JPH0621601A - プリント配線基板並びにその製造方法及び接続方法 - Google Patents
プリント配線基板並びにその製造方法及び接続方法Info
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- JPH0621601A JPH0621601A JP20011592A JP20011592A JPH0621601A JP H0621601 A JPH0621601 A JP H0621601A JP 20011592 A JP20011592 A JP 20011592A JP 20011592 A JP20011592 A JP 20011592A JP H0621601 A JPH0621601 A JP H0621601A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 接触抵抗を小さくしかつファインピッチ接続
が行えるようにする。 【構成】 プリント配線基板の接続端子の接続面をエッ
チング液により粗面化して、接続面上に、粗い凹凸構造
を形成し、接続端子部分を接着剤により相手側の接続端
子部分に接着し、その凹凸構造の凸部を介して電気的接
続を達成する。
が行えるようにする。 【構成】 プリント配線基板の接続端子の接続面をエッ
チング液により粗面化して、接続面上に、粗い凹凸構造
を形成し、接続端子部分を接着剤により相手側の接続端
子部分に接着し、その凹凸構造の凸部を介して電気的接
続を達成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ基板等のプリン
ト配線基板、並びにその製造方法及び接続方法に関し、
特に、プリント配線の接続端子部の接続面に、ソフトエ
ッチングにより粗化して凹凸構造を形成し、これを介し
て相手側パターンに接着剤を介して接続するようにした
ものであってファインピッチ接続に適したものに関す
る。
ト配線基板、並びにその製造方法及び接続方法に関し、
特に、プリント配線の接続端子部の接続面に、ソフトエ
ッチングにより粗化して凹凸構造を形成し、これを介し
て相手側パターンに接着剤を介して接続するようにした
ものであってファインピッチ接続に適したものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g）基板と液晶パネルとの接続においては、異方性導電
性フィルム（ＡＣＦ）が最も広く利用されている。異方
性導電性フィルムは、２０〜３０μｍ厚のシート状の接
着剤中に、ハンダボール、Ｎｉメッキされたプラスチッ
クボール等の粒径が５〜１０μｍφ程度の導電粒子を分
散させたものである。そして、図１１に示すように、Ｔ
ＡＢ基板９１と液晶パネルのガラス基板９２の接続端子
間に異方性導電性フィルム９３を配置して熱圧着するこ
とにより、従図２に示すように、圧着によってつぶれた
導電粒子９４を介して、ＴＡＢ基板９１の接続端子９５
と、ガラス基板９２のＩＴＯ被膜による接続端子９６と
が電気的に接続される。
g）基板と液晶パネルとの接続においては、異方性導電
性フィルム（ＡＣＦ）が最も広く利用されている。異方
性導電性フィルムは、２０〜３０μｍ厚のシート状の接
着剤中に、ハンダボール、Ｎｉメッキされたプラスチッ
クボール等の粒径が５〜１０μｍφ程度の導電粒子を分
散させたものである。そして、図１１に示すように、Ｔ
ＡＢ基板９１と液晶パネルのガラス基板９２の接続端子
間に異方性導電性フィルム９３を配置して熱圧着するこ
とにより、従図２に示すように、圧着によってつぶれた
導電粒子９４を介して、ＴＡＢ基板９１の接続端子９５
と、ガラス基板９２のＩＴＯ被膜による接続端子９６と
が電気的に接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これに
よれば、接続部分の隣接パターン間の距離が極めて隣接
したファインピッチ接続を行う場合、導電粒子をより細
かくしないと隣接パターン同志のショートや絶縁抵抗の
低下を生じるという問題がある。また、接続後の初期に
おいては隣接パターン間の絶縁抵抗が十分大きくても、
長期間使用していくうちに、絶縁性が低下し、リークが
生じ始める恐れもある。このため、異方性導電フィルム
による実用上の接続ピッチは５〜７本／ｍｍが限度であ
り、それ以下の５０〜１００μｍピッチすなわち１０〜
２０本／ｍｍ程度のファインピッチ接続には不十分であ
る。また、導電粒子の粒径がばらつきを有し不均一であ
るため、各接続点での接続抵抗にアンバランスを生じる
という問題もある。これらの問題は、導電粒子の微細化
および粒径の均一化が達成されない限り、解決すること
ができないものである。
よれば、接続部分の隣接パターン間の距離が極めて隣接
