JPH06225582A - 多相ｄｃモータの動作における過剰温度警告サイクル - Google Patents

多相ｄｃモータの動作における過剰温度警告サイクル

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JPH06225582A
JPH06225582A JP5214429A JP21442993A JPH06225582A JP H06225582 A JPH06225582 A JP H06225582A JP 5214429 A JP5214429 A JP 5214429A JP 21442993 A JP21442993 A JP 21442993A JP H06225582 A JPH06225582 A JP H06225582A
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JP
Japan
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temperature
circuit
motor
substrate
integrated circuit
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JP5214429A
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English (en)
Inventor
Scott W Cameron
ダブリュ． カメロン スコット
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STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics Inc
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】多相ＤＣモータのドライバ回路が形成されてい
る基板の過剰温度上昇を検知し保護する方法および回路
を提供する。 【構成】多相ＤＣモータへ駆動信号を供給する集積回路
１０が半導体基板に形成されている。この回路は、所定
のシーケンスで選択的に駆動電流を供給するためにモー
タの駆動コイル１１へ接続させるコイルドライバ回路を
有している。シーケンサ回路が駆動電流が選択的に供給
される駆動コイル１１を選択し、且つモータ速度制御回
路がコミュテーション速度を制御することによりモータ
速度を制御する。ダイオード等の温度検知要素が基板に
設けられており、基板の温度を表示し、且つ温度測定回
路４０が温度検知要素及びモータ速度制御回路へ接続さ
れており、基板温度が第一所定温度を超える場合にモー
タ速度を低速化されるべくモータ速度制御回路を動作さ
せる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モータ駆動及び制御回
路における改良に関するものであって、更に詳細には、
モータドライバ回路が形成されている基板の過剰温度条
件を検知するための改良型回路及び方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、多相ＤＣモータに関するもの
であって、特に、ハードディスクドライブ、ＣＤ ＲＯ
Ｍドライブ、フロッピィディスク等のコンピュータに関
連した適用において使用される回転データ媒体に使用す
るブラシレス、センサーレス多相ＤＣモータに関するも
のである。コンピュータの適用においては、三相ブラシ
レス、センサーレスＤＣモータがその信頼性、軽量性、
及び正確性のためにますますポピュラーなものとなりつ
つある。
【０００３】このタイプのモータは、典型的に、「Ｙ」
形態に接続した三個のコイルを有するステータを具備す
るものと考えることが可能であるが、実際には、より多
数のステータコイルが通常複数個のモータのポールと共
に使用される。動作について説明すると、コイルがシー
ケンシャルに即ち順次的に付勢され、その場合に例え
ば、六個のコミュテーションシーケンスにおける種々の
コイルの組合わせを介して電流経路が確立される。
【０００４】典型的には、モータのコイルへ駆動電流を
供給するドライバトランジスタを、全体的なドライバ回
路の一部として、半導体基板に集積化させる。然しなが
ら、理解される如く、かなりの電流が駆動トランジスタ
内を流れる場合があり、又トランジスタまたは関連する
ダイオード要素においてコイルからのフライバックエネ
ルギが散逸される。その結果、基板へ熱が伝達され、そ
の熱は回路を損傷することがないように散逸されねばな
らない。然しながら、ある条件下においては、基板が不
所望なレベルに加熱される場合があり、その場合には永
久的な損傷が発生することを回避するために回路を完全
