JPH06236742A - 放射線像増強管 - Google Patents
放射線像増強管Info
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- JPH06236742A JPH06236742A JP4290502A JP29050292A JPH06236742A JP H06236742 A JPH06236742 A JP H06236742A JP 4290502 A JP4290502 A JP 4290502A JP 29050292 A JP29050292 A JP 29050292A JP H06236742 A JPH06236742 A JP H06236742A
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- JP
- Japan
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- alumina layer
- substrate
- scintillator
- die
- layer
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 像の解像度を改良するための放射線像増強管
の提供。 【構成】 この発明は放射線像増強管1に関し、特にこ
れらの像解像度の改良及び/または出力部で輝度曲線を
修正するための手段に関する。像増強管1は、アルミニ
ウム基板によって形成されるシンチレータ16を有する
入力スクリーン15を有する。アルミナの多孔性層20
がシンチレータ16と基板17との間に挿入される。ア
ルミナ層20は、基板17に向かってシンチレータ16
によって放出された光を吸収するようにダイ加工され
る。
の提供。 【構成】 この発明は放射線像増強管1に関し、特にこ
れらの像解像度の改良及び/または出力部で輝度曲線を
修正するための手段に関する。像増強管1は、アルミニ
ウム基板によって形成されるシンチレータ16を有する
入力スクリーン15を有する。アルミナの多孔性層20
がシンチレータ16と基板17との間に挿入される。ア
ルミナ層20は、基板17に向かってシンチレータ16
によって放出された光を吸収するようにダイ加工され
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、放射線像増強管に関
し、特にこれらの管の像の解像度を改良するための手段
に関する。
し、特にこれらの管の像の解像度を改良するための手段
に関する。
【0002】
【従来の技術】像増強管は、管の前に配置された入射ス
クリーンと、電気光学システムと、この管の出力ウイン
ドウと同じ側の管の後ろに配置された目視可能な像の観
察用のスクリーンとを有する真空管である。X線または
放射線像増強管において、入力スクリーンは、さらに入
射X光子を可視光子に変換するシンチレータスクリーン
を有する。
クリーンと、電気光学システムと、この管の出力ウイン
ドウと同じ側の管の後ろに配置された目視可能な像の観
察用のスクリーンとを有する真空管である。X線または
放射線像増強管において、入力スクリーンは、さらに入
射X光子を可視光子に変換するシンチレータスクリーン
を有する。
【0003】図1はこのようなタイプの放射線像の増強
管の断面図である。この放射線像増強管1はガラス製の
エンベロープ2と、管の前方でその一端がX光子放射に
さらされる入力スクリーン3とを有する。
管の断面図である。この放射線像増強管1はガラス製の
エンベロープ2と、管の前方でその一端がX光子放射に
さらされる入力スクリーン3とを有する。
【0004】管の後方を形成するエンベロープの第2の
端部は光を通過させる出力ウインドウ4によって閉鎖さ
れている。
端部は光を通過させる出力ウインドウ4によって閉鎖さ
れている。
【0005】X線はシンチレータスクリーン5によって
光線に変換される。この光線は応答して電子を生じるフ
ォトカソード6を励磁する。
光線に変換される。この光線は応答して電子を生じるフ
ォトカソード6を励磁する。
【0006】フォトカソード5によって生じる電子は、
管の長手方向の軸線13に沿って配置され、電子光学シ
ステムを形成する異なる電極7及びアノード8によって
出力ウインドウ4に向かって加速される。
管の長手方向の軸線13に沿って配置され、電子光学シ
ステムを形成する異なる電極7及びアノード8によって
出力ウインドウ4に向かって加速される。
【0007】出力ウインドウ4は、例えばルミノホール
(luminophores)で形成されたカソードル
ミネセントスクリーンまたは出力スクリーン10に当た
る、図示したような透明なガラス部分によって形成され
る。
(luminophores)で形成されたカソードル
ミネセントスクリーンまたは出力スクリーン10に当た
る、図示したような透明なガラス部分によって形成され
る。
【0008】カソードルミネセントスクリーン、すなわ
ち出力スクリーン10上の電子の衝撃は最初にフォトカ
ソード6の表面上に形成された(輝度が増幅された)像
を再び構成することを可能にする。
ち出力スクリーン10上の電子の衝撃は最初にフォトカ
ソード6の表面上に形成された(輝度が増幅された)像
を再び構成することを可能にする。
【0009】出力スクリーン10によって表示される像
は、出力ウインドウ4を構成するガラス部分を通して見
ることができる。通常、光学センサ装置(図示せず)が
出力ウインドウ4の近傍の管の外側に配置され、この像
をウインドウ4を通してピックアップし、それを観察で
きるようにする。
は、出力ウインドウ4を構成するガラス部分を通して見
ることができる。通常、光学センサ装置(図示せず)が
出力ウインドウ4の近傍の管の外側に配置され、この像
をウインドウ4を通してピックアップし、それを観察で
きるようにする。
【0010】最も最近の例において、入力スクリーン9
は、シンチレータ5によってカバーされたアルミニウム
基板を有し、シンチレータ5は、例えば、酸化インジウ
ムでつくられた電気的に導体の透明な層11によってそ
れ自身がカバーされている。
は、シンチレータ5によってカバーされたアルミニウム
基板を有し、シンチレータ5は、例えば、酸化インジウ
ムでつくられた電気的に導体の透明な層11によってそ
れ自身がカバーされている。
【0011】X線はアルミニウム基板側の入力スクリー
ンに当たる。それらは、この基板を通過し、シンチレー
タを形成する材料に到達する。
ンに当たる。それらは、この基板を通過し、シンチレー
タを形成する材料に到達する。
【0012】シンチレータによって生じる光子はすべて
の方向に放射される。しかしながら、管の解像度を増加
させるために、選択されたシンチレータ材料は、それら
が積層される面に垂直な結晶の形態で成長する適性を有
するヨウ化セシウムのような物質である。このように積
層された針の結晶は、高い解像度をつくる表面にたいし
