−
ペンチルフェニル）ジフルオロシラン４７．９ｇを３０
分間で滴下した。次いで、フッ化テトラブチルアンモニ
ウムのＴＨＦ溶液（１．０Ｍ）７６０ｍｌを加え、１０
０℃で５時間反応させた。放冷した後、酢酸エチル４０
０ｍｌを加え、飽和塩化アンモニウム水溶液、水で洗滌
し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。溶媒を溜去し
た後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製して、４
−（４−ペンチルフェニル）ベンゾニトリルの白色結晶
３９．４ｇを得た。（４−ペンチル−１−ブロモベンゼ
ンに対する収率：６７．３％）得られた化合物の融点は
２２℃であり、３５℃までネマチック相を示し、文献値
と一致した。
【００７０】（実施例２） ４−トリフルオロメチル−
４’−プロピルビフェニルの合成 実施例１において、４−ペンチル−１−ブロモベンゼン
に代えて、４−プロピル−１−ブロモベンゼンを用い、
４−ブロモベンゾニトリルに代えて、４−トリフルオロ
メチル−１−ブロモベンゼンを用いた以外は実施例１と
同様にして、４−トリフルオロメチル−４’−プロピル
ビフェニルを得た。（４−プロピル−１−ブロモベンゼ
ンに対する収率：６２％）得られた化合物の相転移温度
は第３表に示した。
４’−プロピルビフェニルの合成 実施例１において、４−ペンチル−１−ブロモベンゼン
に代えて、４−プロピル−１−ブロモベンゼンを用い、
４−ブロモベンゾニトリルに代えて、４−トリフルオロ
メチル−１−ブロモベンゼンを用いた以外は実施例１と
同様にして、４−トリフルオロメチル−４’−プロピル
ビフェニルを得た。（４−プロピル−１−ブロモベンゼ
ンに対する収率：６２％）得られた化合物の相転移温度
は第３表に示した。
【００７１】（実施例３） ２−フルオロ−４−オクチ
ルオキシ−４’−オクチルビフェニルの合成 実施例１において、４−ペンチル−１−ブロモベンゼン
に代えて、４−オクチル−１−ブロモベンゼンを用い、
４−ブロモベンゾニトリルに代えて、２−フルオロ−４
−オクチルオキシ−１−ブロモベンゼンを用いた以外は
実施例１と同様にして、２−フルオロ−４−オクチルオ
キシ−４’−オクチルビフェニルを得た。（４−オクチ
ル−１−ブロモベンゼンに対する収率：６０％）得られ
た化合物の相転移温度は第３表に示した。
ルオキシ−４’−オクチルビフェニルの合成 実施例１において、４−ペンチル−１−ブロモベンゼン
に代えて、４−オクチル−１−ブロモベンゼンを用い、
４−ブロモベンゾニトリルに代えて、２−フルオロ−４
−オクチルオキシ−１−ブロモベンゼンを用いた以外は
実施例１と同様にして、２−フルオロ−４−オクチルオ
キシ−４’−オクチルビフェニルを得た。（４−オクチ
ル−１−ブロモベンゼンに対する収率：６０％）得られ
た化合物の相転移温度は第３表に示した。
【００７２】（実施例４） ４−［４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ベンゾニトリル
の合成 ４−ブロモ−１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゼン６．２ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解して
−７０℃に冷却した。この溶液にｎ−ブチルリチウム
１．３Ｍヘキサン溶液１５．５ｍｌを１５分間で滴下
し、更に同温度で２時間攪拌した。これに、メチルトリ
クロロシラン４．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を同温度で
３０分間で滴下し、１時間攪拌し、更に室温に戻して６
時間攪拌した。溶媒を減圧下に溜去し、得られた残渣に
ヘキサン１００ｍｌを加え、不溶物を濾過して除去し
た。溶媒を溜去して、メチル［４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）フェニル］ジクロロシランの油
状物５．９ｇを得た。
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ベンゾニトリル
の合成 ４−ブロモ−１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゼン６．２ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解して
−７０℃に冷却した。この溶液にｎ−ブチルリチウム
１．３Ｍヘキサン溶液１５．５ｍｌを１５分間で滴下
し、更に同温度で２時間攪拌した。これに、メチルトリ
クロロシラン４．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を同温度で
３０分間で滴下し、１時間攪拌し、更に室温に戻して６
時間攪拌した。溶媒を減圧下に溜去し、得られた残渣に
ヘキサン１００ｍｌを加え、不溶物を濾過して除去し
た。溶媒を溜去して、メチル［４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）フェニル］ジクロロシランの油
状物５．９ｇを得た。
【００７３】次に、この油状物を−７０℃に冷却した三
フッ化アンチモン４．４ｇに、１時間で滴下した。滴下
終了後、室温で２時間、更に１００℃で２時間攪拌した
後、室温に戻した。ヘキサン１００ｍｌを加え、不溶物
を濾過して除去し、更に水１００ｍｌを加えて生じた不
溶物を除去した。有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナ
トリウムで脱水乾燥し、溶媒を溜去てし、メチル［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］
ジフルオロシランの油状物４．７ｇを得た。
