JPH0349117B2 - - Google Patents
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- JPH0349117B2 JPH0349117B2 JP58013857A JP1385783A JPH0349117B2 JP H0349117 B2 JPH0349117 B2 JP H0349117B2 JP 58013857 A JP58013857 A JP 58013857A JP 1385783 A JP1385783 A JP 1385783A JP H0349117 B2 JPH0349117 B2 JP H0349117B2
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Classifications
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Description
【発明の詳細な説明】
〔従来技術および産業上の利用分野〕
本発明は、第1および第2の支持板を具える受
動表示装置であつて、少くとも第1の支持板を透
明とし、第1および第2のの支持板の対向面上に
それぞれ第1および第2の電極が配置され、受動
表示装置が更に多数の弾性素子により支持板の一
方に固着された有孔表示部分を有する第3の電極
を具え、これら第3の電極を静電力によつて第1
および第2の電極間で移動しうるようにし、受動
表示装置が更に第1および第2の支持板間で不透
明な液体を具え、この液体の色を第1の支持板に
面する第3の電極の面の色と著しく相違させた受
動表示装置に関するものである。また本発明はこ
のような受動表示装置を製造する方法にも関する
ものである。ここに不透明な液体とは、この中で
の光の透過度(深さ)が支持板間の距離よりも短
かい液体を意味するものとする。
動表示装置であつて、少くとも第1の支持板を透
明とし、第1および第2のの支持板の対向面上に
それぞれ第1および第2の電極が配置され、受動
表示装置が更に多数の弾性素子により支持板の一
方に固着された有孔表示部分を有する第3の電極
を具え、これら第3の電極を静電力によつて第1
および第2の電極間で移動しうるようにし、受動
表示装置が更に第1および第2の支持板間で不透
明な液体を具え、この液体の色を第1の支持板に
面する第3の電極の面の色と著しく相違させた受
動表示装置に関するものである。また本発明はこ
のような受動表示装置を製造する方法にも関する
ものである。ここに不透明な液体とは、この中で
の光の透過度(深さ)が支持板間の距離よりも短
かい液体を意味するものとする。
このような受動表示装置はオランダ国特許出願
第7510103号明細書に記載されており既知であり、
例えばアルフアニユーメリツク情報を表示するの
に用いられている。第3の電極が第2の電極の側
に存在する場合には、透明な第1の支持板を介し
て不透明な液体の色が見える。しかし、第3の電
極が第1の電極の側に存在する場合には、液体の
色と著しく相違する第3の電極の色が見える。多
数の弾性素子により支持板の1つに連結された第
3の電極は、第1、第2および第3の電極に電圧
を印加することにより支持板間で移動しうる。発
生する弾性力は静電力に比べて無視しうる。第3
の電極は、第1および第2の電極上に設けた絶縁
層によりこれら第1および第2の電極から電気的
に絶縁されている。第1および第2の電極が+V
および−Vの直流電圧にそれぞれ保たれているか
或いは実効値Vを有する交流電圧に保たれてお
り、第3の電極に可変電圧Vgが印加される場合
には、第3の電極に作用する静電力は、第3の電
極が第1の支持板および第2の支持板における2
つの安定位置のみをとりうるようなものとなる。
第3の電極が一方の支持板に位置する場合には、
絶縁層の厚さに依存する第3の電極における電圧
Vgは、この第3の電極が他方の支持板に向つて
移動する前にほぼ+V或いは−Vまで減少せしめ
ることができる。この双安定特性の結果、表示装
置は極めて大きなしきい値電圧およびメモリを有
するようになる。これらの特性により大型のマト
リツクス表示装置を実現しうるようになる。この
ようなマトリツクス表示装置においては、例えば
第1の電極が表示装置の行電極を構成し、第2の
電極が列電極を構成し、すべての第3の電極が電
気的に相互接続されている。可動の第3の電極の
製造はいわゆるアンダーエツチング(下側腐食)
技術により行なわれている。この技術において
は、ある層が中間層上に設けられ、この中間層に
弾性素子と表示部における孔とを有する第3の電
極のパターンが腐食形成される。この場合、中間
層の材料は表示部分における縁部および孔を経て
腐食除去される。この処理は、弾性素子が柱状部
のみによつて基板に連結された状態になるまで行
なわれる。このようにして極めて平坦で、機械的
な歪みがなく、弾性的に連結された小さな電極を
造ることができる。このようにして、0.5×0.5mm2
の面積を有し、4μmの直径の孔を有する第3の電
極が20μmのピツチで造られている。このような
第3の電極を有する表示装置は、支持板間の距離
を25μmとし、制御電圧を30Vとした際に25ミリ
秒のスイツチング時間を呈した。
第7510103号明細書に記載されており既知であり、
例えばアルフアニユーメリツク情報を表示するの
に用いられている。第3の電極が第2の電極の側
に存在する場合には、透明な第1の支持板を介し
て不透明な液体の色が見える。しかし、第3の電
極が第1の電極の側に存在する場合には、液体の
色と著しく相違する第3の電極の色が見える。多
数の弾性素子により支持板の1つに連結された第
3の電極は、第1、第2および第3の電極に電圧
を印加することにより支持板間で移動しうる。発
生する弾性力は静電力に比べて無視しうる。第3
の電極は、第1および第2の電極上に設けた絶縁
層によりこれら第1および第2の電極から電気的
に絶縁されている。第1および第2の電極が+V
および−Vの直流電圧にそれぞれ保たれているか
或いは実効値Vを有する交流電圧に保たれてお
り、第3の電極に可変電圧Vgが印加される場合
には、第3の電極に作用する静電力は、第3の電
極が第1の支持板および第2の支持板における2
つの安定位置のみをとりうるようなものとなる。
第3の電極が一方の支持板に位置する場合には、
絶縁層の厚さに依存する第3の電極における電圧
Vgは、この第3の電極が他方の支持板に向つて
移動する前にほぼ+V或いは−Vまで減少せしめ
ることができる。この双安定特性の結果、表示装
置は極めて大きなしきい値電圧およびメモリを有
するようになる。これらの特性により大型のマト
リツクス表示装置を実現しうるようになる。この
ようなマトリツクス表示装置においては、例えば
第1の電極が表示装置の行電極を構成し、第2の
電極が列電極を構成し、すべての第3の電極が電
気的に相互接続されている。可動の第3の電極の
製造はいわゆるアンダーエツチング(下側腐食)
技術により行なわれている。この技術において
は、ある層が中間層上に設けられ、この中間層に
弾性素子と表示部における孔とを有する第3の電
極のパターンが腐食形成される。この場合、中間
層の材料は表示部分における縁部および孔を経て
腐食除去される。この処理は、弾性素子が柱状部
のみによつて基板に連結された状態になるまで行
なわれる。このようにして極めて平坦で、機械的
な歪みがなく、弾性的に連結された小さな電極を
造ることができる。このようにして、0.5×0.5mm2
の面積を有し、4μmの直径の孔を有する第3の電
極が20μmのピツチで造られている。このような
第3の電極を有する表示装置は、支持板間の距離
を25μmとし、制御電圧を30Vとした際に25ミリ
秒のスイツチング時間を呈した。
しかし既知の表示装置には、第3の電極を小さ
くすると、コントラストの損失が可成り大きくな
り、制御特性が非対称となる欠点がある。
くすると、コントラストの損失が可成り大きくな
り、制御特性が非対称となる欠点がある。
既知の表示装置においては、第3の電極を一方
の支持板に連結する弾性素子は有孔表示部分の側
方に且つ有孔表示部分と同一の平面内に位置す
る。従つて、実際の表示作動を行なう部分の面積
が小さくなる。弾性素子の可能な最小面積は、第
3の電極を製造するのに用いられる写真食刻法の
解像度によつて決まる。その結果、第3の電極が
小さくなると、弾性素子が第3の電極の面積を占
める部分が増大し、第3の電極の面積のうち表示
部分を構成する部分が小さくなる。また、第3の
電極が小さくなると、いわゆる白さ(ホワイトネ
ス)、すなわち第3の電極の実効反射面積、従つ
て見うる画像のコントラストが減少する。
の支持板に連結する弾性素子は有孔表示部分の側
方に且つ有孔表示部分と同一の平面内に位置す
る。従つて、実際の表示作動を行なう部分の面積
が小さくなる。弾性素子の可能な最小面積は、第
3の電極を製造するのに用いられる写真食刻法の
解像度によつて決まる。その結果、第3の電極が
小さくなると、弾性素子が第3の電極の面積を占
める部分が増大し、第3の電極の面積のうち表示
部分を構成する部分が小さくなる。また、第3の
電極が小さくなると、いわゆる白さ(ホワイトネ
ス)、すなわち第3の電極の実効反射面積、従つ
て見うる画像のコントラストが減少する。
約0.5×0.5mm2の面積を有する第3の電極におい
ては、弾性素子の為に生じる弾性力は静電力に比
べて小さい。第3の電極が小さくなると、全静電
力が減少し、弾性素子の寸法が減少すると、弾性
力が可成り増大する。従つて、第3の電極の寸法
が小さい場合には、弾性力はもはや無視できな
い。弾性力は比較的大きくなる為、非対称な制御
特性が得られてしまい、この特性はマトリツクス
制御にとつて極めて理想的なものでなくなつてし
まう。
ては、弾性素子の為に生じる弾性力は静電力に比
べて小さい。第3の電極が小さくなると、全静電
力が減少し、弾性素子の寸法が減少すると、弾性
力が可成り増大する。従つて、第3の電極の寸法
が小さい場合には、弾性力はもはや無視できな
い。弾性力は比較的大きくなる為、非対称な制御
特性が得られてしまい、この特性はマトリツクス
制御にとつて極めて理想的なものでなくなつてし
まう。
本発明の目的は、コントラストの大きな画像を
見ることのできる小さな第3の電極を有する表示
装置を提供せんとするにある。
見ることのできる小さな第3の電極を有する表示
装置を提供せんとするにある。
本発明は、第1および第2の支持板を具える受
動表示装置であつて、少くとも第1の支持板を透
明とし、第1および第2の支持板の対向面上にそ
れぞれ第1および第2の電極が配置され、受動表
示装置が更に多数の弾性素子により支持板の一方
に固着された有孔表示部分を有する第3の電極を
具え、これら第3の電極を静電力によつて第1お
よび第2の電極間で移動しうるようにし、受動表
示装置が更に第1および第2の支持板間で不透明
な液体を具え、この液体の色を第1の支持板に面
する第3の電極の面の色と著しく相違させた受動
表示装置において、第3の電極の弾性素子を、第
1の支持板の側とは反対側で第3の電極の表示部
分の下側に設けたことを特徴とする。
動表示装置であつて、少くとも第1の支持板を透
明とし、第1および第2の支持板の対向面上にそ
れぞれ第1および第2の電極が配置され、受動表
示装置が更に多数の弾性素子により支持板の一方
に固着された有孔表示部分を有する第3の電極を
具え、これら第3の電極を静電力によつて第1お
よび第2の電極間で移動しうるようにし、受動表
示装置が更に第1および第2の支持板間で不透明
な液体を具え、この液体の色を第1の支持板に面
する第3の電極の面の色と著しく相違させた受動
表示装置において、第3の電極の弾性素子を、第
1の支持板の側とは反対側で第3の電極の表示部
分の下側に設けたことを特徴とする。
本発明によれば第3の電極の全面積を表示部分
として用いることができる。本発明の構成によれ
ば、白さが第3の電極の寸法に依存しなくなる。
従つてコントラストをほぼそのまま維持して従来
よりも小さな第3の電極を造ることができる。弾
性素子は表示部分の下側に設けられる為、表示素
子の下側の全領域を弾性素子の設計に用いること
ができる。従つて、設計の自由度が大きくなり、
極めて小さなばね接点を容易に形成でき、発生す
る弾性力が、小さな第3の電極の場合でも静電力
に比べて無視しうるようにすることができる。更
に、厳密に必要とする場合よりも大きな弾性力の
弾性素子を設け、これにより表示装置の信頼度
(冗長度)を高めるようにすることができる。更
に、弾性素子を製造するのに、弾性素子が表示部
分と同一の平面内に位置する場合に用いられるよ
うな正確なフオトリソグラフイツク処理を必要と
しない。
として用いることができる。本発明の構成によれ
ば、白さが第3の電極の寸法に依存しなくなる。
従つてコントラストをほぼそのまま維持して従来
よりも小さな第3の電極を造ることができる。弾
性素子は表示部分の下側に設けられる為、表示素
子の下側の全領域を弾性素子の設計に用いること
ができる。従つて、設計の自由度が大きくなり、
極めて小さなばね接点を容易に形成でき、発生す
る弾性力が、小さな第3の電極の場合でも静電力
に比べて無視しうるようにすることができる。更
に、厳密に必要とする場合よりも大きな弾性力の
弾性素子を設け、これにより表示装置の信頼度
(冗長度)を高めるようにすることができる。更
に、弾性素子を製造するのに、弾性素子が表示部
分と同一の平面内に位置する場合に用いられるよ
うな正確なフオトリソグラフイツク処理を必要と
しない。
本発明によれば、関連の大きなしきい値電圧、
メモリおよびほぼ理想的なヒステリシス曲線を有
する寸法の小さな表示素子を造ることもできる。
これらの特性は大型のマトリツクス表示装置を造
るのに必要である。本発明によるこのような表示
装置の一例においては、第1の電極を以つて第1
の組の細条状電極を構成し、第2の電極を以つて
第2の組の細条状電極を構成し、第3の電極を第
2の組の細条状電極とほぼ直角に交差する列に応
じて配置する。列に応じて配置した第3の電極は
各列において電的に相互接続することができる。
メモリおよびほぼ理想的なヒステリシス曲線を有
する寸法の小さな表示素子を造ることもできる。
これらの特性は大型のマトリツクス表示装置を造
るのに必要である。本発明によるこのような表示
装置の一例においては、第1の電極を以つて第1
の組の細条状電極を構成し、第2の電極を以つて
