JPH0621570A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH0621570A JPH0621570A JP17843592A JP17843592A JPH0621570A JP H0621570 A JPH0621570 A JP H0621570A JP 17843592 A JP17843592 A JP 17843592A JP 17843592 A JP17843592 A JP 17843592A JP H0621570 A JPH0621570 A JP H0621570A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体発光装置の製造方法に関
し、回折格子上に高温下でクラッド層を形成する際、回
折格子の熱変形及び歪み等を生じ難くして、所望の回折
効率を得ることができ、所望のレーザ特性を得ることが
できる半導体発光装置の製造方法を提供する。 【構成】 下地の化合物半導体層１上に第１のリン含有
化合物半導体層２及び該第１のリン含有化合物半導体層
２とは異なる構成材料からなる第２のリン含有化合物半
導体層３を順次形成する工程と、次いで、第１のリン含
有化合物半導体層２に回折格子２ａを形成するととも
に、該回折格子２ａの凸部上に該第２のリン含有化合物
半導体層３を残す工程と、次いで、熱処理することによ
り該回折格子２ａ凸部上の該第２のリン含有化合物半導
体層３を該回折格子２ａの凹部内に埋め込む工程とを含
むように構成する。
し、回折格子上に高温下でクラッド層を形成する際、回
折格子の熱変形及び歪み等を生じ難くして、所望の回折
効率を得ることができ、所望のレーザ特性を得ることが
できる半導体発光装置の製造方法を提供する。 【構成】 下地の化合物半導体層１上に第１のリン含有
化合物半導体層２及び該第１のリン含有化合物半導体層
２とは異なる構成材料からなる第２のリン含有化合物半
導体層３を順次形成する工程と、次いで、第１のリン含
有化合物半導体層２に回折格子２ａを形成するととも
に、該回折格子２ａの凸部上に該第２のリン含有化合物
半導体層３を残す工程と、次いで、熱処理することによ
り該回折格子２ａ凸部上の該第２のリン含有化合物半導
体層３を該回折格子２ａの凹部内に埋め込む工程とを含
むように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置の製造
方法に係り、詳しくは、回折格子を有する分布帰還型半
導体レーザ（以下ＤＦＢレーザと記す）等の製造方法に
適用することができ、特に、回折格子上に高温下でクラ
ッド層を形成する際、回折格子に熱変形及び歪み等を生
じ難くして所望の回折効率を得ることができる半導体発
光装置の製造方法に関する。
方法に係り、詳しくは、回折格子を有する分布帰還型半
導体レーザ（以下ＤＦＢレーザと記す）等の製造方法に
適用することができ、特に、回折格子上に高温下でクラ
ッド層を形成する際、回折格子に熱変形及び歪み等を生
じ難くして所望の回折効率を得ることができる半導体発
光装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体発光装置の製造方法
を説明する図である。図示例はＤＦＢレーザの製造方法
に適用することができる。図６において、41はｐ−Ｉｎ
Ｐ等の基板であり、42〜44は基板41上に順次形成された
ｐ−ＩｎＰ等のバッファ層、ｐ−ＩｎＰＧａＡｓ等の活
性層、ｎ−ＩｎＰＧａＡｓＰ等のガイド層である。そし
て、44ａはガイド層44にレーザによる干渉露光等によっ
て形成された回折格子であり、45は回折格子44ａを覆う
ように形成されたｎ−ＩｎＰ等のクラッド層である。
を説明する図である。図示例はＤＦＢレーザの製造方法
に適用することができる。図６において、41はｐ−Ｉｎ
Ｐ等の基板であり、42〜44は基板41上に順次形成された
ｐ−ＩｎＰ等のバッファ層、ｐ−ＩｎＰＧａＡｓ等の活
性層、ｎ−ＩｎＰＧａＡｓＰ等のガイド層である。そし
て、44ａはガイド層44にレーザによる干渉露光等によっ
て形成された回折格子であり、45は回折格子44ａを覆う
ように形成されたｎ−ＩｎＰ等のクラッド層である。
【０００３】次に、その半導体発光装置の製造方法につ
いて説明する。図６ではレーザ素子部分の形成工程を示
している。まず、図６（ａ）に示す如く、ｐ−ＩｎＰ基
板41を用い、図６（ｂ）に示すように、ＭＯＶＰＥ法等
によりｐ−ＩｎＰ基板41上にｐ−ＩｎＰ、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ及びｎ−ＩｎＧａＡｓＰを順次成長してｐ−Ｉｎ
Ｐバッファ層42、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層43及びｎ−
ＩｎＧａＡｓＰガイド層44を形成する。
いて説明する。図６ではレーザ素子部分の形成工程を示
している。まず、図６（ａ）に示す如く、ｐ−ＩｎＰ基
板41を用い、図６（ｂ）に示すように、ＭＯＶＰＥ法等
によりｐ−ＩｎＰ基板41上にｐ−ＩｎＰ、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ及びｎ−ＩｎＧａＡｓＰを順次成長してｐ−Ｉｎ
Ｐバッファ層42、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層43及びｎ−
ＩｎＧａＡｓＰガイド層44を形成する。
【０００４】次いで、図６（ｃ）に示すように、レーザ
による干渉露光等によってガイド層44を加工して回折格
子44ａを形成する。次に、図６（ｄ）に示すように、Ｍ
ＯＶＰＥ法等により回折格子44ａを覆うようにｎ−Ｉｎ
Ｐを成長してｎ−ＩｎＰクラッド層45を形成する。そし
て、ｎ−ＩｎＰクラッド層45からｐ−ＩｎＰ基板41まで
メサエッチングし、エッチングされた部分にＬＰＥ法等
により電流狭窄層となるｐ−ＩｎＰ／ｎ−ＩｎＰ／ｐ−
ＩｎＰ等の埋め込み層を形成した後、更に全面にＬＰＥ
法等によりｎ−ＩｎＰ等のクラッド層、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ等のコンタクト層を形成し、両面に蒸着等によりＡ
ｕＧｅ−Ａｕ等のｐ電極、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等のｎ電極
を形成することにより、ＤＦＢレーザを得ることができ
る。
による干渉露光等によってガイド層44を加工して回折格