フッ化アンチモン４．４ｇに、１時間で滴下した。滴下
終了後、室温で２時間、更に１００℃で２時間攪拌した
後、室温に戻した。ヘキサン１００ｍｌを加え、不溶物
を濾過して除去し、更に水１００ｍｌを加えて生じた不
溶物を除去した。有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナ
トリウムで脱水乾燥し、溶媒を溜去てし、メチル［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］
ジフルオロシランの油状物４．７ｇを得た。
【００７４】ジ−μ−クロロ−ビス−（アリル）二パラ
ジウム（ＩＩ）１００ｍｇをＴＨＦ８０ｍｌに溶解し
た。これに４−ブロモベンゾニトリル３．０ｇを加え
た。更に室温で、前記メチル［４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）フェニル］ジフルオロシラン
４．７ｇを３０分間で滴下した。次いで、フッ化テトラ
ブチルアンモニウムのＴＨＦ溶液（１．０Ｍ）３５ｍｌ
を加え、１００℃で５時間反応させた。放冷した後、酢
酸エチル１００ｍｌを加え、飽和塩化アンモニウム水溶
液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。
溶媒を溜去した後、カラムクロマトグラフィーを用いて
精製して、更にエタノールから再結晶させて精製して、
４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ベンゾニトリルの白色結晶４．１ｇを得た。
（４−ブロモ−１−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゼンに対する収率：６０．５％）得られた
化合物の融点は９４℃であり、２１９℃までネマチック
相を示し、文献値とよく一致した。
ジウム（ＩＩ）１００ｍｇをＴＨＦ８０ｍｌに溶解し
た。これに４−ブロモベンゾニトリル３．０ｇを加え
た。更に室温で、前記メチル［４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）フェニル］ジフルオロシラン
４．７ｇを３０分間で滴下した。次いで、フッ化テトラ
ブチルアンモニウムのＴＨＦ溶液（１．０Ｍ）３５ｍｌ
を加え、１００℃で５時間反応させた。放冷した後、酢
酸エチル１００ｍｌを加え、飽和塩化アンモニウム水溶
液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。
溶媒を溜去した後、カラムクロマトグラフィーを用いて
精製して、更にエタノールから再結晶させて精製して、
４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ベンゾニトリルの白色結晶４．１ｇを得た。
（４−ブロモ−１−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゼンに対する収率：６０．５％）得られた
化合物の融点は９４℃であり、２１９℃までネマチック
相を示し、文献値とよく一致した。
【００７５】（実施例５） １−［４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−エチルベ
ンゼンの合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリル３．０ｇ
に代えて、４−ブロモ−１−エチルベンゼン３．９ｇを
用いた以外は実施例４と同様にして、１−［４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−
エチルベンゼン４．３ｇを得た。（４−ブロモ−１−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに
対する収率：６２．５％）得られた化合物の相転移温度
は第３表に示した。
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−エチルベ
ンゼンの合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリル３．０ｇ
に代えて、４−ブロモ−１−エチルベンゼン３．９ｇを
用いた以外は実施例４と同様にして、１−［４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−
エチルベンゼン４．３ｇを得た。（４−ブロモ−１−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに
対する収率：６２．５％）得られた化合物の相転移温度
は第３表に示した。
【００７６】（実施例６） １−［３−フルオロ−４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］
−４−エチルベンゼンの合成 実施例４において、４−ブロモ−１−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに代えて、４−ブロ
モ−２−フルオロ−１−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）ベンゼンを用いた以外は実施例４と同様に
して、１−［３−フルオロ−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）フェニル］−４−エチルベンゼン
を得た。（４−ブロモ−２−フルオロ−１−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに対する収
率：５７．５％）得られた化合物の相転移温度は第３表
に示した。
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］
