JPH06216362A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH06216362A JPH06216362A JP5005717A JP571793A JPH06216362A JP H06216362 A JPH06216362 A JP H06216362A JP 5005717 A JP5005717 A JP 5005717A JP 571793 A JP571793 A JP 571793A JP H06216362 A JPH06216362 A JP H06216362A
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- impurity region
- type impurity
- type
- silicon substrate
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像装置のスミアを減少させ、転送効率
を向上させ、電荷転送周波数を高くする。 【構成】 ｐ型シリコン基板１内に電荷蓄積部となるｎ
型不純物領域２を選択的に形成し、ｐ型シリコン基板１
の表面のｎ型不純物領域２とは異なる位置に電荷転送部
となるｎ型不純物領域３を選択的に形成し、ｐ型シリコ
ン基板１内のｎ型不純物領域３の下方位置にｎ型不純物
領域３と接しかつｎ型不純物領域３の下方の全面を覆う
ように屈折率が１．７以上の絶縁膜５を選択的に形成す
る。
を向上させ、電荷転送周波数を高くする。 【構成】 ｐ型シリコン基板１内に電荷蓄積部となるｎ
型不純物領域２を選択的に形成し、ｐ型シリコン基板１
の表面のｎ型不純物領域２とは異なる位置に電荷転送部
となるｎ型不純物領域３を選択的に形成し、ｐ型シリコ
ン基板１内のｎ型不純物領域３の下方位置にｎ型不純物
領域３と接しかつｎ型不純物領域３の下方の全面を覆う
ように屈折率が１．７以上の絶縁膜５を選択的に形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板に受光部
および転送部等を形成した固体撮像装置に関するもので
ある。
および転送部等を形成した固体撮像装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置は、カメラ一体型ビ
デオテープレコーダの性能および小型軽量化の競争の激
化とともに、高信頼性のものを数多く生産することが要
求されている。以下に、従来の固体撮像装置について図
２を参照しながら説明する。
デオテープレコーダの性能および小型軽量化の競争の激
化とともに、高信頼性のものを数多く生産することが要
求されている。以下に、従来の固体撮像装置について図
２を参照しながら説明する。
【０００３】図２は従来の固体撮像装置の断面図を示し
ている。図２において、１はｐ型シリコン基板（一導電
型の半導体基板）である。２はｐ型シリコン基板１内に
選択的に形成したｎ型不純物領域（電荷蓄積部となる他
導電型の第１の不純物領域）である。３はｐ型シリコン
基板１の表面のｎ型不純物領域２とは異なる位置に選択
的に形成した電荷転送部となるｎ型不純物領域（電荷転
送部あるいは電荷転送チャンネルとなる他導電型の第２
の不純物領域）である。
ている。図２において、１はｐ型シリコン基板（一導電
型の半導体基板）である。２はｐ型シリコン基板１内に
選択的に形成したｎ型不純物領域（電荷蓄積部となる他
導電型の第１の不純物領域）である。３はｐ型シリコン
基板１の表面のｎ型不純物領域２とは異なる位置に選択
的に形成した電荷転送部となるｎ型不純物領域（電荷転
送部あるいは電荷転送チャンネルとなる他導電型の第２
の不純物領域）である。
【０００４】４はｐ型シリコン基板１の表面のｎ型不純
物領域２の上方位置にｎ型不純物領域２と接しかつｎ型
不純物領域２の上方の全面を覆うように選択的に形成し
たｐ型高濃度不純物領域である。６はｐ型シリコン基板
１の表面のｎ型不純物領域３の上方に絶縁膜を介して形
成したゲート電極である。７はｎ型不純物領域３および
