JP2001221269A - 石英コイルスプリングとその製造法 - Google Patents

石英コイルスプリングとその製造法

Info

Publication number
JP2001221269A
JP2001221269A JP2000029003A JP2000029003A JP2001221269A JP 2001221269 A JP2001221269 A JP 2001221269A JP 2000029003 A JP2000029003 A JP 2000029003A JP 2000029003 A JP2000029003 A JP 2000029003A JP 2001221269 A JP2001221269 A JP 2001221269A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quartz
coil spring
quartz tube
wax
spring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000029003A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Imai
正人 今井
Shinji Onodera
信治 小野寺
Hiroshi Yamada
弘 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Original Assignee
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Super Silicon Crystal Research Institute Corp filed Critical Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority to JP2000029003A priority Critical patent/JP2001221269A/ja
Priority to US10/203,307 priority patent/US20030011119A1/en
Priority to PCT/JP2000/009298 priority patent/WO2001059323A1/ja
Priority to EP00985930A priority patent/EP1283374A4/en
Publication of JP2001221269A publication Critical patent/JP2001221269A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • B24B27/0675Grinders for cutting-off methods therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16FSPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
    • F16F1/00Springs
    • F16F1/02Springs made of steel or other material having low internal friction; Wound, torsion, leaf, cup, ring or the like springs, the material of the spring not being relevant
    • F16F1/021Springs made of steel or other material having low internal friction; Wound, torsion, leaf, cup, ring or the like springs, the material of the spring not being relevant characterised by their composition, e.g. comprising materials providing for particular spring properties

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Springs (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望のバネ定数を備えた石英コイルスプリン
グおよび該石英コイルスプリングを容易に製造できる方
法の提供。 【解決手段】 螺旋コイル体が石英帯状体からなる石英
コイルスプリング。予備工程で石英管内にコイルスプリ
ング全長より長い心棒及び該心棒と石英管内壁との間を
埋めるワックス充填体を配置し、切断工程で心棒の端部
を介して石英管を軸回転させつつ研削ディスクにより石
英管をワックス充填体と共に予め定められた幅および深
さで螺旋状に切断して石英管から螺旋コイル体を切り出
し、該螺旋コイル体を暖めてワックスの溶解除去と共に
心棒から螺旋コイル体を取り外し、取り外された螺旋コ
イル体をフッ酸中に浸漬して予め定められた肉厚までエ
ッチングする石英コイルスプリングの製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばエピタキシ
ャル成長炉内で半導体ウエハを保持するなど、高温環境
下で使用される石英コイルスプリングおよびその製造法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的な半導体ウエハの製造加工工程に
