JPH0722688A - 光増幅用光ファイバ - Google Patents
光増幅用光ファイバInfo
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- JPH0722688A JPH0722688A JP5161433A JP16143393A JPH0722688A JP H0722688 A JPH0722688 A JP H0722688A JP 5161433 A JP5161433 A JP 5161433A JP 16143393 A JP16143393 A JP 16143393A JP H0722688 A JPH0722688 A JP H0722688A
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- JP
- Japan
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- glass
- optical fiber
- core
- crystallization
- core glass
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光増幅用の光ファイバに用い好適な、屈折率
が高く、結晶化に対して安定なコアガラス組成を提供す
る。 【構成】 ＺｒＦ4 あるいはＨｆＦ4 を主成分とするフ
ッ化物ガラスから構成するとともに、このガラス組成中
のＰｂＦ2 の含有量を１５ｍｏｌ％以下とする。
が高く、結晶化に対して安定なコアガラス組成を提供す
る。 【構成】 ＺｒＦ4 あるいはＨｆＦ4 を主成分とするフ
ッ化物ガラスから構成するとともに、このガラス組成中
のＰｂＦ2 の含有量を１５ｍｏｌ％以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信システム等で使
用される１．３μｍ帯の光ファイバ増幅器に使用される
光ファイバに関するものであり、特に、低損失で効率の
高い光増幅器用の希土類イオンが添加されたフッ化物ガ
ラス製の光ファイバに関する。
用される１．３μｍ帯の光ファイバ増幅器に使用される
光ファイバに関するものであり、特に、低損失で効率の
高い光増幅器用の希土類イオンが添加されたフッ化物ガ
ラス製の光ファイバに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバのコアに希土類イオン
を添加して、電子軌道の４ｆ殻内遷移の誘導放出を利用
する希土類添加光ファイバ増幅器の研究が精力的に行な
われている。このような光ファイバのうち、Ｅｒイオン
を添加した石英系ファイバについては、波長１．５μｍ
の光通信システムへの応用が進められ、実用化段階へ入
ってきている。希土類添加光ファイバ増幅器は、高利得
でかつ偏波に依存しない利得特性を有し、また、低い雑
音指数および広帯域な増幅波長特性を有するために、光
通信システムにおける応用が極めて魅力のあるものにな
っている。
を添加して、電子軌道の４ｆ殻内遷移の誘導放出を利用
する希土類添加光ファイバ増幅器の研究が精力的に行な
われている。このような光ファイバのうち、Ｅｒイオン
を添加した石英系ファイバについては、波長１．５μｍ
の光通信システムへの応用が進められ、実用化段階へ入
ってきている。希土類添加光ファイバ増幅器は、高利得
でかつ偏波に依存しない利得特性を有し、また、低い雑
音指数および広帯域な増幅波長特性を有するために、光
通信システムにおける応用が極めて魅力のあるものにな
っている。
【０００３】ところで、石英系光ファイバの波長分散が
零となる１．３μｍ帯は、１．５μｍ帯とならんで、光
通信の重要な波長帯であり、この１．３μｍ帯で動作す
る光ファイバ増幅器の開発が望まれている。その候補と
して、ＺｒＦ4 を主成分とするフッ化物ガラスをホスト
材料とし、Ｐｒイオンを活性イオンとする光ファイバを
用いた光増幅器が、提案されている（Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ’９１ Ｓａｎ Ｄｉｅｇ
ｏ（１９９１ ＰＤ２））。
零となる１．３μｍ帯は、１．５μｍ帯とならんで、光
通信の重要な波長帯であり、この１．３μｍ帯で動作す
る光ファイバ増幅器の開発が望まれている。その候補と
して、ＺｒＦ4 を主成分とするフッ化物ガラスをホスト
材料とし、Ｐｒイオンを活性イオンとする光ファイバを
