JPH06215426A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH06215426A JPH06215426A JP7219991A JP7219991A JPH06215426A JP H06215426 A JPH06215426 A JP H06215426A JP 7219991 A JP7219991 A JP 7219991A JP 7219991 A JP7219991 A JP 7219991A JP H06215426 A JPH06215426 A JP H06215426A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光強度変調記録方式において、安定な読み出
し動作及び安定な転写動作を確保するとともに、十分な
Ｃ／Ｎを得ることによって、良好なオーバーライト特性
を実現する。 【構成】 記録層を交換結合される多層磁性薄膜で構成
する。これら各磁性薄膜の保磁力，飽和磁化，膜厚及び
各磁性薄膜間の界面磁壁エネルギーの値を、光強度変調
するための必要条件を満たすように設定する。さらに、
反転磁界（Ｈc1−Ｈw1）の温度変化を調製し、温度Ｔ0
が１００℃以上，Ｈc1−Ｈw1の最小値ΔＨmax が−５０
０エルステッド以下（絶対値で５００エルステッド以
上）となるように設定する。
し動作及び安定な転写動作を確保するとともに、十分な
Ｃ／Ｎを得ることによって、良好なオーバーライト特性
を実現する。 【構成】 記録層を交換結合される多層磁性薄膜で構成
する。これら各磁性薄膜の保磁力，飽和磁化，膜厚及び
各磁性薄膜間の界面磁壁エネルギーの値を、光強度変調
するための必要条件を満たすように設定する。さらに、
反転磁界（Ｈc1−Ｈw1）の温度変化を調製し、温度Ｔ0
が１００℃以上，Ｈc1−Ｈw1の最小値ΔＨmax が−５０
０エルステッド以下（絶対値で５００エルステッド以
上）となるように設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、重ね書き可能な光磁気
記録媒体に関するものであり、特にいわゆる光強度変調
方式により情報信号の記録が行われる光磁気記録媒体に
関するものである。
記録媒体に関するものであり、特にいわゆる光強度変調
方式により情報信号の記録が行われる光磁気記録媒体に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オーバーライト可能な光強度変調方式
は、交換結合磁性２層膜あるいは交換結合磁性３層膜に
よって達成される技術であり、既に本願出願人によって
特開昭６３−５２３５４号公報等においてその基本原理
が開示されている。
は、交換結合磁性２層膜あるいは交換結合磁性３層膜に
よって達成される技術であり、既に本願出願人によって
特開昭６３−５２３５４号公報等においてその基本原理
が開示されている。
【０００３】以下、この光強度変調方式について簡単に
説明する。光強度変調方式においては、第１及び第２の
希土類−遷移金属磁性薄膜の積層構造からなる光磁気記
録媒体を用いる。そして、所定の第１の外部磁界の印加
の下に第１の磁性薄膜のキュリー温度ＴC1以上で且つ第
２の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じない第１の温度
Ｔ1 に加熱する第１の加熱状態と、温度ＴC1以上で第２
の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに十分な第２の温
度Ｔ2 に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとす
る情報，例えば“０”，“１”に応じて切り換え変調
し、冷却過程において第１及び第２の磁性薄膜間の交換
結合力によって第１の磁性薄膜の副格子磁化の向きを第
２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃え、例えば
“０”，“１”の記録ビット（磁区）を第１の磁性薄膜
に形成する。それとともに、第２の外部磁界によって、
あるいは第２の磁性薄膜の補償温度が室温から第２の温
度Ｔ2 間に存在するように組成を選定することによっ
て、室温で第１の外部磁界によって第２の磁性薄膜の副
格子磁化が反転するようにし、オーバーライトが可能な
状態を得る。
説明する。光強度変調方式においては、第１及び第２の
希土類−遷移金属磁性薄膜の積層構造からなる光磁気記
録媒体を用いる。そして、所定の第１の外部磁界の印加
の下に第１の磁性薄膜のキュリー温度ＴC1以上で且つ第
２の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じない第１の温度
Ｔ1 に加熱する第１の加熱状態と、温度ＴC1以上で第２
の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに十分な第２の温
度Ｔ2 に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとす
る情報，例えば“０”，“１”に応じて切り換え変調
し、冷却過程において第１及び第２の磁性薄膜間の交換
結合力によって第１の磁性薄膜の副格子磁化の向きを第
２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃え、例えば
“０”，“１”の記録ビット（磁区）を第１の磁性薄膜
に形成する。それとともに、第２の外部磁界によって、
あるいは第２の磁性薄膜の補償温度が室温から第２の温
度Ｔ2 間に存在するように組成を選定することによっ
て、室温で第１の外部磁界によって第２の磁性薄膜の副
格子磁化が反転するようにし、オーバーライトが可能な
状態を得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の光強
度変調方式は、消去のための特別な過程（時間）を要す
ることがなく、高転送レートを図ることができる等、数
々の利点を有するものであるが、本発明者等が種々検討
を加えた結果、現実にこの方式に用いる光磁気記録媒体
を構成する場合、オーバーライト動作に関する条件を満
足するものであっても、非実用的な特性を持つものも存
在することがわかってきた。
度変調方式は、消去のための特別な過程（時間）を要す
ることがなく、高転送レートを図ることができる等、数
々の利点を有するものであるが、本発明者等が種々検討
を加えた結果、現実にこの方式に用いる光磁気記録媒体
を構成する場合、オーバーライト動作に関する条件を満
足するものであっても、非実用的な特性を持つものも存
在することがわかってきた。
【０００５】例えば、オーバーライト動作のうち、消去
動作を実現するための転写条件は以下のように与えられ
ている。 σW ／２ＭS1ｈ1 −ＨC1＞Ｈex ・・・（１） σW ／２ＭS2ｈ2 ＋Ｈex＜ＨC2 ・・・（２） 〔ただし、σW は界面磁壁エネルギー、ＭS1は第１の磁
性薄膜の飽和磁化、ＭS2は第２の磁性薄膜の飽和磁化、
ｈ1 は第１の磁性薄膜の膜厚、ｈ2 は第２の磁性薄膜の
膜厚、ＨC1は第１の磁性薄膜の保磁力、ＨC2は第２の磁
性薄膜の保磁力、Ｈexは外部磁場（記録磁場）であ
る。〕 第１の磁性薄膜のキュリー温度近傍でこれら（１）式及
