JPH06219857A - AlNウィスカー複合材料 - Google Patents
AlNウィスカー複合材料Info
- Publication number
- JPH06219857A JPH06219857A JP3125257A JP12525791A JPH06219857A JP H06219857 A JPH06219857 A JP H06219857A JP 3125257 A JP3125257 A JP 3125257A JP 12525791 A JP12525791 A JP 12525791A JP H06219857 A JPH06219857 A JP H06219857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aln
- powder
- whiskers
- composite material
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
チックスとの複合など高熱伝導性複合材料として利用す
ることができるAlNウィスカー複合材料の提供。 【構成】 まず、図1に示す装置を使用し、N2 −NH
3 混合ガスを反応ガスとしてアトマイズ粉末からなるA
l粉末を窒化させ、AlNウィスカーおよびAlN粉末
を合成する。次に、得られたAlNウィスカーとAlN
粉末とを配合し、さらに焼結助剤Y2 O3 粉末を3wt%
添加したものを無水メタノールを用いて湿式混合する。
次いでこの混合粉末を十分に乾燥した後、150MPaの成形
圧でφ10mmおよびφ20mmに成形し、その成形体を窒化ホ
ウ素で内壁を被覆したφ10mmおよびφ20mmのカーボン型
に入れ、30 MPaの印加圧下、1気圧の窒素雰囲気中でホ
ットプレス焼結を行う。
Description
明状のAlNウィスカーを含有する複合材料に関する。
ナの約10倍の高熱伝導性セラミックスであることが知ら
れており、有毒性の酸化ベリリウムに代る高放熱基板材
料として注目されている。また、高純度なAlNウィス
カー(ひげ結晶)は、高熱伝導性および高強度を有する
ため、セラミックスの強化用や、金属あるいはプラスチ
ックスとの複合体など高熱伝導性複合材料としての利用
が期待されている。
て大量に生産し得る技術が確立されている。すなわち、
本発明者等は、Al粉末の浮上窒化法によるAlN微粉
末の連続合成法を考案した際に、該粉末合成に付随して
繊維状AlN、あるいはAlNウィスカーが合成される
ことを見い出し、さらにその後の研究により、該合成法
において窒化反応を起こさせる際に使用する反応ガスと
してN2 −NH3 混合ガスを用いることにより、AlN
ウィスカーの成長速度を増加させ、より欠陥の少ない表
面の滑らかな無色透明状のAlNウィスカーを得たので
ある。
は、図1に示すような下端に原料供給部1、上端に捕集
器5を有し、周囲部に加熱設備として電気炉4が装備さ
れた高純度アルミナ管2が垂直に設置されて成る装置が
使用された。この装置を使用したAlNウィスカー複合
材料の製造法とは、原料供給部1にAl粉末6を供給
し、撹拌機3で撹拌しながらN2 ガス7でAl粉末6を
浮上させ、アルミナ管2の中央部にてN2 −NH3 混合
ガス8を反応ガスとして導入し、電気炉4で加熱するこ
とによりAl粉末を窒化させ、合成されたAlN粉末を
捕集器5で回収し、冷却後アルミナ管2の内壁に生成し
たAlNウィスカーを採取するというものである。
ウィスカーを大量に生産する技術は確立されたが、得ら
れたAlNウィスカーの用途としてセラミックスの強化
用や、金属あるいはプラスチックスとの複合など高熱伝
導性複合材料としての利用が期待されているにもかかわ
らず、具体的な製品化が成されていなかった。
を解決するため鋭意研究したところ、AlNウィスカー
と、AlN粉末または基板用エポキシ樹脂とを複合化す
ることによって熱伝導率に優れたセラミックスならびに
複合エポキシ樹脂が得られることを見い出し、本発明を
提供することができた。
して用い、N2 −NH3 混合ガスを反応ガスとした浮上
窒化法により生成された表面の滑らかな無色透明状の高
純度AlNウィスカーと、高純度AlN微粉末とを混合
し、さらに焼結助剤を添加したものを成形し、その成形
体を焼結させて得たセラミックスであって、90W/mK以上
の熱伝導率および50%以上の相対密度を有することを特
徴とするAlNウィスカー複合材料;および、高純度A
lを原料として用い、N2 −NH3 混合ガスを反応ガス
とした浮上窒化法により生成された表面の滑らかな無色
透明状の高純度AlNウィスカーを成形し、その成形体
に基板用エポキシ樹脂を含浸させた後、これを加熱する
ことによって該エポキシ樹脂を硬化させて得た複合材で
あって、3.5 W/mK以上の熱伝導率および40.0×10-6K-1
以下の熱膨張率を有することを特徴とするAlNウィス
カー複合材料を提供するものである。
は、図1に示すような装置を使用した浮上窒化法によっ
