JPH06216300A - リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムおよびその製造方法Info
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- JPH06216300A JPH06216300A JP2617393A JP2617393A JPH06216300A JP H06216300 A JPH06216300 A JP H06216300A JP 2617393 A JP2617393 A JP 2617393A JP 2617393 A JP2617393 A JP 2617393A JP H06216300 A JPH06216300 A JP H06216300A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- chip
- support bar
- slits
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッドのチップ搭載予定箇所を傾きや反りを
生じさせることなく下げ、ボンディングワイヤ−を短く
でき、またア−スボンディングが容易で且つそのワイヤ
−を短くし抵抗を減じ信号処理の高速化ができ、さらに
封止樹脂との密着性も優れるリードフレームを目的とす
る。 【構成】 パッド内の１部を下げたリードフレームにお
いて、パッドのサポ−トバ−接続部両側に切欠が設けら
れるとともに、チップ搭載予定箇所の外側にスリットが
断続的に設けられ、前記スリットされなかった断続部を
押し下げチップ搭載予定箇所が下げられているリードフ
レームである。
生じさせることなく下げ、ボンディングワイヤ−を短く
でき、またア−スボンディングが容易で且つそのワイヤ
−を短くし抵抗を減じ信号処理の高速化ができ、さらに
封止樹脂との密着性も優れるリードフレームを目的とす
る。 【構成】 パッド内の１部を下げたリードフレームにお
いて、パッドのサポ−トバ−接続部両側に切欠が設けら
れるとともに、チップ搭載予定箇所の外側にスリットが
断続的に設けられ、前記スリットされなかった断続部を
押し下げチップ搭載予定箇所が下げられているリードフ
レームである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパッド内のチップ搭載予
定箇所を平坦度よく下げボンディングワイヤ−を短くで
き、また封止樹脂との密着性が優れたリードフレームに
関する。
定箇所を平坦度よく下げボンディングワイヤ−を短くで
き、また封止樹脂との密着性が優れたリードフレームに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、例えばリードフレームの
パッドにチップを接着剤を介し固着搭載し、その後、チ
ップ端子とリードフレームのインナーリードをボンディ
ングワイヤ−で溶接接続し、樹脂封止を行い製造され
る。
パッドにチップを接着剤を介し固着搭載し、その後、チ
ップ端子とリードフレームのインナーリードをボンディ
ングワイヤ−で溶接接続し、樹脂封止を行い製造され
る。
【０００３】半導体装置は高機能化、小型化および薄手
化を要請され、この対応にチップの高集積度化、リード
の多ピン化、またパッケ−ジ樹脂封止厚みの薄手化が図
られている。
化を要請され、この対応にチップの高集積度化、リード
の多ピン化、またパッケ−ジ樹脂封止厚みの薄手化が図
られている。
【０００４】中でも高集積度としたものは信号処理の高
速化および短絡防止のためにボンディングワイヤ−の短
縮を図っている。例えば特開平２−１３９９５４号公報
ではパットを支持するサポ−トバ−を押し下げて当該パ
ッドを下げ、搭載したチップとインナーリードの垂直方
向の距離を近づけボンディングワイヤ−を短くして短絡
を防ぎ、またワイヤ−ボンディング作業を容易化してい
る。
速化および短絡防止のためにボンディングワイヤ−の短
縮を図っている。例えば特開平２−１３９９５４号公報
ではパットを支持するサポ−トバ−を押し下げて当該パ
ッドを下げ、搭載したチップとインナーリードの垂直方
向の距離を近づけボンディングワイヤ−を短くして短絡
を防ぎ、またワイヤ−ボンディング作業を容易化してい
る。
【０００５】
【この発明が解決しようとする課題】サポ−トバ−を押
し下げてパッドを下げる場合は、押し曲げ加工での僅か
