JPH06222290A - 平面ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents

平面ディスプレイ装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH06222290A
JPH06222290A JP28152693A JP28152693A JPH06222290A JP H06222290 A JPH06222290 A JP H06222290A JP 28152693 A JP28152693 A JP 28152693A JP 28152693 A JP28152693 A JP 28152693A JP H06222290 A JPH06222290 A JP H06222290A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
forming
signal
shutter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP28152693A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2588678B2 (ja
Inventor
Dong-Goo Kim
Chul-Sun Park
Gyeong-Lyong Park
Sin-Chong Park
Min-Kyu Song
Hyung-Jin Yoon
敏圭 宋
亨鎭 尹
▲ぎょん▼龍 朴
▲哲▼淳 朴
晨鐘 朴
東球 金
Original Assignee
Korea Electron Telecommun
財団法人韓国電子通信研究所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR92-20983 priority Critical
Priority to KR92020983A priority patent/KR960001941B1/ko
Application filed by Korea Electron Telecommun, 財団法人韓国電子通信研究所 filed Critical Korea Electron Telecommun
Publication of JPH06222290A publication Critical patent/JPH06222290A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2588678B2 publication Critical patent/JP2588678B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Lifetime legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3618Coatings of type glass/inorganic compound/other inorganic layers, at least one layer being metallic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3639Multilayers containing at least two functional metal layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3642Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating containing a metal layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3652Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the coating stack containing at least one sacrificial layer to protect the metal from oxidation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3668Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
    • C03C17/3671Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use as electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating
    • G02B26/02Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating for controlling the intensity of light
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/90Other aspects of coatings
    • C03C2217/94Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
    • C03C2217/948Layers comprising indium tin oxide [ITO]

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体工程のみで製作されたマイクロ静電アク
チュエーターを利用した光開閉器を用いて静的又は動的
な映像を表わすことができる微細画素平面ディスプレイ
を提供。 【構成】選択電極3と信号電極2に共通電極4の電圧に
対して各々正と負の電圧が印加して、フレーム15内の
任意の位置にあるシャッター移動子14を、帯状に帯電
される。平衡状態に到達した時、順次的に選択線の印加
電圧極性を変換すれば、選択電極3の電荷は、瞬間的に
変化するが、移動子14側に帯電された電荷は、抵抗の
妨げに因り直ちには移動できない。これにより、移動子
14と選択電極3の間に反発力と共に、移動子14を右
側に動かせる駆動力が生じ、シャッター移動子14は、
右側に移動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は、平面ディスプレイ装置
に関するもので、より具体的には、各画素に対応して設
けられた複数のマイクロシャッター(micro sh
utter)を備えて、各マイクロシャッターが静電気
力(electrostatic force)により
開閉されることにより静的又は動的映像を示すことがで
きる平面ディスプレイ装置の光開閉装置に関するもので
ある。

【0002】

【従来の技術】光を遮断又は通過させる光開閉器(li
ght valve)の中で最も代表的なものとして、
液晶(liquid crystal)を用いる液晶表
示装置が有る。このように液晶を利用した液晶表示装置
においては、光の開閉時に所要する電力消耗が少なく、
数多くの微細画素(pixcel)が各々独立的に駆動
されることができるため、そのような液晶表示装置がデ
ィスプレイのような表示装置において主に応用されてい
る。

【0003】最近、平面ディスプレイ装置としては最も
多く用いられている液晶ディスプレイ装置(LCD)
は、既存のCRT(cathod ray tube)
ディスプレイに比べて低い電圧により駆動されることが
でき、且つ薄く又軽く製造することができるという長所
が有る。特に、薄膜トランジスター液晶ディスプレイ装
置(TFT LCD)は、種々の色相の高画質の画面具
現が可能であるために、多くの平面ディスプレイの中で
最も多く用いられているディスプレイ装置中の一つであ
る。

【0004】

【発明が解決しようとする課題】しかし、液晶ディスプ
レイ装置は、現行技術上、次のように幾つかの問題点が
有る。

【0005】第1に、画素数が多くなるにより、画素の
設計及びその製造工程が難しくなる。第2に、薄膜トラ
ンジスター液晶ディスプレイ装置(TFT LCD)の
場合、大画面ディスプレイ装置を製造する工程の遂行が
難しいので、画面が大きくなる程急激な歩留り低下を招
く。第3に、液晶を媒介体として用いるので、液晶注
入、液晶の整列、そして二つのガラス板の間の液晶が詰
められる空間の間隔を正確に節約しなければならない等
の組立工程に難しいことが多い。第4に、上記の理由に
因り、ディスプレイの価格が非常に高い。第5に、CR
Tに比べて視野角度(view angle)が小さ
い。第6に、偏光板を用いなければならないため光の損
失が大きい。

【0006】一方、最近開発されている機械的な光シャ
ッターにおいては、一般的に電力消耗が多く、遠い動作
が難しいばかりではなく、微細光開閉器を製作すること
が困難である。

【0007】しかし、最近、半導体工程技術の発達によ
り、機械的な動作の可能な数十ミクロン大きさの微小な
アクチュエーター(micro actuator)の
製作が可能になった。このような半導体工程技術を利用
して、機械的なシャッターの大きさを非常に小さく製造
するならば、微小な力をもっても遠い開閉が可能にする
ことができるのであろう。

【0008】現在、用いられている液晶ディスプレイ装
置の一つの画素の大きさは、約100μm×100μm
であるが、一つの画素がこの大きさ以下である場合に
は、低い電圧においても運動体に作用する重力に比べて
静電気力が著しく大いに作用する。従って、運動体の摩
擦問題のみ解決することができるならば、強い静電気力
で一つの画素の大きさが100μm×100μm以下の
シャッターの機械的な作動を速やかにすることができ
る。これは、数十ミクロン大きさの静電モーター(el
ectrostatic motor)の実現を通じて
既に明らかになった。