用いた光増幅器が、提案されている（Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ’９１ Ｓａｎ Ｄｉｅｇ
ｏ（１９９１ ＰＤ２））。
【０００４】このＰｒイオンの１．３μｍに対応するレ
ーザ遷移は、 1Ｇ4 −3 Ｈ5 の準位間で起こる。しか
し、この場合、Ｐｒイオンでは、フォノンを放出するこ
とによる非輻射遷移により 1Ｇ4 に励起されたイオンが
失活するため、 1Ｇ4 レベルの量子効率は３．４％とい
う低い値である。このため、Ｐｒイオンを添加したフッ
化物光ファイバ増幅器の励起効率は、０．１５〜０．２
ｄＢ／ｍＷに留まっている。
ーザ遷移は、 1Ｇ4 −3 Ｈ5 の準位間で起こる。しか
し、この場合、Ｐｒイオンでは、フォノンを放出するこ
とによる非輻射遷移により 1Ｇ4 に励起されたイオンが
失活するため、 1Ｇ4 レベルの量子効率は３．４％とい
う低い値である。このため、Ｐｒイオンを添加したフッ
化物光ファイバ増幅器の励起効率は、０．１５〜０．２
ｄＢ／ｍＷに留まっている。
【０００５】この励起効率を少しでも改善するには、コ
ア−クラッド間の比屈折率差を大きくし、ファイバ中の
コアでの光の閉じ込めを良くするという方法がある。具
体的には、３．５％以上の比屈折率差が必要であると言
われている。このため、従来のＺｒＦ4 系ガラスにおい
ては、コアにＬｉＦを添加し、クラッドにＮａＦを添加
する方法、または、コアにＰｂＦ2 を添加する方法、さ
らには、クラッドのＺｒＦ4 をＨｆＦ4 で置換する方法
が取られている。これらの方法を組み合わせることによ
り、比屈折率差３％以上の単一モード光ファイバが作製
されている。
ア−クラッド間の比屈折率差を大きくし、ファイバ中の
コアでの光の閉じ込めを良くするという方法がある。具
体的には、３．５％以上の比屈折率差が必要であると言
われている。このため、従来のＺｒＦ4 系ガラスにおい
ては、コアにＬｉＦを添加し、クラッドにＮａＦを添加
する方法、または、コアにＰｂＦ2 を添加する方法、さ
らには、クラッドのＺｒＦ4 をＨｆＦ4 で置換する方法
が取られている。これらの方法を組み合わせることによ
り、比屈折率差３％以上の単一モード光ファイバが作製
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法におい
て、３．５％以上の比屈折率差を得るには、いずれにし
てもコアガラスへのＰｂＦ2 の添加は不可欠である。し
かし、ガラス組成物においては、ＰｂＦ2 を添加するこ
とにより、ガラスの結晶化傾向が増大する性質がある。
そのため、上記従来の光ファイバでは、ファイバ作製工
程におけるガラスの熱加工時に結晶化がおこり、ファイ
バの散乱損失が著しく増大するという欠点があった。
て、３．５％以上の比屈折率差を得るには、いずれにし
てもコアガラスへのＰｂＦ2 の添加は不可欠である。し
かし、ガラス組成物においては、ＰｂＦ2 を添加するこ
とにより、ガラスの結晶化傾向が増大する性質がある。
そのため、上記従来の光ファイバでは、ファイバ作製工
程におけるガラスの熱加工時に結晶化がおこり、ファイ
バの散乱損失が著しく増大するという欠点があった。
【０００７】本発明は、このような従来の光増幅用光フ
ァイバにおける問題点を解決する方法として、屈折率が
高く、結晶化に対して安定なコアガラス組成を提供する
ことにある。
ァイバにおける問題点を解決する方法として、屈折率が
高く、結晶化に対して安定なコアガラス組成を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、ＺｒＦ4 あるいはＨｆＦ4 を主成分と
するフッ化物ガラスからコアガラスを構成し、このコア
ガラス中のＰｂＦ2 の含有量を１５ｍｏｌ％以下とする
ことを特徴としている。
めに、本発明は、ＺｒＦ4 あるいはＨｆＦ4 を主成分と
するフッ化物ガラスからコアガラスを構成し、このコア
ガラス中のＰｂＦ2 の含有量を１５ｍｏｌ％以下とする
ことを特徴としている。
【０００９】
【作用】前記したように、フッ化物ガラスの結晶化に対
する安定性が、作製したファイバの散乱損失値を決定し
ている。このフッ化物ガラスにおける結晶化特性につい
て、本願発明者らが、実験，検討したところ、次のこと
が判明した。すなわち、その結晶化特性は、ＰｂＦ2 の
含有量により大きく変化し、１２ｍｏｌ％以上添加する