び（２）式を満たすことにより、第１の磁性薄膜は第２
の磁性薄膜より転写を受け、消去が行われるわけである
が、この条件を満たす光磁気記録媒体の中にも、ＣＮ比
が大きく取れなかったり、転写が再生パワー近傍で起こ
り始めてしまうもの等が存在する。
動作を実現するための転写条件は以下のように与えられ
ている。 σW ／２ＭS1ｈ1 −ＨC1＞Ｈex ・・・（１） σW ／２ＭS2ｈ2 ＋Ｈex＜ＨC2 ・・・（２） 〔ただし、σW は界面磁壁エネルギー、ＭS1は第１の磁
性薄膜の飽和磁化、ＭS2は第２の磁性薄膜の飽和磁化、
ｈ1 は第１の磁性薄膜の膜厚、ｈ2 は第２の磁性薄膜の
膜厚、ＨC1は第１の磁性薄膜の保磁力、ＨC2は第２の磁
性薄膜の保磁力、Ｈexは外部磁場（記録磁場）であ
る。〕 第１の磁性薄膜のキュリー温度近傍でこれら（１）式及
び（２）式を満たすことにより、第１の磁性薄膜は第２
の磁性薄膜より転写を受け、消去が行われるわけである
が、この条件を満たす光磁気記録媒体の中にも、ＣＮ比
が大きく取れなかったり、転写が再生パワー近傍で起こ
り始めてしまうもの等が存在する。
【０００６】したがって、例えば実験機においては十分
にオーバーライト可能であっても、量産機のドライブ系
においては使用不可能となる可能性も小さくない。換言
すれば、ただ単にオーバーライト動作に関する条件のみ
を考えていたのでは、量産時のマージンを十分に取るこ
とは難しい。
にオーバーライト可能であっても、量産機のドライブ系
においては使用不可能となる可能性も小さくない。換言
すれば、ただ単にオーバーライト動作に関する条件のみ
を考えていたのでは、量産時のマージンを十分に取るこ
とは難しい。
【０００７】そこで本発明は、上述の実情に鑑みて提案
されたものであって、安定なオーバーライト動作や安定
な読み出し動作を確保することができ、十分なＣＮ比を
得ることのできる光磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
されたものであって、安定なオーバーライト動作や安定
な読み出し動作を確保することができ、十分なＣＮ比を
得ることのできる光磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、交換結合磁
性多層膜における各層の組成，膜厚等を選ぶことにより
各層の反転磁界の温度特性変化を調整し、これを特定の
範囲に設定することにより実用的に良好なオーバーライ
ト特性を有する光磁気記録媒体を構成することができる
との結論を得るに至った。
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、交換結合磁
性多層膜における各層の組成，膜厚等を選ぶことにより
各層の反転磁界の温度特性変化を調整し、これを特定の
範囲に設定することにより実用的に良好なオーバーライ
ト特性を有する光磁気記録媒体を構成することができる
との結論を得るに至った。
【０００９】本発明は、かかる知見に基づいて完成され
たものであって、第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜が磁
気的に結合されて積層されてなり、加熱温度を制御する
ことにより情報信号の書き換えが行われる光磁気記録媒
体において、第１の磁性薄膜のキュリー温度をＴC1、保
磁力をＨC1、飽和磁化をＭS1、膜厚をｈ1 、第２の磁性
薄膜のキュリー温度をＴC2、保磁力をＨC2、飽和磁化を
ＭS2、膜厚をｈ2 、磁壁エネルギーをσW 、記録時に印
加される外部磁界をＨex、外部補助磁界をＨSUB とした
ときに、室温で ＨC1＞σW ／２ＭS1ｈ1 ＨC2＞σW ／２ＭS2ｈ2 ＨC1±σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨSUB ＨC2＋σW ／２ＭS2ｈ2 ＜ＨSUB なる関係を満足するとともに、第１の磁性薄膜のキュリ
ー温度ＴC1近傍で σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨC1＋Ｈex ＨC2−σW ／２ＭS2ｈ2 ＞Ｈex なる関係を満足し、且つ−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1＝０
となる温度Ｔ0 が１００℃≦Ｔ0 ＜ＴC1なる範囲内にあ
り、−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1の極小値ΔＨmaxが−５
００エルステッド以下であることを特徴とするものであ
る。
たものであって、第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜が磁
気的に結合されて積層されてなり、加熱温度を制御する
ことにより情報信号の書き換えが行われる光磁気記録媒
体において、第１の磁性薄膜のキュリー温度をＴC1、保
磁力をＨC1、飽和磁化をＭS1、膜厚をｈ1 、第２の磁性
薄膜のキュリー温度をＴC2、保磁力をＨC2、飽和磁化を
ＭS2、膜厚をｈ2 、磁壁エネルギーをσW 、記録時に印
加される外部磁界をＨex、外部補助磁界をＨSUB とした
ときに、室温で ＨC1＞σW ／２ＭS1ｈ1 ＨC2＞σW ／２ＭS2ｈ2 ＨC1±σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨSUB ＨC2＋σW ／２ＭS2ｈ2 ＜ＨSUB なる関係を満足するとともに、第１の磁性薄膜のキュリ
ー温度ＴC1近傍で σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨC1＋Ｈex ＨC2−σW ／２ＭS2ｈ2 ＞Ｈex なる関係を満足し、且つ−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1＝０
となる温度Ｔ0 が１００℃≦Ｔ0 ＜ＴC1なる範囲内にあ
り、−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1の極小値ΔＨmaxが−５
００エルステッド以下であることを特徴とするものであ
る。
【００１０】
【作用】本発明の光磁気記録媒体において、室温で ＨC1＞σW ／２ＭS1ｈ1 ＨC2＞σW ／２ＭS2ｈ2 ＨC1±σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨSUB ＨC2＋σW ／２ＭS2ｈ2 ＜ＨSUB なる関係を、また第１の磁性薄膜のキュリー温度近傍で σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨC1＋Ｈex ＨC2−σW ／２ＭS2ｈ2 ＞Ｈex なる関係をそれぞれ満足することは、光強度変調方式に
よりオーバーライトするための必要条件である。
よりオーバーライトするための必要条件である。
【００１１】一方、−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1＝０とな
る温度Ｔ0 や−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1の極小値ΔＨ