ゲート電極６の上方を覆う遮光膜である。
物領域２の上方位置にｎ型不純物領域２と接しかつｎ型
不純物領域２の上方の全面を覆うように選択的に形成し
たｐ型高濃度不純物領域である。６はｐ型シリコン基板
１の表面のｎ型不純物領域３の上方に絶縁膜を介して形
成したゲート電極である。７はｎ型不純物領域３および
ゲート電極６の上方を覆う遮光膜である。
【０００５】以上のように構成された固体撮像装置につ
いて、以下その動作について説明する。図２の紙面上方
より光が入射すると、ｐ型シリコン基板１の内部におい
て光電変換され、その電子は電荷蓄積部であるｎ型不純
物領域２に蓄積される。その後、ゲート電極６に高電圧
が印加されると、ｎ型不純物領域２内にある電子は電荷
転送部（電荷転送チャンネル）であるｎ型不純物領域３
へ転送される。
いて、以下その動作について説明する。図２の紙面上方
より光が入射すると、ｐ型シリコン基板１の内部におい
て光電変換され、その電子は電荷蓄積部であるｎ型不純
物領域２に蓄積される。その後、ゲート電極６に高電圧
が印加されると、ｎ型不純物領域２内にある電子は電荷
転送部（電荷転送チャンネル）であるｎ型不純物領域３
へ転送される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例の構成では、入射光によりｐ型シリコン基板１の
内部において電荷蓄積部（ｎ型不純物領域２）以外から
発生した電荷が直接に電荷蓄積部であるｎ型不純物領域
２へ行かず、電荷転送部（電荷転送チャンネル）である
ｎ型不純物領域３に入り込むことにより、スミアといわ
れるノイズが発生したり、また、ｐ型シリコン基板１の
内部での重金属汚染によるリークやα線によるノイズの
発生が生じたりする問題点や、電荷転送周波数を高くし
たり不純物濃度の僅かな変化により転送効率が悪くなる
という問題点を有していた。
従来例の構成では、入射光によりｐ型シリコン基板１の
内部において電荷蓄積部（ｎ型不純物領域２）以外から
発生した電荷が直接に電荷蓄積部であるｎ型不純物領域
２へ行かず、電荷転送部（電荷転送チャンネル）である
ｎ型不純物領域３に入り込むことにより、スミアといわ
れるノイズが発生したり、また、ｐ型シリコン基板１の
内部での重金属汚染によるリークやα線によるノイズの
発生が生じたりする問題点や、電荷転送周波数を高くし
たり不純物濃度の僅かな変化により転送効率が悪くなる
という問題点を有していた。
【０００７】したがって、この発明の目的は、ノイズを
減少させることができ、転送効率を向上させることがで
きるとともに電荷転送周波数を高くすることができる固
体撮像装置を提供することである。
減少させることができ、転送効率を向上させることがで
きるとともに電荷転送周波数を高くすることができる固
体撮像装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の固体撮像装置
は、一導電型の半導体基板内に電荷蓄積部となる他導電
型の第１の不純物領域を選択的に形成し、半導体基板の
表面の第１の不純物領域とは異なる位置に電荷転送部と
なる他導電型の第２の不純物領域を選択的に形成し、半
導体基板内の第２の不純物領域の下方位置に第２の不純
物領域と接しかつ第２の不純物領域の下方の全面を覆う
ように屈折率が１．７以上の絶縁膜を選択的に形成した
ものである。
は、一導電型の半導体基板内に電荷蓄積部となる他導電
型の第１の不純物領域を選択的に形成し、半導体基板の
表面の第１の不純物領域とは異なる位置に電荷転送部と
なる他導電型の第２の不純物領域を選択的に形成し、半
導体基板内の第２の不純物領域の下方位置に第２の不純
物領域と接しかつ第２の不純物領域の下方の全面を覆う
ように屈折率が１．７以上の絶縁膜を選択的に形成した
ものである。
【０００９】
【作用】この発明の構成によれば、半導体基板に対して
垂直よりも低い角度で入射する光は電荷蓄積部である第
１の不純物領域以外の領域に入り込む可能性があるが、
半導体基板に対して垂直から約３５度（基板面とのなす