と、安定性が急激に低下し（結晶化しやすくなり）、１
５ｍｏｌを越えると、結晶化は生じないが、ファイバの
作製が困難になる。従って、ＰｂＦ2 の含有量が１５ｍ
ｏｌ％以下のＺｒＦ4 またはＨｆＦ4 を主成分とするフ
ッ化物ガラスをコア材料とすることにより、ファイバ作
製時の結晶化を最小限に抑えることが可能となり、結果
として散乱損失が小さい光ファイバが製造できる。さら
に、この損失の低いファイバを用いて光増幅器を構成す
ることにより、励起効率の高い光ファイバ増幅器が実現
できる。
する安定性が、作製したファイバの散乱損失値を決定し
ている。このフッ化物ガラスにおける結晶化特性につい
て、本願発明者らが、実験，検討したところ、次のこと
が判明した。すなわち、その結晶化特性は、ＰｂＦ2 の
含有量により大きく変化し、１２ｍｏｌ％以上添加する
と、安定性が急激に低下し（結晶化しやすくなり）、１
５ｍｏｌを越えると、結晶化は生じないが、ファイバの
作製が困難になる。従って、ＰｂＦ2 の含有量が１５ｍ
ｏｌ％以下のＺｒＦ4 またはＨｆＦ4 を主成分とするフ
ッ化物ガラスをコア材料とすることにより、ファイバ作
製時の結晶化を最小限に抑えることが可能となり、結果
として散乱損失が小さい光ファイバが製造できる。さら
に、この損失の低いファイバを用いて光増幅器を構成す
ることにより、励起効率の高い光ファイバ増幅器が実現
できる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例によって本発明の効果を詳細に
説明するが、本発明は実施例によって何等制限されるも
のではない。
説明するが、本発明は実施例によって何等制限されるも
のではない。
【００１１】（実施例１）コアガラス組成として、５４
ＺｒＦ4 −（２７−ｘ）ＢａＦ2 −３ＬａＦ3 −３ＹＦ
3 −３ＡｌＦ3 −１０ＬｉＦ−ｘＰｂＦ2 を用い、クラ
ッドガラス組成として、４８ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ
2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −３．５ＡｌＦ3 −
２０ＮａＦを用いた。ｘを変化させて測定したコアガラ
スの結晶化に対する安定性を測定した結果を、図１に示
す。図の縦軸は、一定温度にガラスを保持した場合、結
晶化が開始するまでの時間を表している。ここで、結晶
化の開始時間とは、ガラス中の結晶の体積分率が、１０
-6に達する時間で定義している。コアガラスの軟化温度
は、ＰｂＦ2 の添加量と共に低下するが、光ファイバ作
製に使用する熱加工条件は、クラッドガラスの軟化温度
で決り、このガラス組成に対しては、約３００℃であ
る。この図において、加熱温度３００℃における結晶化
開始時間は、ＰｂＦ2 の添加に伴い、急激に低下し、１
５ｍｏｌ％を越えると、ほぼ一定値に達する。このよう
に、ＺｒＦ4 系フッ化物ガラスの結晶化特性は、ＰｂＦ
2 の添加量によって大きく影響を受ける。
ＺｒＦ4 −（２７−ｘ）ＢａＦ2 −３ＬａＦ3 −３ＹＦ
3 −３ＡｌＦ3 −１０ＬｉＦ−ｘＰｂＦ2 を用い、クラ
ッドガラス組成として、４８ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ
2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −３．５ＡｌＦ3 −
２０ＮａＦを用いた。ｘを変化させて測定したコアガラ
スの結晶化に対する安定性を測定した結果を、図１に示
す。図の縦軸は、一定温度にガラスを保持した場合、結
晶化が開始するまでの時間を表している。ここで、結晶
化の開始時間とは、ガラス中の結晶の体積分率が、１０
-6に達する時間で定義している。コアガラスの軟化温度
は、ＰｂＦ2 の添加量と共に低下するが、光ファイバ作
製に使用する熱加工条件は、クラッドガラスの軟化温度
で決り、このガラス組成に対しては、約３００℃であ
る。この図において、加熱温度３００℃における結晶化
開始時間は、ＰｂＦ2 の添加に伴い、急激に低下し、１
５ｍｏｌ％を越えると、ほぼ一定値に達する。このよう
に、ＺｒＦ4 系フッ化物ガラスの結晶化特性は、ＰｂＦ
2 の添加量によって大きく影響を受ける。
【００１２】上記ガラス組成を用いて、コア径２〜３μ
ｍの単一モード光ファイバを作製し、その伝送損失を測
定した。その結果を図２に示す。図２は、１．２μｍの
