JP3283066B2 - 螺旋状部材の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、螺旋状部材の製造方法
に関し、特に、微小機械の構成要素として用いられる微
小コイルおよびマイクロバネなどを数十〜数百μｍオー
ダで製造する螺旋状部材の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造プロセスを応用したμ
ｍオーダの機械部品や数十〜数百μｍ程度の微小機械を
製造する技術（マイクロメカトロニクス技術）が開発さ
れ、バイオメディカル、微小光学系、流体制御および極
限プロービングなどに応用され始めている。このような
機械部品や微小機械としては、たとえば、歯車、リンク
機構、マイクロメータ、カンチレバーおよび加速度セン
サなどが報告されている（藤田、「マイクロメカトロニ
クスの現状と将来」，ＫＡＳＴ。Ｒｅｐｏｒｔ，Ｖｏ
ｌ．２，Ｎｏ．４，１９９１）。

【０００３】微細な構造を固体表面に設け、各種の機能
を持たせることが従来行なわれている。例えば回折格子
は、光エレクトロニクスの分野において、フィルタ、光
結合器、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、分布ブラッグ反
射型（ＤＢＲ）レーザなどの種々の光回路素子に用いら
れている。特に、ＤＦＢレーザ、ＤＢＲレーザに代表さ
れる波長制御用ないし波長可変半導体レーザ素子に形成
された回折格子は、レーザの共振器として用いられるた
め、この回折格子の周期、形状、深さはレーザ特性（発
振閾値、結合係数など）を決定する重要な要因となり、
高精度の回折格子をこれらレーザ素子中に制御性よく作
成することは重要な課題となっている。従来、こうした
回折回路は、格子状フォトレジストマスクの作成とエッ
チングとの２段階の過程を経て作成されている。光エレ
クトロニクスの分野で使用される回折格子の周期は０．
１〜１．０μｍ程度と微細であるから、フォトレジスト
マスクの作成に従来の光リソグラフィ技術を適用するこ
とはできない。このため、ホログラフィックな露光法が
一般に用いられてきた。これはレーザ光の干渉を用いた
露光法であり、その工程が図１１（ａ）〜（ｄ）に示さ
れている。この方法では、予め表面にフォトレジスト１
１２を塗布した基板１１１を用い、まず図１１（ａ）に
示すように、それぞれ十分に平行光線とした２本のレー
ザビーム１１３，１１４を２方向（図１１（ａ）の例で
は、基板１１１表面への垂直に関しそれぞれ角度θを有
する２方向）から加工対象の基板１１１に表面に照射
し、表面に干渉縞を形成してフォトレジスト１１２を周
期的に露光させる。そののち、現像、加熱処理を行なう
ことによって図１１（ｂ）に示すような周期Λの格子状
のフォトレジスト１１５を形成し、この格子状のフォト
レジスト１１５をエッチングマスクとして湿式エッチン
グあるいはドライエッチングを行ない［図１１
（ｃ）］、最後にこの格子状のフォトレジスト１１５を
除去して図１１（ｄ）に示すような周期構造１１６すな
わち回折格子を得るようになっていた。

【０００４】また、従来、光フィルター等は、複数の顔
料あるいは染料を含有した感光性材料を光透過性基板上
にモザイクパターン状に形成する方法により製造されて
いる。図１３で従来例を説明する。まず透過性基板６１
０上に遮光層６２０をパターニングする（図１３
（ａ））。次に顔料あるいは染料を含有した第１の感光
性材料層６３０を基板の一面に形成する（図１３
（ｂ））。この層を露光して現像を行ないモザイクパタ
ーン状の第１の光選択的吸収層６４０とする（図１３
（ｃ））。この工程をもう２回繰返して第２の吸収層６
５０、第３の吸収層６６０を形成し、カラーフィルター
６７０とする（図１３（ｄ））。

【０００５】機械装置において、バネは重要な構成要素
である。従来、大型の機械装置はもちろん精密小型機械
装置においても、バネは所定の材料を、所定の形状に機
械加工して作成されたのち、該機械装置に組み込まれて
使用されている。

【０００６】一方、さらに微小な機械装置においては、
機械加工によるバネの作成もしくは、作成したバネの組
み込みが困難もしくは不可能になる。このような機械装
置においては、半導体プロセス技術を応用して、機械部
品を組み上げた形態で作成する方法が知られている。こ
のような方法におけるバネ要素の作成方法としては、基
板上に所定のバネ要素の薄膜パターンを形成し、然る後
に該薄膜下の基板を除去するか、もしくは、基板上に犠
牲層とよばれる除去するに容易な層を形成し、犠牲層上
にバネとして用いる薄膜パターンを作成した後、化学的
手法により犠牲層を除去しバネ要素を作成する方法が知
られている。

【０００７】しかしながら、前記半導体プロセス技術を
応用した従来のバネ作成方法においては、基板、もしく
は犠牲層を化学的手法などにより除去する必要があり、
このことからバネ材料もしくは基板材料に制約がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】微小機械の重要な構成
要素の一つである微小コイルおよびマイクロバネなどの
螺旋状部材を数十〜数百μｍオーダの大きさで製造する
方法については、従来の微小機械が比較的単純な構成の
ものであるため螺旋状部材を必要としないことから、未
だ報告されていない。

【０００９】しかし、駆動電圧として数百ボルトの高電
圧を必要とする静電力マイクロアクチュエータに比べて
低電圧で駆動可能な磁気力マイクロアクチュエータを構
成するために、および微小機械の高機能化を図るため
に、微小コイルやマイクロバネなどの螺旋状部材を数十
〜数百μｍオーダの大きさで製造する方法が求められて
いる。

【００１０】本発明の目的は、螺旋状部材を数十〜数百
μｍオーダの大きさで製造することができる螺旋状部材
の製造方法を提供することにある。

【００１１】上述した回折格子の作成方法に代表され
る、微細な構造を形成するための従来のエッチング方法
では、各被加工物に必ずフォトレジストを塗布して干渉
性の露光を行ない、さらに現像を行なう必要があるの
で、工程が複雑になり、再現性や歩留り、スループット
が悪化するという問題点がある。さらに、最終的にはフ
ォトレジストを剥離・除去する必要があり、このときに
レジストの残渣やコンタミネーションが発生しやすく、
以後の工程での歩留りや信頼性低下の原因になるという
問題点がある。

【００１２】本明細書では参考として、被加工物にフォ
トレジストを塗布することなくその被加工物の表面に微
細な構造を設けることができ、かつ工程が容易であっ
て、再現性、信頼性に富んだエッチング方法と、この方
法によるエッチング装置が示される。

【００１３】さらに、上記従来例では急速に進歩するＣ
ＣＤなどの撮像素子あるいは受光素子やカラディスプレ
イなどの高解像力化に対応できず、以下のような問題点
が発生している。即ち、顔料あるいは染料を含有した感
光性材料は比較的解像度が悪く、従来法で形成するとパ
ターンに肩だれが生じる。このだれは、パターン寸法が
従来のように１０〜２０μｍ程度と広い場合は図１４
（ａ）に示すように第１の光選択的吸収層６４０と第２
の吸収層６５０とが重なることがなく、特に問題無い
が、数μｍ以下あるいはサブミクロン以下の解像度を必
要とする場合には、図１４（ｂ）に示すように第２の光
選択的吸収層６５０の一部が第３の光選択的吸収層６６
０の領域に侵入したり、肩だれが光の透過部分にまで及
び、このため、異なる波長の光が検出されたり、画像の
解像度が低下する問題を生じている。また、光フィルタ
ーの製造方法の煩雑さが問題であった。従来例に示した
ようにレジストを用いてパターニングを繰返すため、製
造工程は長く、煩雑であり、それはコストアップ及び歩
留り低下をもたらしていた。

【００１４】本明細書では参考として、上記問題点にあ
るパターンの肩だれ防止した高精細な光フィルターを、
より低コスト、高歩留りに製造する方法が示される。

【００１５】さらに、本明細書では参考として、半導体
プロセス技術を応用することにより、広範囲のバネ材料
が利用できると共に、微小機械装置用機械要素として重
要なマイクロバネの作成方法が示される。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の螺旋状部材の製
造方法は、芯材の外周に絶縁膜を堆積する絶縁膜堆積工
程と、該絶縁膜堆積工程で堆積された絶縁膜の外周に導
電膜を堆積する導電膜堆積工程と、該導電膜堆積工程で
堆積された前記導電膜を螺旋状にエッチングして螺旋状
導線を形成するエッチング工程とを含む螺旋状部材の製
造方法である。

【００１７】ここで、前記エッチング工程が、前記導電
膜上にレジスト膜を塗布する工程と、塗布されたレジス
ト膜に２本の光線または２本の電子線によって螺旋状の
パターンを露光する工程と、露光されたレジスト膜を現
像して導電膜を螺旋状に露出させる工程と、導電膜の露
出部分をエッチングする工程と、エッチングの後、残っ
たレジスト膜を除去する工程とから成っていてもよい。

