JPH06224365A - 半導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH06224365A JPH06224365A JP1247593A JP1247593A JPH06224365A JP H06224365 A JPH06224365 A JP H06224365A JP 1247593 A JP1247593 A JP 1247593A JP 1247593 A JP1247593 A JP 1247593A JP H06224365 A JPH06224365 A JP H06224365A
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】クロストークノイズ等の電気的ノイズの発生を
できるだけ抑制して高周波特性を向上させる。 【構成】インナーリード３のワイヤボンディング部３ａ
を除く所定の領域のインナーリード部分に、樹脂封止材
料の誘電率よりも低い誘電率を有する額縁状の低誘電率
部１１が設けられている。この低誘電率部１１は低誘電
率材料１２とこの低誘電率材料１２の上下面に形成され
た非熱可塑性樹脂層１３とから構成され、低誘電率材料
１２がインナーリード３の表裏面を覆いかつ隣り合うイ
ンナーリード３,３間の間隙Ａを充填している。これに
よりインナーリード３,３間の誘電率が低くなるので、
リード３,３間の寄生容量が大きく減少する。したがっ
て、クロストークノイズ等のノイズが減少し、高周波特
性が向上する。
できるだけ抑制して高周波特性を向上させる。 【構成】インナーリード３のワイヤボンディング部３ａ
を除く所定の領域のインナーリード部分に、樹脂封止材
料の誘電率よりも低い誘電率を有する額縁状の低誘電率
部１１が設けられている。この低誘電率部１１は低誘電
率材料１２とこの低誘電率材料１２の上下面に形成され
た非熱可塑性樹脂層１３とから構成され、低誘電率材料
１２がインナーリード３の表裏面を覆いかつ隣り合うイ
ンナーリード３,３間の間隙Ａを充填している。これに
よりインナーリード３,３間の誘電率が低くなるので、
リード３,３間の寄生容量が大きく減少する。したがっ
て、クロストークノイズ等のノイズが減少し、高周波特
性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージの組
立に用いられるリードフレームおよびその製造方法に関
し、特に高周波の半導体素子を搭載するために好適な半
導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法に
関する。
立に用いられるリードフレームおよびその製造方法に関
し、特に高周波の半導体素子を搭載するために好適な半
導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体パッケージの組立に用いら
れるリードフレーム１は、図１１に示すように外部回路
に接続される所定数のアウターリード２、このアウター
リード２に連続して形成され、半導体素子のパッドに接
続される所定数のインナーリード３、半導体素子を搭載
するダイパッド４、ダイパッド４を支持する支持リード
５、各リードを連結するダムバー６を有している。この
リードフレーム１は、４２アロイ、銅系合金等の金属単
体のフープ材を用いてフォトリソ・エッチング法等によ
り、これら各部分を同時に形成した後、各リードの先端
部に表面処理を施すことにより製造されるものである。
製造されたリードフレーム１は、一般にインナーリード
３が容易に変形してばらつき易いので、テーピング７を
行ってそれらインナーリード３を固定している。
れるリードフレーム１は、図１１に示すように外部回路
に接続される所定数のアウターリード２、このアウター
リード２に連続して形成され、半導体素子のパッドに接
続される所定数のインナーリード３、半導体素子を搭載
するダイパッド４、ダイパッド４を支持する支持リード
５、各リードを連結するダムバー６を有している。この
リードフレーム１は、４２アロイ、銅系合金等の金属単
体のフープ材を用いてフォトリソ・エッチング法等によ
り、これら各部分を同時に形成した後、各リードの先端
部に表面処理を施すことにより製造されるものである。
製造されたリードフレーム１は、一般にインナーリード
３が容易に変形してばらつき易いので、テーピング７を
行ってそれらインナーリード３を固定している。
【０００３】この従来のリードフレーム１を用いて樹脂
封止により半導体パッケージを形成する場合、図１２
（ａ）および（ｂ）に示すように、まず半導体素子８を
ダイパッド４に搭載し、半導体素子８の各パッドとイン
ナーリード３とを、Ａｕ等の導電ワイヤ９により電気的
に接続する。その後、インナーリード３の所定部分、ダ
イパッド４、テーピング部７導電ワイヤ９を樹脂１０で