信号光における損失値のＰｂＦ2 添加量依存性を示すも
のである。これらの光ファイバの主要な伝送損失要因
は、結晶化による散乱損失である。この図から明らかな
ように、光ファイバの伝送損失は、ＰｂＦ2 の添加量の
増加に伴い、増加し、特に１５ｍｏｌ％を越えると、急
激に増加し、０．０５ｄＢ／ｍ以上の損失になる。この
結果は、図１の結晶化特性の変化に対応している。この
ため、損失を低く保つことに対しては、ＰｂＦ2 の含有
量が１５ｍｏｌ％以下のＺｒＦ4 系フッ化物ガラスをコ
アに用いることが有効であることが分かる。
ｍの単一モード光ファイバを作製し、その伝送損失を測
定した。その結果を図２に示す。図２は、１．２μｍの
信号光における損失値のＰｂＦ2 添加量依存性を示すも
のである。これらの光ファイバの主要な伝送損失要因
は、結晶化による散乱損失である。この図から明らかな
ように、光ファイバの伝送損失は、ＰｂＦ2 の添加量の
増加に伴い、増加し、特に１５ｍｏｌ％を越えると、急
激に増加し、０．０５ｄＢ／ｍ以上の損失になる。この
結果は、図１の結晶化特性の変化に対応している。この
ため、損失を低く保つことに対しては、ＰｂＦ2 の含有
量が１５ｍｏｌ％以下のＺｒＦ4 系フッ化物ガラスをコ
アに用いることが有効であることが分かる。
【００１３】表１に、１から２２のモル％組成で示した
ガラス組成と、これらの組成でコアガラスを作製し、前
記クラッドガラスを用いて作製した光ファイバの１．２
μｍの信号光における伝送損失とを示す。この表より、
いずれの組成においても、ＰｂＦ2 の含有量として１５
ｍｏｌ％以下が必要であることがわかる。
ガラス組成と、これらの組成でコアガラスを作製し、前
記クラッドガラスを用いて作製した光ファイバの１．２
μｍの信号光における伝送損失とを示す。この表より、
いずれの組成においても、ＰｂＦ2 の含有量として１５
ｍｏｌ％以下が必要であることがわかる。
【００１４】
【表１】
【００１５】表２に、表１で示した組成のガラス中のＡ
ｌＦ3 をＩｎＦ3 に置換した組成のガラスおよびそれら
ガラスでコアを作製して構成した光ファイバの損失特性
を示す。なお、クラッドガラスは、前記のものと同様で
ある。この表から明らかなように、ＩｎＦ3 をドーパン
トに用いたガラスにおいても、ＰｂＦ2 添加量を１５ｍ
ｏｌ％以下とすることで、伝送損失の低い光ファイバが
作製できることがわかる。
ｌＦ3 をＩｎＦ3 に置換した組成のガラスおよびそれら
ガラスでコアを作製して構成した光ファイバの損失特性
を示す。なお、クラッドガラスは、前記のものと同様で
ある。この表から明らかなように、ＩｎＦ3 をドーパン
トに用いたガラスにおいても、ＰｂＦ2 添加量を１５ｍ
ｏｌ％以下とすることで、伝送損失の低い光ファイバが
作製できることがわかる。
【００１６】
【表２】
【００１７】コアガラスにＰｂＦ2 を１２．５ｍｏｌ％
添加し、活性イオンとしてＰｒを５００ｐｐｍ添加した
単一モード光ファイバを作製し（表１，２のＮｏ．６の
組成のコアおよび前記クラッドガラス組成を用いて作製
した）、作製した光ファイバを用いて１．３μｍ帯の光
増幅特性を測定した。励起光源としてはＴｉサファイア
レーザ（１．０１７μｍ）を用い、信号光としては波長
可変ＬＤ光源を用いた。ＷＤＭカップラーにより励起光
と信号光とを合波し、２０ｍ長の光ファイバに入射させ
た。出射端側にアイソレータを挿入させ、レーザ発振を
抑えた。信号光は光スペクトラアナライザおよびパワー
メータによりモニターし、利得は励起光のオン、オフ状
態の信号強度比より求めた。図３に１．３１μｍの信号
光における利得の励起光依存性を示す。図３の傾きから
求めた利得係数は、０．２１ｄＢ／ｍＷであり、本発明
のガラス組成をコアに用いることにより、伝送損失の低
い光ファイバが作製でき、その結果、効率の高い光増幅
器が作製できることがわかった。
添加し、活性イオンとしてＰｒを５００ｐｐｍ添加した
単一モード光ファイバを作製し（表１，２のＮｏ．６の
組成のコアおよび前記クラッドガラス組成を用いて作製
した）、作製した光ファイバを用いて１．３μｍ帯の光
増幅特性を測定した。励起光源としてはＴｉサファイア
レーザ（１．０１７μｍ）を用い、信号光としては波長
可変ＬＤ光源を用いた。ＷＤＭカップラーにより励起光
と信号光とを合波し、２０ｍ長の光ファイバに入射させ
た。出射端側にアイソレータを挿入させ、レーザ発振を
抑えた。信号光は光スペクトラアナライザおよびパワー