て垂直方向に光を案内する傾向がある。
の方向に放射される。しかしながら、管の解像度を増加
させるために、選択されたシンチレータ材料は、それら
が積層される面に垂直な結晶の形態で成長する適性を有
するヨウ化セシウムのような物質である。このように積
層された針の結晶は、高い解像度をつくる表面にたいし
て垂直方向に光を案内する傾向がある。
【0013】1988年7月22日のフランス国特許出
願第88.09938号は、シンチレータを成長させる
層の表面の状態によって、シンチレータの針状結晶の中
間の断面を減ずる。シンチレータで発生した光子がX線
が到達する側に向かってスタートするから解像度の質が
低下する。これらの光子はランダムな入射角によってア
ルミニウム基板を打つ。それらはアルミニウム基板の前
側でフォトカソードに向かって反射されるが、これらの
光子の通路は、結果が解像度の損失であるようであり、
電子が要求されたものと異なるフォトカソード内の点で
つくられる状態まで到達することが可能である。
願第88.09938号は、シンチレータを成長させる
層の表面の状態によって、シンチレータの針状結晶の中
間の断面を減ずる。シンチレータで発生した光子がX線
が到達する側に向かってスタートするから解像度の質が
低下する。これらの光子はランダムな入射角によってア
ルミニウム基板を打つ。それらはアルミニウム基板の前
側でフォトカソードに向かって反射されるが、これらの
光子の通路は、結果が解像度の損失であるようであり、
電子が要求されたものと異なるフォトカソード内の点で
つくられる状態まで到達することが可能である。
【0014】図2は入力スクリーン9の詳細図であり、
フォトカソードの異なる点での電子の形成の結果生じ
る、シンチレータ5上のX光子の衝撃からでる2つの光
子PL1、PL2の異なる通路を並べて示すことによっ
て解像度のロスを示す。X線が到達する入力ウインドウ
3はヨウ化セシウムシンチレータ5に当たるアルミニウ
ム基板を構成し、その結晶5aは表面に垂直であり、光
子の方向を決定づける。参照符号11の透明な導体のサ
ブ層はシンチレータ5とフォトカソード6との間に配置
されている。
フォトカソードの異なる点での電子の形成の結果生じ
る、シンチレータ5上のX光子の衝撃からでる2つの光
子PL1、PL2の異なる通路を並べて示すことによっ
て解像度のロスを示す。X線が到達する入力ウインドウ
3はヨウ化セシウムシンチレータ5に当たるアルミニウ
ム基板を構成し、その結晶5aは表面に垂直であり、光
子の方向を決定づける。参照符号11の透明な導体のサ
ブ層はシンチレータ5とフォトカソード6との間に配置
されている。
【0015】図2に示す例において、光子PL2は後
方、すなわち基板3に向かって進み、フォトカソード6
に向かうように、基板3によって反射され、シンチレー
タ5内の通路は異なる針の結晶の一方から発生するよう
に放射され、この事実は解像度のロスを示す。
方、すなわち基板3に向かって進み、フォトカソード6
に向かうように、基板3によって反射され、シンチレー
タ5内の通路は異なる針の結晶の一方から発生するよう
に放射され、この事実は解像度のロスを示す。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は後ろ側に放射さ
れた後、反射された光子の量を減少させることによって
解像度の改良を提供する。
れた後、反射された光子の量を減少させることによって
解像度の改良を提供する。
【0017】この目的のために、本発明は、アルミニウ
ム基板とシンチレータとの間にシンチレータ内に生じた
光を少なくとも部分的に吸収するスクリーンを挿入する
方法を示す。
ム基板とシンチレータとの間にシンチレータ内に生じた
光を少なくとも部分的に吸収するスクリーンを挿入する
方法を示す。
【0018】本発明によれば、入力スクリーンが、シン
チレータとこのシンチレータに当たる基板との間にアル
ミナ層を有し、このアルミナ層は、基板に向かってシン
チレータによって放射された光子の少なくとも一部分が
このダイ加工されたアルミナ層内に吸収されるようにシ
ンチレータによって放射された波長で吸収性をもつ基板
によって「色づけ(tinted)」され、または「ダ
イ加工された」アルミナ層を有する放射線像増強管をつ
くるために提供される。
チレータとこのシンチレータに当たる基板との間にアル
ミナ層を有し、このアルミナ層は、基板に向かってシン
チレータによって放射された光子の少なくとも一部分が
このダイ加工されたアルミナ層内に吸収されるようにシ
ンチレータによって放射された波長で吸収性をもつ基板
によって「色づけ(tinted)」され、または「ダ
イ加工された」アルミナ層を有する放射線像増強管をつ
くるために提供される。
【0019】後方に放射された光子の少なくとも一部を
吸収する場合、この減少は、基板によって反射した後、
前方に放射され同じX線によって発生する光子に当たる
ものと異なる点でフォトカソードに当たるこれらの光子
の比率によって達成される。
吸収する場合、この減少は、基板によって反射した後、
前方に放射され同じX線によって発生する光子に当たる
ものと異なる点でフォトカソードに当たるこれらの光子
の比率によって達成される。
【0020】「シンチレータによって放射される波長で
吸収基板によってダイ加工された」という表現はそれを
含み、それを含浸させ、アルミナを不透明化することが
できる、すなわち、少なくともシンチレータによって放
射された波長において、その伝達を減少させることがで
きる部材を定義するために使用される。結果として、用
語の「ダイド(dyed)」は広い範囲の波長を吸収す
ることができる中性またはグレイカラーまたは色合いに
適用することができる。
吸収基板によってダイ加工された」という表現はそれを
含み、それを含浸させ、アルミナを不透明化することが
できる、すなわち、少なくともシンチレータによって放
射された波長において、その伝達を減少させることがで
きる部材を定義するために使用される。結果として、用
語の「ダイド(dyed)」は広い範囲の波長を吸収す
ることができる中性またはグレイカラーまたは色合いに
適用することができる。
【0021】最も普通の例において、基板はアルミニウ
ムでつくられ、シンチレータはイオン化されたセシウム
でつくられ、さらにダイ加工された層はシンチレータの
アルミニウム基板への接着を促進する非常に大きな利点
を有する。
ムでつくられ、シンチレータはイオン化されたセシウム
でつくられ、さらにダイ加工された層はシンチレータの
アルミニウム基板への接着を促進する非常に大きな利点
を有する。
【0022】さらに、このような方法の利点は、それが
シンチレータの針結晶と交換可能のままであることであ
る。
シンチレータの針結晶と交換可能のままであることであ
る。
【0023】ダイ加工されたアルミナ層は、いくつかの
方法によって作られる。例えば、それ自身が従来の技術