【００１８】また、上記方法が、更に、前記螺旋状導線
の外周に第２の絶縁膜を堆積する第２の絶縁膜堆積工程
と、該第２の絶縁膜堆積工程で堆積された前記第２の絶
縁膜の片方の端部を除去して前記螺旋状導線の片方の端
部を露出させる絶縁膜除去工程と、該絶縁膜除去工程で
露出された前記螺旋状導線の片方の端部と前記第２の絶
縁膜との外周に第２の導電膜を堆積する第２の導電膜堆
積工程と、該第２の導 電膜堆積工程で堆積された前記第
２の導電膜を螺旋状にエッチングして第２の螺旋状導線
を形成する第２のエッチング工程とを含んでいてもよ
い。

【００１９】このとき、前記第２のエッチング工程が、
前記第２の導電膜上に第２のレジスト膜を塗布する工程
と、塗布された第２のレジスト膜に２本の光線または２
本の電子線によって螺旋状のパターンを露光する工程
と、露光された第２のレジスト膜を現像して第２の導電
膜を螺旋状に露出させる工程と、第２の導電膜の露出部
分をエッチングする工程と、エッチングの後、残った第
２のレジスト膜を除去する工程とから成っていてもよ
い。

【００２０】さらに、上記方法が、更に、前記第２の螺
旋状導線の外周に第３の絶縁膜を堆積する第３の絶縁膜
堆積工程と、該第３の絶縁膜堆積工程で堆積された前記
第３の絶縁膜の他方の端部を除去して前記第２の螺旋状
導線の他方の端部を露出させる第２の絶縁膜除去工程
と、該第２の絶縁膜除去工程で露出された前記第２の螺
旋状導線の他方の端部と前記第３の絶縁膜との外周に第
３の導電膜を堆積する第３の導電膜堆積工程と、該第３
の導電膜堆積工程で堆積された前記第３の導電膜を螺旋
状にエッチングして第３の螺旋状導線を形成する第３の
エッチング工程とを含んでもよい。

【００２１】このとき、前記第３のエッチング工程が、
前記第３の導電膜上に第３のレジスト膜を塗布する工程
と、塗布された第３のレジスト膜に２本の光線または２
本の電子線によって螺旋状のパターンを露光する工程
と、露光された第３のレジスト膜を現像して第３の導電
膜を螺旋状に露出させる工程と、第３の導電膜の露出部
分をエッチングする工程と、エッチングの後、残った第
３のレジスト膜を除去する工程とから成っていてもよ
い。

【００２２】本明細書では参考として、直径１ｍｍ以下
の細線の外周に光線または電子線によるレジスト描画プ
ロセスを用いて螺旋状部材を形成する螺旋状部材形成工
程と、該螺旋状部材形成工程で前記螺旋状部材が形成さ
れた前記細線を除去する細線除去工程とを含む螺旋状部
材の製造方法も示される。

【００２３】本発明の螺旋状部材の製造方法は、芯材の
外周に絶縁膜を堆積する絶縁膜堆積工程と、該絶縁膜堆
積工程で堆積された絶縁膜の外周に導電膜を堆積する導
電膜堆積工程と、該導電膜堆積工程で堆積された前記導
電膜を螺旋状にエッチングして螺旋状導線を形成するエ
ッチング工程とを含むことにより、半導体プロセスを応
用して螺旋状部材を製造することができるため、エッチ
ング工程においてμｍオーダの加工を行なうことができ
る。

【００２４】直径１ｍｍ以下の細線の外周に光線または
電子線によるレジスト描画プロセスを用いて螺旋状部材
を形成する螺旋状部材形成工程と、螺旋状部材形成工程
で螺旋状部材が形成された細線を除去する細線除去工程
とを含む参考技術は、半導体プロセスを応用して中空の
数十〜数百μｍオーダの螺旋状部材を製造することがで
きる。 （参考技術…エッチング方法）：参考として のエッチング方法は以下の２つの方法からな
る。

【００２５】第１のエッチング方法は、被加工物の表面
に微細なエッチングを行なうエッチング方法であって、
前記被加工物の表面と微細な導管の一端とを微小距離間
隔で対向配置し、前記導管にエッチング液を供給し、突
出しているときには前記エッチング液の先端が前記表面
に接触し、突出していないときには前記先端が前記表面
に接触せず、かつ前記一端から前記エッチング液が実質
的に流出しないようにして、前記エッチング液に周期的
に力を加え前記エッチング液の先端を前記一端から周期
的に突出させる。

【００２６】第２のエッチング方法は、被加工物の表面
に微細なエッチングを行なうエッチング方法であって、
前記被加工物の表面と微細な導管の一端とを微小距離間
隔で対向配置し、前記導管にエッチング液を供給して表
面張力と毛管力とにより前記エッチング液の先端を前記
導管のいずれかの部位に保持し、前記先端が保持された
状態を維持しながら前記エッチング液に周期的に圧力を
加え、周期的に前記先端を前記一端から突出させて前記
表面に接触させる。

【００２７】参考としてのエッチング装置は、被加工物
の表面に微細なエッチングを行なう時に用いられるエッ
チング装置であって、エッチング液を溜める凹部と、一
端が前記被加工物の表面に対向し得るよう形成され他端
が前記凹部に接続された微細な導管と、前記凹部に溜め
られたエッチング液に対して周期的に作用力を印加する
突出手段とを有し、前記突出手段を駆動することによ
り、前記一端から実質的に流出させることなしに前記エ
ッチング液の先端を前記一端から周期的に突出させるよ
うにしたものである。

【００２８】参考としてのエッチング方法では、微細な
導管の一端からエッチング液の先端を周期的に突出さ
せ、突出時に被加工物の表面にエッチング液の先端を接
触させるので、微細な導管の断面形状に応じて被加工物
がエッチングされることになる。この場合、エッチング
液が導管の一端から実質的に流出しないようにすること
により、エッチングされては困る部分のエッチングを防
ぐことができる。

【００２９】エッチング液の先端を突出させるため、導
管の一端と被加工物との間隔は微小なものとなるが、エ
ッチング液の突出時の条件を安定なものとするため、エ
ッチング液の組成と導管の材質の選択に注意を払い、静
置状態において、エッチング液の先端が表面張力と毛管
力とによってメニスカスを形成し導管の所定の部位に保
持されるようにすることが望ましい。このようにすれ
ば、エッチング液の量が多少変化したとしても、静置状
態におけるエッチング液の先端の位置はほとんど変化せ
ず、安定してエッチングを行なうことができる。

【００３０】エッチング液の先端の突出の方法として
は、エッチング液を導管に連通するエッチング液溜めに
溜めておき、このエッチング液溜め内のエッチング液の
体積を直接変化させることも考えられるが、このような
方法は、エッチング液全体の量によっては突出が十分に
おこなわれなかったり、導管の一端からのエッチング液
の流出をもたらす恐れがあるのであまり好ましくない。
一方、エッチング液の先端が表面張力および毛管力とに
よってメニスカスを形成して導管の所定の部位に保持さ
れるようにし、エッチング液に加わる圧力を変化させる
ようにする場合には、突出量が表面張力、毛管力、加え
た圧力のみによって決まるので、エッチング液の量の多
少の変化があったとしても、安定してエッチングを行な
うことができる。

【００３１】さらに、導管の他端にエッチング液溜めが
接続されている場合、突出していないときにエッチング
液の先端が導管の他端近傍まで後退するようにすると、
この先端付近のエッチング液がエッチング液溜め内の新
鮮なエッチング液と置換され、次に突出するときに被加
工物と接触するのが新鮮なエッチング液となり、エッチ
ングの効率が向上するので好都合である。

【００３２】参考としてのエッチング装置は、エッチン
グ液を溜める凹部と、一端が被加工物の表面に対向し得
るよう形成され他端が凹部に接続された微細な導管と、
凹部に溜められたエッチング液に対して周期的に作用力
を印加する突出手段とを有するので、突出手段を駆動す
ることにより導管の一端から周期的にエッチング液の先
端が突出することになり、導管の一端に被加工物を微小
距離において配置しておけば、この被加工物の表面が導
管の形状に応じてエッチングされることになる。

【００３３】突出手段としては、カンチレバーとこのカ
ンチレバーを変位させる手段からなるものを用いると良
く、カンチレバーを変位させる手段としては、圧電体薄
膜とこの圧電体薄膜に電圧を印加する一対の電極からな
るものを用いると良い。また、微小な形状のエッチング
を行なう場合、このエッチング装置自体も小さく形成す
ることが望ましく、凹部と導管と突出手段とを基板に一
体形成するようにしてこのエッチング装置を構成すると
良い。また、エッチング方法のところで述べたのと同様
の理由により、エッチング液の先端が表面張力と毛管力
とによってメニスカスを形成し導管の所定の部位に保持
されることが望ましいから、微細な導管を凹部の下方に
設け、重力によって自然にエッチング液が導管に供給さ
れ保持されるようにすると良い。 （参考技術…光フィルターの製造方法）：参考として 、光透過性基板上にモザイク状に所定種類の
光選択的吸収層を繰返し配列してなる光フィルターの製
造方法において、 （１）表面に電極層を形成した光透過性基板上にＸ線又
は紫外線に感応するレジストを用いて遮光層に相当する
レジスト部分を除去したレジストパターンをリソグラフ
ィーにより形成する工程と、 （２）レジストパターンを形成した上記基板の電極層を
電極としてめっきを行なうことにより、電極層上にめっ
き金属による遮光層を形成し、次いで基板上のレジスト
パターン及びレジストパターン下部の電極層を除去する
ことにより遮光層を有する基板を形成する工程、 （３）一の種類の光選択的吸収層配列に対応した穴あき
マスクの穴を基板の一の種類の光選択的吸収層形成予定
部に重ねて一の種類の染料又は顔料を蒸着し、次いで前
記マスクを移動してマスクの穴を他の種類の光選択的吸
収層形成予定部に重ねて他の種類の染料又は顔料を蒸着
することを所定回数繰返す工程、 上記（１），（２），（３）の工程からなるように構成
するもので、遮光層が金めっき膜で形成されたものであ
ることを含む方法が示される。

