JPH06236747A - イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム - Google Patents
イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システムInfo
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- JPH06236747A JPH06236747A JP5301965A JP30196593A JPH06236747A JP H06236747 A JPH06236747 A JP H06236747A JP 5301965 A JP5301965 A JP 5301965A JP 30196593 A JP30196593 A JP 30196593A JP H06236747 A JPH06236747 A JP H06236747A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
- H01J2237/0045—Neutralising arrangements of objects being observed or treated using secondary electrons
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板に向かって非常に低エネルギーの
電子を放出し、イオン注入中の半導体基板に生成した正
電荷を自己調整して中性化するプラズマ放出システムを
提供する。 【構成】 半導体基板内のイオン注入時に用いられるプ
ラズマ放出システムは、低エネルギー電子を含むプラズ
マを発達させるプラズマ及び低エネルギー電子源１２を
備えている。この低エネルギー電子は、負電位にバイア
スされていると共に尖点場磁石５６による磁場に支援さ
れている電子閉込め管１０への輸送と、この電子閉込め
管１０を通過して半導体基板に向かって軸方向に流れて
いるイオンビーム１６内への輸送とをプラズマ強化磁石
４２による磁場によって増大されている。そのため、半
導体基板における重大な負の帯電を起こさずに、半導体
基板の表面上における正電荷は自己調整して中性化され
ている。
電子を放出し、イオン注入中の半導体基板に生成した正
電荷を自己調整して中性化するプラズマ放出システムを
提供する。 【構成】 半導体基板内のイオン注入時に用いられるプ
ラズマ放出システムは、低エネルギー電子を含むプラズ
マを発達させるプラズマ及び低エネルギー電子源１２を
備えている。この低エネルギー電子は、負電位にバイア
スされていると共に尖点場磁石５６による磁場に支援さ
れている電子閉込め管１０への輸送と、この電子閉込め
管１０を通過して半導体基板に向かって軸方向に流れて
いるイオンビーム１６内への輸送とをプラズマ強化磁石
４２による磁場によって増大されている。そのため、半
導体基板における重大な負の帯電を起こさずに、半導体
基板の表面上における正電荷は自己調整して中性化され
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板内へのイオ
ン注入による半導体の不純物導入技術に関し、より詳細
には、イオン注入装置に用いられる改善したプラズマ放
出システムに関する。
ン注入による半導体の不純物導入技術に関し、より詳細
には、イオン注入装置に用いられる改善したプラズマ放
出システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造では、通常、半導体ウェハ
の形態における半導体基板に特定の元素を高ドーズ量で
注入することが行われている。このようなイオン注入を
実行するために使用される装置は、通常、イオン源と質
量分析器とから構成されており、回転しながら横方向に
移動可能な円盤上に支持された半導体ウェハにイオンを
輸送するために、イオン加速管に対する入出力を有す
る。さらに、この装置は、イオン注入中におけるイオン
のドーズ量を制御するために、イオンビーム電流をモニ
タする監視システムを備える。この監視システムは、通
常、半導体ウェハの前方にファラデー箱を用いるか、ウ
ェハの後方にファラデー箱または磁気的抑制方式のビー
ムストップのどちらか一方を用いる。
の形態における半導体基板に特定の元素を高ドーズ量で
注入することが行われている。このようなイオン注入を
実行するために使用される装置は、通常、イオン源と質
量分析器とから構成されており、回転しながら横方向に
移動可能な円盤上に支持された半導体ウェハにイオンを
輸送するために、イオン加速管に対する入出力を有す
る。さらに、この装置は、イオン注入中におけるイオン
のドーズ量を制御するために、イオンビーム電流をモニ
タする監視システムを備える。この監視システムは、通
常、半導体ウェハの前方にファラデー箱を用いるか、ウ
ェハの後方にファラデー箱または磁気的抑制方式のビー
ムストップのどちらか一方を用いる。
【０００３】イオンが半導体ウェハに注入される際に、
半導体ウェハの表面は正に帯電するようになる。この表
面電荷が半導体ウェハ上の絶縁膜における絶縁耐圧より
も大きい値に達する場合、絶縁膜は絶縁破壊を起こすこ
とになる。このような事が起こらないように、イオン注
入装置は、通常、電子線または電子の流れを半導体ウェ
ハの表面上に方向付ける電子放出銃または類似したデバ
イスを備えており、半導体ウェハの表面における正電荷
の生成を相殺し、少なくとも局部的に中性化する。
半導体ウェハの表面は正に帯電するようになる。この表
面電荷が半導体ウェハ上の絶縁膜における絶縁耐圧より
も大きい値に達する場合、絶縁膜は絶縁破壊を起こすこ
とになる。このような事が起こらないように、イオン注
入装置は、通常、電子線または電子の流れを半導体ウェ
ハの表面上に方向付ける電子放出銃または類似したデバ
イスを備えており、半導体ウェハの表面における正電荷
の生成を相殺し、少なくとも局部的に中性化する。
【０００４】このような構成を有する公知例としては、
１９９２年２月１８日発行の米国特許第５０８９７１０
号が挙げられる。この公知例では、半導体ウェハに隣接
して配置され、イオンビームを受け入れるファラデー管
を備えた装置が開示されている。ファラデー管は、イオ
ンビーム電流をモニタすると共に、イオンが半導体ウェ