したファインピッチ接続を行う場合、導電粒子をより細
かくしないと隣接パターン同志のショートや絶縁抵抗の
低下を生じるという問題がある。また、接続後の初期に
おいては隣接パターン間の絶縁抵抗が十分大きくても、
長期間使用していくうちに、絶縁性が低下し、リークが
生じ始める恐れもある。このため、異方性導電フィルム
による実用上の接続ピッチは５〜７本／ｍｍが限度であ
り、それ以下の５０〜１００μｍピッチすなわち１０〜
２０本／ｍｍ程度のファインピッチ接続には不十分であ
る。また、導電粒子の粒径がばらつきを有し不均一であ
るため、各接続点での接続抵抗にアンバランスを生じる
という問題もある。これらの問題は、導電粒子の微細化
および粒径の均一化が達成されない限り、解決すること
ができないものである。
【０００４】さらに、各接続点においては、１〜２個／
パターン程度の導電粒子を介してしか電気的に接続され
ないため、接触面積が小さく、接触抵抗が０．５Ω／ｍ
ｍ2程にも大きくなってしまうという問題もある。した
がって、電流も微小量しか流すことができず、そのた
め、用途も液晶パネル用等に限定されてしまう。
パターン程度の導電粒子を介してしか電気的に接続され
ないため、接触面積が小さく、接触抵抗が０．５Ω／ｍ
ｍ2程にも大きくなってしまうという問題もある。した
がって、電流も微小量しか流すことができず、そのた
め、用途も液晶パネル用等に限定されてしまう。
【０００５】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、接触抵抗が小さくてファインピッチ接続に
適したプリント配線基板並びにその製造方法及び接続方
法を提供することにある。
題点に鑑み、接触抵抗が小さくてファインピッチ接続に
適したプリント配線基板並びにその製造方法及び接続方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、プリント配線基板の接続端子の接続面をソ
フトエッチング液により粗面化して、接続面上に、粗さ
が例えばＲｚ＝０．９５〜１．１５μｍ程度の凹凸構造
を形成するようにしている。また、通常は、その凹凸構
造上にメッキを施す。そして接続に際しては、接続端子
部分を接着剤により相手側の接続端子部分に接着し、そ
の凹凸構造の凸部を介して電気的接続を行うようにして
いる。
本発明では、プリント配線基板の接続端子の接続面をソ
フトエッチング液により粗面化して、接続面上に、粗さ
が例えばＲｚ＝０．９５〜１．１５μｍ程度の凹凸構造
を形成するようにしている。また、通常は、その凹凸構
造上にメッキを施す。そして接続に際しては、接続端子
部分を接着剤により相手側の接続端子部分に接着し、そ
の凹凸構造の凸部を介して電気的接続を行うようにして
いる。
【０００７】プリント配線基板としては、例えば、ガラ
エポ基板、ＦＰＣ基板、ＴＡＢ基板等の、電解銅箔や圧
延銅箔をエッチングして回路パターンを形成した基板が
該当する。
エポ基板、ＦＰＣ基板、ＴＡＢ基板等の、電解銅箔や圧
延銅箔をエッチングして回路パターンを形成した基板が
該当する。
【０００８】ソフトエッチング液による粗面化は、電気
絶縁のために、接続端子部分以外の不要部分を、ソルダ
ーレジストインク、カバーレイフィルム等で被覆してか
ら行うのが好ましい。例えば、ＴＡＢ基板の場合、図３
に示すように、接続端子部分２１および２２以外の領域
２３を被覆する。ただし、図４に示すように、デバイス
ホール２４周辺にはソルダーレジストインク２５を塗布
しない。
絶縁のために、接続端子部分以外の不要部分を、ソルダ
ーレジストインク、カバーレイフィルム等で被覆してか
ら行うのが好ましい。例えば、ＴＡＢ基板の場合、図３
に示すように、接続端子部分２１および２２以外の領域
２３を被覆する。ただし、図４に示すように、デバイス
ホール２４周辺にはソルダーレジストインク２５を塗布
しない。
【０００９】ソフトエッチング液としては、硫酸に過硫
酸アンモニウムあるいはさらにＨ2Ｏ2 を加えた無機酸
化剤を含む溶液を用いることができる。また、市販のマ
イクロエッチング用薬品を使用することもでき、例えば
日本メルテックス社製Ｅ−４６２の５０ｍｌに対し１０
０〜２００ｍｌ／ｌのＨ2 ＳＯ4 、および３０〜７０ｍ
ｌ／ｌのＨ2 Ｏ2 を加えたもの（Ｈ2 ＳＯ4 が２００ｍ
／ｌを超えても、またＨ2 Ｏ2 が７０ｍ／ｌを超えて
も、効果は変わりない）や、日本メルテックス社製ＡＤ
−４８５の１５０ｇｒ／ｌに対し１０ｍｌ／ｌのＨ2 Ｓ
Ｏ4 を加えたものを使用することもできる。これらいず
れの溶液に対しても、３０±５℃で２０〜６０秒浸漬す
ることにより粗面化を行う。これにより、例えば、ソフ
トエッチング前は粗さＲｚ＝０．９０μｍの接続端子表
