JPH06224178A - マイクロミニチュア構造及びその組立方法 - Google Patents

マイクロミニチュア構造及びその組立方法

Info

Publication number
JPH06224178A
JPH06224178A JP5202223A JP20222393A JPH06224178A JP H06224178 A JPH06224178 A JP H06224178A JP 5202223 A JP5202223 A JP 5202223A JP 20222393 A JP20222393 A JP 20222393A JP H06224178 A JPH06224178 A JP H06224178A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
photoresist
actuator
processed
depositing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5202223A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2744877B2 (ja
Inventor
Long-Shen Fan
ロン−シェン・ファン
Hans H Zappe
ハンス・ヘルムート・ザッペ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH06224178A publication Critical patent/JPH06224178A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2744877B2 publication Critical patent/JP2744877B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/0085—Manufacture of substrate-free structures using moulds and master templates, e.g. for hot-embossing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002—Electrostatic motors
    • H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
    • H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/035—Microgears
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/037—Microtransmissions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 自由起立ミニチュア構造の組立方法。 【構成】 基板１２の材質を選択し、その材質上に被加
工層５８を蒸着し、形状を決定する被加工層５８をパタ
ーン化する段階から構成される。フォトレジスト層６０
の材質は被加工層５８上で蒸着され、コントラスト強調
フォトリソグラフィによりフォトレジスト鋳型を形成す
るためパターン化される。鋳型上に、金属構造７４がメ
ッキされる。金属構造７４はレジストプロファイルを同
一化し、従来型シリコン高分子マイクロ構造の何倍もの
厚さを有することが可能である。フォトレジスト鋳型
と、被加工層５８はその後エッチング液を使用して溶解
され、自由起立金属構造を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的にマイクロマシン
作成及びマイクロ組立技術に関し、より詳細には、従来
型薄膜シリコン高分子組立技術では達成不可能な技術に
基づく積層マイクロミニチュアの組立に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ技術は半導体及び積層回路に適
用可能なプロセスから導かれた多くの積層マイクロ組立
技術を含んでいる。これらの技術は、化学的エッチン
グ、反応性イオンエッチング、酸素エッチング、ドライ
プラズマエッチング，メタライゼーション、金属蒸着、
フォトリソグラフィ、熱拡散、イオンインプランテーシ
ョン及び化学的蒸着を含む。近年、マイクロマシン作成
及びマイクロ組立は、大量・低価格で各種能動・受動的
マイクロ構造を有利に供給するため使用されてきた。多
くの構造の中で、提案済の構造は、アクチュエータとセ
ンサ、マイクロモータ、及び可動ジョイント・レバー・
ギア・すり板・バネといった他の各種デバイスである。
【０００３】歴史的には、多くの表面マシン化マイクロ
構造はシリコン高分子に基づく構造である。これらの構
造は、１内至２μｍのオーダの層構造を生み出すためエ
ッチングされた化学的蒸着ポリクリスタルシリコン膜に
よって、従来組み立てられている。これらの最小の厚さ
は、いくつかの応用では効果を減少させるシリコン高分
子に基づく構造の本質的制約である。例えば、サブマイ
クロニュートンオーダの一定の力とサブマイクロニュー
トンメートルのオーダのトルクを発生可能なシリコン高
分子マイクロアクチュエータが生産されてきた。これら
のデバイスはメガヘルツの周波数で小物体を移動させる
ため使用可能である。一方、サイズ１ミリ立方メートル
あるいはそれ以上の物体を１００Ｇのような高い加速度
割合で移動させることが望まれる。その目的のため、ミ
リニュートンオーダの力が必要である。本レベルでのマ
イクロ構造の組立は、物体移動に使用可能なエネルギー
が最大化されるように、十分な鉛直方向あるいは平面外
の剛性、加速度方向における非常に低いスチフネスを与
える設計を必要とする。
【０００４】米国特許Ｎｏ．５、０２５、３４６は被加
工システムでシリコン高分子薄膜技術を使用して、側面
誘導型共鳴マイクロアクチュエータ構造の組立を提案し
ている。組立では４つのマスクプロセスに基づき、そこ
では厚さ２μｍのシリコン高分子層を燐シリコンガラス
（ＰＳＧ）の被加工層上へ低温化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）
する。適切なパターン化に従って、該被加工層を溶解
し、自由起立アクチュエータ構造と支持システムを作成
する。該支持システムは、構造面内での高周波側面運動
に対してアクチュエータを支持するシリコン高分子ビー
ムを複数含んでいる。しかしながら鉛直方向の厚さがわ
ずか２μｍの時には、非常に小さな鉛直スチフネスつま
り、望ましい加速度方向に垂直のスチフネスを支持ビー
ムにより提供する。この低い鉛直スチフネスは都合の悪
い大きな鉛直運動を発生させる。幸い、与えられた方向
の厚さを増加させると、機械的なスチフネスは厚さの３
乗の関数で増加する。一方、それと直交方向のスチフネ
スは厚さに比例して増加するのみである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、マイクロ
構造への適用、特に自由起立構造では、鉛直方向の厚さ
を増加させるのが望ましい。このことは、従来型薄膜蒸
着技術の厚さ制限を解決する組立方法を必要とする。こ
れに加えて、加速度方向での構造的な厚さ制限によっ
て、高アスペクト比（即ち、側面方向に対する鉛直方向
の厚さの比）を有する構造の組立を可能にすることが必
要となる。１００μｍオーダの厚さの構造を作成する各
種Ｘ線技術が提案されているが、これらの厚さは必要な
厚さよりはるかに大きい。むしろ、１０μｍオーダの鉛
直方向の厚さで、アスペクト比約１０：１のマイクロ構
造を提供することが望ましい。
【０００６】従って本発明の目的は、例えば鉛直方向の
厚さがオーダ１０μｍ（１０内至２０μｍ）、アスペク
ト比約１０：１といったような、シリコン高分子薄膜技
術の本質的な厚さ制約を受けない自由起立ミニチュア化
構造の組立を可能にすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】該自由起立構造の組立方
法は、反転材料と、厚さ構造のマイクロマシーン化と最
小化された平面内特徴を犠牲にしない厚さ構造の増加を
可能にする先進的なリソグラフィックメッキ技術によっ
て達成される。本発明の都合の良い面では、基板材料を
選択し、基板材料上に被加工層材料を蒸着し、形状を決
定するため被加工層をパターン化する、ステップを含む
被加工システムに基づく方法を使用する。フォトレジス
ト層の材料を被加工層上に蒸着し、コントラストを強調
したフォトリソグラフィによってパターン化し、フォト
レジスト鋳型を形成する。電気的メッキ構造はレジスト
プロファイルを同一化し、シリコン高分子構造の厚さの
何倍もの厚さを持ち得る。該フォトレジスト鋳型と被加
工層をその後エッチング液を使用して溶解し、自由起立