メータによりモニターし、利得は励起光のオン、オフ状
態の信号強度比より求めた。図３に１．３１μｍの信号
光における利得の励起光依存性を示す。図３の傾きから
求めた利得係数は、０．２１ｄＢ／ｍＷであり、本発明
のガラス組成をコアに用いることにより、伝送損失の低
い光ファイバが作製でき、その結果、効率の高い光増幅
器が作製できることがわかった。
【００１８】コアに使用したＺｒＦ4 系フッ化物ガラス
のＬａＦ3 ，ＹＦ3 ，ＡｌＦ3 ，ＬｉＦの組成を変化さ
せても、ガラスの結晶化特性に対するＰｂＦ2 の影響は
変わらず、ＺｒＦ4 を主成分とするガラスについては、
すべて同様の結晶化傾向を示し、ＰｂＦ2 の含有量が１
５ｍｏｌ％以下で伝送損失の低い光ファイバが作製でき
た。
のＬａＦ3 ，ＹＦ3 ，ＡｌＦ3 ，ＬｉＦの組成を変化さ
せても、ガラスの結晶化特性に対するＰｂＦ2 の影響は
変わらず、ＺｒＦ4 を主成分とするガラスについては、
すべて同様の結晶化傾向を示し、ＰｂＦ2 の含有量が１
５ｍｏｌ％以下で伝送損失の低い光ファイバが作製でき
た。
【００１９】さらに、ＨｆＦ4 を主成分とするガラスに
ついてもＺｒＦ4 を主成分とするガラスと同様に、Ｐｂ
Ｆ2 が１５ｍｏｌ％以下で低伝送損失の光ファイバが作
製できた。
ついてもＺｒＦ4 を主成分とするガラスと同様に、Ｐｂ
Ｆ2 が１５ｍｏｌ％以下で低伝送損失の光ファイバが作
製できた。
【００２０】また、Ｐｒのかわりに、Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓ
ｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ
を用いても、１．２μｍの波長で伝送損失が０．０５ｄ
Ｂ／ｍ以下の単一モード光ファイバが作製できた。
ｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ
を用いても、１．２μｍの波長で伝送損失が０．０５ｄ
Ｂ／ｍ以下の単一モード光ファイバが作製できた。
【００２１】（実施例２）５６ＺｒＦ4 −１９ＢａＦ2
−３．５ＬａＦ3 −２．０ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７
ＬｉＦ−１０ＰｂＦ2 をコアガラスとし、４８ＨｆＦ4
−２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −
３．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦをクラッドガラスに用い、
単一モード光ファイバを作製した。この際、コアガラス
に５００ｐｐｍのＰｒを添加した。この光ファイバのコ
ア径は、１．８μｍであり、比屈折率差は、３．７％で
あった。この光ファイバの伝送損失は、１．２μｍで
０．０３ｄＢ／ｍであり、１．３μｍにおける光増幅特
性を測定した結果、０．２４ｄＢ／ｍＷの利得係数が得
られた。
−３．５ＬａＦ3 −２．０ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７
ＬｉＦ−１０ＰｂＦ2 をコアガラスとし、４８ＨｆＦ4
−２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −
３．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦをクラッドガラスに用い、
単一モード光ファイバを作製した。この際、コアガラス
に５００ｐｐｍのＰｒを添加した。この光ファイバのコ
ア径は、１．８μｍであり、比屈折率差は、３．７％で
あった。この光ファイバの伝送損失は、１．２μｍで
０．０３ｄＢ／ｍであり、１．３μｍにおける光増幅特
性を測定した結果、０．２４ｄＢ／ｍＷの利得係数が得
られた。
【００２２】その他、表１と表２のコアガラス組成と、
４８ＨｆＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −
２．５ＹＦ3 −３．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦのクラッド
ガラス組成とで、光ファイバを作製した。同様な効果が
得られ、本発明の組成のガラスをコアガラスに使用する
ことで、伝送損失の低く比屈折率差の高いの光ファイバ
