JPH0499273A - イオン注入装置の帯電防止装置 - Google Patents
イオン注入装置の帯電防止装置Info
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- JPH0499273A JPH0499273A JP2210187A JP21018790A JPH0499273A JP H0499273 A JPH0499273 A JP H0499273A JP 2210187 A JP2210187 A JP 2210187A JP 21018790 A JP21018790 A JP 21018790A JP H0499273 A JPH0499273 A JP H0499273A
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- wafer
- electron
- electrons
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- ion implantation
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はディスク上に保持されたウェハにイオンビーム
を照射するためのイオン注入装置、特に、ウェハ表面上
の帯電を抑制するための帯電抑制装置に関する。
を照射するためのイオン注入装置、特に、ウェハ表面上
の帯電を抑制するための帯電抑制装置に関する。
（従来の技術）
一般に、この種のイオン注入装置ではイオンビームがウ
ェハに照射された際、ウェハに正電荷が帯電する。この
帯電を中和するため、一般に、イオン注入装置には所謂
電子シャワー装置が備えられており、電子シャワー装置
からウェハに電子を照射してウェハの帯電を中和してい
る。
ェハに照射された際、ウェハに正電荷が帯電する。この
帯電を中和するため、一般に、イオン注入装置には所謂
電子シャワー装置が備えられており、電子シャワー装置
からウェハに電子を照射してウェハの帯電を中和してい
る。
ここで、第２図を参照して、電子シャワー装置を備える
イオン注入装置について概説する。
イオン注入装置について概説する。
ディスク２１上にはウェハ２２が保持されており、ディ
スク２１に対向してビーム通路２３が規定されている。
スク２１に対向してビーム通路２３が規定されている。
そして、このビーム通路２３を通ってイオンビームがウ
ェハ２２に照射される。
ェハ２２に照射される。
ビーム通路２３を横切る位置には、電子銃２４が配置さ
れ、この電子銃２４に対向して反射面２５ａを有する反
射体２５が配設されている。反射面２５ａはビーム通路
２３に対して所定の角度（例えば、ビーム通路２３に対
して４５度の角度）をもって形成されている。
れ、この電子銃２４に対向して反射面２５ａを有する反
射体２５が配設されている。反射面２５ａはビーム通路
２３に対して所定の角度（例えば、ビーム通路２３に対
して４５度の角度）をもって形成されている。
上述のように、反射面２５ａはビーム通路２３に対して
所定の角度を有しているから、電子銃２４から照射され
た電子ビームは反射面２５ａで反射され、ウェハ２２方
向に向かうことになる。その結果、電子ビームがウェハ
２３に照射され、ウェハ２３の帯電が中和される。
所定の角度を有しているから、電子銃２４から照射され
た電子ビームは反射面２５ａで反射され、ウェハ２２方
向に向かうことになる。その結果、電子ビームがウェハ
２３に照射され、ウェハ２３の帯電が中和される。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、従来のイオン注入装置では、電子ビームはイ
オンビームとともにウェハ２３方向に移動するが、ウェ
ハ上でのイオンが当たる位置と電子が当たる位置を一致
させることが困難であった。
オンビームとともにウェハ２３方向に移動するが、ウェ
ハ上でのイオンが当たる位置と電子が当たる位置を一致
させることが困難であった。
従７て、ウェハ上にイオンが過剰に当たっている所と電
子が過剰に当たっている所とができる。
子が過剰に当たっている所とができる。
また、イオンとウェハは相対的に運動しているので、時
間的に平均した場合、イオンと電子の量をほぼ同量にな
るようにすれば中和することができるが、ある一定の短
い時間で見ると、イオンが過剰に当たっている所が正に
帯電し、電子が過剰に当たっている所が負に帯電するこ
とになり、完全に中和されないという問題点がある。
間的に平均した場合、イオンと電子の量をほぼ同量にな
るようにすれば中和することができるが、ある一定の短
い時間で見ると、イオンが過剰に当たっている所が正に
帯電し、電子が過剰に当たっている所が負に帯電するこ
とになり、完全に中和されないという問題点がある。
本発明の目的はウェハを均等に照射することのできる帯
電抑制装置を提供することにある。
電抑制装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明によれば、ディスク上に保持されたウェハにイオ
ンビームを照射する際に用いられるイオン注入装置にお
いて、前記イオンビームの通路を規定するチューブ部と
、該チューブ部内に電子を導入する電子導入手段と、前
記チューブ内で前記電子を前記イオンビームに沿って移
送する移送手段とを有し、前記電子ビームを前記イオン
ビームとともに前記ウェハに照射するようにしたことを
特徴とするイオン注入装置の帯電防止装置かえられる。
ンビームを照射する際に用いられるイオン注入装置にお
いて、前記イオンビームの通路を規定するチューブ部と
、該チューブ部内に電子を導入する電子導入手段と、前