金属構造を形成する。
【０００８】
【実施例】図１の具体例では、静電気マイクロアクチュ
エータデバイス１０としてミニチュア構造を形成する。
該デバイス１０は、基板１２の縦方向端の反対側に間隔
をおいて配列された一対の金属性アンカ１４、１６をそ
の上にマウントした該基板１２と、該基板１２の側面の
反対の端でアンカ１４、１６間の該基板上で形成された
間隔を有する一対の金属性ステータ１８、２０を含んで
いる。該アンカ１４、１６間で自由起立金属性アクチュ
エータ２２が支持されており、ここで該アクチュエータ
２２は複数の金属性支持メンバ２４、２６、２８及び３
０を通じて該アンカ１４及び１６にマウントされてい
る。該支持メンバは該アクチュエータ２２を該アンカ１
４及び１６に結び付け、図１中の矢印で指示したＡ−Ａ
方向への面内運動を許す、フレキシブルビームである。
該運動を促進するために、図１中で次元”ｄ”で表され
ている該支持メンバの厚さは比較的薄くなっている。こ
のように、アクチュエータ構造の最大次元が約１ミリメ
ートルである一方、厚さ”ｄ”は約１マイクロメートル
である。このことは、指定方向にアクチュエータを移動
させることを可能にする十分な支持フレキシビリティを
保証する。アクチュエータの位置決めに使用される該移
動力は該ステータ１８及び２０によって提供される。両
ステータはそれぞれ、内向きに広がる複数の電極３２、
３４を含む。アクチュエータはまた、外向きに広がる複
数のアクチュエータ電極３６、３８を含む。該アクチュ
エータ電極３６、３８はそれぞれステータ電極３２、３
４により差込まれあるいは組合わされる。ステータ１８
と２０間に直流電圧ポテンシャルを付加し、アクチュエ
ータ２２の下に位置する電導体を適用することで（図１
に指摘なし）、従来知られているように、アクチュエー
タ運動を付加ポテンシャルの極性に依存してＡ−Ａ方向
に引起こす静電気力を発生させる。
【０００９】該アクチュエータデバイス１０を完成し、
アクチュエータ２２により移動させられる要素を接着す
るため、アクチュエータ２２の上面上に接着プラットフ
ォーム４０を形成する。該アクチュエータ２２が複数の
エッチ穴４２を含むことをさらに記する。ここで該エッ
チ穴４２の目的は最終リリース段階で下にある被加工層
を切取るためエッチング液を通過させることであり、こ
れは以下でより詳細に説明する。
【００１０】ここで今図２から１４に戻ると、アクチュ
エータデバイス１０を組立てるための望ましい方法は、
図２で示されているように、シリコンウエハから従来型
形式で作成可能な絶縁基板１２で開始される。該基板１
２は酸化シリコン及び窒化シリコンのコーティング５
０、５２でパッシベーションを受ける。該基板１２の厚
さは変動が有り得るが、典型的に約１００内至５００ミ
リメートルである。該酸化シリコンコーティングの厚さ
は約５０００オングストローム、該窒化シリコンコーテ
ィングの厚さは約０．５ミリメートルである。窒化シリ
コンコーティングの上面には、厚さ約０．５ミリメート
ルの薄い電導性電導性金属層５４を蒸着させる。該電導
性金属層５４はｐ型ポリクリスタルシリコンのようなド
ープされた半導体材料で有り得る。代わりにこの層は、
銅やクロムを含有する典型元素を含み得る選択性金属成
分をスパッタすることで蒸着される。
【００１１】この蒸着法に従えば、該電導性金属層５４
はフォトリソグラフィとプラズマエッチングプロセスに
よりパターン化される。図３で示すように、フォトレジ
スト層５６を該電導性金属層５４上に形成し、第１の光
学マスク５７を該フォトレジスト層５６上に位置させ
る。該フォトレジスト材料は従来型の材料である。これ
らの材料は、適当な光の露光下で、フォトレジスト材料
を溶解させる後続のフォト成長にそれほどの抵抗を示さ
ないという共通の特徴を有する。該マスクは、クロムあ
るいは水晶といった従来型材料から形成される。フォト
レジスト層５６は、該構造面に垂直な軸に沿って下向き
の平行光源を使用して投影される。３６５ナノメートル
付近の波長を持つ紫外線領域光を含む各種平行光源を使
用して、該フォトレジスト材料を露光する。該露光レジ
ストは約一時間１２０°Ｆで成長し、堅焼される。従来
型レジスト溶剤を使用して、露光レジストを溶解し、図
４で示したようなレジストパターンを形成する。典型的
には、フォトレジスト組立ではまた、提供されたレジス
ト材料と互換性のある適切なレジスト溶剤を提供する。
【００１２】該パターン化フォトレジスト層５６を、プ
ラズマエッチングによって電導性金属層５４をパターン
化するために使用する。カーボンテラクロライド（ＣＣ
Ｌ4）プラズマエッチングの使用が望ましい。このプロ
セスでは、該フォトレジスト層５６により未防護の電導
性金属層５４部分を除去する。該プラズマエッチングプ
ロセスに従えば、フォトレジスト層５６を溶解し、図５
に示したようにパターン化された電導性金属層５４を生
じさせる。
【００１３】電導性金属層５４及び窒化シリコンコーテ
ィングの上面には、ガラス材料かつ望ましくはシリコン
高分子ガラス（ＰＳＧ）から作成した被加工層５８を蒸
着する。この作成は図６に描写されている。該ＰＳＧ被
加工層は低温化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）あるいはプラズマ
強調化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって蒸着される。この
蒸着法に従えば、被加工層は、該アンカ１４、１６と該
ステータ１８、２０の内部次元を定義するために使用さ
れるプレート形状にパターン化される。図７に示される
ように、被加工層５８はフォトレジスト層６０で被膜さ
れ、フォトレジストと被加工層上に置かれた第２の光学
マスク６１を使用した従来型リソグラフィによってパタ
ーン化され、該構造面に垂直な軸に沿って下向きの平行
光源を使用して引続き該フォトレジストと被加工層を投
影する。この目的のため再度、何らかの従来型フォトレ
ジスト材料と、クロムあるいは水晶といった何らかの従
来型マスク材料が使用可能である。３６５ナノメートル
付近の波長を持つ紫外線領域光を含む各種平行光源を使
用して、該フォトレジスト材料を露光する。該露光レジ
ストは約一時間１２０°Ｆで成長し、堅焼される。露光
ＰＳＧ層を溶解するために、フッ化水素酸といったフッ
化水素（ＨＦ）に基づく溶液を使用する。最後に、残り
のフォトレジストをレジスト溶剤中に溶解し、図８で示
すようなパターン化された被加工層を生じる。
【００１４】被加工層５８と窒化シリコン層５２の上面
には、電気的メッキシード層６２をスパッタリングで蒸
着する。該メッキシード層６２は金属元素の１つから形
成することも可能で、銅、ニッケル、クロムから作るこ
とが望ましい。一度メッキシード層６２を蒸着する際、
シード層６２は図９で示すように該シード層上に蒸着さ
れる。該シード層６２は、その下の中央で蒸着されてい
る被加工層５８を有する基板１２の痕跡全体にわたって
広がる。シード層６２の厚さは、アンカ１４と１６、ス
テータ１８と２０、アクチュエータ２２を含む金属成分
の厚さを決定する。このように、例えば、シード層６２
は厚さ約１０ミリメートル、あるいは１０内至２０の範
囲の厚さのオーダである。シード層６２は２ミリメート
ル以下の厚さでないことが望ましい。該シード層６２は
ブランド名ＡＺ４０００とＡＺ６０００として販売され
ている製品を含む従来型フォトレジスト材料から形成可
能である。
【００１５】フォトレジスト材料は従来型形式の構造上
で引伸ばされる。その後、図９に示されるように、脂肪
酸アルカリ金属塩材料あるいは類似材料から作成可能な
障害層６４をフォトレジスト層上に引伸ばす。コントラ
スト強調層６６を該障害層６４上に引伸ばす。該コント
ラスト強調層６６を使用して、該フォトレジスト層中に
非常に鋭いエッジの直線状側面壁表面を成長させる目的
で、引続きフォトリソグラフィ中の鋭い光学コントラス
トを提供する。このことは、コントラスト強調のリソグ
ラフィ構造の形成となる。該コントラスト強調層６６
を、例えばジアリル・ニトロンをその中に含む１つ内至
それ以上の漂白性染料から作成することが望ましい。”
漂白性染料”という表現は、臨界エネルギーレベル以上
のフォトリソグラフィ光源からの輻射に曝された時、該
コントラスト強調層が透明になり、より低エネルギーで
は不透明であり続けるという事実に関連している。該コ
ントラスト強調層は活性化状態では下敷きのフォトレジ
スト材料のフォト成長を可能とする光学スイッチとして
機能する。このことは下敷きのフォトレジスト材料の一
様なフォト成長を促進させ、上部が高露光である一方、
下部が低露光であり続けさせる。推奨するコントラスト
強調材料は、トレードマーク”ＣＥＭ ３８８”でＧｅ
ｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎより入手可能である。該臨界エネルギーレベルはフォ