【００３４】以下、参考としての製造方法を図面を参照
して説明する。図１２（ａ）から図１２（ｇ）の概略断
面図は光フィルターの製造方法の１実施例を示すもので
ある。

【００３５】図１２（ａ）中、５１１は光透過性基板
で、その上面に電気めっき用の電極層５１２を形成す
る。

【００３６】基板としては光の透過性の良好なものが好
ましく、例示すれば石英ガラス、窒化シリコン等が望ま
しい。

【００３７】電極層５１２はＡｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、
Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｔｉ等が好ましく、形成方法として
は、ＥＢ蒸着、抵抗加熱装置、スパッタリング蒸着等が
例示できる。

【００３８】次に、基板５１１の電極層５１２の上に、
図１２（ｂ）に示すようにレジスト層５１３を形成す
る。このレジストはＸ線又は紫外線に感応するレジスト
で、これら以外は解像度の点から採用し得ない。これら
レジストとしてはノボラック樹脂系あるいはアクリル樹
脂系レジスト等が使用できる。商品名でいえばノボラッ
ク樹脂系（ＡＺ−ＰＮ１００：ヘキスト社、ＴＳＭＲ−
Ｖ３：東京応化社など）、アクリル樹脂系（ＯＥＢＲ−
１０００：東京応化社）等が好ましい。

【００３９】次に、上記レジスト層５１３に後述する遮
光層に相当するパターンを露光する。この遮光層のパタ
ーンは形成する光選択的吸収層の形状、大きさ等を考慮
して所望の色彩数のモザイク形状の繰返し配列で形成さ
れる。露光方法は公知の方法が採用できる。その後、レ
ジスト層５１３を現像し、電極層５１２の遮光層に相当
する部分の上部のレジスト層を溶解除去する。これらの
手法は公知のリソグラフィーによるものである。

【００４０】次に、電極層５１２を陰極として電解めっ
きを行なうことにより、図１２（ｃ）に示すように溶解
除去したレジスト部分を埋めて、めっき金属による遮光
層５１４が形成される。つまり、レジストパターンをス
テンシルとして電解めっきを行ない遮光層５１４を形成
するものである。めっき金属としてはＡｕ，Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｃｕ等が好ましい。

【００４１】遮光層５１４の幅、及び高さ（めっき厚
さ）は目的によって種々選択されるが、一般に幅は０．
２〜１０μｍ、高さ１〜５０μｍとすることが好まし
い。

【００４２】遮光層５１４をめっきで形成した後、レジ
ストを溶解除去する。レジストの溶解除去は公知の方法
による（図１２（ｄ））。

【００４３】その後、レジストを除去することによって
現われたレジストパターン下部のめっき用電極層５１２
（図１２（ａ））を除去することにより図１２（ｅ）に
示すような所定の高さを有する遮光層５１４を表面に形
成した基板５１１を得る。電極層５１２の除去方法とし
ては、Ａｒ，Ｏ2，Ｎ2，Ｃｌ2などのガスを用いたドラ
イエッチング、あるいは電極層５１２を溶解できるエッ
チング液を用いたウェットエッチングがある。

【００４４】次に、図１２（ｆ）に示すように、所定の
種類（本例においては３種類）の光選択吸収層のうち、
後述する一の種類の光選択的吸収層５１５の配列に対応
した穴５１６の配列を形成した穴あきマスク５１７を基
板５１１に重ねる。この場合、穴５１６と形成する光選
的択吸収層の位置とは一致していなければならない。こ
の状態で顔料、又は染料を真空装置内で加熱して穴あき
マスを通して光フィルターの所定の位置に蒸着する。図
１２（ｆ）はこの状態を示しており、蒸着により、前述
した一の種類の光選択的吸収層５１５が遮光層５１４で
区分された所定の場所に確実かつ均一に形成できる。

【００４５】使用する顔料、又は染料色素としては、蒸
着可能な昇華性色素であることが好ましく、具体的にい
えば、アセトアセチックアニリド系、ナフトール類のモ
ノアゾ系、ポリサイクリック系、分散系、油溶性系、イ
ンダスレン系、フタロシアニン系等の種々の色素が使用
できる。好ましくはペリレン系、イソインドリノン系、
アントラキノン系、キナクリドン系の色素である。

【００４６】次に、マスク５１７を移動させて形成すべ
き他の種類の光選択的吸収層５１８の配列にマスク５１
７の穴５１６の位置を合わせ、以下同様にして蒸着を行
なう。これにより、他の種類の光選択的吸収層５１８が
形成され、同様にして所定回数蒸着を繰り返すことによ
り、参考としての製造方法に係る光フィルターが製造さ
れる。

【００４７】なお、本例によれば蒸着回数は３回であ
り、更に他の種類の光選択的吸収層５１９を形成し、図
１２（ｇ）に示す光フィルター５２０を得ることができ
るものである。

【００４８】次に、穴あきマスク５１７の製造方法につ
き説明する。穴あきマスクは、例えば図１５（ａ）に示
すようにＳｉウェハー５２１の全面にチッ化シリコン膜
５２２を成膜し、図１５（ｂ）のように裏面にドライエ
ッチングで窓開けを行なって窓５２３を形成する。その
後、水酸化カリウム水溶液などでＳｉをエッチング除去
する（図１５（ｃ））。次にチッ化シリコン膜５２２表
面にレジスト層を形成した後、図１５（ｄ）に示すよう
に所望のパターン５２４を形成し、これをマスクとして
ドライエッチングを行ない、図１５（ｅ）に示す穴あき
マスク５２５とする。５２６は形成された穴である。 （参考技術…マイクロバネの作成方法）：参考として、 マイクロバネの作成方法において、基板上
に引張応力を有する薄膜を形成後、前記薄膜に開いた帯
状切れ込みパターン部を形成し、次いで少なくとも前記
切れ込みパターン部を加熱又は冷却することにより前記
切れ込みパターン部を基板から剥離して開いた部分で基
板と切れ込みパターン部とが連結したバネを形成するよ
うに構成するものである。また、薄膜の引張応力が１０
9〜５×１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2であること、及び切れ込
みパターン部の形成が収束イオンビーム法により薄膜を
切込むことにより形成することを含む方法が示される。

【００４９】参考としてのバネの作成方法は、基板上に
薄膜を積層し、該薄膜は使用温度において引張応力を有
しており、該薄膜の一部を剥離することにより基板と一
体のバネ形状とするものである。

【００５０】以下、この参考技術の詳細について説明す
る。

【００５１】本参考技術においては、図１６（ａ）に示
すように、まず基板７１０に引張応力を有する薄膜７２
０を形成する。

【００５２】基板としては、支持体となり得るものであ
れば特に制限なく用いることができるが、例えば金属、
半金属、セラミックス、ガラス、プラスチックなどが用
いられる。特に単結晶シリコンまたは石英ガラスなどが
好ましい。一方、基板上に積層する薄膜としては、金
属、半金属、セラミックス、ガラス、プラスチックなど
が用いられる。薄膜の厚みは、０．１μｍ以上、１００
μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、１０μｍ以下が用い
られる。０．１μｍ以下では十分なバネ定数が得られ
ず、１００μｍ以上では内部応力により、安定な膜が得
られない。薄膜の作成方法としては、真空蒸着、メッ
キ、塗布などの方法が用いられる。基板と薄膜との組み
合わせは、使用温度において薄膜に１０9ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ2ないし１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2程度の引張応力が生
じ、かつ基板と薄膜との密着力が１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ
2程度である組み合わせが好ましい。密着力もしくは応
力を制御する目的で基板と該薄膜とのあいだに、図１７
に示すように別の薄膜７３０を設けることも許容され
る。なお、別の薄膜は一層に限らず、複数層を設けても
よい。

【００５３】上記のようにして基板７１０上に形成され
た薄膜７２０には、次いで図１６（ｂ）に示すように所
定の切れ込み７４０を入れることにより、帯状切れ込み
パターン部７５０を形成し、これによりバネ形状が決定
される。上記切れ込み７４０は薄膜７２０上で交差する
ことなく帯状に形成し、必ず切れ込み始めｐと切れ込み
終りｑとが重ならないように開いた部分ｒを形成する。
なお、切れ込みパターン部７５０の形状は長方形に限ら
れず、図１９に示すうず巻状その他各種の形状にするこ
とができる。