封止することにより、半導体パッケージが形成される。
封止により半導体パッケージを形成する場合、図１２
（ａ）および（ｂ）に示すように、まず半導体素子８を
ダイパッド４に搭載し、半導体素子８の各パッドとイン
ナーリード３とを、Ａｕ等の導電ワイヤ９により電気的
に接続する。その後、インナーリード３の所定部分、ダ
イパッド４、テーピング部７導電ワイヤ９を樹脂１０で
封止することにより、半導体パッケージが形成される。
【０００４】このような樹脂封止型半導体パッケージに
おけるリードフレーム１は、図１２に示すようにパッケ
ージの骨格としての役割と電気及び熱の伝導路としての
役割とを担っている。また、封止樹脂は、半導体素子８
の保護としての役割担っている。
おけるリードフレーム１は、図１２に示すようにパッケ
ージの骨格としての役割と電気及び熱の伝導路としての
役割とを担っている。また、封止樹脂は、半導体素子８
の保護としての役割担っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
な樹脂封止型半導体パッケージにおける封止樹脂とし
て、従来はエポキシ系樹脂が用いられている。図１２
（ｃ）に示すように、このエポキシ系樹脂は、微細な形
状に加工された隣り合うインナーリード３の間の間隙に
も充填されるようになる。
な樹脂封止型半導体パッケージにおける封止樹脂とし
て、従来はエポキシ系樹脂が用いられている。図１２
（ｃ）に示すように、このエポキシ系樹脂は、微細な形
状に加工された隣り合うインナーリード３の間の間隙に
も充填されるようになる。
【０００６】しかしながら、このようにエポキシ系樹脂
が各インナーリード３間に充填された場合、エポキシ系
樹脂の誘電率が３.５〜５と比較的大きいため、各イン
ナーリード３間の寄生容量が大きくなる。このため、ク
ロストークノイズ等の電気的ノイズが発生してしまい、
特に高周波特性が悪化してしまうという問題がある。
が各インナーリード３間に充填された場合、エポキシ系
樹脂の誘電率が３.５〜５と比較的大きいため、各イン
ナーリード３間の寄生容量が大きくなる。このため、ク
ロストークノイズ等の電気的ノイズが発生してしまい、
特に高周波特性が悪化してしまうという問題がある。
【０００７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、クロストークノイズ等の
電気的ノイズの発生をできるだけ抑制して高周波特性を
向上させることのできる半導体パッケージ用リードフレ
ームおよびその製造方法を提供することである。
たものであって、その目的は、クロストークノイズ等の
電気的ノイズの発生をできるだけ抑制して高周波特性を
向上させることのできる半導体パッケージ用リードフレ
ームおよびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、請求項１の発明の半導体パッケージ用リードフレ
ームは、外部回路に接続される所定数のアウターリード
と、このアウターリードに連続して形成され、半導体素
子のパッドに導電ワイヤにより電気的に接続される所定
数のインナーリードとを少なくとも備え、封止樹脂で封
止することにより形成される半導体パッケージのリード
フレームにおいて、前記インナーリードの前記導電ワイ
ヤ接続領域を除く任意の領域のインナーリード部分に位
置する、互いに隣り合うインナーリード間の間隙が、前
記封止樹脂の誘電率よりも低い低誘電率材料で充填され
ていることを特徴としている。
めに、請求項１の発明の半導体パッケージ用リードフレ
ームは、外部回路に接続される所定数のアウターリード
と、このアウターリードに連続して形成され、半導体素
子のパッドに導電ワイヤにより電気的に接続される所定
数のインナーリードとを少なくとも備え、封止樹脂で封
止することにより形成される半導体パッケージのリード
フレームにおいて、前記インナーリードの前記導電ワイ
ヤ接続領域を除く任意の領域のインナーリード部分に位
置する、互いに隣り合うインナーリード間の間隙が、前
記封止樹脂の誘電率よりも低い低誘電率材料で充填され
ていることを特徴としている。
【０００９】また請求項２の発明は、前記インナーリー
ド部分の表面および裏面が前記低誘電率材料により覆わ
れていることを特徴としている。更に請求項３の発明
は、更に半導体素子を搭載するためのダイパッドを備え
ていることを特徴としている。
ド部分の表面および裏面が前記低誘電率材料により覆わ
れていることを特徴としている。更に請求項３の発明
は、更に半導体素子を搭載するためのダイパッドを備え
ていることを特徴としている。
【００１０】更に請求項４の発明は、前記封止樹脂がエ
ポキシ系樹脂であり、前記低誘電率材料が熱可塑性ポリ
イミドであることを特徴としている。更に請求項５の発
明は、前記低誘電率材料の表面に非熱可塑性ポリイミド