て製造され、その際反応ガスとしてN2 −NH3 混合ガ
スを用いることによって、より欠陥の少ない表面の滑ら
かな無色透明状のAlNウィスカーを得ることができ
る。この方法により得られる表面の滑らかなAlNウィ
スカーの成長機構は、ウィスカーの成長先端に球状のF
eあるいはSiなどが認められないことからも、VLS
機構の成長ではなくVS機構であると考えられる。
強度を有することが知られているが、特に上記表面の滑
らかなAlNウィスカーには、次のような性質があるこ
とが確認された。すなわち、表面の滑らかなAlNウィ
スカーの大気中における安定性を調べたところ、大気中
に6カ月以上放置したものでさえも、大気中の水蒸気と
反応して水酸化アルミニウムとアンモニアを生成し、そ
の重量が増加してしまうようなことはなく、極めて安定
性に優れていた。
定性を調べたところ、5日間水につけた場合でも、その
分解反応率は4%以下であり、極めて安定性に優れてい
た。このことから、水との接触によるウィスカーの高熱
伝導性および高強度性の劣化は少ないものと考えられる
ため、他の材料との複合化の際に取扱いが容易であり、
場合によっては水による混合も可能となり、複合材料の
製造コストの低減化が図れる。
性について、大気中において1000℃に加熱することによ
って調べたところ、酸化反応率が3%未満と極めて小さ
い値を示したことなどから、高温耐酸化性に非常に優れ
るものであることが確認された。したがって、該AlN
ウィスカーは高温材料用の分散強化材として十分に使用
し得るものであるといえる。
ーは、共有結合性の強い化合物であるため、燃焼性が低
く焼結性が悪いという欠点を有していた。一方、AlN
粉末は、金属に対する高耐食性、高熱伝導性および低熱
膨脹性を有し、かつ焼結性が良いという性質を有するこ
とが知られている。すなわち、本発明のAlNウィスカ
ー複合材料は、上記のような性質を有する表面の滑らか
なAlNウィスカーとAlN粉末とを複合化することに
より、互いの有用な性質を生かし、かつ互いの欠点を補
いあっているのである。また、上記表面の滑らかなAl
Nウィスカーとエポキシ樹脂とを複合化することによ
り、エポキシ樹脂の熱伝導率の向上および熱膨脹率の低
減を図り、半導体基板としての熱的特性を改善している
のである。
説明する。しかし本発明の範囲は、以下の実施例により
制限されるものではない。
9.9%および 99.99%のアトマイズ粉末(昭和アルミニ
ウム製)からなるAl粉末6を、図1に示すウィスカー
製造用反応器内の高純度アルミナ(Al2 O3 )管2
(内径42mm、長さ1000mm)下部の原料供給部1に充填し
た。次いで、Al粉末6を攪拌機3で攪拌しながらN2
ガス7(11/min)を吹き込み、電気炉4で加熱した反応
器中にAl粉末6を浮上させて窒化反応させ、さらにN
2 ガス7(1.35 l/min)で該粉末6を浮上させ、反応器
の中央部にてN2 −NH3 混合ガス8(0.65 l/min)を
導入して窒化反応を起こさせてAlN粉末およびAlN
ウィスカーを合成し、AlN粉末は捕集器5で回収し、
反応器内壁に付着したAlNウィスカーは冷却後回収し
た。なお、上記製造工程における反応温度は1450℃〜15
50℃、反応時間は0〜120min、NH3ガスの濃度は全ガ
ス流量に対して 0〜30 vol%が好ましく、本実施例では
反応温度は1550℃、反応時間は120minで窒化反応させ、
最大長15mm、最大径 120μm、径平均約10μmに成長し
たAlNウィスカーを得た。また、AlNウィスカーの
成長速度は、長さ方向に2μm/s、径方向に0.0014〜
0.017 μm/sで成長し、長さ方向への成長速度が極め
て速かった。
粉末との割合が、 0、25、50、75、100 wt%AlNウィ
スカーとなるように配合し、さらに焼結助剤としてY2
O3粉末を3wt%添加し、無水メタノールを用いてめの
う乳鉢で湿式混合した。次いで、得られた混合粉末を十
分に乾燥し、150MPaの成形圧でφ10mmおよびφ20mmに成
形した。これらの成形体は、内壁を窒化ホウ素(BN)
で被覆したφ10mmおよびφ20mmのカーボン型に入れ、30
MPa の印加圧下、1気圧の窒素雰囲気中でホットプレス
焼結を行いAlNウィスカー複合材料を得た。なお、ホ
ットプレス焼結における焼結温度は1900℃、焼結時間は
120minとした。
Nウィスカー複合材料について、嵩密度の測定、アルキ
メデス法による焼結密度の測定、走査型電子顕微鏡写真
(SEM)による微細構造の観察、レーザーフラッシュ
法による室温での熱伝導率の測定および3点曲げ強度の
測定を行った。なお、熱伝導率の測定の際、試料の厚さ
は約3mm程度とした。また、曲げ強度の測定の際、試料
の大きさを約4mm×3mm×20mm、スパンを15mm、荷重を
500kg および荷重速度を 0.5mm/minとした。
スカーの配合比率と焼結体および焼結前の成形体の相対
密度との関係を図2に、AlNウィスカーの配合比率と
熱伝導率および相対密度との関係を図3に示した。