【００５４】切れ込みを入れる方法としては、いわゆる
フォトリソグラフィーを応用する方法もしくは、収束イ
オンビームを用いる方法などがある。

【００５５】切れ込みを入れた段階で、応力によりバネ
部は基板から剥離するが、バネの大きさ、形状に依存し
て剥離しない場合は、バネ形状部を基板から剥離するた
めに、基板全体に、少なくとも切れ込みパターン部７５
０に加熱、冷却、必要によりこれらのサイクルを与え
る。もしくはバネ部近傍のみをレーザーもしくは電子ビ
ームなどにより加熱しても良く、必要により超音波照射
する方法も併用される。上記方法により、図１６（ｃ）
に示すように基板７１０と切れ込みパターン部７５０と
が開いた部分ｒで結合したバネを形成できる。

【００５６】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ＜実施例１＞ 図１（Ａ）〜（Ｊ）はそれぞれ、本発明の螺旋状部材の
製造方法の第１の実施例を示す図である。

【００５７】本実施例は、数十〜数百μｍオーダの微小
コイルを製造するものであり、微小コイルの芯として、
同図（Ａ）に示す直径１００μｍの円柱状の中実ステン
レス棒からなるコイル芯材１１を用いている。

【００５８】まず、コイル芯材１１と後述する導電膜１
３との電気的絶縁をとるために、同図（Ｂ）に示すよう
に、コイル芯材１１の外周に絶縁膜１２を堆積する（絶
縁膜堆積工程）。ここで、絶縁膜１２は、たとえば、公
知のラングミュア・プロジェット法（ＬＢ法）により、
有機材料の薄膜であるポリイミド膜を４８層積層して形
成する。続いて、同図（Ｃ）に示すように、絶縁膜１２
の外周に導電膜１３を堆積する（導電膜堆積工程）。こ
こで、導電膜１３は、たとえば、絶縁膜１２が堆積され
たコイル芯材１１を室温以下の温度に保持するとともに
軸を中心として回転させながら、公知の真空蒸着法によ
りアルミニウムを膜厚１．５μｍほど堆積させて形成す
る。なお、導電膜１３の軸方向の長さは、たとえば５０
０μｍ程度である。

【００５９】続いて、同図（Ｄ）に示すように、導電膜
１３の外周にレジスト膜１４を塗布する。ここで、レジ
スト膜１４は、たとえばポジ型レジスト材料を膜厚１．
２μｍ程度塗布したものである。その後、同図（Ｅ）に
示すように、コイル芯材１１を回転させながら光線Ｌ
（光線Ｌの代わりに電子線でもよい。）を図示矢印方向
に移動させてレジスト膜１４を露光したのち、レジスト
膜１４を現像およびポストベークする。その結果、同図
（Ｆ）に示すように、レジスト膜１４に螺旋状の溝１５
が形成され、溝１５の底部の導電膜１３が露出される。
その後、コイル芯材１１をエッチング溶液に浸して、同
図（Ｇ）に示すように、導電膜１３の露出部分をエッチ
ングする。ここで、エッチング溶液としては、導電膜１
３がアルミニウムからなる場合には、たとえば、Ｈ3Ｐ
Ｏ4：ＨＮＯ3：ＣＨ3ＣＯＯＨ：Ｈ2Ｏ＝１６：１：２：
１の比率を有するエッチング溶液が使用できる。その
後、同図（Ｈ）に示すように、レジスト膜１４を除去す
ることにより、導電膜１３が螺旋状にエッチングされて
形成された微小コイル１６を得る（以上、エッチング工
程）。ここで、レジスト膜１４の除去は、コイル芯材１
１を専用のレジスト剥離液に浸すことにより行なう。

【００６０】続いて、同図（Ｉ）に示すように、電気的
絶縁性を有する保護膜１７を微小コイル１６の外周に堆
積したのち、同図（Ｊ）に示すように、微小コイル１６
の量端部（片方の端部のみ図示）の保護膜１７を除去し
て導電膜１３を露出させることにより、外部との電気的
接続部を形成する。

【００６１】以上により、たとえば、直径１００μｍ、
長さ５００μｍ程度の微小コイル１６を製造することが
できる。 ＜実施例２＞ 図２は、本発明の螺旋状部材の製造方法の第２の実施例
を示す図である。

【００６２】本実施例は、エッチング工程が２本の光線
によるレジスト描画プロセスを有し、数十〜数百μｍオ
ーダの微小二重コイルを製造する点が図１に示した第１
の実施例と異なる。すなわち、本実施例では、エッチン
グ工程において、第１の光線Ｌ1と第２の光線Ｌ2とを用
いてレジスト膜２４を露光することにより、レジスト膜
２４を第１のコイル領域２８1と第２のコイル領域２８2
とに分割して数十〜数百μｍオーダの微小二重コイルを
製造するものである。

【００６３】なお、２本の光線（第１の光線Ｌ1と第２
の光線Ｌ2）によるレジスト描画プロセスの代わりに、
２本の電子線によるレジスト描画プロセスを有していて
もよい。 ＜実施例３＞ 図３（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、本発明の螺旋状部材の
製造方法の第３の実施例を示す断面図である。

【００６４】本実施例は、コイル芯材の半径方向に導電
層を２層重ね合わせることにより数十〜数百μｍオーダ
の２段の微小コイルを製造するものであり、図１（Ａ）
〜（Ｈ）に示した絶縁膜堆積工程、導電膜堆積工程およ
びエッチング工程のほか、以下に示す各工程を有するも
のである。

【００６５】（１）第２の絶縁膜堆積工程 図１（Ｈ）に示したコイル芯材１１の外周に、電気的絶
縁性を有する第２の絶縁膜３１を堆積する工程である。
ここで、第２の絶縁膜３１は、たとえば、公知のラング
ミュア・プロジェット法（ＬＢ法）により、有機材料の
薄膜であるポリイミド膜を４８層積層して形成する。

【００６６】（２）絶縁膜除去工程 図３（Ａ）に示すように、第２の絶縁膜堆積工程で堆積
された第２の絶縁膜３１の片方の端部を除去して、微小
コイル１６の片方の端部を露出させる工程である。

【００６７】（３）第２の導電膜堆積工程 図３（Ｂ）に示すように、絶縁膜除去工程で露出された
微小コイル１６の片方の端部と第２の絶縁膜３１との外
周に第２の導電膜３２を堆積する工程である。このと
き、絶縁膜除去工程で露出された微小コイル１６の片方
の端部において、微小コイル１６と第２の導電膜３２と
が電気的に接続される。ここで、第２の導電膜３２は、
たとえば、第２の絶縁膜３１が堆積されたコイル芯材１
１を室温以下の温度に保持するとともに軸を中心として
回転させながら、公知の真空蒸着法によりアルミニウム
を膜厚１．５μｍほど堆積させて形成する。

【００６８】（４）第２のエッチング工程 第２の導電膜堆積工程で堆積された第２の導電膜３２を
螺旋状にエッチングして、図３（Ｃ）に示す２段目の第
２の微小コイル３３を形成する工程である。ここで、第
２のエッチング工程は、図１（Ｄ）〜（Ｈ）に示したエ
ッチング工程と同様にして行なう。

【００６９】なお、以上のようにして製造した２段の微
小コイルは、１段目の微小コイル１６と２段目の第２の
微小コイル３３とは、図３（Ｃ）に示すように、同じ傾
きの溝と同じ位置に有するものであるが、１段目の微小
コイル１６と２段目の第２の微小コイル３３とで溝の位
置を異ならせてもよいし、また、１段目の微小コイル１
６と２段目の第２の微小コイル３３とで溝の傾きを異な
らせてもよい。 ＜実施例４＞ 次に、本発明の螺旋状部材の製造方法の第４の実施例に
ついて説明する。

【００７０】本実施例は、コイル芯材の半径方向に導電
層を複数層重ね合わせることにより、数十〜数百μｍオ
ーダの複数段の微小コイルを製造するものであり、図１
（Ａ）〜（Ｈ）に示した絶縁膜堆積工程、導電膜堆積工
程およびエッチング工程と、前述した第２の絶縁膜堆積
工程、絶縁膜除去工程、第２の導電膜堆積工程および第
２のエッチング工程とのほかに、以下に示す各工程を有
するものである。

【００７１】（１）第３の絶縁膜堆積工程 図３（Ｃ）に示した第２の微小コイル３３の外周に、電
気的絶縁性を有する第３の絶縁膜を堆積する工程であ
る。ここで、第３の絶縁膜は、たとえば、公知のラング
ミュア・プロジェット法（ＬＢ法）により、有機材料の
薄膜であるポリイミド膜を４８層積層して形成する。

【００７２】（２）第２の絶縁膜除去工程 第３の絶縁膜堆積工程で堆積された第３の絶縁膜の他方
の端部を除去して、第２の微小コイル３３の他方の端部
を露出させる工程である。

【００７３】（３）第３の導電膜堆積工程 第２の絶縁膜除去工程で露出された第２の微小コイル３
３の他方の端部と第３の絶縁膜との外周に第３の導電膜
を堆積する工程である。このとき、第２の絶縁膜除去工
程で露出された第２の微小コイル３３の他方の端部にお
いて、第２の微小コイル３３と第３の導電膜とが電気的
に接続される。ここで、第３の電導膜は、たとえば、第
３の絶縁膜が堆積されたコイル芯材１１を室温以下の温
度に保持するとともに軸を中心として回転させながら、
公知の真空蒸着法によりアルミニウムを膜厚１．５μｍ
ほど堆積させて形成する。

