JPH0621621A - 回路パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 銅又は銅合金からなる回路パターン上に厚付
けの無電解錫又は錫・鉛合金めっき膜を形成して回路パ
ターンのはんだ付け性を向上させる際に、回路パターン
側面部の侵食を防止して、パターン精度の劣化を防ぐ。 【構成】 回路パターン（４）の側面部に選択的に置換
防止めっき膜（５）を形成し、回路パターン（４）の上
面部にのみ選択的に５μｍ以上の無電解錫又は錫・鉛合
金めっき膜（６）を形成する。 【効果】 高度にファイン化されたプリント配線基板や
ＩＣ等の電子装置の回路パターンを良好に形成すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線基板等の
電子部品の銅又は銅合金回路パターンに５μｍ以上の厚
付け錫又は錫・鉛合金めっき膜を形成する回路パターン
の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、プリント配線基板の銅又は銅
合金回路パターンにはんだ付け性の向上及びはんだ付け
のためのはんだ供給を目的として錫又は錫・鉛合金めっ
き膜を形成することが行なわれており、この錫又は錫・
鉛合金めっき膜は通常電気めっき法により形成されてい
た。

【０００３】しかし、近年の電子機器の多機能化及び小
型化によりＩＣなどの電子パッケージ部品の集積度も高
くなり、パッケージの多ピン化、狭ピッチ化が進んでい
る。これに伴ってプリント配線基板の回路パターンも細
かく、また複雑化してきており、このため銅又は銅合金
回路パターン上に錫又は錫・鉛合金めっき膜を形成する
場合、電気めっき法では十分に対応し得ない場合が生じ
るようになってきている。そこで、このように電気めっ
き法では対応し得ないファイン化された銅又は銅合金回
路パターン上に厚付け無電解めっき法により錫又は錫・
鉛合金めっき膜を５μｍ以上に厚付け形成することが検
討されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように銅又は銅合
金回路パターンに無電解めっき法により錫又は錫・鉛合
金めっき膜を形成する場合、錫又は錫・鉛合金めっき膜
の析出は基材である回路パターンの銅又は銅合金との置
換反応により行なわれる。

【０００５】この場合、無電解錫又は錫・鉛合金めっき
は、表面の銅又は銅合金が錫又は錫・鉛合金めっき膜で
被覆され、更にこのめっき膜にピンホールがなくなる
と、めっき反応が停止し、錫又は錫・鉛合金めっき膜の
析出が停止する。このめっき反応の停止は、通常の錫又
は錫・鉛合金めっき液では比較的緻密なめっき膜が析出
し、めっき膜のピンホールが比較的直ちにふさがるた
め、短時間で析出停止が生じ、５μｍ以上の錫又は錫・
鉛合金めっき皮膜は得られない。

【０００６】しかし、はんだ付け性の向上のためには５
μｍ以上の錫又は錫・鉛合金めっき皮膜を形成すること
が望まれるが、このような厚付けを可能とする無電解錫
又は錫・鉛合金めっき液は、比較的ポーラスな皮膜を形
成するものであり、このように皮膜がポーラスでピンホ
ールが存在するため、ピンホールを通していつまでも銅
が溶出し、その結果として錫又は錫・鉛合金めっき皮膜
が析出し、５μｍ以上、特に１０μｍ以上の厚付けを可
能とするものである。ところが、その反面、このような
めっき液を用いて銅又は銅合金回路パターンに無電解錫
又は錫・鉛合めっきを行なう場合、銅又は銅合金回路パ
ターンの銅がめっき液中に溶出する。置換反応による銅
の溶出量は錫又は錫・鉛合金の析出量に比例し、錫又は
錫・鉛合金１μｍに対し約０．８５〜０．９μｍの銅が
溶出する。錫又は錫・鉛合金の析出量が５μｍ未満の場
合には、銅の溶出量は少なく、特に問題となることはな
いが、５μｍ以上、特に１０μｍ以上の厚付けを行なう
場合には、高度にファイン化された回路パターンでは、
回路パターンの銅又は銅合金が溶出することによりパタ
ーン精度が劣化する等の問題を生じる。