フィルムが設けられていることを特徴としている。
ポキシ系樹脂であり、前記低誘電率材料が熱可塑性ポリ
イミドであることを特徴としている。更に請求項５の発
明は、前記低誘電率材料の表面に非熱可塑性ポリイミド
フィルムが設けられていることを特徴としている。
【００１１】更に本発明の半導体パッケージ用リードフ
レームの製造方法は、請求項５の発明の半導体パッケー
ジ用リードフレームを製造する方法であって、非熱可塑
性ポリイミドフィルム上に熱可塑性ポリイミドをコーテ
ィングしたフィルムを２枚用い、これらのフィルムで前
記インナーリード部分をその表面及び裏面から挟んだ
後、前記フィルムを加熱圧着することにより形成するこ
とを特徴としている。
レームの製造方法は、請求項５の発明の半導体パッケー
ジ用リードフレームを製造する方法であって、非熱可塑
性ポリイミドフィルム上に熱可塑性ポリイミドをコーテ
ィングしたフィルムを２枚用い、これらのフィルムで前
記インナーリード部分をその表面及び裏面から挟んだ
後、前記フィルムを加熱圧着することにより形成するこ
とを特徴としている。
【００１２】
【作用】このように構成された本発明においては、イン
ナーリードの各リード間が封止樹脂の誘電率よりも低い
低誘電率材料で充填されているため、各リード間の寄生
容量が従来のリードフレームを用いた半導体パッケージ
の構造に比較して大きく減少する。そのためにクロスト
ークノイズ等の電気的ノイズが減少し、高周波特性が向
上する。
ナーリードの各リード間が封止樹脂の誘電率よりも低い
低誘電率材料で充填されているため、各リード間の寄生
容量が従来のリードフレームを用いた半導体パッケージ
の構造に比較して大きく減少する。そのためにクロスト
ークノイズ等の電気的ノイズが減少し、高周波特性が向
上する。
【００１３】また、本発明においては、非熱可塑性ポリ
イミドフィルム上に熱可塑性ポリイミドをコーティング
したフィルムによりインナーリード部分が固定されるた
め、このフィルムが、従来行われているインナーリード
のテーピングの役割も兼ねるようになり、インナーリー
ドのたわみ変形によるばらつきが抑制される。
イミドフィルム上に熱可塑性ポリイミドをコーティング
したフィルムによりインナーリード部分が固定されるた
め、このフィルムが、従来行われているインナーリード
のテーピングの役割も兼ねるようになり、インナーリー
ドのたわみ変形によるばらつきが抑制される。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。図１は、本発明にかかるリードフレーム
の一実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に
おけるIB−IB線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）における
IC−IC線に沿う断面図である。なお、前述の従来のリー
ドフレームの構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付
すことにより、その詳細な説明は省略する。
細に説明する。図１は、本発明にかかるリードフレーム
の一実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に
おけるIB−IB線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）における
IC−IC線に沿う断面図である。なお、前述の従来のリー
ドフレームの構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付
すことにより、その詳細な説明は省略する。
【００１５】図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本
実施例のリードフレーム１は、半導体素子のパッドとＡ
ｕ等の導電ワイヤにより電気的に接続されるインナーリ
ード３のボンディング部３ａを除くインナーリード３の
所定の領域のインナーリード部分に、樹脂封止材料の誘
電率よりも低い誘電率を有する額縁状の低誘電率部１１
が設けられている。
実施例のリードフレーム１は、半導体素子のパッドとＡ
ｕ等の導電ワイヤにより電気的に接続されるインナーリ
ード３のボンディング部３ａを除くインナーリード３の
所定の領域のインナーリード部分に、樹脂封止材料の誘
電率よりも低い誘電率を有する額縁状の低誘電率部１１
が設けられている。
【００１６】同図（ｃ）に示すように、この低誘電率部
１１は低誘電率材料１２とこの低誘電率材料１２の上下
面に形成された非熱可塑性樹脂層１３とから構成され、
低誘電率材料１２がインナーリード３の表面（半導体素
子の搭載側の面：図１(ｂ)で上面）および裏面（半導体
素子の搭載側と反対側の面：図１(ｂ)で下面）を覆いか