【００７４】（４）第３のエッチング工程 第３の導電膜堆積工程で堆積された第３の導電膜を螺旋
状にエッチングして、３段目の第３の微小コイルを形成
する工程である。ここで、第３のエッチング工程は、図
１（Ｄ）〜（Ｈ）に示したエッチング工程と同様にして
行なう。

【００７５】以下、図３に示した各工程と上記（１）〜
（４）までの各工程を繰り返すことにより、数十〜数百
μｍオーダの複数段の微小コイルを製造することができ
る。なお、各導電層の接続を一方の端部で行わずに両端
部で交互に行うことにより、バランスよく複数段の微小
コイルを製造することができる。

【００７６】以上示した本発明の螺旋状部材の製造方法
の第１乃至第４の実施例においては、各部材の材料およ
び寸法の一例を示して説明したが、各部材の材料および
寸法はこれらに限定されるものではない。たとえば、コ
イル芯材１１の材質としては、中実ステンレス棒のほか
に、他の金属やガラス、プラスチックなども使用でき
る。なお、コイル芯材１１の材質としてガラス、プラス
チックなどを用いた場合には、図１（Ｂ）に示した絶縁
膜堆積工程は不要となる。また、コイル芯材１１の形状
としては、円柱のほかに、円筒，角柱または角筒であっ
てもよい。導電膜１３の材質としては、アルミニウム以
外の金属や合金などであってもよい。また、導電膜１３
の堆積方法としては、真空蒸着法のほか、スパッタリン
グ法またはメッキ法などでもよい。導電膜１３のパター
ニングとしては、光線または電子線によるレジスト描画
プロセスのほか、化学エッチング，カッターを用いた切
削加工またはエネルギービーム（レーザビームや電子ビ
ームなど）により導電膜１３をパターニングしてもよ
く、または、導電膜１３を選択的に堆積してもよい。 ＜実施例５（参考）＞ 図４（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、参考としての螺旋状部
材の製造方法の実施例（参考）を示す図である。

【００７７】本例は、数十〜数百μｍオーダのマイクロ
バネを製造するものであり、中心軸として、同図（Ａ）
に示す直径１ｍｍ以下（代表的には５００μｍ以下）の
細線５１を用いている。細線５１の材質としては、Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｖ，Ａｌなど
の金属およびこれらの合金のほか、炭化物，窒化物，ホ
ウ化物，シリコン，石英および種々の繊維などを用いる
ことができる。

【００７８】まず、同図（Ｂ）に示すように、細線５１
の外周に感光性レジストまたは電子線レジスト（以下、
「レジスト５２」と称する。）を塗布したのち、軸を中
心に細線５１を回転させながら軸方向に移動させて光線
または電子線による螺旋状のレジスト描画を行う。その
後、細線５１を適当な現像液に浸してレジスト５２の非
露光部を除去することにより、同図（Ｃ）に示すよう
に、細線５１上に螺旋状のレジスト５２を形成する。続
いて、螺旋状のレジスト５２が形成された細線５１の外
周に、同図（Ｄ）に示すように、バネ材５３を堆積す
る。バネ材５３の材質としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｖ，Ａｌなどの金属およびこれら
の合金のほか、炭化物，窒化物，ホウ化物，シリコン，
石英および種々のプラスチックなどを用いることができ
る。また、バネ材５３を堆積する方法としては、真空蒸
着法、化学的気相法（ＣＶＤ法）、スパッタ法、イオン
プレーティング法、電気メッキ法および無電解メッキ法
などを用いることができる。続いて、螺旋状のレジスト
５２を除去することにより、同図（Ｅ）に示すように、
細線５１の外周に螺旋状のバネ材５３のみが残る（以
上、螺旋状部材形成工程）。

【００７９】続いて、細線５１を除去することにより、
同図（Ｆ）に示すように、直径１ｍｍ以下のマイクロバ
ネ５４が製造される（細線除去工程）。ここで、細線５
１の除去方法は細線５１の材質により異なり、たとえ
ば、細線５１がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌなどの金
属からなる場合には、塩酸、硫酸などの酸溶液に細線５
１を浸す方法が用いられ、また、細線５１がＳｉＯ2か
らなる場合には、フッ酸溶液に細線５１を浸ける方法が
用いられ、さらに、細線５１が繊維からなる場合には、
空気中または酸素中で細線５１を２００℃以上に加熱す
る方法が用いられる。

【００８０】次に、図４に示した螺旋状部材の製造方法
により数十〜数百μｍオーダのマイクロバネを試作した
例について説明する。

【００８１】〔試作例１〕 直径２５０μｍの光ファイバ用の石英細線の外周に、感
光性レジストを塗布した。続いて、感光性レジストが塗
布された石英細線を回転させるとともに軸方向に移動さ
せながら、Ａｒレーザからのレーザ光（波長４８８ｎ
ｍ）により感光性レジストを螺旋状に露光した。このと
き、レーザ光のビーム径を約５μｍに絞って露光を行っ
た。続いて、感光性レジストの非露光部を現像液で除去
したのち、プラズマＣＶＤ法（気相蒸着法）により石英
細線の外周にシリコンを蒸着した。続いて、レジスト除
去液で感光性レジストを除去したのち、フッ酸溶液で石
英細線を溶解して、シリコン製の数十〜数百μｍオーダ
のマイクロバネを得た。

【００８２】〔試作例２〕 直径２００μｍのアルミ細線の外周に、電子線描画用レ
ジストを塗布した。続いて、電子線描画用レジストが塗
布されたアルミ細線を回転させるとともに軸方向に移動
させながら、電子線により電子線描画用レジストを線幅
１μｍ，ピッチ５μｍで螺旋状に露光した。電子線描画
用レジストの非露光部を現像液で除去したのち、アルミ
細線を金の電解メッキ液へ浸して、アルミ細線の外周に
金メッキを形成した。続いて、レジスト除去液で電子線
描画用レジストを除去したのち、塩酸水溶液でアルミ細
線を溶解して、金製の数十〜数百μｍオーダのマイクロ
バネを得た。 ＜実施例６（参考）＞ 図５（Ａ）〜（Ｇ）はそれぞれ、参考としての螺旋状部
材の製造方法の実施例（参考）を示す図である。

【００８３】本例は、図４に示した実施例５（参考）と
同様に数十〜数百μｍオーダのマイクロバネを製造する
ものである。本例では、中心軸として用いる細線６１
（図５（Ａ）参照）の外周に、同図（Ｂ）に示すよう
に、バネ材６２を堆積する。続いて、同図（Ｃ）に示す
ように、バネ材６２の外周に、感光性レジストまたは電
子線レジスト（以下、「レジスト６３」と称する。）を
塗布したのち、軸を中心に細線６１を回転させるととも
に軸方向に移動させながら光線または電子線による螺旋
状のレジスト描画を行う。その後、細線６１を適当な現
像液に浸すことにより、同図（Ｄ）に示すように、バネ
材６２上に螺旋状のレジスト６３を形成する。続いて、
バネ材６２が露出している部分をエッチングすることに
より、同図（Ｅ）に示すように、細線６１の外周に螺旋
状のバネ材６２とレジスト６３を残す。続いて、細線６
１をレジスト剥離液に浸すことにより、同図（Ｆ）に示
すように、細線６１の外周に螺旋状のバネ材６２のみを
残す（以上、螺旋状部材形成工程）。最後に、細線６１
を除去することにより、同図（Ｇ）に示すように、数十
〜数百μｍオーダのマイクロバネ６４を得る（細線除去
工程）。

【００８４】次に、図５に示した螺旋状部材の製造方法
によりマイクロバネを試作した例について説明する。

【００８５】〔試作例３〕 直径１２５μｍのアルミ細線の外周に、化学的気相蒸着
法によりバネ材としてＳｉＯ2膜を形成した。続いて、
ＳｉＯ2膜の外周に感光性レジストを塗布したのち、ア
ルミ細線を回転させるとともに軸方向に移動させなが
ら、Ａｒレーザからのレーザ光（波長４８８ｎｍ）によ
り感光性レジストを螺旋状に露光した。このとき、レー
ザ光のビーム径を約５μｍに絞って露光を行った。続い
て、感光性レジストの非露光部を現像液で除去したの
ち、反応性イオンエッチング法（ＣＦ4ガス使用）によ
り露光しているＳｉＯ2膜をエッチングした。続いて、
レジスト剥離液で残っている感光性レジストを除去した
のち、硫酸でアルミ細線を溶解して、ＳｉＯ2製の数十
〜数百μｍオーダのマイクロバネを得た。 （参考技術…エッチング方法）：＜実施例７（参考）＞ 図６（ａ），（ｂ）はそれぞれ参考例のエッチング装置
の上面図とＡ−Ａ'線断面図、図７（ａ），（ｂ）はこ
のエッチング装置の動作を説明するＡ−Ａ'線における
概略断面図である。

