JPH06232489A - 光増幅用希土類ドープ光ファイバ - Google Patents

光増幅用希土類ドープ光ファイバ

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JPH06232489A
JPH06232489A JP5020121A JP2012193A JPH06232489A JP H06232489 A JPH06232489 A JP H06232489A JP 5020121 A JP5020121 A JP 5020121A JP 2012193 A JP2012193 A JP 2012193A JP H06232489 A JPH06232489 A JP H06232489A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低損失で高効率な光増幅用希土類ドープ光フ
ァイバを提供する。 【構成】 希土類元素イオンを含有する光増幅用希土類
ドープ光ファイバの少なくともコア中に、Li+ ,Na
+ ,K+ ,Rb+ ,Cs+ およびFr+ のうち少なくと
も1種類を含有させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、低損失で増幅効率の高
い光増幅用希土類ドープ光ファイバに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、光ファイバのコアに希土類元素イ
オンをドープし、4f殻内遷移の誘導放出を用いた希土
類ドープ光ファイバ増幅器の研究が精力的に行われ、E
3+イオンをドープした石英系光ファイバについては波
長1.5μmの光通信システムへの応用が進められてい
る。希土類ドープ光ファイバ増幅器は、高利得でかつ偏
波に依存しない利得特性を有し、また、低い雑音指数お
よび広帯域な波長特性を有するため、光通信システムに
おける応用が極めて魅力あるものとなっている。
【0003】一方、石英系ファイバの波長分散が零とな
る1.3μm帯は1.5μmとならんで光通信では重要
な波長帯であり、この1.3μm帯で動作する光ファイ
バ増幅器の研究がNd3+イオンをドープした石英系光フ
ァイバあるいはフッ化物光ファイバを用いて行われてき
た。しかしながら、前記両ファイバとも光通信に使用さ
れる1.31μmではNd3+イオンの励気状態吸収(E
xcited State Absorption)が
大きいため(W.J.Miniscalco他,Ele
ctoron.Lett.,vol.24,1988,
p28)増幅が確認されていない。
【0004】このような、状況から1.31μmで増幅
作用を有する光ファイバ増幅器の実現が強く望まれてお
り、その候補の一つとしてジルコニウム系フッ化物ガラ
スをホスト材料としPr3+をレーザ活性イオンとしてド
ープした光ファイバを用いた光増幅器が提案されている
(Technical Conference ’91
San Diego(1991 PD2)参照)。
【0005】また、光線路監視用システムとして、検討
が進められている1.65μm帯においては、Tm3+
活性イオンとしてドープした石英系光ファイバを用いた
光増幅器が提案されているなど、希土類元素イオンをド
ープした光ファイバ増幅器の実現への期待は大きい。
【0006】このうち、フッ化物ガラスは低いフォノン
エネルギーを持つことから1.3μm帯の光増幅器用光
ファイバの良好なホスト媒体として注目されており、P
3+をドープしたフッ化物光ファイバは特に注目されて
いる。また、Er3+,Nd3+,Tm3+などの希土類元素
イオンのホスト媒体としても光増幅の高効率化を目指す
上で注目されている。
【0007】この希土類元素イオンドープ光ファイバの
光増幅器としての適用において、光増幅の高効率化を図
るために本発明者らは鋭意検討した結果、次のようなこ
とが有効であることを見いだした。
【0008】(1)ホスト媒体自身がもつフォノンエネ
ルギーを小さくし、光増幅用希土類元素イオンの蛍光寿
命を長くすること、(2)コア−クラッド間の比屈折率
差(Δn)を大きくしてファイバのコア中での励起光の
パワー密度を高くとること、(3)活性イオンとしてド