【０００７】また、電気めっき法によってプリント配線
板の銅又は銅合金回路パターン上に錫又は錫・鉛合金め
っき膜を形成する場合、錫又は錫・鉛合金めっき膜を形
成した後に溶融処理を行なうことがあるが、この際、回
路パターン上の錫又は錫・鉛合金めっき膜は表面張力に
よって曲面形状を有するようになる。例えば、図６はプ
リント回路学会第６回学術講演大会講演論文集（１９９
１年１１月１１日プリント回路学会発行）１２７ページ
に記載された、はんだ付けのためのはんだ供給を目的と
して電気めっき法で錫・鉛合金めっき膜を形成した回路
パターン断面の概念図で、図６（Ａ）ははんだ供給後の
断面を示し、図６（Ｂ）は溶融処理後のはんだ形状を示
すが、このように基体ａの回路パターンｂ上に形成され
ためっき膜ｃは曲面形状になる。

【０００８】更に、無電解めっきによってプリント配線
板の銅又は銅合金回路パターン上に錫又は錫合金めっき
膜を形成する場合においても、溶融処理を行なうと電気
めっきと同様の曲面上の断面形状になる。図７はこのよ
うな無電解めっきの溶融処理前と溶融処理後の断面形状
の概念図を示す。

【０００９】このような曲面形状を有する回路パターン
上に超ファインピッチの微小リードを有する部品を搭載
する場合、曲面の上ではリードを精度よく安定に固定す
ることが困難であるという問題点があった。

【００１０】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、高度にファイン化された銅又は銅合金回路パターン
であっても、パターン精度を劣化させることなく、良好
なはんだ付け性を付与することができ、かつ、はんだ付
けのためのはんだを十分に厚く供給しても部品の搭載の
容易さを損なうことなく、高度にファイン化された回路
パターンを高精度に構成することができる回路パターン
の形成方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、絶縁性基
体上に形成された銅又は銅合金回路パターン上に無電解
法により錫又は錫・鉛合金めっき膜を形成して回路パタ
ーンのはんだ付け性を向上させる場合に、上記回路パタ
ーン上面のレジスト膜を除去して厚付け用の無電解錫又
は錫・鉛合金めっき液を用いてめっきを行なう前に、回
路パターン上面にレジスト膜を残したまま上記無電解錫
又は錫・鉛合金めっきにより置換されることのない錫、
鉛、錫・鉛合金、パラジウム等の置換防止めっき膜を形
成する置換防止めっきを行ない、回路パターンの側面部
に上記置換防止めっき膜を被覆した後、上記厚付け用無
電解錫又は錫・鉛合金めっき液を用いてめっきを行なう
ことにより、高度にファイン化された回路パターンであ
ってもパターン精度を劣化させることなく、良好なはん
だ付け性を付与し得ることを見出した。

【００１２】またこの場合、回路パターンの側面部に形
成する置換防止めっき膜を構成する金属を回路パターン
上面部に形成する無電解錫又は錫・鉛合金めっき膜の溶
融温度より高い溶融温度を有する金属とし、回路パター
ン上面部に無電解錫又は錫・鉛合金めっきを行なった後
に、置換防止めっき膜を構成する金属の溶融温度より低
温で溶融処理を行なうことにより、はんだ付けのための
はんだを十分に厚く供給しても部品の搭載の容易さを損
なうことない平坦な回路パターン表面を維持できること
を見い出した。