である真空蒸着の方法、または基板の陽極化である。基
板の陽極化はアルミナ層を多孔性にするために適用され
る方法によって行われ、陽極化はシンチレータによって
放射された波長を吸収する物質で孔を満たすためのステ
ップが続く。
方法によって作られる。例えば、それ自身が従来の技術
である真空蒸着の方法、または基板の陽極化である。基
板の陽極化はアルミナ層を多孔性にするために適用され
る方法によって行われ、陽極化はシンチレータによって
放射された波長を吸収する物質で孔を満たすためのステ
ップが続く。
【0024】この吸収物質は、シンチレータによって生
じる光を吸収するために適した色を与えるために適当な
溶液を使用する含浸被覆方法によって孔の内壁上に堆積
される。
じる光を吸収するために適した色を与えるために適当な
溶液を使用する含浸被覆方法によって孔の内壁上に堆積
される。
【0025】アルミナ層に与えられる吸収係数は、例え
ば、色付けられる製品内の溶液の濃度及び/またはアル
ミナ層の多孔性の度合いによって制御される。
ば、色付けられる製品内の溶液の濃度及び/またはアル
ミナ層の多孔性の度合いによって制御される。
【0026】さらに、その縁部と中央部との間の、ダイ
加工されたアルミナ層の吸収係数を変更することによっ
て、例えば、放射線像増強管の輝度曲線を修正するため
に適した規則に対応する吸収係数の変化をつくることが
可能になる。
加工されたアルミナ層の吸収係数を変更することによっ
て、例えば、放射線像増強管の輝度曲線を修正するため
に適した規則に対応する吸収係数の変化をつくることが
可能になる。
【0027】また、アルミナ層の多孔性の度合いを制御
することによって、シンチレータ層に当たるために適し
ており、それ自身及びシンチレータ層の間の熱膨張係数
の差異の作用に耐える構造を得ることができる。
することによって、シンチレータ層に当たるために適し
ており、それ自身及びシンチレータ層の間の熱膨張係数
の差異の作用に耐える構造を得ることができる。
【0028】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。図1と同様な図3は、本発明による入力
スクリーン15を有する放射性像増幅器を示し、放射性
像増強管は、図1に示すものと同様である。
細に説明する。図1と同様な図3は、本発明による入力
スクリーン15を有する放射性像増幅器を示し、放射性
像増強管は、図1に示すものと同様である。
【0029】入力スクリーン15は、サポートまたは基
板17によって支持されるシンチレータ層16を有す
る。基板17は、好ましくは、アルミニウムフォイルに
よって製造されるが、アルミニウムを基板にした合金で
あってもよい。(例えば1ミリメートルの半分の)その
厚さは、X線に対して適当な透過性を与える。
板17によって支持されるシンチレータ層16を有す
る。基板17は、好ましくは、アルミニウムフォイルに
よって製造されるが、アルミニウムを基板にした合金で
あってもよい。(例えば1ミリメートルの半分の)その
厚さは、X線に対して適当な透過性を与える。
【0030】シンチレータ層16は、それ自身標準的な
ものであり、例えば(400ミクロンのオーダーの)数
百ミクロンの厚さのヨウ化セシウムからつくられる。こ
のヨウ化セシウムは、それが約4300オングストロー
ム(青色)の波長で、ヨウ素のドーピングによって変化
する波長で放出するように、例えばナトリウムでドープ
される。図3をさらに明瞭にするために、異なるエレメ
ントの直径の間の比率はこの図面では維持されないこと
に留意すべきである。
ものであり、例えば(400ミクロンのオーダーの)数
百ミクロンの厚さのヨウ化セシウムからつくられる。こ
のヨウ化セシウムは、それが約4300オングストロー
ム(青色)の波長で、ヨウ素のドーピングによって変化
する波長で放出するように、例えばナトリウムでドープ
される。図3をさらに明瞭にするために、異なるエレメ
ントの直径の間の比率はこの図面では維持されないこと
に留意すべきである。
【0031】さらに、入力スクリーン15は、従来のよ
うに、基板17と反対のシンチレータ層16、並びにフ
ォトカソード6を形成し、電気的に導体の透明な層11
を含む。
うに、基板17と反対のシンチレータ層16、並びにフ
ォトカソード6を形成し、電気的に導体の透明な層11
を含む。
【0032】本発明の1つの特徴によれば、入力スクリ
ーン15は、シンチレータ層16と基板17との間に挿
入されたダイ加工されたアルミナ層20を有する。
ーン15は、シンチレータ層16と基板17との間に挿
入されたダイ加工されたアルミナ層20を有する。
【0033】ダイ加工されたアルミナ層20はシンチレ
ータ16によって後方に、基板17に向かって放射され
た光子を少なくとも部分的に吸収するためにシンチレー
タ16によって放射された波長を吸収するスクリーンを
構成する。これを行うために、アルミナ層20は、少な
くともシンチレータ16によって放射された光、すなわ
ちこの例において青色を吸収することができる基板がダ
イ加工されたものである。
ータ16によって後方に、基板17に向かって放射され
た光子を少なくとも部分的に吸収するためにシンチレー
タ16によって放射された波長を吸収するスクリーンを
構成する。これを行うために、アルミナ層20は、少な
くともシンチレータ16によって放射された光、すなわ
ちこの例において青色を吸収することができる基板がダ
イ加工されたものである。
【0034】シンチレータ16によって放射された波長
でアルミナ層20による吸収係数または逆にこの層の伝
達係数はこのアルミナ層に含まれる吸収基板の品質及び
濃度に依存する。標準的な方法において、アルミナ層2
0によって生じる吸収は、一方で(シンチレータ16に
よって生じた光)光エネルギーの観点での受け入れがた
いロス従って感度と、他方で像解像度の所望の水準と妥
協である。
でアルミナ層20による吸収係数または逆にこの層の伝
達係数はこのアルミナ層に含まれる吸収基板の品質及び
濃度に依存する。標準的な方法において、アルミナ層2
0によって生じる吸収は、一方で(シンチレータ16に
よって生じた光)光エネルギーの観点での受け入れがた
いロス従って感度と、他方で像解像度の所望の水準と妥
協である。
【0035】本発明の他の特徴によれば、ダイ加工され
たアルミナ層20の(シンチレータ16によって放出さ
れる波長での)吸収係数は、この層の中央領域20と外
方縁21と、即ち、この層20に共通の直径D1及び全
体のスクリーン15との間で変化する。
たアルミナ層20の(シンチレータ16によって放出さ
れる波長での)吸収係数は、この層の中央領域20と外
方縁21と、即ち、この層20に共通の直径D1及び全
体のスクリーン15との間で変化する。
【0036】アルミナ層20に縁部21から中央部22
へ増加する吸収係数を与えることによって、このアルミ
ナ層20によって、像の解像度の改良と、放射線像増強
