JPH06215367A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電磁変換特性と走行安定性、耐久性、耐候性
等の信頼性とを併せて備える強磁性薄膜型磁気記録媒体
を提供する。 【構成】 非磁性基板１の強磁性金属薄膜３の上に硬質
炭素保護膜５を形成し、その表面にコロナ放電により生
成した中性ラジカル種を照射した後、含フッ素系潤滑剤
層７を湿式塗布法により形成する。この照射で硬質炭素
保護膜５と潤滑剤層７との接着性が向上する。保護層５
上に含フッ素系潤滑剤層７を形成した後、中性ラジカル
種を照射してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲ、磁気ディスク
装置等に用いられる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製
造方法に関し、特に、高次元の電磁変換特性と実用信頼
性とを共に備える磁気記録媒体が得られるように構成し
たものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録媒体装置は、高性能化
（ＶＴＲの場合は、高画質・高音質化、磁気ディスク装
置の場合は、大容量・高速化）、小型軽量化が要望され
るようになってきた。それに伴い磁気記録媒体として
は、高密度記録を達成することが必要不可欠であり、磁
性層の残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（Ｈｃ）が共に
大きく、磁性層の薄層化が可能であり、しかも磁性層表
面の超平滑化に最適である強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体の開発、実用化が積極的に行なわれている。

【０００３】一般に強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、
真空雰囲気中で、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ等の金
属もしくは合金を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空
槽内にわずかな酸素ガスを導入しながら、連続的に入射
角を変化させた斜方蒸着法、スパッタリング法等を用い
て、ポリエステル、ポリイミド等の高分子フィルムや非
磁性金属からなる基板上に付着・堆積させることにより
得ることができる。

【０００４】しかしながら、強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体の磁性層は、硬度が低く塑性変形しやすいため、高
速回転するＶＴＲの磁気ヘッドおよび金属シリンダと直
接接触する場合、磁性層は瞬間的に摩耗・損傷され、ヘ
ッド摺動面に金属凝着を引き起こし、その結果、耐久性
の悪化（繰り返し走行による大幅な記録再生出力の低
下、スチルライフの著しい減少等）を招くという問題が
生じた。また磁性層表面は、酸化被膜が形成され保護さ
れているものの高湿環境下における耐食性は、不充分で
あるといった問題を有していた。

【０００５】そこで、従来より、強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体の潤滑性、耐摩耗性および耐食性を向上させる
ために、微小突起を形成したベースフィルムを使用した
り、磁性層上に保護膜あるいは滑り性・撥水性効果を合
わせ持つ含フッ素系潤滑剤層を形成することが提案され
ている。特に保護膜については、磁性層と磁気ヘッド間
のスペーシング損失を低減するために、保護膜の膜厚を
薄く設定する必要があり、そのため高硬度で摩耗しにく
いダイヤモンド状炭素膜を磁性層上に形成する構成が数
多く提案されている。（例えば特開昭６１−２１０５１
８号公報および特開昭６３−９８８２４号公報等に記
載。）また、特開平１−２４５４１７号公報および特開
平２−１５８９０９号公報等には、磁性層上にダイヤモ
ンド状炭素膜を形成し、さらにこのダイヤモンド状炭素
膜上に潤滑剤層（含フッ素脂肪酸層）を形成する構成が
開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来よ
り行なわれてきた方法を用いて、優れた電磁変換特性お
よび耐久性を兼ね備えた磁気記録媒体を提供することは
非常に困難であり、様々な問題が生じている。

【０００７】例えば、磁性層上に含フッ素系潤滑剤層の
みを形成した場合には、せん断力を低下させることがで
きるものの、媒体表面の硬度が低く摩耗しやすいため、
走行安定性が悪化するとともに、スチルライフが減少す
る結果を招いてしまう。

【０００８】また、磁性層上に硬質保護膜（例えばダイ
ヤモンド状炭素膜）のみを形成した場合には、高速回転
するＶＴＲの磁気ヘッドおよび金属シリンダとの直接接
触により保護膜自体が脆性破壊を起こし、その結果、ス
チルライフの著しい減少を招くとともに、ヘッド摩耗あ
るいは偏摩耗（ヘッド摺動面のアモルファス部分がフェ
ライト部分に対し著しく摩耗する現象）を生じ、再生出
力の安定性を確保することが不可能となる。

【０００９】さらに磁性層上に高硬度なダイヤモンド状
炭素膜および潤滑剤層を順次形成させた場合において
も、ダイヤモンド状炭素膜の表面状態が化学的に非常に
不活性であるため、潤滑剤との接着性が不充分となり、
記録再生時にヘッド摺動面に潤滑剤成分からなる焼付き
が生じ、著しい出力低下を招いたり、長時間のヘッド目
づまりを発生させる等の問題を有していた。

【００１０】一方、潤滑剤層を湿式塗布法によって保護
膜上に形成する際に、潤滑剤溶液中に大量の水分が混入
している場合、もしくは高湿環境下で塗布・乾燥工程を
行なった場合には、潤滑剤分子の配向性が悪化し、塗布
ムラを生じ、その結果、ドロップ・アウト（Ｄ.Ｏ.）が
増加することになる。また、耐食性についても、潤滑剤
層中に混入している水分等が保護膜と磁性層との界面、
磁性層とベースフィルムとの界面に容易に侵入し、錆、
ふくれ、剥離等が発生するといった問題を有していた。

【００１１】本発明は、前記課題を解決するものであ
り、電磁変換特性と実用信頼性とを高次元で両立させる
ことのできる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、磁
気記録媒体の製造において、非磁性基板上に強磁性金属
薄膜を形成し、強磁性金属薄膜上に保護膜を形成し、さ
らに、この保護膜にコロナ放電により生成した中性ラジ
カル種（原子状気体）を照射した後、潤滑剤層を形成し
ている。

【００１３】また、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形
成し、強磁性金属薄膜上に保護膜を形成し、保護膜上に
潤滑剤層を形成し、さらに、この潤滑剤層にコロナ放電
により生成した中性ラジカル種（原子状気体）を照射し
ている。

【００１４】また、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形
成し、強磁性金属薄膜上に保護膜を形成し、この保護膜
上にコロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状
気体）を照射した後、潤滑剤層を形成し、さらに、この
潤滑剤層にコロナ放電により生成した中性ラジカル種
（原子状気体）を照射している。

【００１５】また、前記保護膜を、ビッカース硬度が２
０００ｋｇ／ｍｍ²以上の非晶質炭素の連続膜で形成し
ている。

【００１６】また、前記保護膜に照射する中性ラジカル
種（原子状気体）を、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｆ、Ｂ、Ｓｉお
よび金属から選ばれた少なくとも一つの元素を分子中に
含有するモノマーガス、または前記モノマーガスと、Ｎ
₂ ガス、Ｏ₂ ガス、ＣＯ₂ ガスもしくはＮＨ₃ ガスとの
混合ガスから生成している。

【００１７】また、前記潤滑剤層に照射する中性ラジカ
ル種（原子状気体）を、Ｎ₂ 、Ｏ₂、ＮＨ₃ 、ＣＦ₄ 等
の反応性ガスから生成している。

【００１８】また、前記潤滑剤層を、−ＣＯＯＨ、−Ｏ
Ｈ、−ＳＨ、−ＮＨ₂ 、＝ＮＨ、−ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ
₂ 、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ₂ 、−ＣＯＯＲ、＝Ｐ
Ｒ、＝ＰＲＯ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ（ＯＨ）₂ 、−ＯＰ
Ｏ（ＯＲ）₂ および−ＳＯ₃ Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１
〜２２の炭化水素基、Ｍは水素、アルカリ金属またはア
ルカリ土類金属）から選ばれた少なくとも一つの極性基
を有する含フッ素系潤滑剤を用いて形成している。