つ隣り合うインナーリード３,３間の間隙Ａを充填する
ようにして設けられている。なお、インナーリード３の
表面および裏面は、低誘電率材料１２で必ずしも覆われ
る必要はなく、インナーリード３,３間の間隙Ａのみを
低誘電率材料１２で充填するようにしてもよい。
１１は低誘電率材料１２とこの低誘電率材料１２の上下
面に形成された非熱可塑性樹脂層１３とから構成され、
低誘電率材料１２がインナーリード３の表面（半導体素
子の搭載側の面：図１(ｂ)で上面）および裏面（半導体
素子の搭載側と反対側の面：図１(ｂ)で下面）を覆いか
つ隣り合うインナーリード３,３間の間隙Ａを充填する
ようにして設けられている。なお、インナーリード３の
表面および裏面は、低誘電率材料１２で必ずしも覆われ
る必要はなく、インナーリード３,３間の間隙Ａのみを
低誘電率材料１２で充填するようにしてもよい。
【００１７】次に、このように構成された本実施例のリ
ードフレームを製造する方法について説明する。まず、
図２および図３に示すように所定数のアウターリード
２、所定数のインナーリード３、および半導体素子を搭
載するダイパッド４からなるリードフレーム本体１４
と、中央に比較的大きな開口１５を有する額縁状のフィ
ルム１６とを用意する。
ードフレームを製造する方法について説明する。まず、
図２および図３に示すように所定数のアウターリード
２、所定数のインナーリード３、および半導体素子を搭
載するダイパッド４からなるリードフレーム本体１４
と、中央に比較的大きな開口１５を有する額縁状のフィ
ルム１６とを用意する。
【００１８】リードフレーム本体１４は、従来のリード
フレームと同じように、銅、銅係合金、４２材、コバー
ルなどの所定の厚み（例えば、１５０μｍ）の金属板か
ら製造される。
フレームと同じように、銅、銅係合金、４２材、コバー
ルなどの所定の厚み（例えば、１５０μｍ）の金属板か
ら製造される。
【００１９】また、フィルム１６は、同図（ｂ）に示す
ように所定の厚みの非熱可塑性フィルム１７の表面に、
封止樹脂（例えばエポキシ系樹脂等）の誘電率より低い
低誘電率の熱可塑性樹脂１８を所定の厚みにコーティン
グした接着性フィルム１６から形成されている。この接
着性フィルム１６の一例として、厚み１２.５μｍの非
熱可塑性ポリイミドフィルム（例えばユーピレックスま
たはカプトン［いずれも商品名］がある）の表面に、熱
可塑性ポリイミドを１００μｍの厚みにコーティングし
たフィルムが使用できる。
ように所定の厚みの非熱可塑性フィルム１７の表面に、
封止樹脂（例えばエポキシ系樹脂等）の誘電率より低い
低誘電率の熱可塑性樹脂１８を所定の厚みにコーティン
グした接着性フィルム１６から形成されている。この接
着性フィルム１６の一例として、厚み１２.５μｍの非
熱可塑性ポリイミドフィルム（例えばユーピレックスま
たはカプトン［いずれも商品名］がある）の表面に、熱
可塑性ポリイミドを１００μｍの厚みにコーティングし
たフィルムが使用できる。
【００２０】次に、この接着性フィルム１６を図３
（ａ）に示す額縁状の形状に切断してフィルム１６を形
成する。その場合、額縁状の形状は、リードフレーム本
体１４のインナーリード３のボンディング部３ａを除く
インナーリード３の所定の領域のインナーリード部分
に、フィルム１６が位置するような大きさに形成する。
この額縁状のフィルム１６を２枚用意する。
（ａ）に示す額縁状の形状に切断してフィルム１６を形
成する。その場合、額縁状の形状は、リードフレーム本
体１４のインナーリード３のボンディング部３ａを除く
インナーリード３の所定の領域のインナーリード部分
に、フィルム１６が位置するような大きさに形成する。
この額縁状のフィルム１６を２枚用意する。
【００２１】次いで、図４に示すように１枚の額縁状の
フィルム１６をインナーリード３の一面側の図１（ａ）
に示す所定領域に配置し、その後熱圧着装置１９によ
り、図５に示すようにこのフィルム１６をインナーリー
ド３の一面側に張り合わせる。続いて、図６に示すよう
にもう一つのフィルム１６をインナーリード３の他面側
の所定領域に配置し、その後同様に熱圧着装置１９によ
り、このフィルム１６をインナーリード３の他面側に張
り合わせる。
フィルム１６をインナーリード３の一面側の図１（ａ）
に示す所定領域に配置し、その後熱圧着装置１９によ
り、図５に示すようにこのフィルム１６をインナーリー
ド３の一面側に張り合わせる。続いて、図６に示すよう
にもう一つのフィルム１６をインナーリード３の他面側
の所定領域に配置し、その後同様に熱圧着装置１９によ
り、このフィルム１６をインナーリード３の他面側に張
り合わせる。
【００２２】フィルム１６の熱可塑性樹脂１８が熱圧着
されると、図１（ｃ）に示すようにインナーリード３の
表面および裏面に当たる部分の熱可塑性樹脂１８が加熱
により軟化して溶融し、圧力により変形流動して隣り合