管の出力管10の直径D(図1参照)に沿って測定され
た輝度曲線の補償との双方が同時に得られる。輝度曲線
は出力スクリーンの直径の各点での光の強度を表す。
へ増加する吸収係数を与えることによって、このアルミ
ナ層20によって、像の解像度の改良と、放射線像増強
管の出力管10の直径D(図1参照)に沿って測定され
た輝度曲線の補償との双方が同時に得られる。輝度曲線
は出力スクリーンの直径の各点での光の強度を表す。
【0037】電子光学的な理由によって、放射線の増強
像の入力スクリーンの表面は平坦ではなく、丸い。それ
は、また(大きなサイズのスクリーンにおいて)放物線
または双曲線またはさらに球状のキャップのような形状
である。
像の入力スクリーンの表面は平坦ではなく、丸い。それ
は、また(大きなサイズのスクリーンにおいて)放物線
または双曲線またはさらに球状のキャップのような形状
である。
【0038】このスクリーンのこの曲率の結果、入力ス
クリーンがX線の一様なビーム形状によって照射される
ならば、スクリーンによって発生される電子濃度は一様
ではない。輝度曲線が出力スクリーン10の直径Dに沿
って測定されるならば(図1参照)、この曲線は水平で
はなく、中心が平坦であり、ほぼ円弧のような形状であ
り、出力スクリーンの輝度は中心に向かって最大である
が、縁部に達するに従って、次第に減少する。例えば
(15cmの直径の入力スクリーンのような小さいサイ
ズの管において)中心に関する縁部での輝度の減少は2
5%のオーダーである。(例えば直径が30センチメー
タの)大きいサイズのスクリーンにおいては、減少は3
5%に達する。
クリーンがX線の一様なビーム形状によって照射される
ならば、スクリーンによって発生される電子濃度は一様
ではない。輝度曲線が出力スクリーン10の直径Dに沿
って測定されるならば(図1参照)、この曲線は水平で
はなく、中心が平坦であり、ほぼ円弧のような形状であ
り、出力スクリーンの輝度は中心に向かって最大である
が、縁部に達するに従って、次第に減少する。例えば
(15cmの直径の入力スクリーンのような小さいサイ
ズの管において)中心に関する縁部での輝度の減少は2
5%のオーダーである。(例えば直径が30センチメー
タの)大きいサイズのスクリーンにおいては、減少は3
5%に達する。
【0039】本発明による入力スクリーン15は、図3
に示すように、シンチレータによって放射された波長
の、ダイ加工されたアルミナ層20によって達成された
吸収に対して非均一な吸収に対して与えた輝度の非均一
性を改良することができる。
に示すように、シンチレータによって放射された波長
の、ダイ加工されたアルミナ層20によって達成された
吸収に対して非均一な吸収に対して与えた輝度の非均一
性を改良することができる。
【0040】図4は出力スクリーンの直径に沿ってプロ
ットされた放射線像増強管の第1及び第2の曲線30,
40を示す。それらは、入力スクリーンの照度が一様で
あるとした場合にスクリーンの中央からこれらの点の距
離の関数として出力スクリーン上の目視可能な像の点の
線の輝度を表す。
ットされた放射線像増強管の第1及び第2の曲線30,
40を示す。それらは、入力スクリーンの照度が一様で
あるとした場合にスクリーンの中央からこれらの点の距
離の関数として出力スクリーン上の目視可能な像の点の
線の輝度を表す。
【0041】このようにして、中央からの半径方向の距
離は、x軸線上に示され、可視できる出力像の輝度はy
軸上に示される。
離は、x軸線上に示され、可視できる出力像の輝度はy
軸上に示される。
【0042】点線で図示したこの第1の輝度曲線30は
標準の放射線像増強管で得られる標準の輝度曲線であ
る。
標準の放射線像増強管で得られる標準の輝度曲線であ
る。
【0043】第1の輝度曲線30は、水平直線、すなわ
ち、ほとんど論理的に望ましい水平曲線ではないことが
わかる。それは、中心に向かう一種の平坦な円弧であ
る。中心及び縁部の間の輝度の差は管のタイプ及びそれ
らの直径によって25%から35%の範囲である。事
実、輝度におけるある程度の差異は、これが余り大きく
ない限り望ましい。
ち、ほとんど論理的に望ましい水平曲線ではないことが
わかる。それは、中心に向かう一種の平坦な円弧であ
る。中心及び縁部の間の輝度の差は管のタイプ及びそれ
らの直径によって25%から35%の範囲である。事
実、輝度におけるある程度の差異は、これが余り大きく
ない限り望ましい。
【0044】第2の輝度曲線40は(図3に示すよう
に)基板17及びシンチレータ層16の間に挟まれたダ
イ加工されたアルミナ層20によって得られる。層20
による吸収は縁部21に向かうより中心に向かう方が大
きいから、この層によって中心及び縁部の差異が約10
%に制限されるさらに平坦な輝度曲線を得ることが可能
であることがわかる。
に)基板17及びシンチレータ層16の間に挟まれたダ
イ加工されたアルミナ層20によって得られる。層20
による吸収は縁部21に向かうより中心に向かう方が大
きいから、この層によって中心及び縁部の差異が約10
%に制限されるさらに平坦な輝度曲線を得ることが可能
であることがわかる。
【0045】ダイ加工されたアルミナ層20に適当な吸
収プロフィールを与えることによって、所望のプロフィ
ールを有する輝度曲線を得ることが可能になることは明
らかである。
収プロフィールを与えることによって、所望のプロフィ
ールを有する輝度曲線を得ることが可能になることは明
らかである。
【0046】しかしながら、ダイ加工されたアルミナ層
20による吸収、すなわち、このアルミナ層20によっ
て達成された青色の伝達における減衰は、図2に示すよ
うな光子PL2のような後ろ側に放射される光が、基板
に到達する第1回目とそれらが前方に再びスタートする
ときの第2回目におけるように、この減衰を2倍にする
事実を計算に入れるべきである。
20による吸収、すなわち、このアルミナ層20によっ
て達成された青色の伝達における減衰は、図2に示すよ
うな光子PL2のような後ろ側に放射される光が、基板
に到達する第1回目とそれらが前方に再びスタートする
ときの第2回目におけるように、この減衰を2倍にする
事実を計算に入れるべきである。
【0047】さらに、像解像度の改良において特に好ま
しい効果は、基板に当たり、シンチレータに戻る光子が
基板に入射する点への垂線に関して傾斜するこれらのす
べての光子より大きい2倍の減衰が行われる。なぜなら
ば、それらは減衰媒体において大きな距離を走行するか
らである。
しい効果は、基板に当たり、シンチレータに戻る光子が
基板に入射する点への垂線に関して傾斜するこれらのす
べての光子より大きい2倍の減衰が行われる。なぜなら
ば、それらは減衰媒体において大きな距離を走行するか
らである。
【0048】この像の解像度を改良するために、ダイ加
工されたアルミナ層20による吸収または減衰はその直
径D1に沿って一様である。しかしながら、最も良好な