max は、交換結合した第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜
間で転写が開始するパワーや転写動作が安定に行われる
記録外部磁場とそれぞれ１次対応しており、これらの値
を選んでやることで、再生時の信頼性やＣＮ等の特性が
保証される。
る温度Ｔ0 や−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1の極小値ΔＨ
max は、交換結合した第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜
間で転写が開始するパワーや転写動作が安定に行われる
記録外部磁場とそれぞれ１次対応しており、これらの値
を選んでやることで、再生時の信頼性やＣＮ等の特性が
保証される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面や実験結果を参照しながら詳細に説明する。
光磁気記録媒体の基本的な構成としては、例えば図１に
示すように、ガラス基板、ポリカーボネート基板等の透
明基板１の一方の主面（図中下方の面）に、保護膜ある
いは干渉膜として機能する透明誘電体膜２を介して第１
の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４よりなる磁性二層膜
５が積層形成されてなるものが挙げられる。なお、本例
においては、磁性二層膜５の表面が保護膜６により覆わ
れているが、この保護膜６は無くともよい。同様に、透
明誘電体膜２も省略可能であるが、場合によっては磁性
二層膜５を透明誘電体膜で挟み込み、さらに透明基板１
とは反対側に金属膜等からなる反射膜を設ける等して、
磁気光学特性（例えばカー回転角）のエンハンスメント
をとるようにしてもよい。
いて、図面や実験結果を参照しながら詳細に説明する。
光磁気記録媒体の基本的な構成としては、例えば図１に
示すように、ガラス基板、ポリカーボネート基板等の透
明基板１の一方の主面（図中下方の面）に、保護膜ある
いは干渉膜として機能する透明誘電体膜２を介して第１
の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４よりなる磁性二層膜
５が積層形成されてなるものが挙げられる。なお、本例
においては、磁性二層膜５の表面が保護膜６により覆わ
れているが、この保護膜６は無くともよい。同様に、透
明誘電体膜２も省略可能であるが、場合によっては磁性
二層膜５を透明誘電体膜で挟み込み、さらに透明基板１
とは反対側に金属膜等からなる反射膜を設ける等して、
磁気光学特性（例えばカー回転角）のエンハンスメント
をとるようにしてもよい。
【００１３】上記第１の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜
は、いずれも垂直磁気異方性を示すものであって、例え
ばＴｂ，Ｇｄ等の希土類元素（ＲＥ）の少なくとも１種
と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の遷移金属（ＴＭ）の少なくと
も１種とからなる非晶質合金材料等により形成される。
この場合、いずれも希土類元素の割合は、通常１０〜４
０原子％であり、遷移金属の割合は６０〜９０原子％で
ある。また、これら希土類元素、遷移金属の他の元素を
必要に応じて少量添加してもよい。ただし、第１の磁性
薄膜３のキュリー温度ＴC1よりも第２の磁性薄膜４のキ
ュリー温度ＴC2の方が高くなるように設定する。この希
土類−遷移金属非晶質合金磁性材料においては、希土類
元素がＮｄまたはＳｍである場合を除いて、希土類元素
の磁気モーメントと遷移金属の磁気モーメントは反平行
に結合し、その結果フェリ磁性を示すとともに、正味の
磁化はこれら希土類元素及び遷移金属の各副格子磁化の
差（磁化の向きに応じた正負を考慮するときには各副格
子磁化の和）となる。これに対して、希土類元素がＮｄ
またはＳｍである場合には、希土類元素の磁気モーメン
トと遷移金属の磁気モーメントは平行に結合し、いわゆ
るフェロ磁性を示す。この場合には、正味の磁化は希土
類元素及び遷移金属の各副格子磁化の和となる。
は、いずれも垂直磁気異方性を示すものであって、例え
ばＴｂ，Ｇｄ等の希土類元素（ＲＥ）の少なくとも１種
と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の遷移金属（ＴＭ）の少なくと
も１種とからなる非晶質合金材料等により形成される。
この場合、いずれも希土類元素の割合は、通常１０〜４
０原子％であり、遷移金属の割合は６０〜９０原子％で
ある。また、これら希土類元素、遷移金属の他の元素を
必要に応じて少量添加してもよい。ただし、第１の磁性
薄膜３のキュリー温度ＴC1よりも第２の磁性薄膜４のキ
ュリー温度ＴC2の方が高くなるように設定する。この希
土類−遷移金属非晶質合金磁性材料においては、希土類
元素がＮｄまたはＳｍである場合を除いて、希土類元素
の磁気モーメントと遷移金属の磁気モーメントは反平行
に結合し、その結果フェリ磁性を示すとともに、正味の
磁化はこれら希土類元素及び遷移金属の各副格子磁化の
差（磁化の向きに応じた正負を考慮するときには各副格
子磁化の和）となる。これに対して、希土類元素がＮｄ
またはＳｍである場合には、希土類元素の磁気モーメン
トと遷移金属の磁気モーメントは平行に結合し、いわゆ
るフェロ磁性を示す。この場合には、正味の磁化は希土
類元素及び遷移金属の各副格子磁化の和となる。
【００１４】以上のように、記録層を交換結合磁性二層
膜とするのが本発明の光磁気記録媒体の基本的な構成で
あるが、上記第１の磁性薄膜３と第２の磁性薄膜４の界
面磁壁エネルギーσW の制御等を目的として、これら磁
性薄膜３，４間に第３の磁性薄膜を介在せしめて３層構
造とすることも可能である。この第３の磁性薄膜は、面
内磁気異方性若しくは小さな垂直磁気異方性を有するも
のであり、特に垂直磁気異方性を有する場合には、第１
の磁性薄膜３や第２の磁性薄膜４の垂直磁気異方性より
も十分に小さい（例えば１×１０-6erg ／cm3 以下）こ
とが好ましい。前記第３の磁性薄膜の存在によって、界
面磁壁の存在する状態を安定化し各磁性薄膜３，４の特
性設計上のマージンを広げるとともに、界面磁壁エネル
ギーを下げ転移のための外部補助磁界を小さくすること
ができる。
膜とするのが本発明の光磁気記録媒体の基本的な構成で
あるが、上記第１の磁性薄膜３と第２の磁性薄膜４の界
面磁壁エネルギーσW の制御等を目的として、これら磁
性薄膜３，４間に第３の磁性薄膜を介在せしめて３層構
造とすることも可能である。この第３の磁性薄膜は、面
内磁気異方性若しくは小さな垂直磁気異方性を有するも
のであり、特に垂直磁気異方性を有する場合には、第１
の磁性薄膜３や第２の磁性薄膜４の垂直磁気異方性より
も十分に小さい（例えば１×１０-6erg ／cm3 以下）こ
とが好ましい。前記第３の磁性薄膜の存在によって、界
面磁壁の存在する状態を安定化し各磁性薄膜３，４の特
性設計上のマージンを広げるとともに、界面磁壁エネル
ギーを下げ転移のための外部補助磁界を小さくすること
ができる。
【００１５】次に、光強度変調記録方式並びに上述の光
磁気記録媒体において光強度変調記録を行うための必要
条件について述べる。光強度変調記録方式では、図２に