角度）までの範囲の角度で入射する光は、構造上におい
て直接電荷転送部である第２の不純物領域には入射しな
いので、電荷転送部である第２の不純物領域以外の領域
で電荷が生成されることになる。この場合は、絶縁膜に
よる遮断機能で、生成された電荷は電荷転送部である第
２の不純物領域には漏れ込まない。
垂直よりも低い角度で入射する光は電荷蓄積部である第
１の不純物領域以外の領域に入り込む可能性があるが、
半導体基板に対して垂直から約３５度（基板面とのなす
角度）までの範囲の角度で入射する光は、構造上におい
て直接電荷転送部である第２の不純物領域には入射しな
いので、電荷転送部である第２の不純物領域以外の領域
で電荷が生成されることになる。この場合は、絶縁膜に
よる遮断機能で、生成された電荷は電荷転送部である第
２の不純物領域には漏れ込まない。
【００１０】つぎに、半導体基板に対して３５度（基板
面とのなす角度）より小さい角度で入射する光に対して
は、いったん半導体基板に入射した光は最初に絶縁膜
（ＳｉＮ膜）と半導体基板との境界面に入った時、絶縁
膜が屈折率２．０以上であり、半導体基板がＳｉ基板で
あるとすると約３．５であることから全反射の臨界角度
は３５度（基板面とのなす角度）であり、結局全反射さ
れることになる。それにより、再度電荷蓄積部である第
１の不純物領域へ反射されることはなく、半導体基板と
絶縁膜との境界面で界面準位に生成電荷が吸収されなが
ら、入射光が減衰していく。
面とのなす角度）より小さい角度で入射する光に対して
は、いったん半導体基板に入射した光は最初に絶縁膜
（ＳｉＮ膜）と半導体基板との境界面に入った時、絶縁
膜が屈折率２．０以上であり、半導体基板がＳｉ基板で
あるとすると約３．５であることから全反射の臨界角度
は３５度（基板面とのなす角度）であり、結局全反射さ
れることになる。それにより、再度電荷蓄積部である第
１の不純物領域へ反射されることはなく、半導体基板と
絶縁膜との境界面で界面準位に生成電荷が吸収されなが
ら、入射光が減衰していく。
【００１１】以上により、半導体基板内部の絶縁膜より
上側に存在する電荷転送部である第２の不純物領域に偽
信号が入り込まなくなってノイズが減少するとともに、
電荷転送部である第２の不純物領域と半導体基板間の転
送容量が減少することにより、転送効率を向上させるこ
とができるとともに、電荷転送周波数を高くすることが
できる。
上側に存在する電荷転送部である第２の不純物領域に偽
信号が入り込まなくなってノイズが減少するとともに、
電荷転送部である第２の不純物領域と半導体基板間の転
送容量が減少することにより、転送効率を向上させるこ
とができるとともに、電荷転送周波数を高くすることが
できる。
【００１２】なお、絶縁膜としてＳｉＮ膜ではなくＳｉ
ＯＮ膜を使用する場合もあり、このＳｉＯＮ膜を使用す
る場合、構造上半導体基板に対して３５度ではなく、３
０度（基板面とのなす角度）より小さい角度で光が入射
するように設計され、この場合、屈折率が１．７以上の
ＳｉＯＮ膜を使用すれば、ノイズを減少させることがで
き、転送効率を向上させ、電荷転送周波数を高くすると
いう上記の目的を達成できる。
ＯＮ膜を使用する場合もあり、このＳｉＯＮ膜を使用す
る場合、構造上半導体基板に対して３５度ではなく、３
０度（基板面とのなす角度）より小さい角度で光が入射
するように設計され、この場合、屈折率が１．７以上の
ＳｉＯＮ膜を使用すれば、ノイズを減少させることがで
き、転送効率を向上させ、電荷転送周波数を高くすると
いう上記の目的を達成できる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は、この発明の一実施例の固
体撮像装置の断面図を示している。図１において、１は
ｐ型シリコン基板（一導電型の半導体基板）である。２
はｐ型シリコン基板１内に選択的に形成したｎ型不純物
領域（電荷蓄積部となる他導電型の第１の不純物領域）
である。３はｐ型シリコン基板１の表面のｎ型不純物領
域２とは異なる位置に選択的に形成した電荷転送部とな
るｎ型不純物領域（電荷転送部あるいは電荷転送チャン