【００１９】また、保護膜や潤滑剤層への中性ラジカル
種（原子状気体）の照射処理と、潤滑剤層の湿式塗布法
による形成とを、相対湿度２０％以下の除湿ガス雰囲気
中で連続的に行なっている。

【００２０】また、前記除湿ガスとして、Ｎ₂ ガスまた
はＯ₂ ガスを用いている。

【００２１】また、前記保護膜への中性ラジカル種（原
子状気体）の照射処理と、前記潤滑剤層の湿式塗布法に
よる形成とを一つのローラー上で行なっている。

【００２２】また、前記潤滑剤層を形成するための潤滑
剤溶液中の水分混入濃度を１０００ｐｐｍ以下に設定し
ている。

【００２３】さらに、潤滑剤層の形成に当たって、潤滑
剤溶液を塗布した直後に、相対湿度１５％以下の除湿ガ
スを塗布面に吹き付けて乾燥させている。

【００２４】

【作用】本発明によれば、保護膜表面にコロナ放電によ
り生成した中性ラジカル種（原子状気体）を照射するこ
とにより、保護膜表面が清浄化されるとともに、種々の
官能基（反応性基）が保護膜表面に導入される。すなわ
ち保護膜表面に反応活性層が形成されることになる。そ
の結果、潤滑剤分子中の極性基との化学的親和力が増大
するため、保護膜と潤滑剤層との接着性が向上する。

【００２５】また、保護膜上に潤滑剤層を形成した後、
この潤滑剤層にコロナ放電により生成した中性ラジカル
種（原子状気体）を照射することにより、潤滑剤分子中
にラジカルが生成し、このラジカルが保護膜表面上で反
応し、保護膜をマトリックス（幹）とし潤滑剤の骨格成
分をグラフト（枝）とするグラフト共重合体が形成され
る。その結果、常に一定量の潤滑剤が保護膜表面上に存
在することになる。

【００２６】保護膜表面にコロナ放電により生成した中
性ラジカル種（原子状気体）を照射した後、潤滑剤層を
形成し、さらに、この潤滑剤層にコロナ放電により生成
した中性ラジカル種（原子状気体）を照射する場合に
は、保護膜表面に導入された種々の官能基（反応性基）
と潤滑剤分子中の極性基との化学的親和力の増大、およ
び保護膜をマトリックス（幹）とし、潤滑剤の骨格成分
をグラフト（枝）とするグラフト共重合体の形成といっ
た二つの効果により、保護膜上の潤滑剤の配向性、接着
性が飛躍的に向上することになる。

【００２７】したがって、磁性層上に形成された保護膜
と潤滑剤層との相乗効果を充分に発揮することができる
ため、テープの走行安定性、耐久性の著しい向上、およ
びヘッド摺動面の異種材料間の偏摩耗を低減することが
可能となる。

【００２８】さらに、コロナ放電により生成した中性ラ
ジカル種（原子状気体）の保護膜表面への照射処理と湿
式塗布法による潤滑剤層の形成、コロナ放電により生成
した中性ラジカル種（原子状気体）の潤滑剤層への照射
処理を除湿ガス雰囲気中で行なうことにより、保護膜表
面に導入された官能基（反応性基）への水分の吸着、潤
滑剤溶液中への水分の混入等を防止することができるた
め、ドロップアウト（Ｄ.Ｏ.）の低減化および耐食性の
著しい向上を達成することができる。

【００２９】

【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。

【００３０】図１は、本発明の強磁性金属薄膜型磁気テ
ープＡの構成を示す拡大断面図である。（この図は、後
述する実施例（１）〜（５）における強磁性金属薄膜型
磁気テープの構成図に相当するものである。）図中、１
は非磁性基板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の
高分子フィルムを用いることができ、磁性層側の基板表
面には１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度の微小突起層２が形成さ
れている。３は強磁性金属薄膜であり、真空雰囲気中
で、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ等の金属または合金
を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわずかな
酸素ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化させた
斜方蒸着法により形成する。その膜厚は１００ｎｍ〜２
００ｎｍである。４はバックコート層であり、カーボン
ブラック、ポリウレタン樹脂、ニトロセルロース樹脂を
主成分とした塗料を塗布・乾燥させることにより形成す
る。５は硬質炭素保護膜であり、プラズマＣＶＤ法等に
より形成することができ、その膜厚は短波長領域での再
生出力を確保するために、８ｎｍ〜１２ｎｍ程度であ
る。６は反応活性層であり、硬質炭素保護膜５表面にコ
ロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）
を照射することにより形成する。また、７は−ＣＯＯＨ
等の極性基を導入した含フッ素系潤滑剤層であり、湿式
塗布法により形成する。

【００３１】また（図２）は、本発明の強磁性金属薄膜
型磁気テープＢの構成を示す拡大断面図である。（この
図は、後述する実施例（６）〜（９）における強磁性金
属薄膜型磁気テープの構成図に相当するものである。）
図中、８は部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層であり、
含フッ素系潤滑剤層７にコロナ放電により生成した中性
ラジカル種（原子状気体）を照射することにより形成す
る。他の１〜５は、強磁性金属薄膜型磁気テープＡの構
成と同様である。

【００３２】また、図３は、本発明の強磁性金属薄膜型
磁気テープＣの構成を示す拡大断面図である。（この図
は、後述する実施例（１０）〜（１４）における強磁性
金属薄膜型磁気テープの構成図に相当するものであ
る。）図中、８は部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層で
あり、含フッ素系潤滑剤層７にコロナ放電により生成し
た中性ラジカル種（原子状気体）を照射することにより
形成する。他の１〜６は、強磁性金属薄膜型磁気テープ
Ａの構成と同様である。

【００３３】図４は、本発明の強磁性金属薄膜型磁気テ
ープＡの製造工程において、硬質炭素保護膜５表面にコ
ロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）
を照射し、反応活性層６を形成するための処理装置の概
略図、および含フッ素系潤滑剤層７を形成するための塗
布装置の要部構成図を示したものである。

【００３４】図中、９はクリーンルームであり、除湿ガ
ス10を導入することでクリーンルーム内の環境（温度お
よび相対湿度）の制御を行なっている。

【００３５】11は放電室であり、放電室11の内部には、
放電電極12およびアース電極13が設置されている。放電
電極12はコロナ放電発生用電源14と接続されており、コ
ロナ放電発生用電源14としては、周波数１〜１００ｋＨ
ｚで最大３０ｋＶの電圧が印加可能である。15はモノマ
ーガス等を放電室11内に導入するための処理ガス導入口
である。16は中性ラジカル種吹き出し口であり、コロナ
放電により生成したイオンを除去し、中性ラジカル種
（原子状気体）のみを硬質炭素保護膜５表面に照射でき
るようにスリット状に成形されている。17は非磁性基板
１上に微小突起層２、強磁性金属薄膜３、バックコート
層４および硬質炭素保護膜５が形成された磁気テープで
あり、巻き出しロール18から送り出され、ニップロール
19を経て矢印ａ方向に移動する。

【００３６】まず、バックアップロール20の外周面上に
位置する磁気テープ17の硬質炭素保護膜５表面にコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）が照
射され、反応活性層６が形成される。なお、バックアッ
プロール20の表面は、耐熱性、耐溶剤性、耐摩耗性のゴ
ムにより被覆されている。

【００３７】次に反応活性層６上にアプリケーションロ
ール21に転写した含フッ素系潤滑剤溶液24が塗布され、
含フッ素系潤滑剤層７が形成される。この際、含フッ素
系潤滑剤層７の膜厚を均一なものとするためには、矢印
ｂ方向に回転するアプリケーションロール21と反対のｃ
方向に回転するメタリングロール22との速度比および隙
間（ギャップ）を調整する必要がある。そしてアプリケ
ーションロール21に過剰に転写した含フッ素系潤滑剤溶
液の一部はメタリングロール22に転写され、ドクターブ
レード23により掻き落とされて、含フッ素系潤滑剤溶液
24用のパン25に戻る。なお、含フッ素系潤滑剤溶液24
は、含フッ素系潤滑剤をイソプロピルアルコールに溶解
することで調製した。