温度Ｔに対応して第１の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜
４における各磁化状態を矢印をもって模式的に示すよう
に、室温ＴR下において両磁性薄膜３，４の磁化の向き
が同一である状態（状態Ａ）と、互いに逆向きの状態
（状態Ｂ）との２態様によって“０”，“１”の情報の
記録がなされる。
磁気記録媒体において光強度変調記録を行うための必要
条件について述べる。光強度変調記録方式では、図２に
温度Ｔに対応して第１の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜
４における各磁化状態を矢印をもって模式的に示すよう
に、室温ＴR下において両磁性薄膜３，４の磁化の向き
が同一である状態（状態Ａ）と、互いに逆向きの状態
（状態Ｂ）との２態様によって“０”，“１”の情報の
記録がなされる。
【００１６】これら記録は、外部磁界Ｈexの印加と、レ
ーザー光照射による２段階加熱によって行われるが、そ
の操作は以下の通りである。先ず、例えば状態Ａにある
部位に対してレーザー光を照射するとともに、このレー
ザー光の強度あるいは照射時間を記録信号に応じて変調
制御し、これによる加熱温度を第１の磁性薄膜３のほぼ
キュリー温度ＴC1以上で且つ外部磁界Ｈexによって第２
の磁性薄膜４に磁化反転を生じない温度（第１の加熱温
度Ｔ1 ）とする。このような加熱を行うと、第１の磁性
薄膜３は磁化を失った状態（状態Ｃ）となるが、加熱が
終了して第１の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４の温度
が第１の磁性薄膜３のキュリー温度ＴC1まで下がると、
第１の磁性薄膜３に磁化が生ずる。このとき、第２の磁
性薄膜４との交換結合力が支配的となるように設定して
おくと、これによって第１の磁性薄膜３の磁化の向きは
第２の磁性薄膜４の磁化の向きに倣って同一の向きとさ
れる。したがって、磁性二層膜５は状態Ａとなり、例え
ば“０”の情報が記録される。
ーザー光照射による２段階加熱によって行われるが、そ
の操作は以下の通りである。先ず、例えば状態Ａにある
部位に対してレーザー光を照射するとともに、このレー
ザー光の強度あるいは照射時間を記録信号に応じて変調
制御し、これによる加熱温度を第１の磁性薄膜３のほぼ
キュリー温度ＴC1以上で且つ外部磁界Ｈexによって第２
の磁性薄膜４に磁化反転を生じない温度（第１の加熱温
度Ｔ1 ）とする。このような加熱を行うと、第１の磁性
薄膜３は磁化を失った状態（状態Ｃ）となるが、加熱が
終了して第１の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４の温度
が第１の磁性薄膜３のキュリー温度ＴC1まで下がると、
第１の磁性薄膜３に磁化が生ずる。このとき、第２の磁
性薄膜４との交換結合力が支配的となるように設定して
おくと、これによって第１の磁性薄膜３の磁化の向きは
第２の磁性薄膜４の磁化の向きに倣って同一の向きとさ
れる。したがって、磁性二層膜５は状態Ａとなり、例え
ば“０”の情報が記録される。
【００１７】次に、加熱温度を先の第１の加熱温度Ｔ1
以上で且つ第２の磁性薄膜４の磁化を外部磁界Ｈexによ
り反転させるに十分な温度（第２の加熱温度Ｔ2 ）とす
る。このような温度Ｔ2 まで加熱を行うと、第１の磁性
薄膜３は磁化を失い、同時に第２の磁性薄膜４は磁化が
反転して状態Ｄとなる。そして、加熱が終了し、第１の
磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４の温度が第１の磁性薄
膜３のキュリー温度ＴC1にまで下がると、第１の磁性薄
膜３の磁化の向きは第２の磁性薄膜４による交換結合力
によって状態Ａとは反対向きに揃えられた状態（状態
Ｅ）となる。このとき、前記外部磁界Ｈexとは反対向き
の外部補助磁界ＨSUB の印加によって、室温ＴR 近傍で
第２の磁性薄膜４の磁化の向きを反転させると、第１の
磁性薄膜３と第２の磁性薄膜間には磁壁７が生じた磁化
状態，すなわち状態Ａとは第１の磁性薄膜３の磁化の向
きのみが反転した状態となる。これにより磁性二層膜５
は状態Ｂとなり、例えば“１”の情報が記録される。た
だし、図２は室温で遷移金属副格子優勢（ＴＭリッチ）
の組成のときの原理図である。室温で希土類元素副格子
優勢（ＲＥリッチ）の組成の場合、補償点があるため
に、例えば状態Ｃから状態Ｄへ移行する間に、トータル
の磁化の向きが図中上向き（↑）から下向き（↓）にな
る。したがって、この場合には外部磁界Ｈexの向きを図
中上向き（↑）とする必要がある。すなわち、室温で希
土類元素副格子優勢（ＲＥリッチ）の場合、外部磁界Ｈ
exと外部補助磁界Ｈsub は同じ向きとなる。
以上で且つ第２の磁性薄膜４の磁化を外部磁界Ｈexによ
り反転させるに十分な温度（第２の加熱温度Ｔ2 ）とす
る。このような温度Ｔ2 まで加熱を行うと、第１の磁性
薄膜３は磁化を失い、同時に第２の磁性薄膜４は磁化が
反転して状態Ｄとなる。そして、加熱が終了し、第１の
磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４の温度が第１の磁性薄
膜３のキュリー温度ＴC1にまで下がると、第１の磁性薄
膜３の磁化の向きは第２の磁性薄膜４による交換結合力
によって状態Ａとは反対向きに揃えられた状態（状態
Ｅ）となる。このとき、前記外部磁界Ｈexとは反対向き
の外部補助磁界ＨSUB の印加によって、室温ＴR 近傍で
第２の磁性薄膜４の磁化の向きを反転させると、第１の
磁性薄膜３と第２の磁性薄膜間には磁壁７が生じた磁化
状態，すなわち状態Ａとは第１の磁性薄膜３の磁化の向
きのみが反転した状態となる。これにより磁性二層膜５
は状態Ｂとなり、例えば“１”の情報が記録される。た
だし、図２は室温で遷移金属副格子優勢（ＴＭリッチ）
の組成のときの原理図である。室温で希土類元素副格子
優勢（ＲＥリッチ）の組成の場合、補償点があるため
に、例えば状態Ｃから状態Ｄへ移行する間に、トータル
の磁化の向きが図中上向き（↑）から下向き（↓）にな
る。したがって、この場合には外部磁界Ｈexの向きを図
中上向き（↑）とする必要がある。すなわち、室温で希
土類元素副格子優勢（ＲＥリッチ）の場合、外部磁界Ｈ
exと外部補助磁界Ｈsub は同じ向きとなる。
【００１８】光強度変調記録方式は、上述の状態Ａ及び
状態Ｂによって“０”，“１”の情報が記録されるもの
であって、さらには、これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれ
においてもこの上にオーバーライトが可能である。すな
わち、状態Ａ及び状態Ｂのいずれ状態であっても、第１
の加熱温度Ｔ1 あるいは第２の加熱温度Ｔ2 まで加熱す
る際には状態Ｃの過程を経ることになり、したがって加
熱温度をＴ1 あるいはＴ2 に選ぶことによって、元の状
態が状態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず、前述の過
程によって状態Ａあるいは状態Ｂのいずれかに書き替え
ることが可能となる。
状態Ｂによって“０”，“１”の情報が記録されるもの
であって、さらには、これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれ
においてもこの上にオーバーライトが可能である。すな
わち、状態Ａ及び状態Ｂのいずれ状態であっても、第１
の加熱温度Ｔ1 あるいは第２の加熱温度Ｔ2 まで加熱す
る際には状態Ｃの過程を経ることになり、したがって加
熱温度をＴ1 あるいはＴ2 に選ぶことによって、元の状
態が状態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず、前述の過
程によって状態Ａあるいは状態Ｂのいずれかに書き替え
ることが可能となる。
【００１９】ところで、上述の光強度変調記録方式にお
いて、オーバーライトを可能とするためには、第１の磁
性薄膜３や第２の磁性薄膜４に種々の特性が要求され
る。そこで、以下にこれら第１の磁性薄膜３や第２の磁
性薄膜４に要求される必要条件について説明する。光強
度変調記録方式の光磁気記録媒体においては、第１の磁
性薄膜３と第２の磁性薄膜４との積層界面に交換エネル
ギーが働いており、このために状態Ｂでは磁壁７が発生
している。この界面磁壁エネルギーσW は、（３）式に
よって表される。
いて、オーバーライトを可能とするためには、第１の磁
性薄膜３や第２の磁性薄膜４に種々の特性が要求され
る。そこで、以下にこれら第１の磁性薄膜３や第２の磁
性薄膜４に要求される必要条件について説明する。光強
度変調記録方式の光磁気記録媒体においては、第１の磁
性薄膜３と第２の磁性薄膜４との積層界面に交換エネル
ギーが働いており、このために状態Ｂでは磁壁７が発生
している。この界面磁壁エネルギーσW は、（３）式に
よって表される。
【式１】 （ただし、式中Ａ1 及びＡ2 はそれぞれ第１の磁性薄膜
３及び第２の磁性薄膜４の交換定数であり、Ｋ1 及びＫ
2 はそれぞれ第１の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４の
垂直磁気異方性定数である。）
３及び第２の磁性薄膜４の交換定数であり、Ｋ1 及びＫ
2 はそれぞれ第１の磁性薄膜３及び第２の磁性薄膜４の
垂直磁気異方性定数である。）
【００２０】ここで、オーバーライトのために必要な条
件としては、先ず第１に、室温ＴR（−２０℃〜６０
℃）において状態Ｂから状態Ａへの移行が生ずることが
ないことである。このための条件は、室温で ＨC1＞ＨW1＝σW ／２ＭS1ｈ1 ・・・（４） である。第２に、状態Ｂから状態Ｅへの移行が生じない
ことである。このために必要な条件は、室温で ＨC2＞ＨW2＝σW ／２ＭS2ｈ2 ・・・（５） である。さらにまた、状態Ｅにおいて第１の磁性薄膜３
が外部補助磁界ＨSUB によって反転してはならない。こ
れが第３の必要条件であるが、このためには、室温で ＨC1±ＨW1＞ＨSUB ・・・（６） なる（６）式を満足する必要がある。なお、この（６）
式の左辺における＋，−について説明すると、第１の磁
性薄膜３が希土類優勢膜であり第２の磁性薄膜が遷移金
属優勢膜である場合には「＋」、第１の磁性薄膜３及び
第２の磁性薄膜４が共に遷移金属優勢膜である場合には
「−」となる。
件としては、先ず第１に、室温ＴR（−２０℃〜６０
℃）において状態Ｂから状態Ａへの移行が生ずることが
ないことである。このための条件は、室温で ＨC1＞ＨW1＝σW ／２ＭS1ｈ1 ・・・（４） である。第２に、状態Ｂから状態Ｅへの移行が生じない
ことである。このために必要な条件は、室温で ＨC2＞ＨW2＝σW ／２ＭS2ｈ2 ・・・（５） である。さらにまた、状態Ｅにおいて第１の磁性薄膜３
が外部補助磁界ＨSUB によって反転してはならない。こ
れが第３の必要条件であるが、このためには、室温で ＨC1±ＨW1＞ＨSUB ・・・（６） なる（６）式を満足する必要がある。なお、この（６）
式の左辺における＋，−について説明すると、第１の磁
性薄膜３が希土類優勢膜であり第２の磁性薄膜が遷移金
属優勢膜である場合には「＋」、第１の磁性薄膜３及び
第２の磁性薄膜４が共に遷移金属優勢膜である場合には
「−」となる。
【００２１】一方、状態Ｅから状態Ｂへの移行を生ぜし
めるためには、室温で ＨC2＋ＨW2＜ＨSUB ・・・（７） を満足することが必要である。また、加熱温度が第１の
磁性薄膜３のキュリー温度ＴC1近傍である場合に、状態
Ｃから状態Ａへ移行するためには、すなわち第１の磁性
薄膜３の磁化の向きが第２の磁性薄膜４の磁化の向きに
揃えられるためには、前記キュリー温度ＴC1近傍で ＨW1＞ＨC1＋Ｈex ・・・（８） なる条件が満足されることが必要である。さらに状態Ｃ
から状態Ｅへの移行が生じないために、前記キュリー温
度ＴC1近傍で ＨC2＋ＨW2＞Ｈex ・・・（９） なる条件が満足されることが必要である。なお、上記各
式において、ＨW1及びＨW2はそれぞれ他の層からの交換
力項で、（４）式及び（５）式で定義された量である。
また、ＨC1は第１の磁性薄膜の保磁力、ＭS1は飽和磁
化、ｈ1 は膜厚であり、ＨC2は第２の磁性薄膜の保磁
力、ＭS2は飽和磁化、ｈ2 は膜厚をそれぞれ表す。さら
に、σW は界面磁壁エネルギー、Ｈexは記録時に印加さ
れる外部磁界、ＨSUB はこの外部磁界とは反対方向に印
加される外部補助磁界である。
めるためには、室温で ＨC2＋ＨW2＜ＨSUB ・・・（７） を満足することが必要である。また、加熱温度が第１の
磁性薄膜３のキュリー温度ＴC1近傍である場合に、状態
Ｃから状態Ａへ移行するためには、すなわち第１の磁性
薄膜３の磁化の向きが第２の磁性薄膜４の磁化の向きに
揃えられるためには、前記キュリー温度ＴC1近傍で ＨW1＞ＨC1＋Ｈex ・・・（８） なる条件が満足されることが必要である。さらに状態Ｃ
から状態Ｅへの移行が生じないために、前記キュリー温
度ＴC1近傍で ＨC2＋ＨW2＞Ｈex ・・・（９） なる条件が満足されることが必要である。なお、上記各
式において、ＨW1及びＨW2はそれぞれ他の層からの交換
力項で、（４）式及び（５）式で定義された量である。
また、ＨC1は第１の磁性薄膜の保磁力、ＭS1は飽和磁
化、ｈ1 は膜厚であり、ＨC2は第２の磁性薄膜の保磁
力、ＭS2は飽和磁化、ｈ2 は膜厚をそれぞれ表す。さら
に、σW は界面磁壁エネルギー、Ｈexは記録時に印加さ
れる外部磁界、ＨSUB はこの外部磁界とは反対方向に印
加される外部補助磁界である。
【００２２】光強度変調記録方式においては、光磁気記
録媒体が上述の必要条件を満たすことは勿論であるが、
オーバーライトが円滑に行われるか否かは、転写の動作
が安定に行われるか否かによる。なお、転写とは、第１
の磁性薄膜３のＦｅの副格子磁化の向きと第２の磁性薄
膜４のそれとが反平行な状態にあるときに、第１の磁性
薄膜３の磁化の向きが第２の磁性薄膜の磁化の向きに揃
うように反転する動作である。このとき、外部から与え
られる磁場がどの方向を向いていようとも影響を受けて
はならない。この動作を静的な反転磁場特性で考える
と、図３に示すようなものとなる。これは第１の磁性薄
膜３の反転磁場の温度変化を見たもので、第１の磁性薄
膜３が有する本来の保磁力ＨC1に他の磁性薄膜からの交
換力項ＨW1を合わせた値（ＨC1−ＨW1）で表記したもの
である。図３を見ると明らかなように、前記ＨC1−ＨW1
の値は、温度の上昇とともに低下し、ある温度を越える
とマイナス側へ移行する。転写が実現される条件は、先
の（８）式に示した通りであり、図３においてＨC1−Ｈ