子44ａを形成する。次に、図６（ｄ）に示すように、Ｍ
ＯＶＰＥ法等により回折格子44ａを覆うようにｎ−Ｉｎ
Ｐを成長してｎ−ＩｎＰクラッド層45を形成する。そし
て、ｎ−ＩｎＰクラッド層45からｐ−ＩｎＰ基板41まで
メサエッチングし、エッチングされた部分にＬＰＥ法等
により電流狭窄層となるｐ−ＩｎＰ／ｎ−ＩｎＰ／ｐ−
ＩｎＰ等の埋め込み層を形成した後、更に全面にＬＰＥ
法等によりｎ−ＩｎＰ等のクラッド層、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ等のコンタクト層を形成し、両面に蒸着等によりＡ
ｕＧｅ−Ａｕ等のｐ電極、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等のｎ電極
を形成することにより、ＤＦＢレーザを得ることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体発光装置の製造方法では、回折格子44ａ
形成後にこの回折格子44ａを覆うように６００〜６５０
℃という温度下でｎ−ＩｎＰを成長させてｎ−ＩｎＰク
ラッド層45を形成していたため、図７（ａ）〜（ｄ）に
示すように、回折格子44ａが熱の影響を受けて変形し易
く、波線に示す如く所望の形状の回折格子44ａが得られ
難いという問題があった。回折格子44ａが熱により変形
し易いのは次のような理由によるものと考えられてい
る。回折格子44ａの構成材料はＩｎＧａＡｓＰである
が、この構成材料のＰは他の構成材料のＩｎ，Ｇａ，Ａ
ｓに比べて蒸気圧が非常に高いため、高温になると、回
折格子44ａの構成材料のＰが蒸気となって抜けてしま
い、変形してしまう。このため、回折格子44ａを覆うよ
うに６００〜６５０℃という高温下でｎ−ＩｎＰを成長
すると上記理由から回折格子44ａが変形してしまうと考
えられる。図７では、回折格子44ａ上部の角度から徐々
に変形して崩れていき、このくずれた部分が回折格子44
ａ凹部に埋まっていく様子を示している。
た従来の半導体発光装置の製造方法では、回折格子44ａ
形成後にこの回折格子44ａを覆うように６００〜６５０
℃という温度下でｎ−ＩｎＰを成長させてｎ−ＩｎＰク
ラッド層45を形成していたため、図７（ａ）〜（ｄ）に
示すように、回折格子44ａが熱の影響を受けて変形し易
く、波線に示す如く所望の形状の回折格子44ａが得られ
難いという問題があった。回折格子44ａが熱により変形
し易いのは次のような理由によるものと考えられてい
る。回折格子44ａの構成材料はＩｎＧａＡｓＰである
が、この構成材料のＰは他の構成材料のＩｎ，Ｇａ，Ａ
ｓに比べて蒸気圧が非常に高いため、高温になると、回
折格子44ａの構成材料のＰが蒸気となって抜けてしま
い、変形してしまう。このため、回折格子44ａを覆うよ
うに６００〜６５０℃という高温下でｎ−ＩｎＰを成長
すると上記理由から回折格子44ａが変形してしまうと考
えられる。図７では、回折格子44ａ上部の角度から徐々
に変形して崩れていき、このくずれた部分が回折格子44
ａ凹部に埋まっていく様子を示している。
【０００６】そこで、ガイド層44が熱の影響を受けて変
形してしまうという上記問題を解消するために従来で
は、図８（ａ）に示す如く、回折格子44ａ形成後、図８
（ｂ）に示すように、回折格子44ａを覆うように３００
〜４００℃という低温下でＭＯＶＰＥ法等により膜厚数
十Åという薄膜のＧａＡｓを成長してＧａＡｓ保護層51
を形成した後、図８（ｃ）に示すように、薄膜のＧａＡ
ｓ保護層51で回折格子44ａを保護した状態で６００〜６
５０℃に昇温してｎ−ＩｎＰクラッド層45を形成すると
いう方法が知られている。この方法によれば、回折格子
44ａを覆うようにＧａＡｓを成長する際、Ｐが蒸発しな
いで回折格子44ａがほとんど熱変形しない３００〜４０
０℃という低温下で行い、しかも厚膜にするのではなく
薄膜にして短時間で済ませるようにしたため、ＧａＡｓ
成長中に回折格子44ａをほとんど熱変形しないようにす
ることができる。そして、ＧａＡｓ保護層51は構成材料
のＧａＡｓがＰに比べて熱気圧が十分低いため、次の６
００〜６５０℃という高温でｎ−ＩｎＰを成長させて
も、ＧａＡｓ保護層51を熱変形させないようにすること
ができる。このように、熱変形し難いＧａＡｓ保護層51
で回折格子44ａを保護しているため、次工程で高温処理
しても回折格子44ａを熱変形し難くすることができる。
形してしまうという上記問題を解消するために従来で
は、図８（ａ）に示す如く、回折格子44ａ形成後、図８
（ｂ）に示すように、回折格子44ａを覆うように３００
〜４００℃という低温下でＭＯＶＰＥ法等により膜厚数
十Åという薄膜のＧａＡｓを成長してＧａＡｓ保護層51
を形成した後、図８（ｃ）に示すように、薄膜のＧａＡ
ｓ保護層51で回折格子44ａを保護した状態で６００〜６
５０℃に昇温してｎ−ＩｎＰクラッド層45を形成すると
いう方法が知られている。この方法によれば、回折格子
44ａを覆うようにＧａＡｓを成長する際、Ｐが蒸発しな
いで回折格子44ａがほとんど熱変形しない３００〜４０
０℃という低温下で行い、しかも厚膜にするのではなく
薄膜にして短時間で済ませるようにしたため、ＧａＡｓ
成長中に回折格子44ａをほとんど熱変形しないようにす
ることができる。そして、ＧａＡｓ保護層51は構成材料
のＧａＡｓがＰに比べて熱気圧が十分低いため、次の６
００〜６５０℃という高温でｎ−ＩｎＰを成長させて
も、ＧａＡｓ保護層51を熱変形させないようにすること
ができる。このように、熱変形し難いＧａＡｓ保護層51
で回折格子44ａを保護しているため、次工程で高温処理
しても回折格子44ａを熱変形し難くすることができる。
【０００７】しかしながら、この方法では、ＩｎＧａＡ
ｓＰ回折格子44ａ、ＧａＡｓ保護層51、ＩｎＰクラッド
層45という構成になるため、ＩｎＧａＡｓＰに直接Ｉｎ
Ｐを形成する場合に比べてＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰの格子整合は悪いうえ、ＧａＡｓの屈折率が高過ぎ
る。このため、ＧａＡｓ保護層51上にＩｎＰクラッド層
45を形成すると、回折格子44ａの結晶に歪が生じてしま
い、所望の回折効率が得られ難くなり、所望のレーザ特
性が得られ難いという問題があった。
ｓＰ回折格子44ａ、ＧａＡｓ保護層51、ＩｎＰクラッド
層45という構成になるため、ＩｎＧａＡｓＰに直接Ｉｎ