ハの表面に打ち込まれる際に発生する二次電子がファラ
デー・システムから洩れないようにするために配備され
ている。このファラデー管は、その管壁を貫通して据付
けられたプラズマ発生チャンバに相対して正電位にバイ
アスされている。プラズマ発生チャンバは、その内部の
フィラメントが半導体ウェハと対面しない位置に配置さ
れている。アルゴンガスがプラズマ発生チャンバ内に導
入されており、フィラメントから放出した熱電子がアル
ゴンガスに作用してプラズマを発生する。エネルギー約
１３ｅＶの電子は、プラズマ発生チャンバ内にある小径
の出射開孔をプラズマと共に通過してファラデー管内の
イオンビームに突入する。ファラデー管は正電位に保持
されており、プラズマ発生チャンバから電子を放出させ
てより高いエネルギーレベルに加速するように作用す
る。このような高エネルギー電子は、ファラデー管の管
壁表面に衝突する際に、統計的なエネルギー分布が典型
的に２０ｅＶを十分に越えて拡がる二次電子を発生す
る。
１９９２年２月１８日発行の米国特許第５０８９７１０
号が挙げられる。この公知例では、半導体ウェハに隣接
して配置され、イオンビームを受け入れるファラデー管
を備えた装置が開示されている。ファラデー管は、イオ
ンビーム電流をモニタすると共に、イオンが半導体ウェ
ハの表面に打ち込まれる際に発生する二次電子がファラ
デー・システムから洩れないようにするために配備され
ている。このファラデー管は、その管壁を貫通して据付
けられたプラズマ発生チャンバに相対して正電位にバイ
アスされている。プラズマ発生チャンバは、その内部の
フィラメントが半導体ウェハと対面しない位置に配置さ
れている。アルゴンガスがプラズマ発生チャンバ内に導
入されており、フィラメントから放出した熱電子がアル
ゴンガスに作用してプラズマを発生する。エネルギー約
１３ｅＶの電子は、プラズマ発生チャンバ内にある小径
の出射開孔をプラズマと共に通過してファラデー管内の
イオンビームに突入する。ファラデー管は正電位に保持
されており、プラズマ発生チャンバから電子を放出させ
てより高いエネルギーレベルに加速するように作用す
る。このような高エネルギー電子は、ファラデー管の管
壁表面に衝突する際に、統計的なエネルギー分布が典型
的に２０ｅＶを十分に越えて拡がる二次電子を発生す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した公知例におけ
る重大な欠陥は、半導体ウェハ上における電荷の生成を
妨げるように、電子の電流量が極度に微妙な調整を施さ
れる必要があることである。詳細には、電子の電流がわ
ずかに過大に調整されている場合、ウェハが既に負電荷
を蓄積していようとも、電子が高エネルギーレベルの分
布を有するので、電子が偏向されずに半導体ウェハに衝
突してしまう。さらに、この設計の欠点としては、正電
位にバイアスしたファラデー管は急速に低エネルギーの
一次電子や、半導体ウェハの表面で発生し、半導体ウェ
ハの表面における正電荷の中性化に有用になるはずであ
った低エネルギーの二次電子を引き付けて吸収する。
る重大な欠陥は、半導体ウェハ上における電荷の生成を
妨げるように、電子の電流量が極度に微妙な調整を施さ
れる必要があることである。詳細には、電子の電流がわ
ずかに過大に調整されている場合、ウェハが既に負電荷
を蓄積していようとも、電子が高エネルギーレベルの分
布を有するので、電子が偏向されずに半導体ウェハに衝
突してしまう。さらに、この設計の欠点としては、正電
位にバイアスしたファラデー管は急速に低エネルギーの
一次電子や、半導体ウェハの表面で発生し、半導体ウェ
ハの表面における正電荷の中性化に有用になるはずであ
った低エネルギーの二次電子を引き付けて吸収する。
【０００６】そこで、本発明は、上記の問題点を解決し
たプラズマ放出システムを提供することを目的とする。
たプラズマ放出システムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
解決するために、イオンビームによって衝撃を受けてい
る半導体ウェハのような作業部品に向かって低エネルギ
ーの、好ましくは多数の電子が５ｅＶ未満である電子線
を放出するように改善したプラズマ電子放出システムを
提供する。このような低エネルギー電子は、プラズマ発
生チャンバから洩れ出しても、負電位にバイアスしてイ
オンビームが半導体基板に向かって通過する電子ガイド
または電子閉込め管によって閉じ込められている。この
電子閉込め管は、作業部品との間隙から漏出する電子を
最小限にするために、作業部品にほぼ接触するように拡
張している。
解決するために、イオンビームによって衝撃を受けてい
る半導体ウェハのような作業部品に向かって低エネルギ
ーの、好ましくは多数の電子が５ｅＶ未満である電子線
を放出するように改善したプラズマ電子放出システムを
提供する。このような低エネルギー電子は、プラズマ発
生チャンバから洩れ出しても、負電位にバイアスしてイ
オンビームが半導体基板に向かって通過する電子ガイド
または電子閉込め管によって閉じ込められている。この
電子閉込め管は、作業部品との間隙から漏出する電子を
最小限にするために、作業部品にほぼ接触するように拡
張している。
【０００８】また、本発明は、プラズマ発生チャンバに
隣接して磁場を発生する磁石を備え、プラズマの密度を
増大すると共に、プラズマ発生チャンバから電子ガイド
管の内部に向かう低エネルギー電子の放出を増大するこ
とが好ましい。
隣接して磁場を発生する磁石を備え、プラズマの密度を
増大すると共に、プラズマ発生チャンバから電子ガイド
管の内部に向かう低エネルギー電子の放出を増大するこ
とが好ましい。
【０００９】さらに、本発明は、電子閉込め管に沿って
磁場を発生する磁石の配列を備え、イオンビームと共に
移動する低エネルギー電子の閉込めを支援することが好
ましい。
磁場を発生する磁石の配列を備え、イオンビームと共に
移動する低エネルギー電子の閉込めを支援することが好
ましい。
【００１０】
【作用】本発明によれば、プラズマ発生チャンバ内の一
次電子源（例えば、加熱したフィラメント）に相対して
電子閉込め管における負電位のバイアスは、電子閉込め
管に入射する電子を減速し、そのエネルギーを低減す
る。半導体ウェハでは、その表面が正に帯電し始める
と、即時に低エネルギー電子が局部的に正電位にバイア
スした表面に向かって流れ、表面電荷を中性化する。半