体の成形密度は増加するが(図2)、AlNウィスカー
は成形性が非常に悪いため、AlNウィスカーの配合比
が75wt%および 100wt%の試料については、成形体の形
を保つことができず崩れたり割れてしまった。
の焼結体の破断面のSEMを観察したところ、緻密化し
ていないAlNウィスカーが確認された。この焼結体の
相対密度は75%、焼結前の成形体の相対密度は65%であ
り(図2)、緻密化すなわち焼結の進行はわずかであっ
た。一方、AlNウィスカーの配合比が100wt%で焼結
助剤としてY2 O3 粉末を3wt%添加した焼結体の破断
面のSEMを観察したところ、焼結助剤無添加の場合と
同様に焼結の進行はわずかであった。
ーの配合比が増加するに従って相対密度(焼結性)は低
下し、特にAlNウィスカーの配合比が50wt%を越える
と相対密度(焼結性)が著しく低下することから、Al
NウィスカーよりもAlN粉末の方が焼結性に優れてい
ることが確認された。
最大値160 W/mKを示した。AlNウィスカーの配合比が
25wt%の焼結体と50wt%の焼結体との熱伝導率を比較す
ると、配合比が25wt%の焼結体のほうが相対密度が高い
にもかかわらず、熱伝導率は低かった。これは、相対密
度の低下に伴う熱伝導率の低下よりも、AlNウィスカ
ー配合比の増加による熱伝導率の向上の効果が大きいた
めであると考えられる。しかしながら、AlNウィスカ
ーの配合比が25wt%の焼結体の熱伝導率が、該配合率が
0wt%の焼結体の熱伝導率よりも低下したのは、相対密
度の減少の影響によるものと考えられる。
に、AlNウィスカー複合材料9にレーザービーム10
を当ててAlNウィスカーの配向方向の違いによる熱伝
導率の違いを測定し、その結果を下記表に示した。な
お、測定に先立って図4(a)に示すように、AlNウ
ィスカー複合材料9内におけるAlNウィスカー11
が、熱伝導率測定面12に対して平行に配向している場
合には、熱は多くの粒界を横切って伝導し、同図(b)
に示すようにAlNウィスカー11が熱伝導率測定面1
2に対して垂直に配向している場合には、AlNウィス
カーの長軸を通って熱が伝導するため、垂直に配向して
いるほうが熱伝導率は向上すると考えられた。しかしな
がら、下記の表1からも分かるように、配向方向の違う
両試料間において、熱伝導率の差はほとんど見られなか
った。これは、原料配合時にAlNウィスカーが粉砕さ
れ、熱伝導率に対するAlNウィスカーの配向方向の影
響が少なかったためであると考えられる。
た。
体を切り出して3点曲げにより曲げ強度を測定した。ま
た、比較のためAlNセラミックスについても同様の測
定を行い、両者の測定結果を下記の表2に示した。
カーを配合した焼結体の曲げ強度は、AlNセラミック
スの半分であった。これは、ウィスカーが太く、しか
も、原料の配合が均一でなく欠陥が多く残存したためで
あると考えられる。
ウィスカーを150MPaの成形圧で成形し、減圧中でエポキ
シ樹脂を含浸させた後、これを 120℃で150min加熱する
ことにより、該エポキシ樹脂を硬化させてAlNウィス
カー複合エポキシ樹脂を得た。 得られたAlNウィス
カー複合エポキシ樹脂について、熱伝導率および熱膨張
率を測定したところ以下のような結果が得られた。
スカーの体積分率、エポキシ樹脂の体積分率、ウィスカ
ーの配向方向、空隙率および熱伝導率の関係を下記の表
3に示した。
に対して示した。
向させた試料は、空隙率が16.9%あるにもかかわらず、
熱伝導率が6.12(W/mK)と高い値を示した。これは、一般
のエポキシ樹脂の約26倍の熱伝導率であり、AlNウィ
スカーの影響が現れたものと考えられる。また、試料の
空隙を減らすことにより、さらに熱伝導率は向上するも
のと考えられる。
カー複合エポキシ樹脂の熱膨張率を下記の表4に示し
た。
カー複合エポキシ樹脂の熱膨張率は、エポキシ樹脂の熱
膨張率の約1/3.5 に低下しており、半導体基板としての
熱的特性が改善されていることが確認された。
いて、AlNウィスカーおよびAlN粉末からなる複合
材料は、熱伝導性および強度特性に優れ、AlNウィス
カーおよびエポキシ樹脂からなる複合材料は、熱伝導率
および熱膨張率に優れるものである。また、本発明のA
lNウィスカー複合材料は、簡易な手段により製造する
ことができるため、極めて商業的価値が高いものであ
る。
lN粉末の製造の際に使用される装置の一例を示す断面
図である。
ラフである。
の関係を示すグラフである。
ーの配向方向を示す断面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 高純度Alを原料として用い、N2 −N
H3 混合ガスを反応ガスとした浮上窒化法により生成さ
れた表面の滑らかな無色透明状の高純度AlNウィスカ
ーと、高純度AlN微粉末とを混合し、さらに焼結助剤
を添加したものを成形し、その成形体を焼結させて得た
セラミックスであって、90W/mK以上の熱伝導率および50
%以上の相対密度を有することを特徴とするAlNウィ
