JP3221526B2 - 光増幅用光ファイバ - Google Patents
光増幅用光ファイバInfo
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- glass
- core
- optical fiber
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- Glass Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低損失で効率の高い光
増幅用フッ化物光ファイバに関するものである。
増幅用フッ化物光ファイバに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、フッ化物系ガラスを構成
材料としたフッ化物光ファイバは、フッ化物系ガラスが
低いフォノンエネルギーを持つことから、レーザや光フ
ァイバ増幅器用の良好なホスト媒体として注目されてい
る。発光イオンのホスト媒体としての適用において、光
ファイバ増幅器の高効率化を図るには、（１）コア−ク
ラッド間の比屈折率差（Δｎ）を大きくして、ファイバ
のコア中での励起光のパワー密度を高くすること、
（２）ホスト媒体自身がもつフォノンエネルギーを小さ
くし、光増幅用の発光イオンの蛍光寿命を長くするこ
と、（３）ドープした発光イオンの配位子場を制御し
て、発光イオンの励起順位の蛍光寿命を長くすることが
有効とされている。
材料としたフッ化物光ファイバは、フッ化物系ガラスが
低いフォノンエネルギーを持つことから、レーザや光フ
ァイバ増幅器用の良好なホスト媒体として注目されてい
る。発光イオンのホスト媒体としての適用において、光
ファイバ増幅器の高効率化を図るには、（１）コア−ク
ラッド間の比屈折率差（Δｎ）を大きくして、ファイバ
のコア中での励起光のパワー密度を高くすること、
（２）ホスト媒体自身がもつフォノンエネルギーを小さ
くし、光増幅用の発光イオンの蛍光寿命を長くするこ
と、（３）ドープした発光イオンの配位子場を制御し
て、発光イオンの励起順位の蛍光寿命を長くすることが
有効とされている。
【０００３】これらの方法のうち、（１）の比屈折率差
（Δｎ）を大きくすることに関しては、特願平３−２１
３５６８号明細書に記載されているように、従来のＺｒ
Ｆ4系フッ化物ガラス製光ファイバにおいて、ＰｂＦ2
をコアガラスに添加することによって、コア、クラッド
間の比屈折率差（Δｎ）を大きくする方法がなされてお
り、Δｎを３．７％に上げることによって、Ｐｒドープ
光ファイバ増幅器で０．２ｄＢ／ｍＷの利得係数が達成
されている。しかし、この光ファイバでは、これ以上の
高Δｎ化は困難で、たとえ高Δｎ化しても、利得係数の
大幅な向上は期待できないという問題があった。
（Δｎ）を大きくすることに関しては、特願平３−２１
３５６８号明細書に記載されているように、従来のＺｒ
Ｆ4系フッ化物ガラス製光ファイバにおいて、ＰｂＦ2
をコアガラスに添加することによって、コア、クラッド
間の比屈折率差（Δｎ）を大きくする方法がなされてお
り、Δｎを３．７％に上げることによって、Ｐｒドープ
光ファイバ増幅器で０．２ｄＢ／ｍＷの利得係数が達成
されている。しかし、この光ファイバでは、これ以上の
高Δｎ化は困難で、たとえ高Δｎ化しても、利得係数の
大幅な向上は期待できないという問題があった。
【０００４】また、（２）については、従来のＺｒＦ4
系フッ化物ガラス製光ファイバにおいては、Ｚｒ−Ｆの
結合による５００ｃｍ-1近傍のエネルギーを持ったフォ
ノンによる非輻射遷移のために、ドープされた発光イオ
ンの励起順位での蛍光寿命が制限され、光増幅用発光イ
オンの量子効率が小さくなるとされていた。この点につ
いては、特願平４−１５７０５８号明細書に記載されて
いるような、フォノンエネルギーの小さいＩｎＦ3 系の
フッ化物ガラスを用いることにより、蛍光寿命を倍に改
善することが試みられているが、ガラスの熱安定に問題
があって、ファイバの損失が高く、光増幅の高効率化は
まだ実現していない。
系フッ化物ガラス製光ファイバにおいては、Ｚｒ−Ｆの
結合による５００ｃｍ-1近傍のエネルギーを持ったフォ
ノンによる非輻射遷移のために、ドープされた発光イオ
ンの励起順位での蛍光寿命が制限され、光増幅用発光イ
オンの量子効率が小さくなるとされていた。この点につ
いては、特願平４−１５７０５８号明細書に記載されて
いるような、フォノンエネルギーの小さいＩｎＦ3 系の
フッ化物ガラスを用いることにより、蛍光寿命を倍に改
善することが試みられているが、ガラスの熱安定に問題
があって、ファイバの損失が高く、光増幅の高効率化は
まだ実現していない。
【０００５】さらに、（３）については、従来のフッ化
物ガラス製光ファイバにおいては、光増幅用にドープさ
れた発光イオンはガラス中のさまざまなサイトに分布し
ており、そのサイト（配位子場）に応じた価数状態をと
っている。したがって、ガラス中において発光イオンは
異なる蛍光寿命をもって存在しており、例えば、希土類
元素を発光イオンとして高濃度にドープした場合、長い
蛍光寿命を持った希土類イオンと、短い蛍光寿命を持っ
た希土類イオン間の相互作用（大石泰丈他、ＯＱＥ９１
−１１２、ｐ６１参照）のために、光増幅にあずかる希
土類イオンの蛍光寿命が短くなり、光ファイバ増幅器に
応用した場合、低濃度ドープに比べ、効率が悪くなると
いう問題が指摘されていた。この点に関しては、特願平
５−２０１２１号明細書に記載されているように、アル
カリフッ化物によって配位子場の制御が試みられてお
り、これによって高濃度の希土類イオンドープにおいて
も蛍光寿命の低下（濃度消光）が小さくなるので、利得
係数の低下が防げるとされている。しかし、このアルカ
リフッ化物による配位子場の制御においては、増幅効率
は、高濃度ドープでは改善されるが、低濃度で実現され
る利得係数の最大値そのものの改善効果はほとんどな
い、という欠点があった。
物ガラス製光ファイバにおいては、光増幅用にドープさ