【００３８】さらに、ウェットな状態にある含フッ素系
潤滑剤層７表面にノズル26から温度および相対湿度が制
御された除湿ガス27を吹き付けた後、反応活性層６およ
び含フッ素系潤滑剤層７を付与した磁気テープ17は、乾
燥炉28に送りこまれた後、ニップロール19を経て巻き取
りロール29に巻きこまれる。

【００３９】実施例（１） ２７℃−２３％ＲＨのクリーンルーム環境（除湿ガスと
してＮ2ガスを使用することで、温度および相対湿度を
制御。）において、まず放電室11内にアリルアミンを抵
抗加熱法により導入する。この際、キャリアガスとして
除湿Ｎ2 ガス（２３℃−４％ＲＨ）を用い、その流量を
２００ｃｃ／ｍｉｎとした。

【００４０】次に、１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レート１上に微小突起層２、強磁性金属薄膜３、バック
コート４、ビッカース硬度が２２００ｋｇ／ｍｍ2 の硬
質炭素保護膜５を約１０ｎｍ程度形成させた磁気テープ
17を１０ｍ／ｍｉｎの走行スピードで搬送させるととも
に、放電電極12に周波数３０ｋＨｚ、８００Ｗの電力を
投入することでコロナ放電を発生させ、磁気テープ17の
硬質炭素保護膜５表面に中性ラジカル種を照射（照射時
間約３ｓｅｃ程度）し、反応活性層６を形成する。

【００４１】その後連続的に（反応活性層６形成後直ち
に）、水分混入濃度が４３０ｐｐｍであり、極性基とし
て−ＣＯＯＨを導入した含フッ素系潤滑剤溶液24を用
い、上述した湿式塗布法により含フッ素系潤滑剤層７を
形成する。

【００４２】さらにノズル26から温度および相対湿度を
２８℃−４％ＲＨに制御した除湿Ｎ2ガスをウェットな
状態にある含フッ素系潤滑剤層７表面に吹き付けた後、
乾燥炉28（９０℃−１８％ＲＨに制御）内を通過させる
ことで乾燥後の含フッ素系潤滑剤層７の膜厚を約３ｎｍ
程度とする。

【００４３】得られた強磁性金属薄膜型磁気テープＡ原
反を８ｍｍ幅にスリットし、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープ
を作製した。

【００４４】実施例（２） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにテトラメチルジシロキサンを用いる以外
は、実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００４５】実施例（３） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とを連続的に行なうクリーンルームの環境が２５℃
−１８％ＲＨであること以外は、実施例（１）と同様な
方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００４６】実施例（４） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにテトラメチル錫を用い、それ以外は実施例
（３）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープ
を作製した。

【００４７】実施例（５） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにヘキサメチルジシラザンを用いること以外
は、実施例（３）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００４８】比較例（１） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理を実施せず
に、直接硬質炭素保護膜５上に極性基として−ＣＯＯＨ
を導入した含フッ素系潤滑剤層７を上述した湿式塗布法
を用いて形成することにより、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テー
プを作製した。

【００４９】比較例（２） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにベンゼンを用いること以外は、実施例
（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープ
を作製した。

【００５０】比較例（３） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにスチレンを用いること以外は、実施例
（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープ
を作製した。

【００５１】比較例（４） 硬質炭素保護膜５の代わりに、ビッカース硬度が８００
ｋｇ／ｍｍ2 であるプラズマ重合膜を用いること以外
は、実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００５２】比較例（５） 硬質炭素保護膜５の代わりに、ビッカース硬度が１７０
０ｋｇ／ｍｍ2 であるプラズマ重合膜を用いること以外
は、実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００５３】比較例（６） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とを連続的に行なうクリーンルームの環境が２５℃
−５０％ＲＨであること以外は、実施例（１）と同様な
方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００５４】比較例（７） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とを連続的に行なうクリーンルームの環境が２５℃
−５０％ＲＨであること、および湿式塗布法により含フ
ッ素系潤滑剤層７を形成する際に、含フッ素系潤滑剤溶
液24中の水分混入濃度が１８０００ｐｐｍであること以
外は、実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ
用薄膜テープを作製した。

【００５５】比較例（８） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とを連続的に行なうクリーンルームの環境が２５℃
−５０％ＲＨであること、および湿式塗布法により含フ
ッ素系潤滑剤層７を形成する際に、含フッ素系潤滑剤溶
液24中の水分混入濃度が１１００ｐｐｍであること以外
は、実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００５６】比較例（９） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とを連続的に行なうクリーンルームの環境が２５℃
−５０％ＲＨであること、およびノズル26から温度およ
び相対湿度を制御した除湿Ｎ2 ガスをウェットな状態に
ある含フッ素系潤滑剤層７表面に吹き付ける処理を実施
しないこと以外は、実施例（１）と同様な方法により、
８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００５７】比較例（１０） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とを連続的に行なうクリーンルームの環境が２５℃
−５０％ＲＨであること、およびノズル26からウェット
な状態にある含フッ素系潤滑剤層７表面に吹き付ける除
湿Ｎ2 ガスが２８℃−１９％ＲＨであること以外は、実
施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テ
ープを作製した。

【００５８】比較例（１１） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とを行なうクリーンルームの環境が２５℃−５０％
ＲＨであること、および前記二つの工程を連続的には実
施せずに、反応活性層６の形成後、常温常湿（２３℃−
６０％ＲＨ）の大気中に２日間放置し、次に湿式塗布法
による含フッ素系潤滑剤層７の形成を行なうこと以外
は、実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００５９】（図５）は、本発明の強磁性金属薄膜型磁
気テープＢの製造工程において、硬質炭素保護膜５上に
含フッ素系潤滑剤層７を形成するための塗布装置の要部
構成図、および含フッ素系潤滑剤層７にコロナ放電によ
り生成した中性ラジカル種（原子状気体）を照射し、部
分グラフト化含フッ素系潤滑剤層８を形成するための処
理装置の概略図を示したものである。

【００６０】図中、９はクリーンルームであり、除湿ガ
ス１０を導入することでクリーンルーム内の環境（温度
および相対湿度）の制御を行なっている。

【００６１】30は放電室であり、放電室30の内部には、
放電電極31およびアース電極32が設置されている。放電
電極31はコロナ放電発生用電源33と接続されており、コ
ロナ放電発生用電源33としては、周波数１〜１００ｋＨ
ｚで最大３０ｋＶの電圧が印加可能である。34はモノマ
ーガス等を放電室30内に導入するための処理ガス導入口
である。35は中性ラジカル種吹き出し口であり、コロナ
放電により生成したイオンを除去し、中性ラジカル種
（原子状気体）のみを含フッ素系潤滑剤層７表面に照射
できるようにスリット状に成形されている。

【００６２】17は非磁性基板１上に微小突起層２、強磁
性金属薄膜３、バックコート層４および硬質炭素保護膜
５が形成された磁気テープであり、巻き出しロール18か
ら送り出され、ニップロール19を経て矢印ａ方向に移動
する。

【００６３】まず硬質炭素保護膜５上にアプリケーショ
ンロール21に転写した含フッ素系潤滑剤溶液24が塗布さ
れ、含フッ素系潤滑剤層７が形成される。この際、含フ
ッ素系潤滑剤層７の膜厚を均一なものとするためには、
矢印ｂ方向に回転するアプリケーションロール21と反対
のｃ方向に回転するメタリングロール22との速度比およ
び隙間（ギャップ）を調整する必要がある。そしてアプ
リケーションロール21に過剰に転写した含フッ素系潤滑
剤溶液の一部はメタリングロール22に転写され、ドクタ
ーブレード23により掻き落とされて、含フッ素系潤滑剤
溶液24用のパン25に戻る。なお含フッ素系潤滑剤溶液24
は、含フッ素系潤滑剤をイソプロピルアルコールに溶解
することで調製した。