第2の組の細条状電極を構成し、第3の電極を第
2の組の細条状電極とほぼ直角に交差する列に応
じて配置する。列に応じて配置した第3の電極は
各列において電的に相互接続することができる。
第2の組の電極を以つて例えばマトリツクスの
行電極を構成し、第3の電極の組を以つて列電極
を構成するようにする。行電極および第3の電極
の列には、この行電極とこの列の列電極との交点
における第3の電極のみが移動するような電圧パ
ルスを印加する。大きなしきい値電圧は、半選択
された第3の電極が移動するのを防止する。列に
応じて配置した第3の電極を相互接続せずに第3
の電極の各々を別個に駆動しうるようにすること
もできる。
行電極を構成し、第3の電極の組を以つて列電極
を構成するようにする。行電極および第3の電極
の列には、この行電極とこの列の列電極との交点
における第3の電極のみが移動するような電圧パ
ルスを印加する。大きなしきい値電圧は、半選択
された第3の電極が移動するのを防止する。列に
応じて配置した第3の電極を相互接続せずに第3
の電極の各々を別個に駆動しうるようにすること
もできる。
本発明の他の例では、第1の電極を以つて共通
電極を構成する。このようにすることにより、第
1の支持板上の電極を第2の支持板上の電極に対
して正確に整列させないですむようになる。
電極を構成する。このようにすることにより、第
1の支持板上の電極を第2の支持板上の電極に対
して正確に整列させないですむようになる。
このようなマトリツクス表示装置は例えば、電
話表示装置、コンピユータ端末装置、テレテキス
ト表示装置として、また一般的にアルフアニユー
メリツク表示装置としてテレビジヨン画像を表示
するのに用いることができる。表示すべきテキス
トのライン数はキヤラクタ当りの行電極の個数お
よび列電極の個数に依存する。
話表示装置、コンピユータ端末装置、テレテキス
ト表示装置として、また一般的にアルフアニユー
メリツク表示装置としてテレビジヨン画像を表示
するのに用いることができる。表示すべきテキス
トのライン数はキヤラクタ当りの行電極の個数お
よび列電極の個数に依存する。
本発明の更に他の例では、第2の支持板を半導
体層を以つて構成し、この半導体層中に行および
列に配置した一組のメモリ素子を設け、これらの
メモリ素子を、半導体層上に設けた行および列電
極のマトリツクスにより駆動しうるようにすると
ともにこれらメモリ素子に情報を与えうるように
し、第3の電極を行および列に配置した一組の画
像電極を以つて構成し、各画像電極を半導体層中
の1個のメモリ素子に接続する。上記の情報は可
動の第3の電極の移動と同時に書込まれず、この
移動とは別個に書込まれる。上記の情報は半導体
層中に書込まれ各画素に対する情報は関連のメモ
リ素子内に記憶される。メモリ素子は行および列
電極のマトリツクスにより駆動されて情報が与え
られる。ある行のメモリ素子に情報を与えた後に
次の行のメモリ素子に情報を与えることができ
る。その理由は、前に駆動された行のメモリ素子
は可動の第3の電極を移動させるのに必要な情報
を保持している為である。従つて、次の行を駆動
するのに前の行の可動の第3の電極が移動するま
で待つ必要がない。情報は電気的に書込まれるも
のであり、機械的に書込まれない。従つて、情報
をより一層早く書込むことができ、書込まれた情
報に相当する画像をより一層早く見ることもでき
る。
体層を以つて構成し、この半導体層中に行および
列に配置した一組のメモリ素子を設け、これらの
メモリ素子を、半導体層上に設けた行および列電
極のマトリツクスにより駆動しうるようにすると
ともにこれらメモリ素子に情報を与えうるように
し、第3の電極を行および列に配置した一組の画
像電極を以つて構成し、各画像電極を半導体層中
の1個のメモリ素子に接続する。上記の情報は可
動の第3の電極の移動と同時に書込まれず、この
移動とは別個に書込まれる。上記の情報は半導体
層中に書込まれ各画素に対する情報は関連のメモ
リ素子内に記憶される。メモリ素子は行および列
電極のマトリツクスにより駆動されて情報が与え
られる。ある行のメモリ素子に情報を与えた後に
次の行のメモリ素子に情報を与えることができ
る。その理由は、前に駆動された行のメモリ素子
は可動の第3の電極を移動させるのに必要な情報
を保持している為である。従つて、次の行を駆動
するのに前の行の可動の第3の電極が移動するま
で待つ必要がない。情報は電気的に書込まれるも
のであり、機械的に書込まれない。従つて、情報
をより一層早く書込むことができ、書込まれた情
報に相当する画像をより一層早く見ることもでき
る。
前述したように、弾性素子を表示部分の下側に
設けることにより、小型で可動の第3の電極を造
ることができる。情報密度の高い画像を表示する
為には、画素を小さくする必要があるばかりでは
なく、特に表示装置が情報の高速書込みの為の半
導体層を有する場合に、画素を高速にする必要も
ある。弾性素子が表示部分と同一の平面内に位置
する表示素子においては、良好な白さを得る為に
表示部分にあける孔を比較的小さくする必要があ
る。弾性素子を表示部分の下に存在させる本発明
による表示素子においては、大きな白さが得られ
る為に表示部分にあける孔の寸法に対する自由度
を大きくしうる。白さをかなり大きく維持するこ
とにより、表示部分にあける孔を従来よりも大き
くしうる。孔が大きくなると、液体に対する抵抗
値が減少する為により高速な表示素子が得られ
る。可動電極より成る表示素子はいかなる適当な
形状にもすることができる。この形状は一般に多
角形、特に4角形或いは6角形である。6角形の
場合には、表示素子をはちの巣構造に応じた配置
とする。隣接の表示素子間の間隔をある所定の値
にした場合、4角形に比べて6角形にする方が有
利である。その理由は、表示素子の面積を同じに
した場合、表示素子の充填個数が多くなり、従つ
て白さが大きくなる為である。弾性素子は一般に
細条状とする。細条状弾性素子を放射方向に対称
的とすることにより表示素子はその移動中その平
面内でわずかに回動しうる。このような回動は細
条状弾性素子を表示素子の対角線或いは主軸に対
して鏡像対称とした場合には生じない。本発明の
表示装置の更に他の実施例では、第3の電極の表
示部分にあけた孔の寸法を、第3の電極のスイツ
チング時間が1/25秒よりも短かくなるような寸法
とする。テレビジヨンの動画を表示する場合に
は、約25フレーム/秒のフレーム数を必要とす
る。表示部分にあける孔の寸法は、第3の電極の
スイツチング時間がテレビジヨン画像の画像時間
(1/25秒)に比べて短かくなるように選択するこ
とができる。孔の寸法を適当に選択することによ
り、スイツチング時間を例えば1ミリ秒よりも短
かくすることができる。従つて、1フレーム時間
の一部分で第3の電極を駆動することにより、グ
レースケールを形成でき、従つて表示装置は白黒
テレビジヨン画像を表示するのに適したものとな
る。
設けることにより、小型で可動の第3の電極を造
ることができる。情報密度の高い画像を表示する
為には、画素を小さくする必要があるばかりでは
なく、特に表示装置が情報の高速書込みの為の半
導体層を有する場合に、画素を高速にする必要も
ある。弾性素子が表示部分と同一の平面内に位置
する表示素子においては、良好な白さを得る為に
表示部分にあける孔を比較的小さくする必要があ
る。弾性素子を表示部分の下に存在させる本発明
による表示素子においては、大きな白さが得られ
る為に表示部分にあける孔の寸法に対する自由度
を大きくしうる。白さをかなり大きく維持するこ
とにより、表示部分にあける孔を従来よりも大き
くしうる。孔が大きくなると、液体に対する抵抗
値が減少する為により高速な表示素子が得られ
る。可動電極より成る表示素子はいかなる適当な
形状にもすることができる。この形状は一般に多
角形、特に4角形或いは6角形である。6角形の
場合には、表示素子をはちの巣構造に応じた配置
とする。隣接の表示素子間の間隔をある所定の値
にした場合、4角形に比べて6角形にする方が有
利である。その理由は、表示素子の面積を同じに
した場合、表示素子の充填個数が多くなり、従つ
て白さが大きくなる為である。弾性素子は一般に
細条状とする。細条状弾性素子を放射方向に対称
的とすることにより表示素子はその移動中その平
面内でわずかに回動しうる。このような回動は細
条状弾性素子を表示素子の対角線或いは主軸に対
して鏡像対称とした場合には生じない。本発明の
表示装置の更に他の実施例では、第3の電極の表
示部分にあけた孔の寸法を、第3の電極のスイツ
チング時間が1/25秒よりも短かくなるような寸法
とする。テレビジヨンの動画を表示する場合に
は、約25フレーム/秒のフレーム数を必要とす
る。表示部分にあける孔の寸法は、第3の電極の
スイツチング時間がテレビジヨン画像の画像時間
(1/25秒)に比べて短かくなるように選択するこ
とができる。孔の寸法を適当に選択することによ
り、スイツチング時間を例えば1ミリ秒よりも短
かくすることができる。従つて、1フレーム時間
の一部分で第3の電極を駆動することにより、グ
レースケールを形成でき、従つて表示装置は白黒
テレビジヨン画像を表示するのに適したものとな
る。
本発明の更に他の例では、第1の支持板に対向
する第3の電極の面を以つて、光を異なる色で反
射する少くとも二組の電極を構成する。第1の支
持板に対向する側の第3の電極の面が赤、緑およ
び青の光を順次に反射するようにすることによ
り、カラーテレビジヨン画像を表示することがで
きる。
する第3の電極の面を以つて、光を異なる色で反
射する少くとも二組の電極を構成する。第1の支
持板に対向する側の第3の電極の面が赤、緑およ
び青の光を順次に反射するようにすることによ
り、カラーテレビジヨン画像を表示することがで
きる。
カラー画像を表示しうる他の例では、異なる色
の光を通過する少くとも二組のフイルタを第1の
電極上に設ける。
の光を通過する少くとも二組のフイルタを第1の
電極上に設ける。
本発明による表示装置を製造する方法は、
a 基板上に第1の腐食剤によつて腐食しうる材
料の第1の層を設け、 b 第2の腐食剤によつて腐食しうる材料の第2
の層を設け、 c 前記の第2の腐食剤を用いる写真食刻法によ
り第2の層内に弾性素子のパターンを設け、 d 第1の層と同じ材料の第3の層を設け、 e 弾性素子を、形成すべき表示素子に連結した
状態に維持する必要がある領域で、前記の第1
の腐食剤を用いた写真食刻法により第3の層に
孔を形成し、 f 第3の腐食剤により腐食しうる材料の第4の
層を設け、 g 前記の第3の腐食剤を用いた写真食刻法によ
り孔を有する表示部分のパターンを第4の層中
に形成し、 h 表示部分に連結された弾性素子の部分に、表
示部分の対応する部分をマスクとして作用させ
て第2の腐食剤により孔を形成し、 i 前記の第1の腐食剤により第4および第2の
層における孔および縁部を経てアンダーエツチ
ングすることにより第3の層と第1の層の一部
分とを除去する 工程を具えたことを特徴とする。
料の第1の層を設け、 b 第2の腐食剤によつて腐食しうる材料の第2
の層を設け、 c 前記の第2の腐食剤を用いる写真食刻法によ
り第2の層内に弾性素子のパターンを設け、 d 第1の層と同じ材料の第3の層を設け、 e 弾性素子を、形成すべき表示素子に連結した
状態に維持する必要がある領域で、前記の第1
の腐食剤を用いた写真食刻法により第3の層に
孔を形成し、 f 第3の腐食剤により腐食しうる材料の第4の
層を設け、 g 前記の第3の腐食剤を用いた写真食刻法によ
り孔を有する表示部分のパターンを第4の層中
に形成し、 h 表示部分に連結された弾性素子の部分に、表
示部分の対応する部分をマスクとして作用させ
て第2の腐食剤により孔を形成し、 i 前記の第1の腐食剤により第4および第2の
層における孔および縁部を経てアンダーエツチ
ングすることにより第3の層と第1の層の一部
分とを除去する 工程を具えたことを特徴とする。
本発明の方法の他の例では、
a 第1の層をアルミニウムとし、
b アルミニウムのこの第1の層を設けた後、支
持板に連結した状態に維持する必要のあるこの
第1の層の領域を陽極処理し、 c アンダーエツチングにより第1の層を除去す
る際にアルミニウム層の非陽極処理部分のみを
腐食除去する。
持板に連結した状態に維持する必要のあるこの
第1の層の領域を陽極処理し、 c アンダーエツチングにより第1の層を除去す
る際にアルミニウム層の非陽極処理部分のみを
腐食除去する。
本発明方法の更に他の例では第2の層を、電着
したニツケル層とする。電着によれば、機械的な
歪みが殆んどない弾性素子が得られる。本発明方
法の更に他の例では、第4の層を銀層とする。
したニツケル層とする。電着によれば、機械的な
歪みが殆んどない弾性素子が得られる。本発明方
法の更に他の例では、第4の層を銀層とする。
以下図面につき説明する。
本発明による表示装置におけるように、静電力
により2つの電極間で移動しうる第3電極の作動
原理を第1aおよび1b図につき説明する。第1
a図は相間距離をdとした2つの固定電極1およ
び2を線図的に示す。これら電極1および2間に
は電極1から距離Xの位置に可動電極3が存在す
る。電極1および2上には厚さをδdとした絶縁
層4および5が設けられている。従つて、第3電
極3は両極端位置X=δdおよびX=d−δd間で
移動しうる。ここに、電極1の内面が第1b図に
示すようにX=0を表わす。電極1および2には
電圧パルス+Vおよび−Vが印加され、これと同
時に第3電極3に可変電圧パルスVgが印加され
る。液体および絶縁層の誘電定数がほぼ同じもの
であるものとすると、電極2の方向に向う静電力 p1=1/2ε(V−Vg/d−X)2 と、電極1の方向に向う静電力 p2=1/2ε(V+Vg/X)2 とが電極3に単位面積当り加わる。ここにεは電
極1および2間の媒体の誘電定数である。これら
の静電力間の平衡を表わす線を第1b図に破線8
で示す。この線8は電圧Vg=−V+δVの際に線
X=δdを横切り、電圧Vg=+V−δVの際に線X
=d−δdを横切る。電極3の平衡は、この電極
3が平衡状態からわずかの距離に亘つて移動し、
この電極3が近づく電極との間の静電力が大きく
なり、この電極3が遠のく電極との間の静電力が
小さくなる際には当然不安定となる。従つて、第
3電極は−V+δVおよび+V−δV間の電圧Vg
の範囲内で2つのみの安定状態、すなわちX=
δdで絶縁層4に対接している状態と、x=d−