トレジストとコントラスト強調層の厚さによって変化す
る。
【００１６】ここで図１０に関連して、第３の光学マス
クを使用してシード層６２、障害層６４とコントラスト
強調層６６をパターン化し、引続き電気的メッキのため
の鋳型を形成する。該第３の光学マスク６８は、複合ポ
ジティッブフォトレジスト層として提供されるシード層
６２、障害層６４、コントラスト強調層６６と共に、ク
ロムあるいは水晶から従来より形成可能である。適切な
輻射露光と選択性レジスト硬化によって、複合フォトレ
ジスト層の露光領域が引続くフォト成長と硬化により溶
解される一方、該第３の光学マスク６８下のレジスト部
は元のままである。複合フォトレジスト層をパターン化
するため選択する該輻射源は、低い口径（ＮＡ）値の投
影システムである。該システムは、該構造面内に実質的
に垂直方向の、紫外線領域望ましくは３６５ナノメート
ル付近の波長の高精度に平行化された輻射を提供する。
その露光レジストはその後成長しているが堅焼されてい
ない。
【００１７】複合フォトレジスト層のパターン化によっ
て図１１に描写されるているように、図１図示の金属性
アンカ１４と１６、アクチュエータ２２、ステータ１８
と２０の形状と配置を決定する鋳型構造が生じる。さら
に、複数のエッチ穴４２を定義する。すでに描写された
フォトリソグラフィパターン化プロセスを使用して、厚
さ２０μｍまでで９：１から１０：１あるいはさらに高
いアスペクト比のフォトレジスト型板あるいは鋳型を容
易に作成可能であり、平面外方向に対しかなり薄い（図
１に比べて）金属構造の成長を可能する一方、差込まれ
た電極の間隔といった、非常に薄い特徴が該構造面内に
形成されることを可能にする。該説明方法で形成された
フォトレジストを使用して、図１２で示される金属構造
６８を、電気メッキした電極としてメッキシード層を使
用した電気メッキによって蒸着可能である。該メッキ材
料は何らかの金属元素で有り得、被加工層が燐シリコン
ガラスである時、銅、ニッケル、クロムといった遷位元
素であれば望ましい。
【００１８】該金属性メッキ段階に従えば、メッキされ
た金属層６８上のフォトレジスト層７０を蒸着すること
で接着プラットフォーム４０を形成する。該フォトレジ
スト層７０は従来型レジスト材料から形成される。第４
の光学マスク７２をフォトレジスト層７０上に置く。再
度、該光学マスクはクロムあるいは水晶といった従来型
材料である。これらの構造は図１３に示されている。該
フォトレジスト層７０を波長３６５ナノメートル付近の
紫外線領域の光を提供する平行光源で露光する。この光
は該構造の平面に垂直な軸に沿って下向きである。その
露光レジストはその後成長しているが堅焼されていな
い。該パターン化されたレジストを電気メッキ鋳型とし
て使用し、図１４で示すように、金属構造７４を形成す
る。この構造は、レジスト層７０が溶解される時、接着
プラットフォーム４０を形成する。
【００１９】接着プラットフォーム４０の形成に従っ
て、層６２、６４、６６、シード層、被加工層５８を含
む残りの複合フォトレジスト層を全て溶解し、金属性ア
ンカ１４の構造、ステータ１８、２０の構造、支持メン
バ２４−３０と差込まれた電極３２−３８を含む自由起
立アクチュエータ２２の構造を形成する。この配置の断
面形状は図１５に示されている。被加工層５８を溶解す
るため使用するエッチング液は、被加工層が燐シリコン
ガラスから、金属性構造６８が銅やクロムから形成され
る時には、フッ化水素酸、あるいは他の何らかのＨＦに
基づく溶液であることが望ましい。これらの材料は、室
温下の被加工層中で毎分約１マイクロメートル内至それ
以上のエッチレートを有利に提供し、銅あるいはクロム
金属構造では無視可能なエッチレートを提供する。この
ように、フッ化水素に基づくエッチング液はＰＳＧ被加
工層５８と銅、クロム金属構造６８に関して選択的に良
好なエッチングを提供する。
【００２０】高アスペクト比を有する構造を該組立方法
を使用して常套的に形成することは認知されると思われ
る。マイクロアクチュエータデバイス１０のような高ア
スペクト比構造は、鉛直あるいは平面外偏向を最小化
し、良好な平面内操作力を発生することが望まれる、各
種応用可能な構造であることが期待される。例えば、高
アスペクト比マイクロアクチュエータは磁気的、光学的
記録のサブミクロントラッキングに節約的な使用が可能
である。本適用例は図１６と図１７に示されている。図
１６は本発明に従って組立てた、トラッキングアーム支
持アセンブリ１０４及び１対の磁気ヘッド１０８と１１
０をその上にマウントしたすり板１０６間にサンドイッ
チされた、マイクロアクチュエータ１０２を示すすり板
トラッキングシステム１００を描写している。該マイク
ロアクチュエータ１０２は基板１１２と、自由起立アク
チュエータ構造１１４と、すり板１１６がマウントされ
た接着プラットフォーム１１６、を含むものとして示さ
れている。図１６の該デバイスは、大きな鉛直スチフネ
ス（４０ｋＮ／ｍ）と１ｍＮの力を持つように作成さ
れ、負荷１０ミリグラムで１マイクロメートルのトラッ
キングに対し１．６ｋＨｚの帯域幅を与える。
【００２１】ヘッドトラッキングシステム１２０に対す
る別な組立を図１７に描写する。すり板１２２は、低い
空気軸受表面１２４を持つように示されている。薄膜ヘ
ッド１２６を本発明に従って、マイクロアクチュエータ
１２８を通じて、すり板１２２にマウントする。再度、
該マイクロアクチュエータ１２８により、非常に微細な
トラッキング訂正を与える。
【００２２】図１８と１９は平面内操作力、今回の場合
には領域効果型多重電極マイクロアクチュエータ構造１
３０を成長させるための望ましいマイクロアクチュエー
タ組立を描写している。この電極の木構造は、それぞれ
多重ブランチ１３６と１３８を有する１対のステータ１
３２と１３４を含む。各ブランチは代わって、図１９に
より詳細に示されているようなそこから側面外向きに広
がっている複数のフィンガ１４０と１４２を有する。該
木構造はさらに図１９にまた描写されているようにそこ
から側面に広がっている複数の電極フィンガ１４８を持
つ、複数のブランチ１４６を有するアクチュエータ１４
４を含む。該アクチュエータ１４４は複数の支持メンバ
１５０、１５２、１５４と１５６によって、１対のアン
カ構造１５８、１６０にマウントされる。本アプローチ
では各対のフィンガは、全領域にわたる電場エネルギー
を力とトルクに変換し小さな操作範囲内に一定の入出力
関係を維持するエネルギー保存セルを形成する。１平方
ミリメートルの領域平面外の厚さ２０マイクロメートル
で、幅６マイクロメートル、空気ギャップ２マイクロメ
ートルの電極、組合せられたフィンガに対し２５マイク
ロメートルでその他の部分で５マイクロメートルのブラ
ンチ幅、１００ボルトの最大電圧を有するよう図１８と
図１９の構造を計測するならば、１．１ミリニュートン
の側面力が達成可能である。構造的な完全性のため電極
の木構造１３０を、全可動アクチュエータ電極を共に保
持するためのトッププレートと共に提供可能である。該
プレートを金属か、あるいはプロセス互換性のある誘電
性材料から形成する。該プレートとステータ電極ブラン
チ間の分離距離を５マイクロメートルとすれば、０．３
ミリニュートンの小さな鉛直力が得られる。シリコン高
分子から作成された比較可能な構造より少なくとも３オ
ーダ異なっている値の鉛直スチフネスは、最小の平面外
偏向でこの負荷を調整可能である。
【００２３】
【発明の効果】それゆえ本発明は、例えば鉛直方向の厚
さがオーダ１０μｍ（１０内至２０μｍ）、アスペクト
比約１０：１といったような、シリコン高分子薄膜技術
の本質的な厚さ制約を受けない自由起立ミニチュア化構
造の組立を可能にする効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明によって組立てられたマイクロア
クチュエータ構造の概略設計図を示した図である。
【図２】図２は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、アクチュエータ構造を基板１２
から形成する最初の段階を示した図である。
【図３】図３は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、フォトレジスト層５６と第１の
光学マスクを該電導性金属層５４上に形成する段階を示
した図である。
【図４】図４は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、第１の光学マスク５７を利用し
てフォトレジスト層５６のパターンを形成する段階を示
した図である。
【図５】図５は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、フォトレジスト層５６のパータ
ンにより電導性金属層５４のパターンを形成する段階を