【００６４】次にウェットな状態にある含フッ素系潤滑
剤層７表面にノズル26から温度および相対湿度が制御さ
れた除湿ガス27を吹き付けた後、含フッ素系潤滑剤層７
を付与した磁気テープ17は、乾燥炉28に送りこまれ、ニ
ップロール19を経て矢印ａ方向に移動する。

【００６５】さらに金属ロール36の外周面上に位置する
磁気テープ17の含フッ素系潤滑剤層７にコロナ放電によ
り生成した中性ラジカル種（原子状気体）が照射され、
部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層８が形成される。そ
の後、ニップロール19を経て巻き取りロール29に巻きこ
まれる。

【００６６】実施例（６） ２７℃−２５％ＲＨのクリーンルーム環境（除湿ガスと
してＮ2 ガスを使用することで、温度および相対湿度を
制御。）において、まず１０μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート１上に微小突起層２、強磁性金属薄膜３、バ
ックコート４、ビッカース硬度が２２００ｋｇ／ｍｍ2
の硬質炭素保護膜５を約１０ｎｍ程度形成させた磁気テ
ープ17を１０ｍ／ｍｉｎの走行スピードで搬送させ、磁
気テープ17の硬質炭素保護膜５上に極性基として−ＣＯ
ＯＨを導入した含フッ素系潤滑剤層７を上述した湿式塗
布法により形成する。なお含フッ素系潤滑剤溶液24中の
水分混入濃度は８７０ｐｐｍであった。

【００６７】次に、ノズル26から温度および相対湿度を
２５℃−１１％ＲＨに制御した除湿Ｎ2 ガスをウェット
な状態にある含フッ素潤滑剤層７表面に吹き付けた後、
乾燥炉28（９０℃−１５％ＲＨに制御）内を通過させる
ことで乾燥後の含フッ素系潤滑剤層７の膜厚を約３ｎｍ
程度とする。

【００６８】さらに放電室30内に除湿Ｎ2 ガス（２３℃
−４％ＲＨ、流量：４００ｃｃ／ｍｉｎ）を導入し、放
電電極31に周波数２０ｋＨｚ、６００Ｗの電力を投入す
ることでコロナ放電を発生させ、乾燥炉28内を通過した
直後の磁気テープ17の含フッ素系潤滑剤層７に中性ラジ
カル種を照射（照射時間約６ｓｅｃ程度）し、部分グラ
フト化含フッ素系潤滑剤層８を形成する。

【００６９】得られた強磁性金属薄膜型磁気テープＢ原
反を８ｍｍ幅にスリットし、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープ
を作製した。

【００７０】実施例（７） 含フッ素系潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりに
ＮＨ3 ガスを用いること以外は、実施例（６）と同様な
方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００７１】実施例（８） 湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の形成とコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の含
フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グラフト化含フ
ッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行なうクリーン
ルームの環境が２７℃−１５％ＲＨであること以外は、
実施例（６）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜
テープを作製した。

【００７２】実施例（９） 含フッ素系潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりに
ＮＨ3 ガスを用いること以外は、実施例（８）と同様な
方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００７３】比較例（１２） 含フッ素系潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりに
Ａｒガスを用いること以外は、実施例（６）と同様な方
法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００７４】比較例（１３） 含フッ素系潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりに
Ｈ2 ガスを用いること以外は、実施例（６）と同様な方
法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００７５】比較例（１４） 硬質炭素保護膜５の代わりに、ビッカース硬度が８００
ｋｇ／ｍｍ2 であるプラズマ重合膜を用いること以外
は、実施例（６）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００７６】比較例（１５） 硬質炭素保護膜５の代わりに、ビッカース硬度が１６０
０ｋｇ／ｍｍ2 であるプラズマ重合膜を用いること以外
は、実施例（６）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用
薄膜テープを作製した。

【００７７】比較例（１６） 湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の形成とコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の含
フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グラフト化含フ
ッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行なうクリーン
ルームの環境が２７℃−４５％ＲＨであること以外は、
実施例（６）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜
テープを作製した。

【００７８】比較例（１７） 湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の形成とコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の含
フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グラフト化含フ
ッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行なうクリーン
ルームの環境が２７℃−４５％ＲＨであること、および
湿式塗布法により含フッ素系潤滑剤層７を形成する際
に、含フッ素系潤滑剤溶液24中の水分混入濃度が１２０
００ｐｐｍであること以外は、実施例（６）と同様な方
法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００７９】比較例（１８） 湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の形成とコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の含
フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グラフト化含フ
ッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行なうクリーン
ルームの環境が２７℃−４５％ＲＨであること、および
湿式塗布法により含フッ素系潤滑剤層７を形成する際
に、含フッ素系潤滑剤溶液24中の水分混入濃度が１３０
０ｐｐｍであること以外は、実施例（６）と同様な方法
により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００８０】比較例（１９） 湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の形成とコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の含
フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グラフト化含フ
ッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行なうクリーン
ルームの環境が２７℃−４５％ＲＨであること、および
ノズル26から温度および相対湿度を制御した除湿Ｎ2 ガ
スをウェットな状態にある含フッ素系潤滑剤層７表面に
吹き付ける処理を実施しないこと以外は、実施例（６）
と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製
した。

【００８１】比較例（２０） 湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の形成とコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の含
フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グラフト化含フ
ッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行なうクリーン
ルームの環境が２７℃−４５％ＲＨであること、および
ノズル26からウェットな状態にある含フッ素系潤滑剤層
７表面に吹き付ける除湿Ｎ2 ガスが２５℃−２１％ＲＨ
であること以外は、実施例（６）と同様な方法により、
８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００８２】比較例（２１） 湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の形成とコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の含
フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グラフト化含フ
ッ素系潤滑剤層８の形成）とを行なうクリーンルームの
環境が２７℃−４５％ＲＨであること、および上記二つ
の工程を連続的には実施せずに、含フッ素系潤滑剤層７
の形成後、常温常湿（２３℃−６０％ＲＨ）の大気中に
７日間放置し、次にコロナ放電により生成した中性ラジ
カル種（原子状気体）の含フッ素系潤滑剤層７への照射
処理（部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層８の形成）を
行なうこと以外は、実施例（６）と同様な方法により、
８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００８３】（図６）は、本発明の強磁性金属薄膜型磁
気テープＣの製造工程において、硬質炭素保護膜５表面
にコロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）を照射し、反応活性層６を形成するための処理装置
の概略図、および含フッ素系潤滑剤層７を形成するため
の塗布装置の要部構成図、および含フッ素系潤滑剤層７
にコロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）を照射し、部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層８を
形成するための処理装置の概略図を示したものである。

【００８４】この装置は、図５に示した装置に、さらに
図４における、硬質炭素保護膜５表面に中性ラジカル種
（原子状気体）を照射するための機構を組み合わせたも
のに相当している。

【００８５】非磁性基板１上に微小突起層２、強磁性金
属薄膜３、バックコート層４および硬質炭素保護膜５が
形成された磁気テープ17は、巻き出しロール18から送り
出され、ニップロール19を経て矢印ａ方向に移動する。

【００８６】まず、バックアップロール20の外周面上に
位置する磁気テープ17の硬質炭素保護膜５表面にコロナ
放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）が照
射され、反応活性層６が形成される。