のねじれがその先端に接続したパッドに傾きや反り生じ
させ例えば数１０μｍ傾くことがある。高集積度チップ
の搭載に際しては単にパッドを下げるのでなく平坦度を
高く維持して下げる必要がある。
し下げてパッドを下げる場合は、押し曲げ加工での僅か
のねじれがその先端に接続したパッドに傾きや反り生じ
させ例えば数１０μｍ傾くことがある。高集積度チップ
の搭載に際しては単にパッドを下げるのでなく平坦度を
高く維持して下げる必要がある。
【０００６】また実装密度を高めるべく半導体装置に占
めるチップ面積率が高まり、一方、パッケ−ジの封止樹
脂厚みを薄くせねばならぬが、これは封止樹脂とリード
フレームの密着性に厳しい条件となる。該条件を克服し
て封止樹脂との密着性が優れるリードフレームとしなけ
ればならない。
めるチップ面積率が高まり、一方、パッケ−ジの封止樹
脂厚みを薄くせねばならぬが、これは封止樹脂とリード
フレームの密着性に厳しい条件となる。該条件を克服し
て封止樹脂との密着性が優れるリードフレームとしなけ
ればならない。
【０００７】本発明はパッドのチップ搭載予定箇所に傾
きや反りを生じることなくて下げ、ボンディングワイヤ
−を短くできるとともにア−スボンディングが容易で且
つ短くできて抵抗を小とし高速処理に適し、また封止樹
脂との密着性が優れるリードフレームを目的とする。
きや反りを生じることなくて下げ、ボンディングワイヤ
−を短くできるとともにア−スボンディングが容易で且
つ短くできて抵抗を小とし高速処理に適し、また封止樹
脂との密着性が優れるリードフレームを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、パッド
内の１部を下げたリードフレームにおいて、パッドのサ
ポ−トバ−接続両側に切欠が設けられるとともに、チッ
プ搭載予定箇所の外側にスリットが断続的に設けられ、
前記チップ搭載予定箇所が下げられていることを特徴と
するリードフレームにある。他の要旨は、パッド内の１
部を下げるリードフレームの製造方法において、パッド
のサポ−トバ−接続部の両側を打抜き切欠を形成すると
ともに、チップ搭載予定箇所の外側に沿って断続的に打
抜きスリットを形成し、前記スリットされなかった断続
部を押し曲げチップ搭載予定箇所を下げることを特徴と
するリードフレームの製造方法にある。
内の１部を下げたリードフレームにおいて、パッドのサ
ポ−トバ−接続両側に切欠が設けられるとともに、チッ
プ搭載予定箇所の外側にスリットが断続的に設けられ、
前記チップ搭載予定箇所が下げられていることを特徴と
するリードフレームにある。他の要旨は、パッド内の１
部を下げるリードフレームの製造方法において、パッド
のサポ−トバ−接続部の両側を打抜き切欠を形成すると
ともに、チップ搭載予定箇所の外側に沿って断続的に打
抜きスリットを形成し、前記スリットされなかった断続
部を押し曲げチップ搭載予定箇所を下げることを特徴と
するリードフレームの製造方法にある。
【０００９】
【作用】本発明ではパッドのサポ−トバ−接続部の両側
を切欠くとともに、該パッドの側辺で且つチップ搭載予
定箇所に沿ってスリットを断続的に設け、前記チップ搭
載予定箇所を、スリットとされなかった接続部を押し曲
げることで下げるので、加工力は小さくてサポ−トバ−
に無理な力を及ぼすことなく下げられる。而してチップ
搭載予定箇所には傾きや反りが生ぜず優れた平坦度を有
する。
を切欠くとともに、該パッドの側辺で且つチップ搭載予
定箇所に沿ってスリットを断続的に設け、前記チップ搭
載予定箇所を、スリットとされなかった接続部を押し曲
げることで下げるので、加工力は小さくてサポ−トバ−
に無理な力を及ぼすことなく下げられる。而してチップ
搭載予定箇所には傾きや反りが生ぜず優れた平坦度を有
する。
【００１０】また、スリットが穿設されたパッド外周は
ア−スランドとして使用できア−スボンディングの自由
度が広がり且つ当該ボンディングワイヤ−を短縮でき
る。さらにスリット箇所は封止樹脂が入り込みリードフ
レームとの密着性が向上し、且つ樹脂とリードフレーム
やチップの熱膨張差で生じる熱応力を解放しパッケ−ジ
の信頼性が高まる。
ア−スランドとして使用できア−スボンディングの自由
度が広がり且つ当該ボンディングワイヤ−を短縮でき
る。さらにスリット箇所は封止樹脂が入り込みリードフ
レームとの密着性が向上し、且つ樹脂とリードフレーム
やチップの熱膨張差で生じる熱応力を解放しパッケ−ジ
