JPH06216699A - 酸化亜鉛圧電結晶膜 - Google Patents
酸化亜鉛圧電結晶膜Info
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- JPH06216699A JPH06216699A JP536593A JP536593A JPH06216699A JP H06216699 A JPH06216699 A JP H06216699A JP 536593 A JP536593 A JP 536593A JP 536593 A JP536593 A JP 536593A JP H06216699 A JPH06216699 A JP H06216699A
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- Japan
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- zinc oxide
- substrate
- crystal film
- piezoelectric crystal
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｒ面サファイア基板上に、ｃ軸が基板表面に
平行に配向するように成長された酸化亜鉛圧電結晶膜に
おいて、酸化亜鉛圧電結晶膜の配向性を高める。 【構成】 酸化亜鉛圧電結晶膜をスパッタにより形成す
るとき、Ｚｎターゲット中に、Ｚｎに対して５ｗｔ％以
下のニッケル、または４．５ｗｔ％以下の鉄を添加す
る。
平行に配向するように成長された酸化亜鉛圧電結晶膜に
おいて、酸化亜鉛圧電結晶膜の配向性を高める。 【構成】 酸化亜鉛圧電結晶膜をスパッタにより形成す
るとき、Ｚｎターゲット中に、Ｚｎに対して５ｗｔ％以
下のニッケル、または４．５ｗｔ％以下の鉄を添加す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｒ面サファイア基板
上に、ｃ軸が基板表面に平行に配向するように成長され
た酸化亜鉛圧電結晶膜に関するもので、特に、配向性を
向上させるための改良に関するものである。
上に、ｃ軸が基板表面に平行に配向するように成長され
た酸化亜鉛圧電結晶膜に関するもので、特に、配向性を
向上させるための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表面波デバイス用圧電基板の一典型例と
して、非圧電基板上に圧電結晶膜を設けたものがある。
このような形式の表面波基板において、非圧電基板とし
てサファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）を用い、他方、圧電結
晶膜として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いて構成した表面波
基板が知られている。
して、非圧電基板上に圧電結晶膜を設けたものがある。
このような形式の表面波基板において、非圧電基板とし
てサファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）を用い、他方、圧電結
晶膜として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いて構成した表面波
基板が知られている。
【０００３】図２には、このように、サファイア基板１
上にＺｎＯ圧電結晶膜２を設けてなる表面波基板３が示
されている。この表面波基板３において、サファイア基
板１として、
上にＺｎＯ圧電結晶膜２を設けてなる表面波基板３が示
されている。この表面波基板３において、サファイア基
板１として、
【０００４】
【外１】
【０００５】Ｒ面サファイアを用いたとき、
【０００６】
【外２】
【０００７】のＺｎＯ圧電結晶膜２が成長することが知
られている。このとき、ＺｎＯとα−Ａｌ2 Ｏ3 とが、
られている。このとき、ＺｎＯとα−Ａｌ2 Ｏ3 とが、
【０００８】
【外３】
【０００９】のように結晶面が配向し、かつ、図２に矢
印で示すように、
印で示すように、
【００１０】
【外４】
【００１１】のように結晶軸が揃うとき、すなわち、Ｚ
ｎＯのｃ軸（［０００１］方向）がサファイア基板１の
基板面に平行にエピタキシャル成長するとき、表面波基