おいては、シリコン単結晶インゴットから一定の厚さに
切り出されたウエハ基板を、ラッピング、エッチング、
鏡面研磨等の工程を経て、最終洗浄上りで高清浄度表面
を得た後、例えばH−Si−Cl系CVD法により、基
板表面上にシリコン単結晶を堆積、成長させるエピタキ
シャル成長工程に供される。
【0003】このようなエピタキシャル成長には、対象
となる半導体ウエハをシールドチャンバ内のサセプタ上
に保持し、例えば、ハロゲンランプや赤外線ランプ等に
よる輻射加熱方式で加熱しつつ材料ガスをチャンバ内に
送り込む構成を持った成長炉装置が用いられている。装
置のチャンバ内で半導体ウエハを水素等の基準ガス雰囲
気中で加熱した後、基準ガス中に新たに材料ガスを放出
してウエハ表面上に供給することによって、基準ガスに
材料ガスが混ざった反応ガスを生じせしめ、その表面上
にエピタキシャル成長層が形成される。
【0004】上記のごときエピタキシャル成長層が表面
に形成される半導体ウエハは、反応工程中、反応ガスが
供給されるべき表面がなにものにも覆われることなく炉
内の所定位置に固定されなければならない。通常、半導
体ウエハは、ウエハホルダを介してサセプタ上に載置固
定されるが、このような位置固定には、バネ部材を用
い、例えば周方向からのバネ付勢によってウエハをホー
ルドするホルダの使用が考えられる。
【0005】バネ部材としては、炉内の高温に晒される
ことと、ウエハへの汚染防止のため、石英製のものを利
用するのが最も望ましい。主な石英製バネとしては積層
板バネやコイルスプリングが挙げられる。
【0006】しかし、積層板バネは石英板を互いに所定
角度を持って上下に積層して構成するものであり、一つ
のバネを製造するのに各板バネを接着していくなど製造
工程が長く、また、接着部の強度の問題など、製造面か
ら見ると、一部材で構成されるコイルスプリングが好ま
しい。通常、石英コイルスプリングは、細い石英棒を高
温下でコイル状に巻いて作製されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き従来の石英コイルスプリングは、使用素材の石英棒
が極細いものに限られ、バネ定数の小さなものしかでき
なかった。たとえ、太い石英棒を用いても、精度良く作
製することが困難で工業的に実用に適さないものであ
る。
【0008】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、所望
のバネ定数を備えた石英コイルスプリングおよび該石英
コイルスプリングを容易に製造できる方法を提供するこ
とにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明に係る石英コイルスプリング
は、石英製のコイルスプリングであって、該コイルスプ
リングの螺旋コイル体が石英帯状体からなるものであ
る。
【0010】また、請求項2に記載の発明に係る石英コ
イルスプリングは、請求項1の石英コイルスプリングに
おいて、前記石英帯状体が、長辺と短辺で囲まれた矩形
横断面形状を有するものである。
【0011】さらに、請求項3に記載の発明に係る石英
コイルスプリングは、請求項2に記載の石英スプリング
において、前記螺旋コイル体の周面が前記長辺によって
形成されているものである。
【0012】また、請求項4に記載の発明に係る石英コ
イルスプリングの製造法は、請求項1に記載の石英コイ
ルスプリングの製造法であって、石英管内にコイルスプ
リング全長より長い心棒及び該心棒と石英管内壁との間
を埋めるワックス充填体を配置する予備工程と、前記心
棒の端部を介して前記石英管を軸回転させつつ研削ディ
スクにより前記石英管をワックス充填体と共に予め定め
られた幅および深さで螺旋状に切断して石英管から螺旋
コイル体を切り出す切断工程と、前記切断工程の後、螺
旋コイル体を暖めてワックスの溶解除去と共に前記心棒
から螺旋コイル体を取り外す取り外し工程と、取り外さ
れた前記螺旋コイル体をフッ酸中に浸漬して予め定めら
れた肉厚までエッチングするエッチング工程と、を備え
たことを特徴とするものである。
【0013】本発明の石英コイルスプリングにおいて
は、コイルスプリングの螺旋コイル体が、石英帯状体か
らなるものであるため、石英帯状体の幅やピッチ等の設
計上の設定で容易に所望のバネ定数とすることができ
る。
【0014】特に、請求項2に記載した如く、石英帯状
体が長辺と短辺で囲まれた矩形横断面形状を有するもの
であるとすれば、石英帯の厚みを制御することによって
容易にバネ定数を制御することができ、従来の石英棒を
用いて作製されていた円形横断面形状のコイルスプリン
グに比べて、バネ定数の高精度な制御が可能となる。
【0015】なお、前記長辺と短辺のうち、長辺によっ
て螺旋コイル体の周面が形成されるものとした場合、こ
れは即ちコイルの伸縮方向の部材の厚みを大きくするこ
とであり、バネ定数を大きくすることができる。従っ
て、従来太い棒を用いていた場合は困難であった上記の
如く高精度なバネ定数の制御を大きい範囲で容易に行う
ことができる。
【0016】また、本発明の石英コイルスプリング製造
法は、石英管を螺旋状に切断して螺旋コイル体を切り出
すものであるため、従来の石英棒を高温下で曲げながら
巻いていくという方法に比べて非常に製造が容易であ
り、大量生産可能な実用に適したものである。さらに石
英管の厚さを適宜選択することによって容易に所望のバ
ネ定数を得ることができる。
【0017】また、石英管を螺旋状に切断する方法とし