【0009】本発明は、上述した液晶ディスプレイの短
所を克服するためになされたもので、半導体工程のみで
製作されたマイクロ静電アクチュエーターを利用した光
開閉器を用いて静的又は動的な映像を表わすことができ
る微細画素平面ディスプレイおよびその製造方法を提供
することを目的とする。

【0010】

【課題を解決するための手段】本発明では、前記目的を
達成するために、平面ディスプレイ装置の構成要素であ
るマイクロ光開閉器(光シャッター)は、マイクロミシ
ン分野において多く使用される表面マイクロミシニング
技法を用いて製作され、各光開閉器は、左右直線運動を
することができる平板型のマイクロ移動子と、この移動
子を駆動するための三つの電極(選択電極、共通電極、
信号電極)、移動子と各電極の間に形成された絶縁体
等、そして移動子の運動ガイド及び、液晶ディスプレイ
のブラックマトリックス(black matrix)
役割をするフレーム(frame)で構成され、3相
(three phase)の駆動電極に適切な駆動信
号電圧を印加して光開閉器の移動子を望む方向へ動くよ
うにすることにより開口を開閉する方式を用いる。

【0011】このようなマイクロシャッターは、2次元
アレイの構成が可能で、従来の液晶ディスプレイと類似
する駆動方式を用いてマイクロシャッターアレイを駆動
することができるようにしたので、微細画素平面ディス
プレイの具現が可能である。

【0012】本発明の一特徴に依れば、例えば、図21
に示すように、平面ディスプレイ装置は、m×nマトリ
ックスで配置された複数の選択線17−1〜17−m及
び複数の信号線19−1〜19−nと、前記複数の信号
線19−1〜19−n各々に信号電極のビアホール(v
ia hole)接合が連結され、前記複数の選択線1
7−1〜17−mに選択電極が連結されて、前記信号電
極及び前記選択電極に提供される駆動信号によりシャッ
ター移動子がフレーム内で動いて光を各々通過させ、ま
たは、遮断させる複数の静電アクチュエーター光開閉器
LV1 〜LVnと、前記複数の選択線17−1〜17−
mと連結され前記複数の静電アクチュエーター光開閉器
LV1 〜LVn 各々へ所定の選択信号を提供する選択線
駆動手段22−1〜22−mと、前記複数の信号線19
−1〜19−nと連結され前記複数の静電アクチュエー
ター光開閉器LV1 〜LVn 各々へ所定のデータ信号を
与える信号線駆動手段21−1〜21−nを含む。

【0013】本発明の他の特徴によれば、平面ディスプ
レイ装置の製造方法は、基板1を準備する工程と、前記
基板1上に、所定のパターンを有する信号電極である透
明電極と選択電極及び共通電極を互いに平行に形成する
電極形成工程と、電極等が形成された基板上に絶縁層
5,13を形成する工程と、前記絶縁層上に第1犠牲層
6を形成する工程と、前記第1犠牲層6上に所定パター
ンの移動子層を形成する工程と、前記移動子層が形成さ
れた基板上に所定パターンの第2犠牲層を形成し前記積
層された第1及び第2犠牲層の一部分を除去してフレー
ム接触部分を形成する工程と、前記フレーム接触部分と
前記第2犠牲層の一部分の上に所定パターンを有するフ
レーム層を形成する工程と、前記第1及び第2犠牲層等
を除去する工程を含む。

【0014】前記電極形成工程は、前記基板1上に所定
パターンの透明電極を形成する工程と、所定パターンの
クローム層を形成して選択電極と共通電極を形成する工
程を含む。前記絶縁層形成工程は、窒化シリコンを2回
繰り返して形成する。

【0015】なお、前記製造方法において、前記基板1
はガラス基板であり、前記透明電極はITO膜であり、
選択電極と共通電極は全部クローム膜である。

【0016】さらに、前記第1犠牲層6と第2犠牲層
は、アルミニウムで形成され、前記移動子層は、前記第
1犠牲層6上に、所定のパターンで積層された窒化シリ
コンと非晶質シリコンとで形成され、前記フレーム層
は、積層された窒化シリコンと非晶質シリコンとで形成
される。

【0017】本発明のまた他の特徴によれば、平面ディ
スプレイ装置の製造方法は、基板1を準備する工程と、
前記基板1上に所定のパターンを有する信号電極である
透明電極と選択電極及び共通電極を互いに平行に形成す
る電極形成工程と、電極等が形成された基板上に絶縁層
5を形成した後、前記透明電極上にのみビアホール(v
ia hole)を形成する工程と、前記絶縁層5及び
ビアホール(viahole)上にクローム層12を形
成し、この上に第2絶縁層を形成する工程と、前記第2
絶縁層上に第1犠牲層6を形成する工程と、前記第1犠
牲層6上に所定パターンの移動子層を形成する工程と、
前記移動子層が形成された基板上に所定パターンの第2
犠牲層を形成し、前記積層された第1及び第2犠牲層の
一部分を除去してフレーム接触部分を形成する工程と、
前記フレーム接触部分と前記第2犠牲層の一部分の上に
所定のパターンを有するフレーム層を形成する工程と、
前記第1及び第2犠牲層等を除去する工程を含む。

【0018】本発明において用いた工程技法である表面
マイクロミシニングとは、多くの構造層(struct
ural layer)と犠牲層(sacrifici
allayer)等を蒸着、エッチングして複雑な微細
構造を形成するプロセスを言う。ここで、犠牲層は、蒸
着された層等の中で運動する部材を分離独立させるた
め、後にエッチングにより除去される層である。

【0019】

【作用】本発明による平面ディスプレイは、半導体工程
のみで製作されたマイクロ静電アクチュエータを利用し
た光開閉器を用いて製造する。これにより、液晶ディス
プレイの製作に伴う困難な組立工程が不要となり、高い
画素密度のディスプレイも歩留まりよく製作することが
可能になる。