面が、Ｒｚ＝０．９５〜１．１５μｍ（高さ２〜３μ
ｍ）の表面となる。しかし例えば、３７％のＨ2 ＳＯ
4 、１８％のＮａＮＯ3 、１％以下のＣｕＣｌ2・２Ｈ2
Ｏ、および残りのＨ2 Ｏを成分とするケムポリッシュ１
５１Ｌ−２（シプレー社；商品名）のような化学研磨液
を用いると、接続端子表面はＲｚ＝０．４５〜０．８０
μｍとなって逆に平滑化されてしまい、所期の目的を達
成できないので注意を要する。また、ソフトエッチング
後に、硫酸を１、硝酸を０．５、塩酸を少量、水を１の
割合で含むキリンスで表面処理すると、同様に平滑化さ
れてしまうので、このような表面処理は行わない。
酸アンモニウムあるいはさらにＨ2Ｏ2 を加えた無機酸
化剤を含む溶液を用いることができる。また、市販のマ
イクロエッチング用薬品を使用することもでき、例えば
日本メルテックス社製Ｅ−４６２の５０ｍｌに対し１０
０〜２００ｍｌ／ｌのＨ2 ＳＯ4 、および３０〜７０ｍ
ｌ／ｌのＨ2 Ｏ2 を加えたもの（Ｈ2 ＳＯ4 が２００ｍ
／ｌを超えても、またＨ2 Ｏ2 が７０ｍ／ｌを超えて
も、効果は変わりない）や、日本メルテックス社製ＡＤ
−４８５の１５０ｇｒ／ｌに対し１０ｍｌ／ｌのＨ2 Ｓ
Ｏ4 を加えたものを使用することもできる。これらいず
れの溶液に対しても、３０±５℃で２０〜６０秒浸漬す
ることにより粗面化を行う。これにより、例えば、ソフ
トエッチング前は粗さＲｚ＝０．９０μｍの接続端子表
面が、Ｒｚ＝０．９５〜１．１５μｍ（高さ２〜３μ
ｍ）の表面となる。しかし例えば、３７％のＨ2 ＳＯ
4 、１８％のＮａＮＯ3 、１％以下のＣｕＣｌ2・２Ｈ2
Ｏ、および残りのＨ2 Ｏを成分とするケムポリッシュ１
５１Ｌ−２（シプレー社；商品名）のような化学研磨液
を用いると、接続端子表面はＲｚ＝０．４５〜０．８０
μｍとなって逆に平滑化されてしまい、所期の目的を達
成できないので注意を要する。また、ソフトエッチング
後に、硫酸を１、硝酸を０．５、塩酸を少量、水を１の
割合で含むキリンスで表面処理すると、同様に平滑化さ
れてしまうので、このような表面処理は行わない。
【００１０】凹凸構造上のメッキとしては、Ｓｎメッ
キ、Ｎｉを下地としたＡｕメッキ等を用いることができ
る。例えば、ＮｉおよびＡｕをそれぞれ０．５μｍ厚ま
で電気メッキするか、あるいはＳｎを０．２〜０．７μ
ｍ厚まで無電解メッキする。
キ、Ｎｉを下地としたＡｕメッキ等を用いることができ
る。例えば、ＮｉおよびＡｕをそれぞれ０．５μｍ厚ま
で電気メッキするか、あるいはＳｎを０．２〜０．７μ
ｍ厚まで無電解メッキする。
【００１１】接続は、例えば、エポキシ系等の２０〜２
５μｍ厚のシート状接着剤を用い、熱圧着により行うこ
とができる。接着剤は、熱硬化型または熱可塑型いずれ
を用いることもでき、また液状のものを用いても良い。
具体的には、ソニーケミカル（株）の８９Ｃ−７Ｘが使
用できる。これにより、接着剤をバインダとして相手側
のＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、リジッド基板、ＦＰＣ
等と接続される。
５μｍ厚のシート状接着剤を用い、熱圧着により行うこ
とができる。接着剤は、熱硬化型または熱可塑型いずれ
を用いることもでき、また液状のものを用いても良い。
具体的には、ソニーケミカル（株）の８９Ｃ−７Ｘが使
用できる。これにより、接着剤をバインダとして相手側
のＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、リジッド基板、ＦＰＣ
等と接続される。
【００１２】接続に際しては、例えば、ＣＣＤカメラで
ＴＡＢ基板とＬＣＤとを位置合せした後、熱圧着機によ
り接着剤をヒートツールで加圧および加熱して、ＴＡＢ
基板の接続端子と、ＬＣＤ基板のＩＴＯパターンによる
接続端子とを接続する。
ＴＡＢ基板とＬＣＤとを位置合せした後、熱圧着機によ
り接着剤をヒートツールで加圧および加熱して、ＴＡＢ
基板の接続端子と、ＬＣＤ基板のＩＴＯパターンによる
接続端子とを接続する。
【００１３】
【作用】これによれば、例えば図１や図２に示すよう
に、ＴＡＢ基板１の接続端子パターン３は、その上に形
成された凸部５を介して相手側ＬＣＤ７の接続端子パタ
ーン９に対する電気的接続が達成される。そしてこの電
気的接続は、接着剤１１の収縮力によって維持される。
に、ＴＡＢ基板１の接続端子パターン３は、その上に形
成された凸部５を介して相手側ＬＣＤ７の接続端子パタ
ーン９に対する電気的接続が達成される。そしてこの電
気的接続は、接着剤１１の収縮力によって維持される。
【００１４】したがって、接続異方性導電フィルムを用
いた場合におけるような、導電粒子の微小化や均一化に
おける限界、隣接パターン間に存する導電粒子によるシ