ネルとなる他導電型の第２の不純物領域）である。
照しながら説明する。図１は、この発明の一実施例の固
体撮像装置の断面図を示している。図１において、１は
ｐ型シリコン基板（一導電型の半導体基板）である。２
はｐ型シリコン基板１内に選択的に形成したｎ型不純物
領域（電荷蓄積部となる他導電型の第１の不純物領域）
である。３はｐ型シリコン基板１の表面のｎ型不純物領
域２とは異なる位置に選択的に形成した電荷転送部とな
るｎ型不純物領域（電荷転送部あるいは電荷転送チャン
ネルとなる他導電型の第２の不純物領域）である。
【００１４】４はｐ型シリコン基板１の表面のｎ型不純
物領域２の上方位置にｎ型不純物領域２と接しかつｎ型
不純物領域２の上方の全面を覆うように選択的に形成し
たｐ型高濃度不純物領域である。５はｐ型シリコン基板
１内のｎ型不純物領域３の下方位置に前記ｎ型不純物領
域３と接しかつｎ型不純物領域３の下方の全面を覆うよ
うに選択的に形成した屈折率が２．０以上の絶縁膜であ
り、例えばＳｉＮ膜等からなる。屈折率の上限値は特に
ない。
物領域２の上方位置にｎ型不純物領域２と接しかつｎ型
不純物領域２の上方の全面を覆うように選択的に形成し
たｐ型高濃度不純物領域である。５はｐ型シリコン基板
１内のｎ型不純物領域３の下方位置に前記ｎ型不純物領
域３と接しかつｎ型不純物領域３の下方の全面を覆うよ
うに選択的に形成した屈折率が２．０以上の絶縁膜であ
り、例えばＳｉＮ膜等からなる。屈折率の上限値は特に
ない。
【００１５】６はｐ型シリコン基板１の表面のｎ型不純
物領域３の上方に絶縁膜を介して形成したゲート電極で
ある。７はｎ型不純物領域３およびゲート電極６の上方
を覆う遮光膜である。この遮光膜７は、ｐ型シリコン基
板１に対して垂直から約３５度（基板面とのなす角度）
までの間の角度で入射する光が直接電荷転送部であるｎ
型不純物領域３には入射させないように形状、寸法等を
設定している。
物領域３の上方に絶縁膜を介して形成したゲート電極で
ある。７はｎ型不純物領域３およびゲート電極６の上方
を覆う遮光膜である。この遮光膜７は、ｐ型シリコン基
板１に対して垂直から約３５度（基板面とのなす角度）
までの間の角度で入射する光が直接電荷転送部であるｎ
型不純物領域３には入射させないように形状、寸法等を
設定している。
【００１６】なお、屈折率を２．０以上にする根拠につ
いて、以下に説明する。現状のＣＣＤ構造から絶縁膜５
に対する光の入射角度は３５度以下であり、この光を絶
縁膜にて全反射させることが条件である。この場合、絶
縁膜５の屈折率をｘとし、光の入射角度θを３５度とす
ると、Ｓｉ基板の屈折率が３．５であるので、全反射の
条件は、 ｘ／３．５（Ｓｉ基板の屈折率）≧sin θ（θ＝３５
度）／１ を満たすことであり、ｘ≧２．０となる。
いて、以下に説明する。現状のＣＣＤ構造から絶縁膜５
に対する光の入射角度は３５度以下であり、この光を絶
縁膜にて全反射させることが条件である。この場合、絶
縁膜５の屈折率をｘとし、光の入射角度θを３５度とす
ると、Ｓｉ基板の屈折率が３．５であるので、全反射の
条件は、 ｘ／３．５（Ｓｉ基板の屈折率）≧sin θ（θ＝３５
度）／１ を満たすことであり、ｘ≧２．０となる。
【００１７】したがって、絶縁膜５の屈折率は２．０以
上にすればよく、屈折率の上限に制限はない。なお、こ
の屈折率は２．０以上というのは、光の入射角度が３５
度以下であり、基板の屈折率が３．５の条件で決まるも
のであり、光の入射角度あるいは基板の屈折率が異なれ
ば、絶縁膜５の屈折率の下限もそれに応じて異なること
になる。
上にすればよく、屈折率の上限に制限はない。なお、こ
の屈折率は２．０以上というのは、光の入射角度が３５
度以下であり、基板の屈折率が３．５の条件で決まるも
のであり、光の入射角度あるいは基板の屈折率が異なれ
ば、絶縁膜５の屈折率の下限もそれに応じて異なること
になる。
【００１８】絶縁膜５は、例えば以下のようにして形成
される。第１の方法としては、窒素や酸素等の注入（酸
素注入によるＳｉＯ2 形成はある程度、技術確立してい