ープした希土類元素イオンの配位子場を制御して、励起
順位の蛍光寿命を長くすること、(4)光増幅用希土類
元素イオンを高濃度にドープして増幅効率を上げること
などである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法のうち、
(1)について、従来のジルコニウム系フッ化物ファイ
バにおいては、Zr−Fの結合による500cm-1近傍
のエネルギーを持ったフォノンによる非輻射遷移のため
にドープされた希土類元素イオンの励起準位での蛍光寿
命が制限され、光増幅用希土類イオンの量子効率が改善
されない問題点があった。この点については先に出願し
た特願平4−157058号に記載されているようなフ
ォノンエネルギーの小さいインジウム系のフッ化物ガラ
スを用いることにより蛍光寿命を倍に改善されている。
【0010】また、(2)の比屈折率差(Δn)を大き
くすることに関して、従来のジルコニウム系フッ化物ガ
ラスにおいて、LiFと共にPbF2 をコアに添加する
ことによってガラスの安定性を損ねることなくコア,ク
ラッド間の比屈折率差を大きくする方法が提案されてい
る。
【0011】しかしながら上記(3),(4)について
は、下記のような問題点があった。すなわち、従来のフ
ッ化物ガラスにおいては、光増幅用希土類元素イオンと
してドープした希土類元素イオンはガラス中の様々なサ
イト(配位子場)におさまっており、そのサイトに応じ
た価数状態をとっている。従って、上記のガラス中にお
いて希土類元素イオンは異なる蛍光寿命をもって存在し
ており、希土類元素イオンを高濃度にドープした場合、
長い蛍光寿命を持った希土類元素イオンと、短い蛍光寿
命を持った希土類元素イオンとの間に相互作用が生じる
(大石泰丈他、OQE91−112 p61)。このた
めに、光増幅にあずかる希土類元素イオンの蛍光寿命が
短くなり、光ファイバ増幅器に応用した場合、高効率化
が図れないという問題があった。この問題は特に高濃度
に光増幅用希土類元素イオンをドープした場合に顕著で
あった。
【0012】図11は、ジルコニウム系フッ化物ガラス
を母体とした場合の 1435遷移による1.3μ
m蛍光寿命のPr3+濃度依存性を示している。図中e1
は蛍光減衰曲線において蛍光強度が初期値から初期値の
-1になるまでの時間、e2は蛍光強度がe-1からe-2
になるまでの時間、e3 は蛍光強度がe-2からe-3にな
るまでの時間を表している。この図において希土類元素
イオンがガラス母体中で単一の原子価をとった状態で存
在しているとすれば、減衰曲線は単一の指数曲線で表せ
るはずであるが、ジルコニウム系フッ化物ガラス中のP
3+の場合は図に示されているように単一の指数曲線で
は表すことができず、従って、Pr3+はジルコニウム系
フッ化物ガラス中で、様々に異なったサイト(配位子
場)におさまっていることがわかる。
【0013】また、e3 の減衰曲線は最も蛍光寿命の長
いPr3+の寄与からなっており、200ppm以下でよ
うやく蛍光寿命が一定値になっていることから200p
pmから1000ppmの濃度域では依然として、互い
に相互作用をもったPr3+イオン群が存在しているもの
と考えられる。
【0014】また、従来のジルコニウム系フッ化物ファ
イバを用いてファイバアンプモジュールを作製した場
合、使用するファイバ長が14mにも及び、モジュール
の小型化、さらにはファイバ長を長くとったことによる
ファイバ自体がもつ光損失による光増幅率の減少が問題
となっていた。
【0015】本発明の目的は、このような事情に鑑み、
低損失で高効率な光増幅用希土類ドープ光ファイバを提
供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第1の発明は、コアとクラッドを有し、希土類イオン
を含有する光ファイバにおいて、少なくともコア用ガラ
スにアルカリ金属イオンとして、Li+ ,Na+ ,K
+ ,Rb+ ,Cs+ ,Fr+ のうち少なくとも1種類を
含有することを特徴としている。
【0017】また、第2の発明は、第1の発明の光ファ
イバであって、希土類元素イオンが200ppm以上ド
ープされ、コア−クラッド間の比屈折率差Δnが1.4
%以上で、かつコアに25mol%以下のPbF2 を含