δdで絶縁層5に対接している状態とを有する。
例えば、電極3が絶縁層4に掛合した場合、電圧
Vgはこの第3電極3が電極2に向つて動き出す
前にほぼV−δVまで高めることができる。また
電極3が電極1に戻るように動き出す前には電圧
Vgをほぼ−V+δVまで減少せしめることができ
る。このようにして電極3は線9によつて示すほ
ぼ理想的なヒステリシスループを描く。従つて、
この表示装置は大きなしきい値電圧と記憶能力と
を有する。
により2つの電極間で移動しうる第3電極の作動
原理を第1aおよび1b図につき説明する。第1
a図は相間距離をdとした2つの固定電極1およ
び2を線図的に示す。これら電極1および2間に
は電極1から距離Xの位置に可動電極3が存在す
る。電極1および2上には厚さをδdとした絶縁
層4および5が設けられている。従つて、第3電
極3は両極端位置X=δdおよびX=d−δd間で
移動しうる。ここに、電極1の内面が第1b図に
示すようにX=0を表わす。電極1および2には
電圧パルス+Vおよび−Vが印加され、これと同
時に第3電極3に可変電圧パルスVgが印加され
る。液体および絶縁層の誘電定数がほぼ同じもの
であるものとすると、電極2の方向に向う静電力 p1=1/2ε(V−Vg/d−X)2 と、電極1の方向に向う静電力 p2=1/2ε(V+Vg/X)2 とが電極3に単位面積当り加わる。ここにεは電
極1および2間の媒体の誘電定数である。これら
の静電力間の平衡を表わす線を第1b図に破線8
で示す。この線8は電圧Vg=−V+δVの際に線
X=δdを横切り、電圧Vg=+V−δVの際に線X
=d−δdを横切る。電極3の平衡は、この電極
3が平衡状態からわずかの距離に亘つて移動し、
この電極3が近づく電極との間の静電力が大きく
なり、この電極3が遠のく電極との間の静電力が
小さくなる際には当然不安定となる。従つて、第
3電極は−V+δVおよび+V−δV間の電圧Vg
の範囲内で2つのみの安定状態、すなわちX=
δdで絶縁層4に対接している状態と、x=d−
δdで絶縁層5に対接している状態とを有する。
例えば、電極3が絶縁層4に掛合した場合、電圧
Vgはこの第3電極3が電極2に向つて動き出す
前にほぼV−δVまで高めることができる。また
電極3が電極1に戻るように動き出す前には電圧
Vgをほぼ−V+δVまで減少せしめることができ
る。このようにして電極3は線9によつて示すほ
ぼ理想的なヒステリシスループを描く。従つて、
この表示装置は大きなしきい値電圧と記憶能力と
を有する。
上述した原理に基づく本発明によるマトリツク
ス表示装置の一例を断面図である第2図につき説
明する。この表示装置は2つの平行な支持板10
および11を有し、そのうち少くとも一方の支持
板10を透明とする。これら支持板10および1
1は例えばガラス等から造る。支持板10上には
透明電極12を設ける。支持板11上には細条状
電極13を設ける。電極12および13の厚さは
約0.1μmとし、これらの電極は例えば酸化インジ
ウムおよび酸化錫の双方またはいずれか一方から
造る。電極12および13上には厚さが1〜2μm
の石英より成る電気絶縁層14および15を設け
る。表示装置には更に線図的に示してある多数の
可動電極16を設け、これら可動電極は多数の弾
性素子によつて絶縁層15に連結する。これら電
極16はこれらの弾性素子によつて一方向で互い
に連結させ、電極13をほぼ直交する細条状電極
を構成するようにする。電極16の構成および製
造方法は第3図につき詳細に説明する。透明支持
板10に面する方の電極16の面は反射性とす
る。支持板10および11は互いに離間させ、こ
の表示装置は封じ部材17の縁部によつて封じ
る。支持板10および11間の空間には不透明な
非導電性の液体18を充填し、この液体の色は電
極16から拡散反射される色と著しく相違するも
のとする。液体18は例えばトルエン中にスダン
ブラツクを入れた溶液から造る。電極12,13
および16に電圧を印加することにより電極16
を一方の安定状態から他方の安定状態に駆動せし
めうる。電極16が絶縁層14に対接して存在す
る場合には、周囲の光が電極16から反射する。
電極16が絶縁層15に対接して存在する場合に
は、表示装置を見る側では電極16を透明支持板
10を経て見ることができず、周囲の光は液体1
8によつて吸収されるか或いは少くとも液体18
の色でのみ反射されるにすぎない。表示装置は、
細条状電極13が例えば行電極を構成し、細条状
電極16が列電極を構成するいわゆるマトリツク
ス表示装置を構成する。
ス表示装置の一例を断面図である第2図につき説
明する。この表示装置は2つの平行な支持板10
および11を有し、そのうち少くとも一方の支持
板10を透明とする。これら支持板10および1
1は例えばガラス等から造る。支持板10上には
透明電極12を設ける。支持板11上には細条状
電極13を設ける。電極12および13の厚さは
約0.1μmとし、これらの電極は例えば酸化インジ
ウムおよび酸化錫の双方またはいずれか一方から
造る。電極12および13上には厚さが1〜2μm
の石英より成る電気絶縁層14および15を設け
る。表示装置には更に線図的に示してある多数の
可動電極16を設け、これら可動電極は多数の弾
性素子によつて絶縁層15に連結する。これら電
極16はこれらの弾性素子によつて一方向で互い
に連結させ、電極13をほぼ直交する細条状電極
を構成するようにする。電極16の構成および製
造方法は第3図につき詳細に説明する。透明支持
板10に面する方の電極16の面は反射性とす
る。支持板10および11は互いに離間させ、こ
の表示装置は封じ部材17の縁部によつて封じ
る。支持板10および11間の空間には不透明な
非導電性の液体18を充填し、この液体の色は電
極16から拡散反射される色と著しく相違するも
のとする。液体18は例えばトルエン中にスダン
ブラツクを入れた溶液から造る。電極12,13
および16に電圧を印加することにより電極16
を一方の安定状態から他方の安定状態に駆動せし
めうる。電極16が絶縁層14に対接して存在す
る場合には、周囲の光が電極16から反射する。
電極16が絶縁層15に対接して存在する場合に
は、表示装置を見る側では電極16を透明支持板
10を経て見ることができず、周囲の光は液体1
8によつて吸収されるか或いは少くとも液体18
の色でのみ反射されるにすぎない。表示装置は、
細条状電極13が例えば行電極を構成し、細条状
電極16が列電極を構成するいわゆるマトリツク
ス表示装置を構成する。
画像を表示する場合、この表示装置はまず最
初、すべての第3電極16が第2支持板11の側
に存在する状態にする。すなわち行電極13およ
び共通電極12をそれぞれ電圧Vおよび0ボルト
に保持する。行電極13はこれら電極における電
圧を2Vに設定する電圧パルスにより順次に駆動
する。駆動された行電極13に対する情報は、す
べての列電極に同時に与えられる。2Vの電圧パ
ルスを列電極に印加すると、これら列電極16は
駆動されている行電極13との交点で第1支持板
10に向けて動く。他の列電極には2/3Vの電圧
パルスを印加する。画像を描いた(書込み)後に
は、すべての列電極を短時間同時に0Vとするこ
とにより、すべての列電極16を第2支持板11
の方向に戻すことができる。
初、すべての第3電極16が第2支持板11の側
に存在する状態にする。すなわち行電極13およ
び共通電極12をそれぞれ電圧Vおよび0ボルト
に保持する。行電極13はこれら電極における電
圧を2Vに設定する電圧パルスにより順次に駆動
する。駆動された行電極13に対する情報は、す
べての列電極に同時に与えられる。2Vの電圧パ
ルスを列電極に印加すると、これら列電極16は
駆動されている行電極13との交点で第1支持板
10に向けて動く。他の列電極には2/3Vの電圧
パルスを印加する。画像を描いた(書込み)後に
は、すべての列電極を短時間同時に0Vとするこ
とにより、すべての列電極16を第2支持板11
の方向に戻すことができる。
第3a図は可動電極16の平面図である。その
表示部分20は多数の孔21をあけた拡散反射性
の銀層を以つて構成する。この表示部分20の下
には図面に陰影を付して示す4つの弾性素子22
を設ける。表示部分20に連結されている側のこ
れら弾性素子22の端部を点線23内に示す。こ
れらの端部には表示部分20にあけた孔21に相
当する孔をあける。弾性素子22の他の端部25
は柱状部26により支持板に連結する。弾性素子
22は表示部20の下側に位置する為、可動電極
16の表面全体が表示に用いられる。更に表示部
分20の全領域を弾性素子22の設計に用いうる
為、ばね定数を簡単に小さくでき、従つて寸法が
小さい電極の場合でも弾性力を静電力に比べて無
視しうるようにすることができる。原理的には可
動電極16に対し2つの弾性素子22が必要とな
る。弾性素子22は表示部分の下側に存在する
為、より一層弾性的な素子22を設け、これによ
り装置の冗長度を高めるようにすることができ
る。その理由は、弾性素子22の1個以上が作動
しなくなつた場合でも可動電極16が機能を果た
す為である。可動電極16の製造方法を種々の製
造工程で第3a図の−線上を断面とした断面
図である第3b〜3f図につき説明する。第3b
図に示すように支持板30上に0.2μmの厚さの細
条状電極31と、1.5μmの厚さの絶縁層32とを
設ける。この絶縁層32上には0.4μmの厚さのア
ルミニウム層33を設け、この上に0.5μmの厚さ
のニツケル層34を設ける。このニツケル層34
は硫酸ニツケル浴におけるニツケルの電着により
設ける。これにより機械的な歪みがなくてアルミ
ニウム層33に掛合するニツケル層34が得られ
る。弾性素子22の形状は写真食刻法によりニツ
ケル層34の腐食により形成する(第3C図)。
23は後に形成すべき表示部分20に接続すべき
弾性素子22の端部を示す。可動電極16は弾性
素子22(第3a図参照)により一方向において
電気的に連続接続する。腐食剤は、ニツケル層3
4を腐食するもアルミニウム層33を腐食しない
硝酸とする。弾性素子22はできるだけ小さく構
成する必要がない為、これら弾性素子22を造る
為のフオトリソグラフ処理はあまり正確でなくて
もよい。次に、ニツケル層34およびアルミニウ
ム層33の露出部分上に0.3μmの厚さのアルミニ
ウム層35を設ける。次に弾性素子22の端部2
3の領域でアルミニウム層35に4つの窓36を
腐食形成する(第3d図参照)。次に、この構成
のものの上に0.3μmの厚さの銀層を設ける。次
に、写真食刻法によりこの銀層を腐食して孔21
を有する表示部分20のパターンを形成する(第
3e図)。腐食剤は銀層の下側のアルミニウム層
35およびニツケル層34を腐食しない硝酸鉄溶
液とする。次に、弾性素子22の端部23に対応
する表示部分20の部分をマスクとして作用させ
てこの端部23に孔24を腐食形成する。次に、
表示部分20における孔21と、弾性素子22の
端部23における孔24と、弾性素子22の縁部
とを経るいわゆるアンダーエツチングによりアル
ミニウム層35およびアルミニウム層33を腐食
除去する。アルミニウム層35および33を腐食
するもニツケル層34および銀層37を腐食しな
い腐食剤としては水酸化ナトリウムを用いる。こ
の腐食は、弾性素子22の端部25がアルミニウ
ム柱状部26によつて支持板30に依然として連
結されている瞬時でやめる(第3f図)。
表示部分20は多数の孔21をあけた拡散反射性
の銀層を以つて構成する。この表示部分20の下
には図面に陰影を付して示す4つの弾性素子22
を設ける。表示部分20に連結されている側のこ
れら弾性素子22の端部を点線23内に示す。こ
れらの端部には表示部分20にあけた孔21に相
当する孔をあける。弾性素子22の他の端部25
は柱状部26により支持板に連結する。弾性素子
22は表示部20の下側に位置する為、可動電極
16の表面全体が表示に用いられる。更に表示部
分20の全領域を弾性素子22の設計に用いうる
為、ばね定数を簡単に小さくでき、従つて寸法が
小さい電極の場合でも弾性力を静電力に比べて無
視しうるようにすることができる。原理的には可
動電極16に対し2つの弾性素子22が必要とな
る。弾性素子22は表示部分の下側に存在する
為、より一層弾性的な素子22を設け、これによ
り装置の冗長度を高めるようにすることができ
る。その理由は、弾性素子22の1個以上が作動
しなくなつた場合でも可動電極16が機能を果た
す為である。可動電極16の製造方法を種々の製
造工程で第3a図の−線上を断面とした断面
図である第3b〜3f図につき説明する。第3b
図に示すように支持板30上に0.2μmの厚さの細
条状電極31と、1.5μmの厚さの絶縁層32とを
設ける。この絶縁層32上には0.4μmの厚さのア
ルミニウム層33を設け、この上に0.5μmの厚さ
のニツケル層34を設ける。このニツケル層34
は硫酸ニツケル浴におけるニツケルの電着により
設ける。これにより機械的な歪みがなくてアルミ
ニウム層33に掛合するニツケル層34が得られ
る。弾性素子22の形状は写真食刻法によりニツ
ケル層34の腐食により形成する(第3C図)。
23は後に形成すべき表示部分20に接続すべき
弾性素子22の端部を示す。可動電極16は弾性
素子22(第3a図参照)により一方向において
電気的に連続接続する。腐食剤は、ニツケル層3
4を腐食するもアルミニウム層33を腐食しない
硝酸とする。弾性素子22はできるだけ小さく構
成する必要がない為、これら弾性素子22を造る
為のフオトリソグラフ処理はあまり正確でなくて
もよい。次に、ニツケル層34およびアルミニウ
ム層33の露出部分上に0.3μmの厚さのアルミニ
ウム層35を設ける。次に弾性素子22の端部2
3の領域でアルミニウム層35に4つの窓36を
腐食形成する(第3d図参照)。次に、この構成
のものの上に0.3μmの厚さの銀層を設ける。次
に、写真食刻法によりこの銀層を腐食して孔21
を有する表示部分20のパターンを形成する(第
3e図)。腐食剤は銀層の下側のアルミニウム層
35およびニツケル層34を腐食しない硝酸鉄溶
液とする。次に、弾性素子22の端部23に対応
する表示部分20の部分をマスクとして作用させ
てこの端部23に孔24を腐食形成する。次に、
表示部分20における孔21と、弾性素子22の
端部23における孔24と、弾性素子22の縁部
とを経るいわゆるアンダーエツチングによりアル
ミニウム層35およびアルミニウム層33を腐食
