JPH06216749A - 出力バッファ回路 - Google Patents
出力バッファ回路Info
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- JPH06216749A JPH06216749A JP5279731A JP27973193A JPH06216749A JP H06216749 A JPH06216749 A JP H06216749A JP 5279731 A JP5279731 A JP 5279731A JP 27973193 A JP27973193 A JP 27973193A JP H06216749 A JPH06216749 A JP H06216749A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09425—Multistate logic
- H03K19/09429—Multistate logic one of the states being the high impedance or floating state
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00346—Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
- H03K19/00361—Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 負荷を駆動するための、ノイズが減じられた
低電力かつ高速の出力バッファ回路を提供する。 【構成】 出力バッファ回路10は、多段プルアップト
ランジスタ12、16、20およびプルダウントランジ
スタ14、18、22を用いる。第1段のプルダウン
(またはプルアップ)トランジスタが活性化されている
時間の間、反対のすべてのプルアップ(またはプルダウ
ン)トランジスタは実質的に同時に非活性化される。そ
の後、プルダウン(またはプルアップ)トランジスタの
残りの段が活性化される。急速なターンオフに対してタ
ーンオンを遅延させることで、電源におけるオーバシュ
ートおよびアンダシュートのノイズ遷移レベルを低くす
ることが達成される。
低電力かつ高速の出力バッファ回路を提供する。 【構成】 出力バッファ回路10は、多段プルアップト
ランジスタ12、16、20およびプルダウントランジ
スタ14、18、22を用いる。第1段のプルダウン
(またはプルアップ)トランジスタが活性化されている
時間の間、反対のすべてのプルアップ(またはプルダウ
ン)トランジスタは実質的に同時に非活性化される。そ
の後、プルダウン(またはプルアップ)トランジスタの
残りの段が活性化される。急速なターンオフに対してタ
ーンオンを遅延させることで、電源におけるオーバシュ
ートおよびアンダシュートのノイズ遷移レベルを低くす
ることが達成される。
Description
【0001】
【発明の分野】この発明は出力バッファ回路に関し、よ
り特定的には、論理レベル間で遷移しつつ動作している
ときに、バッファ回路を組入れた集積回路の電源におけ
るノイズのレベルを低減された状態に保つことに関す
る。
り特定的には、論理レベル間で遷移しつつ動作している
ときに、バッファ回路を組入れた集積回路の電源におけ
るノイズのレベルを低減された状態に保つことに関す
る。
【0002】
【関連技術の背景】出力駆動特性を増大させるために用
いられるバッファ回路は、よく知られている。しばし
ば、負荷により要求される必要な駆動をソースが提供で
きないことがある。この場合、バッファ回路はソースと
負荷との中間に置かれてよく、ソースはバッファを駆動
し、バッファは負荷を駆動する。したがってバッファ回
路はしばしば、バッファされていないソースの能力を超
える大きなファンアウト数に遭遇するような状況で用い
られる。バッファ回路は、より高いまたはより低い電流
および/または電圧レベルのために通常は適合される出
力負荷を駆動するのにも用いることができる。そのよう
なものとして、バッファはしばしば異なった論理技術
(たとえばTTL−CMOSまたはCMOS−TTL)
を有するモノリシック集積回路の間に置かれる電圧/電
流レベルコンバータとして組入れられる。電圧/電流レ
ベルコンバータまたはドライバとして用いられるバッフ
ァは、ディジタル領域とアナログ領域との間のインタフ
ェースとしても十分である。たとえば、アナログのスイ
ッチまたはリレーは、マイクロコントローラのようなデ
ィジタル制御された装置からバッファされたディジタル
信号を受け取るように相互接続できる。したがって、バ
ッファ回路は利得をもたらしてももたらさなくてもよい
し、入力信号と出力信号との間の論理レベルを反転させ
てもよいし反転させなくてもよいが、しかしながらバッ
ファ回路は確かに、一般的に増大したファンアウト負荷
を駆動するため、または様々な出力負荷との互換性を維
持するための電流分離を提供する。
いられるバッファ回路は、よく知られている。しばし
ば、負荷により要求される必要な駆動をソースが提供で
きないことがある。この場合、バッファ回路はソースと
負荷との中間に置かれてよく、ソースはバッファを駆動
し、バッファは負荷を駆動する。したがってバッファ回
路はしばしば、バッファされていないソースの能力を超
える大きなファンアウト数に遭遇するような状況で用い
られる。バッファ回路は、より高いまたはより低い電流
および/または電圧レベルのために通常は適合される出
力負荷を駆動するのにも用いることができる。そのよう
なものとして、バッファはしばしば異なった論理技術
(たとえばTTL−CMOSまたはCMOS−TTL)
を有するモノリシック集積回路の間に置かれる電圧/電
流レベルコンバータとして組入れられる。電圧/電流レ
ベルコンバータまたはドライバとして用いられるバッフ
ァは、ディジタル領域とアナログ領域との間のインタフ
ェースとしても十分である。たとえば、アナログのスイ
ッチまたはリレーは、マイクロコントローラのようなデ
ィジタル制御された装置からバッファされたディジタル
信号を受け取るように相互接続できる。したがって、バ
ッファ回路は利得をもたらしてももたらさなくてもよい
し、入力信号と出力信号との間の論理レベルを反転させ
てもよいし反転させなくてもよいが、しかしながらバッ
ファ回路は確かに、一般的に増大したファンアウト負荷
を駆動するため、または様々な出力負荷との互換性を維
持するための電流分離を提供する。
【0003】従来の出力バッファ回路は、しばしば単一
のプルアップトランジスタおよび単一のプルダウントラ
ンジスタを含む単一段の出力ドライバ回路を使用する。
プルアップトランジスタまたはプルダウントランジスタ
が活性化される場合は必ずバッファされた出力信号が形
成される。過渡電流またはクローバ電流を減少させるに
は、米国特許第5,025,181号および第4,63
8,187号で一般的に説明されるようにプルアップト
ランジスタおよびプルダウントランジスタは好ましくは
異なった時間に活性化される。特許第5,025,18
1号は、トランジスタが同時に活性化されることがない
ことを確実にするために、プルアップトランジスタおよ
びプルダウントランジスタの間でしきい値が不釣合いで
あることを要求する。同様に、特許第4,638,18
7号は、プルダウントランジスタに対してプルアップト
ランジスタがオンになるのを遅らせるためにインバータ
を使用する。
のプルアップトランジスタおよび単一のプルダウントラ
ンジスタを含む単一段の出力ドライバ回路を使用する。
プルアップトランジスタまたはプルダウントランジスタ
が活性化される場合は必ずバッファされた出力信号が形
成される。過渡電流またはクローバ電流を減少させるに
は、米国特許第5,025,181号および第4,63
8,187号で一般的に説明されるようにプルアップト
ランジスタおよびプルダウントランジスタは好ましくは
異なった時間に活性化される。特許第5,025,18
1号は、トランジスタが同時に活性化されることがない
ことを確実にするために、プルアップトランジスタおよ
びプルダウントランジスタの間でしきい値が不釣合いで
あることを要求する。同様に、特許第4,638,18
7号は、プルダウントランジスタに対してプルアップト
ランジスタがオンになるのを遅らせるためにインバータ
を使用する。
【0004】単一段のドライバトランジスタ(プルアッ
プトランジスタまたはプルダウントランジスタのいずれ
か)が活性化されている間、電源には電流スパイクが起
こるかもしれない。たとえば、プルダウントランジスタ
が活性化される場合は必ず、負荷と接地電源(たとえば
VSS)との間に形成される電流経路を介して出力負荷
キャパシタンスが放電される。吸い込み電流を加速する
ことで、L(di/dt)に比例する出力接地リードイ
ンダクタンスにかかる正電圧がもたらされる。正電圧は
結果として接地電源に電圧の上昇、接地バウンス、また
は比較的持続の短いオーバシュートをもたらす。同様
に、吸い込み電流の減速は接地電源において、VSS電
圧を下まわる電圧の下降、接地垂下、またはアンダシュ
ートをもたらす。逆の例を使うならば、プルアップトラ
ンジスタが活性化される場合は必ず、負荷と正電源(た
とえばVDD)との間に形成される電流経路を介して出
力負荷が充電される。吐き出し電流の加速で、L(di
/dt)に比例する出力接地リードインダクタンスにか
かる負電圧が生じる。負電圧が結果として正電源におけ
る電圧の降下またはアンダシュートをもたらす。アンダ
シュートは一般的に、理想的なVDDの量を下まわる短
い間のものである。吐き出し電流の減速は、接地電源に
おけるVDD電圧を上まわる短い電圧の増大またはオー
バシュートをもたらす。
プトランジスタまたはプルダウントランジスタのいずれ
か)が活性化されている間、電源には電流スパイクが起
こるかもしれない。たとえば、プルダウントランジスタ
が活性化される場合は必ず、負荷と接地電源(たとえば
VSS)との間に形成される電流経路を介して出力負荷
キャパシタンスが放電される。吸い込み電流を加速する
ことで、L(di/dt)に比例する出力接地リードイ
ンダクタンスにかかる正電圧がもたらされる。正電圧は
結果として接地電源に電圧の上昇、接地バウンス、また
は比較的持続の短いオーバシュートをもたらす。同様
に、吸い込み電流の減速は接地電源において、VSS電
圧を下まわる電圧の下降、接地垂下、またはアンダシュ
ートをもたらす。逆の例を使うならば、プルアップトラ
ンジスタが活性化される場合は必ず、負荷と正電源(た
とえばVDD)との間に形成される電流経路を介して出
力負荷が充電される。吐き出し電流の加速で、L(di
/dt)に比例する出力接地リードインダクタンスにか
かる負電圧が生じる。負電圧が結果として正電源におけ
る電圧の降下またはアンダシュートをもたらす。アンダ
シュートは一般的に、理想的なVDDの量を下まわる短
い間のものである。吐き出し電流の減速は、接地電源に