導体ウェハの表面における小さい負電圧は匹敵するエネ
ルギーまたはより小さいエネルギーを有する低エネルギ
ー電子を跳ね返すので、低エネルギー電子の大量供給
が、基板における負の帯電を最小限にするように自己調
整する電荷中性化システムを造り出す。
次電子源（例えば、加熱したフィラメント）に相対して
電子閉込め管における負電位のバイアスは、電子閉込め
管に入射する電子を減速し、そのエネルギーを低減す
る。半導体ウェハでは、その表面が正に帯電し始める
と、即時に低エネルギー電子が局部的に正電位にバイア
スした表面に向かって流れ、表面電荷を中性化する。半
導体ウェハの表面における小さい負電圧は匹敵するエネ
ルギーまたはより小さいエネルギーを有する低エネルギ
ー電子を跳ね返すので、低エネルギー電子の大量供給
が、基板における負の帯電を最小限にするように自己調
整する電荷中性化システムを造り出す。
【００１１】従来技術、詳細には上述のように参照した
公知例として記載したシステムと比較すると、本発明は
低エネルギー電子を大流量で半導体基板に放出し、半導
体基板における好適でない負の帯電を最小限にするよう
に自己調整する方法で、より効果的に半導体基板の表面
における正電荷を中性化する。さらに、負電位にバイア
スした電子閉込め管は、半導体基板が帯電することが可
能な最大の負電圧を制限していると共に、低エネルギー
の二次電子を半導体基板の表面に適切に閉じ込めるの
で、その二次電子が半導体基板上に生成した正電荷を中
性化するように寄与する。
公知例として記載したシステムと比較すると、本発明は
低エネルギー電子を大流量で半導体基板に放出し、半導
体基板における好適でない負の帯電を最小限にするよう
に自己調整する方法で、より効果的に半導体基板の表面
における正電荷を中性化する。さらに、負電位にバイア
スした電子閉込め管は、半導体基板が帯電することが可
能な最大の負電圧を制限していると共に、低エネルギー
の二次電子を半導体基板の表面に適切に閉じ込めるの
で、その二次電子が半導体基板上に生成した正電荷を中
性化するように寄与する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る実施例の構成及び作用に
ついて、図１ないし図５を参照して説明する。なお、図
面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複
する説明を省略する。
ついて、図１ないし図５を参照して説明する。なお、図
面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複
する説明を省略する。
【００１３】概略すると、図１に示すように、本発明の
プラズマ放出システムは、プラズマ源と、低エネルギー
電子発生器１２と、負電位にバイアスした電子閉込め管
または電子ガイド管１０とから構成されている。
プラズマ放出システムは、プラズマ源と、低エネルギー
電子発生器１２と、負電位にバイアスした電子閉込め管
または電子ガイド管１０とから構成されている。
【００１４】電子ガイド管１０は、図４に示すような矩
形断面でグラファイトからなるメッシュ状の管壁１４を
有する。しかしながら、この管壁１４は導電性物質で構
成してもよいし、その内部が充填されていても空孔が存
在してもよいし、円筒形またはその他の形状断面を有し
ていてもよい。金属電極はイオンビームを汚染するため
に、イオンビームに接触する電極をグラファイトで製造
することは周知である。電子ガイド管１０における四面
の管壁１４はそれぞれ、アルミニウムからなる外枠６０
で支持された矩形断面でグラファイトからなるメッシュ
状の一枚板であることが好ましい。
形断面でグラファイトからなるメッシュ状の管壁１４を
有する。しかしながら、この管壁１４は導電性物質で構
成してもよいし、その内部が充填されていても空孔が存
在してもよいし、円筒形またはその他の形状断面を有し
ていてもよい。金属電極はイオンビームを汚染するため
に、イオンビームに接触する電極をグラファイトで製造
することは周知である。電子ガイド管１０における四面
の管壁１４はそれぞれ、アルミニウムからなる外枠６０
で支持された矩形断面でグラファイトからなるメッシュ
状の一枚板であることが好ましい。
【００１５】電子ガイド管１０はイオンビームを受入
れ、複数の半導体ウェハ１８，１９及び２０を運搬して
いる（図示していない）進行中のホイールに据付けられ
た半導体ウェハ１８のような半導体基板にイオンビーム
１６を軸方向に輸送するように配置されている。図２に
示すように、ホイールは、図面の平面内で垂直方向に半
導体ウェハを急速に移動させるように回転する。このホ
イールがイオンビーム１６の外側に半導体ウェハを移動
させると、イオンビーム１６はイオンビーム電流、結果
としてイオンのドーズ量を測定する従来のビームストッ
プ収集器２１に向かって通過する。例えば、ビームスト
ップ収集器２１は従来のファラデー箱でもよいし、Appl
ied Materials 社から市販されているイオン注入器Mode
l 9200に配備されているような磁気的抑制方式のビーム
ストップ収集器であることがより好ましい。半導体ウェ
ハを支持しているホイールの後方におけるビームストッ
プ収集器２１の配置によれば、本発明のプラズマ放出シ
ステムが線量測定を目的とするファラデー箱またはファ
ラデー・システムの一部としても機能する必要性が除去
されている。
れ、複数の半導体ウェハ１８，１９及び２０を運搬して
いる（図示していない）進行中のホイールに据付けられ
た半導体ウェハ１８のような半導体基板にイオンビーム
１６を軸方向に輸送するように配置されている。図２に
示すように、ホイールは、図面の平面内で垂直方向に半
導体ウェハを急速に移動させるように回転する。このホ
イールがイオンビーム１６の外側に半導体ウェハを移動
させると、イオンビーム１６はイオンビーム電流、結果
としてイオンのドーズ量を測定する従来のビームストッ
プ収集器２１に向かって通過する。例えば、ビームスト
ップ収集器２１は従来のファラデー箱でもよいし、Appl
ied Materials 社から市販されているイオン注入器Mode
l 9200に配備されているような磁気的抑制方式のビーム
ストップ収集器であることがより好ましい。半導体ウェ
ハを支持しているホイールの後方におけるビームストッ
プ収集器２１の配置によれば、本発明のプラズマ放出シ