【0020】

【実施例】以下図面を参照して、本発明を詳細に説明す
れば次の通りである。

【0021】図1から図8は本発明の一実施例により静
電アクチュエーター(electrostatic a
ctuator)を用いる光開閉装置の製造工程を示し
た断面図であり、これを参照して光開閉装置の製造方法
を説明すれば次の通りである。 図1は信号線(dat
a line)の透明電極を形成する工程を示した図面
である。図1で、高温状態下に、ガラス基板1の上に、
ITO(IndiumTin Oxide)層がスパッ
タリング(sputtering)方法により、200
0Å程度の厚さを有して蒸着される。

【0022】次いで、フォトレジストを前記ITO層上
に塗布した後、パターン工程で、信号線のための透明電
極又は信号電極2を定義する(輪郭を明確にする)。こ
の時、信号電極の幅は、30μm程度の大きさに定義さ
れる。

【0023】図2で図示されたように、選択(sele
ction)電極と共通(common)電極を形成す
る工程が例示されている。

【0024】図2で、透明電極2の厚さと同一にガラス
基板1上に電極ビーム蒸着方法でクローム層(Cr)を
2000Å程度の厚さを有するように蒸着する。次い
で、所定パターンのフォトレジストを前記クローム層上
に塗布した後、前記クローム層をエッチングして、選択
電極3の幅と共通電極4の幅が各々30,20μmにな
るように形成する。この時、各電極間の間隔は20μm
程度になるようにする。

【0025】図3では、絶縁層蒸着工程を例示してい
る。図3で、LPCVD(低圧CVD)方法で、絶縁層
5として窒化シリコンを前記基板1及び電極等2,3,
4上に5000Å程度の厚さを有するように蒸着する。
次いで、この絶縁層5上に、第2絶縁層である窒化シリ
コン層13がLPCVD方法で5000Åの厚さを有す
るように形成される。

【0026】図4は下層犠牲層を蒸着する工程を示して
いる。図4で、この工程は、次いで続けられる工程で形
成されるシャッターの第1犠牲層(sacrifici
allayer)6として用いられるアルミニウム層
(Al)を、電子ビーム蒸着方法で、3μmの厚さを有
するように、前記絶縁層13上に蒸着する。

【0027】図5はシャッターの移動子である抵抗体の
形成工程を例示している。図5に図示されたように、ま
ず、LPCVD方法で前記アルミニウム層上に窒化シリ
コン7を1μm程度の厚さで蒸着した後、その上に、非
晶質シリコン8を2μm程度の厚さで蒸着する。一般的
に、非晶質シリコンは、低い温度において蒸着すること
ができるし、可視光線に対する吸収度が十分に大きいの
で、2μm程度の厚さだけでも、光を遮断することがで
きる長所がある。非晶質シリコン膜の板(シート)抵抗
値は、非晶質シリコン蒸着時109 〜1010Ω/□にな
るようにする。

【0028】次いで、所定パターンのフォトレジストを
塗布した後、このパターン化されたフォトレジストをマ
スクとして、RIE(Reactire Ion Et
ching、反応性イオンエッチング)方法により前記
非晶質シリコンと窒化シリコンを順次除去して、シャッ
ター移動子7,8を形成する。

【0029】図6は上層犠牲層を形成する工程を示して
いる。上述した工程で形成されたアルミニウム層である
第1犠牲層6と共に、シャッターの第2犠牲層9として
用いられるアルミニウム層を、電子ビーム蒸着方法で2
μm程度の厚さで前記基板上に蒸着する。所定パターン
のフォトレジストを塗布して、シャッター移動子が動く
ことができるガイドとなるフレームを定義した後、下層
と上層犠牲層であるAl膜を60℃の純粋なH3 PO4
溶液で腐蝕する。

【0030】図7はフレーム形成工程を示している。図
7で、LPCVD方法で窒化シリコン層10を1μm厚
さで蒸着した後、その上に非晶質シリコン層11を3μ
m程度蒸着する。次いで、フォトレジストを塗布してパ
ターン化した後、このパターン化されたフォトレジスト
をマスクとして、非晶質シリコン膜11と窒化シリコン
膜10をRIE方法でエッチングしてフレームを形成す
る。

【0031】本工程で形成されたフレームは、シャッタ
ー移動子の運動ガイドとなるだけでなく、既存液晶ディ
スプレイにおいてのブラックマトリックスと同様な役割
をする。

【0032】図8は第1及び第2犠牲層6,9をAlエ
ッチングする工程を示している。即ち、図8に図示され
たように、上層の第2犠牲層9と下層の第1犠牲層6が
除去され、フレーム内でシャッター移動子が動くことが
できるように、移動子ガイドが形成される。この時、前
記上層及び下層の犠牲層の除去に用いられる腐蝕液は、
60℃の純粋なH3 PO4 溶液を使用する。

【0033】図9から図18は、本発明の他の実施例
の、静電アクチュエーター(electrostati
c actuator)を用いる光開閉装置の製造工程
を示した断面図である。これらの図により、選択線と信
号線が交差する場合の光開閉装置の製造方法を説明す
る。

【0034】即ち、この実施例では、選択線と信号線が
交差する光開閉装置を製造する場合、前記一実施例にお
いて絶縁層5を形成する工程でITO透明電極上にビア
ホール(via hole)(Via)を形成して前記
基板上にクローム層12を形成した後、その上に第2絶
縁層13を形成することを除いては、前記一実施例の工
程と同様である。

【0035】図9では、信号線(data line)
の透明電極を形成する工程を示す図面である。

【0036】図9で、高温状態下において、ガラス基板
1の上に、ITO(Indium Tin Oxid
e)層がスッパタリング(sputtering)方法
により、2000Å程度の厚さを有して蒸着される。次
いで、フォトレジストを前記ITO層上に塗布した後、
パターン工程で信号線のための透明電極又は信号電極2
を定義する。この時、信号電極の幅は30μm程度の大
きさに定義される。