おけるVDD電圧を上まわる短い電圧の増大またはオー
バシュートをもたらす。
【0005】バッファを組入れた集積回路の電源に起こ
るアンダシュートおよびオーバシュートのノイズの問題
を減じようとして、従来のバッファ回路の多くは出力遷
移の間2つの異なった時間に動作する2個以上の出力ド
ライバ段を用いる。複数の出力ドライバ段を説明する開
示の例は、米国特許第4,961,010号および第
5,103,118号を含む。特許第4,961,01
0号と特許第5,103,118号との双方は、プルア
ップおよびプルダウンドライバの各々のゲート端子の中
間に置かれる抵抗素子を必要とする。抵抗素子により、
連続する段のターンオンの間の遅れが確実になるが、し
かしながら抵抗素子は反対の段のターンオンを低下させ
るまたは速度を下げることになるかもしれない。たとえ
ば、バッファ出力でのロー状態からハイ状態への遷移の
間、プルアップトランジスタがオンにされる前にプルダ
ウントランジスタが適切にオフにされることが重要であ
る。さもなければ、プルアップトランジスタおよびプル
ダウントランジスタが、一瞬双方ともオンになるかもし
れず、それにより過渡電流が電源の間を直接に流れるこ
とが許容されてしまう。そのような結果は、装置の動作
に対しかなりの電力消費を加えることになる。プルアッ
プゲートキャパシタおよびプルダウンゲートキャパシタ
の放電または充電の経路内に抵抗素子を置くことで、反
対のドライバをオフにするにあたり望ましくないRC遅
延が加えられるかもしれない。上に述べた立上がり縁出
力遷移を用いることで、抵抗素子はプルダウントランジ
スタゲートにおける急速な変化に対抗する。ゆえに、プ
ルダウントランジスタは第1段のプルアップトランジス
タがオンになるほど急速にはオフになれないかもしれな
い。さらに、先行技術のゲート抵抗性の設計では、すべ
ての反対のドライバが同時にオフにされる、またはすべ
ての反対のドライバが一連の連続する遅延させられたド
ライバのうちの所望される第1のドライバがオンにされ
る時間の間にオフにされるということは保証されない。
反対である多段ドライバの1つ(たとえば第1、第2ま
たは第3段のプルアップトランジスタのいずれか)が、
所望されるドライバ(たとえば第1段プルダウントラン
ジスタ)がオンにされる時間の間に瞬間的にオンのまま
であれば、望ましくない直流経路が正電源と接地電源と
の間に起こるだろう。
るアンダシュートおよびオーバシュートのノイズの問題
を減じようとして、従来のバッファ回路の多くは出力遷
移の間2つの異なった時間に動作する2個以上の出力ド
ライバ段を用いる。複数の出力ドライバ段を説明する開
示の例は、米国特許第4,961,010号および第
5,103,118号を含む。特許第4,961,01
0号と特許第5,103,118号との双方は、プルア
ップおよびプルダウンドライバの各々のゲート端子の中
間に置かれる抵抗素子を必要とする。抵抗素子により、
連続する段のターンオンの間の遅れが確実になるが、し
かしながら抵抗素子は反対の段のターンオンを低下させ
るまたは速度を下げることになるかもしれない。たとえ
ば、バッファ出力でのロー状態からハイ状態への遷移の
間、プルアップトランジスタがオンにされる前にプルダ
ウントランジスタが適切にオフにされることが重要であ
る。さもなければ、プルアップトランジスタおよびプル
ダウントランジスタが、一瞬双方ともオンになるかもし
れず、それにより過渡電流が電源の間を直接に流れるこ
とが許容されてしまう。そのような結果は、装置の動作
に対しかなりの電力消費を加えることになる。プルアッ
プゲートキャパシタおよびプルダウンゲートキャパシタ
の放電または充電の経路内に抵抗素子を置くことで、反
対のドライバをオフにするにあたり望ましくないRC遅
延が加えられるかもしれない。上に述べた立上がり縁出
力遷移を用いることで、抵抗素子はプルダウントランジ
スタゲートにおける急速な変化に対抗する。ゆえに、プ
ルダウントランジスタは第1段のプルアップトランジス
タがオンになるほど急速にはオフになれないかもしれな
い。さらに、先行技術のゲート抵抗性の設計では、すべ
ての反対のドライバが同時にオフにされる、またはすべ
ての反対のドライバが一連の連続する遅延させられたド
ライバのうちの所望される第1のドライバがオンにされ
る時間の間にオフにされるということは保証されない。
反対である多段ドライバの1つ(たとえば第1、第2ま
たは第3段のプルアップトランジスタのいずれか)が、
所望されるドライバ(たとえば第1段プルダウントラン
ジスタ)がオンにされる時間の間に瞬間的にオンのまま
であれば、望ましくない直流経路が正電源と接地電源と
の間に起こるだろう。
【0006】ここで規定される「反対のドライバ」と
は、プルダウントランジスタと反対に構成されるプルア
ップトランジスタをいう、またはその逆で、プルアップ
トランジスタと反対に構成されるプルダウントランジス
タをいう。さらに、「所望されるドライバ」という用語
は現在活性化されているドライバをいう。たとえば、所
望されるドライバがプルダウントランジスタ段の1つで
あれば、反対のドライバはプルアップトランジスタの多
段である。ここでさらに定義するが、「オーバシュー
ト」とは第1または第2の電源のいずれかに対し引き起
こされた正電圧スパイクである。逆に、「アンダシュー
ト」とは第1または第2の電源のいずれかに対し引き起
こされた負電圧スパイクである。第1の電源は最も正で
ある電源(たとえばVDD)と定義され、第2の電源は
最も負である電源(たとえばVSSまたは接地)と定義
される。第1の電源に対するオーバシュートは、第1の
電源から負荷素子へ送られる吐き出し電流を減速させる
ことでもたらされる。第2の電源に対してのオーバシュ
ートは、負荷から第2の電源へ送られる吸い込み電流を
加速させることでもたらされる。第1の電源に対するア
ンダシュートは、第1の電源から負荷へ送られる吐き出
し電流を加速することでもたらされる。第2の電源に対
してのアンダシュートは、負荷装置から第2の電源へ送
られる吸い込み電流を減速させることでもたらされる。
は、プルダウントランジスタと反対に構成されるプルア
ップトランジスタをいう、またはその逆で、プルアップ
トランジスタと反対に構成されるプルダウントランジス
タをいう。さらに、「所望されるドライバ」という用語
は現在活性化されているドライバをいう。たとえば、所
望されるドライバがプルダウントランジスタ段の1つで
あれば、反対のドライバはプルアップトランジスタの多
段である。ここでさらに定義するが、「オーバシュー
ト」とは第1または第2の電源のいずれかに対し引き起
こされた正電圧スパイクである。逆に、「アンダシュー
ト」とは第1または第2の電源のいずれかに対し引き起
こされた負電圧スパイクである。第1の電源は最も正で
ある電源(たとえばVDD)と定義され、第2の電源は
最も負である電源(たとえばVSSまたは接地)と定義
される。第1の電源に対するオーバシュートは、第1の
電源から負荷素子へ送られる吐き出し電流を減速させる
ことでもたらされる。第2の電源に対してのオーバシュ
ートは、負荷から第2の電源へ送られる吸い込み電流を
加速させることでもたらされる。第1の電源に対するア
ンダシュートは、第1の電源から負荷へ送られる吐き出
し電流を加速することでもたらされる。第2の電源に対
してのアンダシュートは、負荷装置から第2の電源へ送
られる吸い込み電流を減速させることでもたらされる。
【0007】
【発明の概要】上で略述された問題の大部分は、この発
明の出力バッファ回路によって解決する。すなわち、こ
こに述べる出力バッファ回路は出力遷移の期間中電源に
おいて引き起こされたオーバシュートおよびアンダシュ
ートのノイズを減じるために多数の出力ドライバ段を使
用する。さらに、この発明の出力バッファ回路は、所望
されるプルダウン(またはプルアップ)の初段トランジ
スタが活性化される時間中に反対のプルアップ(または
プルダウン)トランジスタのすべてが確実に非活性化さ
れるように、フィードフォワード回路を用いる。反対の
すべてのドライバ段を、同時におよび所望される最初の
ドライバ段がオンにされている間に非活性化することに
より、電源の間の直流流路は回避される。したがって、
この発明は低電力の環境で動作しつつ電源に対する過渡
ノイズを確実に最小限にするために連続する段の間で適
切な遅れを維持する。
明の出力バッファ回路によって解決する。すなわち、こ
こに述べる出力バッファ回路は出力遷移の期間中電源に
おいて引き起こされたオーバシュートおよびアンダシュ
ートのノイズを減じるために多数の出力ドライバ段を使
用する。さらに、この発明の出力バッファ回路は、所望
されるプルダウン(またはプルアップ)の初段トランジ
スタが活性化される時間中に反対のプルアップ(または
プルダウン)トランジスタのすべてが確実に非活性化さ
れるように、フィードフォワード回路を用いる。反対の
すべてのドライバ段を、同時におよび所望される最初の
ドライバ段がオンにされている間に非活性化することに
より、電源の間の直流流路は回避される。したがって、
この発明は低電力の環境で動作しつつ電源に対する過渡
ノイズを確実に最小限にするために連続する段の間で適
切な遅れを維持する。
【0008】大まかに言えば、この発明はノイズが減じ
られた、低電力の、高速バッファ出力回路を意図してい
る。バッファ回路は、第1の電源と出力端子との間で並
列に接続される第1、第2および第3のプルアップトラ
ンジスタを含む。第1、第2および第3のプルダウント
ランジスタは、第2の電源と出力端子との間で並列に接
続される。フィードフォワード回路は、第1、第2およ
び第3のプルアップトランジスタへ接続され、同様に第
1、第2および第3のプルダウントランジスタにも接続
される。出力バッファ回路が立下がり縁入力を受け取る
場合は必ず、フィードフォワード回路は実質的に同時
に、かつ第1のプルダウントランジスタがオンにされる
のとほぼ同時に第1、第2および第3のプルアップトラ
ンジスタをオフにする。第1のプルアップトランジスタ
がオンにされた後、第2のプルダウントランジスタがオ
ンにされる前に遅延期間が起こる。同様に別の遅延期間
が、第2のプルアップトランジスタがオンにされた後、
かつ第3のプルダウントランジスタがオンにされる前に
存在する。したがって、プルアップトランジスタがすべ
てオフになった後でプルダウントランジスタの段をオン
にすることで、di/dtが確実に著しく減じられる。
より少なくなったdi/dtは立下がり縁遷移期間の間
の第2の電源に対するオーバシュートおよびアンダシュ
ートのノイズを低減することにつながる。逆に、出力バ
ッファが立上がり縁の入力を受け取る場合は必ず、フィ
ードフォワード回路は第1、第2および第3のプルダウ
ントランジスタを実質的に同時にかつ第1のプルアップ
トランジスタがオンにされるのとほぼ同時にオフにす
る。第1のプルアップトランジスタがオンにされた後、