有したことを特徴としている。
【0018】
【作用】フッ化物ガラス中においてドープされた光増幅
用活性イオンの周りには8〜10個のF- イオンが配位
する(I.D.Arrarwal “Fluoride
Glass Fiber Optics” p53)。
このためミクロのスケールで見たとき局所的には希土類
元素イオンの周りに過剰な負電荷が存在している。
【0019】このとき、ガラス母材中にLi+ ,Na
+ ,K+ ,Rb+ ,Cs+ ,Fr+ などのアルカリ金属
イオンを含有させると、アルカリ金属イオンが電荷補償
イオンとして希土類元素イオンに優先的に配位し、局所
的な電気的中性条件を満たすことになり、希土類元素イ
オン間の相互作用を減少させることができる。
【0020】通常200ppm以上の高濃度領域では、
希土類元素イオン間の相互作用により蛍光寿命が低下し
てしまうが、本発明では上述したように、アルカリ金属
イオンによる配位場の制御により希土類元素イオン間の
相互作用を減少させることができるため、希土類元素イ
オンを200ppm以上の高濃度にドープすることがで
きる。つまり、第1の発明はアルカリ金属イオンを希土
類元素イオンの配位子場制御に用いることにより、希土
類元素イオン間の相互作用を減少させ、その結果、蛍光
寿命の減少を防いで光増幅の量子効率の改善が図られる
ことになる。
【0021】また、ファイバ中のコアでの励起光のパワ
ー密度を高くするための高Δn化には、PbF2 を添加
して屈折率を上げる方法が知られているが、従来のよう
にBaF2 をPbF2 で置換する方法では、コアガラス
の結晶化温度(Tx)およびガラス転移温度(Tg)と
の差ΔTがPbF2 含有量とともに減少し、ファイバ化
の際の加熱によりコアが結晶化し、損失が増大すること
により実効的な利得が低下してしまう。
【0022】第2の発明によればコアガラスにPbF2
とともにLiF,CsF等のアルカリ金属化合物(母材
中ではアルカリ金属イオン)を含有させることによっ
て、コアガラスの転移温度はPbF2 濃度に依存しなく
なり、かつ結晶化温度の低下もないので、従来と同一の
クラッドガラスを用いて、ファイバの高Δn化が可能に
なり(比屈折率差を1.4%以上とすることができ)、
同時に線引きの際の加熱による結晶化も抑制されるの
で、ファイバの低損失化が実現でき、ファイバ増幅器に
応用した場合に実効的な利得が増加する。
【0023】すなわち、第1および第2の発明によれ
ば、少なくともコアガラスにLiF,NaF,KF,R
bF,CsF,FrFなどのアルカリ金属化合物を少な
くとも一種含有させることにより、コアガラスの熱安定
性を損ねることなく、かつ希土類元素イオン間の相互作
用を減少させることができるために、希土類元素イオン
を200ppm以上の高濃度にドープしてあっても、蛍
光寿命が減少することがないものである。従って、本発
明の光ファイバを光増幅器に応用した場合、光増幅の高
効率化に有効である。なお、本発明における希土類元素
イオンのドープ濃度は、蛍光寿命がほぼ一定に保持され
るまでの濃度とするのが好ましく、後述するように、P
3+の場合には3000ppm程度までが好ましい。
【0024】また、本発明によれば、光増幅用希土類元
素イオンを高濃度にドープすることにより、必要の光増
幅率を得るためのファイバ長を短くすることができ、フ
ァイバアンプモジュールの小型化にも有効である。ま
た、ファイバ長を短くしたことによってファイバ自体が
もつ光損失の影響を抑えることができ、正味の光増幅率
を向上させることができる。したがって、本発明の光増
幅用ファイバをファイバアンプに応用した場合、実効的
な利得が増加する。
【0025】第1,第2の発明の光増幅用光ファイバの
コアにドープされる希土類元素イオンとしては、1.3
μm帯の用途に対しては、Pr3+,Pr3+−Yb3+,P
3+−Nd3+およびPr3+−Er3+からなる群から選ば
れた一種を使用することができる。典型的にはPr3+
使用されるが、他の希土類元素イオンをコドープした場
合もPr3+の場合と同様に4f殻内遷移の誘導放出が起
こり光増幅に有効である。
【0026】また、Pr,Yb,Nd,Er,Tm等の
希土類元素の活性イオンをドープすることにより、1.