ては、金属のねじ切り加工に用いられている技術を用い
ればよく、例えば研削ディスクにダイヤモンドホイルを
取付けて、石英管を軸回転しながら研削を進めていけ
ば、容易に螺旋コイル体を切り出すことができる。この
とき、切断の幅を予め設定することによって、バネ定数
の制御が行える。
【0018】なお、本発明の製造法では、予備工程とし
て、石英管内に、心棒および該心棒と石英管内壁とを埋
めるワックス充填体を配置しており、これにより、切断
工程の間、心棒を介して石英管を保持することができる
と共に、石英管への切込み時に、管内を充たすワックス
によって切込み部の欠落が生じることなく、スムーズな
研削が進められる。これら心棒とワックスは、切断工程
後に暖めてワックスを熔解することで容易に除去でき
る。
【0019】また、本発明の製造法においては、螺旋コ
イル体をフッ酸中に浸漬するエッチング工程を備えてお
り、この工程によってコイル体の肉厚を所定の厚さまで
エッチングできるため、浸漬時間等のエッチング条件の
制御によって、高精度に肉厚調整が行えるので、高精度
なバネ定数の制御も可能となる。また、切断時の微細な
傷をエッチングにより除去することができ、コイルスプ
リングの破壊強度が向上する。
【0020】通常、エピタキシャル成長炉では、100
0℃以上という高温環境となるが、本発明による石英コ
イルスプリングは、エピタキシャル成長炉内での使用に
限らず、同様の高温環境下において広く使用可能であ
り、特にその使用環境に高清浄度が求められる場合、汚
染源となることなく有効である。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態として、以
下に汎用機械旋盤をガラス研削用に改造した旋盤を用い
て石英ガラス管から切り出してなる石英コイルスプリン
グおよびその製造方法を示す。図1は、本実施形態によ
る石英コイルスプリングの製造法を説明する各過程にお
ける石英管の概略構成図であり、(a)〜(c)には断
面図、(d)〜(g)には正面図を示した。
【0022】外径10mm、内径8mm、長さ180m
mの石英管1を用意する(図1(a))。予備工程とし
て、この石英管1を40℃の環境下で暖めてからその一
端をコルク栓2で塞いで管内に溶けたワックス3を流し
込んで充填し、ワックス3が軟らかいうちに、パイレッ
クスガラス製の直径6mm、長さ200mmの心棒4を
その一端部がコルク栓2にほぼ達するまでワックス3内
に差し込み、全体を冷ましてワックス3を固化して心棒
4を固定する(図1(b))。なお、ガラス心棒4の挿
入は、石英管1の中心軸と同軸になるように調整する。
【0023】次に、石英管1およびワックス3から突出
している心棒4の他端部を旋盤の回転軸に連結固定して
石英管1を回転可能に保持する。この石英管1を所定速
度で軸周り回転させると共に、旋盤に取付けられたダイ
ヤモンドホイル(Vフェイス)5を回転させながら石英
管1の軸方向に沿って所定速度で水平移動させることに
よって、石英管1に予め定められたピッチの螺旋状の切
込み加工を行う(図1(c))。
【0024】この切り込み加工は、金属加工のネジの切
込みと同様の工程である。但し、一度の切込み加工は、
切込み深さ0.2mm以下とする。これは石英管への負
担を小さくし破断を防ぐためである。従って、本実施形
態において、肉厚1mmの石英管1を螺旋状に切断する
ためには、同じ切込み溝上を少なくとも5回はなぞるよ
うに切込み加工を繰り返し、最終的にはワックス3に切
込みが入るまで行う。
【0025】この切込み加工によって、帯状の螺旋コイ
ル体1cが石英管1から切り出される(図1(d))。
本実施形態では、ピッチ間隔d=3mm、コイル幅L=
2mm、全長40mmの螺旋コイル体1cを得た。
【0026】次に、心棒4及びワックス3を残して螺旋
コイル体1cを両端平行に切断して所望の長さのコイル
スプリング1sを得る(図1(e))。本実施形態では
全長40mmのものを得た。切断後のコイルスプリング
1sを暖めてワックス3を溶解除去すると共に心棒4を
取り除く(図1(f))。
【0027】最後にこのコイルスプリング1sを一般的
に半導体洗浄に用いられている50%フッ酸液11が満
たされたバス10中に浸漬して所望の肉厚までエッチン
グを行った。本工程では液温25℃,30分の浸漬で肉
厚を1mmから0.9mmまでエッチングし、その後洗
浄してバネ定数k=0.1kgf/mmの石英コイルスプリン
グを得た。
【0028】以上の石英コイルスプリング製造工程にお
いて、石英管1はワックス3および心棒4によって保持
されるため、部材が欠落することなく、スムーズに切込
みおよび切断加工が行えた。
【0029】本製造方法においては、螺旋状の切込み加
工において、同じピッチ間隔でも、コイル幅Lを変更す
ることによって、各種異なるバネ定数のものを製造する
ことができる。また、エッチング工程での浸漬時間を調
整することにより、石英のエッチング量、即ちコイルス
プリングの肉厚を制御して、バネ定数を高精度に制御す
ることができる。
【0030】例えば、所定全長、所定肉厚のコイルスプ
リングのあるピッチ間隔dにおいて、コイル幅Lの変更
に対応したバネ定数を検討した。ここでは全長40m
m,肉厚0.9mmでピッチ間隔d=3mm,4mm,
5mmの3種それぞれについて検討したところ、いずれ
もコイル幅Lとバネ定数との間に比例関係が見られ、コ
イル幅Lが大きいほどバネ定数も大きくなっていた。
【0031】また、エッチング工程においてフッ酸液へ
の浸漬時間に対する石英コイルスプリングのエッチング