【００８６】このエッチング装置は、参考としてのエッ
チング方法によって被加工物の表面に微細な構造を形成
するためのものであり、シリコンウェハなどからなる基
板１１０の上面に略四角形の凹所１２０が設けられ、こ
の凹所１２０の中央部に基板１１０の下面にまで貫通す
る微細な貫通孔１３０が設けられている。凹所１２０を
半ば以上に覆うように、シリコンや酸化シリコンからな
るカンチレバー１４０が設けられ、このカンチレバー１
４０の一端は基板１１０の上面に固定されている。貫通
孔１３０は断面が円形であって導管に相当するものであ
る。また、カンチレバー１４０の上面には、白金（Ｐ
ｔ）などからなる下部電極膜１５０、チタン酸鉛（Ｐｂ
ＴｉＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）などからなる圧電素子膜１６０、白金など
からなる上部電極膜１７０が順次積層されている。カン
チレバー１４０、各電極膜１５０，１７０、圧電素子膜
１６０とは圧電振動子１８０を構成し、下部電極膜１５
０と上部電極膜１７０とは相互に絶縁され、これら両電
極膜１５０，１７０間に電圧を印加することにより、圧
電振動子１８０の自由端（基板１１０に固定されていな
い方の端）が図示上下方向に変位するようになってい
る。

【００８７】凹部１２０および貫通孔１３０は、半導体
の微細加工技術（シリコンウェハのマイクロマシニング
技術など）によって、基板１１０に形成することができ
る。また、圧電素子膜１６０は、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法などの薄膜形成技術によって形成でき、その膜厚
は１〜３μｍ程度が好適である。

【００８８】次に、このエッチング装置の動作につい
て、図７（ａ），（ｂ）により説明する。

【００８９】まず、凹部１１０に例えばその深さの２／
３程度までエッチング液２００を注ぐ。このとき、圧電
振動子１８０が最大限下方に変位したとしても、圧電振
動子１８０がエッチング液２００に接触しないようにし
ておく。貫通孔１３０が微細であることにより、エッチ
ング液２００の先端は毛管力と表面張力の作用によって
貫通孔１３０の下端部にメニスカスを形成して保持さ
れ、エッチング液２００が貫通孔１３０から流出するこ
とはない。そして、被加工物２１０を基板１１０の下面
に微小距離をあけて配置する。この状態で各電極膜１５
０，１７０間に交流電圧を印加する。その結果、圧電振
動子１８０の自由端は上下に振動し、この振動は圧電振
動子１８０とエッチング液２００との間の空気を介して
圧力振動としてエッチング液２００に伝わる。

【００９０】圧電振動子１８０の自由端が下方に変位し
ているとき［図７（ａ）］、この変位によってエッチン
グ液２００には正の圧力が印加されていることになり、
エッチング液２００の先端は、貫通孔１３０の下端から
突出し、被加工物２１０の表面に接触する。エッチング
液２００が接触したことにより、被加工物の表面が少し
エッチングされる。ただし、表面張力などの作用によ
り、エッチング液２００が貫通孔１３０から流れ出るこ
とはない。

【００９１】圧電振動子１８０の自由端が上方に変位し
ているとき［図７（ｂ）］、この変位によってエッチン
グ液２００には負の圧力が印加されていることになり、
エッチング液２００の先端は貫通孔１３０の上端付近ま
で後退する。したがって、エッチング液２００の先端部
であって被加工物２１０に接触した部分はほとんど凹所
１２０内に引き戻され、次にエッチング液２００が貫通
孔１３０に進入するとき、貫通孔１３０に進入するエッ
チング液２００は凹所１２０に溜まっていた新鮮なもの
となる。

【００９２】圧電振動子１８０が振動する限り上記の動
作は繰り返され、貫通孔１３０の断面形状に対応した凹
部が被加工物２１０の表面に形成される。エッチング深
さは、圧電振動子１８０の振動回数や振動周波数で制御
することができる。 ＜実施例８（参考）＞ 次に、参考としてのエッチング方法に係る別の例につい
て説明する。この例は、リッジ型ＤＦＢ半導体レーザに
使用される回折格子面を参考技術の方法で作成した例で
ある。図８はこの例で使用されるエッチング装置の上面
図、図９（ａ），（ｂ）はそれぞれ本例での半導体レー
ザの製造工程を説明する図、図１０は作成される半導体
レーザの構成を説明する斜視図である。

【００９３】図６に示した上述の例のエッチング装置に
おいて導管として円形断面の貫通孔を用いていたのに対
し、図８に示す本例のエッチング装置では、細長い溝孔
１９０を凹所１２０の底部に等間隔で複数個平行に配置
したものを導管とする構成となっている。溝孔１９０は
凹所１２０の底部と基板１１０の下面とを貫通してい
る。また、溝孔１９０の中心線の間隔（溝孔１９０の周
期）が形成される回折格子の周期と等しくなる。ここで
は、半導体レーザの作成のため、溝孔１９０の周期を
０．２４μｍとした。このような微小な間隔で溝孔１９
０を形成する方法としては、従来の技術で述べたような
ホログラフィックな方法を用いることができる。この場
合、溝孔１９０の形成精度が回折格子の精度を決めるた
め、溝孔１９０は注意深く形成されなければならない
が、いったんこのエッチング装置が完成すれば、１台の
エッチング装置で多数の回折格子を作成することができ
るので、全体としてみると工程は簡素化され、生産性は
大幅に向上し、得られる回折格子の精度も向上する。

【００９４】まず、形成されるリッジ型ＤＦＢ半導体レ
ーザの構成について図１０により説明する。この半導体
レーザは公知の構成のものであって、ｎ型ＧａＡｓ基板
３１０の上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３２０、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層３３０、ＡｌＧａＡｓ多重量子井
戸やパルクのＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓなどからなる活性
層３４０、ｐ型ＡｌＧａＡｓバリア層３５０、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ光ガイド層３６０を順次積層し、このｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ光ガイド層３６０の上にリッジ状にｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層３８０とｐ型ＧａＡｓギャップ層３９
０を積層し、ｐ型ＧａＡｓギャップ層３９０上を除いて
上面の露出している部分を窒化シリコン層４００で覆
い、ｎ型ＧａＡｓ基板３１０の下面にｎ型用オーミック
電極４１０を設け、さらに上面全体にｐ型用オーミック
電極４２０を設けた構成となっている。そしてｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ光ガイド層３６０の上面は位相シフトのための
周期が０．２４μｍの回折格子面３７０となっている。
この回折格子面３７０は、図８に示したエッチング装置
で形成されている。

【００９５】次に、半導体レーザの作成方法を説明して
本例の動作を説明する。

【００９６】まず、分子線エピタキシャル装置などで、
ｎ型ＧａＡｓ基板３１０の上に、厚さ０．５μｍのｎ型
ＧａＡｓバッファ層３２０、厚さ１．５μｍのｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層３３０、厚さ０．１μｍの活性層３
４０、厚さ０．１μｍのｐ型ＡｌＧａＡｓバリア層３５
０、厚さ０．２μｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層３６
０を順次、エピタキシャル成長させた。

【００９７】次に、ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層３６０
と本例のエッチング装置の基板１１０とを微小の間隔で
対向配置させ、凹所１２０にエッチング液２００を注
ぎ、ＧａＡｓ基板３１０とこのエッチング装置との位置
合わせを行なった。エッチング液２００としては、硫酸
＋過酸化水素＋水よりなるものを使用した。この状態に
おける断面配置の概略が図９（ａ）に示され、エッチン
グ液２００の先端が溝孔１９０の下端部にメニスカスを
形成して保持されていることがわかる。続いて、上述の
例と同様に圧電振動子１８０を振動させ、ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ光ガイド層３６０の表面のエッチングを行なう。圧
電振動子１８０が下方に変位した状態のときの様子を図
９（ｂ）に示され、各溝孔１９０からエッチング液２０
０の先端が突出してｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層３６０
がエッチングされていることがわかる。複数の溝孔１９
０が平行に設けられていることにより、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ光ガイド層３６０の表面はストライブ状にエッチング
され、回折格子面３７０が形成されることになる。

【００９８】所定の深さまでｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド
層３６０をストライブ状にエッチングしたら、エッチン
グを終了させ、液相成長法により、ｐ型ＡｌＧａＡｓ光
ガイド層３６０上に、厚さ１．５μｍのｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層３８０、厚さ０．３μｍのｐ型ＧａＡｓギ
ャップ層３９０をエピタキシャル成長させる。このと
き、ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層３６０とｐ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層３８０の界面は回折格子面３７０になっ
ている。次に、フォトリソグラフィにより、リッジ部の
パターニングを行なってエッチングを行ない、プラズマ
ＣＶＤ法により窒化シリコン膜４００を形成し、リッジ
の頂部の窒化シリコン膜４００のみをエッチング除去し
て注入域とした。リッジ幅、すなわち注入域の幅は３．
０μｍとした。そののち、窒化シリコン膜４００および
注入域の上に、Ｃｒ−Ａｕからなるｐ型用オーミック電
極４２０を真空蒸着で形成し、また、ｎ型ＧａＡｓ基板
３１０の裏面をラッピングで１００μｍの厚さ削り落し
てＡｕＧｅ−Ａｕからなるｎ型用オーミック電極４１０
を蒸着した。そして、各電極４１０，４２０がオーミッ
ク接合を形成するように熱処理を行ない、共振面をへき
開で形成し、リッジ型ＤＦＢ半導体レーザ素子を完成さ
せた。