−４−エチルベンゼンの合成 実施例４において、４−ブロモ−１−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに代えて、４−ブロ
モ−２−フルオロ−１−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）ベンゼンを用いた以外は実施例４と同様に
して、１−［３−フルオロ−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）フェニル］−４−エチルベンゼン
を得た。（４−ブロモ−２−フルオロ−１−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに対する収
率：５７．５％）得られた化合物の相転移温度は第３表
に示した。
【００７７】（実施例７） 酢酸４−［４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニルの
合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリルに代え
て、酢酸４−ブロモフェニルを用いた以外は実施例４と
同様にして、酢酸４−［４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）フェニル］フェニルを得た。（４−ブ
ロモ−１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
ベンゼンに対する収率：５５％）得られた化合物の相転
移温度は第３表に示した。
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニルの
合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリルに代え
て、酢酸４−ブロモフェニルを用いた以外は実施例４と
同様にして、酢酸４−［４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）フェニル］フェニルを得た。（４−ブ
ロモ−１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
ベンゼンに対する収率：５５％）得られた化合物の相転
移温度は第３表に示した。
【００７８】（実施例８） １−［４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−トリフル
オロメトキシベンゼンの合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリルに代え
て、４−ブロモ−１−トリフルオロメトキシベンゼンを
用いた以外は実施例４と同様にして、１−［４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−
トリフルオロメトキシベンゼンを得た。（４−ブロモ−
１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼ
ンに対する収率：５６％）得られた化合物の相転移温度
は第３表に示した。
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−トリフル
オロメトキシベンゼンの合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリルに代え
て、４−ブロモ−１−トリフルオロメトキシベンゼンを
用いた以外は実施例４と同様にして、１−［４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−４−
トリフルオロメトキシベンゼンを得た。（４−ブロモ−
１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼ
ンに対する収率：５６％）得られた化合物の相転移温度
は第３表に示した。
【００７９】（実施例９） ４−［４−（４−ペンチル
フェニル）フェニル］ベンゾニトリルの合成 マグネシウム２５０ｍｇをＴＨＦ１０ｍｌに加えて加熱
還流した。これに４−ブロモ−１−（４−ペンチルフェ
ニル）ベンゼン３．０ｇの５０ｍｌＴＨＦ溶液を３０分
間で滴下した。滴下終了後、更に３時間加熱還流して、
グリニヤール反応剤を調製した。放冷した後、−２０℃
に冷却し、これにメチルトリクロロシラン３．０ｇのＴ
ＨＦ３５０ｍｌ溶液を同温度で３０分間で滴下し、１時
間攪拌し、更に室温に戻して６時間攪拌した。溶媒を減
圧下に溜去し、ヘキサン５０ｍｌを加え、不溶物を濾過
して除去した。溶媒を溜去して、メチル［４−（４−ペ
ンチルフェニル）フェニル］ジクロロシランの油状物
２．７ｇを得た。
フェニル）フェニル］ベンゾニトリルの合成 マグネシウム２５０ｍｇをＴＨＦ１０ｍｌに加えて加熱
還流した。これに４−ブロモ−１−（４−ペンチルフェ
ニル）ベンゼン３．０ｇの５０ｍｌＴＨＦ溶液を３０分
間で滴下した。滴下終了後、更に３時間加熱還流して、
グリニヤール反応剤を調製した。放冷した後、−２０℃
に冷却し、これにメチルトリクロロシラン３．０ｇのＴ
ＨＦ３５０ｍｌ溶液を同温度で３０分間で滴下し、１時
間攪拌し、更に室温に戻して６時間攪拌した。溶媒を減
圧下に溜去し、ヘキサン５０ｍｌを加え、不溶物を濾過
して除去した。溶媒を溜去して、メチル［４−（４−ペ
ンチルフェニル）フェニル］ジクロロシランの油状物
２．７ｇを得た。
【００８０】次にこの油状物を−７０℃に冷却した三フ
ッ化アンチモン２．４ｇに、１時間で滴下した。滴下終
了後、室温で２時間、更に１００℃で２時間攪拌した
後、室温に戻した。ヘキサン５０ｍｌを加え、不溶物を
濾過して除去し、更に水５０ｍｌを加えて生じた不溶物
を除去した。有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナトリ
ウムで脱水乾燥し、溶媒を溜去して、メチル［４−（４