れた発光イオンはガラス中のさまざまなサイトに分布し
ており、そのサイト（配位子場）に応じた価数状態をと
っている。したがって、ガラス中において発光イオンは
異なる蛍光寿命をもって存在しており、例えば、希土類
元素を発光イオンとして高濃度にドープした場合、長い
蛍光寿命を持った希土類イオンと、短い蛍光寿命を持っ
た希土類イオン間の相互作用（大石泰丈他、ＯＱＥ９１
−１１２、ｐ６１参照）のために、光増幅にあずかる希
土類イオンの蛍光寿命が短くなり、光ファイバ増幅器に
応用した場合、低濃度ドープに比べ、効率が悪くなると
いう問題が指摘されていた。この点に関しては、特願平
５−２０１２１号明細書に記載されているように、アル
カリフッ化物によって配位子場の制御が試みられてお
り、これによって高濃度の希土類イオンドープにおいて
も蛍光寿命の低下（濃度消光）が小さくなるので、利得
係数の低下が防げるとされている。しかし、このアルカ
リフッ化物による配位子場の制御においては、増幅効率
は、高濃度ドープでは改善されるが、低濃度で実現され
る利得係数の最大値そのものの改善効果はほとんどな
い、という欠点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の問題と欠点を解決した、低損失で高効率な光増幅用光
ファイバを提供することにある。
の問題と欠点を解決した、低損失で高効率な光増幅用光
ファイバを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記欠点を解決するため
に、本発明の光増幅用光ファイバは、コアとクラッドを
有し、コアを構成するガラスが発光イオンを含むフッ化
物系ガラス系であり、そのコアガラスに含有されるＡｌ
Ｆ3 が１．５ｍｏｌ％以下であることを特徴としてい
る。
に、本発明の光増幅用光ファイバは、コアとクラッドを
有し、コアを構成するガラスが発光イオンを含むフッ化
物系ガラス系であり、そのコアガラスに含有されるＡｌ
Ｆ3 が１．５ｍｏｌ％以下であることを特徴としてい
る。
【０００８】かかる構成において、コア母相を、ＺｒＦ
4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれた少なくとも１種を
４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、およびＰｂ
Ｆ2をそれぞれ、１０ｍｏｌ％以下、６〜３５ｍｏｌ
％、および２５ｍｏｌ％以下、かつ、ＢａＦ2 ＋ＳｒＦ
2 ＋ＰｂＦ2 を１７〜３５ｍｏｌ％、ＬａＦ3 、ＧｄＦ
3 、ＬｕＦ3 をそれぞれ８ｍｏｌ％以下、ＳｃＦ3 、Ｙ
Ｆ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 をそれぞれ６ｍｏｌ％以下、
ＴｈＦ4 を１０．５ｍｏｌ％以下、ＬｉＦ、ＮａＦ、Ｋ
Ｆ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ２５ｍｏｌ％以下、Ａｌ
Ｆ3 を１．５ｍｏｌ％以下含有し、かつそれらの合計が
１００ｍｏｌ％であるフッ化物ガラスより構成してもよ
い。
4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれた少なくとも１種を
４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、およびＰｂ
Ｆ2をそれぞれ、１０ｍｏｌ％以下、６〜３５ｍｏｌ
％、および２５ｍｏｌ％以下、かつ、ＢａＦ2 ＋ＳｒＦ
2 ＋ＰｂＦ2 を１７〜３５ｍｏｌ％、ＬａＦ3 、ＧｄＦ
3 、ＬｕＦ3 をそれぞれ８ｍｏｌ％以下、ＳｃＦ3 、Ｙ
Ｆ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 をそれぞれ６ｍｏｌ％以下、
ＴｈＦ4 を１０．５ｍｏｌ％以下、ＬｉＦ、ＮａＦ、Ｋ
Ｆ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ２５ｍｏｌ％以下、Ａｌ
Ｆ3 を１．５ｍｏｌ％以下含有し、かつそれらの合計が
１００ｍｏｌ％であるフッ化物ガラスより構成してもよ
い。
【０００９】また、前記構成において、クラッド母相
を、ＺｒＦ4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれた少なく
とも１種を４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、
およびＰｂＦ2 をそれぞれ、１０ｍｏｌ％以下、６〜３
５ｍｏｌ％、および２５ｍｏｌ％以下、かつ、ＢａＦ2
＋ＳｒＦ2 ＋ＰｂＦ2 が１７〜３５ｍｏｌ％、Ｌａ
Ｆ3、ＧｄＦ3 、ＬｕＦ3 をそれぞれ８ｍｏｌ％以下、
ＳｃＦ3 、ＹＦ3 、ＧａＦ3、ＩｎＦ3 をそれぞれ６ｍ
ｏｌ％以下、ＴｈＦ4 を１０．５ｍｏｌ％以下、Ｌｉ
Ｆ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ２５ｍｏ
ｌ％以下、ＡｌＦ3 を６ｍｏｌ％以下、ＢｅＦ2 を１０
ｍｏｌ％以下含有し、かつそれらの合計が１００ｍｏｌ
％であるフッ化物ガラスより構成してもよい。
を、ＺｒＦ4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれた少なく
とも１種を４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、
およびＰｂＦ2 をそれぞれ、１０ｍｏｌ％以下、６〜３
５ｍｏｌ％、および２５ｍｏｌ％以下、かつ、ＢａＦ2
＋ＳｒＦ2 ＋ＰｂＦ2 が１７〜３５ｍｏｌ％、Ｌａ
Ｆ3、ＧｄＦ3 、ＬｕＦ3 をそれぞれ８ｍｏｌ％以下、
ＳｃＦ3 、ＹＦ3 、ＧａＦ3、ＩｎＦ3 をそれぞれ６ｍ
ｏｌ％以下、ＴｈＦ4 を１０．５ｍｏｌ％以下、Ｌｉ
Ｆ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ２５ｍｏ
ｌ％以下、ＡｌＦ3 を６ｍｏｌ％以下、ＢｅＦ2 を１０