ステムが線量測定を目的とするファラデー箱またはファ
ラデー・システムの一部としても機能する必要性が除去
されている。
【００１６】プラズマ及び低エネルギー電子発生器１２
は、従来のBernas型フィラメントのようなフィラメント
・コイル２４を含むプラズマ発生チャンバ２２から構成
されている。フィラメント・コイル２４は、プラズマ発
生チャンバ２２の頂部３０に据付けられた端部２６及び
２８を有し、この端部２６及び２８は範囲−２〜−５Ｖ
の直流電圧で最大約２００Ａまで供給する可変な電流源
３２に接続されている。
は、従来のBernas型フィラメントのようなフィラメント
・コイル２４を含むプラズマ発生チャンバ２２から構成
されている。フィラメント・コイル２４は、プラズマ発
生チャンバ２２の頂部３０に据付けられた端部２６及び
２８を有し、この端部２６及び２８は範囲−２〜−５Ｖ
の直流電圧で最大約２００Ａまで供給する可変な電流源
３２に接続されている。
【００１７】アルゴン（でなければ、あまり好ましくは
ないが、キセノン）のような封入ガスが、ガス供給管３
４から、好ましくは流量約１ｓｃｃｍで円筒形のプラズ
マ発生チャンバ２２内に注入される。続いて、封入ガス
は、出射開孔または放出開孔３８を通過してプラズマ発
生チャンバ２２から電子ガイド管１０の内部に流入す
る。この放出開孔３８は、少なくとも幅３ｍｍを有する
ことが好ましい。好適な実施例では、放出開孔３８は直
径１０ｍｍを有する円形の開口３６である。封入ガスの
流量はプラズマ発生チャンバ２２内に十分なガス圧を生
じる程に十分高くする必要があり、放出開孔３８を通過
して最終的には半導体基板１８に向かう好適な電子の流
量を発生する程にプラズマ発生チャンバ２２内に、以下
に記載しているような十分高いプラズマ密度を生じさせ
る必要がある。放出開孔３８の大きさを増大すること
は、放出開孔３８を通過する電子の放出効率を改善する
が、プラズマ発生チャンバ２２内に十分なガス圧を維持
するために必要な封入ガスの流量も増加させてしまう。
ないが、キセノン）のような封入ガスが、ガス供給管３
４から、好ましくは流量約１ｓｃｃｍで円筒形のプラズ
マ発生チャンバ２２内に注入される。続いて、封入ガス
は、出射開孔または放出開孔３８を通過してプラズマ発
生チャンバ２２から電子ガイド管１０の内部に流入す
る。この放出開孔３８は、少なくとも幅３ｍｍを有する
ことが好ましい。好適な実施例では、放出開孔３８は直
径１０ｍｍを有する円形の開口３６である。封入ガスの
流量はプラズマ発生チャンバ２２内に十分なガス圧を生
じる程に十分高くする必要があり、放出開孔３８を通過
して最終的には半導体基板１８に向かう好適な電子の流
量を発生する程にプラズマ発生チャンバ２２内に、以下
に記載しているような十分高いプラズマ密度を生じさせ
る必要がある。放出開孔３８の大きさを増大すること
は、放出開孔３８を通過する電子の放出効率を改善する
が、プラズマ発生チャンバ２２内に十分なガス圧を維持
するために必要な封入ガスの流量も増加させてしまう。
【００１８】作用の点では、フィラメント２４を流れる
電流量がフィラメント・コイル２４自体を加熱するの
で、フィラメント・コイル２４はプラズマ発生チャンバ
２２の内部に熱イオン的に電子を放出する。フィラメン
ト・コイル２４とチャンバ外囲４４との間を接続した電
圧源４６は、フィラメント・コイル２４に相対して正電
圧に、好ましくは６０Ｖ未満に、より好ましくは約３０
Ｖにチャンバ壁をバイアスする。この電圧は、フィラメ
ント・コイル２４からの熱イオン的電子放出に関連し、
プラズマを発生するようにプラズマ発生チャンバ２２で
封入ガスの絶縁破壊を起こす。プラズマは、フィラメン
ト・コイル２４からの熱イオン的電子放出をいっそう増
大する。主に拡散のために、自由電子の一部は放出開孔
３８を通過してプラズマ発生チャンバ２２から放出さ
れ、電子ガイド管または電子閉込め管１０に入射するこ
とになる。チャンバ壁に電気的に接続した短いノズル４
０は、電子ガイド管１０の管壁１４の内側表面とほとん
ど同一平面に（coplanar）なるように放出開孔３８を拡
張する。
電流量がフィラメント・コイル２４自体を加熱するの
で、フィラメント・コイル２４はプラズマ発生チャンバ
２２の内部に熱イオン的に電子を放出する。フィラメン
ト・コイル２４とチャンバ外囲４４との間を接続した電
圧源４６は、フィラメント・コイル２４に相対して正電
圧に、好ましくは６０Ｖ未満に、より好ましくは約３０
Ｖにチャンバ壁をバイアスする。この電圧は、フィラメ
ント・コイル２４からの熱イオン的電子放出に関連し、
プラズマを発生するようにプラズマ発生チャンバ２２で
封入ガスの絶縁破壊を起こす。プラズマは、フィラメン
ト・コイル２４からの熱イオン的電子放出をいっそう増
大する。主に拡散のために、自由電子の一部は放出開孔
３８を通過してプラズマ発生チャンバ２２から放出さ
れ、電子ガイド管または電子閉込め管１０に入射するこ
とになる。チャンバ壁に電気的に接続した短いノズル４
０は、電子ガイド管１０の管壁１４の内側表面とほとん
ど同一平面に（coplanar）なるように放出開孔３８を拡
張する。
【００１９】図５に示すように、複数のプラズマ強化磁
石４２は、フィラメント・コイル２４を囲んでおり、外
側のプラズマ外囲４４の内部で支持されている。プラズ
マ強化磁石４２は、隣接したプラズマ発生チャンバ２２
の円筒状側壁に平行であり、プラズマ発生チャンバ２２
自体及び放出開孔３８の両方それぞれの縦軸に平行であ
る同一方向に磁場の軸が整列するように配列されてい
る。したがって、プラズマ強化磁石４２は、図１に実践
４３によって示すように、隣接したプラズマ発生チャン
バ２２の円筒状側壁に平行であると共に、放出開孔３８
の軸に平行である磁束線を発生する。フィラメント・コ
イル２４内を流れる電流も、図１に点線４５で描写され
ているような磁場を発生する。
石４２は、フィラメント・コイル２４を囲んでおり、外
側のプラズマ外囲４４の内部で支持されている。プラズ
マ強化磁石４２は、隣接したプラズマ発生チャンバ２２
の円筒状側壁に平行であり、プラズマ発生チャンバ２２
自体及び放出開孔３８の両方それぞれの縦軸に平行であ
る同一方向に磁場の軸が整列するように配列されてい
る。したがって、プラズマ強化磁石４２は、図１に実践
４３によって示すように、隣接したプラズマ発生チャン