W1の値がマイナス側に移行したときにはじめて（８）式
を満足し得る状態となることがわかる。
録媒体が上述の必要条件を満たすことは勿論であるが、
オーバーライトが円滑に行われるか否かは、転写の動作
が安定に行われるか否かによる。なお、転写とは、第１
の磁性薄膜３のＦｅの副格子磁化の向きと第２の磁性薄
膜４のそれとが反平行な状態にあるときに、第１の磁性
薄膜３の磁化の向きが第２の磁性薄膜の磁化の向きに揃
うように反転する動作である。このとき、外部から与え
られる磁場がどの方向を向いていようとも影響を受けて
はならない。この動作を静的な反転磁場特性で考える
と、図３に示すようなものとなる。これは第１の磁性薄
膜３の反転磁場の温度変化を見たもので、第１の磁性薄
膜３が有する本来の保磁力ＨC1に他の磁性薄膜からの交
換力項ＨW1を合わせた値（ＨC1−ＨW1）で表記したもの
である。図３を見ると明らかなように、前記ＨC1−ＨW1
の値は、温度の上昇とともに低下し、ある温度を越える
とマイナス側へ移行する。転写が実現される条件は、先
の（８）式に示した通りであり、図３においてＨC1−Ｈ
W1の値がマイナス側に移行したときにはじめて（８）式
を満足し得る状態となることがわかる。
【００２３】したがって、ＨC1−ＨW1の値が描く曲線が
マイナス側にはみ出た部分の形状が重要であると考えら
れ、そこでこの形状を決める２つのパラメータを定義
し、光磁気記録媒体を評価することとする。定義される
パラメータの一つはＨC1−ＨW1＝０となる温度で、この
温度をＴ0とする。もうひとつは、ＨC1−ＨW1の値が最
小となる値で、これをΔＨmax とする。なお、この値は
ＨW1＋ＨC1が現れる側に対してＨW1−ＨC1が同じ側（零
磁場に対して）に現れる場合を負の値として取り扱って
いる。いま、これら温度Ｔ0 及び最小値ΔＨmax をパラ
メータとして光磁気記録媒体の電気信号特性を調べる。
対応すると考えられる電気特性は、読み取りパワーの最
大値Ｐｒmax と、転写動作を安定に行うことのできる記
録外部磁場の最大値Ｈmax である。特に前者は、読み取
り時のレーザーパワーの限界を示すもので、これ以上レ
ーザーパワーを上げると記録した情報が消失することに
なる。図４に前記温度Ｔ0 と読み取りパワーの最大値Ｐ
ｒmax の相関を、図５にＨC1−ＨW1の値の最小値ΔＨ
max と記録外部磁場の最大値Ｈmax の相関を示す。
マイナス側にはみ出た部分の形状が重要であると考えら
れ、そこでこの形状を決める２つのパラメータを定義
し、光磁気記録媒体を評価することとする。定義される
パラメータの一つはＨC1−ＨW1＝０となる温度で、この
温度をＴ0とする。もうひとつは、ＨC1−ＨW1の値が最
小となる値で、これをΔＨmax とする。なお、この値は
ＨW1＋ＨC1が現れる側に対してＨW1−ＨC1が同じ側（零
磁場に対して）に現れる場合を負の値として取り扱って
いる。いま、これら温度Ｔ0 及び最小値ΔＨmax をパラ
メータとして光磁気記録媒体の電気信号特性を調べる。
対応すると考えられる電気特性は、読み取りパワーの最
大値Ｐｒmax と、転写動作を安定に行うことのできる記
録外部磁場の最大値Ｈmax である。特に前者は、読み取
り時のレーザーパワーの限界を示すもので、これ以上レ
ーザーパワーを上げると記録した情報が消失することに
なる。図４に前記温度Ｔ0 と読み取りパワーの最大値Ｐ
ｒmax の相関を、図５にＨC1−ＨW1の値の最小値ΔＨ
max と記録外部磁場の最大値Ｈmax の相関を示す。
【００２４】これら図面を見ると明らかなように、これ
らは１次対応しており、光磁気記録媒体の磁性薄膜の特
性である温度Ｔ0 及び最小値ΔＨmax を測定すること
で、電気信号特性である読み取りパワーの最大値Ｐｒ
max や転写動作を安定に行うことのできる記録外部磁場
の最大値Ｈmax を推測できることがわかる。ここで、読
み取りパワーの最大値Ｐｒmax には下限が存在し、この
Ｐｒmax があまり低いと、転写（消去）が低い温度で起
こることになり、再生時の信頼性に問題を生ずる。した
がって、前記温度Ｔ0 は最低でも１００℃であることが
好ましく、温度Ｔ0 を１００℃以上となるように設定す
ることで、読み出し（再生）パワー２．０ｍＷ以下で再
生する限り非常に安定な読み出しが可能となる。また、
駆動装置内の温度上昇を６０℃と仮定すると、１．０ｍ
Ｗまでの再生が可能となる。上限については、第１の磁
性薄膜３のキュリー温度ＴC1を越えなければよいが、マ
ージンを広くするためにはＴC1−３０℃程度であること
が好ましい。
らは１次対応しており、光磁気記録媒体の磁性薄膜の特
性である温度Ｔ0 及び最小値ΔＨmax を測定すること
で、電気信号特性である読み取りパワーの最大値Ｐｒ
max や転写動作を安定に行うことのできる記録外部磁場
の最大値Ｈmax を推測できることがわかる。ここで、読
み取りパワーの最大値Ｐｒmax には下限が存在し、この
Ｐｒmax があまり低いと、転写（消去）が低い温度で起
こることになり、再生時の信頼性に問題を生ずる。した
がって、前記温度Ｔ0 は最低でも１００℃であることが
好ましく、温度Ｔ0 を１００℃以上となるように設定す
ることで、読み出し（再生）パワー２．０ｍＷ以下で再
生する限り非常に安定な読み出しが可能となる。また、
駆動装置内の温度上昇を６０℃と仮定すると、１．０ｍ
Ｗまでの再生が可能となる。上限については、第１の磁
性薄膜３のキュリー温度ＴC1を越えなければよいが、マ
ージンを広くするためにはＴC1−３０℃程度であること
が好ましい。
【００２５】一方、記録外部磁場の最大値Ｈmax は、直
接転写動作には関与しないが、この最大値Ｈmax により
記録特性，特にＣ／Ｎが変わるために、大きくとれた方
が有利である。例えば、図６に示すように、第１の磁性
薄膜３の膜厚を２００Å（実線）、３００Å（破線）、
４００Å（一点鎖線）と変えることにより、Ｃ／Ｎ特性
が変わり、３００Åの場合には矢印Ｙで、４００Åの場
合には矢印Ｘで示す点でＣ／Ｎが最大となる。これら矢
印Ｘあるいは矢印Ｙで示す点が転写動作を安定に行うこ
とのできる記録外部磁場の最大値Ｈmax であって、この
点を越えると転写が安定に行われずＣ／Ｎが次第に劣化
する。このとき、Ｃ／Ｎは最低でも４７〜４８ｄＢは必
要であると考えると、Ｃ／Ｎから判断される必要最低記
録外部磁場は３７０エルステッドであり、少なくとも前
記記録外部磁場の最大値Ｈmax が３７０エルステッド以
上であることが必要となる。そして、この記録外部磁場
の最大値Ｈmax を３７０エルステッド以上とするために
は、図５からＨC1−ＨW1の最小値ΔＨmax を−５００エ
ルステッド以下（絶対値で５００エルステッド以上）と
すればよいことになる。
接転写動作には関与しないが、この最大値Ｈmax により
記録特性，特にＣ／Ｎが変わるために、大きくとれた方
が有利である。例えば、図６に示すように、第１の磁性
薄膜３の膜厚を２００Å（実線）、３００Å（破線）、
４００Å（一点鎖線）と変えることにより、Ｃ／Ｎ特性
が変わり、３００Åの場合には矢印Ｙで、４００Åの場
合には矢印Ｘで示す点でＣ／Ｎが最大となる。これら矢
印Ｘあるいは矢印Ｙで示す点が転写動作を安定に行うこ
とのできる記録外部磁場の最大値Ｈmax であって、この