【００１３】即ち、上記置換防止めっき膜の形成を行な
わない方法では、図８（Ｂ）に示したように、無電解錫
又は錫・鉛合金めっき膜ｃは回路パターンｂの上面上だ
けでなく側面部にも実質的に均一厚さに析出するが、こ
の場合回路パターンｂの上面上に十分に厚い膜厚を得よ
うとすれば、回路パターンｂの両側面部にも同一厚さの
めっき膜が析出し、このとき無電解めっき法による錫又
は錫・鉛合金めっき膜ｃの析出は回路パターンｂの銅又
は銅合金との置換反応により行なわれるので、回路パタ
ーンｂの側面部が大幅に侵食され、回路の線幅やピッチ
が小さい高度にファイン化された回路パターンではこの
侵食によりパターン精度の劣化を生じることになる。こ
れに対し、回路パターンの側面部に置換防止めっき膜を
形成した後に無電解錫又は錫・鉛合金めっきを行なうこ
とにより、回路パターン側面部への析出が防止され、回
路パターン上面上にのみ錫又は錫・鉛合金めっき膜を形
成することができ、しかも上記置換防止めっき膜は回路
パターン側面部への錫又は錫・鉛合金めっき膜の析出を
防止することができればよく、極く薄い皮膜でよいの
で、パターン精度を劣化させることなく良好なはんだ付
け性を与えることができ、従って高度にファイン化さ
れ、かつ良好なはんだ付け性を有する回路パターンを確
実に得ることができるものである。

【００１４】更に、回路パターンの側面部に回路パター
ン上の錫又は錫・鉛合金めっき膜の溶融温度より高い溶
融温度を有する置換防止めっき膜を形成し、置換防止め
っき膜の溶融温度より低い温度で溶融処理を行なうこと
により、溶融処理時に置換防止めっき膜が堰となってパ
ターン側面部に錫又は錫・鉛合金めっきが流動して回り
込むことを防ぐために、回路パターン上の錫又は錫・鉛
合金めっき膜は表面張力によって曲面形状を有するよう
にならないため、はんだ付けのためのはんだを十分に厚
く供給しても部品の搭載の容易さを損なうことない平坦
な回路パターン表面を維持できることを知見し、本発明
をなすに至ったものである。

【００１５】従って、本発明は、絶縁性基体に積層形成
した銅又は銅合金層上に回路パターン状にエッチングレ
ジスト層を形成してエッチング処理し、上記レジスト層
形成部分を残して上記銅又は銅合金層を除去することに
より銅又は銅合金からなる回路パターンを形成した後、
上記エッチングレジスト層を残したまま厚付け用無電解
錫又は錫・鉛合金めっき液により置換されない置換防止
めっき膜を形成する置換防止めっきを行ない、回路パタ
ーンの側面部に選択的に上記置換防止めっき膜を形成し
て該置換防止めっき膜で回路パターンの側面部を被覆
し、次いでエッチングレジスト層を除去した後、厚付け
用無電解錫又は錫・鉛合金めっき液でめっきを行なうこ
とにより、回路パターンの上面上にのみ選択的に５μｍ
以上の厚付け錫又は錫・鉛合金めっき膜を形成すること
を特徴とする回路パターンの形成方法を提供するもので
ある。

【００１６】また、本発明は、上記方法において、回路
パターンの側面部に回路パターン上面に形成する無電解
錫又は錫・鉛合金めっき膜の溶融温度よりも高い溶融温
度を有する置換防止めっき膜を形成し、次いで上記回路
パターン上面に無電解錫又は錫・鉛合金めっきを行なっ
た後、この錫又は錫合金めっき膜を上記置換防止めっき
膜の溶融温度より低い温度で溶融処理することを特徴と
する回路パターンの形成方法を提供する。

【００１７】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の回路パターンの形成方法は、上述したよう
に、銅又は銅合金からなる回路パターンの上面に非導電
性のレジスト膜を残したまま、厚付け用無電解錫又は錫
・鉛合金めっき液により置換されることのない置換防止
めっき膜を形成する置換防止めっきを行なうことによ
り、回路パターンの側面部に置換防止めっき膜を被覆し
た後、上記レジスト膜を除去して上記厚付け用無電解錫
又は錫・鉛合金めっき液を用いてめっきを行なうもので
ある。