にシャットダウンすることが必要である。
【０００５】従来、シャットダウン機能の一部としてモ
ータドライバ回路においては典型的に温度検知機能が使
用されている。過剰温度条件が発生すると、それは検知
され且つドライバ回路の全ての動作はすぐ遮断される。
然しながら、多くの場合において、基板温度が臨界的な
シャットダウン温度に到達することを防止し且つ回路が
完全にシャットダウンすることから発生する不都合を回
避するために基板温度を制御することが可能である場合
がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
とするところは、多相ＤＣモータを駆動するための改良
方法及び回路を提供することである。
【０００７】本発明の別の目的とするところは、回路動
作のシャットダウンの前に駆動回路の加熱状態を検知し
且つ警告を与える上述したタイプの方法及び回路を提供
することである。
【０００８】本発明の別の目的とするところは、回路の
温度が増加する場合に警告を与えると共にその温度が所
定の限界を超える場合にはシャットダウンも与える上述
したタイプの方法及び回路を提供することである。
【０００９】本発明の更に別の目的とするところは、他
のモータ駆動回路と共に集積回路チップ上に集積化する
ことの可能な上述したタイプの方法及び回路を提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例によれ
ば、シャットダウン機能に加えて、モータ駆動チップの
温度検知特徴の一部として警告信号が設けられている。
従って、チップがシャットダウンレベル以下の高温レベ
ルに加熱すると、「高温温度オーバー」信号が発生され
る。その後に、チップが更に「ホットレベル」へ加熱す
ると、「シャットダウン温度オーバー」信号が発生され
る。従って、第一信号は、チップが第二信号によってシ
ャットダウンされる前の警告として使用することが可能
である。これら二つの信号は以下の如くに使用すること
が可能である。「高温温度オーバー」信号の警告が発生
すると、モータが低速化すべく指示が与えられ、その際
にチップ内での電力散逸を減少させる。チップがそれ自
身の内部的な電力散逸によって加熱する場合には、三つ
の相次ぐ状態を介してデジタル制御ループを開始させる
ために警告信号を使用することが可能である。第一状態
はチップが、「高温温度オーバー」信号がなくなるのに
充分冷却するレベルへ電力散逸が減少するまでモータの
速度を低速化させる。第二状態は、元の制御された速度
へ復帰することが必要になるまでモータの速度を減速し
た速度に保持する。第三状態は、モータが元の稼動状態
へ復帰することの可能な所望の値へバックアップする速
度をとる。
【００１１】本発明の一実施例の広義の側面によれば、
多相ＤＣモータへ駆動信号を供給するための半導体基板
に製造した集積回路が提供される。この集積回路は、所
定のシーケンスで選択的に駆動電流を供給するためにモ
ータの駆動コイルへ接続するコイルドライバ回路を有し
ている。シーケンサ回路が駆動電流が選択的に供給され
る駆動コイルを整流的に選択する。モータ速度制御回路
がモータの速度を制御する。ダイオード等の温度検知要
素が基板内に設けられており、基板の温度を表わし、且
つ温度測定回路が温度検知要素へ接続されると共にモー
タ速度制御回路へ接続されており、基板温度が第一所定
温度を超える場合にモータの速度を減速させるべくモー
タ速度制御回路を動作させる。所望により、温度測定回
路は、基板温度が高過ぎる場合にモータをターンオフす
べくシャットダウン回路を動作させるために第一所定温
度より高い第二温度を測定する回路を有することが可能
である。
【００１２】本発明の一実施例においては、モータ速度
制御回路が、第一及び第二周波数のクロックパルスの供
給源を有しており、第二周波数は第一周波数より低い周
波数である。これらのクロックパルスは、シーケンサ回
路を動作させ、又これらのクロックパルスは、通常、第
一周波数をシーケンサ回路へ印加すべく供給される。温
度測定回路によって第一温度を超えて温度が上昇したこ
とが判別される場合には、第二周波数が選択的にシーケ
ンサ回路へ印加される。
【００１３】本発明の別の好適実施例によれば、半導体
基板に集積化したドライバ回路によって駆動されるモー
タを具備するディスクドライブを動作する方法が提供さ
れる。この方法によれば、半導体基板の温度が第一所定
温度を超えない限り、モータは通常の速度で動作され
る。半導体基板の温度が第一所定温度を超えるものであ
ることが検知されると、モータ速度は低速化される。モ
ータの速度が低速化されると、半導体基板の温度は、そ
れが第二所定温度以下に降下するまで検知される。半導
体基板の温度が第二所定温度以下に降下することが検知
されると、モータの速度は低速化された速度に維持され