バ２２の円筒状側壁に平行であると共に、放出開孔３８
の軸に平行である磁束線を発生する。フィラメント・コ
イル２４内を流れる電流も、図１に点線４５で描写され
ているような磁場を発生する。
【００２０】プラズマ発生チャンバ２２の内部における
プラズマは、プラズマ強化磁石４２を消磁させ得る熱を
発生する。プラズマ強化磁石４２を冷却し続けるため
に、熱シールド４９がプラズマ強化磁石４２と隣接した
チャンバ壁の間に挿入されている。さらに、水のような
冷却液が、流路４７を通過してプラズマ強化磁石４２の
周囲にあるチャンバ外囲４４の内部を循環している。
プラズマは、プラズマ強化磁石４２を消磁させ得る熱を
発生する。プラズマ強化磁石４２を冷却し続けるため
に、熱シールド４９がプラズマ強化磁石４２と隣接した
チャンバ壁の間に挿入されている。さらに、水のような
冷却液が、流路４７を通過してプラズマ強化磁石４２の
周囲にあるチャンバ外囲４４の内部を循環している。
【００２１】プラズマ強化磁石４２によって発生する磁
場は、プラズマ発生チャンバ２２内で発生する電子数を
増大し、電子の平均エネルギーレベルを低減するよう
に、プラズマ密度を増大する。このプラズマ強化磁石４
２も、放出開孔３８から電子ガイド管１０に電子が放出
される速度を増大する。
場は、プラズマ発生チャンバ２２内で発生する電子数を
増大し、電子の平均エネルギーレベルを低減するよう
に、プラズマ密度を増大する。このプラズマ強化磁石４
２も、放出開孔３８から電子ガイド管１０に電子が放出
される速度を増大する。
【００２２】付加的な電力源１５は、フィラメント・コ
イル２４と電子ガイド管または電子閉込め管１０の管壁
１４との間に接続されており、フィラメント・コイル２
４に相対して電子ガイド管１０を負電位に、好ましくは
範囲−３０〜０Ｖに、より好ましくは約−１０Ｖにバイ
アスする。この負電圧は、プラズマ発生チャンバ２２か
ら放出した電子に、従来の電子放出銃に要求される正の
放出電圧よりもむしろ、正味負の放出電圧を付与する。
この負の放出電圧は、放出電子のエネルギーレベルを低
減するのに適切であり、放出電子のエネルギーレベルを
プラズマ発生チャンバ２２の側壁に印加する電圧源４６
のアーク電圧から自由にするのに適切である。
イル２４と電子ガイド管または電子閉込め管１０の管壁
１４との間に接続されており、フィラメント・コイル２
４に相対して電子ガイド管１０を負電位に、好ましくは
範囲−３０〜０Ｖに、より好ましくは約−１０Ｖにバイ
アスする。この負電圧は、プラズマ発生チャンバ２２か
ら放出した電子に、従来の電子放出銃に要求される正の
放出電圧よりもむしろ、正味負の放出電圧を付与する。
この負の放出電圧は、放出電子のエネルギーレベルを低
減するのに適切であり、放出電子のエネルギーレベルを
プラズマ発生チャンバ２２の側壁に印加する電圧源４６
のアーク電圧から自由にするのに適切である。
【００２３】図示した好適な実施例では、電流源３２に
よる非常に低い（５Ｖ未満の）フィラメント・コイル２
４の電圧と、プラズマ強化磁石４２によって付与したプ
ラズマ強化と、によって電子ガイド管１０に印加した負
の（−１０Ｖの）減速電圧との結果として、電子ガイド
管１０に放出された電子は、エネルギーレベルとして５
ｅＶ未満の中央値を有する。この値は、これまでイオン
注入装置に使用された従来の電子放出銃で達成可能であ
る値よりも、はるかに低いエネルギーレベルの中央値で
ある。
よる非常に低い（５Ｖ未満の）フィラメント・コイル２
４の電圧と、プラズマ強化磁石４２によって付与したプ
ラズマ強化と、によって電子ガイド管１０に印加した負
の（−１０Ｖの）減速電圧との結果として、電子ガイド
管１０に放出された電子は、エネルギーレベルとして５
ｅＶ未満の中央値を有する。この値は、これまでイオン
注入装置に使用された従来の電子放出銃で達成可能であ
る値よりも、はるかに低いエネルギーレベルの中央値で
ある。
【００２４】これらの電子は、放出開孔３８を通過して
プラズマ発生チャンバ２２を離れ、電子ガイド管１０の
内部に入射し、イオンビーム１６と共に電子ガイド管１
０に沿って半導体基板１８に向かって進む。電子ガイド
管１０におけて電力源１５による負のバイアス電圧また
は閉込め電圧（上述したように好ましくは−１０Ｖ）よ
りも高いエネルギーレベルの電子は、管壁１４に衝突し
て吸収される傾向にある。低エネルギー電子は負の閉込
め電圧によって跳ね返され、半導体基板に向かって進み
続ける。結果として、電子ガイド管１０における負の閉
込め電圧は、半導体基板に到達する電子のエネルギーレ
ベルを低減するのに適切である。
プラズマ発生チャンバ２２を離れ、電子ガイド管１０の
内部に入射し、イオンビーム１６と共に電子ガイド管１
０に沿って半導体基板１８に向かって進む。電子ガイド
管１０におけて電力源１５による負のバイアス電圧また
は閉込め電圧（上述したように好ましくは−１０Ｖ）よ
りも高いエネルギーレベルの電子は、管壁１４に衝突し
て吸収される傾向にある。低エネルギー電子は負の閉込
め電圧によって跳ね返され、半導体基板に向かって進み
続ける。結果として、電子ガイド管１０における負の閉
込め電圧は、半導体基板に到達する電子のエネルギーレ
ベルを低減するのに適切である。
【００２５】電子ガイド管１０における負電圧は、半導
体基板にイオンが衝突することによって発生する二次電
子に対し、同様に適切な効果を有する。比較的高エネル
ギーの二次電子は電子ガイド管１０との衝突によってほ
とんど吸収されるが、低エネルギー電子は半導体基板の
方向に跳ね返されるので、半導体基板の付近における低
エネルギー電子の密度を増大することに寄与する。電子
ガイド管１０は、半導体基板との間隙を通過して電子が
漏出しないように、その終端が実際に可能な限り半導体
基板に接近し、好適な実施例では１０ｍｍしか離れずに
据付けられている。
体基板にイオンが衝突することによって発生する二次電
子に対し、同様に適切な効果を有する。比較的高エネル
ギーの二次電子は電子ガイド管１０との衝突によってほ
とんど吸収されるが、低エネルギー電子は半導体基板の
方向に跳ね返されるので、半導体基板の付近における低
エネルギー電子の密度を増大することに寄与する。電子
ガイド管１０は、半導体基板との間隙を通過して電子が
漏出しないように、その終端が実際に可能な限り半導体
基板に接近し、好適な実施例では１０ｍｍしか離れずに
据付けられている。