うインナーリード３,３間の間隙Ａを充填する。こうし
て、本実施例のリードフレーム１が形成される。
されると、図１（ｃ）に示すようにインナーリード３の
表面および裏面に当たる部分の熱可塑性樹脂１８が加熱
により軟化して溶融し、圧力により変形流動して隣り合
うインナーリード３,３間の間隙Ａを充填する。こうし
て、本実施例のリードフレーム１が形成される。
【００２３】このリードフレーム１を用いて半導体装置
を製造するには、図７に示すように従来の半導体装置の
製造方法と同様に、まずリードフレーム１のダイパッド
４に半導体素子８を搭載し、半導体素子８のパッドとイ
ンナーリード３のボンディング部３ａとをＡｕ等の導電
ワイヤ９により電気的に接続する。その後、半導体素子
８、導電ワイヤ９、ダイパッド４、フィルム１６、およ
びインナーリード３の樹脂封止領域をエポキシ系樹脂１
０によりパッケージングすることにより、半導体装置２
０が製造される。
を製造するには、図７に示すように従来の半導体装置の
製造方法と同様に、まずリードフレーム１のダイパッド
４に半導体素子８を搭載し、半導体素子８のパッドとイ
ンナーリード３のボンディング部３ａとをＡｕ等の導電
ワイヤ９により電気的に接続する。その後、半導体素子
８、導電ワイヤ９、ダイパッド４、フィルム１６、およ
びインナーリード３の樹脂封止領域をエポキシ系樹脂１
０によりパッケージングすることにより、半導体装置２
０が製造される。
【００２４】このように本実施例のリードフレーム１を
用いて製造された半導体装置２０においては、図７
（ｃ）に示すようにインナーリード３の所定領域の表裏
面が低誘電率の熱可塑性樹脂１８、すなわち低誘電率材
料１２によって覆われると共に、隣り合うインナーリー
ド３,３間の間隙Ａが熱可塑性樹脂１８によって充填さ
れるので、封止樹脂であるエポキシ系樹脂１０が侵入す
ることはない。これにより、本実施例のリードフレーム
１を用いた場合、隣り合うインナーリード３,３間の誘
電率が低くなるので、これらのリード３,３間の寄生容
量が従来のリードフレームを用いたパッケージングの構
造と比較して大きく減少する。したがって、クロストー
クノイズ等のノイズが減少し、高周波特性が向上する。
ちなみに、熱可塑性樹脂１８として熱可塑性ポリイミド
を用いた場合、誘電率が１Ｍｚにおいて３.０とエポキ
シ系封止樹脂よりも低い。
用いて製造された半導体装置２０においては、図７
（ｃ）に示すようにインナーリード３の所定領域の表裏
面が低誘電率の熱可塑性樹脂１８、すなわち低誘電率材
料１２によって覆われると共に、隣り合うインナーリー
ド３,３間の間隙Ａが熱可塑性樹脂１８によって充填さ
れるので、封止樹脂であるエポキシ系樹脂１０が侵入す
ることはない。これにより、本実施例のリードフレーム
１を用いた場合、隣り合うインナーリード３,３間の誘
電率が低くなるので、これらのリード３,３間の寄生容
量が従来のリードフレームを用いたパッケージングの構
造と比較して大きく減少する。したがって、クロストー
クノイズ等のノイズが減少し、高周波特性が向上する。
ちなみに、熱可塑性樹脂１８として熱可塑性ポリイミド
を用いた場合、誘電率が１Ｍｚにおいて３.０とエポキ
シ系封止樹脂よりも低い。
【００２５】また、本実施例のリードフレーム１におい
ては、フィルム１６がインナーリード３の所定領域を固
定するのでインナーリード３のたわみ変形を確実に防止
することができる。このように、フィルム１６は従来の
テーピングの機能をも有するようになる。したがって、
従来のリードフレームでは必要であったテーピング作業
の工程が不要となる。
ては、フィルム１６がインナーリード３の所定領域を固
定するのでインナーリード３のたわみ変形を確実に防止
することができる。このように、フィルム１６は従来の
テーピングの機能をも有するようになる。したがって、
従来のリードフレームでは必要であったテーピング作業
の工程が不要となる。
【００２６】図８は本発明の他の実施例を示す、図１と
同様の図である。なお、前述の従来のリードフレームの
構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付すことによ
り、その詳細な説明は省略する。
同様の図である。なお、前述の従来のリードフレームの
構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付すことによ
り、その詳細な説明は省略する。
【００２７】前述の実施例のリードフレームがダイパッ
ドを有するリードフレームであるのに対して、本実施例
のリードフレーム１は、図８に示すように半導体素子を
搭載するためのダイパッドのないリードフレームであ
る。
ドを有するリードフレームであるのに対して、本実施例
のリードフレーム１は、図８に示すように半導体素子を
搭載するためのダイパッドのないリードフレームであ