示した図である。
【図６】図６は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、電導性金属層５４及び窒化シリ
コンコーティング上面に被加工層５８を蒸着する段階を
示した図である。
【図７】図７は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、被加工層５８上にフォトレジス
ト層６０、第２の光学マスク６１を形成する段階を示し
た図である。
【図８】図８は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、第２の光学マスク６１を利用し
てパターン化された被加工層５８を形成する段階を示し
た図である。
【図９】図９は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、パターン化された被加工層５８
上にシード層６２、障害層６４とコントラスト強調層６
６を形成する段階を示した図である。
【図１０】図１０は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、第３の光学マスク６８を利
用してコントラスト強調層６６をパターン化する段階を
示した図である。
【図１１】図１１は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、シード層６２、障害層６４
とコントラスト強調層６６の複合フォトレジスト層をパ
ターン化する段階を示した図である。
【図１２】図１２は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、図１１で示した構造に金属
構造６８を電気メッキにより蒸着する段階を示した図で
ある。
【図１３】図１３は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、図１１の構造上にフォトレ
ジスト層７０と第４の光学マスク７２を形成する段階を
示した図である。
【図１４】図１４は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、第４の光学マスクを使用し
てフォトレジスト構造７０をパターン化し、金属構造７
４を形成する段階を示した図である。
【図１５】図１５は図１中のライン３−３にそって切取
られた断面図である。
【図１６】図１６は磁気的ａｎｄ／ｏｒ工学記憶デバイ
スに対してすり板トラッキングシステム概略の末端図で
ある。
【図１７】図１７は磁気的ａｎｄ／ｏｒ工学記憶デバイ
スに対してヘッドトラッキングシステムの概略側面図で
ある。
【図１８】図１８は本発明に基づいて組立てられた領域
効果型多重電極マイクロアクチュエータシステムの概略
設計図である。
【図１９】図１９は図１８の領域効果型マイクロアクチ
ュエータの一部の詳細図である。
【符号の説明】
１０ 静電気マイクロアクチュエータデバイス １２ 基板 １４、１６ アンカ １８、２０ ステータ ２２ アクチュエータ ２４、２６、２８、３０ 支持メンバ ３２、３４ 電極 ３６、３８ アクチュエータ電極 ４０ 接着プラットフォーム ４２ エッチ穴 ５０ 酸化シリコンコーティング ５２ 窒化シリコンコーティング ５４ 電導性金属層 ５６ フォトレジスト層 ５７ 第１の光学マスク ５８ 被加工層 ６０ フォトレジスト層 ６１ 第２の光学マスク ６２ シード層 ６４ 障害層 ６６ コントラスト強調層 ６８ 第３の光学マスク ７０ フォトレジスト層 ７２ 第４の光学マスク ７４ 金属構造 １００ トラッキングシステム １０２ マイクロアクチュエータ １０４ 支持アセンブリ １０６ すり板 １０８、１１０ 磁気ヘッド １１２ 基板 １１４ アクチュエータ構造 １１６ すり板 １２０ ヘッドトラッキングシステム １２２ すり板 １２４ 軸受表面 １２６ 薄膜ヘッド １２８ マイクロアクチュエータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス・ヘルムート・ザッペ アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州、 サン・ノゼ、ヒルクレスト・コート 1374

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板材質を選択する段階と、 表面材質上に被加工層の材質を蒸着する段階と、 形状を決定する該被加工層をパターン化する段階と、 該被加工層上に、フォトレジスト層の材質を蒸着する段
    階と、 フォトレジスト鋳型を形成するため該フォトレジスト層
    をコントラスト強調フォトリソグラフィによりパターン
    化する段階と、 該フォトレジスト鋳型上に金属層の材質をメッキする段
    階と、 自由起立金属構造を形成するために、エッチング液を使
    用して該フォトレジスト鋳型と該被加工層を溶解する段
    階と、から構成されることを特徴とするミニチュア構造
    組立方法。
  2. 【請求項２】該被加工層と該金属層と該エッチング液を
    選択し実質的に金属層より高いレートで被加工層をエッ
    チングする高エッチング選択性を提供する、請求項１記
    載の方法。
  3. 【請求項３】該被加工層をガラス材質から、該金属層を
    典型元素から、該エッチング液をＨＦ（フッ化水素）ベ
    ースの酸材料から形成する、請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】該被加工層は燐シリコンガラス（ＰＳＧ）
    であり、該金属層は銅あるいはクロムであり、該エッチ
    ング液はフッ化水素酸（ＨＦ）である、請求項１記載の
    方法。
  5. 【請求項５】フォトレジスト層を蒸着する段階は、コン
    トラスト強調層を該フォトレジスト層上に蒸着する段階
    をさらに含む、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】フォトレジスト層を蒸着する段階は、該フ
    ォトレジスト層上に障害層を蒸着する段階と該障害層上
    にコントラスト強調層を蒸着する段階をさらに含む、請
    求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】該コントラスト強調層は漂白性染料をその
    中に有する成分から形成される、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】該フォトレジスト層のパターン化段階は、
    フォトレジスト層をマスキングし、波長約３６５μｍで
    ある平行輻射源を提供する小さな数値の口径の投影シス
    テムを使用してフォトレジスト層の未マスク部分を露光
    する、請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】該フォトレジスト層を約２μｍ以下ではな
    い厚さで形成する、請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】該フォトレジスト層をパターン化し、少
    なくとも９：１の最大アスペクト比を持つ自由起立構造
    を提供する、請求項１記載の方法。
  11. 【請求項１１】複数のバネによって基板にマウントされ
    た位置決め可能なアクチュエータと、ステータ構造と、 該アクチュエータと該ステータ構造間の複数の静電気的
    ドライブ要素とを含み、絶縁基板材料を選択する段階
    と、 電導層を絶縁基板材料に固定する段階と、 アース電極を形成するため第１の光学マスクを使用した
    フォトリソグラフィにより該電導層をパターン化する段
    階と、 該電導層及び絶縁基板材料上に、燐シリコンガラス材料
    から形成した被加工層を蒸着する段階と、 形成されたアクチュエータ付近の自由領域を定義するた
    め第２の光学マスクを使用したフォトリソグラフィによ
    り該被加工層をパターン化する段階と、 銅あるいはクロム材料からなるシード層を、該被加工層
    と該電導層と該絶縁基板上にメッキする段階と、 第１のフォトレジスト層を該被加工層上に蒸着する段階
    と、 障害層を該第１のフォトレジスト層上に蒸着する段階
    と、 コントラスト強調層を該障害層上に蒸着する段階と、 アクチュエータと、基板構造と、該アクチュエータと該
    基板構造を接続して該アクチュエータを運動に対し支持
    する少なくとも９：１のアスペクト比を持つ複数のバネ
    と、を含むアクチュエータ構造を定義し、ステータと、
    該アクチュエータと該ステータ間で広がる複数の静電気
    ドライブ要素の組合せをさらに定義するための第３の光
    学マスクを使用したフォトリソグラフィにより、該第１