【００８７】次に反応活性層６上にアプリケーションロ
ール21に転写した含フッ素系潤滑剤溶液２４が塗布さ
れ、含フッ素系潤滑剤層７が形成される。

【００８８】次いでウェットな状態にある含フッ素系潤
滑剤層７表面にノズル26から温度および相対湿度が制御
された除湿ガス27を吹き付けた後、反応活性層６および
含フッ素系潤滑剤層７を付与した磁気テープ17は、乾燥
炉28に送りこまれる。

【００８９】乾燥炉28を出た磁気テープ17は、金属ロー
ル36の外周面上において、含フッ素系潤滑剤層７にコロ
ナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）が
照射され、部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層８が形成
される。その後、ニップロール19を経て巻き取りロール
29に巻きこまれる。

【００９０】実施例（１０）２２℃−２４％ＲＨのクリ
ーンルーム環境（除湿ガスとしてＮ2ガスを使用するこ
とで、温度および相対湿度を制御。）において、まず放
電室11内にアリルアミンを抵抗加熱法により導入する。
この際、キャリアガスとして除湿Ｎ2 ガス（２３℃−４
％ＲＨ）を用い、その流量を２００ｃｃ／ｍｉｎとし
た。

【００９１】次に、１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レート１上に微小突起層２、強磁性金属薄膜３、バック
コート４、ビッカース硬度が２２００ｋｇ／ｍｍ2 の硬
質炭素保護膜５を約１０ｎｍ程度形成させた磁気テープ
17を１０ｍ／ｍｉｎの走行スピードで搬送させるととも
に、放電電極12に周波数３０ｋＨｚ、８００Ｗの電力を
投入することでコロナ放電を発生させ、磁気テープ17の
硬質炭素保護膜５表面に中性ラジカル種を照射（照射時
間約３ｓｅｃ程度）し、反応活性層６を形成する。

【００９２】その後連続的に（反応活性層６形成後直ち
に）、水分混入濃度が６７０ｐｐｍであり、極性基とし
て−ＣＯＯＨを導入した含フッ素系潤滑剤溶液24を用
い、湿式塗布法により含フッ素系潤滑剤層７を形成す
る。

【００９３】さらに、ノズル26から温度および相対湿度
を２８℃−４％ＲＨに制御した除湿Ｎ2ガスをウェット
な状態にある含フッ素系潤滑剤層７表面に吹き付けた
後、乾燥炉28（９０℃−１８％ＲＨに制御）内を通過さ
せることで乾燥後の含フッ素系潤滑剤層７の膜厚を約３
ｎｍ程度とする。

【００９４】次に放電室３０内に除湿Ｎ2 ガス（２３℃
−４％ＲＨ、流量：４００ｃｃ／ｍｉｎ）を導入し、放
電電極31に周波数２０ｋＨｚ、６００Ｗの電力を投入す
ることでコロナ放電を発生させ、乾燥炉28を通過した直
後の磁気テープ17の含フッ素系潤滑剤層７に中性ラジカ
ル種を照射（照射時間約６ｓｅｃ程度）し、部分グラフ
ト化含フッ素系潤滑剤層８を形成する。

【００９５】得られた強磁性金属薄膜型磁気テープＣ原
反を８ｍｍ幅にスリットし、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープ
を作製した。

【００９６】実施例（１１） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにテトラメチルジシロキサンを用いる以外
は、実施例（１０）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ
用薄膜テープを作製した。

【００９７】実施例（１２） 含フッ素系潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりに
ＮＨ3 ガスを用いること以外は、実施例（１０）と同様
な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【００９８】実施例（１３） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とコロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子
状気体）の含フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グ
ラフト化含フッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行
なうクリーンルームの環境が２８℃−１７％ＲＨである
こと以外は、実施例（１０）と同様な方法により、８ｍ
ｍＶＴＲ用薄膜テープを作成した。

【００９９】実施例（１４） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにテトラメチル錫を用いること、および含フ
ッ素系潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子状気
体）生成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりにＮＨ
₃ガスを用いること以外は、実施例（１３）と同様な方
法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【０１００】比較例（２２） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにベンゼンを用いること以外は、実施例（１
０）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを
作製した。

【０１０１】比較例（２３） 含フッ素系潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりに
Ａｒガスを用いること以外は、実施例（１０）と同様な
方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【０１０２】比較例（２４） 硬質炭素保護膜５表面に照射する中性ラジカル種（原子
状気体）生成用の原料（モノマー）として、アリルアミ
ンの代わりにベンゼンを用いること、および含フッ素系
潤滑剤層７に照射する中性ラジカル種（原子状気体）生
成用の原料ガスとして、Ｎ2 ガスの代わりにＡｒガスを
用いること以外は、実施例（１０）と同様な方法によ
り、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【０１０３】比較例（２５） 硬質炭素保護膜５の代わりに、ビッカース硬度が１７０
０ｋｇ／ｍｍ2 であるプラズマ重合膜を用いること以外
は、実施例（１０）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ
用薄膜テープを作製した。

【０１０４】比較例（２６） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成とコロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子
状気体）の含フッ素系潤滑剤層７への照射処理（部分グ
ラフト化含フッ素系潤滑剤層８の形成）とを連続的に行
なうクリーンルームの環境が２２℃−４３％ＲＨである
こと以外は、実施例（１０）と同様な方法により、８ｍ
ｍＶＴＲ用薄膜テープを作成した。

【０１０５】比較例（２７） 湿式塗布法により含フッ素系潤滑剤層７を形成する際
に、含フッ素系潤滑剤溶液24中の水分混入濃度が１３５
０ｐｐｍであること以外は、実施例（１０）と同様な方
法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【０１０６】比較例（２８） ノズル26から温度および相対湿度を制御した除湿Ｎ2 ガ
スをウェットな状態にある含フッ素系潤滑剤層７表面に
吹き付ける処理を実施しないこと以外は、実施例（１
０）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを
作製した。

【０１０７】比較例（２９） ノズル26からウェットな状態にある含フッ素系潤滑剤層
７表面に吹き付ける除湿Ｎ2 ガスが２９℃−１７％ＲＨ
であること以外は、実施例（１０）と同様な方法によ
り、８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【０１０８】比較例（３０） コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の硬質炭素保護膜５表面への照射処理（反応活性層
６の形成）と、湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７
の形成と、コロナ放電により生成した中性ラジカル種
（原子状気体）の含フッ素系潤滑剤層７への照射処理
（部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層８の形成）との三
つの工程を連続的には実施せずに、反応活性層６の形成
後、常温常湿（２３℃−６０％ＲＨ）の大気中に２日間
放置し、次に湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層７の
形成を行なった後、再び常温常湿の大気中に７日間放置
し、さらにコロナ放電により生成した中性ラジカル種
（原子状気体）の含フッ素系潤滑剤層７への照射処理
（部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層８の形成）を行な
うこと以外は、実施例（１０）と同様な方法により、８
ｍｍＶＴＲ用薄膜テープを作製した。

【０１０９】なお、各実施例および比較例における含フ
ッ素系潤滑剤溶液24中の水分混入濃度は、潤滑油用水分
気化付属装置を用いたカールフィッシャー電量滴定法に
より測定した結果を示したものである。

【０１１０】また、各実施例および比較例における硬質
炭素保護膜５のビッカース硬度は、磁気テープの代わり
に、Ｓｉウエハー上にプラズマＣＶＤ法等で硬質炭素保
護膜を膜厚約１〜３μｍ程度形成させた試料を数種類作
成し、微小硬度計（マイクロ硬度計）を用いて上記試料
のビッカース硬度を測定するとともに、その膜厚依存性
について検討した後、外挿法により膜厚約１０ｎｍに相
当する硬質炭素保護膜５のビッカース硬度を算出した結
果を示したものである。なお、上記試料での硬質炭素保
護膜の膜厚は、エリプソメターにより測定した値を採用
した。