【００９９】この半導体レーザを作成するのに用いた本
例のエッチング装置を用い、再び別の半導体レーザ素子
を作成したところ、再現性よく回折格子が作成でき、同
一性能を持った半導体レーザ素子を作成することができ
た。 （参考技術…光フィルターの製造方法）： ＜実施例９（参考）＞ 厚さ０．５ｍｍの石英ガラス上に抵抗加熱蒸着法により
Ｃｒ／Ａｕをそれぞれ５０Å／３００Åとなるように連
続蒸着し、めっき用電極とした。この電極上に、Ｘ線レ
ジスト（ＡＺ−ＰＮ１０１：ヘキスト社製）を３μｍ厚
に形成した。このＸ線レジストにＸ線マスクを介してシ
ンクロトロン放射光（Ｘ線）を照射した。光選択的吸収
層のパターンは６角形の亀の子状とし、寸法は辺−辺距
離で３μｍとした。これを現像後、亜硫酸金めっき液
（Ｎｅｗｔｒｏｎｅｘ ３０９：日本エレクトロプレー
ティングエンジニヤーズ社製）を用いて金めっきを２．
５μｍ厚になるように行ない、遮光層とした。遮光層幅
は０．５μｍとした。溶剤でＸ線レジストを除去した
後、ドライエッチングで露出した電極層を剥離した。次
に、ここで形成した基板と穴開きマスクとを真空装置内
で所定の位置に位置合わせを行なった後、抵抗加熱によ
り青色顔料である銅フタロシアニンを蒸着した。この
時、基板と穴開きマスクのギャップ量は約１０μｍであ
った。続いてマスクの位置を変えて緑色顔料の鉛フタロ
シアニン、さらに赤色顔料のイルガジンレッドを蒸着
し、光フィルターを完成した。

【０１００】本方法で作成した光フィルターの顔料の蒸
着状態を走査型電子顕微鏡観察及びＥＰＭＡ分析したと
ころ、それぞれの顔料が所定の位置（６角形）にのみ分
布し、しかもエリア（６角形）内に均一に存在している
ことが確認できた。即ち、十分に高精細な光フィルター
を形成できた。また、製造工程も従来例に比べ大幅に簡
略化できた。さらに、フォトリソン工程が従来４回必要
であったものが１回になったため、ゴミなどによる欠陥
量も低減できた。 ＜実施例１０（参考）＞ 厚さ０．５ｍｍの石英ガラス上にＥＢ蒸着法によりＣｒ
／Ｃｕをそれぞれ５０Å／２００Åとなるように連続蒸
着し、めっき用電極とした。この電極上に、紫外線レジ
スト（ＯＥＢＲ−１０００：東京応化社製）を３μｍ厚
に形成した。この紫外線レジストにマスクを介して紫外
線を照射した。光選択的吸収層のパターンは６角形の亀
の子状とし、寸法は辺−辺距離で４μｍとした。これを
現像後、亜硫酸金めっき液（Ｎｅｗｔｒｏｎｅｘ ３０
９：日本エレクトロプレーティングエンジニヤーズ社
製）を用いて金めっきを２．５μｍ厚になるように行な
い、遮光層とした。遮光層幅は１．０μｍとした。溶剤
（メチルエチルケトン）でＸ線レジストを除去した後、
ドライエッチング（反応ガスＡｒガス）で露出した電極
層を剥離した。次に、ここで形成した基板と穴開きマス
クとを真空装置内で所定の位置に位置合わせを行なった
後、抵抗加熱により青色顔料である銅フタロシアニンを
蒸着した。この時、基板と穴開きマスクのギャップ量は
約１０μｍであった。続いてマスクの位置を変えて緑色
顔料の鉛フタロシアニン、さらに赤色顔料のイルガジン
レッドを蒸着し、光フィルターを完成した。

【０１０１】本方法で作成した光フィルターの顔料の蒸
着状態を走査型電子顕微鏡観察及びＥＰＭＡ分析したと
ころ、それぞれの顔料が所定の位置（６角形）にのみ分
布し、しかもエリア（６角形）内に均一に存在している
ことが確認できた。即ち、十分に高精細な光フィルター
を形成できた。また、製造工程も従来例に比べ大幅に簡
略化できた。さらに、フォトリソン工程が従来４回必要
であったものが１回になったため、ゴミなどによる欠陥
量も低減できた。 （参考技術…マイクロバネの作成方法）： ＜実施例１１（参考）＞ 図１７に示すように厚さ０．５ｍｍの単結晶Ｓｉ基板７
１０上に別の薄膜７３０としてＴｉを５０Å蒸着し、そ
の上にスパッタ装置により薄膜７２０としてＳｉＯ2を
２μｍ成膜した。成膜条件は２ｋＷ、圧力４ｍｍＴｏｒ
ｒ、スパッタガスＡｒ、基板温度２６０℃である。基板
の変形から応力を測定する装置により、このＳｉＯ2膜
の応力は５×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2と測定された。収束
イオンビーム装置を用いて、このＳｉＯ2膜から２μｍ
の深さまで、Ｇａイオンを用いて横３００μｍ縦５０μ
ｍの『コ』の字型に切れ込みを入れた。この基板を３０
０℃まで加温し、室温にまで冷却したところ、図１８に
示すように『コ』の字の右辺が基板から剥離し数十μｍ
浮き上がっていることが確認された。光学顕微鏡下で針
先で押してみることにより、バネとしての機能があるこ
とが確認された。＜実施例１２（参考）＞ 実施例１１と同様の条件で作成したＳｉＯ2膜に対し、
図１９に示すように収束イオンビーム装置により間隔５
０μｍのうず巻状の切れ込みを入れた。本試料も、バネ
としての機能が同様に確認された。

【０１０２】

【発明の効果】本発明の螺旋状部材製造方法は、芯材の
外周に絶縁膜を堆積する絶縁膜堆積工程と、該絶縁膜堆
積工程で堆積された絶縁膜の外周に導電膜を堆積する導
電膜堆積工程と、該導電膜堆積工程で堆積された前記導
電膜を螺旋状にエッチングして螺旋状導線を形成するエ
ッチング工程とを含むことにより、半導体プロセスを応
用して数十〜数百μｍオーダの螺旋状部材を製造するこ
とができるため、たとえば、数十〜数百μｍオーダの微
小コイルを製造することができる。

【０１０３】なお、参考としての螺旋状部材製造方法
は、直径１ｍｍ以下の細線の外周に光線または電子線に
よるレジスト描画プロセスを用いて螺旋状部材を形成す
る螺旋状部材形成工程と、螺旋状部材形成工程で螺旋状
部材が形成された細線を除去する細線除去工程とを含む
ことにより、半導体プロセスを応用して中空の数十〜数
百μｍオーダの螺旋状部材を製造することができるた
め、たとえば、数十〜数百μｍオーダのマイクロバネを
製造することができる。

【０１０４】参考としてのエッチング方法は、微細な導
管の一端からエッチング液の先端を周期的に突出させ、
突出時に被加工物の表面にエッチング液の先端を接触さ
せることにより、フォトレジストを被加工物に塗布する
ことなく微細な導管の断面形状に応じて被加工物がエッ
チングされ、容易かつ再現性良く微細な構造を被加工物
の表面に形成できるという効果がある。

【０１０５】また、参考としてのエッチング装置は、エ
ッチング液を溜める凹部と、一端が被加工物の表面に対
向し得るように形成され他端が凹部に接続された微細な
導管と、凹部に溜められたエッチング液に対して周期的
に作用力を印加する突出手段とを有するようにすること
により、導管の一端に被加工物を微小距離をおいて配置
し突出手段を駆動して周期的にエッチング液を導管の一
端から突出させることによって被加工物の表面が導管の
形状に応じてエッチングされるので、フォトレジストを
被加工物に塗布することなく容易かつ再現性良く微細な
構造を被加工物の表面に形成できるという効果がある。

【０１０６】別の参考技術においては、光フィルターの
製造において、光選択的吸収層の形成を穴あきマスクで
行なった。これにより、製造工程を従来例に比べ大幅に
簡略化できた。さらにフォトリソ工程が従来４回必要で
あったものが１回となったため、ゴミなどによる欠陥量
も低減できた。また、穴あきマスクの使用を可能にした
のは、Ｘ線リソグラフィー及び電解めっき法による高ア
スペクト比の遮光パターンの形成であり、高アスペクト
比のため顔料等が他のエリアにまぎれ込むことがなく、
従って画像の解像度が高いものである。これらを光フィ
ルターの製造に使用することによって、従来法では不可
能であった高精細な光フィルターの提供を可能にした。

【０１０７】更に、従来のレジスト中に顔料等を混合す
る方式の場合、レジスト材料自体の光吸収による光特性
の悪化があるが、参考技術によれば光選択的吸収層には
レジストは含まれていないので上記問題はない。

【０１０８】さらに参考としてのマイクロバネの作成方
法では、微小機械装置に用いる機械要素としてのバネ
を、材料を限定することなく、半導体プロセスを応用し
て容易に作成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の螺旋状部材の製造方法の第１の実施例
を説明する概略図であり、（Ａ）〜（Ｊ）はそれぞれ各
工程を示す図である。