【００２６】プラズマ発生チャンバ２２の側壁に電圧源
４６によって印加した正のアーク電圧が電子ガイド管１
０の内部に入射した電子を引き付けないようにするため
に、電子ガイド管１０の側壁１４は、放出開孔３８を除
いてプラズマ発生チャンバ２２の隣接した側壁を完全に
被覆し、これに直接被着している。結果として、電子ガ
イド管１０の内部における電子は、正のアーク電圧に対
して効果的に遮蔽されている。
４６によって印加した正のアーク電圧が電子ガイド管１
０の内部に入射した電子を引き付けないようにするため
に、電子ガイド管１０の側壁１４は、放出開孔３８を除
いてプラズマ発生チャンバ２２の隣接した側壁を完全に
被覆し、これに直接被着している。結果として、電子ガ
イド管１０の内部における電子は、正のアーク電圧に対
して効果的に遮蔽されている。
【００２７】電力源１５，３２及び４６はそれぞれ、可
変な出力電圧または出力電流を有することが好ましい。
一般に、フィラメント・コイル２４の電力源３２は、半
導体基板１８上の電荷を中性化するのに適切な電子放出
電流を発生するために、フィラメント・コイル２４を流
れる十分大きい電流を供給し、これによって十分多い電
子を熱イオン的に放出するように調整されていることが
必要である。しかしながら、過剰なフィラメント電流
は、フィラメント・コイル２４の寿命を短縮することに
なる。さらに重大なことに、フィラメント電圧を増大す
ることは、熱イオン的に放出した電子のエネルギーレベ
ルを増大することになる。したがって、相対的に小さい
抵抗を有するフィラメントを使用することが好ましい。
変な出力電圧または出力電流を有することが好ましい。
一般に、フィラメント・コイル２４の電力源３２は、半
導体基板１８上の電荷を中性化するのに適切な電子放出
電流を発生するために、フィラメント・コイル２４を流
れる十分大きい電流を供給し、これによって十分多い電
子を熱イオン的に放出するように調整されていることが
必要である。しかしながら、過剰なフィラメント電流
は、フィラメント・コイル２４の寿命を短縮することに
なる。さらに重大なことに、フィラメント電圧を増大す
ることは、熱イオン的に放出した電子のエネルギーレベ
ルを増大することになる。したがって、相対的に小さい
抵抗を有するフィラメントを使用することが好ましい。
【００２８】電力源４６によるアーク電圧の出力電圧
は、半導体基板を中性化するのに適切な電子放出電流を
発生するために、十分なプラズマ密度を生じるのに足る
だけ高くするべきであるが、フィラメント・コイル２４
の寿命を延長するように、必要以上高くするべきではな
い。
は、半導体基板を中性化するのに適切な電子放出電流を
発生するために、十分なプラズマ密度を生じるのに足る
だけ高くするべきであるが、フィラメント・コイル２４
の寿命を延長するように、必要以上高くするべきではな
い。
【００２９】上述したように、半導体ウェハ１８上の半
導体デバイスを破壊し得る値以下のエネルギーレベルに
放出開孔３８から放出された電子を減速するために、電
子閉込め管１０の電力源１５は、電子閉込め管１０十分
大きい負電圧を印加するように調整される必要がある。
しかしながら、電子閉込め管１０が電子を引き付けて半
導体ウェハから引き離し始める前に半導体ウェハが帯電
し得る最大の負電圧は、半導体ウェハの付近における閉
込め電圧によって決定されている。したがって、負の閉
込め電圧は、半導体ウェハがデバイスに損傷を与えない
ように帯電することが許容され得る最大の負電圧より小
さくする必要がある。
導体デバイスを破壊し得る値以下のエネルギーレベルに
放出開孔３８から放出された電子を減速するために、電
子閉込め管１０の電力源１５は、電子閉込め管１０十分
大きい負電圧を印加するように調整される必要がある。
しかしながら、電子閉込め管１０が電子を引き付けて半
導体ウェハから引き離し始める前に半導体ウェハが帯電
し得る最大の負電圧は、半導体ウェハの付近における閉
込め電圧によって決定されている。したがって、負の閉
込め電圧は、半導体ウェハがデバイスに損傷を与えない
ように帯電することが許容され得る最大の負電圧より小
さくする必要がある。
【００３０】なお、さらに本発明の好適な形態では、後
段の加速システム４８に関連した高電圧による電子抑制
は、電子が後段の加速領域に引き付けられないように
し、後段の加速システム４８から半導体ウェハ１８の平
面に渡り、プラズマにとって閉鎖的または制限的な環境
を提供する。詳細には、図１に示す加速システム４８
は、接地した後段の加速電極５０と、環状の絶縁物５４
によって加速電極５０と隔離されているスライド可能な
電子閉込め管伸縮部５２とから構成されている。従来の
方法で電極５０がイオンビームを収束させるために前後
に移動されられるように、電子閉込め管伸縮部５２は電
子ガイド管１０が後段の加速電極５０と隣接したままで
スライドすることが可能である。
段の加速システム４８に関連した高電圧による電子抑制
は、電子が後段の加速領域に引き付けられないように
し、後段の加速システム４８から半導体ウェハ１８の平
面に渡り、プラズマにとって閉鎖的または制限的な環境
を提供する。詳細には、図１に示す加速システム４８
は、接地した後段の加速電極５０と、環状の絶縁物５４
によって加速電極５０と隔離されているスライド可能な
電子閉込め管伸縮部５２とから構成されている。従来の
方法で電極５０がイオンビームを収束させるために前後
に移動されられるように、電子閉込め管伸縮部５２は電
子ガイド管１０が後段の加速電極５０と隣接したままで
スライドすることが可能である。
【００３１】電子閉込め管伸縮部５２は電力源１５によ
って電子閉込め管１０の電位にバイアスされている一
方、接地した加速電極５０に隣接する抑制電極５３は電
圧源５５によって約−５０００Ｖ以下の負電圧でバイア
スされている。抑制電圧は、後段の加速領域がプラズマ
放出システムの内部に及ばないようにし、これにより電
子の流れが電子ガイド管１０から後段の加速領域に侵入
しないようにする程に十分高い値であると共に、イオン
ビーム１６の半導体ウェハに対する投影に障害を与えな
い程に十分低い値である。このような関係で、加速電極
５０及び電子閉込め管伸縮部５２はイオンビーム１６を
輸送する一方、抑制電極５５は電子閉込め管１０におけ
るイオンビーム１６の上流領域に向かって加速しないよ
うに電子を抑制する。
って電子閉込め管１０の電位にバイアスされている一