Ｐを形成する場合に比べてＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰの格子整合は悪いうえ、ＧａＡｓの屈折率が高過ぎ
る。このため、ＧａＡｓ保護層51上にＩｎＰクラッド層
45を形成すると、回折格子44ａの結晶に歪が生じてしま
い、所望の回折効率が得られ難くなり、所望のレーザ特
性が得られ難いという問題があった。
【０００８】そこで本発明は、回折格子上に高温下でク
ラッド層を形成する際、回折格子の熱変形及び歪み等を
生じ難くして所望の回折効率を得ることができ、所望の
レーザ特性を得ることができる半導体発光装置の製造方
法を提供することを目的としている。
ラッド層を形成する際、回折格子の熱変形及び歪み等を
生じ難くして所望の回折効率を得ることができ、所望の
レーザ特性を得ることができる半導体発光装置の製造方
法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
装置の製造方法は上記目的達成のため、下地の化合物半
導体層上に第１のリン含有化合物半導体層及び該第１の
リン含有化合物半導体層とは異なる構成材料からなる第
２のリン含有化合物半導体層を順次形成する工程と、次
いで、第１のリン含有化合物半導体層に回折格子を形成
するとともに、該回折格子の凸部上に該第２のリン含有
化合物半導体層を残す工程と、次いで、熱処理すること
により該回折格子凸部上の該第２のリン含有化合物半導
体層を該回折格子の凹部内に埋め込む工程とを含むもの
である。
装置の製造方法は上記目的達成のため、下地の化合物半
導体層上に第１のリン含有化合物半導体層及び該第１の
リン含有化合物半導体層とは異なる構成材料からなる第
２のリン含有化合物半導体層を順次形成する工程と、次
いで、第１のリン含有化合物半導体層に回折格子を形成
するとともに、該回折格子の凸部上に該第２のリン含有
化合物半導体層を残す工程と、次いで、熱処理すること
により該回折格子凸部上の該第２のリン含有化合物半導
体層を該回折格子の凹部内に埋め込む工程とを含むもの
である。
【００１０】本発明においては、回折格子凹部内に埋め
込まれる第２のリン含有化合物半導体層は、回折格子凹
部を少なくとも一部埋め込みさえすれば従来の埋め込ま
ない場合よりも本発明の効果を得ることができるが、好
ましくは、回折格子凹部を少なくとも完全に埋め込む
（オーバーして形成してもよい）場合であり、この場
合、回折格子凹部内が完全に回折格子とは異なる構成材
料の第２のリン含有化合物半導体層（クラッド層と同じ
材料）で埋め込まれているため、その後高温熱処理、例
えば高温下でクラッド層を成長しても、回折格子凸部を
効率良く熱変形させないようにすることができる。
込まれる第２のリン含有化合物半導体層は、回折格子凹
部を少なくとも一部埋め込みさえすれば従来の埋め込ま
ない場合よりも本発明の効果を得ることができるが、好
ましくは、回折格子凹部を少なくとも完全に埋め込む
（オーバーして形成してもよい）場合であり、この場
合、回折格子凹部内が完全に回折格子とは異なる構成材
料の第２のリン含有化合物半導体層（クラッド層と同じ
材料）で埋め込まれているため、その後高温熱処理、例
えば高温下でクラッド層を成長しても、回折格子凸部を
効率良く熱変形させないようにすることができる。
【００１１】
【作用】図１は本発明の原理説明図である。図１におい
て、１はｐ−ＩｎＰ等の基板上のｐ−ＩｎＰ等のバッフ
ァ層上に形成されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰ等の活性層であ
り、２，３は活性層１上に順次形成されたｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ等のガイド層、ｎ−ＩｎＰ層であり、２ａはレー
ザによる干渉露光等によりガイド層２に形成された回折
格子である。なお、ｎ−ＩｎＰ層３は回折格子２ａ形成
の際に回折格子２ａ凸部上に残され、その後高温熱処理
により回折格子２ａ凹部内に埋め込まれる。
て、１はｐ−ＩｎＰ等の基板上のｐ−ＩｎＰ等のバッフ
ァ層上に形成されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰ等の活性層であ
り、２，３は活性層１上に順次形成されたｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ等のガイド層、ｎ−ＩｎＰ層であり、２ａはレー
ザによる干渉露光等によりガイド層２に形成された回折
格子である。なお、ｎ−ＩｎＰ層３は回折格子２ａ形成
の際に回折格子２ａ凸部上に残され、その後高温熱処理
により回折格子２ａ凹部内に埋め込まれる。
【００１２】本発明では、まず図１（ａ）に示す如く、
ＭＯＶＰＥ法等によりｐ−ＩｎＰ基板上にｐ−ＩｎＰ、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ及びｐ−Ｉｎ
Ｐを順次成長してｐ−ＩｎＰバッファ層、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層１、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層２及びｎ
−ＩｎＰ層３を形成し、図１（ｂ）に示す如く、レーザ
による干渉露光等によりガイド層２に回折格子２ａを形
成するとともに、回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ層３を残
す。次に、回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ層３を残した状
態で高温熱処理すると、回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層
３は蒸気圧の高いｐを含有しているため、ｐが蒸気にな
って飛んでしまい、図１（ｃ）、（ｄ）に示す如く、ｎ
−ＩｎＰ層３上部の角部から徐々に粘性が低くなって熱
変形していき、この粘性が低くなって熱変形した部分が
回折格子２ａ凸部上から回折格子２ａ凹部内に崩れ落ち
て埋まっていく。そして、図３（ｅ）に示す如く、最終
的には回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層３を回折格子２ａ
凹部内に埋め込むことができる。この時、回折格子２ａ
もｐを含有しているため、熱変形する恐れがあるが、回
折格子２ａ上部の角部が熱変形する前に回折格子２ａ凹
部内をｎ−ＩｎＰ層３で完全に埋め込んでしまえばよい