る。
【００２８】前述の実施例と同様にこの実施例のリード
フレーム１においても、インナーリード３のボンディン
グ部３ａを除くインナーリード３の所定領域野インナー
リード部分に、樹脂封止材料の誘電率よりも低い誘電率
を有する額縁状の低誘電率部１１が設けられている。そ
して、同図（ｃ）に示すようにこの低誘電率部１１も、
低誘電率材料１２とこの低誘電率材料１２の上下面に形
成された非熱可塑性樹脂層１３とから構成され、低誘電
率材料１２がインナーリード３の表裏面を覆いかつ隣り
合うインナーリード３,３間の間隙Ａを充填している。
フレーム１においても、インナーリード３のボンディン
グ部３ａを除くインナーリード３の所定領域野インナー
リード部分に、樹脂封止材料の誘電率よりも低い誘電率
を有する額縁状の低誘電率部１１が設けられている。そ
して、同図（ｃ）に示すようにこの低誘電率部１１も、
低誘電率材料１２とこの低誘電率材料１２の上下面に形
成された非熱可塑性樹脂層１３とから構成され、低誘電
率材料１２がインナーリード３の表裏面を覆いかつ隣り
合うインナーリード３,３間の間隙Ａを充填している。
【００２９】しかしながら、本実施例のリードフレーム
１は、リードフレーム１を製造する際に用いられるフィ
ルム１６のうち、インナーリード３の裏面（下面）に張
り合わされるフィルムが前述の実施例と異なっている。
すなわち、図９（ａ）に示すようにインナーリード３の
裏側に張り合わされる本実施例のフィルム１６′は、前
述の実施例のフィルム１６と同じ寸法の外形ではある
が、開口を有さない単なる矩形状のフィルムに形成され
ている。なお、同図（ｂ）に示すようにインナーリード
３の表面（上面）に張り合わされるフィルム１６は、前
述の実施例の開口１５を有するフィルム１６と全く同じ
である。このように構成された本実施例のリードフレー
ム１は、前述の実施例と全く同じ方法で製造することが
できるので、その説明は省略する。
１は、リードフレーム１を製造する際に用いられるフィ
ルム１６のうち、インナーリード３の裏面（下面）に張
り合わされるフィルムが前述の実施例と異なっている。
すなわち、図９（ａ）に示すようにインナーリード３の
裏側に張り合わされる本実施例のフィルム１６′は、前
述の実施例のフィルム１６と同じ寸法の外形ではある
が、開口を有さない単なる矩形状のフィルムに形成され
ている。なお、同図（ｂ）に示すようにインナーリード
３の表面（上面）に張り合わされるフィルム１６は、前
述の実施例の開口１５を有するフィルム１６と全く同じ
である。このように構成された本実施例のリードフレー
ム１は、前述の実施例と全く同じ方法で製造することが
できるので、その説明は省略する。
【００３０】ところで、図９（ａ）に示すフィルム１
６′をインナーリード３の裏面の所定領域に張り合わせ
たとき、図８（ａ）および（ｂ）に示すようにフィルム
１６′における低誘電率の熱可塑性樹脂１８が、各イン
ナーリード３の先端によって囲まれる空間Ｂを通して上
方へ露出する。この露出した部分は加熱圧着されないの
で溶融しなく、したがってこの熱可塑性樹脂１８の露出
部分に半導体素子８の搭載面２１が形成される。
６′をインナーリード３の裏面の所定領域に張り合わせ
たとき、図８（ａ）および（ｂ）に示すようにフィルム
１６′における低誘電率の熱可塑性樹脂１８が、各イン
ナーリード３の先端によって囲まれる空間Ｂを通して上
方へ露出する。この露出した部分は加熱圧着されないの
で溶融しなく、したがってこの熱可塑性樹脂１８の露出
部分に半導体素子８の搭載面２１が形成される。
【００３１】この実施例のリードフレーム１を用いて半
導体装置を製造するには、図１０に示すようにまず熱可
塑性樹脂１８の露出した半導体素子搭載面２１に半導体
素子８を搭載する。その後、前述の実施例と同様の製造
方法により、半導体装置が製造される。この実施例のリ
ードフレームを用いて製造された半導体装置において
も、前述の実施例の場合と同じ作用効果を得ることがで
きる。
導体装置を製造するには、図１０に示すようにまず熱可
塑性樹脂１８の露出した半導体素子搭載面２１に半導体
素子８を搭載する。その後、前述の実施例と同様の製造
方法により、半導体装置が製造される。この実施例のリ
ードフレームを用いて製造された半導体装置において
も、前述の実施例の場合と同じ作用効果を得ることがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、インナーリードの所定領域を覆うと共にこの
所定領域の隣り合うインナーリード間の間隙を充填する
樹脂が、従来のパッケージング用の封止樹脂よりも低い
誘電率を有しているので、各インナーリード間の寄生容
量を従来のリードフレームを用いた半導体装置の構造に
比べて大きく減少させることができる。したがって、リ
ード間のクロストークノイズを減少でき、高周波特性を