る。その後に、ディスクドライブを使用する要求がある
と、モータの速度は通常の速度へ増加される。
【００１４】
【実施例】本発明の好適実施例を図１に示してあり、そ
の場合には、モータ駆動回路１０は「Ｙ」接続型ステー
タ巻線１１を具備するモータ（不図示）に関連して使用
される。回路１０は、所望により、点線１０で示した如
く半導体基板１５に集積化させることが可能である。モ
ータは、例えば、多相のブラシレスでセンサーレスの当
該技術分野において公知のＤＣモータとすることが可能
である。Ｙ接続型巻線は、端部の端子Ａ，Ｂ，Ｃ及び中
央のタップ接続部「ＣＴＲタップ」を有するものとして
示してある。
【００１５】当該技術分野において公知の如く、トラン
スコンダクタンスループ１４を有するドライバ回路１０
によってステータ巻線駆動信号が供給される。トランス
コンダクタンスループ１４は、複数個の上部ドライバト
ランジスタ１６，１６′，１６″及び下部ドライバトラ
ンジスタ１７，１７′，１７″を有している。図示した
実施例においては、トランジスタ１６，１６′，１６″
及び１７，１７′，１７″はパワー電界効果トランジス
タであって、それらのソース及びドレイン経路は供給電
圧線２０と基準電圧線２１との間に接続されている。検
知抵抗２３が基準電圧２１と接地との間に接続されてい
る。トランジスタ１６，１６′，１６″及び１７，１
７′，１７″は、コミュテーション制御器回路３０によ
って逐次的に付勢される。このようなコミュテーション
制御器回路の詳細については、本願出願人に譲渡されて
いる１９９１年１０月３日に出願した米国特許出願第０
７／７７０，５７６号に記載されている。
【００１６】回路１４からの出力は、ノードＡ，Ｂ，Ｃ
における夫々のトランジスタ１６，１６′，１６″及び
１７，１７′，１７″の相互接続部から取られる。ノー
ドＡ，Ｂ，Ｃはモータの夫々のステータ端子Ａ，Ｂ，Ｃ
へ接続されている。従って、コミュテーション制御器が
種々のトランジスタ１６，１６′，１６″及び１７，１
７′，１７″の導通状態及び所定のコミュテーションシ
ーケンスをシーケンス動作すると、ステータコイル１１
の種々の結合状態において電流が流され、モータのロー
タの所望の回転を発生させる。
【００１７】更に、図１の回路においては、温度検知回
路４０が設けられている。温度検知回路４０は、温度検
知器４１を有しており、それは、例えば、回路１０が集
積化されている基板に設けたダイオードとすることが可
能である。このダイオードの抵抗値は、パワートランジ
スタ１６，１６′，１６″及び１７，１７′，１７″内
を流れる電流に依存する。温度検知回路４０は二つの出
力端を有しており、そのうちの一つは「ホット」過剰温
度条件が存在していることを表わしシャットダウン回路
４５を活性化させる。温度検知回路４０からの他方の出
力は「高温」過剰温度信号であり、それはコミュテーシ
ョンクロック回路５０へ供給されてその周波数を制御す
る。図示した実施例においては、周波数分圧器５１が設
けられており、それに対してクロック５０からのクロッ
ク信号が供給される。温度検知回路４０からの「高温」
過剰温度信号が存在する場合には、スイッチ５２が活性
化されて、通常のクロック周波数ではなく分割されたク
ロック周波数がコミュテーション制御器３０へ供給され
る。より低い周波数がコミュテーション制御器３０へ印
加されるので、種々のトランジスタ１６，１６′，１
６″及び１７，１７′，１７″のシーケンス動作が低下
され、その際に夫々のコミュテーションシーケンスにお
いてトランジスタを介して流される電流が減少され、そ
の際に基板における温度を低下させる。
【００１８】コミュテーション制御器３０のコミュテー
ション周波数を減少させることにより、モータの回転は
減少される。
【００１９】温度検知回路４０の詳細が図２に示されて
いる。上述した如く、温度検知器４１はダイオード６０
とすることが可能であり、そのダイオードの一端は接地
へ接続されており且つ他端は低電流源６１へ接続されて
いる。ダイオード６０は、その順方向抵抗値がそれが設
けられている基板の温度に依存するように構成されてい
る。ダイオード６０のカソードは比較器６３及び６４の
非反転入力端へ接続されている。
【００２０】夫々の比較器６３及び６４の非反転入力端
は、抵抗分圧器６６，６７の夫々から分圧を受取る。分
圧器６６は、比較器６３へ基準電圧を供給し、その基準
電圧は、分圧器６７によって比較器６４へ供給される基
準電圧より低い電圧である。比較器６３からの出力は、
基板温度が回路の動作を完全に遮断することが望ましい
スレッシュホールドより低い第一所定スレッシュホール
ドに到達した場合の警告信号を供給する。一方、比較器
６４の出力は、最大所望動作温度に到達しことを表わす
過剰温度信号である。ライン７０上の比較器６４からの