【００１８】この場合、銅又は銅合金からなる回路パタ
ーンを形成するまでの工程は公知の方法が採用される。
即ち、図１，２に示したように、各種の方法で絶縁性基
体１上に銅又は銅合金層２を形成し、この上にエッチン
グレジスト層３を所望の回路パターン状に形成し、次い
でエッチング処理を行なってレジスト層３が形成されて
いない部分２ａの銅又は銅合金層を溶解除去し、絶縁性
基体１上に銅又は銅合金による回路パターン４を形成す
るものである。

【００１９】次に、本発明においては、回路パターン４
上のレジスト層３を除去せず、レジスト層３を残したま
ま厚付け用無電解錫又は錫・鉛合金めっき液により置換
されることのない置換防止めっき膜を形成する置換防止
めっきを行ない、図３に示すように、回路パターン４の
側面部にのみ上記置換防止めっき膜５を形成する。ま
た、後工程でソルダーレジストで被覆される部分に、新
たにめっきレジスト皮膜を被覆することで置換防止めっ
き膜が不必要な所に形成されることを防ぐことができ
る。

【００２０】ここで、上記置換防止めっき膜５として
は、Ｃｕ，Ａｇ等の無電解錫又は錫・鉛合金めっきによ
り置換されてしまうものを除いていずれのものも採用す
ることができ、具体的には錫めっき膜、鉛めっき膜、錫
・鉛合金めっき膜、パラジウムめっき膜等を挙げること
ができる。

【００２１】この置換防止めっき膜５を形成する置換防
止めっきは、電気めっき法でも、置換めっき法又は還元
剤を用いた無電解めっき法でもよいが、特に線幅が狭く
高度にファイン化された回路パターンでも均一な置換防
止めっき膜５を確実に形成できることから、置換めっき
法又は還元剤を用いた無電解めっき法が好適に採用され
る。この場合、置換防止めっき膜５として例示した錫め
っき膜、鉛めっき膜、錫・鉛合金めっき膜、パラジウム
めっき膜等を形成する電気めっき法、置換めっき法、還
元剤による無電解めっき法としては、公知の組成からな
るめっき浴を用いて公知の方法で行なうことができる
が、パターン制度を維持する目的には置換又は無電解
錫，鉛又は錫・鉛合金めっき液としては、薄付け用の好
ましくは５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下の析出
限界値を有するものを使用する。また、置換又は還元剤
を用いた無電解パラジウムめっき浴としては下記組成か
らなるめっき浴を例示することができ、これらめっき浴
を用いて浴温５０〜９０℃の条件でパラジウムめっきを
行なうことができる。

【００２２】置換パラジウムめっき浴 可溶性パラジウム塩 ０．１〜１０ ｇ／Ｌ カルボン酸類 １０〜３００ ｇ／Ｌ アミン類 １〜５０ ｇ／Ｌ ｐＨ ０〜７

【００２３】無電解パラジウムめっき浴 可溶性パラジウム塩 ０．１〜１０ ｇ／Ｌ アミン類 １０〜３００ ｇ／Ｌ 次亜リン酸塩 ２〜１００ ｇ／Ｌ ｐＨ ２〜１０

【００２４】この場合、パターン上部の平坦化を行なう
目的には、パターン上面部に形成する無電解錫・鉛合金
めっき膜の溶融温度より高い溶融温度を有する組成を析
出できる置換又は無電解錫・鉛めっき液を使用すること
が推奨される。具体的には、上記パラジウムめっきなど
が挙げられ、またパターン上面部に形成する錫・鉛合金
と異なる組成の錫・鉛合金めっきを施すこともできる。
例えばパターン上部の平坦化を行なう目的で置換防止膜
として無電解錫・鉛合金めっき膜を用いる場合、パター
ン上面部に形成する無電解錫・鉛合金めっき膜の錫組成
が例えば６３重量％の共晶組成であるときは、特に限定
するものではないが、置換防止膜として５０重量％以下
の錫組成もしくは９０重量％以上の錫組成の高温溶融組
成の錫・鉛合金めっき膜を用いるのが望ましい。