向上させることができる。これにより、超多ピン化によ
りリードフレームのリードが狭ピッチに設定されても、
安定した電気的特性を得ることができる。
によれば、インナーリードの所定領域を覆うと共にこの
所定領域の隣り合うインナーリード間の間隙を充填する
樹脂が、従来のパッケージング用の封止樹脂よりも低い
誘電率を有しているので、各インナーリード間の寄生容
量を従来のリードフレームを用いた半導体装置の構造に
比べて大きく減少させることができる。したがって、リ
ード間のクロストークノイズを減少でき、高周波特性を
向上させることができる。これにより、超多ピン化によ
りリードフレームのリードが狭ピッチに設定されても、
安定した電気的特性を得ることができる。
【００３３】また、本発明によれば、非熱可塑性ポリイ
ミドフィルム上に熱可塑性ポリイミドをコーティングし
たフィルムにより、インナーリードが固定されるため、
従来行われているテーピングの役割も兼ねることがで
き、インナーリードのたわみ変形によるばらつきを確実
に抑えることができるとともに、従来のテーピング作業
の工程を省略することができる。
ミドフィルム上に熱可塑性ポリイミドをコーティングし
たフィルムにより、インナーリードが固定されるため、
従来行われているテーピングの役割も兼ねることがで
き、インナーリードのたわみ変形によるばらつきを確実
に抑えることができるとともに、従来のテーピング作業
の工程を省略することができる。
【図１】 発明に係る半導体パッケージ用リードフレー
ムの一実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるIB−IB線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）におけ
るIC−IC線に沿う断面図である。
ムの一実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるIB−IB線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）におけ
るIC−IC線に沿う断面図である。
【図２】 図１に示す実施例に使用されるリードフレー
ム本体の平面図である。
ム本体の平面図である。
【図３】 図１に示す実施例に使用される低誘電率部を
形成するためのフィルムを示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるIIIB−IIIB線に沿う断面図であ
る。
形成するためのフィルムを示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるIIIB−IIIB線に沿う断面図であ
る。
【図４】 図１に示す実施例のリードフレームの製造方
法の一部を説明する図である。
法の一部を説明する図である。
【図５】 図１に示す実施例のリードフレームの製造方
法の他の一部を説明する図である。
法の他の一部を説明する図である。
【図６】 図１に示す実施例のリードフレームの製造方
法の更に他の一部を説明する図である。
法の更に他の一部を説明する図である。
【図７】 図１に示す実施例のリードフレームを用いて
製造された半導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）におけるVIIBーVIIB線に沿う断面図、（ｃ）は
（ａ）におけるVIICーVIIC線に沿う断面図である。
製造された半導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）におけるVIIBーVIIB線に沿う断面図、（ｃ）は
（ａ）におけるVIICーVIIC線に沿う断面図である。
【図８】 本発明の他の実施例を示す、図１と同様の図
である。
である。
【図９】 図８に示す実施例に使用される低誘電率部を
形成するためのフィルムを示す平面図である。
形成するためのフィルムを示す平面図である。
【図１０】図８に示す実施例のリードフレームを用いて
製造された半導体装置を示す、図７と同様の図である。
製造された半導体装置を示す、図７と同様の図である。
【図１１】従来のリードフレームの一例を示し、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるXIB−XIB線に沿う断
面図である。
は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるXIB−XIB線に沿う断
面図である。
【図１２】図１１に示す従来のリードフレームを用いて
製造された半導体装置を示す、図７と同様の図である。
製造された半導体装置を示す、図７と同様の図である。
１…リードフレーム、２…アウターリード、３…インナ
ーリード、４…ダイパッド、７…テーピングテープ、８