る。また、窒素についても注入の技術はある。）の後に
熱処理をして膜形成（ＳＩＭＯＸの技術）を行う方法が
ある。第２の方法としては、ＳＯＳ技術の応用により、
絶縁膜形成後のＳｉをエピタキシャル成長させる方法が
ある。
される。第１の方法としては、窒素や酸素等の注入（酸
素注入によるＳｉＯ2 形成はある程度、技術確立してい
る。また、窒素についても注入の技術はある。）の後に
熱処理をして膜形成（ＳＩＭＯＸの技術）を行う方法が
ある。第２の方法としては、ＳＯＳ技術の応用により、
絶縁膜形成後のＳｉをエピタキシャル成長させる方法が
ある。
【００１９】以上のように構成された固体撮像装置につ
いて、従来の固体撮像装置との違いを、図１と図２を参
照して説明する。図１の固体撮像装置では、電荷転送部
であるｎ型不純物領域３の下方位置に屈折率２．０以上
の絶縁膜（例えばＳｉＮ）５をｎ型不純物領域３と接す
るように形成しているが、図２の固体撮像装置では、絶
縁膜はなく、ｐ型シリコン基板１が直接につながってい
る。
いて、従来の固体撮像装置との違いを、図１と図２を参
照して説明する。図１の固体撮像装置では、電荷転送部
であるｎ型不純物領域３の下方位置に屈折率２．０以上
の絶縁膜（例えばＳｉＮ）５をｎ型不純物領域３と接す
るように形成しているが、図２の固体撮像装置では、絶
縁膜はなく、ｐ型シリコン基板１が直接につながってい
る。
【００２０】なお、ＳｉＯ2 膜は屈折率が１．４であ
り、屈折率が２．０以上ある他の絶縁膜としては、ＰＬ
ＺＴ（屈折率が略２．５），ＬｉＴａＯ2 （屈折率が
２．１〜２．２），ＬｉＮｂＯ3 （屈折率が２．２〜
２．３）などがある。つぎに、この発明による固体撮像
装置の絶縁膜の役割を図１を参照しながら説明する。
り、屈折率が２．０以上ある他の絶縁膜としては、ＰＬ
ＺＴ（屈折率が略２．５），ＬｉＴａＯ2 （屈折率が
２．１〜２．２），ＬｉＮｂＯ3 （屈折率が２．２〜
２．３）などがある。つぎに、この発明による固体撮像
装置の絶縁膜の役割を図１を参照しながら説明する。
【００２１】まず、ｐ型シリコン基板１の上方から入射
した光は、ｎ型不純物領域２に蓄積され、その後ゲート
電極６の高電位に変化させることにより、電荷転送部で
あるｎ型不純物領域３に送る。この際、ｐ型シリコン基
板１に対してほぼ垂直に入射する光は、直接電荷蓄積部
であるｎ型不純物領域２に入射するので問題はない。ま
た、ｐ型シリコン基板１に対して垂直から約３５度（基
板面とのなす角度）までの間の角度で入射する光は、構
造上において直接電荷転送部であるｎ型不純物領域３に
は入射しない（このように遮光膜７を形成している）の
で、電荷転送部以外の領域で電荷が生成されることにな
る。なぜなら、図１に示すように遮光膜７のエッジとｎ
型不純物領域３のエッジとを直線で結んだときの基板面
とのなす角度θは約３５度以下であり、この角度よりも
高角度で入射した光は、ｎ型不純物領域３に直接には入
射しないからである。この場合、電荷転送部以外の領域
で生成された電荷は、絶縁膜５により遮断されて電荷転
送部であるｎ型不純物領域３には漏れ込まない。
した光は、ｎ型不純物領域２に蓄積され、その後ゲート
電極６の高電位に変化させることにより、電荷転送部で
あるｎ型不純物領域３に送る。この際、ｐ型シリコン基
板１に対してほぼ垂直に入射する光は、直接電荷蓄積部
であるｎ型不純物領域２に入射するので問題はない。ま
た、ｐ型シリコン基板１に対して垂直から約３５度（基
板面とのなす角度）までの間の角度で入射する光は、構
造上において直接電荷転送部であるｎ型不純物領域３に
は入射しない（このように遮光膜７を形成している）の
で、電荷転送部以外の領域で電荷が生成されることにな
る。なぜなら、図１に示すように遮光膜７のエッジとｎ
型不純物領域３のエッジとを直線で結んだときの基板面
とのなす角度θは約３５度以下であり、この角度よりも
高角度で入射した光は、ｎ型不純物領域３に直接には入
射しないからである。この場合、電荷転送部以外の領域
で生成された電荷は、絶縁膜５により遮断されて電荷転