第2および第3のプルアップトランジスタはその後遅れ
ながら連続してオンにされる。プルアップトランジスタ
を連続してオンにすることで、di/dtは減じられ、
それにより遷移期間の間の第1の電源に対するオーバシ
ュートおよびアンダシュートノイズを低減する結果とな
る。
られた、低電力の、高速バッファ出力回路を意図してい
る。バッファ回路は、第1の電源と出力端子との間で並
列に接続される第1、第2および第3のプルアップトラ
ンジスタを含む。第1、第2および第3のプルダウント
ランジスタは、第2の電源と出力端子との間で並列に接
続される。フィードフォワード回路は、第1、第2およ
び第3のプルアップトランジスタへ接続され、同様に第
1、第2および第3のプルダウントランジスタにも接続
される。出力バッファ回路が立下がり縁入力を受け取る
場合は必ず、フィードフォワード回路は実質的に同時
に、かつ第1のプルダウントランジスタがオンにされる
のとほぼ同時に第1、第2および第3のプルアップトラ
ンジスタをオフにする。第1のプルアップトランジスタ
がオンにされた後、第2のプルダウントランジスタがオ
ンにされる前に遅延期間が起こる。同様に別の遅延期間
が、第2のプルアップトランジスタがオンにされた後、
かつ第3のプルダウントランジスタがオンにされる前に
存在する。したがって、プルアップトランジスタがすべ
てオフになった後でプルダウントランジスタの段をオン
にすることで、di/dtが確実に著しく減じられる。
より少なくなったdi/dtは立下がり縁遷移期間の間
の第2の電源に対するオーバシュートおよびアンダシュ
ートのノイズを低減することにつながる。逆に、出力バ
ッファが立上がり縁の入力を受け取る場合は必ず、フィ
ードフォワード回路は第1、第2および第3のプルダウ
ントランジスタを実質的に同時にかつ第1のプルアップ
トランジスタがオンにされるのとほぼ同時にオフにす
る。第1のプルアップトランジスタがオンにされた後、
第2および第3のプルアップトランジスタはその後遅れ
ながら連続してオンにされる。プルアップトランジスタ
を連続してオンにすることで、di/dtは減じられ、
それにより遷移期間の間の第1の電源に対するオーバシ
ュートおよびアンダシュートノイズを低減する結果とな
る。
【0009】この発明はさらに、第1段プルアップトラ
ンジスタのゲート端子および第1段プルダウントランジ
スタのゲート端子へ接続されるパスゲート回路を意図し
ている。出力をパスゲート回路に結合されているトライ
ステート回路により、パスゲート回路はディジタル入力
信号を受け取り、その入力信号を第1のプルアップトラ
ンジスタのゲート端子および第1のプルダウントランジ
スタのゲート端子へ送ることができるようになる。
ンジスタのゲート端子および第1段プルダウントランジ
スタのゲート端子へ接続されるパスゲート回路を意図し
ている。出力をパスゲート回路に結合されているトライ
ステート回路により、パスゲート回路はディジタル入力
信号を受け取り、その入力信号を第1のプルアップトラ
ンジスタのゲート端子および第1のプルダウントランジ
スタのゲート端子へ送ることができるようになる。
【0010】この発明はさらに、第1、第2および第3
のプルダウントランジスタのための異なった電流を運ぶ
容量、および第1、第2および第3のプルアップトラン
ジスタのための異なった電流を運ぶ容量を意図してい
る。好ましくは、第1のプルダウントランジスタは第2
および第3のプルダウントランジスタよりもゲート幅が
狭くなるように構成される。同様に、第1のプルアップ
トランジスタは第2および第3のプルアップトランジス
タよりもゲート幅が狭くなるように構成される。立上が
り縁入力が受け取られると、第1のプルアップトランジ
スタは第1の電源から負荷装置へ電流の最初の加速およ
び減速サージを供給する。その後すぐ、第2のプルアッ
プトランジスタとそれに続く第3のプルアップトランジ
スタがさらなる加速および減速電流サージを供給する。
しかしながら、結合された加速および減速電流サージは
複数の持続時間にわたり広げられ、したがって結合され
たdi/dt値を減少させる。逆に、立下がり縁が受け
取られると、第1のプルダウントランジスタは電流の最
初の加速および減速サージを負荷装置から第2の電源へ
吸い込む。その後すぐ第2のプルダウントランジスタと
それに続く第3のプルダウントランジスタとは付加的な
加速および減速電流サージを吸い込む。立上がり縁入力
と同様に、立下がり縁入力は多段において処理され、d
i/dtはより長い累積持続時間にわたり広げられて結
合されたdi/dtの値を増大させる。
のプルダウントランジスタのための異なった電流を運ぶ
容量、および第1、第2および第3のプルアップトラン
ジスタのための異なった電流を運ぶ容量を意図してい
る。好ましくは、第1のプルダウントランジスタは第2
および第3のプルダウントランジスタよりもゲート幅が
狭くなるように構成される。同様に、第1のプルアップ
トランジスタは第2および第3のプルアップトランジス
タよりもゲート幅が狭くなるように構成される。立上が
り縁入力が受け取られると、第1のプルアップトランジ
スタは第1の電源から負荷装置へ電流の最初の加速およ
び減速サージを供給する。その後すぐ、第2のプルアッ
プトランジスタとそれに続く第3のプルアップトランジ
スタがさらなる加速および減速電流サージを供給する。
しかしながら、結合された加速および減速電流サージは
複数の持続時間にわたり広げられ、したがって結合され
たdi/dt値を減少させる。逆に、立下がり縁が受け
取られると、第1のプルダウントランジスタは電流の最
初の加速および減速サージを負荷装置から第2の電源へ
吸い込む。その後すぐ第2のプルダウントランジスタと
それに続く第3のプルダウントランジスタとは付加的な
加速および減速電流サージを吸い込む。立上がり縁入力
と同様に、立下がり縁入力は多段において処理され、d
i/dtはより長い累積持続時間にわたり広げられて結
合されたdi/dtの値を増大させる。
【0011】この発明の他の目的および利点は、後述す
る詳しい説明を読み添付の図面を参照することで明らか
になるであろう。
る詳しい説明を読み添付の図面を参照することで明らか
になるであろう。
【0012】この発明は様々な変形および代替的な形式
を受け入れられるが、その特定の実施例は図面で例とし
て示されており、これから詳細に説明される。しかしな
がら、図面およびそれに対する説明は、この発明を開示
されている特定の形式に制限することを意図しているの
ではなく、その反対に前掲の特許請求の範囲により規定
されるこの発明の精神および範囲内のすべての変形、等
価物および代替物に及ぶものとして意図される。
を受け入れられるが、その特定の実施例は図面で例とし
て示されており、これから詳細に説明される。しかしな
がら、図面およびそれに対する説明は、この発明を開示
されている特定の形式に制限することを意図しているの
ではなく、その反対に前掲の特許請求の範囲により規定
されるこの発明の精神および範囲内のすべての変形、等
価物および代替物に及ぶものとして意図される。
【0013】
【発明の詳しい説明】ここで図面に目を向けると、図1
はこの発明による出力バッファ回路10を示している。
バッファ10は、その3つの段が、好ましいというほど
でなければ適切な、設計を提供する多段出力ドライバを
含む。各ドライバ段はプルアップトランジスタおよびプ
ルダウントランジスタを含む。第1段は第1のプルアッ
プトランジスタ12および第1のプルダウントランジス
タ14を含む。第2のプルアップトランジスタ16と第
3のプルアップトランジスタ20とは第1のトランジス
タ12と並列に結合される。同様に、第2のプルダウン
トランジスタ18と第3のプルダウントランジスタ22
とは第1のプルダウントランジスタ14と並列に結合さ
れる。プルアップおよびプルダウントランジスタ12、
14、16、18、20および22は、出力端子24に
結合される出力負荷(図示せず)と入力端子26に結合
されるソース(図示せず)から受け取られる入力信号と
の間で電流分離を提供する。各プルアップトランジスタ
は第1の電源から負荷へ実質的な量の電流を吐き出すこ
とができる。好ましくは、第1のプルアップトランジス
タはトランジスタ16および20よりも電流を運ぶ容量
が小さい。そのようなものとして、吐き出し電流の大き
さはトランジスタ12の最初のターンオンからトランジ
スタ16および20の後段のかつ遅延されたターンオン
にかけて徐々につのり、トランジスタ16と20とはト
ランジスタ12よりも電流を運ぶ容量が大きくなるよう
に構成される。電流を運ぶ容量を異ならせることは、ト
ランジスタ12のゲート幅をトランジスタ16のゲート
幅よりも小さくサイズ決めすることで達成される。さら
に、トランジスタ16のゲート幅はトランジスタ20の
ゲート幅より狭くなるように設計される。各プルアップ
トランジスタ12、16および20は一般的に正常駆動
動作の間飽和領域の中またはその近くに置かれる。トラ
ンジスタ12、16および20の各々は、好ましくはそ
れぞれのゲート端子に実質的に等しい電圧の大きさを受
け取る。
はこの発明による出力バッファ回路10を示している。
バッファ10は、その3つの段が、好ましいというほど
でなければ適切な、設計を提供する多段出力ドライバを
含む。各ドライバ段はプルアップトランジスタおよびプ
ルダウントランジスタを含む。第1段は第1のプルアッ
プトランジスタ12および第1のプルダウントランジス
タ14を含む。第2のプルアップトランジスタ16と第
3のプルアップトランジスタ20とは第1のトランジス
タ12と並列に結合される。同様に、第2のプルダウン
トランジスタ18と第3のプルダウントランジスタ22
とは第1のプルダウントランジスタ14と並列に結合さ
れる。プルアップおよびプルダウントランジスタ12、
14、16、18、20および22は、出力端子24に
結合される出力負荷(図示せず)と入力端子26に結合
されるソース(図示せず)から受け取られる入力信号と
の間で電流分離を提供する。各プルアップトランジスタ
は第1の電源から負荷へ実質的な量の電流を吐き出すこ
とができる。好ましくは、第1のプルアップトランジス
タはトランジスタ16および20よりも電流を運ぶ容量
が小さい。そのようなものとして、吐き出し電流の大き
さはトランジスタ12の最初のターンオンからトランジ
スタ16および20の後段のかつ遅延されたターンオン
にかけて徐々につのり、トランジスタ16と20とはト
ランジスタ12よりも電流を運ぶ容量が大きくなるよう
に構成される。電流を運ぶ容量を異ならせることは、ト
ランジスタ12のゲート幅をトランジスタ16のゲート
幅よりも小さくサイズ決めすることで達成される。さら
に、トランジスタ16のゲート幅はトランジスタ20の
ゲート幅より狭くなるように設計される。各プルアップ
トランジスタ12、16および20は一般的に正常駆動
動作の間飽和領域の中またはその近くに置かれる。トラ
ンジスタ12、16および20の各々は、好ましくはそ