除去する。アルミニウム層35および33を腐食
するもニツケル層34および銀層37を腐食しな
い腐食剤としては水酸化ナトリウムを用いる。こ
の腐食は、弾性素子22の端部25がアルミニウ
ム柱状部26によつて支持板30に依然として連
結されている瞬時でやめる(第3f図)。
次に、可動電極を製造する方法の他の例を第3
g図につき説明する。絶縁層32上にアルミニウ
ム層33を設ける。次に、このアルミニウム層3
3上にフオトラツカー層38を設け、この層38
に既知のようにして孔39をあける。孔39は、
弾性素子22の端部25を支持板30に連結する
アルミニウム層33の領域26(第3a図参照)
に相当する。次に孔39の領域でアルミニウム層
33を陽極処理する。陽極処理した領域を第3g
図に40で示す。次にフオトラツカー層38を除
去する。以後、最終腐食工程を除いて第3b〜3
f図につき説明した方法を行なう。この場合、ア
ルミニウム層を腐食するも陽極処理領域40を腐
食しない濃燐酸で腐食を行なう。
g図につき説明する。絶縁層32上にアルミニウ
ム層33を設ける。次に、このアルミニウム層3
3上にフオトラツカー層38を設け、この層38
に既知のようにして孔39をあける。孔39は、
弾性素子22の端部25を支持板30に連結する
アルミニウム層33の領域26(第3a図参照)
に相当する。次に孔39の領域でアルミニウム層
33を陽極処理する。陽極処理した領域を第3g
図に40で示す。次にフオトラツカー層38を除
去する。以後、最終腐食工程を除いて第3b〜3
f図につき説明した方法を行なう。この場合、ア
ルミニウム層を腐食するも陽極処理領域40を腐
食しない濃燐酸で腐食を行なう。
上述した方法によれば極めて小さな可動電極1
6を製造しうる。表示部分20の面積は例えば
200×200μm2とし、表示部分が、例えば相互間距
離が20μmで直径が6μmである孔21を有するよ
うにする。 第4a〜4d図は可動電極16およ
びこれに接続された弾性素子の種々の例を示す。
これらの図における表現法は、電極16の表示部
分20にあける孔21を図面の簡潔の為に図示し
ていない点を除いて第3a図における表現法と同
じである。更に明瞭の為に、対応する素子には第
3a図と同じ符号を付した。第4a図の例は、表
示部分20の下側に、表示部分20の中心に対し
て放射方向に対称的に配置した4つの細条状ばね
22を有する。これらのばね22の端部23は表
示部分20に連結する。ばね22の他方の端部は
中央の柱状部26により共通部分25を経て支持
板(図示せず)に連結する。ばね22の配置を放
射方向に対称的とした為、表示部分20は図面の
面に対し垂直に移動した際にこの表示部分20の
平面内でわずかに回動する。このような回動は第
4b〜4d図に示す例では生じない。第4b図に
おいては、ばね22は主軸lに対して鏡像対称と
なつており、第4cおよび4d図においては、ば
ね22は表示部分20の対角線に対して鏡像対称
となつている。隣接の表示部分20間の間隙を所
定の値dにした第4d図に示す表示部分20の6
角形状によれば、同一面積の領域に表示部分を充
填する個数が多くなり、従つて白さ(ホワイトネ
ス)を高めるようにすることができる。第4a〜
4d図に示す例の製造方法は第3a〜3g図につ
き説明した例の製造方法に類似している。柱状部
26を表示部分20に対して中心位置に配置した
第4a〜4d図に示す例は電極16を各別に駆動
するのに特に適したものである。この点を第5a
および5b図に示す表示装置の例につき詳細に説
明する。
6を製造しうる。表示部分20の面積は例えば
200×200μm2とし、表示部分が、例えば相互間距
離が20μmで直径が6μmである孔21を有するよ
うにする。 第4a〜4d図は可動電極16およ
びこれに接続された弾性素子の種々の例を示す。
これらの図における表現法は、電極16の表示部
分20にあける孔21を図面の簡潔の為に図示し
ていない点を除いて第3a図における表現法と同
じである。更に明瞭の為に、対応する素子には第
3a図と同じ符号を付した。第4a図の例は、表
示部分20の下側に、表示部分20の中心に対し
て放射方向に対称的に配置した4つの細条状ばね
22を有する。これらのばね22の端部23は表
示部分20に連結する。ばね22の他方の端部は
中央の柱状部26により共通部分25を経て支持
板(図示せず)に連結する。ばね22の配置を放
射方向に対称的とした為、表示部分20は図面の
面に対し垂直に移動した際にこの表示部分20の
平面内でわずかに回動する。このような回動は第
4b〜4d図に示す例では生じない。第4b図に
おいては、ばね22は主軸lに対して鏡像対称と
なつており、第4cおよび4d図においては、ば
ね22は表示部分20の対角線に対して鏡像対称
となつている。隣接の表示部分20間の間隙を所
定の値dにした第4d図に示す表示部分20の6
角形状によれば、同一面積の領域に表示部分を充
填する個数が多くなり、従つて白さ(ホワイトネ
ス)を高めるようにすることができる。第4a〜
4d図に示す例の製造方法は第3a〜3g図につ
き説明した例の製造方法に類似している。柱状部
26を表示部分20に対して中心位置に配置した
第4a〜4d図に示す例は電極16を各別に駆動
するのに特に適したものである。この点を第5a
および5b図に示す表示装置の例につき詳細に説
明する。
第5a図は表示装置の線図的断面図である。下
側の支持板は例えば珪素より成る半導体層50を
以つて構成する。この半導体層50内には行およ
び列に配置した一組のメモリ素子52を設ける。
これらメモリ素子52には、半導体層50上に設
けられ交点で互いに絶縁された行電極53および
列電極54のマトリツクスにより情報を与えるこ
とができる。この構造体の上には酸化珪素層55
を設け、その上に細条状電極56を設ける。これ
らの電極56上には、第2および3図につき説明
したのと同様にして互いに弾性的に連結されてい
る電極59が載置されている絶縁性の石英層58
を設ける。各電極59は層57および58にあけ
た孔57を経てメモリ素子52に接続する。他方
の支持板60上には、絶縁性の石英層62で被覆
された半通電極61を設ける。本例の場合も支持
板50および60間に不透明な液体を存在させ
る。
側の支持板は例えば珪素より成る半導体層50を
以つて構成する。この半導体層50内には行およ
び列に配置した一組のメモリ素子52を設ける。
これらメモリ素子52には、半導体層50上に設
けられ交点で互いに絶縁された行電極53および
列電極54のマトリツクスにより情報を与えるこ
とができる。この構造体の上には酸化珪素層55
を設け、その上に細条状電極56を設ける。これ
らの電極56上には、第2および3図につき説明
したのと同様にして互いに弾性的に連結されてい
る電極59が載置されている絶縁性の石英層58
を設ける。各電極59は層57および58にあけ
た孔57を経てメモリ素子52に接続する。他方
の支持板60上には、絶縁性の石英層62で被覆
された半通電極61を設ける。本例の場合も支持
板50および60間に不透明な液体を存在させ
る。
この表示装置の作動を、この表示装置の構成線
図を示す第5b図につき説明する。各メモリ素子
は電界効果トランジスタ65を以つて構成し、そ
のゲートおよびソースは行電極53および列電極
54にそれぞれ接続する。上記のトランジスタの
ドレインは可動(第3)電極59に接続する。行
電極53は正の電圧パルスで駆動する。この駆動
された行電極53に接続されているトランジスタ
65が導通する。この駆動された行電極53に対
する情報はすべての列電極54に同時に存在す
る。与えられた電圧パルスにより関連の電極59
を帯電させる。このようにしてすべての行電極5
3が順次に駆動され、関連の電極59に電荷が与
えられる。行電極53の電極59における電荷は
漏洩しえない。その理由は、行電極53を駆動し
た後にトランジスタ65が再び非導通状態になる
為である。電極59は電荷の存在或いは不存在に
依存して電極56および61における電圧による
影響の下で支持板60に向つて移動する。情報の
書込みは電子的に行なわれ、書込み時間はもはた
電極59の移動に必要とする時間によつて決まら
ない為、書込みをより一層急速に行なうことがで
き、書込まれた情報に相当する画像をより一層早
く見ることもできる。またメモリ素子には1個の
トランジスタの代りに数個のトランジスタおよび
数個のコンデンサの双方またはいずれか一方を設
けることもできる。
図を示す第5b図につき説明する。各メモリ素子
は電界効果トランジスタ65を以つて構成し、そ
のゲートおよびソースは行電極53および列電極
54にそれぞれ接続する。上記のトランジスタの
ドレインは可動(第3)電極59に接続する。行
電極53は正の電圧パルスで駆動する。この駆動
された行電極53に接続されているトランジスタ
65が導通する。この駆動された行電極53に対
する情報はすべての列電極54に同時に存在す
る。与えられた電圧パルスにより関連の電極59
を帯電させる。このようにしてすべての行電極5
3が順次に駆動され、関連の電極59に電荷が与
えられる。行電極53の電極59における電荷は
漏洩しえない。その理由は、行電極53を駆動し
た後にトランジスタ65が再び非導通状態になる
為である。電極59は電荷の存在或いは不存在に
依存して電極56および61における電圧による
影響の下で支持板60に向つて移動する。情報の
書込みは電子的に行なわれ、書込み時間はもはた
電極59の移動に必要とする時間によつて決まら
ない為、書込みをより一層急速に行なうことがで
き、書込まれた情報に相当する画像をより一層早
く見ることもできる。またメモリ素子には1個の
トランジスタの代りに数個のトランジスタおよび
数個のコンデンサの双方またはいずれか一方を設
けることもできる。
白黒テレビジヨン画像を表示するのに適した本
発明による表示装置の第3の例を第6図につき説
明する。第6a図は孔83をあけた第3電極82
の1要素を線図的に示し、この第3電極は第1電
極84および第2電極85間で液体81が充填さ
れている円筒体80内で距離hに亘つて移動す
る。第1電極84および第2電極85(これら電
極の一方に第3電極82が連結されている)間に
電圧差Vが与えられると、移動時間Tはほぼ次式
(1)によつて与えられる。
発明による表示装置の第3の例を第6図につき説
明する。第6a図は孔83をあけた第3電極82
の1要素を線図的に示し、この第3電極は第1電
極84および第2電極85間で液体81が充填さ
れている円筒体80内で距離hに亘つて移動す
る。第1電極84および第2電極85(これら電
極の一方に第3電極82が連結されている)間に
電圧差Vが与えられると、移動時間Tはほぼ次式
(1)によつて与えられる。
T=4πη/εV2・D2h3/A3 …(1)
ここにηおよびεはそれぞれ液体81の粘度お
よび誘電定数であり、DおよびAはそれぞれ第3
電極82および孔83の直径であり、hは電極8
4および85間の距離である。
よび誘電定数であり、DおよびAはそれぞれ第3
電極82および孔83の直径であり、hは電極8
4および85間の距離である。
トルエンを充填した装置の場合、η=0.6・
10-3ナノ秒・m-2であり、ε=2.13・10-11Fm-1
である。第1電極84および第2電極85間の距
離h=25・10-6mで、第3電極82の直径がD=
20・10-6mである場合には、移動時間は T=2.22・103/V2A3 …(2) で与えられる。
10-3ナノ秒・m-2であり、ε=2.13・10-11Fm-1
である。第1電極84および第2電極85間の距
離h=25・10-6mで、第3電極82の直径がD=
20・10-6mである場合には、移動時間は T=2.22・103/V2A3 …(2) で与えられる。
この移動時間TをV=50ボルトの場合につき孔
83の直径Aの関数として第6b図にプロツトし
た。また第6b図には白さW、すなわち電極82
の実効反射表面積をも孔83の直径Aの関数とし
て示す。第6b図から明らかなように、移動時間
Tを短かくするには、すなわち急速な表示を達成
するには白さW、従つてコントラストを犠性にす
る必要がある。しかし、第6b図から明らかなよ
うに、比較的大きなコントラストを有し高速移動
しうる第3電極83を造ることができる。第6a
図に示す状態では、移動時間T=0.88ミリ秒を有
する第3電極83の白さはW=0.75となる。
83の直径Aの関数として第6b図にプロツトし
た。また第6b図には白さW、すなわち電極82
の実効反射表面積をも孔83の直径Aの関数とし
て示す。第6b図から明らかなように、移動時間
Tを短かくするには、すなわち急速な表示を達成
するには白さW、従つてコントラストを犠性にす
る必要がある。しかし、第6b図から明らかなよ
うに、比較的大きなコントラストを有し高速移動
しうる第3電極83を造ることができる。第6a
図に示す状態では、移動時間T=0.88ミリ秒を有
する第3電極83の白さはW=0.75となる。
移動時間Tは距離hを減少せしめるか或いは電
圧Vを増大せしめるかまたはこれらの双方を行な
うことにより更に減少せしめることができる。距
離hを減少させ、第3電極82に作用する静電力
を同じに維持する場合には、電圧Vを減少させる
必要があり、この場合移動時間Tがhと同程度ま
で減少する。移動時間TはV2に反比例する為、
移動時間Tは電圧Vを増大させると著しく少なく
なる。
圧Vを増大せしめるかまたはこれらの双方を行な
うことにより更に減少せしめることができる。距
離hを減少させ、第3電極82に作用する静電力
を同じに維持する場合には、電圧Vを減少させる
必要があり、この場合移動時間Tがhと同程度ま
で減少する。移動時間TはV2に反比例する為、
移動時間Tは電圧Vを増大させると著しく少なく
なる。
移動時間Tが短かくなる為、本発明による表示
装置によつて白黒テレビジヨン画像を表示するこ
とができる。テレビジヨンの動画を表示する場
合、必要とするフレーム数はほぼ25フレーム/秒
となる。フレーム時間に比べて短かい移動時間
(スイツチング時間)Tを得ることができる為、
第3電極82を1フレーム時間の一部の間駆動さ
せることによりグレースケールを形成しうる。
装置によつて白黒テレビジヨン画像を表示するこ
とができる。テレビジヨンの動画を表示する場
合、必要とするフレーム数はほぼ25フレーム/秒
となる。フレーム時間に比べて短かい移動時間