量、即ち肉厚減少量を検討した結果、図3に示すよう
に、フッ酸液(50%,25℃)浸漬時間に対するエッ
チング量は比例関係にあり、浸漬時間の調整によって所
望量のエッチングを行うことが可能であることが明らか
である。
【0032】さらに、石英コイルスプリング(全長40
mm,ピッチ間隔d=3mm)の肉厚に対するバネ定数
の関係を検討したところ、図4に示すように、肉厚が大
きくなるほどこれに比例してバネ定数も大きくなってお
り。従って、図3および図4所望のバネ定数に応じた肉
厚を予め求めておけば、その所望の肉厚になるようにフ
ッ酸液浸漬時間を適宜設定してエッチング量を調整すれ
ば、容易に所望のバネ定数を持つ石英コイルスプリング
を得ることができる。
【0033】上記の実施形態で示した製造方法によって
得られる石英コイルスプリングは、1000℃以上とい
う高温環境となるエピタキシャル成長炉内での使用にお
いて適しており、これに限らず、同様の高温環境下にお
いて広く使用可能であり、特にその使用環境に高清浄度
が求められる場合、汚染源となることなく有効である。
また、このような石英スプリングコイルは、単独の使用
に限らず、対象となる支持物などのスプリングに作用す
る負荷に応じて複数本を組み合わせ、適した強度のスプ
リング部材を構成することができる。
【0034】例えば、図5に示すような、同サイズの複
数本(ここでは5本)の石英コイルスプリング11を互
いに対向する上下2枚の石英板(13,12)の間に並
設してなるスプリング部材10は容易に構成でき、使用
も簡便である。この場合、各石英コイルスプリング11
は、内部のピストン構造で支持されるものとする。
【0035】即ち、下側石英板12上に石英コイルスプ
リング11の内径より小さい外径を有する石英パイプ1
4を一体に立設し、上側石英板13の下側石英板12対
向面下の各石英パイプ14の配置に対応した位置に石英
パイプ14の内径より小さい外径の石英棒15を一体に
突設し、外周に石英コイルスプリング10が嵌められた
各石英パイプ14内にそれぞれ対応する石英棒15を石
英パイプ14の上端開口から挿入状態としたものであ
る。各石英棒15は、石英パイプ14内をその軸方向に
沿って上下方向に移動可能となっている。
【0036】以上のごとき構成において、上側石英板1
3に荷重が係って下方へ押圧されると、各石英棒15が
石英パイプ14内を下方へ移動すると共に、石英コイル
スプリング10は内部の石英パイプ14および石英棒1
5に沿って真直ぐに収縮することができる。
【0037】なお、上記実施の形態においては、予備工
程で石英管内にワックスを充填してから心棒を差し込ん
だが、本発明の製造法はこの手順に限定されるものでは
なく、例えば、石英管内に心棒を同軸で挿入した状態を
維持しながら心棒の周りにワックスを流し込んでも良
く、最終的に石英管内に心棒が同軸状態で配置されると
共に心棒と石英管内壁との間にワックスが充填されれば
良い。
【0038】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
所望のバネ定数を備えた石英コイルスプリングが得られ
るという効果がある。また、本発明の製造法によれば、
所望のバネ定数を備えた石英コイルスプリングを大量生
産可能な実用に適した手順で容易に製造できると共に、
バネ定数の高精度な制御が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態としての石英コイルスプ
リングおよびその製造法を説明する各過程における石英
管の概略構成図であり、(a)〜(c)は断面図、
(d)〜(g)は正面図である。
【図2】図1の実施形態の製造法で得られる石英コイル
スプリングの3種(ピッチ間隔d=3mm,4mm,5mm)
についてそれぞれコイル幅の変更に対するバネ定数の変
化を検討した結果を示す線図(横軸:コイル幅(mm),
縦軸:バネ定数(kgf/mm))である。
【図3】図1の実施形態で得られた石英コイルスプリン
グのフッ酸液浸漬時間に対するエッチング量の変化を示
す線図(横軸:浸漬時間(min),縦軸:エッチング量
(mm))である。
【図4】図1の実施形態で得られた石英コイルスプリン
グの肉厚変化に対するバネ定数の変化を示す線図(横
軸:肉厚(mm),縦軸:バネ定数(kgf/mm))である。
【図5】図1の実施形態の製造法で得られる石英コイル
スプリングを5本組み合わせて構成したスプリング部材
の概略構成図であり、(a)は正面図、(b)は断面図
である。
【符号の説明】
1:石英管 1c:帯状螺旋コイル体 1s:コイルスプリング 2:コルク栓 3:ワックス 4:心棒 5:ダイヤモンドホイル 10:バス 11:50%フッ酸液 d:ピッチ間隔 L:コイル幅 10:スプリング部材 11:石英コイルスプリング 12:下側石英板 13:上側石英板 14:石英パイプ 15:石英棒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 弘 宮城県仙台市青葉区片平2丁目1番1号 東北大学 反応化学研究所内 Fターム(参考) 3J059 AD04 BA08 BC20 EA01 EA07 GA50

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 石英製のコイルスプリングであって、該
    コイルスプリングの螺旋コイル体が石英帯状体からなる
    ことを特徴とする石英コイルスプリング。
  2. 【請求項2】 前記石英帯状体が、長辺と短辺で囲まれ
    た矩形横断面形状を有することを特徴とする請求項1に
    記載の石英コイルスプリング。
  3. 【請求項3】 前記螺旋コイル体の周面が前記長辺によ
    って形成されていることを特徴とする請求項2に記載の
    石英コイルスプリング。
  4. 【請求項4】 前記請求項1に記載の石英コイルスプリ
    ングの製造法であって、 石英管内にコイルスプリング全長より長い心棒及び該心
    棒と石英管内壁との間を埋めるワックス充填体を配置す
    る予備工程と、 前記心棒の端部を介して前記石英管を軸回転させつつ研
    削ディスクにより前記石英管をワックス充填体と共に予
    め定められた幅および深さで螺旋状に切断して石英管か
    ら螺旋コイル体を切り出す切断工程と、 前記切断工程の後、螺旋コイル体を暖めてワックスの溶
    解除去と共に前記心棒から螺旋コイル体を取り外す取り
    外し工程と、 取り外された前記螺旋コイル体をフッ酸中に浸漬して予
    め定められた肉厚までエッチングするエッチング工程
    と、を備えたことを特徴とする石英コイルスプリングの
    製造法。
JP2000029003A 2000-02-07 2000-02-07 石英コイルスプリングとその製造法 Pending JP2001221269A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000029003A JP2001221269A (ja) 2000-02-07 2000-02-07 石英コイルスプリングとその製造法
US10/203,307 US20030011119A1 (en) 2000-02-07 2000-12-27 Quartz coil spring and method of producing the same
PCT/JP2000/009298 WO2001059323A1 (fr) 2000-02-07 2000-12-27 Ressort helicoidal en quartz et son procede de production
EP00985930A EP1283374A4 (en) 2000-02-07 2000-12-27 HELICOIDAL QUARTZ SPRING AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000029003A JP2001221269A (ja) 2000-02-07 2000-02-07 石英コイルスプリングとその製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001221269A true JP2001221269A (ja) 2001-08-17

Family

ID=18554330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000029003A Pending JP2001221269A (ja) 2000-02-07 2000-02-07 石英コイルスプリングとその製造法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20030011119A1 (ja)
EP (1) EP1283374A4 (ja)
JP (1) JP2001221269A (ja)
WO (1) WO2001059323A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005106819A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Asulab Sa 温度調節されたばねてんぷ共振器
JP2008501967A (ja) * 2004-06-08 2008-01-24 セーエスエーエム サントル スイス ドュレクトロニック エ ドゥ ミクロテクニック エスアー ルシェルシュ エ デヴロプマン 温度補償天輪/ヒゲゼンマイ発振器
CN107417088A (zh) * 2017-09-25 2017-12-01 徐姗姗 自动化切割医疗试管装置
CN113146448A (zh) * 2021-05-17 2021-07-23 深圳市吉百顺科技有限公司 一种电感加工用线圈清理一体设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7849596B2 (en) * 2007-11-19 2010-12-14 Ocean Renewable Power Company, Llc High efficiency turbine and method of making the same
CN104624876B (zh) * 2015-02-03 2016-06-22 中南大学 一种异形弹簧的制造方法
CN109769388B (zh) * 2018-11-07 2023-12-08 江苏宝嵩机器人有限公司 一种温控器测量杆组件装配装置及其工作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616964B2 (ja) * 1984-10-08 1994-03-09 株式会社東芝 コイルの製作方法
FR2588928B1 (fr) * 1985-10-22 1989-09-01 Labo Electronique Physique Ressort de type cylindrique utilisable aux hautes temperatures et procede de realisation d'un tel ressort