出力は、所望により、シャットダウン回路４５（図１参
照）へ供給され、回路１０から電力を完全に遮断させ
る。一方、ライン７１上の比較器６３からの出力はスイ
ッチ５２を動作すべく供給され、クロック周波数を低下
させ、従って夫々の駆動トランジスタ１６，１６′，１
６″及び１７，１７′，１７″を介しての駆動電流を低
下させる。
【００２１】比較器６３及び６４の各々はそれらの動作
条件内に組込まれたある程度のヒステリシスを有してお
り、従って、比較器６３ま又は６４の各々が状態を変化
した後に、それは元の警告信号を発生させたものよりも
充分に低い電圧差がその入力端子に印加されるまで、そ
の元の状態を再開することはない。
【００２２】夫々の分圧器の詳細を図３に示してあり、
この場合には、半導体基板８５内に拡散区域８０及び８
１が形成されている。拡散区域８０及び８１の上部部分
及び底部部分は、例えば、メタリゼーション８６及び８
７により相互接続されている。更に、「Ｌ」形状部材８
８及び８９が例えば、酸化物層（不図示）又はその他の
絶縁層によって分離した状態で拡散区域８０及び８１の
上側に延在して形成されている。比較器６３及び６４の
夫々のスレッシュホールド、従って「高温」及び「ホッ
ト」過剰温度条件の夫々の温度スレッシュホールドは、
拡散層８０及び８１と接触すべく導体（メタリゼーショ
ン）８８及び８９とその下側の酸化物（絶縁層）を貫通
して延在する相互接続部材９０及び９１の位置を決定す
ることによって選択することが可能である。従って、回
路１０を含む集積回路を形成するメタリゼーションステ
ップにおいてこれらのスレッシュホールドをプログラム
即ち設定させることが可能である。図３に示した構造が
好適なものであるが、抵抗６６及び６７によって与えら
れる分圧機能は、例えば個別的な部品やそれらの等価な
構成等のその他の電気的構成によって与えることも可能
である。
【００２３】ハードディスクドライブ等のコンピュータ
ディスク環境において使用される回路１０の動作の状態
線図を図４に示しており、その場合に、モータの初期状
態は「ラン」である。この状態において、「高温」過剰
温度条件が存在し（ＷＡＲＭ＝０）及びディスクが読取
又は書込コマンドを受取る準備がなされている（ＲＥＡ
Ｄ＝１）場合には、本回路はラン状態１００にとどま
る。然しながら、「高温（ＷＡＲＭ）」過剰温度信号が
状態を変化すると（即ち、ＷＡＲＭ＝１）、読取状態に
はかかわらずに（ＲＥＡＤ＝「ｄｏｎ’ｔ ｃａｒｅ
（無関係）」）、モータは「モータ低速化」状態１０１
において上述した態様で低速状態とされる。「高温（Ｗ
ＡＲＭ）」過剰温度状態が存在する限り（即ち、ＷＡＲ
Ｍ＝１）、読取状態がどのような状態であるかにかかわ
らず（即ち、ＲＥＡＤ＝「ｄｏｎ’ｔｃａｒｅ」）、モ
ータは、この「モータ低速化」状態１０１にとどまる。
【００２４】この「高温（ＷＡＲＭ）」過剰温度信号が
取除かれるレベルへ基準温度が降下することが可能であ
るのに充分な速度にモータが低速化されると、読取条件
が活性状態ではない場合（即ち、ＷＡＲＭ＝０、ＲＥＡ
Ｄ＝０）、モータは１０２における低速状態にとどまる
ことが必要とされる。「高温（ＷＡＲＭ）」過剰温度信
号が低状態にとどまり且つ読取動作が不活性状態である
限り、回路は「低速維持」状態１０２にとどまる。一
方、「モータ低速化」状態１０１又は「低速維持」状態
１０２のいずれかから、読取信号が活性状態とされ且つ
「高温（ＷＡＲＭ）」過剰温度信号がオフ状態のままで
あると（即ちＷＡＲＭ＝０、ＲＥＡＤ＝１）、モータ速
度は「速度増加」状態１０３において増加される。モー
タ速度が増加すると、それはそのロックされた速度に関
して継続的にチェックされ且つロック状態が達成される
まで速度が増加される（「ロック速度チェック」条件１
０４）。ロック速度が達成されると、本回路は通常動作
を行うために元のラン（稼動）状態１００へ復帰する。
【００２５】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に基づき過剰温度検知回路を具備し典
型的なモータドライバ回路を示した概略図。
【図２】 本発明に基づいて過剰温度信号を発生する回
路を示した概略図。
【図３】 図２の回路において使用する温度検知用抵抗
を有する半導体基板の一部を示した概略図。
【図４】 本発明の過剰温度特性を組込んだモータの動
作を示した状態線図。
【符号の説明】
１０ モータドライバ回路 １１ ステータ巻線 １４ トランスコンダクタンスループ １５ 半導体基板 １６，１７ ドライバトランジタ ２３ 検知抵抗 ４０ 温度検知回路 ４１ 温度検知器 ４５ シャットダウン回路 ５０ コミュテーションクロック回路 ５１ 周波数分割器

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多相ＤＣモータへ駆動信号を供給するた
