JPS59121737A - X線イメ−ジ管の入力面 - Google Patents

X線イメ−ジ管の入力面

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Publication number
JPS59121737A
JPS59121737A JP23106982A JP23106982A JPS59121737A JP S59121737 A JPS59121737 A JP S59121737A JP 23106982 A JP23106982 A JP 23106982A JP 23106982 A JP23106982 A JP 23106982A JP S59121737 A JPS59121737 A JP S59121737A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substance
high light
image tube
input surface
ray image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23106982A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Hamakawa
圭弘 浜川
Kimio Yoshimura
公男 吉村
Mamoru Takeuchi
竹内 衛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Original Assignee
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp, Shimazu Seisakusho KK filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP23106982A priority Critical patent/JPS59121737A/ja
Publication of JPS59121737A publication Critical patent/JPS59121737A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/38Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
    • H01J29/385Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation

Landscapes

  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、入射X線をいったんけい光像に変換し、さ
らにこのけい光像をそれに対応する光電子流として放射
するX線イメージ管の入力面の感度の改善に関する。
X線イメージ管は第1図にその構造の概略を示すように
、xa源(11)から放射されたX線を入射させ、この
入射X線をけい光像、それをさらに光電子流に変換する
入力面02のほか、集束電極0.11、陽極0復、出力
けい光面0υなどから構成されでいる。そして入力面0
のはその1例を第2図に示すように、X 、%lをほと
んど吸収しないアルミニウム板などを基板eυとし、こ
hにけい光膜(イ)および光電膜に)を被着して形成さ
れている。
このうちけい光膜(イ)を形成する方法とし−C最近は
、活性物質としてNaを加えたCθ工等を用い、これを
基板Q1)面に真空蒸着法によって塗布することが広く
行なわれている。この方法においては、基板epに適尚
な表面加工を施したり、蒸着時の温度、蒸着速度などを
適度に設定することによって、基板09面に対し垂直あ
るいは所定角度をもってまっすぐに延びた柱状結晶粒も
しくは柱状結晶塊としてけい光Mに)を形成することが
できる。このように人力けい光面をC11l工の真空蒸
着膜で形成する方法によればけい光膜は柱状結晶構造を
もつようになるから、 ZnCd8の粒子けい光体を塗
布して形成されたけい光膜に比べて、けい光膜内での横
方向への光の散ILLが非常に少なくなり、解像力を大
幅に向上させることがでさるようになった。こ(り発明
は、さらにX線イメージ管の一層の画質向上を萌すため
、けい光膜内での光の嘆方1#I」への拡散を従来のも
の以上に有効に防ぎ、解像度の向上を図ることができる
ようなX線イメージ管の人力面を提供することを目的と
する。
以下第3図に基づいてこの発明の構成および実施例につ
いて説明する。
この発明に係るX線イメー・ジ管の入力面(2)は、け
い光膜@を形成し−Cいる各柱状結晶−の結晶粒界もし
くはクラック(ハ)に高光反射率丑をは高光吸収率の物
質、すなわちけい光膜(イ)内での横方向への光の拡散
を防止するよう々物質を充填したことを特徴とする。こ
れにより、各柱状結晶(ハ)がオプティカルファイバー
のように作用し、1つの区画内での発光が隣接区画に侵
入することをほぼ完全に防ぐことができることとなる。
充填物とされる高光反射率の物質としては、たとえばア
ルミニウム、マグネシウム、銀などが用いられ、また高
光吸収率の物質としては、たとえばカーボン、酸化クロ
ム、酸化ニッケル、酸化鉄などが用いられる。なお、上
記充填物を同時にX線吸収率の低い物質、たとえばアル
ミニウム、マグネシウム、カーボンなどとすれば全入射
X線量に対するけい光面での光への変換効率を向上させ
ることができる。すなわち、X線イメージ管の入力面θ
功は放射線の入射側に向かって突出した曲面となってい
るため、基板(ロ)面に対し垂直方向に柱状結晶を形成
した場合は、人力面(2)の周辺部では第4図に示すよ
うに、放射線は人力面0埠に対して斜めに入射すること
になる。そこで充填物としてX線吸収率の低い物質を用
いることによって、(a)点で一部光エネルギーに変換
したX線が充填物に吸収されることなく(b)点に達し
、その(1))点においても有効にシンチレーシヲンを
起こさせることができる。
各柱状結晶−の結晶粒界もしくけクラックに)に高光反
射率または高光吸収率の物質を充填するには、結晶粒界
もしくはクラックに)の幅は数μm程度であるので、以
下に説明するような方法が採られる。すなわち、充填し
ようとする物質が粒径1μm以下の超微粉末であるとき
は、これをそのまま結晶粒界もしくはクラックに)に埋
め込み、また低融点で、かつ常温における蒸気圧が低い
金属物質であるときは、その物質の融点まで昇温し、融
解液の流動性を利用してその物質を結晶粒界もしくはク
ラック(ハ)に充填する。
後者の場合、常温における蒸気圧が低い物質であること
を要するのは、X線イメージ管の内部は真空となるので
、金属蒸気の発生圧よって他の構成部分に悪影響を及ぼ
したりすることがないようにするためである。以上の方
法のほか、適当な液体を溶媒あるいは分散媒として、適
度の粘度をもつ溶液あるいはコロイド溶液(ゾル)をつ
くり、これを結晶粒界もしくはクラックに)に浸透させ
た後、液体を蒸発させたり、加熱変性させたりして充填
物を沈着させるような方法を採ることもできる。
以上説明したようにX線イメージ管の人力面を構成する
ことにより、けい光面での横方向への光の拡散をほぼ完
全に防止できることになり、xHイメージ管における解
像度、コントラストを含めた総合的な画質の一層の向上
が達成できた。
【図面の簡単な説明】
第1図はX線イメージ管の構造を説明する概略図、第2
図1はその入力面の一部分を示す断面図である。第3図
はこの発明に係るX線イメージ管の入力面の一部分を示
す拡大断面図であり、また第4図は入力面の周辺部にお
けるX線の入射状態を説明するための拡大断面図である
。 12・・・入力面   21・・・基板22・・・けい
光面  23・・・光電面24・・・柱状結晶 25・・・結晶粒界もしくはクランク

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 基板の片面にけい光膜および光電膜を被着してな
    るX線イメージ管の入力面において、前記けい光膜を形
    成している各柱状結晶の結晶粒界もしくはクラックに高
    光反射率または高光吸収率の物質を充填したことを特徴
    とするX線イメージ管の入力面。 2、高光反射率または高光吸収率の物質は同時にX線吸
    収率の低い物質である特許請求の範囲vJ1項記載のX
    線イメージ管の入力面。
JP23106982A 1982-12-28 1982-12-28 X線イメ−ジ管の入力面 Pending JPS59121737A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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