れぞれのゲート端子に実質的に等しい電圧の大きさを受
け取る。
【0014】その逆に、プルダウントランジスタ14、
18および22は負荷装置から第2の電源への電流を吸
い込み、第2の電源は一般的に第1の電源よりも電圧の
大きさが小さい。トランジスタ14は好ましくはトラン
ジスタ18および22よりもゲート幅が小さい。したが
って電流の吸い込みは段階的持続時間にわたって徐々に
起こる。電流を負荷へ吐き出すプルアップトランジスタ
12、16および20とは反対に、プルダウントランジ
スタ14、18および22は負荷から電流を吸い込むと
いうことを除けば、トランジスタ14,18および22
はトランジスタ12、16および20と同じように動作
する。負荷は一般的に第1および第2の電源の間の電圧
レベルで動作する。
18および22は負荷装置から第2の電源への電流を吸
い込み、第2の電源は一般的に第1の電源よりも電圧の
大きさが小さい。トランジスタ14は好ましくはトラン
ジスタ18および22よりもゲート幅が小さい。したが
って電流の吸い込みは段階的持続時間にわたって徐々に
起こる。電流を負荷へ吐き出すプルアップトランジスタ
12、16および20とは反対に、プルダウントランジ
スタ14、18および22は負荷から電流を吸い込むと
いうことを除けば、トランジスタ14,18および22
はトランジスタ12、16および20と同じように動作
する。負荷は一般的に第1および第2の電源の間の電圧
レベルで動作する。
【0015】連続するプルアップおよびプルダウントラ
ンジスタの段階的ターンオンは第1のプルアップまたは
プルダウンのトランジスタ12または14で開始され
る。ターンオンは、トランジスタ12または14のゲー
ト端子が活性化電圧の大きさを受け取ると始まる。その
後、セットされた遅延期間が経過すると連続する段のタ
ーンオンが起こる。ターンオン電圧の大きさはハイまた
はローの論理レベルのいずれかである。ここで言う「ト
ランジスタ」は、MOSおよびバイポーラ技術を含む異
なった技術の集積回路電界効果トランジスタ、FETを
含むということに注目することが重要である。適切なト
ランジスタ技術はCMOSを含み、p−チャネルトラン
ジスタはゲート端子に小さい円を示して表わされる。n
−チャネルトランジスタではゲート端子にそのような円
を示していない。
ンジスタの段階的ターンオンは第1のプルアップまたは
プルダウンのトランジスタ12または14で開始され
る。ターンオンは、トランジスタ12または14のゲー
ト端子が活性化電圧の大きさを受け取ると始まる。その
後、セットされた遅延期間が経過すると連続する段のタ
ーンオンが起こる。ターンオン電圧の大きさはハイまた
はローの論理レベルのいずれかである。ここで言う「ト
ランジスタ」は、MOSおよびバイポーラ技術を含む異
なった技術の集積回路電界効果トランジスタ、FETを
含むということに注目することが重要である。適切なト
ランジスタ技術はCMOSを含み、p−チャネルトラン
ジスタはゲート端子に小さい円を示して表わされる。n
−チャネルトランジスタではゲート端子にそのような円
を示していない。
【0016】直列に接続されたバッファ回路28を介し
て、およびパスゲート回路30を介して、ディジタル入
力信号が入力端子26へ送られる。バッファ回路28は
省かれてもよいものであり、回路10が機能するために
必要ではない。しかしながらもし使われたならば、バッ
ファ回路28は確かに入力端子26で見られる負荷を減
じるのに役立つ。パスゲート回路30はバッファ回路2
8ならびにトランジスタ38および44から出力を受け
取り、その後反転された信号をバッファ28、トランジ
スタ38および44からトランジスタ12または14の
ゲート端子へ送る。パスゲート回路30は、ゲート端子
をトライステート回路36の出力へ接続された2つのト
ランジスタ32および34を含む。パスゲート回路30
は、パスゲートトランジスタ32および34が能動化さ
れなければ、反転された入力信号が出力ドライバへ送ら
れることを許容しない。トランジスタ32と34とは、
トライステート回路への入力信号が非能動化論理レベル
(たとえば比較的低い論理状態)にあれば非活性化され
る。能動化論理信号のトライステート入力を達成するに
は多くの異なった形式が用いられ得る。そのような形式
の1つが、各インバータの出力で反対の論理レベルが生
成される2つの直列に接続されたインバータを含むもの
として、図1で示される。それぞれp−チャネルおよび
n−チャネルのトランジスタ32および34に接続され
ている反対の論理レベルは、トライステート回路36に
与えられる入力信号の論理状態に応じて確実に双方のト
ランジスタをオンにするまたは双方のトランジスタをオ
フにする。
て、およびパスゲート回路30を介して、ディジタル入
力信号が入力端子26へ送られる。バッファ回路28は
省かれてもよいものであり、回路10が機能するために
必要ではない。しかしながらもし使われたならば、バッ
ファ回路28は確かに入力端子26で見られる負荷を減
じるのに役立つ。パスゲート回路30はバッファ回路2
8ならびにトランジスタ38および44から出力を受け
取り、その後反転された信号をバッファ28、トランジ
スタ38および44からトランジスタ12または14の
ゲート端子へ送る。パスゲート回路30は、ゲート端子
をトライステート回路36の出力へ接続された2つのト
ランジスタ32および34を含む。パスゲート回路30
は、パスゲートトランジスタ32および34が能動化さ
れなければ、反転された入力信号が出力ドライバへ送ら
れることを許容しない。トランジスタ32と34とは、
トライステート回路への入力信号が非能動化論理レベル
(たとえば比較的低い論理状態)にあれば非活性化され
る。能動化論理信号のトライステート入力を達成するに
は多くの異なった形式が用いられ得る。そのような形式
の1つが、各インバータの出力で反対の論理レベルが生
成される2つの直列に接続されたインバータを含むもの
として、図1で示される。それぞれp−チャネルおよび
n−チャネルのトランジスタ32および34に接続され
ている反対の論理レベルは、トライステート回路36に
与えられる入力信号の論理状態に応じて確実に双方のト
ランジスタをオンにするまたは双方のトランジスタをオ
フにする。
【0017】さらに回路10に含まれているのは、第2
の電源と第1、第2および第3のプルダウントランジス
タ14、18および22のそれぞれのゲート端子との間
で結合される、第1、第2および第3のフィードフォワ
ードトランジスタ38、40および42である。同様
に、第4、第5および第6のフィードフォワードトラン
ジスタ44、46および48が、第1の電源と第1、第
2および第3のプルアップトランジスタ12、16およ
び20のそれぞれのゲート端子との間で結合される。第
1、第2および第3の不能化トランジスタ50、52お
よび54はトランジスタ38、40および42と並列に
結合され、トライステート回路36からの不能化出力信
号を受け取るよう適合される。反対の論理レベルの不能
化出力信号は第4、第5および第6の不能化トランジス
タ56、58および60をクロックする。不能化トラン
ジスタ56、58および60は、示されるようにトラン
ジスタ44、46および48と並列に結合される。
の電源と第1、第2および第3のプルダウントランジス
タ14、18および22のそれぞれのゲート端子との間
で結合される、第1、第2および第3のフィードフォワ
ードトランジスタ38、40および42である。同様
に、第4、第5および第6のフィードフォワードトラン
ジスタ44、46および48が、第1の電源と第1、第
2および第3のプルアップトランジスタ12、16およ
び20のそれぞれのゲート端子との間で結合される。第
1、第2および第3の不能化トランジスタ50、52お
よび54はトランジスタ38、40および42と並列に
結合され、トライステート回路36からの不能化出力信
号を受け取るよう適合される。反対の論理レベルの不能
化出力信号は第4、第5および第6の不能化トランジス
タ56、58および60をクロックする。不能化トラン
ジスタ56、58および60は、示されるようにトラン
ジスタ44、46および48と並列に結合される。
【0018】好ましくはn−チャネル装置であるフィー
ドフォワードトランジスタ38、40および42は、立
上がり縁入力信号を同時に受け取るように動作して、そ
れによりプルダウントランジスタ14、18および22
のゲート端子への第2の電源を実質的に送る。ゲート端
子に置かれた第2の電源は、立上がり縁入力の時間の間
にプルダウントランジスタ14、18および22を確実
に同時にオフにする。逆に、入力信号が立下がり縁入力
であれば、第4、第5および第6のフィードフォワード
トランジスタ44、46および48はトランジスタ1
2、16および20のゲートに同時に第1の電源を実質
的に与え、その結果それらを同時にオフにする。そのよ
うなものとして、フィードフォワードトランジスタ3
8、40、42、44、46および48は複数の反対の
ドライバをオフにするために働く。たとえば立上がり縁
入力が受け取られると、3つの反対のドライバのすべて
(プルダウントランジスタ14、18および22)が、
初段の所望されるプルアップトランジスタ12が活性化
されるのとほぼ同時にオフにされる。
ドフォワードトランジスタ38、40および42は、立
上がり縁入力信号を同時に受け取るように動作して、そ
れによりプルダウントランジスタ14、18および22
のゲート端子への第2の電源を実質的に送る。ゲート端
子に置かれた第2の電源は、立上がり縁入力の時間の間
にプルダウントランジスタ14、18および22を確実
に同時にオフにする。逆に、入力信号が立下がり縁入力
であれば、第4、第5および第6のフィードフォワード
トランジスタ44、46および48はトランジスタ1
2、16および20のゲートに同時に第1の電源を実質
的に与え、その結果それらを同時にオフにする。そのよ
うなものとして、フィードフォワードトランジスタ3
8、40、42、44、46および48は複数の反対の
ドライバをオフにするために働く。たとえば立上がり縁
入力が受け取られると、3つの反対のドライバのすべて
(プルダウントランジスタ14、18および22)が、
初段の所望されるプルアップトランジスタ12が活性化
されるのとほぼ同時にオフにされる。
【0019】後に続く、ドライバの第2および第3段の
ターンオンは、ドライバの間に置かれた遅延回路を用い
ることで達成される。立下がり入力電圧が受け取られる
と、初段のプルダウントランジスタ14が活性化され
る。トランジスタ14はそのゲート端子で論理ハイ入力
を受け取る。高いゲート電圧はローの入力信号がp−チ
ャネルトランジスタ44を活性化し、それにより第1の
電源から高い電圧を引き起こしてパスゲート30を介し
トランジスタ14のゲート端子に対して送られるように
することで達成される。トランジスタ14は、オンにな