ョートや絶縁抵抗の低下といった問題がなく、接続ピッ
チのファイン化は、接続端子部分のエッチングによるパ
ターン形成におけるファインピッチ化の可能性のみに限
定されることになる。したがって、エッチングさえ可能
であれば、２０〜３０μｍピッチのファインパターン接
続も可能である。
いた場合におけるような、導電粒子の微小化や均一化に
おける限界、隣接パターン間に存する導電粒子によるシ
ョートや絶縁抵抗の低下といった問題がなく、接続ピッ
チのファイン化は、接続端子部分のエッチングによるパ
ターン形成におけるファインピッチ化の可能性のみに限
定されることになる。したがって、エッチングさえ可能
であれば、２０〜３０μｍピッチのファインパターン接
続も可能である。
【００１５】また、各接続点における接触面積が大き
く、導電粒子を介することによる接触面積の不十分とい
った問題がないため、異方性導電フィルムを用いた場合
に比べて接触抵抗が小さく、１／１０程度となる。した
がって、より大きな電流に対応でき、より広範囲のプリ
ント配線基板に適用される。
く、導電粒子を介することによる接触面積の不十分とい
った問題がないため、異方性導電フィルムを用いた場合
に比べて接触抵抗が小さく、１／１０程度となる。した
がって、より大きな電流に対応でき、より広範囲のプリ
ント配線基板に適用される。
【００１６】さらに、接続に用いる接着剤は導電粒子を
含まないため、異方性導電フィルムよりも１ｃｍ当たり
５〜８円安く、また、ソフトエッチング液による粗面化
は、従来の回路パターン形成時に使用しているエッチン
グ液をソフトエッチング用に換えるだけで行えるため、
異方性導電フィルムを用いた場合よりもコストがかから
ない。
含まないため、異方性導電フィルムよりも１ｃｍ当たり
５〜８円安く、また、ソフトエッチング液による粗面化
は、従来の回路パターン形成時に使用しているエッチン
グ液をソフトエッチング用に換えるだけで行えるため、
異方性導電フィルムを用いた場合よりもコストがかから
ない。
【００１７】
【実施例】まず、７５μｍ厚のポリイミドに接着剤を介
して電解銅箔を貼り付けて形成した積層板に、図５に示
すような、パターンピッチが３００μｍの２５０本の平
行線パターンからなる接続端子パターン３をエッチング
により形成し、そして約７ｍｍの露出エリア５３を残し
て２５μｍ厚のカプトンフィルム５５で被覆した基板を
多数用意した。エッチングは、ポジ型液体レジストを電
解銅箔にコーティングし、８０μｍピッチの接続端子パ
ターンを有するガラスマスクを用いて露光し、ＮａＯＨ
＋Ｎａ2 ＣＯ3 溶液を用いて現像し、そして塩化第二銅
溶液を噴きつけることにより行った。各基板上に形成さ
れた接続端子パターンの厚さは１８μｍ、各平行線パタ
ーンの線幅は１５０μｍであった。このときの接続端子
の接続面のＳＥＭ写真を図６に示す。
して電解銅箔を貼り付けて形成した積層板に、図５に示
すような、パターンピッチが３００μｍの２５０本の平
行線パターンからなる接続端子パターン３をエッチング
により形成し、そして約７ｍｍの露出エリア５３を残し
て２５μｍ厚のカプトンフィルム５５で被覆した基板を
多数用意した。エッチングは、ポジ型液体レジストを電
解銅箔にコーティングし、８０μｍピッチの接続端子パ
ターンを有するガラスマスクを用いて露光し、ＮａＯＨ
＋Ｎａ2 ＣＯ3 溶液を用いて現像し、そして塩化第二銅
溶液を噴きつけることにより行った。各基板上に形成さ
れた接続端子パターンの厚さは１８μｍ、各平行線パタ
ーンの線幅は１５０μｍであった。このときの接続端子
の接続面のＳＥＭ写真を図６に示す。
【００１８】次に、表１に示すように、それら基板のう
ちの１グループについては本発明に従った実施例とし
て、１５０ｇｒ／ｌのＡＤ−４８５に対し１０ｍｌ／ｌ
のＨ2ＳＯ4 を加えたものを用いてマイクロエッチング
を２０〜６０秒３０℃において施し、接続端子部分の回
路パターン表面の粗さをＲｚ＝０．９５〜１．１５μｍ
とし、さらにその上に、ＮｉおよびＡｕをこの順にそれ
ぞれ０．５μｍ厚さで電気メッキした。Ｎｉメッキはス
ルファミン酸Ｎｉ浴を用い、６０℃においてＤｋ＝５Ａ
／ｄｍ2 として９０秒行い、Ａｕメッキはシアン化金カ
リウム浴（ＮＥケムキャット（株）のＮ−７７（Ａｕ：
１０ｇｒ／ｌ））を用い、３５℃においてＤｋ＝１Ａ／
ｄｍ2 として６０秒行った。このときの接続端子の接続
面のＳＥＭ写真を図７に示す。
ちの１グループについては本発明に従った実施例とし
て、１５０ｇｒ／ｌのＡＤ−４８５に対し１０ｍｌ／ｌ
のＨ2ＳＯ4 を加えたものを用いてマイクロエッチング
を２０〜６０秒３０℃において施し、接続端子部分の回
路パターン表面の粗さをＲｚ＝０．９５〜１．１５μｍ