    のフォトレジスト層と該障害層と該コントラスト強調層
    をパターン化する段階と、 銅あるいはクロム層を該パターン化フォトレジスト層上
    にメッキする段階と、第２のフォトレジスト層を該銅あ
    るいはクロム層上に蒸着する段階と、 該アクチュエータ構造へ構成部分を固定する接着プラッ
    トフォームを形成するため、第４の光学マスクを用いた
    フォトリソグラフィにより第２のフォトレジスト層をパ
    ターン化する段階と、 該複数のバネにより該基板構造へマウントされた自由起
    立金属性アクチュエータを形成するため、フッ化水素エ
    ッチング液を使用して該被加工層を溶解する段階と、か
    らなる、ミニチュア化された静電気式アクチュエータ構
    造の組立方法。
JP5202223A 1992-09-21 1993-08-16 マイクロ・ミニチュア構造の組立方法 Expired - Lifetime JP2744877B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US948189 1992-09-21
US07/948,189 US5364742A (en) 1992-09-21 1992-09-21 Micro-miniature structures and method of fabrication thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06224178A true JPH06224178A (ja) 1994-08-12
JP2744877B2 JP2744877B2 (ja) 1998-04-28

Family

ID=25487442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5202223A Expired - Lifetime JP2744877B2 (ja) 1992-09-21 1993-08-16 マイクロ・ミニチュア構造の組立方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5364742A (ja)
EP (1) EP0592094B1 (ja)
JP (1) JP2744877B2 (ja)
KR (1) KR970008324B1 (ja)
CN (1) CN1077300C (ja)
DE (1) DE69323381T2 (ja)
MY (1) MY109365A (ja)
SG (1) SG42895A1 (ja)
TW (1) TW226475B (ja)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5481396A (en) * 1994-02-23 1996-01-02 Aura Systems, Inc. Thin film actuated mirror array
US5804314A (en) * 1994-03-22 1998-09-08 Hewlett-Packard Company Silicon microstructures and process for their fabrication
US6360424B1 (en) 1994-06-06 2002-03-26 Case Western Reserve University Method of making micromotors with utilitarian features
US6029337A (en) * 1994-06-06 2000-02-29 Case Western Reserve University Methods of fabricating micromotors with utilitarian features
US5705318A (en) * 1994-06-06 1998-01-06 Case Western Reserve University Micromotors and methods of fabrication
WO1995034943A1 (en) * 1994-06-10 1995-12-21 Case Western Reserve University Micromotors with utilitarian features and methods of their fabrication
US5788468A (en) * 1994-11-03 1998-08-04 Memstek Products, Llc Microfabricated fluidic devices
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US6547973B2 (en) * 1996-07-30 2003-04-15 Agilent Technologies, Inc. Fabrication of suspended structures using a sacrificial layer
DE69632950T2 (de) * 1996-07-31 2005-08-25 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Integrierte Mikrostrukturen aus Halbleitermaterial und ein Verfahren zu deren Herstellung
US6052251A (en) 1996-11-01 2000-04-18 Seagate Technology, Inc. Actuator arm integrated piezoelectric microactuator
US6393685B1 (en) 1997-06-10 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Microjoinery methods and devices
US6007968A (en) * 1997-10-29 1999-12-28 International Business Machines Corporation Method for forming features using frequency doubling hybrid resist and device formed thereby
US6023378A (en) * 1998-01-20 2000-02-08 Seagate Technology, Inc. Optical data storage system with improved head lens assembly
US6362939B1 (en) 1998-05-07 2002-03-26 Seagate Technology Llc. Balanced microactuator suspension
US6735055B1 (en) 1998-05-07 2004-05-11 Seagate Technology Llc Microactuator structure with vibration attenuation properties
US6320730B1 (en) 1998-09-26 2001-11-20 Seagate Technology Llc Low-stress disc drive microactuator cradle
US6389189B1 (en) 1998-10-23 2002-05-14 Corning Incorporated Fluid-encapsulated MEMS optical switch
US6404942B1 (en) 1998-10-23 2002-06-11 Corning Incorporated Fluid-encapsulated MEMS optical switch
US6297936B1 (en) 1998-11-09 2001-10-02 Seagate Technology Llc Integral load beam push-pull microactuator
US6233124B1 (en) 1998-11-18 2001-05-15 Seagate Technology Llc Piezoelectric microactuator suspension assembly with improved stroke length
US6361703B1 (en) 1999-03-04 2002-03-26 Caterpillar Inc. Process for micro-texturing a mold
US6351354B1 (en) 1999-05-07 2002-02-26 Seagate Technology Llc Head to flexure interconnection for disc drive microactuator