記チューブ内で前記電子を前記イオンビームに沿って移
送する移送手段とを有し、前記電子ビームを前記イオン
ビームとともに前記ウェハに照射するようにしたことを
特徴とするイオン注入装置の帯電防止装置かえられる。
（作用）
本発明では、チューブ内に電子ビームが導入された際、
この電子はイオンビームに沿ってイオンビームウェハ方
向に移送される。従って、ｉ子とイオンがウェハの近接
位置に照射されるので、照射位置でイオンと電子が大き
く離れて照射されることがない。このため、前述のイオ
ンによる正の帯電と電子による負の帯電を小さくするこ
とができる。
この電子はイオンビームに沿ってイオンビームウェハ方
向に移送される。従って、ｉ子とイオンがウェハの近接
位置に照射されるので、照射位置でイオンと電子が大き
く離れて照射されることがない。このため、前述のイオ
ンによる正の帯電と電子による負の帯電を小さくするこ
とができる。
（実施例）
以下本発明について実施例によって説明する。
第１図を参照して、ディスク１１上にはウェハ１２が保
持されており、ディスク１１に対向してチューブ体１３
が図中右方向に延びて配設されている。このチューブ体
１３はウェハ１１に照射されるイオンビーム１４のビー
ム通路１５を規定するとともに後述するように帯電抑制
装置の一部を構成する。そして、このビーム通路１５を
通ってイオンビーム１４がウェハ１１に照射される。
持されており、ディスク１１に対向してチューブ体１３
が図中右方向に延びて配設されている。このチューブ体
１３はウェハ１１に照射されるイオンビーム１４のビー
ム通路１５を規定するとともに後述するように帯電抑制
装置の一部を構成する。そして、このビーム通路１５を
通ってイオンビーム１４がウェハ１１に照射される。
図示のように、チューブ体１３の側面には切欠き部１３
ａが形成されており、この切欠き部１３ａを介して電子
銃部１６がチューブ体１３の内壁に臨んでいる。電子銃
部１６はフィラメント１６ａとフィラメント１６ａの前
方に配置された加速板部１６ｂを備えており、フィラメ
ント１６ａからの電子は加速板部１６ｂのスリットを通
過する際加速されて電子ビームとなる。なお、図示のよ
うに、フィラメント１６ａには、例えば、Ｉ２ボルトか
印加され、加速板部１６ｂには３００ボルトが印加され
ている。
ａが形成されており、この切欠き部１３ａを介して電子
銃部１６がチューブ体１３の内壁に臨んでいる。電子銃
部１６はフィラメント１６ａとフィラメント１６ａの前
方に配置された加速板部１６ｂを備えており、フィラメ
ント１６ａからの電子は加速板部１６ｂのスリットを通
過する際加速されて電子ビームとなる。なお、図示のよ
うに、フィラメント１６ａには、例えば、Ｉ２ボルトか
印加され、加速板部１６ｂには３００ボルトが印加され
ている。
切欠き部１３ａを囲むようにしてチューブ体１３の外壁
にはノズル１７が配置され、このノズル］７は電位印加
部］８に接続されている。電位印加部１８は第１の電源
１８ａ及び第２の電源］８ｂを備えており、これら第１
及び第２の電源は０乃至ｌＯボルトの範囲で可変の直流
電圧を発生する。図示のように、第１及び第２の電源１
８ａ及び１８ｂは互いに陽極側で接続されており、この
接続点がノズル１７に連結されている。また、第２の電
源１８ｂの陰極側はチューブ体１３に接続されるととも
に直接又はバイアス電源１９を介して接地されている。
にはノズル１７が配置され、このノズル］７は電位印加
部］８に接続されている。電位印加部１８は第１の電源
１８ａ及び第２の電源］８ｂを備えており、これら第１
及び第２の電源は０乃至ｌＯボルトの範囲で可変の直流
電圧を発生する。図示のように、第１及び第２の電源１
８ａ及び１８ｂは互いに陽極側で接続されており、この
接続点がノズル１７に連結されている。また、第２の電
源１８ｂの陰極側はチューブ体１３に接続されるととも
に直接又はバイアス電源１９を介して接地されている。
ウェハ１２の帯電を中和する際には、まず、第１及び第
２の電源１８ａ及び１８ｂが調整され、ノズル１７に対
してチューブ体１３に所定の正電位（例えば、０乃至１
０ボルト）が印加される。この際、第１及びＭ２の電源
１８ａ及び１８ｂの直流電圧をそれぞれＶｌ及びＶ２と
すると、Ｖ２〉Ｖｌに設定される。
２の電源１８ａ及び１８ｂが調整され、ノズル１７に対
してチューブ体１３に所定の正電位（例えば、０乃至１
０ボルト）が印加される。この際、第１及びＭ２の電源
１８ａ及び１８ｂの直流電圧をそれぞれＶｌ及びＶ２と
すると、Ｖ２〉Ｖｌに設定される。
次に、電子銃部１６から電子（−点鎖線で示す）が切欠
き部１３ａを介してチューブ体１３内に導入される。上
述のように、チューブ体１３はノズル１７に対して正電
位に保持されているから、チューブ体］３に導入された
電子ビームはチューブ体１３内に取り込まれることにな
る。そして、電子ビームはイオンビーム１４の進行方向
に沿ってウェハ１２の方向に移送され、ウェハ１２上に
堆積される。
き部１３ａを介してチューブ体１３内に導入される。上
述のように、チューブ体１３はノズル１７に対して正電
位に保持されているから、チューブ体］３に導入された
電子ビームはチューブ体１３内に取り込まれることにな
る。そして、電子ビームはイオンビーム１４の進行方向
に沿ってウェハ１２の方向に移送され、ウェハ１２上に
堆積される。
上述のように、本発明では、電子がイオンビームの進行
方向に沿ってウェハ１２の方向に移送されるから、イオ
ンビーム１４が、ウェハ１２に照射される位置に均等に
電子を照射することができる。従って、ウェハ１２を均
等に中和できる。
方向に沿ってウェハ１２の方向に移送されるから、イオ