の信頼性が高まる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明について１実施例に基づき図面
を参照し詳細に説明する。図面において、１はリードフ
レームで、プレスあるいはエッチングによってインナー
リード２、アウターリード３、タイバ−４、パッド５、
サポ−トバ−６が形成されている。７はサイドレ−ル、
８は位置合わせ等に使われるガイドホ−ルである。
を参照し詳細に説明する。図面において、１はリードフ
レームで、プレスあるいはエッチングによってインナー
リード２、アウターリード３、タイバ−４、パッド５、
サポ−トバ−６が形成されている。７はサイドレ−ル、
８は位置合わせ等に使われるガイドホ−ルである。
【００１２】９はパッド５のサポ−トバ−接続部両側に
側端から所望長さ穿設した切欠きで、チップ搭載予定箇
所１２を下方に下げる加工を行う際、サポ−トバ−に拘
束されずまた加工力を大きくすることなくできるように
する。
側端から所望長さ穿設した切欠きで、チップ搭載予定箇
所１２を下方に下げる加工を行う際、サポ−トバ−に拘
束されずまた加工力を大きくすることなくできるように
する。
【００１３】１０はチップ搭載予定箇所１２の外側に沿
って断続的に穿設されたスリットで、この実施例では縦
および横方向のスリット１０とも２箇所で断続してい
る。断続の個数は２箇所に限らず任意に定められる。
って断続的に穿設されたスリットで、この実施例では縦
および横方向のスリット１０とも２箇所で断続してい
る。断続の個数は２箇所に限らず任意に定められる。
【００１４】前記スリット１０の接続箇所１１はチップ
搭載予定箇所１２を下げる際に押し曲げされるところ
で、この実施例ではサポ−トバ−６が接続した側に穿設
されたスリット１０ａの接続箇所１１を押し曲げ加工し
てチップ搭載予定箇所１２を図２に示すように下方に位
置させる。
搭載予定箇所１２を下げる際に押し曲げされるところ
で、この実施例ではサポ−トバ−６が接続した側に穿設
されたスリット１０ａの接続箇所１１を押し曲げ加工し
てチップ搭載予定箇所１２を図２に示すように下方に位
置させる。
【００１５】前記接続箇所１１の押し曲げはスリット１
０で切り欠きされていることから強度が低下し、前記サ
ポ−トバ−６接続部両側の切欠き９と相乗して押し曲げ
加工が容易となり、無理な力をサポ−トバ−６等に及ぼ
さずになされるのでチップ搭載予定箇所には傾きや反り
が生じることなく優れた平坦度を確保できる。
０で切り欠きされていることから強度が低下し、前記サ
ポ−トバ−６接続部両側の切欠き９と相乗して押し曲げ
加工が容易となり、無理な力をサポ−トバ−６等に及ぼ
さずになされるのでチップ搭載予定箇所には傾きや反り
が生じることなく優れた平坦度を確保できる。
【００１６】また、サポ−トバ−６に平行したスリット
１０ｂがチップ搭載予定箇所１２に沿って設けられてい
るので、チップの搭載位置決めが迅速にまた精度よくで
きるとともに、パッド５のスリット１０ｂ外側はア−ス
接続部として広く使え接続の自由度が大となりア−スボ
ンディングワイヤ−を短くできる。
１０ｂがチップ搭載予定箇所１２に沿って設けられてい
るので、チップの搭載位置決めが迅速にまた精度よくで
きるとともに、パッド５のスリット１０ｂ外側はア−ス
接続部として広く使え接続の自由度が大となりア−スボ
ンディングワイヤ−を短くできる。
【００１７】前記パッド５のチップ搭載予定箇所１２を
下げた後、チップ１３が接着剤等を介して搭載固着され
る。この際、前述のようにチップ搭載予定箇所１２は傾
き等がないので、チップ１３下面は全面密に固着する。
また接着剤が例え過剰になった場合もチップ搭載予定箇
所１２の外周にスリット１０ａ、１０ｂがあり、パッド
５に連なるサポ−トバ−６は上方に位置しているので、
パッド外に流出せずワイヤ−ボンディングに悪影響を与
えない。
下げた後、チップ１３が接着剤等を介して搭載固着され
る。この際、前述のようにチップ搭載予定箇所１２は傾
き等がないので、チップ１３下面は全面密に固着する。
また接着剤が例え過剰になった場合もチップ搭載予定箇
所１２の外周にスリット１０ａ、１０ｂがあり、パッド
５に連なるサポ−トバ−６は上方に位置しているので、
パッド外に流出せずワイヤ−ボンディングに悪影響を与
えない。
【００１８】搭載されたチップ１３はインナーリード２
とボンディングワイヤ−１４を介して接続される。この
際、パッド５は下げられチップ１３とインナーリード２