KR100323693B1 (ko) * 1999-05-20 2002-02-07 구자홍 미세 구조물 제조방법
US6414823B1 (en) 1999-06-09 2002-07-02 Seagate Technology Llc Coil-structures for magnetic microactuator
US6507463B1 (en) 1999-06-11 2003-01-14 Seagate Technology, Inc. Micro disc drive employing arm level microactuator
US8709153B2 (en) 1999-06-28 2014-04-29 California Institute Of Technology Microfludic protein crystallography techniques
US7459022B2 (en) 2001-04-06 2008-12-02 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography
US6929030B2 (en) 1999-06-28 2005-08-16 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US6899137B2 (en) 1999-06-28 2005-05-31 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US7144616B1 (en) 1999-06-28 2006-12-05 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US7052545B2 (en) 2001-04-06 2006-05-30 California Institute Of Technology High throughput screening of crystallization of materials
US7306672B2 (en) 2001-04-06 2007-12-11 California Institute Of Technology Microfluidic free interface diffusion techniques
DK1065378T3 (da) 1999-06-28 2002-07-29 California Inst Of Techn Elastomere mikropumpe- og mikroventilsystemer
US8550119B2 (en) 1999-06-28 2013-10-08 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US7244402B2 (en) 2001-04-06 2007-07-17 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography
US7195670B2 (en) 2000-06-27 2007-03-27 California Institute Of Technology High throughput screening of crystallization of materials
US7217321B2 (en) 2001-04-06 2007-05-15 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography techniques
US8052792B2 (en) 2001-04-06 2011-11-08 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography techniques
US6798609B1 (en) 1999-07-28 2004-09-28 Seagate Technology, Inc. Magnetic microactuator with capacitive position sensor
US6859345B2 (en) * 1999-08-17 2005-02-22 Seagate Technology Llc Bending microactuator having a two-piece suspension design
US6643426B1 (en) 1999-10-19 2003-11-04 Corning Incorporated Mechanically assisted release for MEMS optical switch
DE19955975A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-23 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen
US6574077B1 (en) 1999-12-02 2003-06-03 Seagate Technology Llc Microactuator assembly having improved standoff configuration
US6697232B1 (en) 2000-03-24 2004-02-24 Seagate Technology Llc Bonded transducer-level electrostatic microactuator for disc drive system
US20050118073A1 (en) 2003-11-26 2005-06-02 Fluidigm Corporation Devices and methods for holding microfluidic devices
US7867763B2 (en) 2004-01-25 2011-01-11 Fluidigm Corporation Integrated chip carriers with thermocycler interfaces and methods of using the same
US6683757B1 (en) 2000-04-05 2004-01-27 Seagate Technology Llc Slider-level microactuator for precise head positioning
US6785086B1 (en) 2000-04-05 2004-08-31 Seagate Technology Llc Transducer-level microactuator with dual-axis control
US6683758B2 (en) 2000-06-01 2004-01-27 Seagate Technology Llc Fabrication method for integrated microactuator coils
US7351376B1 (en) 2000-06-05 2008-04-01 California Institute Of Technology Integrated active flux microfluidic devices and methods
US6765766B2 (en) 2000-07-11 2004-07-20 Seagate Technology Llc Bonding tub improved electromagnetic microactuator in disc drives
US6851120B2 (en) * 2000-07-13 2005-02-01 Seagate Technology Llc Micro-actuator structure for improved stability
EP1334347A1 (en) 2000-09-15 2003-08-13 California Institute Of Technology Microfabricated crossflow devices and methods
US7678547B2 (en) 2000-10-03 2010-03-16 California Institute Of Technology Velocity independent analyte characterization
WO2002029106A2 (en) 2000-10-03 2002-04-11 California Institute Of Technology Microfluidic devices and methods of use
US7097809B2 (en) 2000-10-03 2006-08-29 California Institute Of Technology Combinatorial synthesis system