解像度を探索する像の領域は、解像度の改良及び輝度曲
線の保証が同じアルミナ層20によって同時に得られる
ような中央の領域である。
工されたアルミナ層20による吸収または減衰はその直
径D1に沿って一様である。しかしながら、最も良好な
解像度を探索する像の領域は、解像度の改良及び輝度曲
線の保証が同じアルミナ層20によって同時に得られる
ような中央の領域である。
【0049】ダイ加工されたアルミナ層20は異なる方
法でつくられる。例えば、いわゆる真空蒸着方法によっ
てつくられる。この方法において、第1に(アルミナ層
を形成するための)アルミナの蒸着、第2にアルミナ層
を「ダイ加工する」ように設計された透明化製品の蒸着
の同時に真空蒸着が同時に行われ、すなわち、シンチレ
ータ16によって放射された波長に関して吸収力を与え
る。
法でつくられる。例えば、いわゆる真空蒸着方法によっ
てつくられる。この方法において、第1に(アルミナ層
を形成するための)アルミナの蒸着、第2にアルミナ層
を「ダイ加工する」ように設計された透明化製品の蒸着
の同時に真空蒸着が同時に行われ、すなわち、シンチレ
ータ16によって放射された波長に関して吸収力を与え
る。
【0050】青のレンジで放射するシンチレータ16の
場合において、不透明化製品は例えばクロミウムのよう
な金属要素または一酸化シリコンのような化合物であ
る。
場合において、不透明化製品は例えばクロミウムのよう
な金属要素または一酸化シリコンのような化合物であ
る。
【0051】真空蒸着の技術は標準的な技術である。そ
れは合成材料、例えば、電気または電気光学特性を有す
るセラミック材料の薄いまたは厚い層をつくるために使
用されることに留意すべきである。
れは合成材料、例えば、電気または電気光学特性を有す
るセラミック材料の薄いまたは厚い層をつくるために使
用されることに留意すべきである。
【0052】この方法の欠点は層の表面状態にわたって
容易な制御を行なわないことを含む。
容易な制御を行なわないことを含む。
【0053】本発明の好ましい実施例によれば、ダイ加
工されたアルミナ層20は、多孔性の層であり、その孔
はシンチレータ16によって放射される波長を吸収する
物質を含む。ダイ加工されたアルミナ層20は(1ミク
ロン以下の厚さを有する)厚い及び緻密な層に対して
(例えば、1から15ミクロンの範囲の厚さを有する)
いわゆる「厚い」層である。
工されたアルミナ層20は、多孔性の層であり、その孔
はシンチレータ16によって放射される波長を吸収する
物質を含む。ダイ加工されたアルミナ層20は(1ミク
ロン以下の厚さを有する)厚い及び緻密な層に対して
(例えば、1から15ミクロンの範囲の厚さを有する)
いわゆる「厚い」層である。
【0054】多孔のアルミナ層20は適当な酸媒体中で
アルミニウム基板17の内側の面30を陽極化すること
によって容易に得ることができる。この段階において、
アルミナ層20は多孔性であり、実際には透明であり、
それが「吸収」特性を得られるように透明な物質によっ
て「ダイ加工」しなければならない。
アルミニウム基板17の内側の面30を陽極化すること
によって容易に得ることができる。この段階において、
アルミナ層20は多孔性であり、実際には透明であり、
それが「吸収」特性を得られるように透明な物質によっ
て「ダイ加工」しなければならない。
【0055】図5はスクリーン15の一部概略断面図で
あり、特に、それ自体が標準である方法によって酸媒体
中で基板17の陽極化によって得られるアルミナ層を示
す。この段階において、シンチレータ層はアルミナ層2
0上に積層されていない。
あり、特に、それ自体が標準である方法によって酸媒体
中で基板17の陽極化によって得られるアルミナ層を示
す。この段階において、シンチレータ層はアルミナ層2
0上に積層されていない。
【0056】この酸媒体は、例えば、重量で約15%の
比率の硝酸の溶液か、重量で5%の比率のリン酸の溶液
か、重量が2%の比率の蓚酸の溶液である。
比率の硝酸の溶液か、重量で5%の比率のリン酸の溶液
か、重量が2%の比率の蓚酸の溶液である。
【0057】多孔アルミナ層20の厚さE1は従来のよ
うにアノードの電流の大きさ、酸漕の温度及び操作の期
間に非常に依存する。
うにアノードの電流の大きさ、酸漕の温度及び操作の期
間に非常に依存する。
【0058】陽極の電流の大きさは、例えば、dm2 当
たり1及び2アンペアの間で変化する。これらの操作
は、通常大気温度で操作される。
たり1及び2アンペアの間で変化する。これらの操作
は、通常大気温度で操作される。
【0059】これらの状態のもとで、図5に示すような
アルミナ層20をつくることは容易である。アルミナ層
20はアルミニウム基板17の内面上に形成され、(図
5には示さない)シンチレータを形成する層16はアル
ミナ層20上に積層される。
アルミナ層20をつくることは容易である。アルミナ層
20はアルミニウム基板17の内面上に形成され、(図
5には示さない)シンチレータを形成する層16はアル
ミナ層20上に積層される。
【0060】アルミナ層20は、チャンネルを形成する
孔32を有し、その一般的な方向は基板17に実質的に
垂直である。これらの孔32またはチャンネルは(シン
チレータ16を受けるように設計された側で)層20の
面から始まり、それらはアルミナ層20の平均の厚さE
1よりわずかに小さい平均の深さP1を有し、例えば、
10ミクロンのオーダーの平均の深さE1及び0,05
ミクロンのオーダーの平均の直径D2において7.5ミ
クロンのオーダーの平均の深さP1である。
孔32を有し、その一般的な方向は基板17に実質的に
垂直である。これらの孔32またはチャンネルは(シン
チレータ16を受けるように設計された側で)層20の
面から始まり、それらはアルミナ層20の平均の厚さE
1よりわずかに小さい平均の深さP1を有し、例えば、
10ミクロンのオーダーの平均の深さE1及び0,05
ミクロンのオーダーの平均の直径D2において7.5ミ
クロンのオーダーの平均の深さP1である。
【0061】アルミナ層20の多孔性の程度、主に孔3
2の数したがってこれらの孔のピッチPaは異なる方法
で、主にアノードの電流の大きさによって制御される。
上述した例の場合において、平均の厚さP1が7.5ミ
クロンのオーダーであり、平均の厚さが10ミクロンの
オーダーであるときに、2から3ミクロンのオーダーの
2つの孔の間の平均距離が得られる。これは、多孔性は
電流の大きさで増加するから、例えば、電流の大きさを
調整することによって行われる。通常、多孔性(孔の数
及び直径)の特性は使用する酸の性質及び濃度によって
制御される。
2の数したがってこれらの孔のピッチPaは異なる方法
で、主にアノードの電流の大きさによって制御される。
上述した例の場合において、平均の厚さP1が7.5ミ
クロンのオーダーであり、平均の厚さが10ミクロンの
オーダーであるときに、2から3ミクロンのオーダーの