65μm帯などの種々の波長において光増幅が可能にな
るので、光通信システムの高性能化を図ることができ
る。
【0027】図9および図10は励起光パワー100m
W当りの信号利得を示す特性図である。これらの図よ
り、比屈折率差が1.4%以上のときに100mW当り
の信号利得が10dBとなることがわかる。
【0028】したがって、例えば、励起光波長および信
号光波長でファイバ構造が単一モード条件を満たすに
は、これら光増幅用希土類ドープ光ファイバのコア半径
は一般に2μm以下がよく、1.95μm以下が好適で
ある。しかし、コア半径に関してはこの限りではない。
【0029】
【実施例】本発明の実施態様としては、希土類元素イオ
ンを含有する光ファイバのコアおよびクラッドの母相が
InF3 ,ZnF2 ,BaF2 ,SrF2 ,PbF2
CdF2 ,AlF3 ,GaF3 およびBeF2 の全ての
組成、あるいは一部の組成からなると共に、LaF3
CsF3 ,YF3 ,GdF3 およびLuF3 よりなる群
から選ばれた少なくとも一種を含有し、少なくともコア
用ガラスにLiF,NaF,KF,RbF,CsFおよ
びFrFよりなる群から選ばれた少なくとも一種を含有
し、かつその合計が100mol%であるフッ化物ガラ
スよりなる光増幅用光ファイバがある。
【0030】本発明のその他の実施態様としては、希土
類元素イオンを含有する光ファイバのコアおよびクラッ
ドの母相がZrF4 ,HfF4 ,BaF2 ,PbF2
AlF3 ,InF3 ,GaF3 およびBeF2 の全組成
あるいは一部の組成からなると共に、LaF3 ,ScF
3 ,YF3 ,GdF3 およびLuF3 よりなる群から選
ばれた少なくとも一種を含有し、少なくともコア用ガラ
スがLiF,NaF,KF,RbF,CsFおよびFr
Fよりなる群から選ばれた少なくとも一種を含有し、か
つその合計が100mol%よりなるフッ化物ガラスよ
り光増幅用光ファイバがある。
【0031】また本発明は、ZrF4 系ガラス、InF
3 系ガラス,AlF3 系ガラスなどのフッ化物ガラスの
他にも適用でき、石英系ガラス,ゲルマネートガラス,
テルライド系ガラス,リン酸系ガラスなど(泉谷敏郎監
修、“新しいガラスとその物性”、第16章、経営シス
テム研究所発行、1984年、または、Tomozaw
a and Poremus編 Treatise o
n Materials Science and T
echnology volume26,第4章、Ac
ademic Press,Inc.1985等を参
照)を用いても同様な効果がみられ、希土類元素イオン
の量子効率の改善を図ることができる。
【0032】また、上述したフッ化物ガラスの成分中の
フッ素の一部を1種または2種以上の他のハロゲン元
素、例えば、塩素(Cl),臭素(Br),ヨウ素
(I)で置換したミックスハライドガラスを用いても同
様の効果を得ることができる。
【0033】以下、具体的な例を示し詳細に説明する。
【0034】(実施例1)図1は、コアガラス組成を5
1ZrF4 −25BaF2 −4LaF3 −2AlF3
18XF(mol%)(XFはLiF,NaF,KF,
RbF,CsF,FrF)とし、光増幅用希土類元素イ
オンとしてPr3+を500ppmドープしたときの、ア
ルカリ金属イオンと希土類元素イオンとの距離を、パル
スESR法を用いて測定した結果である。パルスESR
法は、希土類元素イオンなどの不対電子をプローブとし
て、その不対電子と周りの各スピンとの相互作用から、
不対電子周囲の局所的な構造や配位状態を知るのに非常
に有効な手段である。
【0035】この測定から、ドープされた希土類元素イ
オンの周りには、第一近接位置に平均して3個の、第二
近接位置に平均して6個のアルカリ金属イオンが配位し
ていることがわかる。
【0036】このことは、一般にランダムな構造として
のみ理解されているガラスの構造の中に、局所的に、ミ
クロな構造があることを示すもので、ドープされた活性
イオンの周りに、負電荷を持ったフッ素イオンが配位す
ることによって生じた過剰な負電荷を、正電荷を持った
アルカリ金属イオンが活性イオンに近接して配位するこ
とによって、電気的に中和しているものと考えられる。
【0037】これと、同様の効果は、活性イオンとし