とし、さらにその上に、ＮｉおよびＡｕをこの順にそれ
ぞれ０．５μｍ厚さで電気メッキした。Ｎｉメッキはス
ルファミン酸Ｎｉ浴を用い、６０℃においてＤｋ＝５Ａ
／ｄｍ2 として９０秒行い、Ａｕメッキはシアン化金カ
リウム浴（ＮＥケムキャット（株）のＮ−７７（Ａｕ：
１０ｇｒ／ｌ））を用い、３５℃においてＤｋ＝１Ａ／
ｄｍ2 として６０秒行った。このときの接続端子の接続
面のＳＥＭ写真を図７に示す。
【００１９】一方、他の１つのグループについては、比
較例１として、マイクロエッチングを施さず、接続端子
部分の回路パターン表面の粗さを初めのＲｚ＝０．９０
μｍのままとし、同様のメッキ処理のみを施した。ま
た、残りのグループについては比較例２として、シプレ
ー社製ケムポリッシュを用い、３０秒マイクロエッチン
グを施すことにより接続端子部分の回路パターン表面の
粗さをＲｚ＝０．８５μｍとし、その上に、同様のメッ
キ処理を施した。このときの接続端子の接続面のＳＥＭ
写真を図７に示す。ただし、写真は、マイクロエッチン
グを２分行ったものである。
較例１として、マイクロエッチングを施さず、接続端子
部分の回路パターン表面の粗さを初めのＲｚ＝０．９０
μｍのままとし、同様のメッキ処理のみを施した。ま
た、残りのグループについては比較例２として、シプレ
ー社製ケムポリッシュを用い、３０秒マイクロエッチン
グを施すことにより接続端子部分の回路パターン表面の
粗さをＲｚ＝０．８５μｍとし、その上に、同様のメッ
キ処理を施した。このときの接続端子の接続面のＳＥＭ
写真を図７に示す。ただし、写真は、マイクロエッチン
グを２分行ったものである。
【００２０】
【表１】 次に、このようにして用意した各グループのサンプル基
板を、表面にＩＴＯ膜をスパッタにより形成したガラス
基板に対し２５μｍ厚のシート状接着剤を用いて接続し
た。用いた接着剤は、ソニーケミカル社の３ｍｍ幅のエ
ポキシ系熱硬化型接着剤８９Ｃ−７Ｘであり、接続に際
しては、図９に示すように、この接着剤１１を、サンプ
ル基板１の接続端子部分の端部に配置し、さらに、図１
０に示すように、台７１上に、ガラス基板７をＩＴＯ膜
面を上して配置し、その上に接続端子を下にしてサンプ
ル基板１を配置し、幅３ｍｍ、長さ１２０ｍｍのインバ
ーツール７７をサンプル基板１側から１８０℃で２０秒
間押し当てることにより熱圧着した。用いた熱圧着機
は、日本アビオニクス社のＴＣＷ−１２０（パルヒート
タイプ）であり、接着面積は、各端子につき、接着剤の
幅３ｍｍ×端子幅０．１５ｍｍ＝０．４５ｍｍ2 であっ
た。また、ボンディング圧力は、１０〜３０Ｋｇ／ｃｍ
2 であった。
板を、表面にＩＴＯ膜をスパッタにより形成したガラス
基板に対し２５μｍ厚のシート状接着剤を用いて接続し
た。用いた接着剤は、ソニーケミカル社の３ｍｍ幅のエ
ポキシ系熱硬化型接着剤８９Ｃ−７Ｘであり、接続に際
しては、図９に示すように、この接着剤１１を、サンプ
ル基板１の接続端子部分の端部に配置し、さらに、図１
０に示すように、台７１上に、ガラス基板７をＩＴＯ膜
面を上して配置し、その上に接続端子を下にしてサンプ
ル基板１を配置し、幅３ｍｍ、長さ１２０ｍｍのインバ
ーツール７７をサンプル基板１側から１８０℃で２０秒
間押し当てることにより熱圧着した。用いた熱圧着機
は、日本アビオニクス社のＴＣＷ−１２０（パルヒート
タイプ）であり、接着面積は、各端子につき、接着剤の
幅３ｍｍ×端子幅０．１５ｍｍ＝０．４５ｍｍ2 であっ
た。また、ボンディング圧力は、１０〜３０Ｋｇ／ｃｍ
2 であった。
【００２１】また、同様の接続を、比較例１のグループ
について、前記接着剤の代わりに異方性導電膜を用いて
行い、これを比較例３とした。
について、前記接着剤の代わりに異方性導電膜を用いて
行い、これを比較例３とした。
【００２２】次に、このようにして接続された本実施例
および各比較例のサンプル基板について、冷熱サイクル
テスト（ＴＣＴ）、低温保持試験、および耐溶剤テスト
を行った。冷熱サイクルテストは、各サンプルのうち、
前記ボンディング圧力を１０Ｋｇ／ｃｍ2 としたものに
ついて、温度を、３０分ごとに交互に−４０℃および１
００℃とし、初期、１００時間経過後、および１０００
時間経過後において、接触抵抗（Ω／ｍｍ2 ）をデジタ
ルマルチメータで測定することにより行った。低温保持
試験は、各サンプルのうち前記ボンディング圧力を２０
Ｋｇ／ｃｍ2 としたものについて、温度を−４０℃の一
定に保持し、同様の時間において、同様にして接触抵抗
を測定することにより行った。そして耐溶剤テストは、
各サンプルのうち、前記ボンディング圧力を３０Ｋｇ／
ｃｍ2 としたものについて、１６℃の１−１−１トリク
ロルエタンに浸漬し、初期、１５分経過後、および３０
分経過後において同様にして接触抵抗を測定することに