点を越えると転写が安定に行われずＣ／Ｎが次第に劣化
する。このとき、Ｃ／Ｎは最低でも４７〜４８ｄＢは必
要であると考えると、Ｃ／Ｎから判断される必要最低記
録外部磁場は３７０エルステッドであり、少なくとも前
記記録外部磁場の最大値Ｈmax が３７０エルステッド以
上であることが必要となる。そして、この記録外部磁場
の最大値Ｈmax を３７０エルステッド以上とするために
は、図５からＨC1−ＨW1の最小値ΔＨmax を−５００エ
ルステッド以下（絶対値で５００エルステッド以上）と
すればよいことになる。
【００２６】このように、ＨC1−ＨW1＝０となる温度Ｔ
0 やＨC1−ＨW1の最小値ΔＨmax を選定することで、電
気信号特性に優れた光磁気記録媒体が作成される。これ
らＨC1−ＨW1＝０となる温度Ｔ0 やＨC1−ＨW1の最小値
ΔＨmax は、第１の磁性薄膜３や第２の磁性薄膜４、さ
らには中間層として介在される第３の磁性薄膜の組成，
膜厚等を変更することで前記範囲に設定することができ
る。以下、実際に光磁気ディスクを作成して前記事実を
検証した。
0 やＨC1−ＨW1の最小値ΔＨmax を選定することで、電
気信号特性に優れた光磁気記録媒体が作成される。これ
らＨC1−ＨW1＝０となる温度Ｔ0 やＨC1−ＨW1の最小値
ΔＨmax は、第１の磁性薄膜３や第２の磁性薄膜４、さ
らには中間層として介在される第３の磁性薄膜の組成，
膜厚等を変更することで前記範囲に設定することができ
る。以下、実際に光磁気ディスクを作成して前記事実を
検証した。
【００２７】作成した光磁気ディスクは中間層を介在さ
せた３層構造のものである。また、これらの光磁気ディ
スクにおいては、第１の磁性薄膜及び第２の磁性薄膜の
組成，膜厚は共通である。すなわち、第１の磁性薄膜は
Ｔｂ20（Ｆｅ91Ｃｏ5 Ｃｒ4）80なる組成を有し、室温
保磁力２５ｋＯｅ以上、キュリー温度１７０℃、膜厚３
００Åである。第２の磁性薄膜は（Ｇｄ75Ｔｂ25）
26（Ｆｅ66Ｃｏ30Ｃｒ4 ）74なる組成を有し、室温保磁
力３ｋＯｅ（ＲＥリッチ）、補償温度２００℃、キュリ
ー温度３００℃以上、膜厚８００Åである。また、これ
ら光磁気ディスクにおいては、中間層（第３の磁性薄
膜）の組成や膜厚を変更することでＨC1−ＨW1＝０とな
る温度Ｔ0 やＨC1−ＨW1の最小値ΔＨmax を変更した
が、各光磁気ディスクにおける中間層の組成及び膜厚は
表１に示す通りである。
せた３層構造のものである。また、これらの光磁気ディ
スクにおいては、第１の磁性薄膜及び第２の磁性薄膜の
組成，膜厚は共通である。すなわち、第１の磁性薄膜は
Ｔｂ20（Ｆｅ91Ｃｏ5 Ｃｒ4）80なる組成を有し、室温
保磁力２５ｋＯｅ以上、キュリー温度１７０℃、膜厚３
００Åである。第２の磁性薄膜は（Ｇｄ75Ｔｂ25）
26（Ｆｅ66Ｃｏ30Ｃｒ4 ）74なる組成を有し、室温保磁
力３ｋＯｅ（ＲＥリッチ）、補償温度２００℃、キュリ
ー温度３００℃以上、膜厚８００Åである。また、これ
ら光磁気ディスクにおいては、中間層（第３の磁性薄
膜）の組成や膜厚を変更することでＨC1−ＨW1＝０とな
る温度Ｔ0 やＨC1−ＨW1の最小値ΔＨmax を変更した
が、各光磁気ディスクにおける中間層の組成及び膜厚は
表１に示す通りである。
【表１】
【００２８】図７に各光磁気ディスクのＨC1−ＨW1の温
度変化を示す。各々の光磁気ディスクに対し、Ｔ0 及び
ΔＨmax に注目すると、ディスクＥのΔＨmax は約−３
０００エルステッド、ディスクＣ及びディスクＤのΔＨ
max は約−２０００エルステッド、ディスクＢのΔＨ
max は約−１０００エルステッド、ディスクＡのΔＨ
max は約−２００エルステッドである。また、ディスク
Ａ及びディスクＢのＴ0 は約１７０℃、ディスクＣのＴ
0 は約１６０℃、ディスクＤのＴ0 は約１００℃、ディ
スクＥのＴ0 は約６０℃である。これら光磁気ディスク
について、記録再生装置にてオーバーライト動作特性を
調べた。調べた特性は、一つには転写動作（消去動作）
が開始するレーザーパワーＰｒmax であり、もう一つに
は転写が正常に動作することのできる外部磁場の最大値
Ｈmax である。これらは、オーバーライト動作におい
て、最も重要となる動作である転写を円滑に行うことが
できるか否かを示す指針となる。このような観点から見
たとき、ディスクＢ及びディスクＣではＰｒmax は４ｍ
Ｗ以上、ディスクＤでも２ｍＷ程度であり、この範囲で
の再生により情報が消失することはなかった。これに対
して、ディスクＥではＰｒmax を確保することができ
ず、記録データが再生パワーによって消去されてしまっ
た。また、転写が正常に動作することのできる外部磁場
の最大値Ｈmax に関しては、ディスクＣ及びディスクＤ
では８００エルステッド以上、ディスクＢでも５００エ
ルステッド程度を確保することができ、Ｃ／Ｎに優れた
記録信号を得ることが可能であった。これに対して、デ
ィスクＡではＣ／Ｎを十分にとることができなかった。
度変化を示す。各々の光磁気ディスクに対し、Ｔ0 及び
ΔＨmax に注目すると、ディスクＥのΔＨmax は約−３
０００エルステッド、ディスクＣ及びディスクＤのΔＨ
max は約−２０００エルステッド、ディスクＢのΔＨ
max は約−１０００エルステッド、ディスクＡのΔＨ
max は約−２００エルステッドである。また、ディスク
Ａ及びディスクＢのＴ0 は約１７０℃、ディスクＣのＴ
0 は約１６０℃、ディスクＤのＴ0 は約１００℃、ディ
スクＥのＴ0 は約６０℃である。これら光磁気ディスク
について、記録再生装置にてオーバーライト動作特性を
調べた。調べた特性は、一つには転写動作（消去動作）
が開始するレーザーパワーＰｒmax であり、もう一つに
は転写が正常に動作することのできる外部磁場の最大値
Ｈmax である。これらは、オーバーライト動作におい
て、最も重要となる動作である転写を円滑に行うことが
できるか否かを示す指針となる。このような観点から見
たとき、ディスクＢ及びディスクＣではＰｒmax は４ｍ
Ｗ以上、ディスクＤでも２ｍＷ程度であり、この範囲で
の再生により情報が消失することはなかった。これに対
して、ディスクＥではＰｒmax を確保することができ
ず、記録データが再生パワーによって消去されてしまっ
た。また、転写が正常に動作することのできる外部磁場
の最大値Ｈmax に関しては、ディスクＣ及びディスクＤ
では８００エルステッド以上、ディスクＢでも５００エ
ルステッド程度を確保することができ、Ｃ／Ｎに優れた
記録信号を得ることが可能であった。これに対して、デ
ィスクＡではＣ／Ｎを十分にとることができなかった。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体においては、光強度変調記録方式を
行うための必要条件のみならず、ＨC1−ＨW1（＝−σW
／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1）の値が描く曲線がマイナス側には
み出た部分の形状を最適化しているので、非常に安定な
読み出し及び転写動作が可能で、また十分なＣ／Ｎを確
保することができる。
明の光磁気記録媒体においては、光強度変調記録方式を
行うための必要条件のみならず、ＨC1−ＨW1（＝−σW