2つの孔の間の平均距離が得られる。これは、多孔性は
電流の大きさで増加するから、例えば、電流の大きさを
調整することによって行われる。通常、多孔性(孔の数
及び直径)の特性は使用する酸の性質及び濃度によって
制御される。
【0062】また、アルミナ層20の表面33の状態を
制御し、それにシンチレータ層16を十分に把持し、こ
の層を解像度を改良するような断面に形成する針状結晶
を成長させる程度の粗さを与える。例えば、これは陽極
化の状態またはアルミニウムの最初の面の状態を調整す
ることによって得られる。
制御し、それにシンチレータ層16を十分に把持し、こ
の層を解像度を改良するような断面に形成する針状結晶
を成長させる程度の粗さを与える。例えば、これは陽極
化の状態またはアルミニウムの最初の面の状態を調整す
ることによって得られる。
【0063】多孔性アルミナ層20はアルミニウムの装
飾において使用されるような標準の方法によって、例え
ば、孔32の壁上に、層35の形態の例で示す吸収物質
の配置に関するディップコーティング(dip−coa
ting)法によって容易に「ダイ加工」される。
飾において使用されるような標準の方法によって、例え
ば、孔32の壁上に、層35の形態の例で示す吸収物質
の配置に関するディップコーティング(dip−coa
ting)法によって容易に「ダイ加工」される。
【0064】a)ディップコーティング法は、例えば、
重量が20%の比率において、蓚酸第2鉄の溶液中のア
ルミナ層20の処理からなる。この処理は、シンチレー
タ16によって生成された光を吸収する例において可能
なイェロウオレンジ色を与える。
重量が20%の比率において、蓚酸第2鉄の溶液中のア
ルミナ層20の処理からなる。この処理は、シンチレー
タ16によって生成された光を吸収する例において可能
なイェロウオレンジ色を与える。
【0065】b)アルミニウム装飾の分野においてよく
知られた他の方法は、約50°で1リッター毎に約20
グラムのコバルトアセテート溶液によって処理すること
からなる。この処理の後に、1リッター毎に約20グラ
ムの割合で過マンガン酸カリウムの溶液による第2の処
理が行われ、青銅色が得られる。
知られた他の方法は、約50°で1リッター毎に約20
グラムのコバルトアセテート溶液によって処理すること
からなる。この処理の後に、1リッター毎に約20グラ
ムの割合で過マンガン酸カリウムの溶液による第2の処
理が行われ、青銅色が得られる。
【0066】孔32のカラー化はイオン交換機構によっ
て孔32の壁上に酸化金属の微粒子を固定する現象によ
って行われる。孔の直径及び深さのようなパラメータは
カラー化の強さに直接影響を与え、カラー化の振幅は、
孔32の数が増加したとき及びまたは層の厚さE1が増
加するときに増大する。
て孔32の壁上に酸化金属の微粒子を固定する現象によ
って行われる。孔の直径及び深さのようなパラメータは
カラー化の強さに直接影響を与え、カラー化の振幅は、
孔32の数が増加したとき及びまたは層の厚さE1が増
加するときに増大する。
【0067】カラー化の他の方法を使用してもよい。例
えば、これらの方法は、電解質の媒体における陽極化の
積層からなる。このカラー化は使用される陽イオンに特
定され、得られるカラー化は酸化金属または積層される
金属に依存する。
えば、これらの方法は、電解質の媒体における陽極化の
積層からなる。このカラー化は使用される陽イオンに特
定され、得られるカラー化は酸化金属または積層される
金属に依存する。
【0068】ある場合において、(必須ではないが)ダ
イ加工されたアルミナ層20の孔32を閉鎖、すなわち
詰めることは有利である。これは、例えば、化学アタッ
クよりさらに有効にカラー化を行うために行われる。
イ加工されたアルミナ層20の孔32を閉鎖、すなわち
詰めることは有利である。これは、例えば、化学アタッ
クよりさらに有効にカラー化を行うために行われる。
【0069】図6は、図4と同様な図面であり、孔32
の詰めまたは「ふさぎ」を示し、この「ふさぎ」は、孔
のカラー化が行われた後に追加の処理によって得られ
る。この「ふさぎ」処理は、例えば、沸点(98°C)
に近い高度に希釈されたニッケル塩とコバルト中で含浸
被覆することからなる。この孔32は、表面上の追加の
アルミナ層37の成長によって「閉鎖」される。上述し
たように、多孔性の度合いは、陽極電流の大きさによっ
て制御され、この電流出で増加する。この特性は、上述
したような輝度曲線を修正するために適用されるプロフ
ィールをアルミナ層20による吸収に与えるためにダイ
化されたアルミナ層20に縁部より中央領域に大きな特
性を与えるために使用される。吸収物質は孔32内に積
層されるから、アルミナ層20の中央領域のこれらの孔
32の量が増加すれば、中央領域は縁部より大きな吸収
係数が与えられる。
の詰めまたは「ふさぎ」を示し、この「ふさぎ」は、孔
のカラー化が行われた後に追加の処理によって得られ
る。この「ふさぎ」処理は、例えば、沸点(98°C)
に近い高度に希釈されたニッケル塩とコバルト中で含浸
被覆することからなる。この孔32は、表面上の追加の
アルミナ層37の成長によって「閉鎖」される。上述し
たように、多孔性の度合いは、陽極電流の大きさによっ
て制御され、この電流出で増加する。この特性は、上述
したような輝度曲線を修正するために適用されるプロフ
ィールをアルミナ層20による吸収に与えるためにダイ
化されたアルミナ層20に縁部より中央領域に大きな特
性を与えるために使用される。吸収物質は孔32内に積
層されるから、アルミナ層20の中央領域のこれらの孔
32の量が増加すれば、中央領域は縁部より大きな吸収
係数が与えられる。
【0070】図7は非制限的な例として、適当な形状の
電解漕を使用してダイ加工されたアルミナ層20の縁部
より中央領域22内で大きな特性を得る方法を示した概
略図である。
電解漕を使用してダイ加工されたアルミナ層20の縁部
より中央領域22内で大きな特性を得る方法を示した概
略図である。
【0071】図7は、図3のアルミニウム基板と同様の
アルミニウム基板17の断面図を示す。この基板17は
上述したように電解溶液40内に沈められ、多孔性アル
ミナ層20の形成を行うために上昇されることができ
る。この基板は電源41の陽極「+」に接続され、その
結果、電気化学的な陽極化システムの正の電極を形成す
る。この電源41の陰極「−」は、基板17を構成する
陽極の寸法より小さい寸法を有する陰極を形成する他の
電極42に接続されている。陰極42は基板17の内面
30に面して電解漕40内に配置され、(基板17の外
面50は、例えば、ワニスで一時的に保護される。)縁
部21より中央22で大きな多孔性を有する多孔性アル
ミナ層20を得るために、陰極42は、縁部21より中
央20に接近するように配置される。これらの状況の下
に、電流の強さは、陽極42と縁部21との間より中央
部22と陽極42との間の方が大きい。その結果、縁部