送部であるｎ型不純物領域３には漏れ込まない。
【００２２】つぎに、ｐ型シリコン基板１に対して３５
度（基板面とのなす角度）以下の角度で入射する光に対
しては、いったんｐ型シリコン基板１に入射した光は、
最初に絶縁膜５とｐ型シリコン基板１の境界面に入った
とき、絶縁膜５の屈折率が２．０以上であり、ｐ型シリ
コン基板１の屈折率が約３．５であることから、全反射
の臨界角度が３５度（基板面とのなす角度）であり、結
局全反射されることになる。それにより、再度電荷蓄積
部であるｎ型不純物領域２に反射されることはなく、ｐ
型シリコン基板１と絶縁膜５との境界面で界面準位に生
成電荷が吸収されながら、入射光が減衰していくことに
なる。
度（基板面とのなす角度）以下の角度で入射する光に対
しては、いったんｐ型シリコン基板１に入射した光は、
最初に絶縁膜５とｐ型シリコン基板１の境界面に入った
とき、絶縁膜５の屈折率が２．０以上であり、ｐ型シリ
コン基板１の屈折率が約３．５であることから、全反射
の臨界角度が３５度（基板面とのなす角度）であり、結
局全反射されることになる。それにより、再度電荷蓄積
部であるｎ型不純物領域２に反射されることはなく、ｐ
型シリコン基板１と絶縁膜５との境界面で界面準位に生
成電荷が吸収されながら、入射光が減衰していくことに
なる。
【００２３】以上により、ｐ型シリコン基板１の内部の
絶縁膜５より上側に存在する電荷転送部であるｎ型不純
物領域３に偽信号が入り込まなくなるとともに、入射光
以外の原因によって発生する電荷、例えば、α線や重金
属，結晶欠陥によるリークで起こる電荷も、直接には電
荷転送部であるｎ型不純物領域３に入り込まなくなる。
絶縁膜５より上側に存在する電荷転送部であるｎ型不純
物領域３に偽信号が入り込まなくなるとともに、入射光
以外の原因によって発生する電荷、例えば、α線や重金
属，結晶欠陥によるリークで起こる電荷も、直接には電
荷転送部であるｎ型不純物領域３に入り込まなくなる。
【００２４】また、電荷転送の際には、電荷転送部であ
るｎ型不純物領域３とｐ型シリコン基板１との間の転送
容量が減少することにより、ｎ型不純物領域３とｐ型シ
リコン基板１との間の結合容量が減少する。例えば、図
２におけるｎ型不純物領域３とｐ型シリコン基板１との
間の空乏層幅と図１の絶縁膜厚が同程度であると仮定
し、絶縁膜５にＳｉＯ2 膜を使用すると、比誘電率がＳ
ｉでは１１．７に対して、ＳｉＯ2 では３．９であるの
で、ＳｉＯ2 の方が容量が低くなる。そのため、電荷転
送の際の電荷転送部であるｎ型不純物領域３とｐ型シリ
コン基板１との間の容量による遅延が減少することにな
り、転送効率を向上させることができ、転送周波数を高
くすることができる。
るｎ型不純物領域３とｐ型シリコン基板１との間の転送
容量が減少することにより、ｎ型不純物領域３とｐ型シ
リコン基板１との間の結合容量が減少する。例えば、図
２におけるｎ型不純物領域３とｐ型シリコン基板１との
間の空乏層幅と図１の絶縁膜厚が同程度であると仮定
し、絶縁膜５にＳｉＯ2 膜を使用すると、比誘電率がＳ
ｉでは１１．７に対して、ＳｉＯ2 では３．９であるの
で、ＳｉＯ2 の方が容量が低くなる。そのため、電荷転
送の際の電荷転送部であるｎ型不純物領域３とｐ型シリ
コン基板１との間の容量による遅延が減少することにな
り、転送効率を向上させることができ、転送周波数を高
くすることができる。
【００２５】なお、絶縁膜としてＳｉＮ膜ではなくＳｉ
ＯＮ膜を使用する場合もあり、このＳｉＯＮ膜を使用す
る場合、構造上半導体基板に対して３５度ではなく、３
０度（基板面とのなす角度）より小さい角度で光が入射
するように設計され、この場合、屈折率が１．７以上の
ＳｉＯＮ膜を使用すれば、ノイズを減少させることがで
き、転送効率を向上させ、電荷転送周波数を高くすると
いう上記の目的を達成できる。
ＯＮ膜を使用する場合もあり、このＳｉＯＮ膜を使用す
る場合、構造上半導体基板に対して３５度ではなく、３
０度（基板面とのなす角度）より小さい角度で光が入射
するように設計され、この場合、屈折率が１．７以上の