ので、回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層３は少なくとも回
折格子２ａ凹部内を完全に埋め込むに必要な量を形成し
ておくのが望ましい。これを図２の回折格子２ａ形成後
の構造を示す断面拡大図で説明すると、回折格子２ａ凹
部の深さをｇとし、回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層３の
膜厚をｈとし、回折格子２ａのピッチをλ1 とし、回折
格子２ａ凹部の幅をλ2 とすると、ｎ−ＩｎＰ層３の膜
厚ｈは、ｈ≧ｇ×λ2 ／（λ1 −λ2 ）となるようにす
るのが望ましい。
ＭＯＶＰＥ法等によりｐ−ＩｎＰ基板上にｐ−ＩｎＰ、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ及びｐ−Ｉｎ
Ｐを順次成長してｐ−ＩｎＰバッファ層、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層１、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層２及びｎ
−ＩｎＰ層３を形成し、図１（ｂ）に示す如く、レーザ
による干渉露光等によりガイド層２に回折格子２ａを形
成するとともに、回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ層３を残
す。次に、回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ層３を残した状
態で高温熱処理すると、回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層
３は蒸気圧の高いｐを含有しているため、ｐが蒸気にな
って飛んでしまい、図１（ｃ）、（ｄ）に示す如く、ｎ
−ＩｎＰ層３上部の角部から徐々に粘性が低くなって熱
変形していき、この粘性が低くなって熱変形した部分が
回折格子２ａ凸部上から回折格子２ａ凹部内に崩れ落ち
て埋まっていく。そして、図３（ｅ）に示す如く、最終
的には回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層３を回折格子２ａ
凹部内に埋め込むことができる。この時、回折格子２ａ
もｐを含有しているため、熱変形する恐れがあるが、回
折格子２ａ上部の角部が熱変形する前に回折格子２ａ凹
部内をｎ−ＩｎＰ層３で完全に埋め込んでしまえばよい
ので、回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層３は少なくとも回
折格子２ａ凹部内を完全に埋め込むに必要な量を形成し
ておくのが望ましい。これを図２の回折格子２ａ形成後
の構造を示す断面拡大図で説明すると、回折格子２ａ凹
部の深さをｇとし、回折格子２ａ上のｎ−ＩｎＰ層３の
膜厚をｈとし、回折格子２ａのピッチをλ1 とし、回折
格子２ａ凹部の幅をλ2 とすると、ｎ−ＩｎＰ層３の膜
厚ｈは、ｈ≧ｇ×λ2 ／（λ1 −λ2 ）となるようにす
るのが望ましい。
【００１３】このように、本発明では、ガイド層２に回
折格子２ａを形成する際に回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ
層３を残し、回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ層３を残した
状態で高温熱処理することで回折格子２ａ上のｎ−Ｉｎ
Ｐ層３を回折格子２ａ凹部内に埋め込んで回折格子２ａ
を保持するようにしたため、この後、回折格子２ａを覆
うように高温下でｎ−ＩｎＰクラッド層を形成しても、
従来のｎ−ＩｎＰ層で埋め込まないで直接回折格子上に
形成する場合よりも回折格子２ａの熱変形を生じ難くす
ることができる。そして、回折格子２ａ上にオーバーに
形成したｎ−ＩｎＰ層を介して、あるいは直接ＩｎＰク
ラッド層（オーバーに形成せず埋め込んだ時）を形成す
ることができるため、従来のＧａＡｓ層を介して形成す
る場合よりも格子整合をよくすることができる。このた
め、回折格子２ａ上にＩｎＰクラッド層を形成しても回
折格子２ａに歪みを生じ難くすることができる。従って
所望の回折効率を得ることができ、所望のレーザ特性を
得ることができる。
折格子２ａを形成する際に回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ
層３を残し、回折格子２ａ上にｎ−ＩｎＰ層３を残した
状態で高温熱処理することで回折格子２ａ上のｎ−Ｉｎ
Ｐ層３を回折格子２ａ凹部内に埋め込んで回折格子２ａ
を保持するようにしたため、この後、回折格子２ａを覆
うように高温下でｎ−ＩｎＰクラッド層を形成しても、
従来のｎ−ＩｎＰ層で埋め込まないで直接回折格子上に
形成する場合よりも回折格子２ａの熱変形を生じ難くす
ることができる。そして、回折格子２ａ上にオーバーに
形成したｎ−ＩｎＰ層を介して、あるいは直接ＩｎＰク
ラッド層（オーバーに形成せず埋め込んだ時）を形成す
ることができるため、従来のＧａＡｓ層を介して形成す
る場合よりも格子整合をよくすることができる。このた
め、回折格子２ａ上にＩｎＰクラッド層を形成しても回
折格子２ａに歪みを生じ難くすることができる。従って
所望の回折効率を得ることができ、所望のレーザ特性を
得ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 （実施例１）図３，４は本発明の実施例１に則した半導
体発光装置の製造方法を説明する図であり、図３（ａ）
〜（ｅ）は共振器方向とは対向する側の断面図、図３
（ｆ）〜（ｊ）は共振器方向の断面図を示している。図
示例はＤＦＢレーザの製造方法に適用する場合である。
図３，４において、11はｐ−ＩｎＰ等の基板であり、12
〜15は基板11上に順次形成されたｐ−ＩｎＰ等のバッフ
ァ層、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ等の活性層、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ等のガイド層、ｎ−ＩｎＰ等の埋め込み層であり、
14ａはレーザによる干渉露光等によりガイド層14に形成
された回折格子である。なお、埋め込み層15は回折格子
14ａ形成の際に回折格子14ａ凸部上に残され、その後高
温熱処理により回折格子14ａ凹部内に埋め込まれる。
体発光装置の製造方法を説明する図であり、図３（ａ）