【００２５】このように置換防止めっき膜５を形成する
場合、この置換防止めっき膜５は回路パターン４の上面
が上記非導電性のレジスト膜で覆われているので、回路
パターン４の側面部に選択的に析出する。この置換防止
めっき膜５は、後述する無電解錫又は錫・鉛合金めっき
工程において、回路パターン４の側面部に錫又は錫・鉛
合金めっき膜が析出するのを防止するためのものであ
り、このためこの置換防止めっき膜５の厚さは特に限定
するものではないが、０．０１〜１０μｍ程度が望まし
い。特にパターン精度を維持するためには０．１〜１μ
ｍが望ましく、パターン上部の平坦化を行なうためには
１〜１０μｍが望ましい。この場合、置換防止めっき膜
５が厚すぎると高度にファイン化された回路パターンで
はパターン精度の劣化を招くおそれがあり、一方薄すぎ
ると錫又は錫・鉛合金めっき膜の析出を十分に防止し得
ない場合があり、また、特に、パターン上部の平坦化を
行なう置換防止めっき膜が薄すぎると、溶融時の錫又は
錫・鉛合金の表面張力に耐えられず、平坦性を維持でき
ない場合がある。

【００２６】なお、置換防止めっき膜の形成に置換型の
錫又は錫・鉛合金めっきを用いる場合、置換防止めっき
膜中にピンホールがある場合がある。この場合、置換防
止めっき膜のピンホールをふさぐために、置換防止めっ
き膜を形成した後、置換防止めっき膜の溶融処理を行な
ってもよい。

【００２７】次に、以上のように置換防止めっき膜５を
形成した後、図４，５に示すように、上記レジスト膜３
を剥離除去して厚付け無電解錫又は錫・鉛合金めっきを
行ない、回路パターン４の上面上に選択的に錫又は錫・
鉛合金めっき膜６を形成する。この場合、上記レジスト
膜３の除去はレジスト膜の種類等に応じて公知の方法に
より行なうことができる。例えば、レジスト膜としてド
ライフィルムを用いた場合には３〜１０％のＮａ Ｏ Ｈ溶
液により良好に除去することができる。

【００２８】上記無電解錫又は錫・鉛合金めっきは、上
記レジスト膜３を除去した回路パターン３を絶縁基体１
ごと無電解錫又は錫・鉛合金めっき浴に浸漬することに
より行なわれる。この場合、上記無電解錫又は錫・鉛合
金めっき浴としては、第一錫塩及び／又は鉛塩からなる
金属塩成分、これら金属塩成分を溶解する酸及び錯化剤
を含有してなる通常の無電解錫又は錫・鉛合金めっき浴
を使用することができ、まためっき条件も通常の条件と
することができる。なお、錫又は錫・鉛合金皮膜の厚さ
は、特に制限されるものではないが、通常５〜５０μ
ｍ、特に５〜３０μｍとすることが好ましく、錫又は錫
・鉛合金めっき膜の厚さが５μｍ以下であると良好なは
んだ付け性が得られない場合があり、一方５０μｍを超
えると回路パターン全体が溶出する場合がある。また、
錫・鉛合金めっき膜を形成する場合、その合金組成は、
通常錫重量が５０〜９５％のものが用いられる。なお、
この無電解錫又は錫・鉛合金めっき浴に浸漬する前に絶
縁基体１の回路パターン非形成部分及び回路パターンの
はんだ付け不用部分をソルダーレジストで被覆しておく
ことが好ましい。

【００２９】この無電解錫又は錫・鉛合金めっきによっ
て、回路パターン上に錫又は錫・鉛合金めっき膜が形成
され、このとき、本発明方法によれば、回路パターンの
側面部が置換防止めっき膜５により被覆されているの
で、回路パターンの側面部が錫又は錫・鉛合金めっき膜
との置換反応により侵食されて回路パターンのパターン
幅が減少するようなことがなく、回路パターンの上面上
にのみ十分な厚さの錫又は錫・鉛合金めっき膜６を形成
することができる。