より行った。この結果を、表２〜４に示す。
および各比較例のサンプル基板について、冷熱サイクル
テスト（ＴＣＴ）、低温保持試験、および耐溶剤テスト
を行った。冷熱サイクルテストは、各サンプルのうち、
前記ボンディング圧力を１０Ｋｇ／ｃｍ2 としたものに
ついて、温度を、３０分ごとに交互に−４０℃および１
００℃とし、初期、１００時間経過後、および１０００
時間経過後において、接触抵抗（Ω／ｍｍ2 ）をデジタ
ルマルチメータで測定することにより行った。低温保持
試験は、各サンプルのうち前記ボンディング圧力を２０
Ｋｇ／ｃｍ2 としたものについて、温度を−４０℃の一
定に保持し、同様の時間において、同様にして接触抵抗
を測定することにより行った。そして耐溶剤テストは、
各サンプルのうち、前記ボンディング圧力を３０Ｋｇ／
ｃｍ2 としたものについて、１６℃の１−１−１トリク
ロルエタンに浸漬し、初期、１５分経過後、および３０
分経過後において同様にして接触抵抗を測定することに
より行った。この結果を、表２〜４に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】 以上から、本実施例によれば、接触抵抗が小さく、長期
にわたる信頼性を有する接続が得られることが分かる。
にわたる信頼性を有する接続が得られることが分かる。
【００２６】なお、ＴＡＢ基板のインナーリードの接続
面にも凹凸構造を設けるようにしてもよく、それによ
り、ＩＣとインナーリードをフリップチップ接続する場
合に凹凸構造の中に溶融ハンダが浸透するので、ＩＣパ
ッドとインナーリードとの間の接続信頼性を向上させる
ことができる。
面にも凹凸構造を設けるようにしてもよく、それによ
り、ＩＣとインナーリードをフリップチップ接続する場
合に凹凸構造の中に溶融ハンダが浸透するので、ＩＣパ
ッドとインナーリードとの間の接続信頼性を向上させる
ことができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、接
着剤により、接続端子表面の凹凸構造の凸部を介して電
気的接続を行い、そしてこの電気的接続を接着剤の収縮
力によって維持することができる。したがって、２０〜
３０μｍピッチのファインパターン接続を行うことがで
きる。また、各接続点における接触面積が大きく、より
大きな電流に対応してより広範囲のプリント配線基板に
適用することができる。さらに、異方性導電フィルムを
用いた場合よりも低コストで、信頼性の高い接続を行う
ことができる。
着剤により、接続端子表面の凹凸構造の凸部を介して電
気的接続を行い、そしてこの電気的接続を接着剤の収縮
力によって維持することができる。したがって、２０〜
３０μｍピッチのファインパターン接続を行うことがで
きる。また、各接続点における接触面積が大きく、より
大きな電流に対応してより広範囲のプリント配線基板に
適用することができる。さらに、異方性導電フィルムを
用いた場合よりも低コストで、信頼性の高い接続を行う
ことができる。
【図１】 本発明に従って接続したＴＡＢ基板とＬＣＤ
の接続端子部分を例示する断面図である。
の接続端子部分を例示する断面図である。
【図２】 図１の拡大図である。
【図３】 本発明をＴＡＢ基板に適用する場合の説明図
である。
である。
【図４】 図３のデバイスホール部分の拡大図およびそ
のＡＡ断面図である。
のＡＡ断面図である。
【図５】 本発明の一実施例に係る基板の接続端子部分
の部分的な平面図である。
の部分的な平面図である。
【図６】 本発明の一実施例において、マイクロエッチ
ング処理前の接続面の粒子構造を示すＳＥＭ写真であ
る。
ング処理前の接続面の粒子構造を示すＳＥＭ写真であ
る。
【図７】 本発明の一実施例において、マイクロエッチ
ング処理後の接続面の粒子構造を示すＳＥＭ写真であ
る。
ング処理後の接続面の粒子構造を示すＳＥＭ写真であ
る。
【図８】 従来例に係るマイクロエッチング処理後の接
続面の粒子構造を示すＳＥＭ写真である。
続面の粒子構造を示すＳＥＭ写真である。
【図９】 本発明の一実施例において、接着剤を基板の
接続端子部分の端部に配置したときの様子を示す斜視図
である。
接続端子部分の端部に配置したときの様子を示す斜視図
である。
【図１０】 本発明の一実施例において、熱圧着機によ
り接続する様子を説明するための説明図である。
り接続する様子を説明するための説明図である。
【図１１】 従来の異方性導電膜を用いて接続する様子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１２】 従来の異方性導電膜を用いて接続した様子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１：基板、３：接続端子パターン、５：凸部、７：ＬＣ