〜（ｅ）は共振器方向とは対向する側の断面図、図３
（ｆ）〜（ｊ）は共振器方向の断面図を示している。図
示例はＤＦＢレーザの製造方法に適用する場合である。
図３，４において、11はｐ−ＩｎＰ等の基板であり、12
〜15は基板11上に順次形成されたｐ−ＩｎＰ等のバッフ
ァ層、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ等の活性層、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ等のガイド層、ｎ−ＩｎＰ等の埋め込み層であり、
14ａはレーザによる干渉露光等によりガイド層14に形成
された回折格子である。なお、埋め込み層15は回折格子
14ａ形成の際に回折格子14ａ凸部上に残され、その後高
温熱処理により回折格子14ａ凹部内に埋め込まれる。
【００１５】次いで、16〜18はクラッド層16上に形成さ
れた各々ｎ−ＩｎＰ等のクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ等
のキャップ層、ＳｉＯ2 等のマスクパターンであり、19
〜21は電流狭窄層となる各々ｐ−ＩｎＰ層、ｎ−ＩｎＰ
層、ｐ−ＩｎＰ層である。そして、22，23は各々ｎ−Ｉ
ｎＰ等のクラッド層、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
であり、24は基板11側に形成されたｐ電極であり、25は
コンタクト層23側に形成されたＴｉ／Ｐｔ層25ａおよび
Ａｕ層25ｂからなるｎ電極である。
れた各々ｎ−ＩｎＰ等のクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ等
のキャップ層、ＳｉＯ2 等のマスクパターンであり、19
〜21は電流狭窄層となる各々ｐ−ＩｎＰ層、ｎ−ＩｎＰ
層、ｐ−ＩｎＰ層である。そして、22，23は各々ｎ−Ｉ
ｎＰ等のクラッド層、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
であり、24は基板11側に形成されたｐ電極であり、25は
コンタクト層23側に形成されたＴｉ／Ｐｔ層25ａおよび
Ａｕ層25ｂからなるｎ電極である。
【００１６】次に、その半導体発光装置の製造方法につ
いて説明する。まず、図３（ａ）に示す如く、ｐ−Ｉｎ
Ｐ基板11を用い、図３（ｂ）に示す示すように、ＭＯＶ
ＰＥ法等によりｐ−ＩｎＰ基板11上にｐ−ＩｎＰ、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ及びｎ−ＩｎＰを
順次成長して膜厚０．５μｍのバッファ層12、膜厚０．
１２μｍで波長１．３μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層
13、膜厚０．１４μｍで波長１．０μｍのｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層14、膜厚０．０５μｍのｎ−ＩｎＰ埋め
込み層15を形成する。
いて説明する。まず、図３（ａ）に示す如く、ｐ−Ｉｎ
Ｐ基板11を用い、図３（ｂ）に示す示すように、ＭＯＶ
ＰＥ法等によりｐ−ＩｎＰ基板11上にｐ−ＩｎＰ、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ及びｎ−ＩｎＰを
順次成長して膜厚０．５μｍのバッファ層12、膜厚０．
１２μｍで波長１．３μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層
13、膜厚０．１４μｍで波長１．０μｍのｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層14、膜厚０．０５μｍのｎ−ＩｎＰ埋め
込み層15を形成する。
【００１７】次に、図３（ｃ）に示すように、レーザに
よる干渉露光等によりガイド層14に回折格子14ａを形成
するとともに、回折格子14ａ上に埋め込み層15を残す。
この時、回折格子14ａ凹部の深さｇは０．０３μｍ、回
折格子14ａ上の埋め込み層15の膜厚ｈは０．０４μｍ、
回折格子14ａのピッチλ1 は０．２０２μｍ、回折格子
14ａ凹部の幅λ2 は０．０９μｍである。なお、レーザ
による干渉条件は、波長の３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレー
ザを、入射角５３．５６°で照射して行った。この時、
レジストとしては、ポジ系を用い０．２μｍの厚みであ
る。又、露光後のエッチングには、メタンガスを用い
た。
よる干渉露光等によりガイド層14に回折格子14ａを形成
するとともに、回折格子14ａ上に埋め込み層15を残す。
この時、回折格子14ａ凹部の深さｇは０．０３μｍ、回
折格子14ａ上の埋め込み層15の膜厚ｈは０．０４μｍ、
回折格子14ａのピッチλ1 は０．２０２μｍ、回折格子
14ａ凹部の幅λ2 は０．０９μｍである。なお、レーザ
による干渉条件は、波長の３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレー
ザを、入射角５３．５６°で照射して行った。この時、
レジストとしては、ポジ系を用い０．２μｍの厚みであ
る。又、露光後のエッチングには、メタンガスを用い
た。
【００１８】次に、図３（ｄ）に示すように、ＰＨ3 ガ
ス雰囲気中で、６００〜６５０℃、１５分程度で高温熱
処理することにより回折格子14ａ上の埋め込み層15をガ
イド層14凹部内に埋め込む。このように、回折格子14ａ
上に埋め込み層15を残した状態で高温熱処理すると、回
折格子14ａ上のｎ−ＩｎＰ埋め込み層15は構成材料にＰ
を含有しているため、Ｐが蒸気になって飛んでしまい、
埋め込み層15上部の角部から徐々に粘性が低くなって熱
変形していき、この粘性が低くなって熱変形した部分が
回折格子14ａ凸部上から回折格子14ａ凹部内に崩れ落ち
て埋まっていき、そして、回折格子14ａ上の埋め込み層
15は予め回折格子14ａ凹部内を完全に埋め込むに必要な
量を形成してあるため、最終的には回折格子14ａ上の埋
め込み層15を回折格子14ａ凹部内に完全に埋め込むこと
ができる。この時、回折格子２ａも構成材料にＰを含有
しているため、熱変形する恐れがあるが、回折格子14ａ
上部の角部が熱変形する前に回折格子14ａ凹部内を埋め
込み層15で完全に埋め込んで回折格子14ａを保持するた
め、回折格子14ａを熱変形させないようにすることがで
きる。