【００３０】本発明においては、このように回路パター
ン上面部に無電解錫又は錫・鉛合金めっきを行なった後
に溶融処理を行なうことができる。この場合の溶融温度
は、回路パターン上面部に設けた無電解錫又は錫・鉛合
金めっきの溶融温度より高く、置換防止めっき膜を構成
する金属の溶融温度より低い温度が選ばれる。このよう
な処理により、溶融処理時に置換防止めっき膜が堰とな
ってパターン側面部に錫又は錫・鉛合金めっきが流動し
て回り込むことを防ぐために、回路パターン上の錫又は
錫・鉛合金めっき膜は表面張力によって曲面形状を有す
るようにならないため、はんだ付けのためのはんだを十
分に厚く供給しても部品の搭載の容易さを損なうことな
い平坦な回路パターン表面を維持できる。

【００３１】なお、本発明の回路パターンの形成方法
は、ファイン化されたプリント配線基板の製造に特に好
適に採用されるが、通常のプリント配線基板の製造やＩ
Ｃ等の微細回路を有する電子装置の製造などにも好適に
採用される。

【００３２】

【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。

【００３３】［実施例１］銅張り積層板にドリルによる
スルーホールを形成し、硫酸銅めっきによるスルーホー
ルめっきを施して３０μｍの銅めっき層を積層した後、
この銅めっき層上にドライフィルムを貼り付け、露光に
よりパターニングしてから現像してパターンを形成し
た。そして、塩化第二鉄溶液で露出部の銅層をエッチン
グ除去して、残存銅層からなる回路パターンを形成し
た。

【００３４】次いで、上記回路パターン上にドライフィ
ルムパターン（エッチングレジスト層）を残したままで
下記めっき浴及びめっき条件で置換防止めっき膜として
無電解錫めっきを行ない、回路パターンの側面部に厚さ
０．１μｍの無電解錫めっき膜を形成した。

【００３５】無電解錫めっき浴 メタンスルホン酸錫 ２０ ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １００ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ５０ ｇ／Ｌ チオ尿素 ８０ ｇ／Ｌ 非イオン性活性剤 １ ｇ／Ｌ ｐＨ １以下 温度 ７０℃

【００３６】上記無電解錫めっき膜形成後、ドライフィ
ルムパターン（エッチングレジスト層）を３〜１０％の
ＮａＯＨ溶液で除去し、はんだ付け不用部分にソルダー
レジストを塗布して下記めっき浴及びめっき条件で無電
解錫・鉛合金めっきを行ない、回路パターン上に厚さ１
５μｍの錫・鉛合金めっき膜を形成した。

【００３７】無電解錫・鉛合金めっき浴 メタンスルホン酸 ５０ ｇ／Ｌ メタンスルホン酸錫 ２０ ｇ／Ｌ メタンスルホン酸鉛 １３ ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ８０ ｇ／Ｌ クエン酸 １５ ｇ／Ｌ 塩化ラウリルピリジニウム ５ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ ｇ／Ｌ ｐＨ ２．０

【００３８】めっき条件 温度 ８０℃ 時間 ３０分

【００３９】得られた回路パターンを調べたところ、回
路パターンの側面部には錫・鉛合金めっき膜の析出は全
く見られず、回路パターンの上面部のみに均一な錫・鉛
合金めっき膜が形成されており、また回路パターンの精
度もほぼ設計通りの良好な精度を保持していた。

【００４０】［実施例２〜６］回路パターンの側面部に
形成する置換防止めっき膜を下記めっき浴を用い下記め
っき条件で形成した電気錫めっき膜、無電解鉛めっき
膜、電気鉛めっき膜、無電解錫・鉛合金めっき膜、電気
錫・鉛合金めっき膜に代えた以外は実施例１と同様にし
て５種類の回路パターンを形成した。