ｍｏｌ％以下含有し、かつそれらの合計が１００ｍｏｌ
％であるフッ化物ガラスより構成してもよい。
【００１０】本発明においては、図１に示すように、光
増幅用光ファイバのコアガラスに含有されるＡｌＦ3 を
１．５ｍｏｌ％以下にすることによって、ドープされた
発光イオンの励起順位での蛍光寿命が伸びるため、光フ
ァイバ増幅器に応用した場合、量子効率が改善され、光
増幅の高効率化が図れる。
増幅用光ファイバのコアガラスに含有されるＡｌＦ3 を
１．５ｍｏｌ％以下にすることによって、ドープされた
発光イオンの励起順位での蛍光寿命が伸びるため、光フ
ァイバ増幅器に応用した場合、量子効率が改善され、光
増幅の高効率化が図れる。
【００１１】従来の光増幅用ＺｒＦ4 系フッ化物ガラス
製の光ファイバは、２．５−６ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を含
有していた。このＡｌＦ3 は、Ａｌ−Ｆの結合による６
００ｃｍ-1近傍の高いエネルギーのフォノン振動を持つ
が、主成分のＺｒＦ4 に比べ、低濃度であるため、ドー
プされたＰｒ等の発光イオンの励起順位での蛍光寿命に
影響を与えるとは考えられておらず、蛍光寿命は、Ｚｒ
−Ｆの結合による５００ｃｍ-1近傍のエネルギーを持っ
たフォノンによる非輻射遷移によって、規定されるとさ
れていた。しかしながら、本発明によって、即ち光増幅
用フッ化物ガラス光ファイバのコアに含有されるＡｌＦ
3 を１．５ｍｏｌ％以下にすることによって、ドープさ
れた発光イオンの励起順位での蛍光寿命が従来のＺｒＦ
4 系フッ化物ガラスホスト中より伸びることから、光増
幅用発光イオンとしてドープされた希土類元素等の発光
イオンはＡｌＦ3 の近傍のサイトに選択的に入ることが
示唆される。したがって、従来のフッ化物ガラスホスト
においては、発光イオンの蛍光寿命はＡｌＦ3 のフォノ
ン振動による制限を受けていたと考えられ、本発明はそ
の制限を除去するので、上述した（１）と（２）の効果
により、蛍光寿命が伸び、したがって、光増幅の高効率
化が実現できる。
製の光ファイバは、２．５−６ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を含
有していた。このＡｌＦ3 は、Ａｌ−Ｆの結合による６
００ｃｍ-1近傍の高いエネルギーのフォノン振動を持つ
が、主成分のＺｒＦ4 に比べ、低濃度であるため、ドー
プされたＰｒ等の発光イオンの励起順位での蛍光寿命に
影響を与えるとは考えられておらず、蛍光寿命は、Ｚｒ
−Ｆの結合による５００ｃｍ-1近傍のエネルギーを持っ
たフォノンによる非輻射遷移によって、規定されるとさ
れていた。しかしながら、本発明によって、即ち光増幅
用フッ化物ガラス光ファイバのコアに含有されるＡｌＦ
3 を１．５ｍｏｌ％以下にすることによって、ドープさ
れた発光イオンの励起順位での蛍光寿命が従来のＺｒＦ
4 系フッ化物ガラスホスト中より伸びることから、光増
幅用発光イオンとしてドープされた希土類元素等の発光
イオンはＡｌＦ3 の近傍のサイトに選択的に入ることが
示唆される。したがって、従来のフッ化物ガラスホスト
においては、発光イオンの蛍光寿命はＡｌＦ3 のフォノ
ン振動による制限を受けていたと考えられ、本発明はそ
の制限を除去するので、上述した（１）と（２）の効果
により、蛍光寿命が伸び、したがって、光増幅の高効率
化が実現できる。
【００１２】具体的には、本実施例のガラスをコアに用
いたファイバでＰｒドープファイバ光増幅器を構成した
場合、図１に示すように、蛍光寿命が２０−２５％伸び
るため、従来のＡｌＦ3 成分を持つ光ファイバに比べ、
同一の駆動条件では、利得が２０−２５％向上する（例
えば、２０ｄＢ（１００倍）の利得であれば２４−２５
ｄＢ（２５０−３００倍）となる）。また、一定の利得
が必要な場合には、駆動条件をゆるく設定できるので
（例えば、励起光源に用いるレーザーダイオードの注入
電流を７５−８０％に低下できる）、光増幅器の大幅な
長寿命化が図れる。
いたファイバでＰｒドープファイバ光増幅器を構成した
場合、図１に示すように、蛍光寿命が２０−２５％伸び
るため、従来のＡｌＦ3 成分を持つ光ファイバに比べ、
同一の駆動条件では、利得が２０−２５％向上する（例
えば、２０ｄＢ（１００倍）の利得であれば２４−２５
ｄＢ（２５０−３００倍）となる）。また、一定の利得
が必要な場合には、駆動条件をゆるく設定できるので
（例えば、励起光源に用いるレーザーダイオードの注入
電流を７５−８０％に低下できる）、光増幅器の大幅な
長寿命化が図れる。
【００１３】なお、上述したフッ化物ガラスの成分中の
フッ素の一部を１種または２種以上の他のハロゲン元
素、例えば、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、沃素（Ｉ）
で置換したミックスハライドガラスを用いても、同様の
効果を得ることができる。
フッ素の一部を１種または２種以上の他のハロゲン元
素、例えば、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、沃素（Ｉ）
で置換したミックスハライドガラスを用いても、同様の
効果を得ることができる。
【００１４】また、本発明のコアガラスを用いて、Δｎ
の高い、低損失ファイバを作製するには、クラッドとし
て熱安定性が高く、屈折率の低いガラスが必要となる
が、これには(i) 上述したコア用ガラス組成の中から低
屈折率のものを選ぶか、(ii)上述したコア用ガラス組成
に６ｍｏｌ％以下のＡｌＦ3 を添加した低屈折率ガラス
を用いるか、(iii) 上述したコア用ガラス組成に１０ｍ
ｏｌ％以下のＢｅＦ2 を添加した低屈折率ガラスを用い
ることにより、実現できる。即ち、クラッド用のガラス
組成として、ＺｒＦ4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれ
た少なくとも１種を４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、Ｂ
ａＦ2 、およびＰｂＦ2 をそれぞれ、１０ｍｏｌ％以
下、６〜３５ｍｏｌ％、および２５ｍｏｌ％以下、か
つ、ＢａＦ2 ＋ＳｒＦ2 ＋ＰｂＦ2 が１７〜３５ｍｏｌ
％、ＬａＦ3 、ＧｄＦ3 、ＬｕＦ3 をそれぞれ８ｍｏｌ
％以下、ＳｃＦ3 、ＹＦ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 をそれ
ぞれ６ｍｏｌ％以下、ＴｈＦ4 を１０．５ｍｏｌ％以
下、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ
２５ｍｏｌ％以下、ＡｌＦ3 を６ｍｏｌ％以下，ＢｅＦ
2 を１０ｍｏｌ％以下含有し、かつその合計が１００ｍ
ｏｌ％であるフッ化物ガラスを、用いればよい。
の高い、低損失ファイバを作製するには、クラッドとし
て熱安定性が高く、屈折率の低いガラスが必要となる
が、これには(i) 上述したコア用ガラス組成の中から低
屈折率のものを選ぶか、(ii)上述したコア用ガラス組成
に６ｍｏｌ％以下のＡｌＦ3 を添加した低屈折率ガラス
を用いるか、(iii) 上述したコア用ガラス組成に１０ｍ
ｏｌ％以下のＢｅＦ2 を添加した低屈折率ガラスを用い
ることにより、実現できる。即ち、クラッド用のガラス
組成として、ＺｒＦ4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれ
た少なくとも１種を４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、Ｂ
ａＦ2 、およびＰｂＦ2 をそれぞれ、１０ｍｏｌ％以
下、６〜３５ｍｏｌ％、および２５ｍｏｌ％以下、か
つ、ＢａＦ2 ＋ＳｒＦ2 ＋ＰｂＦ2 が１７〜３５ｍｏｌ
％、ＬａＦ3 、ＧｄＦ3 、ＬｕＦ3 をそれぞれ８ｍｏｌ
％以下、ＳｃＦ3 、ＹＦ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 をそれ
ぞれ６ｍｏｌ％以下、ＴｈＦ4 を１０．５ｍｏｌ％以
下、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ
２５ｍｏｌ％以下、ＡｌＦ3 を６ｍｏｌ％以下，ＢｅＦ
2 を１０ｍｏｌ％以下含有し、かつその合計が１００ｍ
ｏｌ％であるフッ化物ガラスを、用いればよい。
【００１５】本発明の光増幅用光ファイバのコアにドー
プされる発光イオンとしては、１．３μｍ帯の用途に対
しては、Ｐｒ、Ｐｒ−Ｙｂ、Ｐｒ−ＮｄおよびＰｒ−Ｅ
ｒからなる群から選ばれた一種を使用することができ
る。また、これ以外にもＰｒ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ等の希土類元素の発光イオンや、Ｃｒ等の遷移
金属元素の発光イオンをドープすることにより、種々の
波長においての光増幅の高効率化が可能になるので、光
通信システムの高性能化・経済化を図ることができる。
プされる発光イオンとしては、１．３μｍ帯の用途に対
しては、Ｐｒ、Ｐｒ−Ｙｂ、Ｐｒ−ＮｄおよびＰｒ−Ｅ
ｒからなる群から選ばれた一種を使用することができ
る。また、これ以外にもＰｒ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ等の希土類元素の発光イオンや、Ｃｒ等の遷移
金属元素の発光イオンをドープすることにより、種々の
波長においての光増幅の高効率化が可能になるので、光
通信システムの高性能化・経済化を図ることができる。
【００１６】次に本発明を詳細に説明する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００１８】（実施例１）図２は、本発明のコアガラス
の組成を、５４．５ＺｒＦ4 −１５．５ＢａＦ2−１２
ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3
−１０ＣｓＦ（ｍｏｌ％）にするとともに、光増幅用発
光イオンとしてＰｒを１００〜５０００ｐｐｍドープし
たときの、 1Ｇ4 レベルの蛍光寿命を測定した結果を示
すグラフである。５００ｐｐｍのＰｒ濃度の蛍光寿命
は、１３５μｓｅｃとなっており、次の比較例１に示す
ＡｌＦ3 成分を持つ従来のガラス中の１１０μｓｅｃに
比べ、約２０％蛍光寿命が伸びていることが明白に分か
る。このコア用ガラスを化学分析した結果、ＡｌＦ3 の
混入は０．５ｍｏｌ％以下であり、また、他の成分の組
成ずれも０．５ｍｏｌ％以下であった。
の組成を、５４．５ＺｒＦ4 −１５．５ＢａＦ2−１２
ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3
−１０ＣｓＦ（ｍｏｌ％）にするとともに、光増幅用発
光イオンとしてＰｒを１００〜５０００ｐｐｍドープし
たときの、 1Ｇ4 レベルの蛍光寿命を測定した結果を示
すグラフである。５００ｐｐｍのＰｒ濃度の蛍光寿命
は、１３５μｓｅｃとなっており、次の比較例１に示す
ＡｌＦ3 成分を持つ従来のガラス中の１１０μｓｅｃに
比べ、約２０％蛍光寿命が伸びていることが明白に分か
る。このコア用ガラスを化学分析した結果、ＡｌＦ3 の
混入は０．５ｍｏｌ％以下であり、また、他の成分の組
成ずれも０．５ｍｏｌ％以下であった。
【００１９】（実施例２）後出の表１，表２，表３のガ
ラス組成（ｍｏｌ％）に対し、光増幅用発光イオンとし
てＰｒを５００ｐｐｍドープした時の 1Ｇ4 レベルの蛍
光寿命を測定した結果、寿命は１３０〜１４０μｓｅｃ
であった。これらの表のガラス組成は配合組成である。
比較例１に示す２．５ｍｏｌ％以上のＡｌＦ3 成分を持
つ従来のガラス中に比べ、２０％以上蛍光寿命が伸びて
いることが明白に分かる。表１〜表３のコアガラスを化
学分析した結果、ＡｌＦ3 の混入は、すべてのガラスに
おいて０．５ｍｏｌ％以下であり、また、他の成分の組
成ずれも０．５ｍｏｌ％以下であった。したがって、本