Ｄ基板、９：接続端子パターン、１１：接着剤、２１，
２２：接続端子部分、２４：デバイスホール、２５：ソ
ルダーレジストインク、５３：露出エリア、５５：カプ
トンフィルム、７１：台、７７：インバーツール。
Ｄ基板、９：接続端子パターン、１１：接着剤、２１，
２２：接続端子部分、２４：デバイスホール、２５：ソ
ルダーレジストインク、５３：露出エリア、５５：カプ
トンフィルム、７１：台、７７：インバーツール。
Claims (12)
- 【請求項１】 接続端子部を備えたプリント配線基板で
あって、各接続端子の接続面には、エッチング液で表面
を粗くすることにより設けられた凹凸構造を有し、各接
続端子は接着剤を介して相手側の接続端子に接着により
接続され、接続後は接着剤の収縮力により前記凹凸構造
の凸部を介して電気的接続が維持されるものであること
を特徴とするプリント配線基板。 - 【請求項２】 前記凹凸構造の粗さはＲｚ＝０．９５〜
１．１５μｍである請求項１記載のプリント配線基板。 - 【請求項３】 各接続端子部の接続面は、メッキが施さ
れている、請求項１記載のプリント配線基板。 - 【請求項４】 プリント配線基板の製造に際し、プリン
ト配線を基板上に形成した後、プリント配線の接続端子
部の接続面に、エッチング液によって粗くすることによ
り凹凸構造を設けることを特徴とするプリント配線基板
の製造方法。 - 【請求項５】 エッチング液は無機酸化剤を含むもので
ある請求項３記載のプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記凹凸構造の上にメッキを施す、請求
項４記載のプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 エッチング液によって接続面を粗くする
前に、このエッチング液による粗面化が不要な部分を被
覆する、請求項４記載のプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項８】 接続端子部を備えたプリント配線基板の
接続方法であって、各接続端子の接続面に、エッチング
液で表面を粗くすることにより凹凸構造を設け、各接続
端子を接着剤を介して相手側の接続端子に接着により接
続し、接続後は接着剤の収縮力により前記凹凸構造の凸
部を介して電気的接続を維持することを特徴とするプリ
ント配線基板の接続方法。 - 【請求項９】 前記凹凸構造の粗さはＲｚ＝０．９５〜
１．１５μｍである請求項８記載のプリント配線基板の
接続方法。 - 【請求項１０】 エッチング液は無機酸化剤を含むもの
である請求項８記載のプリント配線基板の接続方法。 - 【請求項１１】 前記凹凸構造の上にメッキを施す、請
求項８記載のプリント配線基板の接続方法。 - 【請求項１２】 エッチング液によって接続面を粗くす
る前に、このエッチング液による粗面化が不要な部分を
被覆する、請求項８記載のプリント配線基板の接続方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20011592A JPH0621601A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | プリント配線基板並びにその製造方法及び接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20011592A JPH0621601A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | プリント配線基板並びにその製造方法及び接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621601A true JPH0621601A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16419081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20011592A Pending JPH0621601A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | プリント配線基板並びにその製造方法及び接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621601A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049511A1 (fr) * | 1998-03-23 | 1999-09-30 | Seiko Epson Corporation | Composant a semi-conducteur, sa fabrication, plaquette de circuit et composant electronique |