21から中央部20に向かう方向の多孔性が増大し、中
央部22に向かう吸収物質を把持するための多数の場所
が増大する。
アルミニウム基板17の断面図を示す。この基板17は
上述したように電解溶液40内に沈められ、多孔性アル
ミナ層20の形成を行うために上昇されることができ
る。この基板は電源41の陽極「+」に接続され、その
結果、電気化学的な陽極化システムの正の電極を形成す
る。この電源41の陰極「−」は、基板17を構成する
陽極の寸法より小さい寸法を有する陰極を形成する他の
電極42に接続されている。陰極42は基板17の内面
30に面して電解漕40内に配置され、(基板17の外
面50は、例えば、ワニスで一時的に保護される。)縁
部21より中央22で大きな多孔性を有する多孔性アル
ミナ層20を得るために、陰極42は、縁部21より中
央20に接近するように配置される。これらの状況の下
に、電流の強さは、陽極42と縁部21との間より中央
部22と陽極42との間の方が大きい。その結果、縁部
21から中央部20に向かう方向の多孔性が増大し、中
央部22に向かう吸収物質を把持するための多数の場所
が増大する。
【0072】吸収物質によるアルミナ層20のカラー化
が陰極操作によって得られるならば、等価のセル形状
は、輝度曲線を修正するために図面の中央で吸収物質を
さらに積層するために使用されるが、(この場合基板1
7は陽極を形成する)ことに留意すべきである。
が陰極操作によって得られるならば、等価のセル形状
は、輝度曲線を修正するために図面の中央で吸収物質を
さらに積層するために使用されるが、(この場合基板1
7は陽極を形成する)ことに留意すべきである。
【図1】標準的な像増強管の概略断面図。
【図2】図1に示す入力スクリーンの詳細断面図。
【図3】本発明による放射像増強管の入力スクリーンの
概略断面図。
概略断面図。
【図4】放射性像増幅器の出力で測定された輝度曲線を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図5】図3に示すアルミナ層の一部の詳細断面図。
【図6】図3に示すアルミナ層の他の実施例の詳細断面
図。
図。
【図7】図3に示すアルミナ層の多孔性の勾配をどのよ
うに得るかを示す概略図。
うに得るかを示す概略図。
1 像増強管 2 ガラスエンベロープ 3 入力スクリーン 4 出力ウインドウ 5 シンチレータスクリーン 6 フォトカソード 7 電極 8 陽極 10 出力スクリーン 15 入力スクリーン 16 シンチレータ層 17 基板 20 アルミナ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル、ガリ フランス国グルノーブル、ギャルリー、 デ、3、カルティエ、38
Claims (16)
- 【請求項1】入力ウインドウと、基板により形成される
シンチレータ層を有する入力スクリーンとを有する放射
線タイプの像増強管であって、アルミナ層が基板とシン
チレータとの間に挿入され、アルミナ層は、シンチレー
タ層によって基板に向かって放射された光子の少なくと
も一部分がダイ加工されたアルミナ層に吸収されるよう
に、少なくともシンチレータ層によって放射された波長
を吸収する物質によって「ダイ加工」されるか「色づ
け」される放射線像増強管。 - 【請求項2】基板はアルミニウムでつくられている請求
項1に記載の像増強管。 - 【請求項3】「ダイ加工」されたアルミナ層は多孔性で
ある請求項1に記載の像増強管。 - 【請求項4】吸収物質はダイ加工されたアルミナ層の少
なくとも一部の孔に含まれる請求項3に記載の像増強
管。 - 【請求項5】アルミナ層はその縁部及びその中央部の間
の実質的に一様な吸収を達成するために「ダイ加工」さ
れている請求項3または4に記載の像増強管。 - 【請求項6】アルミナ層はその縁部とその中央部との間
に実質的に一様な多孔性を有する請求項3または4に記
載の像増強管。 - 【請求項7】アルミナ層は縁部より中央部で吸収するよ
うに「ダイ加工」される請求項1から4のいずれか1項
に記載の像増強管。 - 【請求項8】「ダイ加工」されたアルミナ層はその縁部
よりその中央部で大きな多孔性を有する請求項3または
4のいずれかに記載の像増強管。 - 【請求項9】シンチレータ層はイオン化されたセシウム
でつくられている請求項1から8のいずれか1項に記載
の像増強管。 - 【請求項10】基板はアルミニウムでつくられ、前記方
法は基板を電気化学的に陽極化するための方法によって
基板上にアルミナ層をつくることからなる請求項1から
9のいずれか1項に記載の像増強管を製造する方法。 - 【請求項11】陽極化のために使用する電気化学的な溶
液はアルミナ層の多孔性を得るために選択された酸溶液
である請求項10に記載の方法。 - 【請求項12】アルミナ層はその縁部よりその中央部で
大きな多孔性が与えられる請求項11に記載の方法。 - 【請求項13】基板の陽極化は基板の縁部よりも中央部
近くに配置された陰極によって行われる請求項12に記
載の方法。 - 【請求項14】アルミナ層は酸化金属によって「ダイ加
工」されている請求項10に記載の方法。 - 【請求項15】「含浸被覆」方法はアルミナ層を「ダイ
加工」するために使用される請求項14に記載の方法。 - 【請求項16】電解媒体中の陰極積層の方法はアルミナ
層を「ダイ加工」するために使用される請求項14に記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9113487 | 1991-10-31 | ||
FR9113487A FR2683388A1 (fr) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | Tube intensificateur d'image radiologique a resolution amelioree. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06236742A true JPH06236742A (ja) | 1994-08-23 |
JP3323252B2 JP3323252B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=9418525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29050292A Expired - Fee Related JP3323252B2 (ja) | 1991-10-31 | 1992-10-28 | 放射線像増強管 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5315103A (ja) |
EP (1) | EP0540391B1 (ja) |
JP (1) | JP3323252B2 (ja) |