が作製でき、その結果、効率の高い光ファイバアンプが
作製できた。
４８ＨｆＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −
２．５ＹＦ3 −３．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦのクラッド
ガラス組成とで、光ファイバを作製した。同様な効果が
得られ、本発明の組成のガラスをコアガラスに使用する
ことで、伝送損失の低く比屈折率差の高いの光ファイバ
が作製でき、その結果、効率の高い光ファイバアンプが
作製できた。
【００２３】（実施例３）５６ＨｆＦ4 −１９ＢａＦ2
−３．５ＬａＦ3 −２．０ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７
ＬｉＦ−１０ＰｂＦ2 をコアガラスとし、４８ＨｆＦ4
−２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −
３．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦをクラッドガラスに用いた
以外は、実施例１と同様の方法で光ファイバを作製し
た。
−３．５ＬａＦ3 −２．０ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７
ＬｉＦ−１０ＰｂＦ2 をコアガラスとし、４８ＨｆＦ4
−２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −
３．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦをクラッドガラスに用いた
以外は、実施例１と同様の方法で光ファイバを作製し
た。
【００２４】得られた光ファイバの伝送損失は、０．０
３５ｄＢ／ｍであり、また、表１と表２のＺｒＦ4 をＨ
ｆＦ4 に変更した以外は同じ組成のコアガラスと、前記
クラッドガラス（４８ＨｆＦ4 −２３．５ＢａＦ2 …２
０ＮａＦ）とで、光ファイバを作製したところ、ＰｂＦ
2 の添加量が１５ｍｏｌ％までは、０．０５ｄＢ／ｍ以
下の伝送損失の低い光ファイバが作製できた。
３５ｄＢ／ｍであり、また、表１と表２のＺｒＦ4 をＨ
ｆＦ4 に変更した以外は同じ組成のコアガラスと、前記
クラッドガラス（４８ＨｆＦ4 −２３．５ＢａＦ2 …２
０ＮａＦ）とで、光ファイバを作製したところ、ＰｂＦ
2 の添加量が１５ｍｏｌ％までは、０．０５ｄＢ／ｍ以
下の伝送損失の低い光ファイバが作製できた。
【００２５】作製した光ファイバを用い、１．３μｍの
光増幅特性を測定した結果、０．２０ｄＢ／ｍＷの利得
係数が得られた。
光増幅特性を測定した結果、０．２０ｄＢ／ｍＷの利得
係数が得られた。
【００２６】（実施例４）５８．５ＨｆＦ4 −１９Ｂａ
Ｆ2 −３．５ＬａＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７ＬｉＦ−１
０ＰｂＦ2 をコアガラスとし、４８ＨｆＦ4 −２３．５
ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −３．５Ａｌ
Ｆ3 −２０ＮａＦをクラッドガラスに用いた以外は、実
施例１と同様の方法で光ファイバを作製した。
Ｆ2 −３．５ＬａＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７ＬｉＦ−１
０ＰｂＦ2 をコアガラスとし、４８ＨｆＦ4 −２３．５
ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −３．５Ａｌ
Ｆ3 −２０ＮａＦをクラッドガラスに用いた以外は、実
施例１と同様の方法で光ファイバを作製した。
【００２７】得られたファイバの伝送損失は、０．０２
５ｄＢ／ｍであり、ＰｂＦ2 の添加量が１５ｍｏｌ％ま
では０．０５ｄＢ／ｍ以下の伝送損失の低い光ファイバ
が作製できた。
５ｄＢ／ｍであり、ＰｂＦ2 の添加量が１５ｍｏｌ％ま
では０．０５ｄＢ／ｍ以下の伝送損失の低い光ファイバ
が作製できた。
【００２８】作製した光ファイバを用い、１．３μｍの
光増幅特性を測定した結果、０．２３ｄＢ／ｍＷの利得
係数が得られた。
光増幅特性を測定した結果、０．２３ｄＢ／ｍＷの利得
係数が得られた。
【００２９】
【発明の効果】以上、実施例で説明したように、本発明