板３は、高音速かつ高結合を与えることが知られてい
る。
ｎＯのｃ軸（［０００１］方向）がサファイア基板１の
基板面に平行にエピタキシャル成長するとき、表面波基
板３は、高音速かつ高結合を与えることが知られてい
る。
【００１２】サファイア上に、ＺｎＯエピタキシャル膜
を作製する場合、通常、化学輸送法、ＣＶＤ法またはス
パッタ法が用いられ、特に、これらのうちで、スパッタ
法がより広く用いられている。
を作製する場合、通常、化学輸送法、ＣＶＤ法またはス
パッタ法が用いられ、特に、これらのうちで、スパッタ
法がより広く用いられている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、たとえばスパ
ッタリングにより、純粋なＺｎＯ薄膜をＲ面サファイア
基板上に形成した場合、ＺｎＯ薄膜におけるｃ軸は基板
表面に対しある程度揃っている、言い換えれば、ある程
度の配向性は達せられるものの、このようなＺｎＯ薄膜
をもって構成した表面波デバイス用圧電基板を実用に供
するためには、その配向性は未だ不十分であった。たと
えば、圧電性が不十分で、電気機械結合係数などの特性
が予定より小さいという問題があった。
ッタリングにより、純粋なＺｎＯ薄膜をＲ面サファイア
基板上に形成した場合、ＺｎＯ薄膜におけるｃ軸は基板
表面に対しある程度揃っている、言い換えれば、ある程
度の配向性は達せられるものの、このようなＺｎＯ薄膜
をもって構成した表面波デバイス用圧電基板を実用に供
するためには、その配向性は未だ不十分であった。たと
えば、圧電性が不十分で、電気機械結合係数などの特性
が予定より小さいという問題があった。
【００１４】それゆえに、この発明は、上述したような
Ｒ面サファイア基板上にエピタキシャル成長される酸化
亜鉛圧電結晶膜において、その結晶配向性の向上を図ろ
うとすることを目的としている。
Ｒ面サファイア基板上にエピタキシャル成長される酸化
亜鉛圧電結晶膜において、その結晶配向性の向上を図ろ
うとすることを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｒ面サファ
イア基板上に、ｃ軸が基板表面に平行に配向するように
成長された酸化亜鉛圧電結晶膜に向けられるものであっ
て、その酸化亜鉛圧電結晶膜が遷移金属を含んでいるこ
とを特徴としている。
イア基板上に、ｃ軸が基板表面に平行に配向するように
成長された酸化亜鉛圧電結晶膜に向けられるものであっ
て、その酸化亜鉛圧電結晶膜が遷移金属を含んでいるこ
とを特徴としている。
【００１６】上述した遷移金属としては、たとえば、ニ
ッケルまたは鉄が用いられる。ニッケルが用いられる場
合、その含有率は、亜鉛に対して５ｗｔ％以下に選ばれ
るのが好ましく、鉄が用いられる場合、その含有率は、
亜鉛に対して４．５ｗｔ％以下に選ばれるのが好まし
い。
ッケルまたは鉄が用いられる。ニッケルが用いられる場
合、その含有率は、亜鉛に対して５ｗｔ％以下に選ばれ
るのが好ましく、鉄が用いられる場合、その含有率は、
亜鉛に対して４．５ｗｔ％以下に選ばれるのが好まし
い。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、以下の実施例の説明
から明らかになるように、ニッケルまたは鉄のような遷
移金属を含有させることにより、酸化亜鉛圧電結晶膜が
優れた配向性を示すことがわかった。
から明らかになるように、ニッケルまたは鉄のような遷
移金属を含有させることにより、酸化亜鉛圧電結晶膜が
優れた配向性を示すことがわかった。
【００１８】それゆえに、この発明によれば、酸化亜鉛
圧電結晶膜をもって構成した表面波基板を、表面波デバ
イスにおいて実用することが可能になる。
圧電結晶膜をもって構成した表面波基板を、表面波デバ
イスにおいて実用することが可能になる。
【００１９】
【実施例】前述した図２に示すように、Ｒ面サファイア
基板１上に、
基板１上に、
【００２０】
【外５】
【００２１】ＺｎＯエピタキシャル圧電結晶膜２を形成
する方法としては、前述したように、化学輸送法、ＣＶ
Ｄ法またはスパッタ法があるが、特にスパッタ法によれ
ば、より低温で、表面平坦性が優れかつ結晶的にも良質
なＺｎＯエピタキシャル膜を得ることができる。
する方法としては、前述したように、化学輸送法、ＣＶ
Ｄ法またはスパッタ法があるが、特にスパッタ法によれ
ば、より低温で、表面平坦性が優れかつ結晶的にも良質