実施例から長寿命化が実現されるガラス組成範囲は、Ｚ
ｒＦ4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれた少なくとも１
種が４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、および
ＰｂＦ2 がそれぞれ、１０ｍｏｌ％以下、６〜３５ｍｏ
ｌ％、および２５ｍｏｌ％以下、かつ、ＢａＦ2 ＋Ｓｒ
Ｆ2 ＋ＰｂＦ2が１７〜３５ｍｏｌ％、ＬａＦ3 、Ｇｄ
Ｆ3 、ＬｕＦ3 がそれぞれ８ｍｏｌ％以下、ＳｃＦ3 、
ＹＦ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 がそれぞれ６ｍｏｌ％以
下、ＴｈＦ4 が１０．５ｍｏｌ％以下、ＬｉＦ、Ｎａ
Ｆ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ２５ｍｏｌ％以下
で、かつその合計が１００ｍｏｌ％であることが表１〜
３から分かる。また図１を考慮すると、この組成に１．
５ｍｏｌ％以下のＡｌＦ3 を加えても同様の長寿命化が
図れる。
ラス組成（ｍｏｌ％）に対し、光増幅用発光イオンとし
てＰｒを５００ｐｐｍドープした時の 1Ｇ4 レベルの蛍
光寿命を測定した結果、寿命は１３０〜１４０μｓｅｃ
であった。これらの表のガラス組成は配合組成である。
比較例１に示す２．５ｍｏｌ％以上のＡｌＦ3 成分を持
つ従来のガラス中に比べ、２０％以上蛍光寿命が伸びて
いることが明白に分かる。表１〜表３のコアガラスを化
学分析した結果、ＡｌＦ3 の混入は、すべてのガラスに
おいて０．５ｍｏｌ％以下であり、また、他の成分の組
成ずれも０．５ｍｏｌ％以下であった。したがって、本
実施例から長寿命化が実現されるガラス組成範囲は、Ｚ
ｒＦ4 とＨｆＦ4 よりなる群から選ばれた少なくとも１
種が４５〜６３ｍｏｌ％、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、および
ＰｂＦ2 がそれぞれ、１０ｍｏｌ％以下、６〜３５ｍｏ
ｌ％、および２５ｍｏｌ％以下、かつ、ＢａＦ2 ＋Ｓｒ
Ｆ2 ＋ＰｂＦ2が１７〜３５ｍｏｌ％、ＬａＦ3 、Ｇｄ
Ｆ3 、ＬｕＦ3 がそれぞれ８ｍｏｌ％以下、ＳｃＦ3 、
ＹＦ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 がそれぞれ６ｍｏｌ％以
下、ＴｈＦ4 が１０．５ｍｏｌ％以下、ＬｉＦ、Ｎａ
Ｆ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦをそれぞれ２５ｍｏｌ％以下
で、かつその合計が１００ｍｏｌ％であることが表１〜
３から分かる。また図１を考慮すると、この組成に１．
５ｍｏｌ％以下のＡｌＦ3 を加えても同様の長寿命化が
図れる。
【００２０】（比較例１）後出の表４の２．５ｍｏｌ％
以上のＡｌＦ3 を含有する従来の光増幅用フッ化物ファ
イバのコアガラス組成（ｍｏｌ％）に対し、光増幅用発
光イオンとしてＰｒを５００ｐｐｍドープした時の 1Ｇ
4 レベルの蛍光寿命を測定した結果、寿命は１０５〜１
１０μｓｅｃであった。ガラス組成は配合組成である。
前の実施例１，２に示す本発明の光ファイバのガラスに
比べ、蛍光寿命が短いことが明白に分かる。表２のコア
ガラスを化学分析した結果、ＡｌＦ3 の組成ずれはすべ
て０．５ｍｏｌ％以下であり、また、他の成分の組成ず
れも０．５ｍｏｌ％以下であって、配合通りの組成にな
っていることが分かった。
以上のＡｌＦ3 を含有する従来の光増幅用フッ化物ファ
イバのコアガラス組成（ｍｏｌ％）に対し、光増幅用発
光イオンとしてＰｒを５００ｐｐｍドープした時の 1Ｇ
4 レベルの蛍光寿命を測定した結果、寿命は１０５〜１
１０μｓｅｃであった。ガラス組成は配合組成である。
前の実施例１，２に示す本発明の光ファイバのガラスに
比べ、蛍光寿命が短いことが明白に分かる。表２のコア
ガラスを化学分析した結果、ＡｌＦ3 の組成ずれはすべ
て０．５ｍｏｌ％以下であり、また、他の成分の組成ず
れも０．５ｍｏｌ％以下であって、配合通りの組成にな
っていることが分かった。
【００２１】（実施例３）コア、クラッド組成をそれぞ
れ、５６ＺｒＦ4 −１５．５ＢａＦ2 −１３．５ＰｂＦ
2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3 −７Ｌ
ｉＦ、４７．５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５Ｌ
ａＦ3 −２ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏ
ｌ％）とし、コアに５００ｐｐｍのＰｒをドープした、
コア径１．８μｍ、外径１２５μｍの光ファイバを作製
した。得られた単一モード光ファイバのΔｎは３．７％
であり、カットオフ波長は０．９９μｍで、損失は５０
ｄＢ／ｋｍ（波長１．２μｍ）であった。このファイバ
の４０ｍと発振波長１．０１７μｍのレーザーダイオー
ドを励起光源に用いた光増幅器で、０．２８ｄＢ／ｍＷ
の高い利得係数が得られるとともに、図３に示すよう
に、励起光パワー１００ｍＷで２５ｄＢの高利得が得ら
れた。これらの値は、従来の、２．５〜４．５ｍｏｌ％
のＡｌＦ3 と５００ｐｐｍのＰｒをコアに含有するＺｒ
Ｆ4 系フッ化物ガラス光ファイバを用いた光増幅器での
利得係数０．２０ｄＢ／ｍＷと、励起光パワー１００ｍ
Ｗでの利得１９ｄＢより、大幅に大きく、増幅効率が改
善されたことが明らかに分かる。
れ、５６ＺｒＦ4 −１５．５ＢａＦ2 −１３．５ＰｂＦ
2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3 −７Ｌ
ｉＦ、４７．５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５Ｌ
ａＦ3 −２ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏ
ｌ％）とし、コアに５００ｐｐｍのＰｒをドープした、
コア径１．８μｍ、外径１２５μｍの光ファイバを作製
した。得られた単一モード光ファイバのΔｎは３．７％
であり、カットオフ波長は０．９９μｍで、損失は５０
ｄＢ／ｋｍ（波長１．２μｍ）であった。このファイバ
の４０ｍと発振波長１．０１７μｍのレーザーダイオー
ドを励起光源に用いた光増幅器で、０．２８ｄＢ／ｍＷ
の高い利得係数が得られるとともに、図３に示すよう
に、励起光パワー１００ｍＷで２５ｄＢの高利得が得ら
れた。これらの値は、従来の、２．５〜４．５ｍｏｌ％
のＡｌＦ3 と５００ｐｐｍのＰｒをコアに含有するＺｒ
Ｆ4 系フッ化物ガラス光ファイバを用いた光増幅器での
利得係数０．２０ｄＢ／ｍＷと、励起光パワー１００ｍ
Ｗでの利得１９ｄＢより、大幅に大きく、増幅効率が改
善されたことが明らかに分かる。
【００２２】（実施例４）後出の表５に示す組成をコア
およびクラッドのガラス組成として持ち、かつ光増幅用
発光イオンとしてＰｒを５００ｐｐｍドープした光増幅
用の高Δｎ（＞３．６％）単一モード光ファイバを作製
した。得られた光ファイバの損失値は、波長１．２μｍ
で４０−８０ｄＢ／ｋｍと低損失であった。該光ファイ
バと発振波長１．０１７μｍのレーザーダイオードを励
起光源に用いた光増幅器においては、すべて０．２６〜
０．３０ｄＢ／ｍＷの高い利得係数と、励起光パワー１
００ｍＷで２３〜２８ｄＢの利得を得た。
およびクラッドのガラス組成として持ち、かつ光増幅用
発光イオンとしてＰｒを５００ｐｐｍドープした光増幅
用の高Δｎ（＞３．６％）単一モード光ファイバを作製
した。得られた光ファイバの損失値は、波長１．２μｍ
で４０−８０ｄＢ／ｋｍと低損失であった。該光ファイ
バと発振波長１．０１７μｍのレーザーダイオードを励
起光源に用いた光増幅器においては、すべて０．２６〜
０．３０ｄＢ／ｍＷの高い利得係数と、励起光パワー１
００ｍＷで２３〜２８ｄＢの利得を得た。
【００２３】（実施例５）コア、クラッド組成をそれぞ
れ、５６ＨｆＦ4 −１４ＢａＦ2 −１２ＰｂＦ2−５Ｌ
ａＦ3 −３ＹＦ3 −１０ＣｓＦ、３８ＨｆＦ4 −１４．
５ＢａＦ2 −８．５ＳｒＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２ＹＦ
3 −４．５ＡｌＦ3 −１０ＢｅＦ2 −１０ＮａＦ−１０
ＣｓＦ（ｍｏｌ％）とし、コアに３０００ｐｐｍのＹｂ
と５００ｐｐｍのＰｒをともにドープした、コア径１．
７μｍ、外径１２５μｍの光ファイバを作製した。得ら
れた単一モード光ファイバのΔｎは３．８％であり、カ
ットオフ波長は０．９３μｍで、損失は６０ｄＢ／ｋｍ
（波長１．２μｍ）であった。該光ファイバの２０ｍ
と、発振波長９８０ｎｍのレーザーダイオードとを励起
光源に用いた光ファイバ増幅器において、励起光パワー
１００ｍＷで１６ｄＢの高利得を得た。なお、該コアに
２．５ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を添加したファイバで構成し
たファイバ増幅器では、励起光パワー１００ｍＷで１０
ｄＢと、利得は６ｄＢ（約１／２）低下した。
れ、５６ＨｆＦ4 −１４ＢａＦ2 −１２ＰｂＦ2−５Ｌ
ａＦ3 −３ＹＦ3 −１０ＣｓＦ、３８ＨｆＦ4 −１４．
５ＢａＦ2 −８．５ＳｒＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２ＹＦ
3 −４．５ＡｌＦ3 −１０ＢｅＦ2 −１０ＮａＦ−１０
ＣｓＦ（ｍｏｌ％）とし、コアに３０００ｐｐｍのＹｂ
と５００ｐｐｍのＰｒをともにドープした、コア径１．
７μｍ、外径１２５μｍの光ファイバを作製した。得ら
れた単一モード光ファイバのΔｎは３．８％であり、カ
ットオフ波長は０．９３μｍで、損失は６０ｄＢ／ｋｍ
（波長１．２μｍ）であった。該光ファイバの２０ｍ
と、発振波長９８０ｎｍのレーザーダイオードとを励起
光源に用いた光ファイバ増幅器において、励起光パワー
１００ｍＷで１６ｄＢの高利得を得た。なお、該コアに
２．５ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を添加したファイバで構成し
たファイバ増幅器では、励起光パワー１００ｍＷで１０
ｄＢと、利得は６ｄＢ（約１／２）低下した。
【００２４】（実施例６）コア、クラッド組成をそれぞ
れ、５６ＺｒＦ4 −１８ＢａＦ2 −１１ＰｂＦ2−３．
５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3 −７ＬｉＦ、４
８ＨｆＦ4 −２３ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3
−４．５ＡｌＦ3 −３．５ＬｉＦ−１６．５ＮａＦ（ｍ
ｏｌ％）とし、コアに３０００ｐｐｍのＹｂと５００ｐ
ｐｍのＰｒをともにドープした、コア径１．６μｍ、外
径１２５μｍの光ファイバを作製した。得られた単一モ
ード光ファイバのΔｎは３．９％であり、カットオフ波
長は０．９１μｍで、損失は６０ｄＢ／ｋｍ（波長１．
２μｍ）であった。該光ファイバ２０ｍと、発振波長９
８０ｎｍのレーザーダイオードを励起光源に用いた光フ
ァイバ増幅器において、励起光パワー１００ｍＷで１５
ｄＢの高利得を得た。なお、該コア中のＩｎＦ3 に変え
て２．５ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を用いたファイバで構成し
たファイバ増幅器では、励起光パワー１００ｍＷで９ｄ
Ｂと、利得は６ｄＢ（約１／２）低下した。
れ、５６ＺｒＦ4 −１８ＢａＦ2 −１１ＰｂＦ2−３．
５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3 −７ＬｉＦ、４
８ＨｆＦ4 −２３ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3
−４．５ＡｌＦ3 −３．５ＬｉＦ−１６．５ＮａＦ（ｍ