スカー複合材料。 - 【請求項2】 高純度Alを原料として用い、N2 −N
H3 混合ガスを反応ガスとした浮上窒化法により生成さ
れた表面の滑らかな無色透明状の高純度AlNウィスカ
ーを成形し、その成形体に基板用エポキシ樹脂を含浸さ
せた後、これを加熱することによって該エポキシ樹脂を
硬化させて得た複合材であって、 3.5W/mK以上の熱伝導
率および40.0×10-6K-1以下の熱膨張率を有することを
特徴とするAlNウィスカー複合材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125257A JP3011785B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | AlNウィスカー複合材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125257A JP3011785B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | AlNウィスカー複合材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06219857A true JPH06219857A (ja) | 1994-08-09 |
JP3011785B2 JP3011785B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=14905625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3125257A Expired - Fee Related JP3011785B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | AlNウィスカー複合材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3011785B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302150A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Goo Chemical Co Ltd | 放熱性樹脂組成物、放熱性ソルダーレジスト用組成物、放熱性成形体、及び放熱性プリント配線板 |
JP2014073951A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-04-24 | Denso Corp | AlNウィスカー、樹脂組成物、油脂組成物及びAlNウィスカーの製造方法 |
JP2018154534A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 国立大学法人名古屋大学 | AlNウィスカーおよび樹脂成形体とこれらの製造方法 |
CN110431259A (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-08 | 国立大学法人名古屋大学 | AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法 |
WO2023149472A1 (ja) * | 2022-02-04 | 2023-08-10 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 樹脂成形体及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3125257A patent/JP3011785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302150A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Goo Chemical Co Ltd | 放熱性樹脂組成物、放熱性ソルダーレジスト用組成物、放熱性成形体、及び放熱性プリント配線板 |
JP2014073951A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-04-24 | Denso Corp | AlNウィスカー、樹脂組成物、油脂組成物及びAlNウィスカーの製造方法 |
JP2018154534A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 国立大学法人名古屋大学 | AlNウィスカーおよび樹脂成形体とこれらの製造方法 |
CN110431259A (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-08 | 国立大学法人名古屋大学 | AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法 |