    めの半導体基板上に製造した集積回路において、 所定のシーケンスで駆動電流を選択的に供給するために
    モータの駆動コイルへ接続するドライバ、 駆動電流を選択的に供給する駆動コイルを選択するシー
    ケンサ、 モータの速度を制御するモータ速度制御器、 前記基板の温度を表わすために前記基板内に設けられて
    いる温度検知要素、 前記温度検知要素及び前記モータ速度制御器へ接続され
    ており前記基板の温度が第一所定温度を超える場合にモ
    ータの速度を低下させるべく前記モータ速度制御器を動
    作する温度測定回路、 を有することを特徴とする集積回路。
  2. 【請求項２】 請求項１において、更に、本集積回路の
    動作を選択的に遮断するためのシャットダウン回路が設
    けられており、且つ前記温度測定回路が、前記シャット
    ダウン回路を動作させるために前記第一所定温度よりも
    高い第二温度を測定する回路を具備していることを特徴
    とする集積回路。
  3. 【請求項３】 請求項１において、前記モータ速度制御
    器が第一周波数及び第二周波数のクロックパルス供給源
    を有しており、前記第二周波数は前記第一周波数よりも
    低い周波数であり、前記クロックパルスは前記シーケン
    サを動作させ、前記温度測定回路は通常前記第一周波数
    を前記シーケンサへ印加し且つ前記基板の温度が前記第
    一所定温度を超える場合に前記第二周波数を選択的に前
    記シーケンサへ印加すべく接続されていることを特徴と
    する集積回路。
  4. 【請求項４】 請求項１において、前記温度検知要素が
    ダイオードであることを特徴とする集積回路。
  5. 【請求項５】 請求項４において、更に、前記ダイオー
    ドへ電流を供給すべく接続した定電流源が設けられてい
    ることを特徴とする集積回路。
  6. 【請求項６】 請求項１において、前記温度測定回路
    が、一つの入力端において基準電圧を受取り且つ別の入
    力端において前記温度検知要素における電圧を受取るべ
    く接続した比較器を有することを特徴とする集積回路。
  7. 【請求項７】 請求項６において、前記比較器がヒステ
    リシス特性を有することを特徴とする集積回路。
  8. 【請求項８】 請求項６において、更に、前記基準電圧
    を供給すべく接続した分圧器が設けられていることを特
    徴とする集積回路。
  9. 【請求項９】 請求項８において、前記分圧器が基板
    と、前記基板内のドープ領域と、前記ドープ領域の上側
    に位置した絶縁層と、前記絶縁層上のメタリゼーション
    層と、選択した位置における前記メタリゼーション層と
    前記ドープ領域との間に形成した接続部とを有してお
    り、前記ドープ領域が前記分圧器を形成するための第一
    及び第二抵抗領域を具備していることを特徴とする集積
    回路。
  10. 【請求項１０】 多相ＤＣモータへ駆動信号を供給すべ
    く半導体基板上に形成した集積回路において、 所定のシーケンスで駆動電流を選択的に供給するために
    モータの駆動コイルへ接続したコイルドライバ回路、 駆動電流を選択的に供給する駆動コイルを選択するシー
    ケンサ回路、 モータの速度を制御するモータ速度制御回路、 モータをシャットオフするためのモータシャットオフ回
    路、 前記基板の温度を表わすために前記基板内に設けた温度
    検知要素、 前記温度検知要素へ接続した温度測定回路、 を有する集積回路であって、前記温度測定回路が、 前記基板の温度が第一温度スレッシュホールドを超える
    場合に第一出力信号を発生する第一温度スレッシュホー
    ルド回路を有しており、前記第一出力信号は、前記第一
    温度スレッシュホールドを超えた場合に前記モータ速度
    制御回路へ供給されてモータの速度を低下させ、 前記基板の温度が前記第一温度スレッシュホールドより
    も高い第二温度スレッシュホールドを超える場合に第二
    出力信号を発生する第二温度スレッシュホールド回路を
    有しており、前記第二出力信号は、前記第二温度スレッ
    シュホールドを超えた場合に、前記モータシャットオフ
    回路へ供給されてモータをシャットオフさせる、 ことを特徴とする集積回路。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、前記温度測定回
    路が、更に、前記基板の温度が第三温度スレッシュホー
    ルド以下に降下する場合に前記第一出力信号を遮断させ
    る第三温度スレッシュホールド回路を有しており、前記
    第三温度スレッシュホールドは前記第一温度スレッシュ
    ホールドよりも低いことを特徴とする集積回路。
  12. 【請求項１２】 請求項１１において、前記モータ速度
    制御回路が第一周波数及び第二周波数のクロックパルス
    供給源を有しており、前記第二周波数は前記第一周波数
    よりも低い周波数であり、前記クロックパルスは前記シ
    ーケンサ回路により発生されるコミュテーション速度を
    制御し、前記温度測定回路は、通常、前記第一周波数を
    前記シーケンサ回路へ印加し且つ前記基板の温度が第一
    温度スレッシュホールドを超える場合に前記基板の温度
    が後に前記第三温度スレッシュホールド以下に降下する
    まで選択的に前記第二周波数を前記シーケンサ回路へ印
    加することを特徴とする集積回路。
  13. 【請求項１３】 請求項１０において、前記温度測定回
    路が、更に、前記基板の温度が前記第四温度スレッシュ
    ホールド以下に降下する場合に前記第二出力信号を遮断
    するための第四温度スレッシュホールド回路を有してお
    り、前記第四温度スレッシュホールドが前記第二温度ス
    レッシュホールドよりも低いことを特徴とする集積回
    路。
  14. 【請求項１４】 請求項１３において、前記温度測定回
    路からの前記第二出力信号は、前記基板の温度が前記第
    二温度スレッシュホールドを超える場合に前記基板の温
    度がその後に前記第四温度スレッシュホールド以下に降
    下するまで、モータをシャットオフするために前記モー
    タシャットオフ回路を動作すべく供給されることを特徴
    とする集積回路。
  15. 【請求項１５】 請求項１０において、前記温度検知要
    素がダイオードであることを特徴とする集積回路。
  16. 【請求項１６】 請求項１５において、更に、前記ダイ
    オードへ電流を供給すべく接続した低電流源が設けられ
    ていることを特徴とする集積回路。
  17. 【請求項１７】 請求項１６において、前記温度測定回
    路が第一及び第二比較器を有しており、それらの比較器
    は、一方の入力端においてそれぞれの基準電圧を受取り
    且つ別の入力端において前記検知温度要素における電圧
    を受取るべく接続されていることを特徴とする集積回
    路。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、前記比較器の各
    々がヒステリシス特性を有することを特徴とする集積回
    路。
  19. 【請求項１９】 請求項１７において、更に、夫々の第
    一及び第二基準電圧を与えるべく接続した第一及び第二
    分圧器回路が設けられていることを特徴とする集積回
    路。
  20. 【請求項２０】 請求項１９において、前記分圧器の各
    々が、基板と、前記基板内のドープ領域と、前記ドープ
    領域の上側に位置した絶縁層と、前記絶縁層上のメタリ
    ゼーション層と、選択した位置において前記メタリゼー
    ション層と前記ドープ領域との間に形成した接続部とを
    有しており、前記ドープ領域が前記分圧器を形成するた
    めの第一及び第二抵抗領域を有していることを特徴とす
    る集積回路。
  21. 【請求項２１】 半導体基板に集積化したドライバ回路
    によって駆動されるモータを具備するディスクドライブ
    の動作方法において、 前記モータを通常の速度で動作し、 半導体基板の温度が第一測定温度を超えたか否かを検知
    し、 前記半導体基板の温度が第一所定温度を超えたことを検
    知した場合には、モータの速度を低速化させ、 前記モータの速度が低速化する場合に、前記半導体基板
    の温度が第二所定温度を超えて降下するか否かを検知
    し、 前記半導体基板の温度が前記第二所定温度を超えて降下
    したことが検知される場合には、前記モータの速度を低
    速とさせた速度に維持し、 その後に、ディスクドライブを使用するための要求に応
    じて、モータの速度を通常の速度へ増加させる、 上記各ステップを有することを特徴とする方法。
  22. 【請求項２２】 請求項２１において、前記第二温度が
    前記第一温度よりも低いことを特徴とする方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２２において、前記半導体基板
    の温度が前記第一所定温度を超えることを検知される場
    合にモータの速度を低速化するステップが、ディスクド
    ライブを使用するための要求とは独立的に行われること
    を特徴とする方法。
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