ンビーム１４が、ウェハ１２に照射される位置に均等に
電子を照射することができる。従って、ウェハ１２を均
等に中和できる。
このように、本発明では、チューブ体１３と電位印加部
１８とによって電子ビーム移送手段が構成されることに
なる。
１８とによって電子ビーム移送手段が構成されることに
なる。
なお、チューブ体１３は真空容器そのものであってもよ
い。また、バイアス電源１９によってウェハへの電子の
移送効率を変えるようにすることも可能である。
い。また、バイアス電源１９によってウェハへの電子の
移送効率を変えるようにすることも可能である。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明では電子シャワーから出た
電子をチューブ体内に捕捉し、イオンビームに沿ってウ
ェハ表面に導くことができる。つまり、電子ビームを均
等にウェハ表面に堆積させることができ、その結果、ウ
ェハ表面を均等に中和できるという効果がある。
電子をチューブ体内に捕捉し、イオンビームに沿ってウ
ェハ表面に導くことができる。つまり、電子ビームを均
等にウェハ表面に堆積させることができ、その結果、ウ
ェハ表面を均等に中和できるという効果がある。
第１図は本発明による帯電抑制装置を備えるイオン注入
装置の一実施例を示す図、第２図は従来の帯電抑制装置
を備えるイオン注入装置の一実施例を示す図である。 １１・・・ディスク、１２・・・ウェハ、１３・・・チ
ューブ体、１４・・・イオンビーム、１５・・・ビーム
通路、１６・・・電子銃部、１７・・・ノズル、１８・
・・電位印加手続補正書（方式） 平成２年／１月／Ｊ’日
装置の一実施例を示す図、第２図は従来の帯電抑制装置
を備えるイオン注入装置の一実施例を示す図である。 １１・・・ディスク、１２・・・ウェハ、１３・・・チ
ューブ体、１４・・・イオンビーム、１５・・・ビーム
通路、１６・・・電子銃部、１７・・・ノズル、１８・
・・電位印加手続補正書（方式） 平成２年／１月／Ｊ’日
Claims (1)
- １、ディスク上に保持されたウェハにイオンビームを照
射する際に用いられるイオン注入装置において、前記イ
オンビームの通路を規定するチューブ部と、該チューブ
部内に電子を導入する電子導入手段と、前記チューブ内
で前記電子を前記イオンビームに沿って移送する移送手
段とを有し、前記電子ビームを前記イオンビームととも
に前記ウェハに照射するようにしたことを特徴とするイ
オン注入装置の帯電防止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210187A JPH0499273A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | イオン注入装置の帯電防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210187A JPH0499273A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | イオン注入装置の帯電防止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499273A true JPH0499273A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16585227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2210187A Pending JPH0499273A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | イオン注入装置の帯電防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399871A (en) * | 1992-12-02 | 1995-03-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma flood system for the reduction of charging of wafers during ion implantation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288364A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法 |
| JPH0445269A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2210187A patent/JPH0499273A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288364A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法 |
| JPH0445269A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399871A (en) * | 1992-12-02 | 1995-03-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma flood system for the reduction of charging of wafers during ion implantation |
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