【0037】図10に、選択(selection)電
極と共通(common)電極を形成する工程が例示さ
れている。図10で、透明電極2の厚さと同一に、ガラ
ス基板1上に、電子ビーム蒸着方法でクローム層(C
r)を2000Å程度の厚さを有するように蒸着する。
次いで、所定パターンのフォトレジストを前記クローム
層上に塗布した後、前記クローム層をエッチングして、
選択電極3の幅と共通電極4の幅が各々30,20μm
になるように形成する。この時、各電極間の間隔は20
μm程度になるようにする。

【0038】図11では、絶縁層蒸着工程を例示してい
る。図11で、LPCVD方法で、絶縁層5として、窒
化シリコンを前記基板1及び電極等2,3,4上に50
00Å程度の厚さを有するように蒸着する。

【0039】なお、前記選択線と信号線が交差する光開
閉器を製造するためには、前記ITO透明電極と信号線
の電気的接続のため、前記ITO透明電極上にビアホー
ル(via hole)(Via:5a)をRIE方法
で形成する。

【0040】図12に図示されたように、前記のように
ビアホール(via hole)5aが形成された基板
1上に、クローム層12を形成する。次いで、この絶縁
層5上に、第2絶縁層である窒化シリコン層13がLP
CVD方法で5000Åの厚さを有するように形成され
る。

【0041】図14は下層犠牲層を蒸着する工程を示し
ている。図14で、この工程は次に続けられる工程で形
成されるシャッターの第1犠牲層(sacrifici
allayer)6として用いられるアルミニウム層
(Al)を、電子ビーム蒸着方法で、3μmの厚さを有
するように、前記絶縁層13上に蒸着する。

【0042】図15は、シャッターの移動子である抵抗
体の形成工程を例示している。図15は図示されたよう
に、先ず、LPCVD方法で、前記アルミニウム層上に
窒化シリコン7を1μm程度の厚さで蒸着した後、その
上に、非晶質シリコン8を2μm程度の厚さで蒸着す
る。

【0043】一般的に、非晶質シリコンは、低い温度に
おいて蒸着することができるし、可視光線に対する吸収
度が十分に大きいので、2μm程度の厚さだけでも光を
遮断することができる長所がある。非晶質シリコン膜の
板抵抗値は、非晶質シリコン蒸着時109 〜1010Ω/
□になるようにする。次いで、所定パターンのフォトレ
ジストを塗布した後、このパターン化されたフォトレジ
ストをマスクとして、RIE方法により前記非晶質シリ
コンと窒化シリコンを順次除去して、シャッター移動子
7,8を形成する。

【0044】図16は上層犠牲層を形成する工程を示し
ている。上述した工程で形成されたアルミニウムである
第1犠牲層6と共にシャッターの第2犠牲層9として用
いられるアルミニウム層を、電子ビーム蒸着方法で、2
μm程度の厚さで前記基板上に蒸着する。所定パターン
のフォトレジストを塗布して、シャッター移動子が動く
ことができるガイドとなるフレームを定義した後、下層
と上層犠牲層であるAl膜を60℃の純粋なH3 PO4
溶液で腐蝕する。

【0045】図17はフレーム形成工程を示している。
図17で、LPCVD方法で窒化シリコン層10を1μ
m厚さに蒸着した後、その上に、非晶質シリコン層11
を3μm程度蒸着する。次いで、フォトレジストを塗布
してパターン化した後、このパターン化されたフォトレ
ジストをマスクとして非晶質シリコン膜11と窒化シリ
コン膜10をRIE方法でエッチングしてフレームを形
成する。

【0046】本工程で形成されたフレームは、シャッタ
ー移動子の運動ガイドとなるだけでなく、既存液晶ディ
スプレイにおいてのブラックマトリックスと同様の役割
をする。

【0047】図18は第1及び第2犠牲層6,9をAl
エッチングする工程を示している。即ち、図18に図示
されたように上層の第2犠牲層9と下層の第1犠牲層6
が除去されて、フレーム内でシャッター移動子が動ける
ように、移動子ガイドが形成される。この時、前記上層
及び下層の犠牲層の除去に用いられる腐蝕液は、60℃
の純粋なH3 PO4 溶液を使用する。

【0048】以上で説明された本発明の一実施例による
製造方法により製造された光開閉装置は、図19と図2
0に図示された構造を有する。

【0049】図19で、参照番号14は移動子を、ま
た、参照番号15はフレームを示す。

【0050】このマイクロ静電アクチュエーター光開閉
器をディスプレイの単位画素として、図21のような光
開閉器アレイで構成されたディスプレイ装置を具現する
ことができる。

【0051】図21は、m×n画素の平面ディスプレイ
の構成を示したもので、参照番号17−1から17−m
で各々示したものは選択線(selection li
ne)であり、参照番号18−lから18−mで各々示
したものは共通電極線、19−1から19−nで各々示
したものは信号線、20−1から20−kで各々示した
ものはビアホール(via hole)接合、21−1
から21−nで各々示したものは信号線駆動回路、22
−l乃至22−mで各々示したものは選択線駆動回路で
ある。

【0052】図21でわかるように、m×nマトリック
スには、複数のマイクロ光開閉器(LVl 〜LVn )が
2次元で配列される。

【0053】次に、本発明によるマイクロ光開閉器を駆
動する原理に対して詳細に説明する。

【0054】先ず、選択電極3と信号電極2に、共通電
極4の電圧に対して各々正と負の電圧が印加されると、
フレーム15内の任意の位置にあるシャッター移動子1
4は、抵抗体内で電荷が動いて、図22のように帯状に
帯電される。十分な時間が経過して、平衡状態に到達し
た時、順次的に選択線17−1〜17−nの印加電圧極
性を変換すれば、選択電極の電荷は、瞬間的に変化する
が、移動子側に帯電された電荷は、抵抗の妨げに因り直
ちに移動することができないので、シャッター移動子
は、図23のように位置する。この状態では、移動子1
4と選択電極3の間に反発力と共に、移動子14を右側
に動かせる駆動力が生じるので、図24のようにシャッ
ターの状態で閉じた状態に替わる。

【0055】このようなシャッターの構造において、抵
抗体である移動子に電荷が帯電されるとか弛緩されるの
にかかる時間τは、τ=RC/2で示される。ここで、
Rは抵抗体移動子の両端間の抵抗で、Cは移動子と電極
とで構成されるキャパシタ(capacitor)の容
量を示す。

【0056】図24のようなシャッターの配置におい
て、C値は、ほぼ2×10~14 Fの値を有する。この場
合、R=109 Ωの時、τはほぼτ=10μsecの値
を有する。

【0057】閉じた状態のシャッターを開けるとか、開
けた状態のシャッターを閉めようとする時には、図25
のように、選択電極3と信号電極2に同時に正(+)の
電圧を印加する。

【0058】一方、図26のように、選択電極3の信号
がON(+)の時、信号電極2へ提供されるデータ信号
値が負(−)の値を保っているか、データ信号にかかわ
りなく選択電極3の信号がOFF(−)の状態の場合に
は、シャッターの状態は以前の状態そのままを保つ。即
ち、選択電極の信号と信号電極のデータ信号が同時にO
N(+)にならない場合には、何時でもシャッターは以
前の状態を維持しなければならない。

【0059】この時、シャッターの駆動を正確にするた
めには、次のような三つの条件を満たすべきである。 条件1)駆動信号の立上がり時間は、抵抗体移動子の電
荷緩和時間(charge relaxation t
ime)に比べて十分に短くあるべきで、信号電極のデ
ータ信号と選択電極の信号がON(+)になっている時
間が抵抗体移動子の電荷緩和時間に比べて長くてはなら
ない。即ち、図25と図26においてt D が、tD <τ
の条件を満たさなければならない。

【0060】条件2)データ信号の一周期において、デ
ータ信号をOFF(−)状態に維持させるべき時間は電
荷緩和時間に比べて長くなければならない。即ち、図2
5と図26においてのtD がtD <τの条件を満たさな
ければならない。これは、図27のような安定した初期
条件を得るためである。

【0061】条件3)選択ライン信号の立下がり時間
(tF )は抵抗体内の電荷緩和時間程度に長くなければ
ならない。即ち、t F γの条件を満たさなければなら
ない。

【0062】具体的なシャッターの駆動方法及び駆動信
号の印加状態による各時間においてのシャッター状態に
対して添付された図27から図30及び図31から図3
4を参照して詳細に説明する。

【0063】図25は、閉じた状態のシャッターを開け
るとか、開けた状態のシャッターを閉めようとする時に
印加される信号電圧の波形を示したものである。図27
から図30は、シャッター移動子の閉じた状態から開け
た状態への変換を示したもので、図25のような印加電
圧に対して各時間別シャッターの状態を示したものであ
る。

【0064】図27は、図25のt=t1 時間において
のシャッター状態を示したもので、閉じた状態での初期
状態を示す。図28は、図25のt=t2 時間において
のシャッター状態を示したものである。

【0065】信号電極2の印加電圧極性が瞬間的に替っ
たが、移動子側に帯状に帯電された電荷は、移動子14
の抵抗に因り直ちに反応することができないため、シャ
ッター移動子14は図示されたような状態に位置する。
この状態で、移動子と電極の間に反撥力と共に移動子1
4を左側に動かせる駆動力が生じるので、図示されたよ
うに、シャッターの状態を替える運動をすることにな
る。この場合、移動子と電極の間の反撥力に因り、運動
摩擦力を大幅的に減少させることができる。

【0066】シャッターの運動は、電荷の緩和時間以内
に大部分なされなければならない。この時、静電気力に
より移動子に与えられる加速度は、重力加速度の100
00倍以上である。

【0067】図29は、図25のt=t3 時間において
のシャッター状態を示したものである。この時間には、
データ信号が再びOFF(−)状態になっているけれど
も選択電極3と移動子14の間の引力に因り、図29に
図示されたような状態を維持する。

【0068】図30は、図25のt=t4 時間において
のシャッター状態を示したものである。選択線の信号印
加電圧が、t3 とt4 時間の間にゆっくり下がるので、
移動子14の位置は変わらないまま、電荷の再分布がな
されて、図示されたように帯電状態から平衡状態をな
す。

【0069】図31から図34は、シャッター移動子1
4の開けた状態から閉じた状態への変換を示したもの
で、図25に示すような信号印加電圧に対して各時間別
シャッターの状態を示したものである。

【0070】図31は図25のt=t1 時間においての
シャッター状態を示したもので、開けた状態での初期状
態を示す。一信号周期(TS )が始まる時点においての
初期状態は、何時でも図27と図31の状態の中の一つ
でなければならない。

【0071】図32は、図25のt=t2 時間において
のシャッター状態を示したものである。この時にも、図
28と同様に、電極の印加電圧極性が瞬間的に替わった
けれども、移動子14側に帯状に帯電された電荷は移動
子の抵抗に因り直ちに反応することができないので、シ
ャッター移動子は、図示されたような状態に位置する。
この状態で、移動子と電極の間の反撥力と共に移動子を
右側に動かす駆動力が生じるので、図示されたように、
シャッターの状態を替える運動をすることになる。

【0072】図33は、図25のt=t3 時間において
のシャッター状態を示したものである。

【0073】データ信号が再びOFF(−)状態になっ
たけれども、選択電極3と移動子14の間の斥力に因
り、シャッターは閉じた状態を維持することになる。

【0074】図34は、図25のt=t4 時間において
のシャッター状態を示したものである。選択電極3の信
号印加電圧が、t3 とt4 時間の間にゆっくり下がるの
で、移動子14の位置は変わらず、電荷の再分布がなさ
れて帯電状態から平衡状態をなす。