て、Pr3+の他、Nd3+,Er3+,Yb3+,Tm3+を用
いた場合にも観測された。
【0038】図2は本発明の光ファイバのコアのガラス
組成を51ZrF4 −25BaF2−4LaF3 −4A
lF3 −6NaF−10LiF(mol%)とし、光増
幅用希土類イオンとしてPrを100ppm〜1wt%
までドープした時の蛍光寿命の測定結果である。この図
から光増幅用希土類元素イオンとしてドープしたPr3+
の濃度が3000ppmの高濃度に至るまで蛍光寿命の
減少は見られず、ドープした希土類元素イオン間の相互
作用がアルカリ金属イオンによる配位子場の制御により
減少し、このことによって蛍光寿命の超寿命化が図れて
いるのがわかる。
【0039】よって、本実施例においては、高Δnの光
ファイバを得るために、コアガラスとして用いるガラス
組成を次のようなものとした。
【0040】51ZrF4−xBaF2 −(25-x)PbF2−2.5AlF3
2.5LaF3 −7NaF−12LiF (mol%) 図3は上記コアガラス組成を用いたときのPbF2 含有
量((25−x)mol%)に対する結晶化温度(T
x)とガラス転移温度(Tg)との差(ΔT)(一般に
ガラスの熱安定性を示す尺度として用いられる)と、屈
折率を示したものである。
【0041】図3より、ΔTはPbF2 濃度に依存せず
ほぼ一定である。屈折率(nD )はPbF2 濃度5〜2
0mol%に対し、nD =1.54〜1.60の値とな
る。
【0042】このガラスをコア組成とし、ガラス転移温
度が同程度の50ZrF4 −25BaF2 −2.5Al
F−2.5LaF3 −20NaF(mol%)の組成の
ジルコニウム系フッ化物ガラス(nD =1.495)を
クラッドに用いることによりΔnが2.9〜6.5%の
高Δnファイバが得られる。
【0043】コアに500ppmのPr3+をドープし、
かつΔn=3.7%(x=10)とした光ファイバ10
mを用いた光増幅器で0.2dB/mWの高い利得係数
を得た。図4はこの光増幅器の光パワーに対する信号光
利得を示す図である。なお、励起波長は1017nmと
した。また、得られたファイバの損失値は波長1.25
μmで100dB/kmと低損失であった。
【0044】(実施例2)表1に示したフッ化物ガラス
から適宜選択したガラス組成でコアおよびクラッドを形
成し、Δnが2.5〜6.5%の高Δnの光ファイバを
作製した。コアに500ppmのPrをドープし、かつ
Δn=3.3%とした光ファイバ10mを用いた光増幅
器で0.2dB/mWの高い利得係数を得た。なお、励
起波長は1017nmとした。また、得られたファイバ
の損失値は波長1.25μmで100dB/kmと低損
失であった。
【0045】
【表1】
【0046】
【表2】
【0047】
【表3】
【0048】
【表4】
【0049】
【表5】
【0050】(実施例3)実施例1で用いた光ファイバ
のコアにYb3+3000ppm,Pr3+500ppmを
コドープし、かつΔn=3.7%とした光ファイバ15
mを用いた光増幅器で、発振波長980nmのレーザダ
イオードを励起光源として用いた時、励起光パワー10
0mWで10dBの利得が得られた。
【0051】(実施例4)実施例1で用いた光ファイバ
のコアにEr3+3000ppm,Pr3+500ppmを
コドープし、かつΔn=3.3%とした光ファイバ15
mを用いた光増幅器で、発振波長980nmのレーザダ
イオードを励起光源として用いた時、励起光パワー10
0mWで10dBの利得が得られた。
【0052】(実施例5)実施例1で用いたコアガラス
組成のうち、BaF2 を5mol%ほどBaCl2 に置
換した組成を用いて、Δn=3.8%、Pr3+を500
ppmドープした光増幅用光ファイバを作製した。
【0053】図5は本実施例の光増幅用光ファイバの利
得の励起光強度依存性を示した特性図である。
【0054】コアガラスのフッ素の一部を塩素に置換え
ることによって増幅効率が改善されていることがわか
る。
【0055】このことは、コアガラスにBaCl2 を添
加することにより、Zr−F結合のFの一部がClに置
き換えられてフォノンエネルギーの小さなZr−Cl結
合ができ、Pr3+14 準位から 34 準位へのマル