ス雰囲気中で、６００〜６５０℃、１５分程度で高温熱
処理することにより回折格子14ａ上の埋め込み層15をガ
イド層14凹部内に埋め込む。このように、回折格子14ａ
上に埋め込み層15を残した状態で高温熱処理すると、回
折格子14ａ上のｎ−ＩｎＰ埋め込み層15は構成材料にＰ
を含有しているため、Ｐが蒸気になって飛んでしまい、
埋め込み層15上部の角部から徐々に粘性が低くなって熱
変形していき、この粘性が低くなって熱変形した部分が
回折格子14ａ凸部上から回折格子14ａ凹部内に崩れ落ち
て埋まっていき、そして、回折格子14ａ上の埋め込み層
15は予め回折格子14ａ凹部内を完全に埋め込むに必要な
量を形成してあるため、最終的には回折格子14ａ上の埋
め込み層15を回折格子14ａ凹部内に完全に埋め込むこと
ができる。この時、回折格子２ａも構成材料にＰを含有
しているため、熱変形する恐れがあるが、回折格子14ａ
上部の角部が熱変形する前に回折格子14ａ凹部内を埋め
込み層15で完全に埋め込んで回折格子14ａを保持するた
め、回折格子14ａを熱変形させないようにすることがで
きる。
【００１９】次に、図３（ｅ）に示すように、ＭＯＶＰ
Ｅ法等により６００〜６５０℃の高温下で回折格子14ａ
と埋め込み層15上にｎ−ＩｎＰを成長して膜厚０．５μ
ｍのｎ−ＩｎＰクラッド層16を形成し、クラッド層16上
に膜厚０．０５μｍで波長１．２μｍのＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層17を形成する。次に図４（ｆ）に示すように
キャップ層17上にＳｉＯ2 マスクパターン18を形成す
る。
Ｅ法等により６００〜６５０℃の高温下で回折格子14ａ
と埋め込み層15上にｎ−ＩｎＰを成長して膜厚０．５μ
ｍのｎ−ＩｎＰクラッド層16を形成し、クラッド層16上
に膜厚０．０５μｍで波長１．２μｍのＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層17を形成する。次に図４（ｆ）に示すように
キャップ層17上にＳｉＯ2 マスクパターン18を形成す
る。
【００２０】次に、図４（ｇ）に示すように、マスクパ
ターン18をマスクとして、マスクパターン18から基板11
までメサエッチングした後、図４（ｈ）に示すように、
ＬＰＥ法等によりメサエッチングされた部分にｐ−Ｉｎ
Ｐ／ｎ−ＩｎＰ／ｐ−ＩｎＰを成長して電流狭窄層とす
るｐ−ＩｎＰ層19、ｎ−ＩｎＰ層20及びｐ−ＩｎＰ層21
を形成する。
ターン18をマスクとして、マスクパターン18から基板11
までメサエッチングした後、図４（ｈ）に示すように、
ＬＰＥ法等によりメサエッチングされた部分にｐ−Ｉｎ
Ｐ／ｎ−ＩｎＰ／ｐ−ＩｎＰを成長して電流狭窄層とす
るｐ−ＩｎＰ層19、ｎ−ＩｎＰ層20及びｐ−ＩｎＰ層21
を形成する。
【００２１】次に、図４（ｉ）に示すように、ＬＰＥ法
等により全面にｎ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰを順次
成長して膜厚１．５μｍクラッド層22及び膜厚０．１μ
ｍで波長１．２μｍのコンタクト層23を形成する。そし
て、蒸着等によりｐ−ＩｎＰ基板11側にＡｕＧｅ−Ａｕ
からなるｐ電極24を形成するとともに、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層23側にＴｉ／Ｐｔ層25ａ及びＡｕ層25
ｂからなるｎ電極25を形成することにより、図４（ｊ）
に示すようなＤＦＢレーザを得ることができる。
等により全面にｎ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰを順次
成長して膜厚１．５μｍクラッド層22及び膜厚０．１μ
ｍで波長１．２μｍのコンタクト層23を形成する。そし
て、蒸着等によりｐ−ＩｎＰ基板11側にＡｕＧｅ−Ａｕ
からなるｐ電極24を形成するとともに、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層23側にＴｉ／Ｐｔ層25ａ及びＡｕ層25
ｂからなるｎ電極25を形成することにより、図４（ｊ）
に示すようなＤＦＢレーザを得ることができる。
【００２２】このように、本実施例では、ガイド層14に
回折格子14ａを形成する際に回折格子14ａ上に埋め込み
層15を残し、回折格子14ａ上に埋め込み15を残した状態
で高温熱処理することで回折格子14ａ上の埋め込み層15
を回折格子14ａ凹部内に埋め込んで回折格子14ａを保持
するようにしたため、この後、回折格子14ａを覆うよう
に高温下でｎ−ＩｎＰクラッド層16を形成しても、従来
のｎ−ＩｎＰ層で埋め込まないで直接回折格子２ａ上に
形成する場合より回折格子14ａの熱変形を生じ難くする
ことができる。そして、回折格子14ａ上に埋め込み層15
を介して、あるいは直接ＩｎＰクラッド層16を形成する
ことができるため、従来のＧａＡｓ層を介して形成する
場合よりも格子整合を良くすることができる。このた
め、回折格子14ａ上にＩｎＰクラッド層を形成しても回
折格子14ａに歪みを生じ難くすることができる。従っ
て、所望の回折効率を得ることができる。 （実施例２）次に、図５は本発明の実施例２に則した半
導体発光装置の製造方法を説明する図である。図示例は
ＤＦＢレーザの製造方法に適用することができる。図５
において、31はｎ−ＩｎＰ等の基板であり、32，33は基
板31上に順次形成されたｎ−ＩｎＰ等のバッファ層、ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ等のガイド層であり、32ａはレーザに
よる干渉露光等によりバッファ層32に形成された回折格
子である。そして、34，35はガイド層33上に形成された
各々ＩｎＧａＡｓＰ等の活性層、ｐ−ＩｎＰ等のクラッ
ド層である。なお、ガイド層33は回折格子32ａ形成の際
に回折格子32ａ凸部上に残され、その後高温熱処理によ
り回折格子32ａ凹部内に埋め込まれる。
回折格子14ａを形成する際に回折格子14ａ上に埋め込み
層15を残し、回折格子14ａ上に埋め込み15を残した状態
で高温熱処理することで回折格子14ａ上の埋め込み層15
を回折格子14ａ凹部内に埋め込んで回折格子14ａを保持
するようにしたため、この後、回折格子14ａを覆うよう
に高温下でｎ−ＩｎＰクラッド層16を形成しても、従来
のｎ−ＩｎＰ層で埋め込まないで直接回折格子２ａ上に
形成する場合より回折格子14ａの熱変形を生じ難くする