【0075】一方、選択電極3の信号がON(+)状態
になった時、データ信号がOFF(−)状態であれば、
以前の状態をそのまま維持しなければならないし、選択
電極3がOFF(−)状態になっている時には、データ
信号にかかわらず以前の状態を維持しなければならな
い。

【0076】図26は、シャッターの状態を変化させな
いようとする時の信号の印加電圧波形を示したものであ
る。図26のような信号印加電圧に対して、各時間別シ
ャッターの状態を、図35から図41及び図42から図
48を参照して詳細に説明する。

【0077】図35から図41は元来初期状態が閉じた
状態においての各時間別状態を示したもので、図42か
ら図48は開けた状態においての各時間別状態を示した
ものである。

【0078】図35は、図26のt=t1 時間において
の閉じた状態で、初期シャッター状態を示したものであ
る。

【0079】図36は、図26のt=t2 時間において
のシャッター状態を示したものである。

【0080】この場合、選択電極3の信号がON状態に
なっているが信号電極2のデータ信号がOFF状態を維
持しているので、移動子14は動かない。図37は図2
6のt=t3 時間においてのシャッター状態を示す。こ
の状態は、図36と同一な状態である。図38は、図2
6のt=t4 時間においてのシャッター状態を示したも
のである。t=t1 においての初期シャッター状態と同
一な状態に戻る。

【0081】図39は、図26のt=t5 時間において
のシャッター状態を示したもので、選択電極3がOFF
(−)状態の時、データ信号がON(+)になる場合を
示したものである。データ信号がON状態になっていて
も、選択線がOFF状態を維持しているので、移動子1
4が動かない。

【0082】図40は、図26のt=t6 時間において
のシャッター状態を示したものである。データ信号がO
Nされている時間tD が、抵抗体移動子内においての電
荷緩和時間に比べて短いので、電荷の再配置が十分にな
されていない状態でデータ信号が再びOFFされたた
め、図示されたように帯電された電荷量は少ないが初期
状態に近い状態になっている。

【0083】図41は、図26のt=t7 時間において
のシャッター状態を示したもので、t=t1 ,又はt=
4 においての状態と全く同一な状態である。この場合
に、信号周期内でtL がτより長いため、抵抗体内にお
いての電荷が十分に動き、帯電された状態で平衡をなし
ている。

【0084】図42から43は、図26の信号電圧印加
波形に対して開けた状態での初期状態を維持することを
示したものである。

【0085】図42は、図26のt=t1 時間において
の開けた状態での初期シャッター状態を示したものであ
る。

【0086】図43は、図26のt=t2 時間において
のシャッター状態を示したものである。選択電極3の信
号が瞬間的にON状態に変わり、移動子14と電極3の
間に反撥力が生じるが、信号電極2と移動子14の間に
も斥力が作用するので、移動子14は右側に動かない。

【0087】図44は、図26のt=t3 時間において
のシャッター状態を示す。移動子14内においての電荷
が、t2 とt3 の間の時間に再分布される過程を引き起
こすが、tD が電荷の緩和時間より短いため、十分な電
荷の再配置がなされていない状態である。

【0088】図45は、図26のt=t4 時間において
のシャッター状態を示したものである。t=t1 におい
ての初期シャッター状態と同一な状態に戻る。

【0089】図46は、図26のt=t5 時間において
のシャッター状態を示したもので、選択電極3がOFF
(−)状態になっている時、信号電極2のデータ信号が
ON(+)になる場合を示したものである。この場合に
は、データ信号の変化が移動子状態の変化に何等の影響
も及ぼさない。

【0090】図47は、図26のt=t6 時間において
のシャッター状態を示したものである。

【0091】この場合にも、データ信号に影響を及ぼさ
ない配置であるから、初期状態と同一な状態を示す。

【0092】図48は、図26のt=t7 時間において
のシャッター状態を示したもので、t=t1 ,又はt=
4 においての状態と全く同一な状態である。

【0093】以上のような駆動方式により、表面マイク
ロミシニング技法で製作したシャッター移動子を左右直
線運動させて、光を遮断又は通過させることができる。
したがって、このようなマイクロ光開閉器を利用して、
平面ディスプレイ装置を具現することができる。

【0094】

【発明の効果】本発明によるディスプレイは、従来の半
導体工程のみで製作が可能で、現在、液晶ディスプレイ
の問題点である液晶を詰めるべき二つのガラス板の間の
空間間隔の調節、液晶整列のための配向膜工程等の難し
い組立工程が不要であるため、高い画素密度のディスプ
レイも高い歩留りに製作することが容易である。また、
液晶のような媒介体を用いないので、画面の質が非常に
優れて、光の効率が良いのみならず、上述した駆動方式
を用いて、動的な画面も表わすことができる卓越な効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図1】図1は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図2】図2は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図3】図3は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図4】図4は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図5】図5は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図6】図6は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図7】図7は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図8】図8は本発明の一実施例による平面ディスプレ
イ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図9】図9は本発明の他の実施例による平面ディスプ
レイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面
図。

【図10】図10は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図11】図11は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図12】図12は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図13】図13は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図14】図14は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図15】図15は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図16】図16は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図17】図17は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図18】図18は本発明の他の実施例による平面ディ
スプレイ装置のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程
断面図。

【図19】図19は本発明の製造方法により製造された
マイクロ光開閉器の構造を示す図面。

【図20】図20は図19に図示された光開閉器の平面
図。

【図21】図21は図19に図示された光開閉器を用い
て平面デイスプレイ装置を駆動する回路図。

【図22】図22は図19に図示された光開閉器におい
て電極の極性変化によるシャッターの位置変化を示す図
面。

【図23】図23は図19に図示された光開閉器におい
て電極の極性変化によるシャッターの位置変化を示す図
面。

【図24】図24は図19に図示された光開閉器におい
て電極の極性変化によるシャッターの位置変化を示す図
面。

【図25】図25は図19に図示された光開閉器のシャ
ッターの位置を変化させるための駆動信号の波形図。

【図26】図26は図19に図示された光開閉器のシャ
ッターの位置を以前の位置そのまま保持させるための駆
動信号の波形図。

【図27】図27は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態か
ら開けた状態への位置変換を示した図面。