チフォノン緩和率を低下させ、結果として 14 から 3
5 への量子効率が上昇したことに起因すると考えられ
る。
【0056】本実施例では、塩素のドーパントとしてB
aCl2 を用いて実験を行ったが、塩素のドーパントと
しては、例えばBaFCl,LaCl3 ,PbCl2
AlCl3 ,LiCl,YCl3 等の他の塩化物を用い
てもよい。また、コアガラスを例えば、Cl2 ,HC
l,CCl4 等の塩素系ガス中で溶融してもよい。
【0057】塩素をコアガラスに添加すると、このガラ
スの屈折率は上昇するため、塩素の添加は、 14 から
35 への遷移の量子効率を向上させるばかりでなく、
光増幅器用光ファイバの開口数NA(numerica
l aperture)を上昇させるにも効果が有る。
【0058】従って、Pr3+のほかに塩素をコアガラス
にドープすることにより高効率な光ファイバ増幅器を作
製することができる。
【0059】本実施例ではフッ素イオンの塩素イオンに
よる置換率を5%としたが、置換率は30%まで上昇さ
せても光ファイバ化は可能であった。
【0060】また、同様の効果は、フッ素の一部を臭素
で置換えた場合、ヨウ素で置換えた場合においても同様
である。
【0061】以上の実施例では、ZrF4 系のフッ化物
光ファイバを用いて実験を行っていたが、例えば、In
3 系、あるいはAlF3 系フッ化物ガラス等のフッ化
物ガラス(泉谷敏郎監修、“新しいガラスとその物
性”、第16章、経営システム研修所発行、1984
年、または、Tomozawa and Poremu
s編Treatise on Materials S
cience and Technology vol
ume 26,第4章、Academic Pres
s,Inc.1985等を参照)に塩素,臭素または、
ヨウ素をドープしたガラスをコアガラスに用いてもよ
い。
【0062】また、塩素,臭素または、ヨウ素を単独で
コアにドープするのでなく、例えば塩素と臭素、臭素と
ヨウ素のように混合してコアガラスにドープしても良
い。さらに、塩素,臭素またはヨウ素の置換率は上記の
実施例に述べた値に限定されるわけではない。
【0063】(実施例6)図6は本発明の光ファイバの
コアガラス組成を25InF3 −25ZnF2 −15B
aF2 −5SrF2 −5PbF2 −5GaF3 −4YF
3 −6NaF−10LiF(mol%)とし、光増幅用
希土類元素イオンとしてPr3+を100ppm〜1wt
%までドープした時の蛍光寿命の測定結果である。
【0064】該ガラス中においては、光増幅用希土類元
素イオンとしてドープしたPr3+の濃度が3000pp
mの高濃度に至るまで蛍光寿命の減少は見られず、ドー
プした希土類元素イオン間の相互作用が、アルカリ金属
イオンによる配位子場の制御により減少し、このことに
よって蛍光寿命の長寿命化が計れていることがわかる。
【0065】また、本実施例で用いたインジウム系フッ
化物ガラス組成は、ジルコニウム系フッ化物ガラスに比
べて赤外吸収端が長波長に位置しており、このことは、
インジウム系フッ化物ガラス自身が持つフォノンエネル
ギーが、ジルコニウム系フッ化物ガラスよりも小さいこ
とを示している。このことによっても、ジルコニウム系
フッ化物ガラスよりも蛍光寿命の長寿命化が計られてい
る。
【0066】図7は該ガラス組成をコアガラス組成とし
て持ち、かつ2000ppmのPr3+をドープし、かつ
Δn=3.7%とした光ファイバを作製したときの励起
光パワーに対する信号光利得を測定した結果である。本
発明の光ファイバを用いることにより0.22dB/m
Wの高利得が達成されている。なお、ファイバ長8mと
し、励起光波長は1017nmとした。また、得られた
ファイバの損失値は波長1.25μmで100dB/k
mと低損失であった。
【0067】(実施例7)表6〜9に示す組成から適宜
選択したガラス組成でコアおよびクラッドを形成すると
共に、光増幅用希土類イオンとしてPr3+を1000p
pmドープし、かつΔn=3.0%以上となる光増幅用
光ファイバを作製した。該光ファイバを用いた光増幅器
において励起光パワー100mwで20dBの信号光出
力が得られ、0.2dB/mWの高い利得係数を得た。
なお、励起光波長は1017nmとした。また、得られ