ｏｌ％）とし、コアに３０００ｐｐｍのＹｂと５００ｐ
ｐｍのＰｒをともにドープした、コア径１．６μｍ、外
径１２５μｍの光ファイバを作製した。得られた単一モ
ード光ファイバのΔｎは３．９％であり、カットオフ波
長は０．９１μｍで、損失は６０ｄＢ／ｋｍ（波長１．
２μｍ）であった。該光ファイバ２０ｍと、発振波長９
８０ｎｍのレーザーダイオードを励起光源に用いた光フ
ァイバ増幅器において、励起光パワー１００ｍＷで１５
ｄＢの高利得を得た。なお、該コア中のＩｎＦ3 に変え
て２．５ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を用いたファイバで構成し
たファイバ増幅器では、励起光パワー１００ｍＷで９ｄ
Ｂと、利得は６ｄＢ（約１／２）低下した。
【００２５】（実施例７）コア、クラッド組成をそれぞ
れ、５４．５ＺｒＦ4 −２２．５ＢａＦ2 −５ＢａＣｌ
2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3 −１０
ＬｉＦ、３８．５ＨｆＦ4 −１５ＢａＦ2 −７．５Ｓｒ
Ｆ2 −２．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −１
０ＢｅＦ2 −１０ＮａＦ−１０ＣｓＦ（ｍｏｌ％）と
し、コアに５００ｐｐｍのＰｒをドープした、コア径
１．７μｍ、外径１２５μｍの光ファイバを作製した。
得られた単一モード光ファイバのΔｎは３．８％であ
り、カットオフ波長は０．９４μｍで、損失は６０ｄＢ
／ｋｍ（波長１．２μｍ）であった。該光ファイバの２
０ｍと、発振波長９８０ｎｍのレーザーダイオードとを
励起光源に用いた光ファイバ増幅器において、励起光パ
ワー１００ｍＷで２６ｄＢの高利得を得た。
れ、５４．５ＺｒＦ4 −２２．５ＢａＦ2 −５ＢａＣｌ
2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＩｎＦ3 −１０
ＬｉＦ、３８．５ＨｆＦ4 −１５ＢａＦ2 −７．５Ｓｒ
Ｆ2 −２．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −１
０ＢｅＦ2 −１０ＮａＦ−１０ＣｓＦ（ｍｏｌ％）と
し、コアに５００ｐｐｍのＰｒをドープした、コア径
１．７μｍ、外径１２５μｍの光ファイバを作製した。
得られた単一モード光ファイバのΔｎは３．８％であ
り、カットオフ波長は０．９４μｍで、損失は６０ｄＢ
／ｋｍ（波長１．２μｍ）であった。該光ファイバの２
０ｍと、発振波長９８０ｎｍのレーザーダイオードとを
励起光源に用いた光ファイバ増幅器において、励起光パ
ワー１００ｍＷで２６ｄＢの高利得を得た。
【００２６】（実施例８）実施例１のガラスに、光増幅
用の活性イオンとして、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｃｒ
の発光イオンを単独にドープし、蛍光寿命を測定したと
ころ、２．５ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を含有するガラス５
４．５ＺｒＦ4 −１５．５ＢａＦ2 −１２ＰｂＦ2 −
３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −１０Ｃｓ
Ｆ（ｍｏｌ％）中に比べ、それぞれ１．３μｍ、１．５
μｍ、２μｍ、１．６μｍ、１．３μｍ帯での蛍光の寿
命が２０％以上伸びた。
用の活性イオンとして、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｃｒ
の発光イオンを単独にドープし、蛍光寿命を測定したと
ころ、２．５ｍｏｌ％のＡｌＦ3 を含有するガラス５
４．５ＺｒＦ4 −１５．５ＢａＦ2 −１２ＰｂＦ2 −
３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −１０Ｃｓ
Ｆ（ｍｏｌ％）中に比べ、それぞれ１．３μｍ、１．５
μｍ、２μｍ、１．６μｍ、１．３μｍ帯での蛍光の寿
命が２０％以上伸びた。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】
【表４】
【００３１】
【表５】
【００３２】
【発明の効果】以上の実施例に示したように、本発明に
よれば、光ファイバ増幅器の利得係数が向上し、実用化
にとって必須である半導体レーザー励起による光増幅器
を容易に構成することができる。したがって、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｅｒ等の発光イオンをドープすることにより種々波
長において、光増幅の高効率化が可能になることから、
光通信システムの低コスト化および高性能化が図れると
いう利点がある。
よれば、光ファイバ増幅器の利得係数が向上し、実用化
にとって必須である半導体レーザー励起による光増幅器
を容易に構成することができる。したがって、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｅｒ等の発光イオンをドープすることにより種々波
長において、光増幅の高効率化が可能になることから、
光通信システムの低コスト化および高性能化が図れると
いう利点がある。
【図１】５４．５ＺｒＦ4 −１５．５ＢａＦ2 −１２Ｐ
ｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −（４．５−Ｘ）ＹＦ3 −ＸＡ
ｌＦ3 −１０ＣｓＦ（ｍｏｌ％）ガラスに５００ｐｐｍ
のＰｒをドープした場合の 1Ｇ4 レベルの蛍光寿命とＡ
ｌＦ3 濃度Ｘの関係を示すグラフである。
ｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −（４．５−Ｘ）ＹＦ3 −ＸＡ
ｌＦ3 −１０ＣｓＦ（ｍｏｌ％）ガラスに５００ｐｐｍ
のＰｒをドープした場合の 1Ｇ4 レベルの蛍光寿命とＡ