【００４１】電気錫めっき浴 硫酸第１錫 ４０ ｇ／Ｌ 硫酸 １００ ｇ／Ｌ ゼラチン ２ ｇ／Ｌ ｐＨ １以下 浴温 ２０℃ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｍ²

【００４２】無電解鉛めっき浴 ホウフッ化鉛 ２０ ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸 ２００ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ５０ ｇ／Ｌ チオ尿素 ８０ ｇ／Ｌ 非イオン性活性剤 １ ｇ／Ｌ ｐＨ １以下 温度 ７０℃

【００４３】電解鉛めっき浴 ホウフッ化鉛 １８０ ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸 １９０ ｇ／Ｌ ホウ酸 ３０ ｇ／Ｌ ゼラチン ２ ｇ／Ｌ 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 ２ Ａ／ｄｍ²

【００４４】無電解錫・鉛合金めっき浴 メタンスルホン酸錫 ２０ ｇ／Ｌ メタンスルホン酸鉛 １０ ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １００ ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ５０ ｇ／Ｌ チオ尿素 ８０ ｇ／Ｌ 非イオン性活性剤 １ ｇ／Ｌ ｐＨ １以下 温度 ７０℃

【００４５】電気錫・鉛合金めっき浴 ホウフッ化第１錫 １３０ ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 ５０ ｇ／Ｌ ホウフッ化水素酸 １２５ ｇ／Ｌ ホウ酸 ２５ ｇ／Ｌ ペプトン ５ ｇ／Ｌ ｐＨ １ 以下 浴温 ２５℃ 陰極電流密度 ２ Ａ／ｄｍ²

【００４６】得られた各回路パターンを調べたところ、
回路パターンの側面部には厚付け錫・鉛合金めっき膜の
析出は全く見られず、回路パターンの上面部のみに均一
な錫・鉛合金めっき膜が形成されており、また回路パタ
ーンの精度もほぼ設計通りの良好な精度を保持してい
た。

【００４７】［実施例７〜９］回路パターンの側面部に
形成する置換防止めっき膜を下記めっき浴を用い、下記
めっき条件で形成した置換パラジウムめっき膜、無電解
パラジウムめっき膜、電気パラジウムめっき膜に代えた
以外は実施例１と同様にして３種類の回路パターンを形
成した。

【００４８】置換パラジウムめっき浴 塩化パラジウム １ ｇ／Ｌ クエン酸アンモニウム １００ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ２ ｇ／Ｌ ｐＨ １ 温度 ８０℃ 時間 ５分

【００４９】無電解パラジウムめっき浴 塩化パラジウム １ ｇ／Ｌ エチレンジアミン １００ ｇ／Ｌ チオジグリコール酸 ３０ ｍｇ／Ｌ 次亜リン酸 １０ ｇ／Ｌ 温度 ６０℃ 時間 ３分

【００５０】電気パラジウムめっき浴 デグサ社製、パラジウムめっき浴Ｐｄ＝４５０ 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 ０．２ Ａ／ｄｍ² 時間 ３０分

【００５１】得られた各回路パターンを調べたところ、
回路パターンの側面部には厚付け錫・鉛合金めっき膜の
析出は全く見られず、回路パターンの上面部のみに均一
な錫・鉛合金めっき膜が形成されており、また回路パタ
ーンの精度もほぼ設計通りの良好な精度を保持してい
た。

【００５２】［実施例１０］回路パターンの側面部に形
成する置換防止めっき膜として、実施例８に示す無電解
パラジウムめっき浴を用い、めっき条件として温度７０
℃で１２０分間のめっきを行ない、回路パターンの側面
部に厚さ４μｍのパラジウム膜を形成した。その後、実
施例１に示す無電解錫・鉛合金めっき浴を用い、実施例
１と同じ条件で回路パターンの上部に厚さ１５μｍの錫
・鉛合金めっき膜を形成した。なお、回路パターンの形
成方法及びドライフィルムの剥離方法及び実施順序は実
施例１と同じ方法で行なった。次に、前記回路パターン
上の錫・鉛合金めっき膜にメック製オイルヒュージング
用フラックス「Ｗ−４１Ｍ」を塗布し、２１０℃のヒュ
ージングオイル中で３０秒間保持した。