によれば、屈折率の高いコアガラスが結晶化することな
く作製できるため、このガラスをコアに用いて作製した
ファイバは、結晶化による散乱損失が小さく、このファ
イバを用いることにより、利得係数の大きい光ファイバ
アンプが作製できる。この利得係数の向上は、実用化に
不可欠な半導体レーザによる励起による増幅器を構成で
きる。
によれば、屈折率の高いコアガラスが結晶化することな
く作製できるため、このガラスをコアに用いて作製した
ファイバは、結晶化による散乱損失が小さく、このファ
イバを用いることにより、利得係数の大きい光ファイバ
アンプが作製できる。この利得係数の向上は、実用化に
不可欠な半導体レーザによる励起による増幅器を構成で
きる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのもの
で、コアガラスとして用いるガラス組成５４ＺｒＦ4 −
（２７−ｘ）ＢａＦ2 −３ＬａＦ3 −３ＹＦ3 −３Ａｌ
Ｆ3 −１０ＬｉＦ−ｘＰｂＦ2 において、ｘを変化させ
て作製したガラスの結晶化特性を示すグラフである。
で、コアガラスとして用いるガラス組成５４ＺｒＦ4 −
（２７−ｘ）ＢａＦ2 −３ＬａＦ3 −３ＹＦ3 −３Ａｌ
Ｆ3 −１０ＬｉＦ−ｘＰｂＦ2 において、ｘを変化させ
て作製したガラスの結晶化特性を示すグラフである。
【図２】前記組成において、ｘを変化させたガラスをコ
アにして作製した光ファイバの１．２μｍの信号光にお
ける伝送損失を示すグラフである。
アにして作製した光ファイバの１．２μｍの信号光にお
ける伝送損失を示すグラフである。
【図３】実施例１で作製したファイバを用いて測定した
１．３１μｍの信号光の増幅特性を示すグラフである。
１．３１μｍの信号光の増幅特性を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須藤 昭一 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 照沼 幸雄 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 西田 好毅 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 森 淳 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ＺｒＦ4 あるいはＨｆＦ4 を主成分と
し、希土類イオンを含むフッ化物ガラスからコアガラス
が構成される光増幅器用光ファイバにおいて、前記コア
ガラスがＰｂＦ2 を含み、該ＰｂＦ2 の含有量が、該コ
アガラス中の全ドーパントの１５ｍｏｌ％以下であるこ
とを特徴とする光増幅用光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161433A JPH0722688A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光増幅用光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161433A JPH0722688A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光増幅用光ファイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722688A true JPH0722688A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15735023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5161433A Pending JPH0722688A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光増幅用光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722688A (ja) |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5161433A patent/JPH0722688A/ja active Pending
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