| US6333565B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| JP2003125492A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電音響装置 |
| JP2005183588A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Fujikura Ltd | 接合体およびその製造方法 |
| JP2005183451A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Fujikura Ltd | 接合体およびその製造方法 |
| JP2013532376A (ja) * | 2010-06-02 | 2013-08-15 | アップル インコーポレイテッド | フレキシブルプリント回路対ガラスアセンブリシステム及び方法 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP20011592A patent/JPH0621601A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7420285B2 (en) | 1998-03-23 | 2008-09-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| US7271499B2 (en) | 1998-03-23 | 2007-09-18 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| US7038323B2 (en) | 1998-03-23 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| US6583516B2 (en) | 1998-03-23 | 2003-06-24 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| US6900548B2 (en) | 1998-03-23 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| WO1999049511A1 (fr) * | 1998-03-23 | 1999-09-30 | Seiko Epson Corporation | Composant a semi-conducteur, sa fabrication, plaquette de circuit et composant electronique |
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| US7659142B2 (en) | 1998-03-23 | 2010-02-09 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| JP2003125492A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電音響装置 |
| JP2005183451A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Fujikura Ltd | 接合体およびその製造方法 |
| JP4526813B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2010-08-18 | 株式会社フジクラ | 接合体の製造方法 |
| JP2005183588A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Fujikura Ltd | 接合体およびその製造方法 |
| JP4526814B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2010-08-18 | 株式会社フジクラ | 接合体の製造方法 |
| JP2013532376A (ja) * | 2010-06-02 | 2013-08-15 | アップル インコーポレイテッド | フレキシブルプリント回路対ガラスアセンブリシステム及び方法 |
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