ることにより立下がり入力遷移の間に電流の吸い込みを
開始する。プルダウントランジスタ14がオンになるの
と同時に、トランジスタ12、16および20はトラン
ジスタ44、46および48から非活性フィードフォワ
ード高電圧を受け取る。
ターンオンは、ドライバの間に置かれた遅延回路を用い
ることで達成される。立下がり入力電圧が受け取られる
と、初段のプルダウントランジスタ14が活性化され
る。トランジスタ14はそのゲート端子で論理ハイ入力
を受け取る。高いゲート電圧はローの入力信号がp−チ
ャネルトランジスタ44を活性化し、それにより第1の
電源から高い電圧を引き起こしてパスゲート30を介し
トランジスタ14のゲート端子に対して送られるように
することで達成される。トランジスタ14は、オンにな
ることにより立下がり入力遷移の間に電流の吸い込みを
開始する。プルダウントランジスタ14がオンになるの
と同時に、トランジスタ12、16および20はトラン
ジスタ44、46および48から非活性フィードフォワ
ード高電圧を受け取る。
【0020】立下がり入力遷移の間にトランジスタ14
が活性化された後、セットされた遅延期間が経過し、ト
ランジスタ18は第1のプルダウン遅延回路62から送
られた信号により活性化される。回路62は、トランジ
スタ14のゲート端子からの入力を受け取るように結合
される第1のインバータ回路66を含む。インバータ6
6は、トランジスタ14のゲート端子とトランジスタ1
8との間でのタイミングの遅れを提供する。回路62
は、第1の電源とトランジスタ18のゲート端子との間
で直列に結合される3つの積重ねられたトランジスタを
も含む。第1の積重ねられたトランジスタ68は、イン
バータ66からの出力を受け取るようゲート端子を適合
されている。第1の積重ねられたトランジスタ68は、
第2の積重ねられたトランジスタ70と直列にかつそれ
に隣接して置かれる。トランジスタ70は、ローレベル
の信号がインバータ66からトランジスタ68に送られ
るより僅かに早く立下がり入力信号を受け取る。ローレ
ベル入力は以前からトランジスタ70に存在しており、
ローレベル入力はトランジスタ68で受け取られるた
め、および第3の積重ねられたトランジスタ72がトラ
イステート回路36からロー論理レベルを受け取るなら
ば、直列に接続されたp−チャネルトランジスタによ
り、第1の電源とトランジスタ18のゲート端子との間
に確実に導電経路が形成される。したがって導電経路は
トランジスタ18のゲート端子に対してハイレベルの信
号を与え、トランジスタ14がオンになるのに続いてト
ランジスタ18がオンになるよう強制する。もちろん、
不能化トランジスタ52は非活性化されたままでなけれ
ばならず、トランジスタ68、70および72はトラン
ジスタ18が所望されるように遅れてオンになるように
ロー論理レベルを受け取らなくてはならない。
が活性化された後、セットされた遅延期間が経過し、ト
ランジスタ18は第1のプルダウン遅延回路62から送
られた信号により活性化される。回路62は、トランジ
スタ14のゲート端子からの入力を受け取るように結合
される第1のインバータ回路66を含む。インバータ6
6は、トランジスタ14のゲート端子とトランジスタ1
8との間でのタイミングの遅れを提供する。回路62
は、第1の電源とトランジスタ18のゲート端子との間
で直列に結合される3つの積重ねられたトランジスタを
も含む。第1の積重ねられたトランジスタ68は、イン
バータ66からの出力を受け取るようゲート端子を適合
されている。第1の積重ねられたトランジスタ68は、
第2の積重ねられたトランジスタ70と直列にかつそれ
に隣接して置かれる。トランジスタ70は、ローレベル
の信号がインバータ66からトランジスタ68に送られ
るより僅かに早く立下がり入力信号を受け取る。ローレ
ベル入力は以前からトランジスタ70に存在しており、
ローレベル入力はトランジスタ68で受け取られるた
め、および第3の積重ねられたトランジスタ72がトラ
イステート回路36からロー論理レベルを受け取るなら
ば、直列に接続されたp−チャネルトランジスタによ
り、第1の電源とトランジスタ18のゲート端子との間
に確実に導電経路が形成される。したがって導電経路は
トランジスタ18のゲート端子に対してハイレベルの信
号を与え、トランジスタ14がオンになるのに続いてト
ランジスタ18がオンになるよう強制する。もちろん、
不能化トランジスタ52は非活性化されたままでなけれ
ばならず、トランジスタ68、70および72はトラン
ジスタ18が所望されるように遅れてオンになるように
ロー論理レベルを受け取らなくてはならない。
【0021】第2のプルダウン遅延回路64は回路62
と類似の動作をする。第2の遅延回路64は、示される
ように直列に接続される第4、第5および第6の積重ね
られたトランジスタ74、76および78を用いる。第
1の電源とトランジスタ22のゲート端子との間の導電
経路は、ローレベルの入力がトランジスタ74、76お
よび78の各々で受け取られると形成される。しかし、
トランジスタ74に対するローレベル入力は、第2のイ
ンバータ回路80が論理ハイ入力を受け取った後まで起
こらない(すなわちインバータ80はトランジスタ18
が活性化されるまでローレベル出力を生成しない)。一
旦トランジスタ22が活性化されると、この発明の多段
プルダウン動作は完了する。
と類似の動作をする。第2の遅延回路64は、示される
ように直列に接続される第4、第5および第6の積重ね
られたトランジスタ74、76および78を用いる。第
1の電源とトランジスタ22のゲート端子との間の導電
経路は、ローレベルの入力がトランジスタ74、76お
よび78の各々で受け取られると形成される。しかし、
トランジスタ74に対するローレベル入力は、第2のイ
ンバータ回路80が論理ハイ入力を受け取った後まで起
こらない(すなわちインバータ80はトランジスタ18
が活性化されるまでローレベル出力を生成しない)。一
旦トランジスタ22が活性化されると、この発明の多段
プルダウン動作は完了する。
【0022】第1のプルアップ遅延回路82が、第1の
プルアップトランジスタ12のゲート端子と第2のプル
アップトランジスタ16との間に置かれて図1で示され
る。第1のプルアップ遅延回路82は第1および第2の
プルダウン遅延回路62および64と類似の素子を含
む。つまり、第1のプルアップ遅延回路82は第1のイ
ンバータ回路84ならびに第1、第2および第3の積重
ねられたトランジスタ86、88および90を含む。遅
延されたローレベル信号は、3つのトランジスタ86、
88および90のすべてが活性化されるとプルアップト
ランジスタ16のゲート端子に対して出される。トラン
ジスタ16のゲート端子に対してのローレベル入力はト
ランジスタ16をオンにし、出力端子24をプルアップ
する。第2のプルアップ遅延回路92は、第2のプルア
ップトランジスタ16および第3のプルアップトランジ
スタ20の間に置かれて示される。第2のプルアップ遅
延回路は第2のインバータ回路94ならびに第4、第5
および第6の積重ねられたトランジスタ96、98およ
び100を含む。回路92からの遅延されたローレベル
信号出力はプルアップトランジスタ20をオンにし、そ
れによりこの発明の多段プルアップ動作を完了させる。
プルアップトランジスタ12のゲート端子と第2のプル
アップトランジスタ16との間に置かれて図1で示され
る。第1のプルアップ遅延回路82は第1および第2の
プルダウン遅延回路62および64と類似の素子を含
む。つまり、第1のプルアップ遅延回路82は第1のイ
ンバータ回路84ならびに第1、第2および第3の積重
ねられたトランジスタ86、88および90を含む。遅
延されたローレベル信号は、3つのトランジスタ86、
88および90のすべてが活性化されるとプルアップト
ランジスタ16のゲート端子に対して出される。トラン
ジスタ16のゲート端子に対してのローレベル入力はト
ランジスタ16をオンにし、出力端子24をプルアップ
する。第2のプルアップ遅延回路92は、第2のプルア
ップトランジスタ16および第3のプルアップトランジ
スタ20の間に置かれて示される。第2のプルアップ遅
延回路は第2のインバータ回路94ならびに第4、第5
および第6の積重ねられたトランジスタ96、98およ
び100を含む。回路92からの遅延されたローレベル
信号出力はプルアップトランジスタ20をオンにし、そ
れによりこの発明の多段プルアップ動作を完了させる。
【0023】必要とされるノイズ減少の量に従って、3
段よりも多くの段を用いても、またはそれより少ない段
を用いてもよいことに注目することが重要である。たと
えばディジタル出力信号が大きなファンアウト負荷を駆
動しなければならない場合、比較的大きいドライバトラ
ンジスタが必要であろう。大きいドライバに伴う大きい
過渡を減じようとしてプルアップまたはプルダウン動作
の持続時間を広げるには、3つよりも多くの段が必要で
あろう。増大した持続時間はdi/dtを減少させ、そ
れにより電源のノイズ、オーバシュートおよびアンダシ
ュートを減少させる。
段よりも多くの段を用いても、またはそれより少ない段
を用いてもよいことに注目することが重要である。たと
えばディジタル出力信号が大きなファンアウト負荷を駆
動しなければならない場合、比較的大きいドライバトラ
ンジスタが必要であろう。大きいドライバに伴う大きい
過渡を減じようとしてプルアップまたはプルダウン動作
の持続時間を広げるには、3つよりも多くの段が必要で
あろう。増大した持続時間はdi/dtを減少させ、そ
れにより電源のノイズ、オーバシュートおよびアンダシ
ュートを減少させる。
【0024】回路10が動作するには、トライステート
回路が適切な論理信号を受け取って、選択された第3の
積重ねられたトランジスタと不能化トランジスタとを不
能化しなければならないということに注意することも重
要である。たとえばローレベル出力が所望される場合、
積重ねられたトランジスタ72および78は活性化さ
れ、積重ねられたトランジスタ90および100は非活
性化される。同様に、ローレベル出力は第4、第5およ
び第6の不能化トランジスタ56、58および60の活
性化ならびに第1、第2および第3の不能化トランジス
タ50、52および54の非活性化を必要とする。ハイ
レベル出力が所望される場合、反対の活性化と非活性化
とが起こる。
回路が適切な論理信号を受け取って、選択された第3の
積重ねられたトランジスタと不能化トランジスタとを不
能化しなければならないということに注意することも重
要である。たとえばローレベル出力が所望される場合、
積重ねられたトランジスタ72および78は活性化さ
れ、積重ねられたトランジスタ90および100は非活
性化される。同様に、ローレベル出力は第4、第5およ
び第6の不能化トランジスタ56、58および60の活
性化ならびに第1、第2および第3の不能化トランジス
タ50、52および54の非活性化を必要とする。ハイ
レベル出力が所望される場合、反対の活性化と非活性化