【図28】図28は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態か
ら開けた状態への位置変換を示した図面。

【図29】図29は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態か
ら開けた状態への位置変換を示した図面。

【図30】図30は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態か
ら開けた状態への位置変換を示した図面。

【図31】図31は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態か
ら閉じた状態への位置変換を示した図面。

【図32】図32は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態か
ら閉じた状態への位置変換を示した図面。

【図33】図33は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態か
ら閉じた状態への位置変換を示した図面。

【図34】図34は図25の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態か
ら閉じた状態への位置変換を示した図面。

【図35】図35は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態を
保持する場合を示す図面。

【図36】図36は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態を
保持する場合を示す図面。

【図37】図37は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態を
保持する場合を示す図面。

【図38】図38は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態を
保持する場合を示す図面。

【図39】図39は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態を
保持する場合を示す図面。

【図40】図40は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態を
保持する場合を示す図面。

【図41】図41は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、閉じた状態を
保持する場合を示す図面。

【図42】図42は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態を
保持する場合を示す図面。

【図43】図43は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態を
保持する場合を示す図面。

【図44】図44は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態を
保持する場合を示す図面。

【図45】図45は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態を
保持する場合を示す図面。

【図46】図46は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態を
保持する場合を示す図面。

【図47】図47は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態を
保持する場合を示す図面。

【図48】図48は図26の駆動信号変化による各時間
別シャッターの位置変化を示したもので、開けた状態を
保持する場合を示す図面。

【符号の説明】

1 ガラス基板 2 透明電極(信号電極) 3 選択電極 4 共通電極 5,13 絶縁層 6 第1犠牲層 7,10 窒化シリコン 8,11 非晶質シリコン 9 第2犠牲層 12 信号電極(Cr) 14 移動子 15 フレーム 16 ビアホール(via hole) 17 選択線 18 共通電極線 19 信号電極線 20 ビアホール(via hole)接合 21 信号線駆動回路 22 選択線駆動回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尹 亨鎭 大韓民国大田直轄市中区太平洞393サンブ ーアパート407ー156 (72)発明者 朴 ▲哲▼淳 大韓民国大田直轄市儒城区新城洞ハヌルア パート110ー1604 (72)発明者 宋 敏圭 大韓民国大田直轄市中区吾柳洞サムスンア パート30ー206

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】m×nマトリックスに配置された複数の選
    択線(17−1〜17−m)及び複数の信号線(19−
    1〜19−n)と、 前記複数の信号線(19−1〜19−n)各々に信号電
    極のビアホール(via hole)接合が連結され、
    前記複数の選択線(17−1〜17−m)に選択電極が
    連結されて、前記信号電極及び前記選択電極に与えられ
    る駆動信号によりシャッター移動子がフレーム内で動い
    て、光を各々通過させ、または、遮断させる、複数の静
    電アクチュエーター光開閉器(LV1 〜LVn )と、 前記複数の選択線(17−1〜17−m)と連結され
    て、前記複数の解電アクチュエーター光開閉器(LV1
    〜LVn )各々に所定の選択信号を与える選択線駆動手
    段(22−1〜22−m)と、 前記複数の信号線(19−1〜19−n)と連結され、
    前記複数の静電アクチュエーター光開閉器(LV1 〜L
    n )各々に、所定のデータ信号を与える信号線駆動手
    段(21−1〜21−n)を含む平面ディスプレイ装
    置。
  2. 【請求項2】基板(1)を準備する工程と、 前記基板(1)上に、所定パターンを有する信号電極で
    ある透明電極と選択電極及び共通電極を互いに平行に形
    成する電極形成工程と、 電極等が形成された基板上に、絶縁層(5,13)を形
    成する工程と、 前記絶縁層上に、第1犠牲層(6)を形成する工程と、 前記第1犠牲層(6)上に、所定パターンの移動子層を
    形成する工程と、 前記移動子層が形成された基板上に、所定パターンの第
    2犠牲層を形成して、前記積層された第1及び第2犠牲
    層の一部分を除去して、フレーム接触部分を形成する工
    程と、 前記フレーム接触部分と前記第2犠牲層の一部分の上
    に、所定パターンを有するフレーム層を形成する工程
    と、 前記第1及び第2犠牲層等を除去する工程を含む液晶デ
    ィスプレイ装置の製造方法。
  3. 【請求項3】基板(1)を準備する工程と、 前記基板(1)上に、所定パターンを有する信号電極で
    ある透明電極と選択電極及び共通電極を互いに平行に形
    成する電極形成工程と、 電極等が形成された基板上に、絶縁層(5)を形成した
    後前記透明電極上にのみビアホール(via hol
    e)を形成する工程と、 前記絶縁層(5)及びビアホール(via hole)
    上に、クローム層(12)を形成し、この上に第2絶縁
    層を形成する工程と、 前記第2絶縁層上に、第1犠牲層(6)を形成する工程
    と、 前記第1犠牲層(6)上に、所定パターンの移動子層を
    形成する工程と、 前記移動子層が形成された基板上に、所定パターンの第
    2犠牲層を形成して前記積層された第1及び第2犠牲層
    の一部分を除去して、フレーム接触部分を形成する工程
    と、 前記フレーム接触部分と前記第2犠牲層の一部分の上
    に、所定パターンを有するフレーム層を形成する工程
    と、 前記第1及び第2犠牲層等を除去する工程を含む液晶デ
    ィスプレイ装置の製造方法。
JP5281526A 1992-11-10 1993-11-10 平面ディスプレイ装置及びその光開閉器の製造方法 Expired - Lifetime JP2588678B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR92-20983 1992-11-10
KR92020983A KR960001941B1 (ko) 1992-11-10 1992-11-10 평면 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06222290A true JPH06222290A (ja) 1994-08-12
JP2588678B2 JP2588678B2 (ja) 1997-03-05

Family

ID=19342775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5281526A Expired - Lifetime JP2588678B2 (ja) 1992-11-10 1993-11-10 平面ディスプレイ装置及びその光開閉器の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5405490A (ja)
JP (1) JP2588678B2 (ja)
KR (1) KR960001941B1 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010188517A (ja) * 1998-06-04 2010-09-02 Cavendish Kinetics Ltd マイクロメカニカル素子
JP2012078870A (ja) * 2002-07-02 2012-04-19 Qualcomm Mems Technologies Inc 光デバイス及びその製造方法
JP2013015870A (ja) * 2005-02-23 2013-01-24 Pixtronix Inc ディスプレイ装置およびその製造方法
US8638491B2 (en) 2004-09-27 2014-01-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9086564B2 (en) 2004-09-27 2015-07-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Conductive bus structure for interferometric modulator array
US9087486B2 (en) 2005-02-23 2015-07-21 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9116344B2 (en) 2008-10-27 2015-08-25 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
US9128277B2 (en) 2006-02-23 2015-09-08 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
US9135868B2 (en) 2005-02-23 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US9177523B2 (en) 2005-02-23 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US9336732B2 (en) 2005-02-23 2016-05-10 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9500853B2 (en) 2005-02-23 2016-11-22 Snaptrack, Inc. MEMS-based display apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3678437B2 (ja) * 1994-03-16 2005-08-03 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
KR100354906B1 (ko) 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
US6923918B2 (en) * 2001-09-28 2005-08-02 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Method for implementing an efficient and economical cathode process
AT432802T (de) * 2002-12-20 2009-06-15 Koninkl Philips Electronics Nv Mikromechanische thermische struktur und deren herstellungsverfahren

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6227322U (ja) * 1985-07-31 1987-02-19
JPH0340693A (en) * 1989-02-27 1991-02-21 Texas Instr Inc <Ti> Visible display system

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2655865B2 (ja) * 1988-03-16 1997-09-24 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法
US5302235A (en) * 1989-05-01 1994-04-12 Copytele, Inc. Dual anode flat panel electrophoretic display apparatus
US5266531A (en) * 1991-01-30 1993-11-30 Cordata Incorporated Dynamic holographic display with cantilever

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6227322U (ja) * 1985-07-31 1987-02-19
JPH0340693A (en) * 1989-02-27 1991-02-21 Texas Instr Inc <Ti> Visible display system

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010188517A (ja) * 1998-06-04 2010-09-02 Cavendish Kinetics Ltd マイクロメカニカル素子
JP2012078870A (ja) * 2002-07-02 2012-04-19 Qualcomm Mems Technologies Inc 光デバイス及びその製造方法
US9086564B2 (en) 2004-09-27 2015-07-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Conductive bus structure for interferometric modulator array
US8638491B2 (en) 2004-09-27 2014-01-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US9097885B2 (en) 2004-09-27 2015-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US9177523B2 (en) 2005-02-23 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9087486B2 (en) 2005-02-23 2015-07-21 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9336732B2 (en) 2005-02-23 2016-05-10 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9274333B2 (en) 2005-02-23 2016-03-01 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
JP2013015870A (ja) * 2005-02-23 2013-01-24 Pixtronix Inc ディスプレイ装置およびその製造方法
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US9135868B2 (en) 2005-02-23 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US9500853B2 (en) 2005-02-23 2016-11-22 Snaptrack, Inc. MEMS-based display apparatus
US9128277B2 (en) 2006-02-23 2015-09-08 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
US9182587B2 (en) 2008-10-27 2015-11-10 Pixtronix, Inc. Manufacturing structure and process for compliant mechanisms
US9116344B2 (en) 2008-10-27 2015-08-25 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators

Also Published As

Publication number Publication date
JP2588678B2 (ja) 1997-03-05
KR960001941B1 (ko) 1996-02-08
US5405490A (en) 1995-04-11
KR940012023A (ko) 1994-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6147790A (en) Spring-ring micromechanical device
EP1858796B1 (en) Methods and apparatus for actuating displays
TWI440889B (zh) 干涉式調變器陣列用之傳導匯流排結構
CN102060258B (zh) 微电子机械快门组件
US8115988B2 (en) System and method for micro-electromechanical operation of an interferometric modulator
US6663788B2 (en) Method for manufacturing a mechanical conformal grating device
TWI408411B (zh) 具有傳導性光吸收光罩之裝置及其製造方法
CN100565924C (zh) 使用高压薄膜晶体管的微机电系统器件的集成驱动器
US5835256A (en) Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements
KR101222096B1 (ko) 미소 기전 시스템 디스플레이 소자의 작동을 위한 시스템및 방법
US7515147B2 (en) Staggered column drive circuit systems and methods
EP1231500B1 (en) Electronically addressable microencapsulated ink
KR100766318B1 (ko) 유기 반도체 물질을 이용한 박막트랜지스터와 이를 구비한액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
USRE31498E (en) Electrostatically controlled picture display device
US7223672B2 (en) Processes for forming backplanes for electro-optic displays
US20050036095A1 (en) Color-changeable pixels of an optical interference display panel
US5459610A (en) Deformable grating apparatus for modulating a light beam and including means for obviating stiction between grating elements and underlying substrate
EP0742904B1 (en) Method of making a micromechanical silicon-on-glass tuning fork gyroscope
TWI357884B (en) Microelectromechanical device with optical functio
US6639572B1 (en) Paper white direct view display
US20060077617A1 (en) Selectable capacitance circuit
US7835061B2 (en) Support structures for free-standing electromechanical devices
JP2012014204A (ja) 電気光学表示装置用バックプレーン
US5696619A (en) Micromechanical device having an improved beam
US7911678B2 (en) Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19961015