なＺｎＯエピタキシャル膜を得ることができる。
【００２２】図３は、ＲＦマグネトロンスパッタ装置４
を示している。スパッタ装置４は、気密容器５を備え、
気密容器５には、ガス導入口６および排気口７が設けら
れる。気密容器５内には、基板８とターゲット９とが対
向して配置され、基板８の上面に位置する陽極（図示せ
ず）とターゲット９の下面に位置する陰極（図示せず）
との間に、高周波（ＲＦ）電源１０から高周波電圧が印
加される。ターゲット９の下方には、マグネット１１が
位置される。
を示している。スパッタ装置４は、気密容器５を備え、
気密容器５には、ガス導入口６および排気口７が設けら
れる。気密容器５内には、基板８とターゲット９とが対
向して配置され、基板８の上面に位置する陽極（図示せ
ず）とターゲット９の下面に位置する陰極（図示せず）
との間に、高周波（ＲＦ）電源１０から高周波電圧が印
加される。ターゲット９の下方には、マグネット１１が
位置される。
【００２３】上述したスパッタ装置４によるスパッタリ
ングにおいて、ＺｎＯセラミックまたはＺｎメタルで構
成されたターゲット９が、ガス導入口６から導入された
アルゴンなどの粒子で叩き、飛び出した酸化亜鉛粒子を
基板８上に、または、飛び出した亜鉛粒子を酸素ガスと
反応させ酸化亜鉛とし、それを基板８上に付着させるこ
とが行なわれる。
ングにおいて、ＺｎＯセラミックまたはＺｎメタルで構
成されたターゲット９が、ガス導入口６から導入された
アルゴンなどの粒子で叩き、飛び出した酸化亜鉛粒子を
基板８上に、または、飛び出した亜鉛粒子を酸素ガスと
反応させ酸化亜鉛とし、それを基板８上に付着させるこ
とが行なわれる。
【００２４】以下に説明する実験では、ターゲット９と
して、純粋なＺｎメタルからなるものと、Ｚｎメタルタ
ーゲットの中にニッケルまたは鉄をドープしたものを用
い、スパッタ装置４によるＲＦマグネトロンスパッタに
より、種々のスパッタ条件で、Ｒ面サファイアからなる
基板８上に、ＺｎＯ薄膜を形成した。上述したスパッタ
条件に関して、ＲＦパワー、基板加熱温度およびガス
（Ａｒ：Ｏ2 ＝５０：５０）圧を変化させた。
して、純粋なＺｎメタルからなるものと、Ｚｎメタルタ
ーゲットの中にニッケルまたは鉄をドープしたものを用
い、スパッタ装置４によるＲＦマグネトロンスパッタに
より、種々のスパッタ条件で、Ｒ面サファイアからなる
基板８上に、ＺｎＯ薄膜を形成した。上述したスパッタ
条件に関して、ＲＦパワー、基板加熱温度およびガス
（Ａｒ：Ｏ2 ＝５０：５０）圧を変化させた。
【００２５】また、得られたＺｎＯ薄膜の評価方法とし
て、Ｘ線ディフラクトメータ法を用いた。これは、試料
にＸ線を照射して得られた回折波により結晶性を評価す
るものである。この実験例で得られたＺｎＯエピタキシ
ャル膜では、基板に平行な結晶面、すなわち
て、Ｘ線ディフラクトメータ法を用いた。これは、試料
にＸ線を照射して得られた回折波により結晶性を評価す
るものである。この実験例で得られたＺｎＯエピタキシ
ャル膜では、基板に平行な結晶面、すなわち
【００２６】
【外６】
【００２７】からの回折波によるピークが得られ、その
ピークの強度が強いほど、また、ピークの高さの半分の
位置でのピーク幅、すなわち半値幅が小さいほど、配向
性が良い、言い換えれば、結晶面がより平行に揃った良
質な膜であることを示す。
ピークの強度が強いほど、また、ピークの高さの半分の
位置でのピーク幅、すなわち半値幅が小さいほど、配向
性が良い、言い換えれば、結晶面がより平行に揃った良
質な膜であることを示す。
【００２８】以下の表１には、純粋なＺｎターゲットと
ＮｉをＺｎに対して３ｗｔ％ドープしたＺｎターゲット
（Ｚｎ−Ｎｉターゲット）とをそれぞれ用い、種々のス
パッタ条件で成膜し、それらをＸ線ディフラクトメータ
法で分析したときの
ＮｉをＺｎに対して３ｗｔ％ドープしたＺｎターゲット
（Ｚｎ−Ｎｉターゲット）とをそれぞれ用い、種々のス
パッタ条件で成膜し、それらをＸ線ディフラクトメータ
法で分析したときの
【００２９】
【外７】
【００３０】回折ピークの強度および半値幅をそれぞれ
比較したものが示されている。
比較したものが示されている。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１からわかるように、どのスパッタ条件
で作製したＺｎＯ薄膜においても、ニッケルをドープし