(スイツチング時間)Tを得ることができる為、
第3電極82を1フレーム時間の一部の間駆動さ
せることによりグレースケールを形成しうる。
白黒テレビジヨン表示用表示装置は、各メモリ
素子52がクロツクパルス数を計数するカウンタ
を有し、これにより第3電極を駆動するフレーム
時間の一部を決定するようにする相違点を除いて
第5a図に示す装置と同じ構成にする。
素子52がクロツクパルス数を計数するカウンタ
を有し、これにより第3電極を駆動するフレーム
時間の一部を決定するようにする相違点を除いて
第5a図に示す装置と同じ構成にする。
図示しない他の実施例によれば、可動電極が順
次に赤、緑および青の反射面を有し、これにより
カラーテレビジヨン画像を表示しうるようにす
る。
次に赤、緑および青の反射面を有し、これにより
カラーテレビジヨン画像を表示しうるようにす
る。
次に本発明による表示装置の更に他の例を第7
図につき説明する。この第7図は表示装置の一部
を線図的に示すものである。本例の場合も、透明
な支持板90上に透明な共通電極91を設ける。
この電極91上には、赤、緑および青の色の光を
それぞれ通す領域(色フイルタ)92,93およ
び94を設ける。これら色フイルタ上には絶縁層
95を設ける。例えば可動電極が領域92に掛合
すると、赤色の光がこの電極から反射される。こ
のようにしてカラーテレビジヨン画像を表示する
ことができる。
図につき説明する。この第7図は表示装置の一部
を線図的に示すものである。本例の場合も、透明
な支持板90上に透明な共通電極91を設ける。
この電極91上には、赤、緑および青の色の光を
それぞれ通す領域(色フイルタ)92,93およ
び94を設ける。これら色フイルタ上には絶縁層
95を設ける。例えば可動電極が領域92に掛合
すると、赤色の光がこの電極から反射される。こ
のようにしてカラーテレビジヨン画像を表示する
ことができる。
第1aおよび1b図は表示装置の作動原理を説
明する為の線図、第2図は本発明による表示装置
の一例を示す断面図、第3a〜3f図は可動電極
の一製造方法を説明する為の線図、第3g図は可
動電極の他の製造方法を説明する為の線図、第4
a〜4d図は可動電極およびこれに連結された弾
性素子の種々の例を線図的に示す説明図、第5a
図は本発明による表示装置の他の例を示す線図的
断面図、第5b図は第5a図に示す装置の構成を
示す線図、第6aおよび6b図は本発明による表
示装置の更に他の例の原理を示す説明図、第7図
は本発明による表示装置の更に他の例の一部を示
す線図的断面図である。 1,2…固定電極、3…移動電極(第3電極)、
4,5…絶縁層、10,11…支持板、12…透
明電極、13…細条状電極、14,15…電気絶
縁層、16…可動電極、17…封じ部材、18…
液体、20…表示部分、21…孔、22…弾性素
子(細条状ばね)、23,25…22の端部、2
6…柱状部、30…支持板、31…細条状電極、
32…絶縁層、33,35…アルミニウム層、3
4…ニツケル層、36…窓、38…フオトラツカ
ー層、39…孔、40…陽極処理領域、50…半
導体層(支持板)、52…メモリ素子、53…行
電極、54…列電極、55…酸化珪素層、56…
細条状電極、57…孔、58,62…石英層、5
9…可動電極、60,90…支持板、61,91
…共通電極、65…電界効果トランジスタ、80
…円筒体、81…液体、82…第3電極、83…
孔、84…第1電極、85…第2電極、92,9
3,94…色フイルタ、95…絶縁層。
明する為の線図、第2図は本発明による表示装置
の一例を示す断面図、第3a〜3f図は可動電極
の一製造方法を説明する為の線図、第3g図は可
動電極の他の製造方法を説明する為の線図、第4
a〜4d図は可動電極およびこれに連結された弾
性素子の種々の例を線図的に示す説明図、第5a
図は本発明による表示装置の他の例を示す線図的
断面図、第5b図は第5a図に示す装置の構成を
示す線図、第6aおよび6b図は本発明による表
示装置の更に他の例の原理を示す説明図、第7図
は本発明による表示装置の更に他の例の一部を示
す線図的断面図である。 1,2…固定電極、3…移動電極(第3電極)、
4,5…絶縁層、10,11…支持板、12…透
明電極、13…細条状電極、14,15…電気絶
縁層、16…可動電極、17…封じ部材、18…
液体、20…表示部分、21…孔、22…弾性素
子(細条状ばね)、23,25…22の端部、2
6…柱状部、30…支持板、31…細条状電極、
32…絶縁層、33,35…アルミニウム層、3
4…ニツケル層、36…窓、38…フオトラツカ
ー層、39…孔、40…陽極処理領域、50…半
導体層(支持板)、52…メモリ素子、53…行
電極、54…列電極、55…酸化珪素層、56…
細条状電極、57…孔、58,62…石英層、5
9…可動電極、60,90…支持板、61,91
…共通電極、65…電界効果トランジスタ、80
…円筒体、81…液体、82…第3電極、83…
孔、84…第1電極、85…第2電極、92,9
3,94…色フイルタ、95…絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1および第2の支持板を具える受動表示装
置であつて、少くとも第1の支持板を透明とし、
第1および第2の支持板の対向面上にそれぞれ第
1および第2の電極が配置され、受動表示装置が
更に多数の弾性素子により支持板の一方に固着さ
れた有孔表示部分を有する第3の電極を具え、こ
れら第3の電極を静電力によつて第1および第2
の電極間で移動しうるようにし、受動表示装置が
更に第1および第2の支持板間で不透明な液体を
具え、この液体の色を第1の支持板に面する第3
の電極の面の色と著しく相違させた受動表示装置
において、第3の電極の弾性素子を、第1の支持
板の側とは反対側で第3の電極の表示部分の下側
に設けたことを特徴とする受動表示装置。 2 特許請求の範囲1記載の受動表示装置におい
て、第1の電極を以つて第1の組の細条状電極を
構成し、第2の電極を以つて第2の組の細条状電
極を構成し、第3の電極を第2の組の細条状電極
とほぼ直角に交差する列に応じて配置したことを
特徴とする受動表示装置。 3 特許請求の範囲1または2記載の受動表示装
置において、各列における第3電極を電気的に相
互接続したことを特徴とする受動表示装置。 4 特許請求の範囲1〜3のいずれか1つに記載
の受動表示装置において、第1の電極を以つて共
通電極を構成したことを特徴とする受動表示装
置。 5 特許請求の範囲1〜4のいずれか1つに記載
の受動表示装置において、第3の電極の表示部分
を多角形形状としたことを特徴とする受動表示装
置。 6 特許請求の範囲5記載の受動表示装置におい
て、多角形を6角形としたことを特徴とする受動
表示装置。 7 特許請求の範囲1,2,4,5および6のい
ずれか1つに記載の受動表示装置において、第2
の支持板を半導体層を以つて構成し、この半導体
層中に行および列に配置した一組のメモリ素子を
設け、これらのメモリ素子を、半導体層上に設け
た行および列電極のマトリツクスにより駆動しう
るようにするとともにこれらメモリ素子に情報を
与えうるようにし、第3の電極を行および列に配
置した一組の画像電極を以つて構成し、各画像電
極を半導体層中の1個のメモリ素子に接続したこ
とを特徴とする受動表示装置。 8 特許請求の範囲1〜7のいずれか1つに記載
の受動表示装置において、第3の電極の表示部分
にあけた孔の寸法を、第3の電極のスイツチング
時間が1/25秒よりも短かくなるような寸法とした
ことを特徴とする受動表示装置。 9 特許請求の範囲1〜8のいずれか1つに記載
の受動表示装置において、第1の支持板に対向す
る第3の電極の面を以つて、光を異なる色で反射
する少くとも二組の電極を構成したことを特徴と
する受動表示装置。 10 特許請求の範囲1〜8のいずれか1つに記
載の受動表示装置において、光を異なる色で通過
する少くとも二組のフイルタを第1の電極上に設
けたことを特徴とする受動表示装置。 11 受動表示装置を製造するに当り、 a 基板上に第1の腐食剤によつて腐食しうる材
料の第1の層を設け、 b 第2の腐食剤によつて腐食しうる材料の第2
の層を設け、 c 前記の第2の腐食剤を用いる写真食刻法によ
り第2の層内に弾性素子のパターンを設け、 d 第1の層と同じ材料の第3の層を設け、 e 弾性素子を、形成すべき表示素子に連結した
状態に維持する必要がある領域で、前記の第1
の腐食剤を用いた写真食刻法により第3の層に
孔を形成し、 f 第3の腐食剤により腐食しうる材料の第4の
層を設け、 g 前記の第3の腐食剤を用いた写真食刻法によ
り孔を有する表示部分のパターンを第4の層中
に形成し、 h 表示部分に連結された弾性素子の部分に、表
示部分の対応する部分をマスクとして作用させ
て第2の腐食剤により孔を形成し、 i 前記の第1の腐食剤により第4および第2の
層における孔および縁部を経てアンダーエツチ
ングすることにより第3の層と第1の層の一部
分とを除去する ことを特徴とする受動表示装置の製造方法。 12 特許請求の範囲11記載の受動表示装置の
製造方法において、 a 第1の層をアルミニウムとし、 b アルミニウムのこの第1の層を設けた後、支
持板に連結した状態に維持する必要のあるこの
第1の層の領域を陽極処理し、 c アンダーエツチングにより第1の層を除去す
る際にアルミニウム層の非陽極処理部分のみを
腐食除去する ことを特徴とする受動表示装置の製造方法。 13 特許請求の範囲11または12記載の受動
表示装置の製造方法において、第2の層を、電着
したニツケル層とすることを特徴とする受動表示
装置の製造方法。 14 特許請求の範囲11〜13のいずれか1つ
に記載の受動表示装置において、第4の層を銀層
とすることを特徴とする受動表示装置の製造方
法。
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Families Citing this family (196)
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---|---|---|---|---|
NL8402038A (nl) * | 1984-06-28 | 1986-01-16 | Philips Nv | Elektroskopische beeldweergeefinrichting. |
NL8402201A (nl) * | 1984-07-12 | 1986-02-03 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
NL8402937A (nl) * | 1984-09-27 | 1986-04-16 | Philips Nv | Elektroskopische beeldweergeefinrichting. |
NL8403077A (nl) * | 1984-10-10 | 1986-05-01 | Philips Nv | Elektroskopische vloeistof beeldweergeefinrichting geschikt voor televisie. |
NL8403536A (nl) * | 1984-11-21 | 1986-06-16 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
JPS63501041A (ja) * | 1985-10-03 | 1988-04-14 | イ−.ア−ル.ジ−.マネイジメント サ−ビシイ−ズ リミテツド | 改良した表示装置 |
NL8600697A (nl) * | 1986-01-09 | 1987-08-03 | Philips Nv | Beeldweergeefinrichting en een methode voor de vervaardiging ervan. |
US5835255A (en) * | 1986-04-23 | 1998-11-10 | Etalon, Inc. | Visible spectrum modulator arrays |
CH682523A5 (fr) * | 1990-04-20 | 1993-09-30 | Suisse Electronique Microtech | Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel. |
US5142405A (en) * | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
US5899709A (en) * | 1992-04-07 | 1999-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor device using anodic oxidation |
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US20010003487A1 (en) * | 1996-11-05 | 2001-06-14 | Mark W. Miles | Visible spectrum modulator arrays |
US7297471B1 (en) | 2003-04-15 | 2007-11-20 | Idc, Llc | Method for manufacturing an array of interferometric modulators |
US6040937A (en) * | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
US7460291B2 (en) * | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
US7138984B1 (en) | 2001-06-05 | 2006-11-21 | Idc, Llc | Directly laminated touch sensitive screen |
US8014059B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-09-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for charge control in a MEMS device |