【０１１１】以上の実施例および比較例によって得られ
た各８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープについて以下の測定を行
なった。

【０１１２】（１）スチルライフ スチルライフ測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２
３℃−１０％ＲＨの環境下２０ｇ荷重の条件で、予め録
画しておいた静止画をスチルモードで再生し、その映像
信号が６ｄＢ落ち込むまでの時間を示した。なお、測定
は最長１８０分間で打ち切った。

【０１１３】（２）出力低下 ５℃−８０％ＲＨの環境下、約６０分長の薄膜テープに
映像信号を記録し、再生を１００パス行なう（繰り返し
走行による耐久試験）。出力低下の定義としては、再生
１パス目の出力を基準（０ｄＢ）とし、１００パス再生
中に最も出力が低下した値（最低出力値）をデシベル表
示した。

【０１１４】（３）ヘッド目づまり 上記繰り返し走行による耐久試験において、６ｄＢ以上
の再生出力の低下が継続した時間をヘッド目づまり時間
とした。

【０１１５】（４）耐候性 耐候性試験としては、約３０日間に渡って４０℃−９０
％ＲＨの環境下に薄膜テープを放置し、塗布ムラ、錆、
ふくれ、結晶、剥離等の発生状態を顕微鏡で観察した。

【０１１６】（５）摩擦係数μ_k 直径４ｍｍ、表面粗さ０．２Ｓのステンレス円柱（ＳＵ
Ｓ４２０Ｊ２）に薄膜テープが９０℃に渡って接触する
ようにし、ステンレス円柱に対して、入側張力を３０
ｇ、テープ走行速度を０．５ｍｍ／ｓｅｃに設定した時
の出側張力Ｘｇを測定し、次式 μ_k＝２／π・ｌｎ（Ｘ／３０） から摩擦係数を求めた。なお、測定環境は２３℃−６０
％ＲＨであり、摩擦係数としては、走行３０パス目の測
定値を採用することにした。

【０１１７】（６）ドロップアウト（Ｄ．Ｏ.） Ｄ．Ｏ．測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２３℃
−６０％ＲＨの環境下で、映像信号を記録した約６０分
長の薄膜テープについて、１５μｓにわたって１６ｄＢ
以上の出力低下が発生する１分間当たりの個数を測定し
た。

【０１１８】図７の表には、強磁性金属薄膜型磁気テー
プＡに関して、各実施例および比較例で作製した８ｍｍ
ＶＴＲ用薄膜テープの評価結果を示している。

【０１１９】図７の表から明らかなように、実施例
（１）〜（５）は、硬質炭素保護膜表面にコロナ放電に
より生成した中性ラジカル種（原子状気体）が照射され
ることにより、硬質炭素保護膜表面が清浄化されると共
に種々の官能基（反応性基）が硬質炭素保護膜表面に導
入されるため、潤滑剤分子中の極性基との化学的親和力
が増大し、硬質炭素保護膜上の潤滑剤の配向性および接
着性が向上し、その結果、スチルライフの著しい向上、
出力低下およびヘッド目づまりの大幅な改善、走行安定
性の確保を同時に達成することができた。

【０１２０】さらに、実施例（３）〜（５）では、コロ
ナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）の
硬質炭素保護膜表面への照射処理と湿式塗布法による含
フッ素系潤滑剤層の形成とを、２０％ＲＨ以下の低湿度
の除湿ガス雰囲気中で行なっているため、硬質炭素保護
膜表面に導入された官能基（反応性基）への水分の吸
着、含フッ素系潤滑剤溶液中への水分の混入等に対する
防止効果が上がり、潤滑剤の塗布ムラが発生せず、耐食
性の飛躍的な向上およびＤ．Ｏ．の低減化を達成するこ
とができた。

【０１２１】比較例（１）では、コロナ放電により生成
した中性ラジカル種（原子状気体）の硬質炭素保護膜表
面への照射処理を実施していないために、硬質炭素保護
膜と含フッ素系潤滑剤層との接着性が改善されず、スチ
ルライフの著しい減少、出力低下の大幅な悪化、長時間
のヘッド目づまりの発生等を招いている。また、硬質炭
素保護膜表面に照射する中性ラジカル種（原子状気体）
生成用の原料（モノマー）として、ベンゼンまたはスチ
レンを使用した比較例（２）および比較例（３）におい
ても、硬質炭素保護膜と含フッ素系潤滑剤層との接着性
の改善は見られない。

【０１２２】比較例（４）および比較例（５）では、保
護膜のビッカース硬度が低いため、スチルライフが短く
なっている。保護膜のビッカース硬度は、２０００Ｋｇ
／ｍｍ²以上あることが望ましい。

【０１２３】比較例（７）では、高湿環境下で塗布・乾
燥工程を行ない、しかも含フッ素系潤滑剤溶液中に大量
の水分が混入しているため、硬質炭素保護膜表面上での
潤滑剤分子の配向性が悪化し、塗布ムラを生じ、その結
果、長時間のヘッド目づまりの発生およびＤ．Ｏ．が増
加する結果となった。また、耐食性についても、含フッ
素系潤滑剤層中に混入している水分等が硬質炭素保護膜
と磁性層との界面、磁性層とベースフィルムとの界面に
容易に侵入し、錆、ふくれが発生するといった問題も生
じた。潤滑剤溶液中の水分混入濃度は、１０００ｐｐｍ
以下に抑えることが望ましい。

【０１２４】比較例（１１）では、硬質炭素保護膜表面
に導入された官能基（反応性基）に大量の水分等が吸着
するため、硬質炭素保護膜と含フッ素系潤滑剤層との接
着性が改善されず、スチルライフ、出力低下、ヘッド目
づまり等が悪化する傾向を示した。

【０１２５】また、図８の表には、強磁性金属薄膜型磁
気テープＢに関して、各実施例および比較例で作製した
８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープの評価結果を示している。

【０１２６】図８の表から明らかなように、実施例
（６）〜（９）は、スチルライフの著しい向上、出力低
下およびヘッド目づまりの大幅な改善、走行安定性の確
保を同時に達成している。この実施例（６）〜（９）で
は、硬質炭素保護膜上の含フッ素系潤滑剤層に対して、
コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）が照射される結果、潤滑剤分子中にラジカルが生成
し、このラジカルが硬質炭素保護膜表面上で反応し、硬
質炭素保護膜をマトリックス（幹）とし潤滑剤の骨格成
分をグラフト（枝）とするグラフト共重合体が形成され
る。そのため常に一定量の含フッ素系潤滑剤が硬質炭素
保護膜表面上に存在する状態となり、これが前記各特性
の向上をもたらしている。

【０１２７】さらに、実施例（８）および実施例（９）
では、湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層の形成と、
コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状気
体）の含フッ素系潤滑剤層への照射処理とを、２０％Ｒ
Ｈ以下の低湿度の除湿ガス雰囲気中で行なっているた
め、含フッ素系潤滑剤溶液中への水分の混入等に対する
防止効果が上がり、潤滑剤の塗布ムラが発生せず、耐食
性の飛躍的な向上およびＤ．Ｏ．の低減化が達成できて
いる。

【０１２８】比較例（１２）および比較例（１３）で
は、含フッ素系潤滑剤層に照射する中性ラジカル種（原
子状気体）生成用の原料ガスが非反応性タイプのガスで
あるため、グラフト共重合体が形成されず、しかもエッ
チング効果が大きな中性ラジカル種が生成されるため
に、スチルライフの著しい減少、出力低下の大幅な悪
化、長時間のヘッド目づまりの発生、耐候性の劣化等を
招く結果となった。

【０１２９】比較例（１４）および比較例（１５）で
は、保護膜のビッカース硬度が低いため、スチルライフ
が短くなっている。保護膜のビッカース硬度は２０００
Ｋｇ／ｍｍ²以上あることが望ましい。