たターゲットを用いた方が、回折ピーク強度が強く、ま
た、ピークの半値幅が小さく、それゆえに、結晶的に優
れているといえる。
で作製したＺｎＯ薄膜においても、ニッケルをドープし
たターゲットを用いた方が、回折ピーク強度が強く、ま
た、ピークの半値幅が小さく、それゆえに、結晶的に優
れているといえる。
【００３３】また、このようなＺｎＯ／サファイア基板
を、表面波基板材料として用いる場合、実用的には、回
折ピークの半値幅は、０．８°程度より小さいことが好
ましい。その点において、純粋なＺｎターゲットを用い
た場合には、行なったすべてのスパッタ条件において実
用性に優れたものが得られていない。これに対して、ニ
ッケルをドープした場合には、適当なスパッタ条件で、
十分実用性のあるＺｎＯエピタキシャル膜が得られてい
る。
を、表面波基板材料として用いる場合、実用的には、回
折ピークの半値幅は、０．８°程度より小さいことが好
ましい。その点において、純粋なＺｎターゲットを用い
た場合には、行なったすべてのスパッタ条件において実
用性に優れたものが得られていない。これに対して、ニ
ッケルをドープした場合には、適当なスパッタ条件で、
十分実用性のあるＺｎＯエピタキシャル膜が得られてい
る。
【００３４】以下の表２は、表１に示したスパッタ条件
のうちで、回折ピークの半値幅が最も小さかったスパッ
タ条件、すなわち条件５（ＲＦパワー：１ｋＷ；基板温
度：２００℃；ガス圧：７．６×１０-3Ｔｏｒｒ）の下
で、ニッケルの添加量を亜鉛に対して０から７ｗｔ％の
間で変化させたときのピーク強度およびピーク半値幅を
それぞれ示している。
のうちで、回折ピークの半値幅が最も小さかったスパッ
タ条件、すなわち条件５（ＲＦパワー：１ｋＷ；基板温
度：２００℃；ガス圧：７．６×１０-3Ｔｏｒｒ）の下
で、ニッケルの添加量を亜鉛に対して０から７ｗｔ％の
間で変化させたときのピーク強度およびピーク半値幅を
それぞれ示している。
【００３５】
【表２】
【００３６】また、表２に示したピーク半値幅のＮｉ添
加量との関係が図１に示されている。これら表２および
図１から、ニッケルの添加量が５ｗｔ％以下であるなら
ば、ニッケルを添加していないＺｎターゲットを用いた
場合に比べて、結晶性が改善されていることがわかる。
なお、ニッケルを７ｗｔ％添加した場合、ＺｎＯ薄膜か
らの回折波には、
加量との関係が図１に示されている。これら表２および
図１から、ニッケルの添加量が５ｗｔ％以下であるなら
ば、ニッケルを添加していないＺｎターゲットを用いた
場合に比べて、結晶性が改善されていることがわかる。
なお、ニッケルを７ｗｔ％添加した場合、ＺｎＯ薄膜か
らの回折波には、
【００３７】
【外８】
【００３８】の他に、（０００１）面からの回折ピーク
も僅かに見られ、ＺｎＯ薄膜は完全なエピタキシャル膜
ではなかった。
も僅かに見られ、ＺｎＯ薄膜は完全なエピタキシャル膜
ではなかった。
【００３９】同様に、鉄をドープしたＺｎターゲットを
用いた場合についても調べた。その結果を、以下の表３
および表４に示す。なお、表３は前述した表１に相当
し、表４は表２に相当している。
用いた場合についても調べた。その結果を、以下の表３
および表４に示す。なお、表３は前述した表１に相当
し、表４は表２に相当している。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】また、表４に示したピーク半値幅のＦｅ添
加量との関係が図１に示されている。これら表３、表４
および図１から、鉄をドープしたＺｎターゲットを用い
た場合でも、得られたＺｎＯ薄膜の結晶性が向上するこ
とが確認できる。特に、表４および図１からわかるよう
に、鉄をドープする場合、その添加量は、亜鉛に対して
４．５ｗｔ％以下であれば、鉄をドープしないＺｎター
ゲットを用いた場合に比べて、結晶性が向上している。
なお、前述したニッケルを７ｗｔ％添加した場合と同
様、鉄を６ｗｔ％添加したＺｎターゲットを用いた場合
にも、得られたＺｎＯ薄膜中には、
加量との関係が図１に示されている。これら表３、表４
および図１から、鉄をドープしたＺｎターゲットを用い
た場合でも、得られたＺｎＯ薄膜の結晶性が向上するこ
とが確認できる。特に、表４および図１からわかるよう
に、鉄をドープする場合、その添加量は、亜鉛に対して
４．５ｗｔ％以下であれば、鉄をドープしないＺｎター