ｌＦ3 濃度Ｘの関係を示すグラフである。
【図２】本発明の実施例１において、コア用ガラスに光
増幅用発光イオンとしてＰｒを１００〜５０００ｐｐｍ
ドープした時の蛍光寿命の測定結果を示すグラフであ
る。
増幅用発光イオンとしてＰｒを１００〜５０００ｐｐｍ
ドープした時の蛍光寿命の測定結果を示すグラフであ
る。
【図３】本発明の実施例３の、コアに５００ｐｐｍのＰ
ｒを含有する光ファイバを用いた増幅器の利得特性を示
すグラフである。
ｒを含有する光ファイバを用いた増幅器の利得特性を示
すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 照沼 幸雄 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−333029（ＪＰ，Ａ) Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ 27［８］（1991）ｐ．628−629 電子情報通信学会技術研究報告 95 ［75］（1991）ＯＱＥ91−18 ｐ．１− ５ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/00 - 3/30 G02F 1/35 C03C 13/04 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 コアとクラッドとを有し、前記コアを構
成するガラスがドープされた発光イオンを含み、ＡｌＦ
３ が存在するフッ化物系のガラスであり、該コアガラス
中に存在する前記ＡｌＦ３の含有量が１.５ｍｏｌ％以
下であることを特徴とする光増幅用光ファイバ。 - 【請求項２】 前記ＡｌＦ ３ が前記コアガラスに混入物
として存在するＡｌＦ ３ または前記コアガラスに添加さ
れたＡｌＦ ３ である請求項１記載の光増幅用ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14360393A JP3221526B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 光増幅用光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14360393A JP3221526B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 光増幅用光ファイバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077215A JPH077215A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3221526B2 true JP3221526B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=15342570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14360393A Expired - Lifetime JP3221526B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 光増幅用光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221526B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI698465B (zh) | 2015-07-06 | 2020-07-11 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 樹脂組成物、利用該樹脂組成物之預浸體或樹脂片、及利用前述各者之疊層板與印刷電路板 |
| CN107735409B (zh) * | 2015-07-06 | 2020-08-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 树脂组合物、使用该树脂组合物的预浸料或树脂片以及使用它们的层叠板和印刷电路板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3829525B2 (ja) | 1998-04-02 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 容量アレイユニット及び発振回路 |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14360393A patent/JP3221526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２７［８］（１９９１）ｐ．６２８−６２９ |
| 電子情報通信学会技術研究報告 ９５［７５］（１９９１）ＯＱＥ９１−１８ ｐ．１−５ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI698465B (zh) | 2015-07-06 | 2020-07-11 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 樹脂組成物、利用該樹脂組成物之預浸體或樹脂片、及利用前述各者之疊層板與印刷電路板 |
| CN107735409B (zh) * | 2015-07-06 | 2020-08-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 树脂组合物、使用该树脂组合物的预浸料或树脂片以及使用它们的层叠板和印刷电路板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077215A (ja) | 1995-01-10 |
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