【０１３０】比較例（１７）では、高湿環境下で塗布・
乾燥工程を行ない、しかも含フッ素系潤滑剤溶液中に大
量の水分が混入しているため、硬質炭素保護膜表面上で
の潤滑剤分子の配向性が悪化し、塗布ムラを生じ、その
結果、長時間のヘッド目づまりの発生およびＤ．Ｏ．が
増加する結果となった。また耐食性についても、含フッ
素系潤滑剤層中に混入している水分等が硬質炭素保護膜
と磁性層との界面、磁性層とベースフィルムとの界面に
容易に侵入し、錆、ふくれが発生するといった問題も生
じた。潤滑剤溶液中の水分混入濃度は、１０００ｐｐｍ
以下に抑えることが望ましい。

【０１３１】比較例（２１）では、含フッ素系潤滑剤層
の表面に大量の水分等が吸着するため、潤滑剤分子中で
のラジカルの生成が抑制される、つまりグラフト共重合
体の形成が困難となるため、スチルライフ、出力低下、
ヘッド目づまり等が悪化する傾向を示した。

【０１３２】また、図９の表には、強磁性金属薄膜型磁
気テープＣに関して、各実施例および比較例で作製した
８ｍｍＶＴＲ用薄膜テープの評価結果を示している。

【０１３３】図９の表から明らかなように、実施例（１
０）〜（１４）は、硬質炭素保護膜表面にコロナ放電に
より生成した中性ラジカル種（原子状気体）が照射され
ることにより、硬質炭素保護膜表面が清浄化されるとと
もに、種々の官能基（反応性基）が硬質炭素保護膜表面
に導入されるため、潤滑剤分子中の極性基との化学的親
和力が増大し、硬質炭素保護膜上の潤滑剤の配向性およ
び接着性が向上する。さらに含フッ素系潤滑剤層に対し
て、コロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子状
気体）が照射されることにより、潤滑剤分子中にラジカ
ルが生成し、このラジカルが硬質炭素保護膜表面上で反
応し、硬質炭素保護膜をマトリックス（幹）とし潤滑剤
の骨格成分をグラフト（枝）とするグラフト共重合体が
形成されるため、常に一定量の含フッ素系潤滑剤が硬質
炭素保護膜表面上に存在する状態になる。これらの二つ
の効果により、スチルライフの著しい向上、出力低下お
よびヘッド目づまりの大幅な改善、走行安定性の確保を
同時に達成することができた。

【０１３４】さらに、実施例（１３）および実施例（１
４）では、コロナ放電により生成した中性ラジカル種
（原子状気体）の硬質炭素保護膜表面へに照射処理と、
湿式塗布法による含フッ素系潤滑剤層の形成と、中性ラ
ジカル種（原子状気体）の含フッ素系潤滑剤層への照射
処理とを、２０％以下の低湿度の除湿ガス雰囲気中で行
なっているため、硬質炭素保護膜表面に導入された官能
基（反応性基）への水分の吸着、含フッ素系潤滑剤溶液
中への水分の混入等に対する防止効果が上がり、潤滑剤
の塗布ムラが発生せず、耐食性の飛躍的な向上および
Ｄ．Ｏ．の低減化が達成できた。

【０１３５】比較例（２２）では、含フッ素系潤滑剤層
中にグラフト共重合体が一部形成されるものの、硬質炭
素保護膜表面に照射する中性ラジカル種（原子状気体）
生成用の原料（モノマー）が硬質炭素保護膜に官能基を
導入する元素を含有していないために、硬質炭素保護膜
と含フッ素系潤滑剤層中のグラフト化していない潤滑剤
分子との接着性が改善されず、そのため、実施例（１
０）に比べて、スチルライフ、出力低下、ヘッド目づま
り等を大幅に改善することができなかった。

【０１３６】比較例（２３）では、硬質炭素保護膜表面
に導入された種々の官能基（反応性基）と潤滑剤分子中
の極性基との化学的親和力が増大するものの、含フッ素
系潤滑剤層に照射する中性ラジカル種（原子状気体）生
成用の原料ガスが非反応性タイプのガスであるため、グ
ラフト共重合体が形成されず、しかもエッチング効果が
大きな中性ラジカル種が生成されるために、実施例（１
０）に比べて、スチルライフ、出力低下、ヘッド目づま
り、耐候性等を大幅に改善することはできなかった。

【０１３７】また、比較例（２４）では、硬質炭素保護
膜表面に照射する中性ラジカル種（原子状気体）生成用
の原料（モノマー）が硬質炭素保護膜に官能基を導入す
る元素を含有していないため、硬質炭素保護膜と含フッ
素系潤滑剤層との接着性が改善されず、また、含フッ素
系潤滑剤層に照射する中性ラジカル種（原子状気体）生
成用の原料ガスが非反応性タイプのガスであるために、
グラフト共重合体が形成されず、しかもエッチング効果
が大きな中性ラジカル種が生成されるために、スチルラ
イフの著しい減少、出力低下の大幅な悪化、長時間のヘ
ッド目づまりの発生、耐候性の劣化等を招いている。

【０１３８】比較例（２５）では、保護膜のビッカース
硬度が低いため、スチルライフが短くなっている。保護
膜のビッカース硬度は２０００Ｋｇ／ｍｍ²以上あるこ
とが望ましい。

【０１３９】比較例（３０）では、硬質炭素保護膜表面
に導入された官能基（反応性基）に大量の水分等が吸着
するため、硬質炭素保護膜と含フッ素系潤滑剤層との接
着性が改善されない。また、含フッ素系潤滑剤層表面に
大量の水分等が吸着するために、潤滑剤分子中でのラジ
カルの生成が抑制され、グラフト共重合体の形成が困難
になる。こうしたことから、スチルライフ、出力低下、
ヘッド目づまり等が悪化する傾向を示した。潤滑剤溶液
中の水分混入濃度は、１０００ｐｐｍ以下に抑えること
が望ましい。

【０１４０】なお、上記実施例では、８ｍｍＶＴＲ用薄
膜テープのみについて説明したが、これに限定されるも
のではなく、他の強磁性金属薄膜型磁気テープ、磁気デ
ィスク等の磁気記録媒体についても同様に適用できる。

【０１４１】また、上記実施例では、硬質炭素保護膜表
面に照射する中性ラジカル種（原子状気体）生成用の原
料（モノマー）として、アリルアミン、テトラメチルジ
シロキサン、テトラメチル錫またはヘキサメチルジシラ
ザンを使用する場合について示したが、これらに限定さ
れるものではなく、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｆ、Ｂ、Ｓｉおよ
び金属から選ばれた少なくとも一つの元素を分子中に含
有するモノマーガスであれば、同様に適用できる。ま
た、上記モノマーガスと混合するキャリアガスには、Ｎ
₂ガス以外に、Ｏ₂ガス、ＣＯ₂ガス、ＮＨ₃ガスを適応す
ることが可能である。

【０１４２】また、上記実施例では、極性基として−Ｃ
ＯＯＨを導入した含フッ素系潤滑剤について示している
が、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ₂、＝ＮＨ、−ＮＣＯ、−
ＣＯＮＨ₂、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ₂、−ＣＯＯＲ、
＝ＰＲ、＝ＰＲＯ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ（ＯＨ）₂、−
ＯＰＯ（ＯＲ）₂、−ＳＯ₃Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜
２２の炭化水素基、Ｍは水素、アルカリ金属またはアル
カリ土類金属）から選ばれた少なくとも一つの極性基を
有する含フッ素系潤滑剤であれば同様に適用可能であ
る。