／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1）の値が描く曲線がマイナス側には
み出た部分の形状を最適化しているので、非常に安定な
読み出し及び転写動作が可能で、また十分なＣ／Ｎを確
保することができる。
【図１】光磁気記録媒体の構成例を示す要部拡大断面図
である。
である。
【図２】光強度変調記録方式における磁性二層膜の磁化
状態を説明する模式図である。
状態を説明する模式図である。
【図３】ＨC1−ＨW1の温度特性を示す特性図である。
【図４】ＨC1−ＨW1＝０となる温度Ｔ0 と読み取りパワ
ーの最大値Ｐｒmax の相関を示す特性図である。
ーの最大値Ｐｒmax の相関を示す特性図である。
【図５】ＨC1−ＨW1の値の最小値ΔＨmax と転写動作を
安定に行うことのできる記録外部磁場の最大値Ｈmax の
相関を示す特性図である。
安定に行うことのできる記録外部磁場の最大値Ｈmax の
相関を示す特性図である。
【図６】記録外部磁場の最大値Ｈmax とＣ／Ｎの関係を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図７】実際に作成した光磁気ディスクのＨC1−ＨW1の
温度特性を示す特性図である。
温度特性を示す特性図である。
１・・・透明基板 ３・・・第１の磁性薄膜 ４・・・第２の磁性薄膜 ５・・・磁性二層膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武藤 良弘 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜が磁気
的に結合されて積層されてなり、加熱温度を制御するこ
とにより情報信号の書き換えが行われる光磁気記録媒体
において、 第１の磁性薄膜のキュリー温度をＴC1、保磁力をＨC1、
飽和磁化をＭS1、膜厚をｈ1 、第２の磁性薄膜のキュリ
ー温度をＴC2、保磁力をＨC2、飽和磁化をＭS2、膜厚を
ｈ2 、磁壁エネルギーをσW 、記録時に印加される外部
磁界をＨex、外部補助磁界をＨSUB としたときに、室温
で ＨC1＞σW ／２ＭS1ｈ1 ＨC2＞σW ／２ＭS2ｈ2 ＨC1±σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨSUB ＨC2＋σW ／２ＭS2ｈ2 ＜ＨSUB なる関係を満足するとともに、第１の磁性薄膜のキュリ
ー温度ＴC1近傍で σW ／２ＭS1ｈ1 ＞ＨC1＋Ｈex ＨC2−σW ／２ＭS2ｈ2 ＞Ｈex なる関係を満足し、且つ−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1＝０
となる温度Ｔ0 が１００℃≦Ｔ0 ＜ＴC1なる範囲内にあ
り、−σW ／２ＭS1ｈ1 ＋ＨC1の極小値ΔＨmaxが−５
００エルステッド以下であることを特徴とする光磁気記
録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072199A JP2910287B2 (ja) | 1990-12-19 | 1991-03-13 | 光磁気記録媒体 |
| EP91121557A EP0491337B1 (en) | 1990-12-19 | 1991-12-16 | Magneto-optical recording medium |
| DE1991623225 DE69123225T2 (de) | 1990-12-19 | 1991-12-16 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-411664 | 1990-12-19 | ||
| JP41166490 | 1990-12-19 | ||
| JP3072199A JP2910287B2 (ja) | 1990-12-19 | 1991-03-13 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215426A true JPH06215426A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2910287B2 JP2910287B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=26413328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3072199A Expired - Fee Related JP2910287B2 (ja) | 1990-12-19 | 1991-03-13 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0491337B1 (ja) |
| JP (1) | JP2910287B2 (ja) |
| DE (1) | DE69123225T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903526A (en) * | 1996-09-20 | 1999-05-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1322408C (en) * | 1986-08-20 | 1993-09-21 | Tomiji Tanaka | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film |
| CA1326547C (en) * | 1988-07-13 | 1994-01-25 | Masahiko Kaneko | Thermomagnetic recording method |
| JP2830018B2 (ja) * | 1989-03-01 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 光磁気記録媒体 |
| JPH02265058A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光磁気記録媒体とその初期化方法 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3072199A patent/JP2910287B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-16 DE DE1991623225 patent/DE69123225T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-16 EP EP91121557A patent/EP0491337B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2910287B2 (ja) | 1999-06-23 |
| DE69123225D1 (de) | 1997-01-02 |
| EP0491337B1 (en) | 1996-11-20 |
| EP0491337A1 (en) | 1992-06-24 |
| DE69123225T2 (de) | 1997-06-12 |
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