【００５３】得られた回路パターンを調べたところ、回
路パターンの上面部では無電解めっきによって析出した
錫・鉛合金めっき膜が溶融し、曲面になることなく平滑
で光沢のある表面が形成されていた。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の回路パタ
ーンの形成方法によれば、高度にファイン化された回路
パターンであってもパターン精度を劣化させることな
く、錫又は錫・鉛合金めっき膜を形成して、良好なはん
だ付け性を付与することができるもので、上面上に錫又
は錫・鉛合金めっき膜を有し、良好なはんだ付け性を有
する銅又は銅合金からなる回路パターンを高精度に形成
することができ、高度にファイン化されたプリント配線
基板やＩＣ等の電子装置の製造にも好適に採用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路パターンの形成方法の第一工程を
説明する断面図である。

【図２】同形成方法の第二工程を説明する断面図であ
る。

【図３】同形成方法の第三工程を説明する断面図であ
る。

【図４】同形成方法の第四工程を説明する断面図であ
る。

【図５】同形成方法の第五工程を説明する断面図であ
る。

【図６】従来の電気めっき法で錫・鉛合金めっき膜を形
成した回路パターン断面形状の断面図を示し、（Ａ）は
溶融処理前、（Ｂ）は溶融処理後である。

【図７】従来の無電解めっき法で錫・鉛合金めっき膜を
形成した回路パターン断面形状の概念図を示し、（Ａ）
は溶融処理前、（Ｂ）は溶融処理後である。

【図８】従来方法を説明する回路パターンの断面図であ
り、（Ａ）は錫又は錫・鉛合金めっき膜形成前、（Ｂ）
は錫又は錫・鉛合金めっき膜形成後を示す。

【符号の説明】

１ 基体 ２ 銅又は銅合金層 ３ エッチングレジスト層 ４ 回路パターン ５ 置換防止めっき膜 ６ 厚付け錫又は錫・鉛合金めっき膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀田 輝幸 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 上玉利 徹 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 藤田 実 兵庫県尼崎市塚口本町８−１−１ 三菱電 機株式会社生産技術研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基体に積層形成した銅又は銅合金
   層上に回路パターン状にエッチングレジスト層を形成し
   てエッチング処理し、上記レジスト層形成部分を残して
   上記銅又は銅合金層を除去することにより銅又は銅合金
   からなる回路パターンを形成した後、上記エッチングレ
   ジスト層を残したまま厚付け用無電解錫又は錫・鉛合金
   めっき液により置換されない置換防止めっき膜を形成す
   る置換防止めっきを行ない、回路パターンの側面部に選
   択的に上記置換防止めっき膜を形成して該置換防止めっ
   き膜で回路パターンの側面部を被覆し、次いでエッチン
   グレジスト層を除去した後、厚付け用無電解錫又は錫・
   鉛合金めっき液でめっきを行なうことにより、回路パタ
   ーンの上面上にのみ選択的に５μｍ以上の厚付け錫又は
   錫・鉛合金めっき膜を形成することを特徴とする回路パ
   ターンの形成方法。
2. 【請求項２】 回路パターンの側面部に回路パターン上
   面に形成する無電解錫又は錫・鉛合金めっき膜の溶融温
   度よりも高い溶融温度を有する置換防止めっき膜を形成
   し、次いで上記回路パターン上面に無電解錫又は錫・鉛
   合金めっきを行なった後、この錫又は錫合金めっき膜を
   上記置換防止めっき膜の溶融温度より低い温度で溶融処
   理することを特徴とする請求項１に記載の回路パターン
   の形成方法。