【０１４３】また、上記実施例では、含フッ素系潤滑剤
層に照射する中性ラジカル種（原子状気体）生成用の原
料ガスとして、Ｎ₂ガスまたはＮＨ₃ガスを使用する場合
について示しているが、これに限定されるものではな
く、Ｏ₂、ＣＦ₄等の反応性ガスであれば同様に適用でき
る。

【０１４４】さらに、上記実施例では、クリーンルーム
内の環境（温度および相対湿度）を制御するために導入
する除湿ガスとして、Ｎ₂ガスを用いる場合について示
しているが、Ｏ₂ガスを用いることも可能である。

【０１４５】なお、含フッ素系潤滑剤層の湿式塗布によ
る形成には、実施例で示したリバースロールコーター以
外の塗布装置を用いることも可能である。

【０１４６】

【発明の効果】以上の実施例の説明から明らかなよう
に、本発明の磁気記録媒体は、保護膜表面にコロナ放電
により生成した中性ラジカル種（原子状気体）を照射し
た後、潤滑剤層を形成する構成により、保護膜表面に導
入された種々の官能基（反応性基）と潤滑剤分子中の極
性基との化学的親和力が増大し、保護膜と潤滑剤層との
接着性が向上する。

【０１４７】また、保護膜上に潤滑剤層を形成した後、
潤滑剤層にコロナ放電により生成した中性ラジカル種
（原子状気体）を照射する構成により、潤滑剤分子中に
ラジカルが生成し、このラジカルが保護膜表面上で反応
し、保護膜をマトリックス（幹）とし潤滑剤の骨格成分
をグラフト（枝）とするグラフト共重合体が形成される
ため、常に一定量の潤滑剤が保護膜表面上に存在するこ
とになる。

【０１４８】以上の二つの処理効果を個々にあるいは組
み合わせて用いることにより、磁性層上に形成された保
護膜と潤滑剤層との相乗効果を充分に発揮させることが
できるため、磁気記録媒体の走行安定性および耐久性を
飛躍的に向上させることが可能となる。

【０１４９】さらに、コロナ放電により生成した中性ラ
ジカル種（原子状気体）の保護膜表面への照射処理と、
湿式塗布法による潤滑剤層の形成と、中性ラジカル種
（原子状気体）の潤滑剤層への照射処理とを除湿ガス雰
囲気中で行なうことにより、保護膜表面に導入された官
能基（反応性基）への水分の吸着や潤滑剤溶液中への水
分の混入等を防止することができるため、Ｄ．Ｏ．（ド
ロップアウト）の低減化および耐食性の著しい向上を達
成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例により製造される薄膜磁気媒体
Ａの構成を示す拡大断面図、

【図２】本発明の実施例により製造される薄膜磁気媒体
Ｂの構成を示す拡大断面図、

【図３】本発明の実施例により製造される薄膜磁気媒体
Ｃの構成を示す拡大断面図、

【図４】前記薄膜磁気媒体Ａの製造に使用する製造装置
の構成図、

【図５】前記薄膜磁気媒体Ｂの製造に使用する製造装置
の構成図、

【図６】前記薄膜磁気媒体Ｃの製造に使用する製造装置
の構成図、

【図７】各実施例および比較例により製造した前記薄膜
磁気媒体Ａの特性を示す表、

【図８】各実施例および比較例により製造した前記薄膜
磁気媒体Ｂの特性を示す表、

【図９】各実施例および比較例により製造した前記薄膜
磁気媒体Ｃの特性を示す表である。

【符号の説明】

１ 非磁性基板 ２ 微小突起層 ３ 強磁性金属薄膜 ４ バックコート層 ５ 硬質炭素保護膜 ６ 反応活性層 ７ 含フッ素系潤滑剤層 ８ 部分グラフト化含フッ素系潤滑剤層 ９ クリーンルーム 10 除湿ガス 11、30 放電室 12、31 放電電極 13、32 アース電極 14、33 コロナ放電発生用電源 15、34 処理ガス導入口 16、35 中性ラジカル種吹き出し口 17 磁気テープ 18 巻き出しロール 19 ニップロール 20 バックアップロール 21 アプリケーションロール 22 メタリングロール 23 ドクターブレード 24 含フッ素系潤滑剤溶液 25 パン 26 ノズル 27 除湿ガス 28 乾燥炉 29 巻き取りロール 36 金属ロール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田桐 優 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 桑原 賢次 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 関 博司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大地 幸和 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成
   し、前記強磁性金属薄膜上に保護膜を形成し、さらに前
   記保護膜にコロナ放電により生成した中性ラジカル種
   （原子状気体）を照射した後、潤滑剤層を形成すること
   を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成
   し、前記強磁性金属薄膜上に保護膜を形成し、前記保護
   膜上に潤滑剤層を形成し、さらに前記潤滑剤層にコロナ
   放電により生成した中性ラジカル種（原子状気体）を照
   射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成
   し、前記強磁性金属薄膜上に保護膜を形成し、前記保護
   膜上にコロナ放電により生成した中性ラジカル種（原子
   状気体）を照射した後、潤滑剤層を形成し、さらに前記
   潤滑剤層にコロナ放電により生成した中性ラジカル種
   （原子状気体）を照射することを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記保護膜が非晶質炭素の連続膜から成
   り、且つ前記保護膜のビッカース硬度が２０００ｋｇ／
   ｍｍ²以上であることを特徴とする請求項１、２または
   ３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】 前記保護膜に照射する中性ラジカル種
   （原子状気体）を、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｆ、Ｂ、Ｓｉおよ
   び金属から選ばれた少なくとも一つの元素を分子中に含
   有するモノマーガス、または前記モノマーガスと、Ｎ₂
   ガス、Ｏ₂ ガス、ＣＯ₂ ガスもしくはＮＨ₃ ガスとの混
   合ガスから生成することを特徴とする請求項１または３
   に記載の磁気記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記潤滑剤層に照射する中性ラジカル種
   （原子状気体）を、Ｎ₂ 、Ｏ₂ 、ＮＨ₃ 、ＣＦ₄ 等の反
   応性ガスから生成することを特徴とする請求項２または
   ３記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記潤滑剤層を、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、
   −ＳＨ、−ＮＨ₂ 、＝ＮＨ、−ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ₂ 、
   −ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ₂ 、−ＣＯＯＲ、＝ＰＲ、＝
   ＰＲＯ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ（ＯＨ）₂ 、−ＯＰＯ（Ｏ
   Ｒ）₂ および−ＳＯ₃ Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜２２
   の炭化水素基、Ｍは水素、アルカリ金属またはアルカリ
   土類金属）から選ばれた少なくとも一つの極性基を有す
   る含フッ素系潤滑剤を用いて形成することを特徴とする
   請求項１、２または３に記載の磁気記録媒体の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記保護膜および／または前記潤滑剤層
   への中性ラジカル種（原子状気体）の照射処理と、前記
   潤滑剤層の湿式塗布法による形成とを、相対湿度２０％
   以下の除湿ガス雰囲気中で連続的に行なうことを特徴と
   する請求項１、２または３に記載の磁気記録媒体の製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記除湿ガスとして、Ｎ₂ ガスまたはＯ
   ₂ ガスを用いることを特徴とする請求項８に記載の磁気
   記録媒体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記保護膜への中性ラジカル種（原子
    状気体）の照射処理と、前記潤滑剤層の湿式塗布法によ
    る形成とを一つのローラー上で行なうことを特徴とする
    請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記潤滑剤層を形成するための潤滑剤
    溶液中の水分混入濃度を１０００ｐｐｍ以下に設定する
    ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体の製造
    方法。
12. 【請求項１２】 前記潤滑剤層の形成に当たって、前記
    潤滑剤溶液を塗布した直後に、相対湿度１５％以下の除
    湿ガスを塗布面に吹き付けて乾燥させることを特徴とす
    る請求項１０に記載の磁気記録媒体の製造方法。