−ペンチルフェニル）フェニル］ジフルオロシランの油
状物２．２ｇを得た。
ッ化アンチモン２．４ｇに、１時間で滴下した。滴下終
了後、室温で２時間、更に１００℃で２時間攪拌した
後、室温に戻した。ヘキサン５０ｍｌを加え、不溶物を
濾過して除去し、更に水５０ｍｌを加えて生じた不溶物
を除去した。有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナトリ
ウムで脱水乾燥し、溶媒を溜去して、メチル［４−（４
−ペンチルフェニル）フェニル］ジフルオロシランの油
状物２．２ｇを得た。
【００８１】ジ−μ−クロロ−ビス−（アリル）二パラ
ジウム（ＩＩ）４０ｍｇ、４−ブロモベンゾニトリル
１．４ｇ、フッ化カリウム１．２ｇをＤＭＦ４０ｍｌに
溶解した。室温で前記メチル［４−（４−ペンチルフェ
ニル）フェニル］ジフルオロシラン２．２ｇを３０分間
で滴下した。次いで、１００℃で５時間反応させた。放
冷した後、酢酸エチル５０ｍｌを加え、飽和塩化アンモ
ニウム水溶液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水
乾燥した。溶媒を溜去した後、カラムクロマトグラフィ
ーを用いて精製し、更にエタノールから再結晶させて精
製して、４−［４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル］ベンゾニトリルの白色結晶２．０ｇを得た。（４−
ブロモ−１−（４−ペンチルフェニル）ベンゼンに対す
る収率：６２％）得られた化合物の融点は１２８〜１２
９℃であり、２３９℃までネマチック相を示し、文献値
とよく一致した。
ジウム（ＩＩ）４０ｍｇ、４−ブロモベンゾニトリル
１．４ｇ、フッ化カリウム１．２ｇをＤＭＦ４０ｍｌに
溶解した。室温で前記メチル［４−（４−ペンチルフェ
ニル）フェニル］ジフルオロシラン２．２ｇを３０分間
で滴下した。次いで、１００℃で５時間反応させた。放
冷した後、酢酸エチル５０ｍｌを加え、飽和塩化アンモ
ニウム水溶液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水
乾燥した。溶媒を溜去した後、カラムクロマトグラフィ
ーを用いて精製し、更にエタノールから再結晶させて精
製して、４−［４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル］ベンゾニトリルの白色結晶２．０ｇを得た。（４−
ブロモ−１−（４−ペンチルフェニル）ベンゼンに対す
る収率：６２％）得られた化合物の融点は１２８〜１２
９℃であり、２３９℃までネマチック相を示し、文献値
とよく一致した。
【００８２】（実施例１０） ４−オクチル−１−［２
−フルオロ−４−（４−ヘキシルフェニル）フェニル］
ベンゼンの合成 実施例９において、４−ブロモ−１−（４−ペンチルフ
ェニル）ベンゼンに代えて、４−ブロモ−２−フルオロ
−１−（４−オクチルフェニル）ベンゼンを用い、４−
ブロモベンゾニトリルに代えて、４−ブロモ−１−ヘキ
シルベンゼンを用いた以外は実施例９と同様にして、４
−オクチル−１−［２−フルオロ−４−（４−ヘキシル
フェニル）フェニル］ベンゼンを得た。（４−ブロモ−
２−フルオロ−１−（４−オクチルフェニル）ベンゼン
に対する収率：６５％）得られた化合物の相転移温度は
第３表に示した。
−フルオロ−４−（４−ヘキシルフェニル）フェニル］
ベンゼンの合成 実施例９において、４−ブロモ−１−（４−ペンチルフ
ェニル）ベンゼンに代えて、４−ブロモ−２−フルオロ
−１−（４−オクチルフェニル）ベンゼンを用い、４−
ブロモベンゾニトリルに代えて、４−ブロモ−１−ヘキ
シルベンゼンを用いた以外は実施例９と同様にして、４
−オクチル−１−［２−フルオロ−４−（４−ヘキシル
フェニル）フェニル］ベンゼンを得た。（４−ブロモ−
２−フルオロ−１−（４−オクチルフェニル）ベンゼン
に対する収率：６５％）得られた化合物の相転移温度は
第３表に示した。
【００８３】（実施例１１） ３，４−ジフルオロ−１
−［４−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル］フェニル］ベンゼンの
合成 実施例９において、４−ブロモ−１−（４−ペンチルフ
ェニル）ベンゼンに代えて、４−ブロモ−１−［トラン
ス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル］ベンゼンを用い、４−ブロモベンゾニト
リルに代えて、３，４−ジフルオロ−１−ブロモベンゼ
ンを用いた以外は実施例９と同様にして、３，４−ジフ
ルオロ−１−［４−［トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニル］
ベンゼンを得た。（４−ブロモ−１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］ベンゼンに対する収率：６３％）得られた化合物
の相転移温度は第３表に示した。
−［４−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル］フェニル］ベンゼンの
合成 実施例９において、４−ブロモ−１−（４−ペンチルフ
ェニル）ベンゼンに代えて、４−ブロモ−１−［トラン
ス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル］ベンゼンを用い、４−ブロモベンゾニト
リルに代えて、３，４−ジフルオロ−１−ブロモベンゼ
ンを用いた以外は実施例９と同様にして、３，４−ジフ
ルオロ−１−［４−［トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニル］
ベンゼンを得た。（４−ブロモ−１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］ベンゼンに対する収率：６３％）得られた化合物