US6710908B2 (en) | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
US7907319B2 (en) | 1995-11-06 | 2011-03-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with optical compensation |
US7471444B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-12-30 | Idc, Llc | Interferometric modulation of radiation |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
US7532377B2 (en) | 1998-04-08 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Movable micro-electromechanical device |
US6323834B1 (en) | 1998-10-08 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Micromechanical displays and fabrication method |
US8023724B2 (en) * | 1999-07-22 | 2011-09-20 | Photon-X, Inc. | Apparatus and method of information extraction from electromagnetic energy based upon multi-characteristic spatial geometry processing |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US6962771B1 (en) * | 2000-10-13 | 2005-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dual damascene process |
US6589625B1 (en) | 2001-08-01 | 2003-07-08 | Iridigm Display Corporation | Hermetic seal and method to create the same |
US6794119B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-09-21 | Iridigm Display Corporation | Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device |
US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
JP2003307756A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Canon Inc | 電着表示装置 |
US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
US6844960B2 (en) * | 2002-09-24 | 2005-01-18 | Eastman Kodak Company | Microelectromechanical device with continuously variable displacement |
TWI289708B (en) | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
TW200413810A (en) | 2003-01-29 | 2004-08-01 | Prime View Int Co Ltd | Light interference display panel and its manufacturing method |
TW594360B (en) | 2003-04-21 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
TW570896B (en) | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
US7221495B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
TWI231865B (en) | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
TW593126B (en) | 2003-09-30 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same |
US7012726B1 (en) | 2003-11-03 | 2006-03-14 | Idc, Llc | MEMS devices with unreleased thin film components |
US7142346B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-11-28 | Idc, Llc | System and method for addressing a MEMS display |
US7161728B2 (en) | 2003-12-09 | 2007-01-09 | Idc, Llc | Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators |
US7532194B2 (en) * | 2004-02-03 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Driver voltage adjuster |
US7342705B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-03-11 | Idc, Llc | Spatial light modulator with integrated optical compensation structure |
US7119945B2 (en) * | 2004-03-03 | 2006-10-10 | Idc, Llc | Altering temporal response of microelectromechanical elements |
US7706050B2 (en) | 2004-03-05 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Integrated modulator illumination |
US7476327B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
US7060895B2 (en) | 2004-05-04 | 2006-06-13 | Idc, Llc | Modifying the electro-mechanical behavior of devices |
US7164520B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
US7256922B2 (en) | 2004-07-02 | 2007-08-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators with thin film transistors |
KR101354520B1 (ko) | 2004-07-29 | 2014-01-21 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
US7560299B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-07-14 | Idc, Llc | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7499208B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-03-03 | Udc, Llc | Current mode display driver circuit realization feature |
US7551159B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-06-23 | Idc, Llc | System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator |
US7889163B2 (en) | 2004-08-27 | 2011-02-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Drive method for MEMS devices |
US7515147B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-04-07 | Idc, Llc | Staggered column drive circuit systems and methods |
US7602375B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-10-13 | Idc, Llc | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7813026B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of reducing color shift in a display |
US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7920135B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving a bi-stable display |
US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
US7417783B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Mirror and mirror layer for optical modulator and method |
US7299681B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | Method and system for detecting leak in electronic devices |
US7359066B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-04-15 | Idc, Llc | Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators |
US7259449B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-08-21 | Idc, Llc | Method and system for sealing a substrate |
US7289256B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Electrical characterization of interferometric modulators |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7304784B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
US20060077126A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Manish Kothari | Apparatus and method for arranging devices into an interconnected array |
US7415186B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-19 | Idc, Llc | Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects |
US7626581B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-12-01 | Idc, Llc | Device and method for display memory using manipulation of mechanical response |
US7492502B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-02-17 | Idc, Llc | Method of fabricating a free-standing microstructure |
US7545550B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-09 | Idc, Llc | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7343080B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-11 | Idc, Llc | System and method of testing humidity in a sealed MEMS device |
US7373026B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