とが起こる。
【0025】回路10が立下がり縁入力信号102を受
け取る遷移時間の間の、回路10の例示的シミュレーシ
ョンの動作が図2で表わされる。低いレベルへの入力遷
移のすぐ後に、トランジスタ14のゲート端子と同様に
第1、第2および第3のプルアップトランジスタ12、
16および20のそれぞれのゲート端子における電圧が
曲線104で示されるように高いレベルへ遷移する。プ
ルアップp−チャネルトランジスタのゲートにおける高
レベル遷移により、プルアップトランジスタの3つの段
の各々は確実に非活性化される。第1のプルダウントラ
ンジスタ14のゲート端子における電圧は、プルアップ
トランジスタがオフにされるのと実質的に同時に高い状
態へ遷移する。トランジスタ12、14、16および2
0のゲート端子が比較的高いレベルの電圧値を受け取っ
た後の短い遅延期間に、第2のプルダウントランジスタ
18のゲート端子は曲線106で示されるように高いレ
ベルを受け取る。さらに、もう1つの遅延期間の後で、
曲線108で表示されるようにプルダウントランジスタ
22のゲート端子に対して高レベルが現われる。負荷装
置から第2の電源またはVSSへの吸い込み電流の加速
により、第2の電源曲線110に僅かなノイズオーバシ
ュート109が生じる。続いて、アンダシュート112
の減速が数ナノ秒後に起こる。図2で表わされる例示的
なシミュレーション結果から考えると、ピークのオーバ
シュートは理想的な電源レベル(すなわち0.0ボル
ト)からほぼ0.8ボルトのずれで第2の電源に現われ
る。ピークのアンダシュートはほぼ−0.3ボルトにな
って現われる。n−チャネルプルダウントランジスタ
の、対向するp−チャネルのターンオフに続く多段ター
ンオンは、第2の電源に対してのオーバシュートおよび
アンダシュートのノイズレベルを確実に比較的小さくす
る。
け取る遷移時間の間の、回路10の例示的シミュレーシ
ョンの動作が図2で表わされる。低いレベルへの入力遷
移のすぐ後に、トランジスタ14のゲート端子と同様に
第1、第2および第3のプルアップトランジスタ12、
16および20のそれぞれのゲート端子における電圧が
曲線104で示されるように高いレベルへ遷移する。プ
ルアップp−チャネルトランジスタのゲートにおける高
レベル遷移により、プルアップトランジスタの3つの段
の各々は確実に非活性化される。第1のプルダウントラ
ンジスタ14のゲート端子における電圧は、プルアップ
トランジスタがオフにされるのと実質的に同時に高い状
態へ遷移する。トランジスタ12、14、16および2
0のゲート端子が比較的高いレベルの電圧値を受け取っ
た後の短い遅延期間に、第2のプルダウントランジスタ
18のゲート端子は曲線106で示されるように高いレ
ベルを受け取る。さらに、もう1つの遅延期間の後で、
曲線108で表示されるようにプルダウントランジスタ
22のゲート端子に対して高レベルが現われる。負荷装
置から第2の電源またはVSSへの吸い込み電流の加速
により、第2の電源曲線110に僅かなノイズオーバシ
ュート109が生じる。続いて、アンダシュート112
の減速が数ナノ秒後に起こる。図2で表わされる例示的
なシミュレーション結果から考えると、ピークのオーバ
シュートは理想的な電源レベル(すなわち0.0ボル
ト)からほぼ0.8ボルトのずれで第2の電源に現われ
る。ピークのアンダシュートはほぼ−0.3ボルトにな
って現われる。n−チャネルプルダウントランジスタ
の、対向するp−チャネルのターンオフに続く多段ター
ンオンは、第2の電源に対してのオーバシュートおよび
アンダシュートのノイズレベルを確実に比較的小さくす
る。
【0026】図3は、第1、第2および第3のプルダウ
ントランジスタを介して現われる吸込電流の相対的変化
を表わす。第1のプルダウントランジスタ14を介して
現われる吸い込み電流は曲線120により示される。続
いての、第2および第3のプルダウントランジスタ18
および22を介して現われる吸い込み電流は、それぞれ
曲線122および124で表示される。吸い込み電流の
累積量は曲線126で示される。第2の電源に対し現わ
れる吸い込み電流はおよそ0.059アンペア(A)で
ある。時間(またはdi/dt)の関数としての吸い込
み電流における相対的変化は、図3で示される例示的シ
ミュレーション結果についてはおよそ59mA/2.5
nsとなって現われる。
ントランジスタを介して現われる吸込電流の相対的変化
を表わす。第1のプルダウントランジスタ14を介して
現われる吸い込み電流は曲線120により示される。続
いての、第2および第3のプルダウントランジスタ18
および22を介して現われる吸い込み電流は、それぞれ
曲線122および124で表示される。吸い込み電流の
累積量は曲線126で示される。第2の電源に対し現わ
れる吸い込み電流はおよそ0.059アンペア(A)で
ある。時間(またはdi/dt)の関数としての吸い込
み電流における相対的変化は、図3で示される例示的シ
ミュレーション結果についてはおよそ59mA/2.5
nsとなって現われる。
【0027】ここで図4と図5とを参照すると、立上が
り縁入力と結果として生じるプルアップトランジスタに
おける遅延されたターンオンとが示される。立上がり縁
入力信号128はプルダウントランジスタ14、18お
よび22ならびに第1のプルアップトランジスタ12の
ゲート端子で論理ロー遷移130をもたらすものとして
示される。遅延時間期間の後、第2のプルアップトラン
ジスタ16はそのゲート端子に現われる論理ロー遷移1
32により活性化される。続いて、もう1つの論理ロー
遷移132が第3のプルアップトランジスタ20のゲー
ト端子に現われる。第1の電源曲線136に対してのア
ンダシュート135は理想的な電源レベル(たとえば
4.5ボルト)よりおよそ0.8ボルト低いものとして
現われる。その後まもなく、第1の電源曲線136をほ
ぼ0.3ボルト上まわる曲線138に対し吐き出し電流
の減速がオーバシュートとして現われる。
り縁入力と結果として生じるプルアップトランジスタに
おける遅延されたターンオンとが示される。立上がり縁
入力信号128はプルダウントランジスタ14、18お
よび22ならびに第1のプルアップトランジスタ12の
ゲート端子で論理ロー遷移130をもたらすものとして
示される。遅延時間期間の後、第2のプルアップトラン
ジスタ16はそのゲート端子に現われる論理ロー遷移1
32により活性化される。続いて、もう1つの論理ロー
遷移132が第3のプルアップトランジスタ20のゲー
ト端子に現われる。第1の電源曲線136に対してのア
ンダシュート135は理想的な電源レベル(たとえば
4.5ボルト)よりおよそ0.8ボルト低いものとして
現われる。その後まもなく、第1の電源曲線136をほ
ぼ0.3ボルト上まわる曲線138に対し吐き出し電流
の減速がオーバシュートとして現われる。
【0028】図5は、曲線140、142および144
でそれぞれ示されるように第1、第2および第3のプル
アップトランジスタを介しての吐き出し電流の変化を時
間の関数として示す。第1の電源から負荷への累積した
吐き出し電流は曲線146でおよそ0.059mAの最
大電流値を有するものとして示される。したがって図3
と図5とを比較することで、かなりよく均衡のとれたプ
ルアップ吐き出し動作およびプルダウン吸い込み動作が
示される。加えて、時間(またはdi/dt)の関数と
しての吐き出し電流の変化は、図3で示されたdi/d
tと類似のほぼ59mA/2.5nsである。
でそれぞれ示されるように第1、第2および第3のプル
アップトランジスタを介しての吐き出し電流の変化を時
間の関数として示す。第1の電源から負荷への累積した
吐き出し電流は曲線146でおよそ0.059mAの最
大電流値を有するものとして示される。したがって図3
と図5とを比較することで、かなりよく均衡のとれたプ
ルアップ吐き出し動作およびプルダウン吸い込み動作が
示される。加えて、時間(またはdi/dt)の関数と
しての吐き出し電流の変化は、図3で示されたdi/d
tと類似のほぼ59mA/2.5nsである。
【0029】図2から5のグラフで表わされたシミュレ
ーション結果は、図1で示された装置のための特定のゲ
ートジオメトリまたは回路相互接続レイアウトを用いて
得られたものであることに注意することが重要である。
図解されたシミュレーションを生じるために、この例示
的実施例ではCMOS技術が選択されている。しかしな
がら、トランジスタのサイズおよび相互接続レイアウト
はユーザが要求するものに応じての目的とする結果を達
成するために変化させてもよい。さらに、変化する結果
を達成するためにバイポーラのような他の技術が図1で
示される1または2以上のCMOSFETの代用とされ
てもよい。
ーション結果は、図1で示された装置のための特定のゲ
ートジオメトリまたは回路相互接続レイアウトを用いて
得られたものであることに注意することが重要である。
図解されたシミュレーションを生じるために、この例示
的実施例ではCMOS技術が選択されている。しかしな
がら、トランジスタのサイズおよび相互接続レイアウト
はユーザが要求するものに応じての目的とする結果を達
成するために変化させてもよい。さらに、変化する結果
を達成するためにバイポーラのような他の技術が図1で
示される1または2以上のCMOSFETの代用とされ
てもよい。
【0030】この発明はバイポーラまたはMOS、エン
ハンスメントMOSトランジスタまたはディプリーショ
ンMOSトランジスタのいずれであってもよく、動作の
段が3つより少なくても多くてもよい、数々のタイプの
トランジスタでの応用が可能であると信じられていると
いうことは、この開示の利益を受ける当業者には認識さ
れるであろう。さらに、図示かつ説明されたこの発明の
形式は例示的な好ましい実施例として受け取られるべき
であるということも理解されたい。様々な変形と変更と
が特許請求の範囲で述べられたこの発明の精神および範
囲から逸脱することなくなされ得る。例示的な変形は、
回路28および36の代わりにバッファ入力回路または
トライステート回路の別の形式を用いるものであるかも
しれない。バッファ入力回路またはトライステート回路
は同じモノリシック回路上に置かれてもよいし、外部の
モノリシック回路上に置かれてもよい。さらに、図示さ
れた積重ねられたトランジスタの配列の代わりに積重ね
論理の他の形式が用いられてもよい。前掲の特許請求の
範囲は、ここで説明されるのと同じ機能を実質的に提供
するそのような変形および変更のすべてを包含すると解
釈されることが意図されている。
ハンスメントMOSトランジスタまたはディプリーショ
ンMOSトランジスタのいずれであってもよく、動作の
段が3つより少なくても多くてもよい、数々のタイプの
トランジスタでの応用が可能であると信じられていると
いうことは、この開示の利益を受ける当業者には認識さ
れるであろう。さらに、図示かつ説明されたこの発明の
形式は例示的な好ましい実施例として受け取られるべき