US5041315A (en) * 1989-05-15 1991-08-20 Zircoa Inc. Flexible ceramic member and method of production thereof
JP3283066B2 (ja) * 1992-08-04 2002-05-20 キヤノン株式会社 螺旋状部材の製造方法
US6034532A (en) * 1993-07-01 2000-03-07 Alphatest Corporation Resilient connector having a tubular spring
JPH10122285A (ja) * 1996-10-22 1998-05-12 Makino Milling Mach Co Ltd 円筒形状ばねの製造方法およびそれにより製造された円筒形状ばね

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005106819A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Asulab Sa 温度調節されたばねてんぷ共振器
JP2008501967A (ja) * 2004-06-08 2008-01-24 セーエスエーエム サントル スイス ドュレクトロニック エ ドゥ ミクロテクニック エスアー ルシェルシュ エ デヴロプマン 温度補償天輪/ヒゲゼンマイ発振器
CN107417088A (zh) * 2017-09-25 2017-12-01 徐姗姗 自动化切割医疗试管装置
CN113146448A (zh) * 2021-05-17 2021-07-23 深圳市吉百顺科技有限公司 一种电感加工用线圈清理一体设备

Also Published As

Publication number Publication date
EP1283374A4 (en) 2004-08-18
US20030011119A1 (en) 2003-01-16
WO2001059323A1 (fr) 2001-08-16
EP1283374A1 (en) 2003-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3234617B2 (ja) 熱処理装置用基板支持具
JP4808917B2 (ja) 易揮発性不純物をドープしたシリコンからなる単結晶を製造する方法およびこの種の単結晶およびこれから製造した半導体ウェーハ
JP2001221269A (ja) 石英コイルスプリングとその製造法
JPS5943428B2 (ja) 超小形レンズの製造方法
KR100535956B1 (ko) 제어된 반경 방향의 결합 계면층을 구비한 광학 예비 형성물
US20220332627A1 (en) Wire-drawing optical fiber base material manufacturing method and manufacturing apparatus
US12060649B2 (en) Raw material supply unit, single-crystal silicon ingot growing apparatus comprising same and raw material supply method
JPH11268987A (ja) シリコン単結晶およびその製造方法
JP3598634B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
JPH08333125A (ja) 高均質な光学用石英ガラス成形体の製造方法
US20140352605A1 (en) Method for making barium-doped crucible and crucible made thereby
JP2000119034A (ja) 光ファイバ用石英ガラス母材の製造方法
KR19980077887A (ko) 반도체장치 제조용 베어 웨이퍼 분석방법
JP2000327479A (ja) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
JP3873783B2 (ja) 石英ガラス管および石英ガラス棒の製造装置ならびに石英ガラス管および石英ガラス棒の製造方法
US4277519A (en) Simultaneous formation of garnet epilayer on a plurality of substrates
US20240309542A1 (en) External crucible accommodating silicon melt and silicon single crystal ingot growth apparatus including the same
JPH031528A (ja) 複合シリカ体及びその製造方法及び該シリカ体を用いた半導体製造治具
JPH11186181A (ja) 基盤熱処理用支持治具
JP2003321238A (ja) 光ファイバ母材の製造方法および装置
JP2023170513A (ja) シリコン単結晶の育成方法、シリコンウェーハの製造方法、および単結晶引き上げ装置
JPH03254909A (ja) 碍管の切断方法
KR100557149B1 (ko) 다공성 광섬유 모재 제조 방법 및 그 장치
JPS6112674Y2 (ja)
JPS63236722A (ja) 石英ガラス製品及びその製造方法