た光ファイバの損失値は波長1.25μmで100dB
/kmと低損失であった。
【0068】
【表6】
【0069】
【表7】
【0070】
【表8】
【0071】
【表9】
【0072】(実施例8)実施例6で用いた光ファイバ
のコアにYb3+3000ppm,Pr3+1500ppm
をコドープし、かつΔn=3.7%とした光ファイバ8
mを用いた光増幅器で、発振波長980nmのレーザダ
イオードを励起光源として用いた時、励起光パワー10
0mWで10dBの利得が得られた。
【0073】(実施例9)実施例6で用いた光ファイバ
のコアにEr3+3000ppm,Pr3+1500ppm
をコドープし、かつΔn=3.3%とした光ファイバ8
mを用いた光増幅器で、発振波長980nmのレーザダ
イオードを励起光源として用いた時、励起光パワー10
0mWで10dBの利得が得られた。
【0074】(実施例10)実施例1で用いたガラス組
成をコアガラス組成として持つような光増幅用光ファイ
バを作製し、光増幅用の活性イオンとして、Nd3+,E
3+,Tm3+などの希土類元素イオンをドープした。作
製した光ファイバはΔn=3.3%、コア直径2μmで
あった。
【0075】該光ファイバ10mを用いて光増幅実験を
行ったところ、それぞれ1.3μm,1.5μm,1.
65μm帯において光増幅を確認することができた。
【0076】また、コアガラスを、ZrF4 系ガラス,
InF3 系ガラス,AlF3 系ガラスなどのフッ化物ガ
ラスの他、石英系ガラス,ゲルマネートガラス,テルラ
イド系ガラス,リン酸系ガラスなど(泉谷敏郎監修、
“新しいガラスとその物性”、第16章、経営システム
研究所発行、1984年、または、Tomozawaa
nd Poremus編 Treatise on M
aterials Science and Tech
nolygy volume 26,第4章、Acad
emic Press,InC.1985等を参照)を
用いた場合においても光増幅を確認することができた。
【0077】(実施例11)表10に示した多成分石英
系ガラスの組成を、コアおよびクラッドに用いて光ファ
イバを作製した。コア径は2μmとし、非屈折率差Δn
=3.3%のシングルモードファイバとした。このファ
イバコア部に光増幅用希土類イオンとして、Nd3+,E
3+,Tm3+の希土類元素イオンをドープした。この光
ファイバ10mを用いて光増幅実験を行ったところ、そ
れぞれ1.3μm,1.5μm,1.65μm帯におい
て光増幅を確認することができた。
【0078】
【表10】
【0079】(実施例12)実施例6で用いた光ファイ
バのコアにYb3+3000ppm,Pr3+1500pp
mをコドープし、かつΔn=3.7%とした光ファイバ
8mを用いた光増幅器で、発振波長980nmのレーザ
ダイオードを励起光源として用いた時、励起光パワー1
00mWで10dBの利得が得られた。
【0080】(実施例13)実施例6で用いた光ファイ
バのコアにEr3+3000ppm,Pr3+1500pp
mをコドープし、かつΔn=3.3%とした光ファイバ
8mを用いた光増幅器で、発振波長980nmのレーザ
ダイオードを励起光源として用いた時、励起光パワー1
00mWで10dBの利得が得られた。
【0081】(実施例14)コアガラスのガラス組成を
50ZrF4 −15BaF2 −3.5LaF3 −10P
bF2 −2YF3 −2.5AlF3 −10LiF−7N
aF(mol%)とすると共にコアに1500ppmの
Pr3+をドープし、かつΔn=3.7%とした光ファイ
バ5mを用いた光増幅器の励起光パワーに対する信号光
利得を測定したことろ、図8に示すように100mWで
20dB近くの利得が得られた。
【0082】
【発明の効果】以上、実施例で示したように、本発明に
よれば光増幅用希土類イオンの配位子場をアルカリ金属
イオンを用いて制御した光増幅用ファイバが作製でき、
また光増幅用希土類元素イオンを高濃度にドープした光
増幅用ファイバが作製できるので、利得係数および実効
的な利得が向上し、実用化にとって必須である半導体レ
ーザ励起による光増幅器を構成することができる。従っ
て、本発明の光増幅用希土類ドープ光ファイバを用いれ
ば、光通信システムの低コスト化および高性能化を図る
ことができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】コアガラス組成を、51ZrF4 −25BaF
2 −4LaF3 −24AlF3−18XF(XH;Li
F,NaF,KF,RbF,CsF,FrF)とし、光
増幅用希土類イオンとしてPr3+を500ppmドープ
した時の、アルカリ金属イオンと希土類元素イオンとの
距離を、パルスESR法を用いて測定した結果を示した
図である。
【図2】本発明の光ファイバのガラス組成を51ZrF
4 −25BaF2 −4LaF3-4AlF3 −6NaF−10
LiF(mol%)とし、光増幅用希土類元素イオンと
してPrを100ppm〜1wt%までドープした時の
蛍光寿命の測定結果を示した図である。
【図3】コアガラス組成を51ZrF4 −xBaF2
(25−x)PbF2 −2.5AlF3 −2.5LaF
3 −7NaF−12LiF(mol%)としたときのP
bF2 含有量((25−x)mol%)に対する結晶化
温度(Tx)とガラス転移温度(Tg)との差(ΔT)
および屈折率の関係を示した図である。
【図4】図3と同じコアガラス組成を用い、コアに50
0ppmのPr3+をドープし、かつΔn=3.7%(x
=10)とした光ファイバ10mを用いた光増幅器を作
製したときの励起光パワーに対する信号光利得を測定し
た結果を示す図である。
【図5】実施例1で用いたコアガラス組成のうち、Ba
2 を5mol%ほどBaCl2 に置換した組成を用い
て、Δn=3.8%、Pr3+を500ppmドープした
光増幅用光ファイバの利得の励起光強度依存性を示した
特性図である。
【図6】本発明の光ファイバのコアガラス組成を25I
nF3 −25ZnF2 −15BaF2 −5SrF2 −5
PbF2 −5GaF3 −4YF3 −6NaF−10Li
F(mol%)とし、光増幅用希土類元素イオンとして
Pr3+を100ppm〜1wt%までドープした時の蛍
光寿命の測定結果を示す図である。
【図7】図6のガラス組成をコアガラス組成として持
ち、かつ2000ppmのPr3+をドープしたΔn=
3.7%の光ファイバを作製したときの励起光パワーに
対する信号光利得を測定した結果を示す図である。
【図8】本発明の光ファイバにおいて50ZrF4 −1
5BaF2 −3.5LaF3 −10PbF2 −2YF3
−2.5AlF3 −10LiF−7NaF(mol%)
とすると共に、コアに1500ppmのPr3+をドープ
し、かつΔn=3.7%とした光ファイバ5mを用いた
光増幅器の励起光パワーに対する信号光利得を測定した
結果を示す図である。
【図9】励起光パワー100mW当りの信号利得を示す
特性図である。
【図10】励起光パワー100mW当りの信号利得を示
す特性図である。
【図11】ジルコニウム系フッ化物ガラスを母体とした
場合の 1435 遷移による1.3μm蛍光寿命の
Pr3+濃度依存性を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C03C 3/32 (72)発明者 藤浦 和夫 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 須藤 昭一 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 希土類元素イオンを含有する光増幅用希
    土類ドープ光ファイバにおいて、前記光ファイバの少な
    くともコア中にLi+ ,Na+ ,K+ ,Rb+ ,Cs+
    およびFr+ のうち少なくとも1種類を含有することを
    特徴とする光増幅用希土類ドープ光ファイバ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の光増幅用希土類光ファ
    イバであって、前記希土類元素イオンが少なくともコア
    中に200ppm以上ドープされ、コア−クラッド間の
    比屈折率差Δnが1.4%以上であり、かつコアに25
    mol%以下のPbF2 を含有したことを特徴とする光
    増幅用希土類ドープ光ファイバ。
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