ゲットを用いた場合に比べて、結晶性が向上している。
なお、前述したニッケルを７ｗｔ％添加した場合と同
様、鉄を６ｗｔ％添加したＺｎターゲットを用いた場合
にも、得られたＺｎＯ薄膜中には、
【００４３】
【外９】
【００４４】の他に、（０００１）面からの回折ピーク
も僅かに見られ、ＺｎＯ薄膜は完全なエピタキシャル膜
ではなかった。
も僅かに見られ、ＺｎＯ薄膜は完全なエピタキシャル膜
ではなかった。
【００４５】以上の説明において、ニッケルまたは鉄の
添加量は、Ｚｎターゲット中での値であるが、スパッタ
においては、ターゲットの組成と膜の組成とが実質的に
一致するため、ターゲット中での添加量は、得られたＺ
ｎＯ薄膜中のＺｎに対するニッケルまたは鉄の含有率で
あるとみることができる。
添加量は、Ｚｎターゲット中での値であるが、スパッタ
においては、ターゲットの組成と膜の組成とが実質的に
一致するため、ターゲット中での添加量は、得られたＺ
ｎＯ薄膜中のＺｎに対するニッケルまたは鉄の含有率で
あるとみることができる。
【００４６】また、上述した実施例では、遷移金属とし
て、ニッケルまたは鉄を例示したが、たとえばコバルト
のような他の遷移金属も、この発明において有利に用い
ることができる。
て、ニッケルまたは鉄を例示したが、たとえばコバルト
のような他の遷移金属も、この発明において有利に用い
ることができる。
【００４７】また、この発明において基板として用いた
サファイアの「Ｒ面」は、
サファイアの「Ｒ面」は、
【００４８】
【外１０】
【００４９】のことであるが、実際においては、Ｒ面に
対して±２％程度の製造上のばらつきがあり、その程度
のばらつきの範囲内では、実質的に同じ効果が得られ
る。したがって、サファイアのカット面が±２％程度ず
れても、
対して±２％程度の製造上のばらつきがあり、その程度
のばらつきの範囲内では、実質的に同じ効果が得られ
る。したがって、サファイアのカット面が±２％程度ず
れても、
【００５０】
【外１１】
【００５１】のＺｎＯエピタキシャル膜を得ることがで
きる。すなわち、この明細書において、「Ｒ面」という
ときは、必ずしも厳密な意味での「Ｒ面」に限定される
ものではない。
きる。すなわち、この明細書において、「Ｒ面」という
ときは、必ずしも厳密な意味での「Ｒ面」に限定される
ものではない。
【図１】この発明の実施例において確認されたニッケル
または鉄のＺｎターゲットへの添加量に対する、得られ
たＺｎＯ薄膜での回折ピーク半値幅の変化を示す図であ
る。
または鉄のＺｎターゲットへの添加量に対する、得られ
たＺｎＯ薄膜での回折ピーク半値幅の変化を示す図であ
る。
【図２】この発明によって得ようとする表面波基板３を
図解的に示す斜視図である。
図解的に示す斜視図である。
【図３】スパッタ装置４を図解的に示す断面図である。
１ サファイア基板 ２ ＺｎＯ圧電結晶膜 ３ 表面波基板 ８ 基板 ９ ターゲット
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｒ面サファイア基板上に、ｃ軸が基板表
面に平行に配向するように成長された酸化亜鉛圧電結晶
膜において、 遷移金属を含むことを特徴とする、酸化亜鉛圧電結晶
膜。 - 【請求項２】 前記遷移金属は、ニッケルであり、その
含有率は、亜鉛に対して５ｗｔ％以下に選ばれる、請求
項１に記載の酸化亜鉛圧電結晶膜。 - 【請求項３】 前記遷移金属は、鉄であり、その含有率
は、亜鉛に対して４．５ｗｔ％以下に選ばれる、請求項
１に記載の酸化亜鉛圧電結晶膜。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP536593A JP3198691B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 酸化亜鉛圧電結晶膜 |
| FI940099A FI111573B (fi) | 1993-01-14 | 1994-01-10 | Pietsosähköinen sinkkioksidikidekalvo ja menetelmä sen muodostamiseksi |
| EP19940300157 EP0608059B1 (en) | 1993-01-14 | 1994-01-11 | Zinc oxide piezoelectric crystal film |