であるということも理解されたい。様々な変形と変更と
が特許請求の範囲で述べられたこの発明の精神および範
囲から逸脱することなくなされ得る。例示的な変形は、
回路28および36の代わりにバッファ入力回路または
トライステート回路の別の形式を用いるものであるかも
しれない。バッファ入力回路またはトライステート回路
は同じモノリシック回路上に置かれてもよいし、外部の
モノリシック回路上に置かれてもよい。さらに、図示さ
れた積重ねられたトランジスタの配列の代わりに積重ね
論理の他の形式が用いられてもよい。前掲の特許請求の
範囲は、ここで説明されるのと同じ機能を実質的に提供
するそのような変形および変更のすべてを包含すると解
釈されることが意図されている。
【図1】この発明による出力バッファ回路の回路図であ
る。
る。
【図2】この発明による、立下がり縁出力の間のプルア
ップおよびプルダウントランジスタのスイッチング波形
ならびにそれに関連の第2の電源のノイズを示す図であ
る。
ップおよびプルダウントランジスタのスイッチング波形
ならびにそれに関連の第2の電源のノイズを示す図であ
る。
【図3】この発明による、時間の関数としての各プルダ
ウントランジスタ段を介しての吸い込み電流波形の変化
を示す図である。
ウントランジスタ段を介しての吸い込み電流波形の変化
を示す図である。
【図4】この発明による、立上がり縁出力の間のプルア
ップおよびプルダウントランジスタのスイッチング波形
ならびにそれに関連の第1の電源のノイズを示す図であ
る。
ップおよびプルダウントランジスタのスイッチング波形
ならびにそれに関連の第1の電源のノイズを示す図であ
る。
【図5】この発明による、時間の関数としての各プルア
ップトランジスタ段を介しての吐き出し電流波形の変化
を示す図である。
ップトランジスタ段を介しての吐き出し電流波形の変化
を示す図である。
10 出力バッファ回路 12 第1のプルアップトランジスタ 14 第1のプルダウントランジスタ 16 第2のプルアップトランジスタ 18 第2のプルダウントランジスタ 20 第3のプルアップトランジスタ 22 第3のプルダウントランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 17/687 19/003 Z 8941−5J 7436−5J H03K 17/687 F
Claims (20)
- 【請求項1】 第1の電源と出力端子との間で並列に接
続される、第1、第2および第3のプルアップトランジ
スタと、 第2の電源と前記出力端子との間で並列に接続される、
第1、第2および第3のプルダウントランジスタと、 前記第1のプルダウントランジスタがオンにされるのと
実質的に同時に、前記第1、第2および第3のプルアッ
プトランジスタをオフにするためのフィードフォワード
回路手段と、 前記第1のプルダウントランジスタがオンになるのに対
して前記第2のプルダウントランジスタがオンになるの
を遅延させるための第1のプルダウン遅延手段と、 前記第2のプルダウントランジスタがオンになるのに対
して前記第3のプルダウントランジスタがオンになるの
を遅延させるための第2のプルダウン遅延手段とを含
む、出力バッファ回路。 - 【請求項2】 前記第1のプルアップトランジスタのゲ
ート端子および前記第1のプルダウントランジスタのゲ
ート端子に接続されるパスゲート回路と、 出力が前記パスゲート回路に結合されて、前記パスゲー
ト回路がディジタル入力信号を受け取ることができるよ
うにし、かつ前記入力信号を前記第1のプルアップトラ
ンジスタのゲート端子と前記第1のプルダウントランジ
スタのゲート端子とへ送るためのトライステート手段と
をさらに含む、請求項1に記載の出力バッファ回路。 - 【請求項3】 前記トライステート回路は1対の直列に
接続されるインバータを含み、前記1対のインバータの
一方は前記1対のインバータの他方により生成される論
理レベルと反対の論理レベルの不能化出力ディジタル信
号を生成することができる、請求項2に記載の出力バッ
ファ回路。 - 【請求項4】 前記第1のプルダウン遅延手段は、 前記第1のプルダウントランジスタのゲート端子と第1
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される、第1のインバータ回路を含み、 前記第1の積重ねられたトランジスタは、第2および第
3の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
1、第2および第3の積重ねられたトランジスタは前記
第2のプルダウントランジスタのゲート端子と前記第1
の電源との間で結合され、 前記第2の積重ねられたトランジスタはディジタル入力
信号を受け取るよう適合され、 前記第3の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項1に記
載の出力バッファ回路。 - 【請求項5】 前記第2のプルダウン遅延手段は、 前記第2のプルダウントランジスタのゲート端子と第4
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される第2のインバータ回路を含み、 前記第4の積重ねられたトランジスタは第5および第6
の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
4、第5および第6の積重ねられたトランジスタは前記
第3のプルダウントランジスタのゲート端子と前記第1
の電源との間で結合され、 前記第5の積重ねられたトランジスタはディジタル入力
信号を受け取るよう適合され、 前記第6の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項1に記
載の出力バッファ回路。 - 【請求項6】 前記第1、第2および第3のプルダウン
トランジスタはゲート幅の異なるFETn−チャネルト
ランジスタであり、前記第1のプルダウントランジスタ
のゲート幅は前記第2のプルダウントランジスタのゲー
ト幅より狭く、前記第2のプルダウントランジスタのゲ
ート幅は前記第3のプルダウントランジスタのゲート幅
より狭い、請求項1に記載の出力バッファ回路。 - 【請求項7】 前記フィードフォワード回路手段は、 第1、第2および第3のフィードフォワードトランジス
タを含み、前記第1、第2および第3のフィードフォワ
ードトランジスタの各々は、 ディジタル入力信号を受け取るよう適合されるゲート端
子と、 前記入力信号により変えられる導電経路とを含み、さら
に第1、第2および第3のフィードフォワードトランジ
スタの前記導電経路は前記第2の電源と前記第1、第2
および第3のプルダウントランジスタのゲート端子との
間でそれぞれ結合され、前記フィードフォワード回路手
段はさらに第1、第2および第3の不能化トランジスタ
を含み、第1、第2および第3の不能化トランジスタの
各々は、 トライステート手段から生成される不能化ディジタル信
号を受け取るよう適合されるゲート端子と、 前記不能化信号により変えられる導電経路とを含み、さ
らに第1、第2および第3の不能化トランジスタの前記
導電経路は、それぞれ前記第1、第2および第3のフィ
ードフォワードトランジスタと並列に結合される、請求
項1に記載の出力バッファ回路。 - 【請求項8】 第1の電源と出力端子との間で並列に接
続される、第1、第2および第3のプルアップトランジ
スタと、 第2の電源と前記出力端子との間で並列に接続される、
第1、第2および第3のプルダウントランジスタと、 前記第1のプルアップトランジスタがオンにされるのと
実質的に同時に、前記第1、第2および第3のプルダウ
ントランジスタをオフにするためのフィードフォワード
回路手段と、 前記第1のプルアップトランジスタがオンになるのに対
して前記第2のプルアップトランジスタがオンになるの
を遅延させるための第1のプルアップ遅延手段と、 前記第2のプルアップトランジスタがオンになるのに対
して前記第3のプルアップトランジスタがオンになるの
を遅延させるための第2のプルアップ遅延手段とを含
む、出力バッファ回路。 - 【請求項9】 前記第1のプルアップトランジスタのゲ
ート端子と前記第1のプルダウントランジスタのゲート
端子とに接続されるパスゲート回路と、 出力が前記パスゲート回路に結合されて、前記パスゲー
ト回路がディジタル入力信号を受け取ることができるよ
うにし、かつ前記入力信号を前記第1のプルアップトラ
ンジスタのゲート端子と前記第1のプルダウントランジ
スタのゲート端子とへ送るためのトライステート手段と
をさらに含む、請求項8に記載の出力バッファ回路。 - 【請求項10】 前記トライステート手段は1対の直列
に接続されるインバータを含み、前記1対のインバータ
のうち一方は前記1対のインバータの他方により生成さ
れる論理レベルと反対の論理レベルの不能化出力ディジ
タル信号を生成することができる、請求項9に記載の出
力バッファ回路。 - 【請求項11】 前記第1のプルアップ遅延手段は、 前記第1のプルアップトランジスタのゲート端子と第1
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される第1のインバータ回路を含み、 前記第1の積重ねられたトランジスタは、第2および第
3の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
1、第2および第3の積重ねられたトランジスタは前記
第2のプルアップトランジスタのゲート端子と前記第2
の電源との間で結合され、 前記第2の積重ねられたトランジスタはディジタル入力
信号を受け取るよう適合され、 前記第3の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項8に記
載の出力バッファ回路。 - 【請求項12】 前記第2のプルアップ遅延手段は、 前記第2のプルアップトランジスタのゲート端子と第4
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される第2のインバータ回路を含み、 前記第4の積重ねられたトランジスタは第5および第6
の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
4、第5および第6の積重ねられたトランジスタは前記
第3のプルアップトランジスタのゲート端子と前記第2
の電源との間で結合され、 前記第5の積重ねられたトランジスタはディジタル入力
信号を受け取るよう適合され、 前記第6の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項8に記
載の出力バッファ回路。 - 【請求項13】 前記第1、第2および第3のプルダウ
ントランジスタはゲート幅の異なるFETp−チャネル
トランジスタであり、前記第1のプルダウントランジス
タのゲート幅は前記第2のプルダウントランジスタのゲ