US7130104B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
US7808703B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for implementation of interferometric modulator displays |
US7701631B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having patterned spacers for backplates and method of making the same |
US7302157B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
US7345805B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-18 | Idc, Llc | Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches |
US7453579B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-11-18 | Idc, Llc | Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators |
US7553684B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
US7368803B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion |
US7349136B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-25 | Idc, Llc | Method and device for a display having transparent components integrated therein |
US7321456B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-01-22 | Idc, Llc | Method and device for corner interferometric modulation |
US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7327510B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7460246B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Method and system for sensing light using interferometric elements |
US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
US8124434B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for packaging a display |
US7317568B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-01-08 | Idc, Llc | System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors |
US7679627B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controller and driver features for bi-stable display |
US7535466B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-19 | Idc, Llc | System with server based control of client device display features |
US7532195B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Method and system for reducing power consumption in a display |
US7161730B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-01-09 | Idc, Llc | System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display |
US7446927B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-11-04 | Idc, Llc | MEMS switch with set and latch electrodes |
US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US7653371B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selectable capacitance circuit |
US7405861B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge |
US7675669B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-03-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving interferometric modulators |
US7355780B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-04-08 | Idc, Llc | System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting |
US7668415B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing electronic circuitry on a backplate |
US7554714B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Device and method for manipulation of thermal response in a modulator |
US7417735B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices |
US7916103B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with end-of-life phenomena |
US7710629B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with reinforcing substance |
US8310441B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-11-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
EP1800173A1 (en) * | 2004-09-27 | 2007-06-27 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7429334B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-30 | Idc, Llc | Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material |
US7586484B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-08 | Idc, Llc | Controller and driver features for bi-stable display |
US7369294B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7630119B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator |
US7719500B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
US7893919B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
US8878825B2 (en) | 2004-09-27 | 2014-11-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display |
US7843410B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-11-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for electrically programmable display |
US7136213B2 (en) * | 2004-09-27 | 2006-11-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators having charge persistence |
US7405924B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate |
US7310179B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-18 | Idc, Llc | Method and device for selective adjustment of hysteresis window |
US7724993B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS switches with deforming membranes |
US7424198B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-09 | Idc, Llc | Method and device for packaging a substrate |
US7369296B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
US7936497B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
US7692839B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating |
US7527995B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making prestructure for MEMS systems |
US7564612B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-07-21 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US20060176487A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-08-10 | William Cummings | Process control monitors for interferometric modulators |
US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
TW200628877A (en) | 2005-02-04 | 2006-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Method of manufacturing optical interference type color display |
US7920136B2 (en) * | 2005-05-05 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of driving a MEMS display device |
US7948457B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-05-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
CA2607807A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-16 | Qualcomm Incorporated | Dynamic driver ic and display panel configuration |
EP2495212A3 (en) | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
KR20080041663A (ko) | 2005-07-22 | 2008-05-13 | 콸콤 인코포레이티드 | Mems 장치를 위한 지지 구조물 및 그 방법들 |
EP1910218A1 (en) | 2005-07-22 | 2008-04-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