【図２】本発明の螺旋状部材の製造方法の第２の実施例
を説明する概略図である。

【図３】本発明の螺旋状部材の製造方法の第３の実施例
を説明する断面図であり、（Ａ）は絶縁膜除去工程を説
明するための断面図、（Ｂ）は第２の導電膜堆積工程を
説明するための断面図、（Ｃ）は第２のエッチング工程
を説明するための断面図である。

【図４】参考としての螺旋状部材の製造方法の実施例５
（参考）を説明する断面図であり、（Ａ）〜（Ｅ）は螺
旋状部材形成工程を説明するための断面図、（Ｆ）は細
線除去工程を説明するための概略図である。

【図５】参考としての螺旋状部材の製造方法の実施例６
（参考）を説明する図であり、（Ａ）〜（Ｆ）は螺旋状
部材形成工程を説明するための断面図、（Ｇ）は細線除
去工程を説明するための概略図である。

【図６】参考技術のエッチング装置を説明する図であ
る。（ａ）は参考技術の一例のエッチング装置を説明す
る上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線断面図である。

【図７】図６のエッチング装置の動作を説明するＡ−
Ａ'線における概略断面図である。（ａ）は圧電振動子
の自由端が下方に変位しているときの動作を説明する概
略断面図である。（ｂ）は圧電振動子の自由端が上方に
変位しているときの動作を説明する概略断面図である。

【図８】参考技術の別の例で使用されるエッチング装置
を説明する上面図である。

【図９】図８のエッチング装置を用いて半導体レーザー
を製造する工程を説明する概略断面図である。（ａ），
（ｂ）はそれぞれ図８の装置を用いてリッジ型ＤＦＢ半
導体レーザーの製造するときの工程を説明する概略断面
図である。

【図１０】リッジ型ＤＦＢ半導体レーザーの工程を説明
する斜視図である。

【図１１】従来の回折格子の作成方法を説明する図であ
る。（ａ）〜（ｄ）は従来の回折格子の作成方法の各工
程を説明する図である。

【図１２】参考技術の光フィルターの製造方法の一例を
説明する概略断面図である。（ａ）〜（ｇ）は製造法の
各工程を示す図である。

【図１３】従来の光フィルターの製造例を説明する断面
図である。（ａ）〜（ｄ）は製造の各工程を示す図であ
る。

【図１４】従来の光フィルタのーの光選択的吸収層の構
造例を説明する部分拡大側面断面図である。（ａ）は解
像度が１０〜２０μの場合、（ｂ）は解像度が数μ以下
の場合を示す。

【図１５】参考技術の実施に用いる穴あきマスクの製造
方法を説明する概略断面図である。（ａ）〜（ｅ）は製
造法の各工程を示す図である。

【図１６】参考技術のバネの作成方法の一例を説明する
概略図である。（ａ）〜（ｃ）は作成法の各工程を示す
図である。

【図１７】参考技術に係るバネの作成工程品の一例を説
明する断面図である。

【図１８】参考技術の実施により得られたバネの一例を
説明する側面図である。

【図１９】参考技術の実施により得られたバネの他の例
を説明する平面図である。

【符号の説明】

１１ コイル芯材 １２ 絶縁膜 １３ 導電膜 １４，２４ レジスト膜 １５ 溝 １６ 微小コイル １７ 保護膜 ２８1 第１のコイル領域 ２８2 第２のコイル領域 ３１ 第２の絶縁膜 ３２ 第２の導電膜 ３３ 第２の微小コイル ５１，６１ 細線 ５２，６３ レジスト ５３，６２ バネ材 ５４，６４ マイクロバネ １１０，１１１ 基板 １１２ フォトレジスト １１３，１１４ レーザ光 １１５ 格子状フォトレジスト １１６ 回折格子 １２０ 凹所 １３０ 貫通孔 １４０ カンチレバー １５０ 下部電極膜 １６０ 圧電素子膜 １７０ 上部電極膜 １８０ 圧電振動子 １９０ 溝孔 ２００ エッチング液 ２１０ 被加工物 ３１０ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３２０ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３３０ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３４０ 活性層 ３５０ ｐ型ＡｌＧａＡｓバリア層 ３６０ ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層 ３７０ 回折格子面 ３８０ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３９０ ｐ型ＧａＡｓギャップ層 ４００ 窒化シリコン層 ４１０ ｎ型用オーミック電極 ４２０ ｐ型用オーミック電極 ５１１ 光透過性基板 ５１２ 電極層 ５１３ レジスト層 ５１４ 遮光層 ５１５ 一の種類の光選択的吸収層 ５１６ 穴 ５１７ 穴あきマスク ５１８ 他の種類の光選択的吸収層 ５１９ 更に他の種類の光選択的吸収層 ５２０ 光フィルター ５２１ Ｓｉウェハー ５２２ 窒化シリコン膜 ５２３ 窓 ５２４ レジストパターン ５２５ 穴あきマスク ５２６ 穴 ６１０ 透過性基板 ６２０ 遮光層 ６３０ 感光性材料層 ６４０ 第１の光選択的吸収層 ６５０ 第２の光選択的吸収層 ６６０ 第３の光選択的吸収層 ６７０ カラーフィルター ７１０ 基板 ７２０ 薄膜 ７３０ 別の薄膜 ７４０ 切れ込み ７５０ 切れ込みパターン部 ７６０ バネ Ｌ 光線 Ｌ1 第１の光線 Ｌ2 第２の光線 ｐ 切れ込み始め ｑ 切れ込み終り ｒ 開いた部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｆ 5/00 Ｈ０１Ｆ 5/00 Ｅ (72)発明者 池田 勉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 加藤 清二郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−262132（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23F 4/00 B26K 15/00 502 C23C 14/14 C23F 1/00 101 F16F 1/06 H01F 5/00

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芯材の外周に絶縁膜を堆積する絶縁膜堆
   積工程と、該絶縁膜堆積工程で堆積された絶縁膜の外周
   に導電膜を堆積する導電膜堆積工程と、該導電膜堆積工
   程で堆積された前記導電膜を螺旋状にエッチングして螺
   旋状導線を形成するエッチング工程とを含む螺旋状部材
   の製造方法。
2. 【請求項２】 前記エッチング工程が、前記導電膜上に
   レジスト膜を塗布する工程と、塗布されたレジスト膜に
   ２本の光線または２本の電子線によって螺旋状のパター
   ンを露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像して
   導電膜を螺旋状に露出させる工程と、導電膜の露出部分
   をエッチングする工程と、エッチングの後、残ったレジ
   スト膜を除去する工程とから成る請求項１記載の螺旋状
   部材の製造方法。
3. 【請求項３】 更に、前記螺旋状導線の外周に第２の絶
   縁膜を堆積する第２の絶縁膜堆積工程と、該第２の絶縁
   膜堆積工程で堆積された前記第２の絶縁膜の片方の端部
   を除去して前記螺旋状導線の片方の端部を露出させる絶
   縁膜除去工程と、該絶縁膜除去工程で露出された前記螺
   旋状導線の片方の端部と前記第２の絶縁膜との外周に第
   ２の導電膜を堆積する第２の導電膜堆積工程と、該第２
   の導電膜堆積工程で堆積された前記第２の導電膜を螺旋
   状にエッチングして第２の螺旋状導線を形成する第２の
   エッチング工程とを含む請求項１または２記載の螺旋状
   部材の製造方法。
4. 【請求項４】 前記第２のエッチング工程が、前記第２
   の導電膜上に第２のレジスト膜を塗布する工程と、塗布
   された第２のレジスト膜に２本の光線または２本の電子
   線によって螺旋状のパターンを露光する工程と、露光さ
   れた第２のレジスト膜を現像して第２の導電膜を螺旋状
   に露出させる工程と、第２の導電膜の露出部分をエッチ
   ングする工程と、エッチングの後、残った第２のレジス
   ト膜を除去する工程とから成る請求項３記載の螺旋状部
   材の製造方法。
5. 【請求項５】 更に、前記第２の螺旋状導線の外周に第
   ３の絶縁膜を堆積する第３の絶縁膜堆積工程と、該第３
   の絶縁膜堆積工程で堆積された前記第３の絶 縁膜の他方
   の端部を除去して前記第２の螺旋状導線の他方の端部を
   露出させる第２の絶縁膜除去工程と、該第２の絶縁膜除
   去工程で露出された前記第２の螺旋状導線の他方の端部
   と前記第３の絶縁膜との外周に第３の導電膜を堆積する
   第３の導電膜堆積工程と、該第３の導電膜堆積工程で堆
   積された前記第３の導電膜を螺旋状にエッチングして第
   ３の螺旋状導線を形成する第３のエッチング工程とを含
   む請求項３または４記載の螺旋状部材の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第３のエッチング工程が、前記第３
   の導電膜上に第３のレジスト膜を塗布する工程と、塗布
   された第３のレジスト膜に２本の光線または２本の電子
   線によって螺旋状のパターンを露光する工程と、露光さ
   れた第３のレジスト膜を現像して第３の導電膜を螺旋状
   に露出させる工程と、第３の導電膜の露出部分をエッチ
   ングする工程と、エッチングの後、残った第３のレジス
   ト膜を除去する工程とから成る請求項５記載の螺旋状部
   材の製造方法。