方、接地した加速電極５０に隣接する抑制電極５３は電
圧源５５によって約−５０００Ｖ以下の負電圧でバイア
スされている。抑制電圧は、後段の加速領域がプラズマ
放出システムの内部に及ばないようにし、これにより電
子の流れが電子ガイド管１０から後段の加速領域に侵入
しないようにする程に十分高い値であると共に、イオン
ビーム１６の半導体ウェハに対する投影に障害を与えな
い程に十分低い値である。このような関係で、加速電極
５０及び電子閉込め管伸縮部５２はイオンビーム１６を
輸送する一方、抑制電極５５は電子閉込め管１０におけ
るイオンビーム１６の上流領域に向かって加速しないよ
うに電子を抑制する。
【００３２】電子ガイド管１０の内部における低エネル
ギー電子の閉込めと輸送を支援するために、本発明の好
適な形態は、図３に最も明瞭に描写しているように、電
子ガイド管１０の外面の周囲に軸方向に沿って円周状に
間隔を保って伸びた配列で配置されていてもよい尖点場
磁石５６を備えている。各配列の尖点場磁石５６はＮ極
またはＳ極のどちらか一方であり、図３に示すような電
子ガイド管１０の内部に電子を磁気的に閉込めるため
に、軸方向に円周状の磁場を発生する。
ギー電子の閉込めと輸送を支援するために、本発明の好
適な形態は、図３に最も明瞭に描写しているように、電
子ガイド管１０の外面の周囲に軸方向に沿って円周状に
間隔を保って伸びた配列で配置されていてもよい尖点場
磁石５６を備えている。各配列の尖点場磁石５６はＮ極
またはＳ極のどちらか一方であり、図３に示すような電
子ガイド管１０の内部に電子を磁気的に閉込めるため
に、軸方向に円周状の磁場を発生する。
【００３３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したことを要約する
と、本発明の電子放出システムは半導体基板に向かって
非常に低エネルギーの電子線を放出し、半導体基板の表
面付近で非常に低エネルギーの電子を大量に保持してい
る。これら低エネルギー電子は自己調整する方法で半導
体基板上の電荷を中性化する。
と、本発明の電子放出システムは半導体基板に向かって
非常に低エネルギーの電子線を放出し、半導体基板の表
面付近で非常に低エネルギーの電子を大量に保持してい
る。これら低エネルギー電子は自己調整する方法で半導
体基板上の電荷を中性化する。
【００３４】特に、電荷が中性化するまで正電荷は電子
を引き付けることになるので、半導体ウェハにおける正
の帯電は妨げられる。半導体ウェハにおける負の帯電
は、二つの機構で制限されている。第１に、電子は半導
体基板上の小さい負電荷によって容易に跳ね返される程
度の低エネルギーレベルしか有していない。第２に、半
導体基板上に生成した負電圧は電子ガイド管上における
負の閉込め電圧を越えることはなく、そうでなければ、
電子は半導体基板から電子ガイド管上の比較的大きい正
電位に流れることになる。
を引き付けることになるので、半導体ウェハにおける正
の帯電は妨げられる。半導体ウェハにおける負の帯電
は、二つの機構で制限されている。第１に、電子は半導
体基板上の小さい負電荷によって容易に跳ね返される程
度の低エネルギーレベルしか有していない。第２に、半
導体基板上に生成した負電圧は電子ガイド管上における
負の閉込め電圧を越えることはなく、そうでなければ、
電子は半導体基板から電子ガイド管上の比較的大きい正
電位に流れることになる。
【００３５】従来の電子放出銃と比較し、本発明は放出
した電子を正の加速電圧に委ねるというのではなく、む
しろ電子源に相対して負の閉込め電圧を適用することに
より、電子のより低いエネルギーレベル分布を達成して
いる。
した電子を正の加速電圧に委ねるというのではなく、む
しろ電子源に相対して負の閉込め電圧を適用することに
より、電子のより低いエネルギーレベル分布を達成して
いる。
【図１】本発明に係るプラズマ放出システムの構成を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ放出システムに繋がった構
成を示す縦断面図である。
成を示す縦断面図である。
【図３】図１に示すプラズマ放出システムの中央部にお
ける拡大図であり、プラズマ放出システム内に電子閉じ
込め管の側面に沿って配置された磁石の配列から発生し
た磁場を描写している。
ける拡大図であり、プラズマ放出システム内に電子閉じ
込め管の側面に沿って配置された磁石の配列から発生し
た磁場を描写している。
【図４】図３のＣ−Ｃ線に沿ってのプラズマ放出システ
ムの構成を示す横断面図である。
ムの構成を示す横断面図である。
【図５】図１に示すプラズマ放出システムの構成を示す
模式的側面図である。
模式的側面図である。
１０…電子閉込め管または電子ガイド管、１２…プラズ
マ及び低エネルギー電子発生器、１４…電子閉込め管の
管壁、１５…電力源、１６…イオンビーム、１８〜２０
…半導体ウェハまたは半導体基板、２１…ビームストッ
プ収集器、２２…プラズマ発生チャンバ、２４…フィラ
メント・コイル、２６，２８…フィラメント・コイルの
端部、３０…プラズマ発生チャンバの頂部、３２…電流
源、３４…ガス供給管、３６…放出開孔の開口、３８…
出射開孔または放出開孔、４０…ノズル、４２…プラズ
マ強化磁石、４３…磁束線、４４…チャンバ外囲、４５
…フィラメント・コイルの磁場、４６…電圧源、４７…
流路、４８…加速システム、４９…熱シールド、５０…
加速電極、５２…電子閉込め管伸縮部、５３…抑制電
極、５４…絶縁物、５５…電圧源、５６…尖点場磁石、
６０…電子閉込め管の外枠。
マ及び低エネルギー電子発生器、１４…電子閉込め管の
管壁、１５…電力源、１６…イオンビーム、１８〜２０
…半導体ウェハまたは半導体基板、２１…ビームストッ
プ収集器、２２…プラズマ発生チャンバ、２４…フィラ
メント・コイル、２６，２８…フィラメント・コイルの
端部、３０…プラズマ発生チャンバの頂部、３２…電流
源、３４…ガス供給管、３６…放出開孔の開口、３８…
出射開孔または放出開孔、４０…ノズル、４２…プラズ
マ強化磁石、４３…磁束線、４４…チャンバ外囲、４５
…フィラメント・コイルの磁場、４６…電圧源、４７…
流路、４８…加速システム、４９…熱シールド、５０…
加速電極、５２…電子閉込め管伸縮部、５３…抑制電
極、５４…絶縁物、５５…電圧源、５６…尖点場磁石、