の垂直方向の距離が小さくなっているので、ボンディン
グワイヤ−１５は短くでき電気抵抗を低められ信号処理
の高速化を図れる。
とボンディングワイヤ−１４を介して接続される。この
際、パッド５は下げられチップ１３とインナーリード２
の垂直方向の距離が小さくなっているので、ボンディン
グワイヤ−１５は短くでき電気抵抗を低められ信号処理
の高速化を図れる。
【００１９】その後、樹脂封止して半導体装置１６が製
造される。
造される。
【００２０】
【発明の効果】本発明は前述のように、パッドのチップ
搭載予定箇所は傾きや反りを生じることなく下げられ、
チップとインナーリードの垂直方向の距離が近まりボン
ディングワイヤ−を短くでき信号処理の高速化を図れ
る。
搭載予定箇所は傾きや反りを生じることなく下げられ、
チップとインナーリードの垂直方向の距離が近まりボン
ディングワイヤ−を短くでき信号処理の高速化を図れ
る。
【図１】本発明の１実施例におけるリードフレームを示
す図。
す図。
【図２】本発明の１実施例においてチップ搭載予定箇所
を下げたパッドを示す図。
を下げたパッドを示す図。
【図３】図１におけるリードフレームのＹ−Ｙ断面を示
す図。
す図。
【図４】図１におけるＹ−Ｙ断面のリードフレームに組
立られた半導体装置を示す図。
立られた半導体装置を示す図。
１ リードフレーム ２ インナーリード ３ アウターリード ４ タイバ− ５ パッド ６ サポ−トバ− ７ サイドレ−ル ８ ガイドレ−ル ９ 切欠き １０ スリット １１ 接続箇所 １２ チップ搭載予定箇所 １３ チップ １４ ボンディングワイヤ−
フロントページの続き (72)発明者 吉柳 寿治 福岡県北九州市八幡西区小嶺２丁目10番１ 号 株式会社三井ハイテック内
Claims (2)
- 【請求項１】 パッド内の１部を下げたリードフレーム
において、パッドのサポ−トバ−接続両側に切欠が設け
られるとともに、チップ搭載予定箇所の外側にスリット
が断続的に設けられ、前記チップ搭載予定箇所が下げら
れていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 パッド内の１部を下げるリードフレーム
の製造方法において、パッドのサポ−トバ−接続部の両
側を打抜き切欠を形成するとともに、チップ搭載予定箇
所の外側を断続的に打抜きスリットを形成し、前記スリ
ットされなかった断続部を押し曲げチップ搭載予定箇所
を下げることを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2617393A JPH06216300A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2617393A JPH06216300A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216300A true JPH06216300A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12186151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2617393A Pending JPH06216300A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216300A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10144468A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit auf der Unterseite verteilten Außenkontakten |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP2617393A patent/JPH06216300A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10144468A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit auf der Unterseite verteilten Außenkontakten |
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