…半導体素子、９…導電ワイヤ、１０…封止樹脂（エポ
キシ系樹脂）、１１…低誘電率部、１２…低誘電率材
料、１３…非熱可塑性樹脂層、１４…リードフレーム本
体、１５…開口、１６,１６′…フィルム、１７…非熱
可塑性フィルム（非熱可塑性ポリイミドフィルム）、１
８…熱可塑性樹脂（熱可塑性ポリイミド）、１９…熱圧
着装置、２０…半導体装置、２１…半導体素子の搭載面
ーリード、４…ダイパッド、７…テーピングテープ、８
…半導体素子、９…導電ワイヤ、１０…封止樹脂（エポ
キシ系樹脂）、１１…低誘電率部、１２…低誘電率材
料、１３…非熱可塑性樹脂層、１４…リードフレーム本
体、１５…開口、１６,１６′…フィルム、１７…非熱
可塑性フィルム（非熱可塑性ポリイミドフィルム）、１
８…熱可塑性樹脂（熱可塑性ポリイミド）、１９…熱圧
着装置、２０…半導体装置、２１…半導体素子の搭載面
Claims (6)
- 【請求項１】 外部回路に接続される所定数のアウター
リードと、このアウターリードに連続して形成され、半
導体素子のパッドに導電ワイヤにより電気的に接続され
る所定数のインナーリードとを少なくとも備え、封止樹
脂で封止することにより形成される半導体パッケージの
リードフレームにおいて、 前記インナーリードの前記導電ワイヤ接続領域を除く任
意の領域のインナーリード部分に位置する、互いに隣り
合うインナーリード間の間隙が、前記封止樹脂の誘電率
よりも低い低誘電率材料で充填されていることを特徴と
する半導体パッケージ用リードフレーム。 - 【請求項２】 前記インナーリード部分の表面および裏
面が前記低誘電率材料により覆われていることを特徴と
する請求項１記載の半導体パッケージ用リードフレー
ム。 - 【請求項３】 更に半導体素子を搭載するためのダイパ
ッドを備えていることを特徴とする請求項１または２記
載の半導体パッケージ用リードフレーム。 - 【請求項４】 前記封止樹脂はエポキシ系樹脂であり、
前記低誘電率材料は熱可塑性ポリイミドであることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれか１記載の半導体パ
ッケージ用リードフレーム。 - 【請求項５】 前記低誘電率材料の表面に非熱可塑性ポ
リイミドフィルムが設けられていることを特徴とする請
求項４記載の半導体パッケージ用リードフレーム。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体パッケージ用リー
ドフレームの製造方法であって、非熱可塑性ポリイミド
フィルム上に熱可塑性ポリイミドをコーティングしたフ
ィルムを２枚用い、これらのフィルムで前記インナーリ
ード部分をその表面及び裏面から挟んだ後、前記フィル
ムを加熱圧着することにより形成することを特徴とする
半導体パッケージ用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1247593A JPH06224365A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 半導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1247593A JPH06224365A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 半導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224365A true JPH06224365A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11806410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1247593A Pending JPH06224365A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 半導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016042588A (ja) * | 2008-04-25 | 2016-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP1247593A patent/JPH06224365A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016042588A (ja) * | 2008-04-25 | 2016-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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