ート幅より狭く、前記第2のプルダウントランジスタの
ゲート幅は前記第3のプルダウントランジスタのゲート
幅より狭い、請求項8に記載の出力バッファ回路。 - 【請求項14】 前記フィードフォワード回路手段は、 第4、第5および第6のフィードフォワードトランジス
タを含み、第4、第5および第6のフィードフォワード
トランジスタの各々は、 ディジタル入力信号を受け取るよう適合されるゲート端
子と、 前記入力信号により変えられる導電経路とを含み、さら
に第4、第5および第6のフィードフォワードトランジ
スタの前記導電経路は前記第1の電源と前記第1、第2
および第3のプルアップトランジスタのゲート端子との
間でそれぞれ結合され、前記フィードフォワード回路は
さらに、 第4、第5および第6の不能化トランジスタを含み、第
4、第5および第6の不能化トランジスタの各々は、 トライステート手段から生成される不能化ディジタル信
号を受け取るよう適合されるゲート端子と、 前記不能化信号により変えられる導電経路とを含み、さ
らに第4、第5および第6の不能化トランジスタの前記
導電経路はそれぞれ前記第4、第5および第6のフィー
ドフォワードトランジスタと並列に結合される、請求項
8に記載の出力バッファ回路。 - 【請求項15】 相対的に高いディジタル入力信号に応
答して、バッファされた、相対的に高いディジタル出力
信号を発生させるための出力バッファ回路であって、 第1の電源と出力端子との間で並列に接続されて前記高
いディジタル出力信号を受け取ることができる第1、第
2および第3のプルアップトランジスタを含み、前記プ
ルアップトランジスタの各々はゲート端子を有し、さら
に第2の電源と前記出力端子との間で並列に接続されて
前記高いディジタル出力信号を受け取ることができる、
第1、第2および第3のプルダウントランジスタを含
み、前記プルダウントランジスタの各々はゲート端子を
有し、さらに前記第1のプルアップトランジスタのゲー
ト端子と前記第1のプルダウントランジスタのゲート端
子とに接続されるパスゲート回路と、 出力を前記パスゲート回路に結合されて前記パスゲート
回路が前記高いディジタル入力信号を受け取り、前記入
力信号を前記第1のプルアップトランジスタのゲート端
子と前記第1のプルダウントランジスタのゲート端子と
へ送ることができるようにするためのトライステート手
段と、 前記高いディジタル入力信号を受け取り、かつ前記第
1、第2および第3のプルダウントランジスタをオフに
することと前記第1のプルアップトランジスタをオンに
することとを実質的に同時に行なうためのフィードフォ
ワード回路手段とを含み、前記フィードフォワード回路
手段は、 第1、第2および第3のフィードフォワードトランジス
タを含み、第1、第2および第3のフィードフォワード
トランジスタの各々は、 前記高いディジタル入力信号を実質的に同時に受け取る
よう適合されるゲート端子と、 前記高いディジタル入力信号により変えられる導電経路
とを含み、 第1、第2および第3のフィードフォワードトランジス
タの前記導電経路は、前記第2の電源と前記第1、第2
および第3のプルダウントランジスタのゲート端子との
間でそれぞれ結合され、前記出力バッファ回路はさらに
前記第1のプルダウントランジスタがオンになるのに対
して前記第2のプルダウントランジスタがオンになるの
を遅延させるための第1のプルダウン遅延手段と、 前記第2のプルダウントランジスタがオンになるのに対
して前記第3のプルダウントランジスタがオンになるの
を遅延させるための第2のプルダウン遅延手段とを含
む、出力バッファ回路。 - 【請求項16】 前記第1のプルダウン遅延手段は、 前記第1のプルダウントランジスタのゲート端子と第1
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される第1のインバータ回路を含み、 前記第1の積重ねられたトランジスタは第2および第3
の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
1、第2および第3の積重ねられたトランジスタは前記
第2のプルダウントランジスタのゲート端子と前記第1
の電源との間で結合され、 前記第2の積重ねられたトランジスタはディジタル入力
信号を受け取るよう適合され、 前記第3の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項15に
記載の出力バッファ回路。 - 【請求項17】 前記第2のプルダウン遅延手段は、 前記第2のプルダウントランジスタのゲート端子と第4
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される第2のインバータ回路を含み、 前記第4の積重ねられたトランジスタは第5および第6
の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
4、第5および第6の積重ねられたトランジスタは前記
第3のプルダウントランジスタのゲート端子と前記第1
の電源との間で結合され、 前記第5の積重ねられたトランジスタは前記高い入力信
号を受け取るよう適合され、 前記第6の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項15に
記載の出力バッファ回路。 - 【請求項18】 相対的に低いディジタル入力信号に応
答して、バッファされた、相対的に低いディジタル出力
信号を発生させるための出力バッファ回路であって、 第1の電源と出力端子との間で並列に接続されて前記低
いディジタル出力信号を受け取ることができる、第1、
第2および第3のプルアップトランジスタを含み、前記
プルアップトランジスタの各々はゲート端子を有し、さ
らに第2の電源と前記出力端子との間で並列に接続され
て前記低いディジタル出力信号を受け取ることができ
る、第1、第2および第3のプルダウントランジスタを
含み、前記プルダウントランジスタの各々はゲート端子
を有し、さらに前記第1のプルアップトランジスタのゲ
ート端子と前記第1のプルダウントランジスタのゲート
端子とへ接続されるパスゲート回路と、 出力を前記パスゲート回路に結合されて前記パスゲート
回路が前記低いディジタル入力信号を受け取り、前記入
力信号を前記第1のプルアップトランジスタのゲート端
子と前記第1のプルダウントランジスタのゲート端子と
へ送ることができるようにするためのトライステート手
段と、 前記低いディジタル入力信号を受け取り、前記第1、第
2および第3のプルアップトランジスタをオフにするこ
とと前記第1のプルダウントランジスタをオンにするこ
ととを実質的に同時に行なうためのフィードフォワード
回路手段とを含み、前記フィードフォワード回路手段
は、 第4、第5および第6のフィードフォワードトランジス
タを含み、第4、第5および第6のフィードフォワード
トランジスタの各々は、 前記低いディジタル入力信号を実質的に同時に受け取る
よう適合されるゲート端子と、 前記低いディジタル入力信号により変えられる導電経路
とを含み、さらに第4、第5および第6のフィードフォ
ワードトランジスタの前記導電経路は前記第1の電源と
前記第1、第2および第3のプルアップトランジスタの
ゲート端子との間でそれぞれ結合され、前記出力バッフ
ァ回路はさらに前記第1のプルアップトランジスタがオ
ンになるのに対して前記第2のプルアップトランジスタ
がオンになるのを遅延させるための第1のプルアップ遅
延手段と、 前記第2のプルアップトランジスタがオンになるのに対
して前記第3のプルアップトランジスタがオンになるの
を遅延させるための第2のプルアップ遅延手段とを含
む、出力バッファ回路。 - 【請求項19】 前記第1のプルアップ遅延手段は、 前記第1のプルダウントランジスタのゲート端子と第1
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される第1のインバータ回路を含み、 前記第1の積重ねられたトランジスタは第2および第3
の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
1、第2および第3の積重ねられたトランジスタは前記
第2のプルアップトランジスタのゲート端子と前記第2
の電源との間で結合され、 前記第2の積重ねられたトランジスタはディジタル入力
信号を受け取るよう適合され、 前記第3の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項18に
記載の出力バッファ回路。 - 【請求項20】 前記第2のプルアップ遅延手段は、 前記第2のプルダウントランジスタのゲート端子と第4
の積重ねられたトランジスタのゲート端子との間で結合
される第2のインバータ回路を含み、 前記第4の積重ねられたトランジスタは第5および第6
の積重ねられたトランジスタと直列に置かれ、前記第
4、第5および第6の積重ねられたトランジスタは前記
第3のプルダウントランジスタのゲート端子と前記第1
の電源との間で結合され、 前記第5の積重ねられたトランジスタは前記高い入力信
号を受け取るよう適合され、 前記第6の積重ねられたトランジスタはトライステート
手段から出力を受け取るよう適合される、請求項18に
記載の出力バッファ回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US07/976,264 US5329175A (en) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | Reduced noise, low power, high speed output buffer |
US976264 | 1992-11-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216749A true JPH06216749A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=25523933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5279731A Withdrawn JPH06216749A (ja) | 1992-11-13 | 1993-11-09 | 出力バッファ回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5329175A (ja) |
EP (1) | EP0597590B1 (ja) |
JP (1) | JPH06216749A (ja) |
DE (1) | DE69317213T2 (ja) |
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---|---|---|---|
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