US6778350B2 (en) 2000-10-06 2004-08-17 Seagate Technology Llc Feed forward control of voice coil motor induced microactuator disturbance
US7232109B2 (en) 2000-11-06 2007-06-19 California Institute Of Technology Electrostatic valves for microfluidic devices
AU2002230524A1 (en) 2000-11-16 2002-05-27 California Institute Of Technology Apparatus and methods for conducting assays and high throughput screening
WO2002060582A2 (en) 2000-11-16 2002-08-08 Fluidigm Corporation Microfluidic devices for introducing and dispensing fluids from microfluidic systems
US6614628B2 (en) 2001-01-19 2003-09-02 Seagate Technology Llc Moving coil micro actuator with reduced rotor mass
US6752922B2 (en) 2001-04-06 2004-06-22 Fluidigm Corporation Microfluidic chromatography
EP1384022A4 (en) 2001-04-06 2004-08-04 California Inst Of Techn AMPLIFICATION OF NUCLEIC ACID USING MICROFLUIDIC DEVICES
ATE500051T1 (de) 2001-04-06 2011-03-15 Fluidigm Corp Polymeroberflächenmodifikation
US7075162B2 (en) 2001-08-30 2006-07-11 Fluidigm Corporation Electrostatic/electrostrictive actuation of elastomer structures using compliant electrodes
WO2003031066A1 (en) 2001-10-11 2003-04-17 California Institute Of Technology Devices utilizing self-assembled gel and method of manufacture
AUPR846701A0 (en) * 2001-10-25 2001-11-15 Microtechnology Centre Management Limited A method of fabrication of micro-devices
AU2002332983B2 (en) * 2001-10-25 2005-10-06 Micro Relay Holdings Pty Ltd A method of fabrication of micro-devices
US8440093B1 (en) 2001-10-26 2013-05-14 Fuidigm Corporation Methods and devices for electronic and magnetic sensing of the contents of microfluidic flow channels
US7691333B2 (en) 2001-11-30 2010-04-06 Fluidigm Corporation Microfluidic device and methods of using same
US7118910B2 (en) 2001-11-30 2006-10-10 Fluidigm Corporation Microfluidic device and methods of using same
EP2666849A3 (en) 2002-04-01 2014-05-28 Fluidigm Corporation Microfluidic particle-analysis systems
EP1551753A2 (en) 2002-09-25 2005-07-13 California Institute Of Technology Microfluidic large scale integration
EP1546412B1 (en) 2002-10-02 2014-05-21 California Institute Of Technology Microfluidic nucleic acid analysis
CN100365510C (zh) * 2003-01-15 2008-01-30 友达光电股份有限公司 制作一金属图案的方法
US20050145496A1 (en) 2003-04-03 2005-07-07 Federico Goodsaid Thermal reaction device and method for using the same
US8828663B2 (en) 2005-03-18 2014-09-09 Fluidigm Corporation Thermal reaction device and method for using the same
US7476363B2 (en) 2003-04-03 2009-01-13 Fluidigm Corporation Microfluidic devices and methods of using same
US7604965B2 (en) 2003-04-03 2009-10-20 Fluidigm Corporation Thermal reaction device and method for using the same
EP2340890B1 (en) 2003-04-03 2016-10-19 Fluidigm Corporation Method of performimg digital PCR
WO2004094020A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Fluidigm Corporation Crystal growth devices and systems, and methods for using same
AU2004240944A1 (en) 2003-05-20 2004-12-02 Fluidigm Corporation Method and system for microfluidic device and imaging thereof
DE10333840B4 (de) 2003-07-24 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse, das eine Umverdrahrungsstruktur aufweist und Verfahren zu deren Herstellung
SG145697A1 (en) 2003-07-28 2008-09-29 Fluidigm Corp Image processing method and system for microfluidic devices
US7413712B2 (en) 2003-08-11 2008-08-19 California Institute Of Technology Microfluidic rotary flow reactor matrix
US6831539B1 (en) 2003-08-28 2004-12-14 Seagate Technology Llc Magnetic microactuator for disc with integrated head connections and limiters drives
US7277257B2 (en) * 2003-12-05 2007-10-02 Seagate Technology Llc Transducer-level microactuator for a magnetic recording system
US7407799B2 (en) 2004-01-16 2008-08-05 California Institute Of Technology Microfluidic chemostat
MXPA06008399A (es) 2004-01-25 2008-03-07 Fluidigm Corp Dispositivos formadores de cristal y sistemas y metodos para hacer y utilizar los mismos.
US8025831B2 (en) 2004-05-24 2011-09-27 Agency For Science, Technology And Research Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures
US7217428B2 (en) * 2004-05-28 2007-05-15 Technology Innovations Llc Drug delivery apparatus utilizing cantilever
GB0412097D0 (en) * 2004-05-29 2004-06-30 Rolls Royce Plc Method of producing a self supporting form from a coating material
US7276453B2 (en) 2004-08-10 2007-10-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
US7224883B2 (en) * 2005-03-31 2007-05-29 Xerox Corporation Actuator and latching systems and methods
US7695632B2 (en) * 2005-05-31 2010-04-13 Lam Research Corporation Critical dimension reduction and roughness control
US7815868B1 (en) 2006-02-28 2010-10-19 Fluidigm Corporation Microfluidic reaction apparatus for high throughput screening
US8623231B2 (en) * 2008-06-11 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for etching an ultra thin film
CN104599979B (zh) * 2015-01-05 2017-06-20 中国科学院物理研究所 自支撑三维器件及其制备方法
AT520718B1 (de) * 2018-01-30 2019-07-15 Joanneum Res Forschungsgmbh Verfahren zur herstellung eines formeinsatzes mit (sub-)mikrostrukturen sowie werkstück mit (sub-)mikrostrukturen

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210636A (ja) * 1985-03-14 1986-09-18 Fujitsu Ltd 超微細管の製造方法
JPS63214742A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパタ−ンの形成方法
JPS6410245A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern forming method
US5025346A (en) * 1989-02-17 1991-06-18 Regents Of The University Of California Laterally driven resonant microstructures

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5108874A (en) * 1982-11-01 1992-04-28 Microsi, Inc. Composite useful in photolithography
US4677049A (en) * 1983-09-28 1987-06-30 General Electric Company Spin castable photobleachable layer forming compositions
US4663275A (en) * 1984-09-04 1987-05-05 General Electric Company Photolithographic method and combination including barrier layer
JPS6179226A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Hitachi Ltd パタ−ン形成方法
US4614119A (en) * 1985-03-08 1986-09-30 The Foxboro Company Resonant hollow beam and method
US4764244A (en) * 1985-06-11 1988-08-16 The Foxboro Company Resonant sensor and method of making same
EP0239376A3 (en) * 1986-03-27 1988-05-11 Gec-Marconi Limited Contrast enhanced photolithography
US4925770A (en) * 1986-05-20 1990-05-15 Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology Contrast-enhancing agent for photolithography
EP0280197A3 (en) * 1987-02-23 1990-05-23 Oki Electric Industry Company, Limited Process for forming photoresist pattern
US4740410A (en) * 1987-05-28 1988-04-26 The Regents Of The University Of California Micromechanical elements and methods for their fabrication
US5196295A (en) * 1987-07-31 1993-03-23 Microsi, Inc. Spin castable mixtures useful for making deep-UV contrast enhancement layers
US5106723A (en) * 1988-03-10 1992-04-21 Microsi, Inc. Contrast enhancement layer compositions, alkylnitrones, and use
US5180655A (en) * 1988-10-28 1993-01-19 Hewlett-Packard Company Chemical compositions for improving photolithographic performance
US5072288A (en) * 1989-02-21 1991-12-10 Cornell Research Foundation, Inc. Microdynamic release structure
CA2011927C (en) * 1989-06-02 1996-12-24 Alan Lee Sidman Microlithographic method for producing thick, vertically-walled photoresist patterns
US5206983A (en) * 1991-06-24 1993-05-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of manufacturing micromechanical devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210636A (ja) * 1985-03-14 1986-09-18 Fujitsu Ltd 超微細管の製造方法
JPS63214742A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパタ−ンの形成方法
JPS6410245A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern forming method
US5025346A (en) * 1989-02-17 1991-06-18 Regents Of The University Of California Laterally driven resonant microstructures

Also Published As

Publication number Publication date
DE69323381T2 (de) 1999-09-30
SG42895A1 (en) 1997-10-17
EP0592094A2 (en) 1994-04-13
TW226475B (ja) 1994-07-11
EP0592094A3 (en) 1994-10-12
JP2744877B2 (ja) 1998-04-28
US5364742A (en) 1994-11-15
CN1077300C (zh) 2002-01-02
DE69323381D1 (de) 1999-03-18
MY109365A (en) 1997-01-31
KR940007969A (ko) 1994-04-28
KR970008324B1 (ko) 1997-05-23
EP0592094B1 (en) 1999-02-03
CN1085667A (zh) 1994-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2744877B2 (ja) マイクロ・ミニチュア構造の組立方法
US6020215A (en) Process for manufacturing microstructure
US6781732B2 (en) Electromagnetically actuated micromirror actuator and fabrication method thereof
US6815363B2 (en) Method for nanomachining high aspect ratio structures
US10403463B2 (en) Method for the fabrication of electron field emission devices including carbon nanotube electron field emission devices
JP4056559B2 (ja) マイクロ機械加工構造物の製法およびかかる方法を使用して製造されたマイクロ機械加工構造物
US7291282B2 (en) Method of fabricating a mold for imprinting a structure
US20080284028A1 (en) Integrated device fabricated using one or more embedded masks
Brugger et al. Self-aligned 3D shadow mask technique for patterning deeply recessed surfaces of micro-electro-mechanical systems devices
US20030218789A1 (en) Monolithic in-plane shutter switch
Lev Fabrication of micro-magnetic traps for cold neutral atoms
JP3283066B2 (ja) 螺旋状部材の製造方法
JP2000158400A (ja) 局部的に補強された金属性のマイクロ構造を製作する製法並びに局部的に補強された金属性のマイクロ構造
Huff MEMS fabrication
Cros et al. High aspect ratio structures achieved by sacrificial conformal coating
US6429034B1 (en) Method of making high aspect ratio features during surface micromachining
JP5172532B2 (ja) 微細構造体
KR100323693B1 (ko) 미세 구조물 제조방법
Hatakeyama et al. Novel fast atom beam (FAB) processes for fabricating functional nanostructures on three-dimensional microstructures
US20220091410A1 (en) Optical scanning device and method for manufacturing same
JP3491941B2 (ja) マイクロ構造体の製造方法
KR20010046815A (ko) 리가 공정 및 이를 이용한 미세 구조물의 제조 방법
JP2005534505A (ja) 側方ギャップを有するマイクロシステム構造を生産する方法とこれに対応するマイクロシステム構造
Subramanian Single mask, multiple level single crystal silicon processes: MEMS out-of-plane actuators and three-dimensional wire arrays
KR20010049190A (ko) 미세 구동기 및 그 제조 방법