の相転移温度は第３表に示した。
【００８４】（実施例１２） ４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−４’−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）ビフェニルの合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリル３．０ｇ
に代えて、４−ヨード−１−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）ベンゼン５．５ｇを用いた以外は実施
例４と同様にして、４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）ビフェニル３．５ｇを得た。（４−ブロモ−
１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼ
ンに対する収率：６３．５％）得られた化合物の相転移
温度は第３表に示した。
ンチルシクロヘキシル）−４’−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）ビフェニルの合成 実施例４において、４−ブロモベンゾニトリル３．０ｇ
に代えて、４−ヨード−１−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）ベンゼン５．５ｇを用いた以外は実施
例４と同様にして、４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）ビフェニル３．５ｇを得た。（４−ブロモ−
１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼ
ンに対する収率：６３．５％）得られた化合物の相転移
温度は第３表に示した。
【００８５】（実施例１３） ２−フルオロ−４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルの合成 実施例４において、４−ブロモ−１−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに代えて、４−ブロ
モ−３−フルオロ−１−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）ベンゼンを用い、４−ブロモベンゾニトリ
ルに代えて、４−ヨード−１−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ベンゼンをそれぞれ用いた以外は実
施例４と同様にして、２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルを得た。（４−
ブロモ−３−フルオロ−１−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）ベンゼンに対する収率：６０％）得ら
れた化合物の相転移温度は第３表に示した。
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルの合成 実施例４において、４−ブロモ−１−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ベンゼンに代えて、４−ブロ
モ−３−フルオロ−１−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）ベンゼンを用い、４−ブロモベンゾニトリ
ルに代えて、４−ヨード−１−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ベンゼンをそれぞれ用いた以外は実
施例４と同様にして、２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルを得た。（４−
ブロモ−３−フルオロ−１−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）ベンゼンに対する収率：６０％）得ら
れた化合物の相転移温度は第３表に示した。
【００８６】
【発明の効果】本発明の製造方法は、液晶材料あるいは
その中間体として用いられている多くのビフェニル誘導
体を、短工程でしかも高収率で製造することができる。
従って、工業的に極めて有用である。
その中間体として用いられている多くのビフェニル誘導
体を、短工程でしかも高収率で製造することができる。
従って、工業的に極めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 39/04 8930−4Ｈ 41/30 43/192 7419−4Ｈ 43/196 7419−4Ｈ 43/205 Ａ 7419−4Ｈ 43/225 Ａ 7419−4Ｈ 43/23 Ａ 7419−4Ｈ 47/546 7188−4Ｈ 47/55 7188−4Ｈ 47/56 7188−4Ｈ 47/575 7188−4Ｈ 49/784 7188−4Ｈ 49/80 7188−4Ｈ 49/82 7188−4Ｈ 49/84 7188−4Ｈ 49/86 7188−4Ｈ 67/343 69/753 Ｚ 9279−4Ｈ 69/76 Ａ 9279−4Ｈ 253/30 255/46 9357−4Ｈ 255/54 9357−4Ｈ
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ） 【化１】 で表わされる化合物を反応させることを特徴とする一般
式（Ｉ） 【化２】 で表わされる化合物の製造方法。（各式中、Ｒaはフッ
素原子、塩素原子、炭素原子数１〜１６のアルキル基、
アルコキシル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、
アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキ
シアルコキシル基を表わし、該基中の任意の水素原子は
フッ素原子によって置換されていてもよく、環Ａ及び環
Ｂはそれぞれ独立的に、トランス−１，４−シクロヘキ
シレン基又はフッ素原子によって置換されていてもよい
１，４−フェニレン基を表わし、ｍ及びｎはそれぞれ独
立的に、０〜２の整数を表わすが、０≦ｍ＋ｎ≦２であ
り、Ｚa及びＺbはそれぞれ独立的に、単結合又は−ＣＨ
2ＣＨ2−を表わすが、ｍ＝０である場合、Ｚaは単結合
であり、ｎ＝０である場合、Ｚbは単結合であり、ｐ及
びｑはそれぞれ独立的に０〜４の整数を表わし、Ｒbは
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、−ＣＮ、−ＣＯＯＲ
2、−ＯＣＯＲ2、−ＣＯＲ2、−ＣＨＯ、−ＯＨ、炭素
原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシル基、炭素原
子数２〜１６のアルケニル基、アルケニルオキシ基、ア
ルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシル基を表わ
し、該基中の任意の水素原子はフッ素原子によって置換
されていてもよく、Ｒ1は炭素原子数１〜１０のアルキ
ル基を表わし、Ｙはヨウ素原子又は臭素原子を表わす
が、Ｒbが臭素原子である場合、Ｙはヨウ素原子を表わ
す。但し、ｍが１以上であり、環Ａがトランス−１，４
−シクロヘキシレン基である場合には、Ｒaは炭素原子
数１〜１６のアルキル基又は炭素原子数２〜１６のアル
ケニル基を表わし、ｎが１以上であり、環Ｂがトランス
−１，４−シクロヘキシレン基である場合、Ｒbは炭素
原子数１〜１６のアルキル基又は炭素原子数２〜１６の
アルケニル基を表わし、ｍ及びｎが共に０である場合、
Ｒaはメチル基を表わすことはない。） - 【請求項２】 ｍ及びｎが共に０であり、Ｚa及びＺbが
共に単結合である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 ｍ＋ｎ＝１である請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項４】 ｍ＝１、ｎ＝０であり、Ｚbが単結合で
あり、環Ａが１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−
フェニレン基である請求項３記載の製造方法。 - 【請求項５】 ｍ＋ｎ＝２である請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項６】 ｍ＝２、ｎ＝０であり、Ｚbが単結合で
あり、環Ａが１，４−シクロヘキシレン基である請求項
５記載の製造方法。 - 【請求項７】 ｍ及びｎが共に１であり、環Ａ及び環Ｂ
が共に１，４−シクロヘキシレン基である請求項５記載
の製造方法。 - 【請求項８】 ｐ＋ｑ＝０又は１である請求項１記載の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5030386A JPH06239770A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | ビフェニル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5030386A JPH06239770A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | ビフェニル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06239770A true JPH06239770A (ja) | 1994-08-30 |
Family
ID=12302466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5030386A Pending JPH06239770A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | ビフェニル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06239770A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524322A (ja) * | 2005-01-13 | 2008-07-10 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規なシリコン含有化合物を含む液晶組成物及びこれを用いた液晶ディスプレイ装置 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP5030386A patent/JPH06239770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524322A (ja) * | 2005-01-13 | 2008-07-10 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規なシリコン含有化合物を含む液晶組成物及びこれを用いた液晶ディスプレイ装置 |
| US8669391B2 (en) | 2005-01-13 | 2014-03-11 | Lg Chem, Ltd. | Liquid crystal composition comprising novel silicon containing compounds and liquid crystal display device using the same |
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