ＳｉＯＮ膜を使用すれば、ノイズを減少させることがで
き、転送効率を向上させ、電荷転送周波数を高くすると
いう上記の目的を達成できる。
【００２６】
【発明の効果】この発明の固体撮像装置によれば、電荷
転送部である第２のｎ型不純物領域の下方位置に、第２
のｎ型不純物領域に接しかつ第２のｎ型不純物領域の下
方の全面を覆うように、屈折率１．７以上の絶縁膜を形
成したので、基板深部で発生する電荷の電荷転送部であ
る第２のｎ型不純物領域への漏れ込みをなくすことがで
き、また半導体基板に入射する光を屈折率が１．７以上
の絶縁膜で全反射させ、絶縁膜による基板表面方向への
反射をなくすことができ、結果としてノイズを減少させ
ることができるとともに、電荷転送効率や電荷転送周波
数を高くすることができる。
転送部である第２のｎ型不純物領域の下方位置に、第２
のｎ型不純物領域に接しかつ第２のｎ型不純物領域の下
方の全面を覆うように、屈折率１．７以上の絶縁膜を形
成したので、基板深部で発生する電荷の電荷転送部であ
る第２のｎ型不純物領域への漏れ込みをなくすことがで
き、また半導体基板に入射する光を屈折率が１．７以上
の絶縁膜で全反射させ、絶縁膜による基板表面方向への
反射をなくすことができ、結果としてノイズを減少させ
ることができるとともに、電荷転送効率や電荷転送周波
数を高くすることができる。
【図１】この発明の一実施例の固体撮像装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】従来の固体撮像装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ ｐ型シリコン基板 ２ ｎ型不純物領域（第１） ３ ｎ型不純物領域（第２） ４ ｐ型高濃度不純物領域 ５ 絶縁膜 ６ ゲート電極 ７ 遮光膜
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板と、この半導体基
板内に選択的に形成した電荷蓄積部となる他導電型の第
１の不純物領域と、前記半導体基板の表面の前記第１の
不純物領域とは異なる位置に選択的に形成した電荷転送
部となる他導電型の第２の不純物領域と、前記半導体基
板内の前記第２の不純物領域の下方位置に前記第２の不
純物領域と接しかつ前記第２の不純物領域の下方の全面
を覆うように選択的に形成した屈折率が１．７以上の絶
縁膜とを備えた固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5005717A JPH06216362A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5005717A JPH06216362A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216362A true JPH06216362A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11618876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5005717A Pending JPH06216362A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216362A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007323390A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP5005717A patent/JPH06216362A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007323390A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
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