| DE1994623525 DE69423525T2 (de) | 1993-01-14 | 1994-01-11 | Piezoelektrischer kristalliner Zinkoxidfilm |
| US08/180,606 US5432397A (en) | 1993-01-14 | 1994-01-13 | Zinc oxide piezoelectric crystal film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP536593A JP3198691B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 酸化亜鉛圧電結晶膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216699A true JPH06216699A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3198691B2 JP3198691B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=11609146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP536593A Expired - Lifetime JP3198691B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 酸化亜鉛圧電結晶膜 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5432397A (ja) |
| EP (1) | EP0608059B1 (ja) |
| JP (1) | JP3198691B2 (ja) |
| DE (1) | DE69423525T2 (ja) |
| FI (1) | FI111573B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6319377B1 (en) | 1997-11-14 | 2001-11-20 | Kabushiki Kaisha Riken | Nitrogen oxide sensor |
| US6589362B2 (en) | 2001-07-19 | 2003-07-08 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Zinc oxide semiconductor member formed on silicon substrate |
| DE19827927C2 (de) * | 1997-06-23 | 2003-08-21 | Riken Tokio Tokyo Kk | Gassensor |
| US6936188B1 (en) | 2000-03-27 | 2005-08-30 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Zinc oxide semiconductor material |
| US7245060B2 (en) | 2004-09-24 | 2007-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, method for manufacturing the same, piezoelectric filter, and duplexer |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| US6127768A (en) * | 1997-05-09 | 2000-10-03 | Kobe Steel Usa, Inc. | Surface acoustic wave and bulk acoustic wave devices using a Zn.sub.(1-X) Yx O piezoelectric layer device |
| JP3399392B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 半導体発光素子、およびその製造方法 |
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