ことができる。そして、回折格子14ａ上に埋め込み層15
を介して、あるいは直接ＩｎＰクラッド層16を形成する
ことができるため、従来のＧａＡｓ層を介して形成する
場合よりも格子整合を良くすることができる。このた
め、回折格子14ａ上にＩｎＰクラッド層を形成しても回
折格子14ａに歪みを生じ難くすることができる。従っ
て、所望の回折効率を得ることができる。 （実施例２）次に、図５は本発明の実施例２に則した半
導体発光装置の製造方法を説明する図である。図示例は
ＤＦＢレーザの製造方法に適用することができる。図５
において、31はｎ−ＩｎＰ等の基板であり、32，33は基
板31上に順次形成されたｎ−ＩｎＰ等のバッファ層、ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ等のガイド層であり、32ａはレーザに
よる干渉露光等によりバッファ層32に形成された回折格
子である。そして、34，35はガイド層33上に形成された
各々ＩｎＧａＡｓＰ等の活性層、ｐ−ＩｎＰ等のクラッ
ド層である。なお、ガイド層33は回折格子32ａ形成の際
に回折格子32ａ凸部上に残され、その後高温熱処理によ
り回折格子32ａ凹部内に埋め込まれる。
【００２３】次に、その半導体発光装置の製造方法につ
いて説明する。図５はレーザ素子部分の工程を示してい
る。まず、図５（ａ）に示す如く、ｎ−ＩｎＰ基板31を
用い、図５（ｂ）に示すように、ＭＯＶＰＥ法等により
ｎ−ＩｎＰ基板31上にｎ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
を順次成長して膜厚０．５μｍのｎ−ＩｎＰバッファ層
32、膜厚０．０４μｍで波長１．０ｎｍのｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層33を形成する。
いて説明する。図５はレーザ素子部分の工程を示してい
る。まず、図５（ａ）に示す如く、ｎ−ＩｎＰ基板31を
用い、図５（ｂ）に示すように、ＭＯＶＰＥ法等により
ｎ−ＩｎＰ基板31上にｎ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
を順次成長して膜厚０．５μｍのｎ−ＩｎＰバッファ層
32、膜厚０．０４μｍで波長１．０ｎｍのｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層33を形成する。
【００２４】次に、図５（ｃ）に示すように、レーザに
よる干渉露光等によりバッファ層32に回折格子32ａを形
成するとともに、回折格子32ａ上にガイド層33を残す。
この時、回折格子32ａ凹部の深さｇは０．０３μｍ、回
折格子32ａ上のガイド層33の膜厚ｈは０．０４μｍ、回
折格子32ａのピッチλ1 は０．２０２０μｍ、回折格子
32ａ凹部の幅λ2 は０．０９である。なお、レーザによ
る干渉条件は、波長の３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ
を、入射角５３．５６°で照射して行った。この時、レ
ジストとしては、ポジ系を用い０．２μｍの厚みであ
る。又、露光後のエッチングには、メタンガスを用い
た。
よる干渉露光等によりバッファ層32に回折格子32ａを形
成するとともに、回折格子32ａ上にガイド層33を残す。
この時、回折格子32ａ凹部の深さｇは０．０３μｍ、回
折格子32ａ上のガイド層33の膜厚ｈは０．０４μｍ、回
折格子32ａのピッチλ1 は０．２０２０μｍ、回折格子
32ａ凹部の幅λ2 は０．０９である。なお、レーザによ
る干渉条件は、波長の３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ
を、入射角５３．５６°で照射して行った。この時、レ
ジストとしては、ポジ系を用い０．２μｍの厚みであ
る。又、露光後のエッチングには、メタンガスを用い
た。
【００２５】次に、図５（ｄ）に示すように、ＰＨ3 ガ
ス雰囲気中で、６００〜６５０℃、１５分程度で高温熱
処理することにより回折格子32ａ上のガイド層33を回折
格子32ａ凹分内に埋め込む。このように、回折格子32ａ
上に埋め込み層33を残した状態で高温熱処理するとＰが
蒸気になって飛んでしまい。埋め込み層33上部の角度か
ら徐々に粘性が低くなって熱変形していき、この粘性が
低くなって熱変形した部分が回折格子32ａ凸部上から回
折格子32ａ凹部内に崩れ落ちて埋まっていく。そして回
折格子32ａ上の埋め込み層33は予め回折格子32ａ凹部内
を完全に埋め込むに必要な量を形成してあるため、最終
的には、回折格子32ａ上の埋め込み層33を回折格子32ａ
凹部内に完全に埋め込むことができる。この時、回折格
子32ａもＰを含有しているため、熱変形する恐れがある
が、回折格子32ａの上部角部が熱変形する前に回折格子
32ａ凹内を埋め込み層33で完全に埋め込んで回折格子32
ａを保持するため、回折格子14ａを熱変形させないよう
にすることができる。
ス雰囲気中で、６００〜６５０℃、１５分程度で高温熱
処理することにより回折格子32ａ上のガイド層33を回折
格子32ａ凹分内に埋め込む。このように、回折格子32ａ
上に埋め込み層33を残した状態で高温熱処理するとＰが
蒸気になって飛んでしまい。埋め込み層33上部の角度か
ら徐々に粘性が低くなって熱変形していき、この粘性が
低くなって熱変形した部分が回折格子32ａ凸部上から回
折格子32ａ凹部内に崩れ落ちて埋まっていく。そして回
折格子32ａ上の埋め込み層33は予め回折格子32ａ凹部内
を完全に埋め込むに必要な量を形成してあるため、最終
的には、回折格子32ａ上の埋め込み層33を回折格子32ａ
凹部内に完全に埋め込むことができる。この時、回折格
子32ａもＰを含有しているため、熱変形する恐れがある
が、回折格子32ａの上部角部が熱変形する前に回折格子
32ａ凹内を埋め込み層33で完全に埋め込んで回折格子32
ａを保持するため、回折格子14ａを熱変形させないよう
にすることができる。
【００２６】そして、回折格子格子32ａ上にＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層34及びｐ−ＩｎＰクラッド層35、波長１．２
μｍのＩｎＧａＡｓＰキャップ層36を形成し、実施例１
と同様の工程を得ることにより、ＤＦＢレーザを得るこ
とができる。本実施例も実施例１と同様の効果を得るこ
とができる。
ｓＰ活性層34及びｐ−ＩｎＰクラッド層35、波長１．２
μｍのＩｎＧａＡｓＰキャップ層36を形成し、実施例１