DE (1) | DE69201183T2 (ja) |
FR (1) | FR2683388A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015182180A1 (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | 株式会社 東芝 | イメージ管 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3492777B2 (ja) * | 1993-10-29 | 2004-02-03 | 株式会社東芝 | 放射線イメージ増強管及びその製造方法 |
US5705885A (en) * | 1994-11-25 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Brazing structure for X-ray image intensifier |
JPH11500857A (ja) * | 1995-06-27 | 1999-01-19 | フィリップス エレクトロニクス エヌ ベー | X線検出器 |
FR2758002B1 (fr) * | 1996-12-27 | 2004-07-02 | Thomson Tubes Electroniques | Systeme de visualisation avec ecran d'observation luminescent |
DE19818057A1 (de) * | 1998-04-22 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Röntgenbildverstärkers und hierdurch hergestellter Röntgenbildverstärker |
US7498557B2 (en) | 2005-09-08 | 2009-03-03 | Applied Materials Israel Ltd. | Cascaded image intensifier |
US20070246662A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Jean-Pierre Tahon | Radiation image phosphor or scintillator panel |
EP1847582B1 (en) * | 2006-04-20 | 2011-09-14 | Agfa-Gevaert | Radiation image phosphor or scintillator panel. |
US20070246663A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Jean-Pierre Tahon | Radiation image phosphor or scintillator panel |
US20070246660A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Jean-Pierre Tahon | Radiation image phosphor or scintillator panel |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3693018A (en) * | 1966-12-27 | 1972-09-19 | Varian Associates | X-ray image intensifier tubes having the photo-cathode formed directly on the pick-up screen |
US3609359A (en) * | 1969-01-08 | 1971-09-28 | Eugene Wainer | X-ray image intensifier with electron michrochannels and electron multiplying means |
US3891852A (en) * | 1972-11-03 | 1975-06-24 | Agfa Gevaert Nv | Neutron detection and radiography |
US4069121A (en) * | 1975-06-27 | 1978-01-17 | Thomson-Csf | Method for producing microscopic passages in a semiconductor body for electron-multiplication applications |
FR2318474A1 (fr) * | 1975-07-17 | 1977-02-11 | Thomson Csf | Dispositif d'affichage par electrophorese |
JPS56165251A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Toshiba Corp | Input surface of x-ray image intensifier and its manufacturing method |
FR2492160A1 (fr) * | 1980-10-14 | 1982-04-16 | Thomson Csf | Cible pyroelectrique et tube de prise de vues muni d'une telle cible |
FR2580864B1 (fr) * | 1984-12-18 | 1987-05-22 | Thomson Csf | Couche barriere au bombardement ionique pour tube a vide |
JP2543895B2 (ja) * | 1987-07-21 | 1996-10-16 | 株式会社東芝 | X線イメ―ジ管及びその製造方法 |
FR2623659B1 (fr) * | 1987-11-24 | 1990-03-09 | Labo Electronique Physique | Tube intensificateur d'images a rayons x |
FR2647955B1 (fr) * | 1989-05-30 | 1991-08-16 | Thomson Tubes Electroniques | Ecran d'entree de tube intensificateur d'image radiologique |
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Cited By (1)
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