EP1907316A1 (en) * | 2005-07-22 | 2008-04-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structure for mems device and methods therefor |
US7355779B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-04-08 | Idc, Llc | Method and system for driving MEMS display elements |
US7630114B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-08 | Idc, Llc | Diffusion barrier layer for MEMS devices |
US8391630B2 (en) | 2005-12-22 | 2013-03-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays |
US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7636151B2 (en) | 2006-01-06 | 2009-12-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing residual stress test structures |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US8194056B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-06-05 | Qualcomm Mems Technologies Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7582952B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-09-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof |
US7547568B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof |
US7550810B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-06-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having a layer movable at asymmetric rates |
US7450295B2 (en) | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
US7643203B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical display system with broadband characteristics |
US7903047B2 (en) | 2006-04-17 | 2011-03-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mode indicator for interferometric modulator displays |
US7417784B2 (en) | 2006-04-19 | 2008-08-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface |
US7527996B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
US7623287B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-11-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
US8049713B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-11-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Power consumption optimized display update |
US7369292B2 (en) | 2006-05-03 | 2008-05-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrode and interconnect materials for MEMS devices |
US7405863B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-07-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports |
US7321457B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
US7471442B2 (en) * | 2006-06-15 | 2008-12-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures |
US7702192B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods for driving MEMS display |
US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
US7385744B2 (en) | 2006-06-28 | 2008-06-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same |
US7777715B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Passive circuits for de-multiplexing display inputs |
US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
US7388704B2 (en) | 2006-06-30 | 2008-06-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs |
JP4327183B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の高圧燃料ポンプ制御装置 |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US7566664B2 (en) | 2006-08-02 | 2009-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants |
ATE556272T1 (de) | 2006-10-06 | 2012-05-15 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optische verluststruktur in einer beleuchtungsvorrichtung |
US8872085B2 (en) | 2006-10-06 | 2014-10-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having front illuminator with turning features |
US7545552B2 (en) | 2006-10-19 | 2009-06-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure |
US7706042B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US7535621B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-05-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7625825B2 (en) * | 2007-06-14 | 2009-12-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of patterning mechanical layer for MEMS structures |
US7569488B2 (en) * | 2007-06-22 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter |
US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
CN101828146B (zh) | 2007-10-19 | 2013-05-01 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏装置的显示器 |
US8068710B2 (en) | 2007-12-07 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Decoupled holographic film and diffuser |
US7863079B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
US7851239B2 (en) * | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
US8736590B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low voltage driver scheme for interferometric modulators |
US7864403B2 (en) * | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
EP2556403A1 (en) | 2010-04-09 | 2013-02-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US31498A (en) * | 1861-02-19 | Method of hanging and securing kecipkocating mill-saws | ||
NL7510103A (nl) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Philips Nv | Elektrostatisch bestuurde beeldweergeefinrichting. |
US4229732A (en) * | 1978-12-11 | 1980-10-21 | International Business Machines Corporation | Micromechanical display logic and array |
NL8001281A (nl) * | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
-
1982
- 1982-02-01 NL NL8200354A patent/NL8200354A/nl not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-01-24 US US06/460,420 patent/US4519676A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-01-26 DE DE8383200116T patent/DE3363454D1/de not_active Expired
- 1983-01-26 EP EP83200116A patent/EP0085459B1/en not_active Expired
- 1983-01-27 CA CA000420370A patent/CA1188780A/en not_active Expired
- 1983-01-28 ES ES519356A patent/ES519356A0/es active Granted
- 1983-02-01 JP JP58013857A patent/JPS58132782A/ja active Granted
- 1983-07-14 ES ES524105A patent/ES8404537A1/es not_active Expired
-
1987
- 1987-01-08 HK HK49/87A patent/HK4987A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES8400832A1 (es) | 1983-11-01 |
NL8200354A (nl) | 1983-09-01 |
EP0085459A2 (en) | 1983-08-10 |
US4519676A (en) | 1985-05-28 |
EP0085459A3 (en) | 1983-08-17 |
ES524105A0 (es) | 1984-04-16 |
ES8404537A1 (es) | 1984-04-16 |
HK4987A (en) | 1987-01-16 |
EP0085459B1 (en) | 1986-05-14 |
CA1188780A (en) | 1985-06-11 |
JPS58132782A (ja) | 1983-08-08 |
DE3363454D1 (en) | 1986-06-19 |
ES519356A0 (es) | 1983-11-01 |
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