と同様の工程を得ることにより、ＤＦＢレーザを得るこ
とができる。本実施例も実施例１と同様の効果を得るこ
とができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、回折格子上に高温下で
クラッド層を形成する際、回折格子に熱変形及び歪み等
を生じ難くして、所望の回折効率を得ることができ、所
望のレーザー特性を得ることができるという効果があ
る。
クラッド層を形成する際、回折格子に熱変形及び歪み等
を生じ難くして、所望の回折効率を得ることができ、所
望のレーザー特性を得ることができるという効果があ
る。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の原理説明図である。
【図３】本発明の実施例１に則した半導体発光装置の製
造方法を説明する図である。
造方法を説明する図である。
【図４】本発明の実施例１に則した半導体発光装置の製
造方法を説明する図である。
造方法を説明する図である。
【図５】本発明の実施例２に則した半導体発光装置の製
造方法を説明する図である。
造方法を説明する図である。
【図６】従来例の半導体発光装置の製造方法を説明する
図である。
図である。
【図７】従来例の課題を説明するための回折格子が熱に
より変形する様子を示す図である。
より変形する様子を示す図である。
【図８】従来例の別の半導体発光装置の製造方法を説明
する図である。
する図である。
１，13，34 活性層 ２，14，33 ガイド層 ２ａ，14ａ，33ａ 回折格子 ３，20 ｎ−ＩｎＰ層 11，31 基板 12，32 バッファ層 15 埋め込み層 16，22 クラッド層 17, 36 キャップ層 18 マスクパターン 19，21 ｐ−ＩｎＰ層 23 コンタクト層 24 ｐ電極 25 ｎ電極 25ａ Ｔｉ／Ｐｔ層 25ｂ Ａｕ層
Claims (1)
- 【請求項１】 下地の化合物半導体層（１）上に第１の
リン含有化合物半導体層（２）及び該第１のリン含有化
合物半導体層（２）とは異なる構成材料からなる第２の
リン含有化合物半導体層（３）を順次形成する工程と、 次いで、第１のリン含有化合物半導体層（２）に回折格
子（２ａ）を形成するとともに、該回折格子（２ａ）の
凸部上に該第２のリン含有化合物半導体層（３）を残す
工程と、 次いで、熱処理することにより該回折格子（２ａ）凸部
上の該第２のリン含有化合物半導体層（３）を該回折格
子（２ａ）の凹部内に埋め込む工程とを含むことを特徴
とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17843592A JPH0621570A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17843592A JPH0621570A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621570A true JPH0621570A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16048469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17843592A Withdrawn JPH0621570A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621570A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006261300A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子、半導体光素子の製造方法および光モジュール |
| JP2007042759A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子を作製する方法 |
| JP2009087994A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の作製方法および半導体レーザ素子 |
| JP2010067639A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8409889B2 (en) | 2009-05-22 | 2013-04-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing semiconductor optical device |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP17843592A patent/JPH0621570A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006261300A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子、半導体光素子の製造方法および光モジュール |
| JP4638753B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2011-02-23 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光素子および半導体光素子の製造方法 |
| JP2007042759A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子を作製する方法 |
| JP2009087994A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の作製方法および半導体レーザ素子 |
| JP2010067639A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8409889B2 (en) | 2009-05-22 | 2013-04-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing semiconductor optical device |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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