６０…電子閉込め管の外枠。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョナサン イングランド イギリス国， ウエスト サセックス州, アールエイチ12 １エヌイー， ホーシ ャム， ヒルサイド 17 (72)発明者 フレデリック プラム イギリス国， ウエスト サセックス州, アールエイチ13 ６ビーキュー， ホー シャム， ディッケンズ ウェイ ２ (72)発明者 イアン フォザリンハム イギリス国， ウエスト サセックス州, アールエイチ10 ７ジーエイチ， クラ ウレイ， メイデンバウワー， ネルソン クロ−ズ ２
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板内のイオン注入中に該半導体
基板上に生成した正電荷を中性化する電子放出システム
であって、 軸方向にイオンビームを受け入れ、半導体基板に向かっ
て輸送する電子閉込め管と、 低エネルギー電子を含むプラズマを形成するフィラメン
ト及びガスを有すると共に、該低エネルギー電子を前記
電子閉込め管内に輸送し、前記電子閉込め管内を通過し
ている前記イオンビームに合流するように、前記電子閉
込め管内への開口に繋がった放出開孔を有するプラズマ
発生チャンバと、 このプラズマ発生チャンバを負電位で遮蔽し、前記電子
閉込め管内に向かう前記低エネルギー電子の輸送を制御
すると共に、前記半導体基板上の正電荷を中性化するよ
うに前記半導体基板に向かう前記イオンビームに沿って
その内部に前記低エネルギー電子の流れを合流して増強
するように、前記半導体基板に相対して前記電子閉込め
管を負電位にバイアスする手段とを備えることを特徴と
する電子放出システム。 - 【請求項２】 前記プラズマ発生チャンバに隣接して配
置され、前記プラズマ内における前記低エネルギー電子
の発生と、前記電子閉込め管内への前記低エネルギー電
子の輸送とを増大させるように、磁場を発生する第１の
磁気的手段をさらに備える請求項１記載の電子放出シス
テム。 - 【請求項３】 前記第１の磁気的手段は、前記プラズマ
発生チャンバの周囲に配置され、前記低エネルギー電子
の発生と、前記フィラメントから前記電子閉込め管への
低エネルギー電子の輸送とを増進する複数の磁石で構成
されている請求項２記載の電子放出システム。 - 【請求項４】 前記電子閉込め管に沿って配置され、前
記電子閉込め管に沿って前記半導体基板に向かう前記低
エネルギー電子の流れを包含する磁場を発生する第２の
磁気的手段をさらに備える請求項１記載の電子放出シス
テム。 - 【請求項５】 前記第２の磁気的手段は、前記電子閉込
め管の周囲に間隔を保って相互に異なる極を有する磁石
からなり、軸方向に伸びた少なくとも一つの配列で構成
されている請求項４記載の電子放出システム。 - 【請求項６】 前記放出開孔は、前記プラズマ発生チャ
ンバから前記電子閉込め管内に拡がったノズルを有する
請求項１記載の電子放出システム。 - 【請求項７】 半導体基板内のイオン注入に用いるプラ
ズマ放出システムであって、 プラスマ及び低エネルギー電子源と、 イオンビームを受け入れて半導体基板に向かって輸送す
ると共に、前記プラズマ源からプラズマを受け入れる引
入口を有し、負電位にバイアスした電子閉込め管と、 前記イオンビームと共に前記半導体基板に向かって前記
低エネルギー電子を流し、前記半導体基板上における正
電荷の中性化に影響を及ぼすように、前記プラズマ内に
おける低エネルギー電子の発生と、前記プラズマと共に
前記引入口を通過する前記電子閉込め管への前記低エネ
ルギー電子の輸送とを増大させる第１の磁気的手段とを
備えるプラズマ放出システム。 - 【請求項８】 前記電子閉込め管に沿って配置され、前
記電子閉込め管に沿って前記半導体基板に向かう前記低
エネルギー電子の閉込めを増大する磁場を発生する第２
の磁気的手段をさらに備える請求項７記載のプラズマ放
出システム。 - 【請求項９】 前記第２の磁気的手段は、前記電子閉込
め管の周囲に間隔を保って相互に異なる極を有する磁石
からなり、軸方向に伸びた少なくとも一つの配列で構成
されている請求項８記載のプラズマ放出システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US98467092A | 1992-12-02 | 1992-12-02 | |
| US07/984670 | 1992-12-02 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10343092A Division JPH11238486A (ja) | 1992-12-02 | 1998-12-02 | イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236747A true JPH06236747A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3054302B2 JP3054302B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=25530760
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5301965A Expired - Lifetime JP3054302B2 (ja) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム |
| JP10343092A Pending JPH11238486A (ja) | 1992-12-02 | 1998-12-02 | イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10343092A Pending JPH11238486A (ja) | 1992-12-02 | 1998-12-02 | イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5399871A (ja) |
| JP (2) | JP3054302B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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