WO2023149472A1 (ja) * | 2022-02-04 | 2023-08-10 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 樹脂成形体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3011785B2 (ja) | 2000-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hu et al. | Promising high-thermal-conductivity substrate material for high-power electronic device: silicon nitride ceramics | |
US4230497A (en) | Dense sintered shaped articles of polycrystalline α-silicon carbide and process for their manufacture | |
US5773733A (en) | Alumina-aluminum nitride-nickel composites | |
JP3011785B2 (ja) | AlNウィスカー複合材料 | |
CN111704465A (zh) | 原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法 | |
JP2013147403A (ja) | 金属化合物含有窒化ホウ素、及びそれを含有する複合材組成物 | |
JPH0812434A (ja) | B4c焼結体の製造方法およびb4c質焼結体 | |
JP5161060B2 (ja) | 耐熱性黒色部材およびその製造方法 | |
JP2008143748A (ja) | 反りのない炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 | |
Tian et al. | Synthesis of silicon nitride/silicon carbide nanocomposite powders through partial reduction of silicon nitride by pyrolyzed carbon | |
JP4205685B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末、その製造方法およびセラミックス焼結体 | |
EP0362375B1 (en) | HIGH-STRENGTH, $g(b)-TYPE SILICON CARBIDE SINTER AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION | |
JPS6212663A (ja) | B4c質複合体およびその製造方法 | |
JP2726693B2 (ja) | 高熱伝導性炭化珪素焼結体及びその製造方法 | |
JP2726692B2 (ja) | 高熱伝導性炭化珪素焼結体及びその製造方法 | |
JP2752227B2 (ja) | AlN―BN系複合焼結体およびその製造方法 | |
Itatani et al. | Preparation of aluminum nitride–silicon carbide nanocomposite powder by the nitridation of aluminum silicon carbide | |
US5856253A (en) | Method of reinforcing molded body of ceramic and reinforced mold body of ceramic | |
KR102641152B1 (ko) | 질화규소 분말 및 질화규소 소결체의 제조방법 | |
JPH0532451A (ja) | セラミツク焼結体の製造方法 | |
JP5130099B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
Broniszewski et al. | Mechanical Properties of Silicon Carbide Composites Reinforced with Reduced Graphene Oxide | |
JPS5954679A (ja) | 繊維強化型窒化硅素焼結体の製造法 | |
JP2003020281A (ja) | 非酸化物系窒化ホウ素複合材料の反応合成 | |
JPH11292631A (ja) | 炭化けい素粉末の低温焼結方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 8 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 8 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |