JPH0621291A - 耐熱性半導体チップ・パッケージ - Google Patents

耐熱性半導体チップ・パッケージ

Info

Publication number
JPH0621291A
JPH0621291A JP5042908A JP4290893A JPH0621291A JP H0621291 A JPH0621291 A JP H0621291A JP 5042908 A JP5042908 A JP 5042908A JP 4290893 A JP4290893 A JP 4290893A JP H0621291 A JPH0621291 A JP H0621291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip module
coolant
chip
base
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5042908A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0779144B2 (ja
Inventor
Jr Kenneth E Beilstein
ケネス・エドワード・バイルシュタイン、ジュニア
Claude L Bertin
クラウデ・ルイス・バーティン
Jr Gordon A Kelley
ゴードン・アーサー・ケリー、ジュニア
Christopher P Miller
クリストファー・ポール・ミラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH0621291A publication Critical patent/JPH0621291A/ja
Publication of JPH0779144B2 publication Critical patent/JPH0779144B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06541Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06551Conductive connections on the side of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06582Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
    • H01L2225/06586Housing with external bump or bump-like connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06589Thermal management, e.g. cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体のコンピュータ・チップ・モジュール
を冷却するための構造と方法を提供することである。 【構成】 半導体のコンピュータ・チップ・モジュール
は、複数の互いに接合された半導体チップから作られて
いる。本発明の1つの態様は、チップ・モジュールの1
つの面が複数のコネクタによってベースに接合されてい
ることである。コネクタを含むベースとチップ・モジュ
ールは、空間を形成する。該空間は密封され、冷却剤を
循環させるための開口がベースに作られる。そこから冷
却剤が流し入れられ、ベースのコネクタの周囲を流れ
て、冷却剤通路を上昇する。冷却剤通路とベースは、流
体が連通するようになっている。選択されたコネクタと
チップモジュールとの間には、モジュールのチップから
の熱をコネクタに伝達するための熱の経路が設けられて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、互いに接合されてモジ
ュールを形成する多数の集積回路(IC)の半導体チッ
プを内蔵する高密度パッケージに関する。特に、そのよ
うなICチップ・モジュールの動作中に、それらを効率
的に冷却するために熱伝導性を向上させるいくつかの構
造及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】コンピュータ回路の製造において進めら
れる小型化は、その当初からコンピュータの開発を促進
する原動力の一つであった。今日、市販されているラッ
プトップ・コンピュータは、1940年代末から195
0年代初頭において一つの部屋全体を占めていたコンピ
ュータよりも、ずっと処理速度が速くまた高性能であ
る。
【0003】無数のアプリケーションのためのより高性
能でより小型のコンピュータに対する要求は、コンピュ
ータとその構成部品の大きさを縮小させるべくコンピュ
ータ工業に拍車をかけ続けることであろう。また、性
能、速度、複雑さを増しているコンピュータの開発とと
もに、コンピュータ・システムの構成部品間を信号が伝
播しなければならない距離に起因する伝播遅延を抑制す
る必要性に、技術的関心が寄せられるようになるであろ
う。近い将来、コンピュータ・システムの構成部品間の
数センチメートルの伝播距離が、コンピュータ・システ
ムの動作における限界を生じることとなり、それはさら
に小型化することによってのみ解決されるであろう。
【0004】多数の積層された半導体チップを接合して
モジュールとする方法は、コンピュータとその構成部品
によって占められる物理的領域を減らし、また伝播遅延
を短縮するため開発されたものの一つである。接合され
たチップのモジュールは、「キューブ」とも呼ばれるこ
とがあり、通常は直角な平行管状の形状をとっている。
互いに接合されてモジュールとなっているチップは、そ
のモジュールの一つの面上に配分されたコネクタを有し
ており、そのモジュールとベースあるいはキャリアを物
理的にかつ電気的に接続している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そのようなモジュール
のチップは、高密度であることによって他の問題を生じ
る。解決すべき基本的問題の一つは、モジュール中で近
接しているチップの動作によって発生する過剰な熱を除
去することである。
【0006】現在の製造方法で製造されるシリコン・チ
ップが確実に動作できる温度範囲は、20℃から120
℃までである。しかしながら、これらのチップ・モジュ
ールの多くは、適当に冷却されない場合、電力消費によ
ってそのモジュールの温度は容易にシリコン・チップの
限界である120℃を越えてしまう。しかも、シリコン
・チップが最も効果的かつ効率良く動作する温度範囲
は、20℃から40℃までである。同様に、ヒ化ガリウ
ムのチップで作られたモジュールの温度も、ヒ化ガリウ
ムの安全動作限界の170℃を簡単に越える可能性があ
る。
【0007】モジュールの温度を適切に制御できなけれ
ば、チップの電子回路及び素子が劣化し、また破壊され
ることになる。また、チップ部品の完全な破壊にはいた
らないとしても、過熱によって動作効率にも影響が及
ぶ。また、モジュールとチップの熱膨張は、それほど大
きくない量であっても、適切に制御されない場合、モジ
ュールとモジュールの構造を形成するチップに重大な損
傷を与える原因となりうる。
【0008】半導体チップの動作の温度解析によって、
チップの中心と末端との温度差は数℃に過ぎないと予想
され、チップ自身は、その中心から末端へと効率的な方
法で確実に温度差を伝達できることが明らかになってい
る。従って、本発明の課題は、モジュールとして結合し
た場合にチップを適切に冷却して、そのモジュールのチ
ップを最も効果的で安全な温度範囲内に維持することで
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、互いに接合さ
れた多数のチップを含むチップ・モジュールの熱伝導性
及び熱分散能力を高める手段を提供することによって上
記の過剰な熱の問題を解決しようとするものである。
【0010】さらに、本発明の目的は、経済的に製造で
き、動作中のメンテナンスが不要で耐久性のある、チッ
プ・モジュール冷却のための単純で効果的な構造を提供
することである。
【0011】IC半導体チップ・モジュールに効果的な
冷却構造を備え付けることによって、従来技術の限界が
克服され、本発明の目的が達成される。複数のIC半導
体チップは、正面と背面、あるいは正面と正面を向かい
合わせて積層され、互いに接合されてチップ・モジュー
ルを形成する。チップ・モジュールは、一般に直角な平
行管状の形状をしている。つまり、長方形の側面または
正面を有す六面体である。チップ・モジュールの第1の
面に隣接しているのがベースである。このベースとモジ
ュールとは、僅かな隙間によって隔てられている。モジ
ュールの第1の面上には複数のコネクタが設けられてい
る。これらのコネクタは、モジュールの第1の面とベー
スを物理的かつ電気的に接続するために隙間を橋渡しし
ている。本発明の第1の態様においては、これらのコネ
クタの周囲のベースとチップ・モジュールとの間に冷却
剤を循環させるための手段が設けられている。
【0012】ベースとチップ・モジュールとの間のコネ
クタは、半田を隆起させたもの(ソルダ・バンプ)でよ
い。ソルダ・バンプのいくつかは、それらとチップ・モ
ジュール間の熱の伝導路となり、それらを通して、モジ
ュールのチップからソルダ・バンプへと熱が伝達するこ
とができる。それからソルダ・バンプの周囲を循環して
いる冷却剤へと放熱される。
【0013】本発明の別の態様においては、モジュール
を形成しているチップが、ジグザグ配置のアレイ状にな
っており、チップが一つ置きに、モジュールの2つの対
する面のどちらかから、突き出るようになっている。チ
ップをジグザグに配置することによって、モジュールの
2つの対する面のそれぞれの面上において、連続する突
き出たチップの末端の間に凹部が形成される。それら2
つの対する面の上にはキャップがかぶせられ、これらの
凹部を冷却剤が循環できる通路とする。
【0014】本発明のさらに別の態様としては、選択さ
れたソルダ・バンプによる熱の経路及びそのソルダ・バ
ンプの周囲の冷却剤の流れと、ジグザグ配置されたチッ
プのアレイ構造によって形成された冷却剤の通路を併用
したものがある。このように併用すると、冷却剤は、ベ
ースとモジュールのチップ間のソルダ・バンプの周囲を
流れ、そしてモジュールの側面の冷却剤通路を上昇して
循環することができる。
【0015】
【実施例】図1は、チップ・モジュールとそれにつなが
るベースの形状の一つを示している。チップ・モジュー
ル21は、複数のチップ22から作られている。チップ
22は、正面と背面または正面と正面を向き合わせて積
層され、適当な手段によって互いに物理的に接続される
かまたは接合されている。ポリエポキシ等の接着剤をこ
の目的のために使用してもよい。チップ22のための電
子回路及び接続用の回路(図示せず)は、チップの間に
ありベース23の方へ向かっている。接合されたチップ
の間にあるそのような回路は、一層あるいは多層の金属
化された層とおそらくは絶縁層とから成っている。これ
らの層を作成する技術は既知のものである。チップ・モ
ジュール21のチップ22とベース23とは、チップ・
モジュール21のベース23に隣接する面に設置された
コネクタ24を介して接触している。
【0016】通常、チップ・モジュールは、直角な平行
管状の形状をしている。つまり、正方形または長方形の
6面を有す幾何学的構造である。平行管状構造を、ここ
ではチップ・モジュールと称する。しかしながら、他の
幾何学的形状のモジュールも、本発明の趣旨を逸脱しな
い限り可能である。以後記述されるチップ・モジュール
21、ベース23、及び他の構造の組合せは、半導体チ
ップ・パッケージと称すことにする。
【0017】チップ・モジュール21のチップ22は、
シリコン、ヒ化ガリウム、あるいは他の半導体チップに
使用可能などの様な材料から作られていてもよい。チッ
プ・モジュールを形成するチップ22は、メモリ・チッ
プ、処理装置、あるいはコンピュータ内で使用される他
のどの様な形式の半導体チップでもよい。それぞれの独
立したチップ22は、市販されている、またある種のホ
ルダか枠に組み込まれている標準的な半導体チップでも
良いし、チップ・モジュール21中の他のチップに接合
できるように特別な大きさと形状に製造したものでも良
い。
【0018】ベースまたはキャリア23は、セラミック
材料、またはチップ・モジュール21を適切に支持でき
る他のどの様な材料でも良い。前述したように、チップ
・モジュール21はコネクタ24によって物理的かつ電
気的にベース23に接続されている。コネクタ24はソ
ルダ・バンプであるのが望ましい。ソルダ・バンプを使
用することは、(C4接続としても知られているよう
に)通常に行われている。ソルダ・バンプは、いくつか
の異なる形式の材料から構成されていても良く、最も普
通に用いられている組成は、鉛と錫の適当な混合物であ
る。
【0019】図2は、チップ22とベース23の間の領
域の一部分を拡大した断面図である。コネクタ(以下、
ソルダ・バンプという。)とチップ22の間に通常置か
れているいくつかの絶縁層及び電気伝導層と共に、ソル
ダ・バンプ24が描かれている。層26は、電気絶縁層
であり、ポリイミド等の絶縁体として使用されている普
通の材料で形成されている。他の使用可能な材料として
は、窒化アルミニウムがある。しかしながら、ポリイミ
ドは、フレキシブルで弾性のある材料であるので容易に
モジュールの外面に合わせることができるため、現在最
もよく使われている市販の絶縁材料の一つである。
【0020】第2の層27は、ありふれた非常によく使
用されている金属化層であり、その中に電子伝導帯を有
している。この伝導帯は、チップ22のそれぞれから来
ている導線(図示せず)との電気的接触を形成するため
に、当然、電気絶縁層26を適当な箇所で突き抜けてい
る。層28は、金属化層27を絶縁し保護するために設
けられているもう一つの電気絶縁層である。金属化層2
7の電気伝導帯は、一つ以上のソルダ・バンプ24との
接触を形成するために、適当な箇所で層28を突き抜け
ている。ソルダ・バンプの間の空間あるいは隙間29
は、他の用途においては、絶縁材料で充填されていても
良いが、本発明の目的のためには、冷却剤を流すことが
できるよう空けておかなければならない。
【0021】ソルダ・バンプ24は、ベース23上のチ
ップ・モジュール21を支持している。ソルダ・バンプ
24は、このようにモジュール21とベース23とを物
理的に接触させている。ソルダ・バンプの大きさによっ
て、チップ・モジュール21とベース23は隔てられ、
隙間29を生じる。
【0022】ソルダ・バンプ24はまた、チップ・モジ
ュール21とベース23とを電気的にも接触させてい
る。ソルダ・バンプ24からベース23を通って接続ピ
ン25につながる電気的接触のための線が図1に示され
ている。接続ピン25は、素子を接続するための普通の
方法であるピン格子アレイ・パターンに設置されてい
る。しかしながら、ベースをコンピュータ・システムの
他の部分と物理的かつ電気的に接続するためには、他に
も多くの標準的な既知の手段がある。
【0023】ソルダ・バンプ24とチップ・モジュール
21の第1の面の間に一つ以上の絶縁層あるいは金属化
層を、電気伝導の目的でさらに追加することもできる。
層の数、層の厚さ及び構成は、そのチップ・モジュール
の目的とする用途によって決定される。そのような層及
びそれらを使用することは、ありふれた技術である。こ
こで好ましい例として示したものは、通常必要とされる
最低限の数の層にのみ触れているが、本発明の原理は、
チップ・モジュール21とソルダ・バンプ24の間に異
なる数または配置の層を有す構造にも容易に拡張できる
ものである。
【0024】図3は、ベース23とチップ・モジュール
21の分解図であり、チップ・モジュール21を冷却す
る一つの手段を示している。導管32が、気体または液
体の冷却剤を、開口またはノズル31を通して隙間29
内に注入するために用いられる。それから気体または液
体の冷却剤は、ソルダ・バンプ24の間の隙間29内を
流れて、ソルダ・バンプを介してまたベース23に隣接
するチップ・モジュール面に沿ってチップ・モジュール
から熱を取り去る。この冷却剤はその後、隙間29の端
で集められ、過剰な熱を取り除く冷却器ユニットまたは
他の手段を通って循環し、それから導管32を通って再
利用される。図5は、隙間29に冷却剤を循環させる方
法の一つを示したものである。密封材34が、ベース2
3の上方に位置し、モジュール21の第1の面の端に沿
って隙間29を取り囲むように備え付けられ、隙間29
を密封された空間にする。密封材34の開口35には、
導管36が取り付けられている。導管36と32は、ど
ちらも冷却器ユニット(図示せず)等の冷却剤から熱を
取り除くための適当な機構に接続されている。ベース2
3における開口31と、密封材34における開口35の
間に生じる圧力差によって、冷却剤は、隙間29内のソ
ルダ・バンプの間を流れることができる。冷却剤として
は、フレオン、液体窒素、水、空気あるいは他の適当な
冷却剤が可能である。
【0025】チップ・モジュール21とベース23の間
を物理的かつ電気的に接続しているソルダ・バンプ24
は、以下の4つの異なる機能の一つを担っている。 a)チップ・モジュールのチップへ、あるいはチップ・
モジュールのチップからの電気信号の伝送 b)チップ・モジュールのいくつかのチップへの電力の
供給 c)いくつかの理由による直流電位の発生 d)単なる物理的な支持の提供
【0026】現在の技術における問題の一つは、絶縁層
として使用するために入手できる最良の材料の、熱伝導
性が低い傾向があることである。絶縁層は、図2中の2
6と28及び、図6中の44に示されている。ポリイミ
ドは誘電率が低く、従って優れた電気絶縁体である。ま
たポリイミドは、適当な価格で市販されており簡単に入
手でき、しかも精密に制御された方法によって意図する
目的に必要な厚みに容易に加工できる。しかしながら、
ポリイミドは極めて熱伝導性が低い。対照的に、十分に
高い熱伝導性を有す他の入手可能な絶縁体である窒化ア
ルミニウムは、ポリイミドほど加工性も性能も良くな
い。例えば窒化アルミニウムの場合、多くの用途に適し
た十分な厚みの層を容易に得ることができない。
【0027】電気絶縁体としての絶縁層及びその効能の
重要性は、チップ・モジュール製造における重大な要素
である。チップ・モジュールへ、またチップ・モジュー
ルから信号を伝送するために使用されるソルダ・バンプ
24は、容量を増やさないためにまたソルダ・バンプ2
4と直接に接するチップ・モジュールの部分から電気的
干渉を受けないために、適切に電気的絶縁をする必要が
ある。現在のところ、電気信号を伝送するソルダ・バン
プを適切に絶縁するための、十分に高い熱伝導性を有し
かつ十分な電気的絶縁ができる入手可能な適当な電気絶
縁体は無い。
【0028】全てのソルダ・バンプは、モジュールのチ
ップが短絡しないようになんらかの方法でモジュールか
ら絶縁されなければならない。しかしながら、上記のよ
うに電気的絶縁を重要とするのは、信号を伝送するため
に使用されるソルダ・バンプのみである。残りのソルダ
・バンプ24は、前述した他の目的のために使用される
もので、数が多く、本質的に絶縁性はそれほど必要でな
い。本発明においては、この事実を踏まえて利用し、熱
の経路を作ることによってチップ・モジュール21から
ソルダ・バンプ24への熱伝導性を高めた。熱の経路
は、電気的には絶縁されているが熱的にはチップ・モジ
ュールからいくつかのソルダ・バンプへの伝導路となっ
ている。明らかにその後に、ソルダ・バンプの周囲を流
れる冷却剤は、モジュールから熱を取り除くためにより
一層効果的な手段である。高熱伝導性の熱の経路あるい
は伝導路は、直流電位の発生のために、電力の供給のた
めに、または単なる物理的な支持のために使用されてい
るソルダ・バンプ24において作られる。信号の伝送の
ために使用されているソルダ・バンプは熱の経路とはな
らない。
【0029】図6は、熱の経路がその上に無いソルダ・
バンプ24A、及び絶縁層44を一部除去することによ
って局所的な熱の経路の一つの形状がその上に作られて
いるソルダ・バンプ24Bを示している。ソルダ・バン
プ24Aは、電気的信号のために使用されているもので
ある。ソルダ・バンプ24Aは、電気的接続部45に接
続している。ある点において、電気的接続部45は近接
する絶縁層44を突き抜けて金属化層27に位置するバ
ス(図示せず)に接続されている。このバスは、絶縁層
44とやはり絶縁層である層46の間を通っている。所
々で、バスは層46を突き抜けてモジュールのいくつか
のチップと適当に接続するために接続部を形成してい
る。
【0030】バスは、込み入った電気伝導路を絶縁層4
4と46の間にある金属化層27に形成している。バス
は、適当な箇所で絶縁層44と46を突き抜けて、適当
なソルダ・バンプ24とチップ22の接続部の間を電気
的に接続している。回路が複雑でかつ大きい場合は、よ
り複雑なバスを形成するさらに別の金属化層を絶縁する
ために絶縁層を追加する。バスとその接続部は示されて
いない。なぜなら、そのようなバスとその接続部及びそ
れらが置かれている金属化層は、通常の技術的知識であ
り、本発明の説明において図示する必要はないからであ
る。
【0031】ソルダ・バンプ24Aとチップ・モジュー
ル21の間の絶縁層44は、ポリイミド等の熱伝導性の
低い電気絶縁体である。層46もまた電気絶縁層である
が、高熱伝導性であり、窒化アルミニウムでもよい。ソ
ルダ・バンプ24Bの上の熱の経路は、低熱伝導性の電
気絶縁体の層44を除去することによって作られる。こ
のとき高熱伝導性の電気絶縁層46は残しておく。ソル
ダ・バンプ24Bは、支持または電力の供給または直流
電位の発生のために使用される。電力の供給または直流
電位のために使用される場合は、バスは明らかに電気的
接続部45においてソルダ・バンプ24Bへ接続され
る。
【0032】図7は、ソルダ・バンプ上に目的とする局
所的な熱の経路を作るための別の方法である。図7で
は、ソルダ・バンプ24Aは信号の伝送のために使用さ
れており、従ってソルダ・バンプ24Aとモジュール2
1の間に位置する電気絶縁層44及び44’にはなんら
変更はない。図6に関して前記した様に、電気的接続部
45はソルダ・バンプ24Aを層27中のバスへ接続し
ている。しかしながら、ソルダ・バンプ24Cは、それ
とチップ・モジュール21の間に、高熱伝導性領域47
を形成している。領域47は局所的な熱の経路として働
くものであり、ソルダ・バンプ24Cの真上の低熱伝導
性の絶縁層44及び44’を、電気絶縁特性を維持しな
がら高熱伝導性領域に転換あるいは変性することによっ
て作られる。高熱伝導性の領域47は、高度な局所的硬
化、イオン注入、あるいは材料を変化させるために半導
体の製造において利用される他の適当な技術によって形
成することができる。
【0033】図8は、チップ・モジュール21の冷却特
性をさらに向上させることができる配置を示している。
図8のチップ22は、正面と背面または正面と正面を向
き合わせ、交互に中心をずらして、互いにジグザクに積
層されているため、それぞれのチップの一方の端がチッ
プ・モジュールの2つの対する面の一つに沿って突き出
ている。これらの突き出ている端を利用して、さらにモ
ジュールから熱を取り去る方法を加える。それぞれのチ
ップのジグザグ配置によって、モジュールの2つの対す
る面に沿って、図8に示されるように一つおきのチップ
間に凹部48が形成される。突き出ている端は冷却フィ
ンの様に働く。
【0034】図8に示されている構造を利用して、さら
に効率的な冷却効果を得ることができる。図9を参照す
ると、キャップ51が、突き出ているチップ端を有すモ
ジュールの2つの面の上を被っている。従ってキャップ
51は、チップ間凹部48を密封して通路49を形成す
るので、それに沿って冷却剤を流すことができる。
【0035】さらに図9に示すように、密封材52がキ
ャップ51の末端の隙間29の端に沿って置かれてい
る。この密封材52は、キャップ51と共に、モジュー
ルとベースの間に密封された空間57(図10)を形成
している。密封された空間57の中には、ソルダ・バン
プ24が置かれている。
【0036】図9に示すように、凹部55は、キャップ
51によって完全には閉じられていない。なぜなら、そ
れらは末端のチップによって形成された凹部だからであ
る。従って、凹部55と空間57との間の開口は、冷却
剤の漏れを防ぐために密封することができる。別の方法
として、凹部55を、その開いている側を密封すること
によって、冷却剤の通路として加えることができる。第
3の可能性としては、凹部55ができない様にモジュー
ルの末端の2つのチップを僅かに大きく作ることであ
る。
【0037】図10は、図9のB−B線断面構造を示し
ている。図のようにキャップ51は、密封された空間5
7の末端を効果的に密封するためにベース23まで完全
に達するまで突き出ている。従って、空間57への唯一
の開口は、導管32と開口31及び冷却剤通路49であ
る。冷却剤は、導管32を通して注入され、ソルダ・バ
ンプ24の周囲の空間57の中へと流れ、それから冷却
剤通路49を通ってキューブの側面に沿って上昇し、そ
して出て行く。このように冷却剤はキューブの周囲を循
環して、熱を取り去り、冷却器ユニットまたは他の類似
のユニットへ導かれて、過剰な熱を放出する。その後チ
ップ・モジュールの周囲を再循環する。このような手段
によって、モジュールを効果的に効率よく冷却すること
ができる。
【0038】冷却剤通路49から出てきた冷却剤を集め
るための適当な構造をチップ・モジュール21の上面に
設けることができる。冷却剤の流れはまた、逆にするこ
ともでき、チップ・モジュール21の上面から冷却剤通
路49内に流し入れて、通路49を下降させ、空間57
内に入り、それから導管32へ出て行くようにできる。
冷却剤から熱を取り去り、また冷却剤を循環させるため
に利用できる機構と構造は、公知の技術である。そのよ
うな機構は、ベースにおける開口とチップ・モジュール
21の上面における冷却剤通路49への開口との間に圧
力差を生じることによって、それらの開口間に冷却剤を
流すことができる。
【0039】本発明を、特にその好ましい実施例を参照
して説明してきたが、本発明の趣旨と視野から反れるこ
となく形態と細部においていくつかの変更が可能である
ことは、専門的技術者であれば理解できるであろう。
【0040】
【発明の効果】互いに接合した多数のチップを含むチッ
プ・モジュールの熱伝導性及び熱分散能力を高める手段
を提供することによって、過剰な熱の問題が解決され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】ベースに取り付けられたチップ・モジュールの
透視図である。
【図2】チップ・モジュールとベースとの間の領域の一
部の断面図である。
【図3】チップ・モジュールとベースとの間に冷却剤を
注入するための手段を含む、チップ・モジュールとベー
スの分解図である。
【図4】本発明によるモジュールとベースの側面図であ
る。
【図5】冷却剤を循環させる手段を備えたモジュールと
ベースの側面図である。
【図6】2つの異なるソルダ・バンプとその周囲の構造
の拡大図である。
【図7】2つの異なるソルダ・バンプとその周囲の構造
の別の例の拡大図である。
【図8】隣接するチップと中心をずらして、あるいはジ
グザグに配置されたチップによるチップ・モジュールの
透視図である。
【図9】ベース上に設置し、チップをジグザグ配置した
両面をキャップで被い、密封材を備えた図8のチップ・
モジュールの図である。
【図10】図9の線B−Bに沿った、高さ方向の断面図
である。
【符号の説明】
21 チップ・モジュール 22 チップ 23 ベース 24 ソルダ・バンプ 26 絶縁層 27 金属化層 28 絶縁層 29 隙間 44 絶縁層 45 電気的接続部 46 絶縁層 47 熱の経路 48 凹部 49 冷却剤通路 51 キャップ 52 密封材 57 密閉空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケネス・エドワード・バイルシュタイン、 ジュニア アメリカ合衆国05452 バーモント州エセ クス・ジャンクション、ウォーデン・ウッ ズ 11 (72)発明者 クラウデ・ルイス・バーティン アメリカ合衆国05403 バーモント州サウ ス・バーリントン、フェザント・ウェイ 33 (72)発明者 ゴードン・アーサー・ケリー、ジュニア アメリカ合衆国05452 バーモント州エセ クス・ジャンクション、ハーガン・ドライ ブ 13 (72)発明者 クリストファー・ポール・ミラー アメリカ合衆国05452 バーモント州アン ダーヒル、ボックス 7740、アールアール 1

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】チップ・モジュールを形成する、積層され
    て互いに接合された複数の半導体チップと、 該チップ・モジュールの第1の面に隣接するベースと、 該チップ・モジュールの該第1の面上に複数設けられ
    た、該ベースを該チップ・モジュールへ物理的かつ電気
    的に接続するためのコネクタと、 該コネクタの周囲の該ベースと該チップ・モジュールと
    の間に冷却剤を循環させるための経路とからなる高い冷
    却機能を備えた半導体チップ・パッケージ。
  2. 【請求項2】チップ・モジュールを形成する、積層され
    て互いに接合された複数の半導体チップと、 該チップ・モジュールの第3の面に隣接するベースと、 該チップ・モジュールの該第3の面上の複数の点におい
    て、該ベースを該チップ・モジュールへ物理的かつ電気
    的に接続するためのコネクタとからなり、 上記チップ・モジュールの隣接するチップ同士が交互に
    中心をずらして配置されているため、該チップ・モジュ
    ールの2つの対する第1と第2の面内で、一つ置きにチ
    ップの端が積層から突き出ており、連続する2つの突き
    出た端の各対の間に凹部を形成することを特徴とする高
    い冷却機能を備えたチップ・パッケージ。
  3. 【請求項3】前記チップ・モジュールの2つの対する第
    1の面と第2の面が、それぞれの凹部に沿って冷却剤通
    路を形成するためにキャップで被われており、 さらに該チップ・モジュールの前記第3の面と前記ベー
    スとの間に密封された空間を形成するための密封手段を
    含み、該密封された空間とそれぞれの冷却剤通路とは流
    体が連通するようになっており、 前記冷却剤を循環させるための手段は、該ベースの中の
    開口からなっており、それによって冷却剤が該ベースの
    中の該開口を通って、前記コネクタの周囲及びそれぞれ
    の冷却剤通路を流れることができることを特徴とする請
    求項2のチップ・パッケージ。
  4. 【請求項4】前記コネクタが、ソルダ・バンプであるこ
    とを特徴とする請求項1又は2のチップ・パッケージ。
  5. 【請求項5】チップ・モジュールの2つの対する第1及
    び第2の面の内の1つの面内で、1つ置きにチップの端
    が突き出ており、従って該第1及び第2の面内の1つ置
    きのチップの間に凹部が作られるように、複数の半導体
    チップを積層しジグザグ配置してチップ・モジュールを
    形成することと、 キャップと該凹部によって冷却剤通路が形成されるよう
    に、該チップ・モジュールの2つの対する第1の面と第
    2の面を該キャップで被うことと、 該チップ・モジュールの第3の面に隣接してベースを配
    置することと、 該ベースと該チップ・モジュールの該第3の面との間に
    空間が形成されるように、該ベースを該第3の面上の複
    数の点において、該チップ・モジュールにコネクタによ
    って物理的かつ電気的に接続することと、 1つ以上の該コネクタにおいて該コネクタと該チップ・
    モジュールとの間に熱の経路を設けることと、 該空間と該冷却剤通路とを流体が連通するように、該空
    間を密封することと、 該ベースの中の開口及び該チップ・モジュールの第4の
    面における冷却剤通路の中の開口を設けることと、 該ベースの中の該開口へ冷却剤を導入し、該ベースの中
    の開口と該第4の面における冷却剤通路の中の開口との
    間に圧力差を生じることによって、冷却剤が該ベースの
    中へ流れ込み、そして該ベースの中のコネクタの周囲を
    流れ、それから該冷却剤通路を上昇してから該第4の面
    における該冷却剤の出口まで流れる様に、該チップ・モ
    ジュールの周囲に冷却剤を循環させることと、 該第4の面において該冷却剤を集めて、該冷却剤から過
    剰な熱を取り除くことと、 その後に該冷却剤を該チップ・モジュールの周囲に循環
    させることとからなる半導体チップ・モジュールを冷却
    させるための方法。
  6. 【請求項6】前記チップは、正面と正面を互いに接合さ
    れていることを特徴とする請求項1又は2のチップ・パ
    ッケージ。
  7. 【請求項7】前記チップが、正面と背面を互いに接合さ
    れていることを特徴とする請求項1又は2のチップ・パ
    ッケージ。
JP5042908A 1992-04-21 1993-03-03 耐熱性半導体チップ・パッケージ Expired - Fee Related JPH0779144B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US87145692A 1992-04-21 1992-04-21
US871456 1992-04-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0621291A true JPH0621291A (ja) 1994-01-28
JPH0779144B2 JPH0779144B2 (ja) 1995-08-23

Family

ID=25357475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5042908A Expired - Fee Related JPH0779144B2 (ja) 1992-04-21 1993-03-03 耐熱性半導体チップ・パッケージ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5309318A (ja)
EP (1) EP0566913A1 (ja)
JP (1) JPH0779144B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6443315B1 (en) 2000-07-28 2002-09-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Insertion and removal system in plug-in unit
JP2006210605A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Toyota Motor Corp 半導体装置および負荷駆動装置
WO2012132019A1 (ja) 2011-03-31 2012-10-04 富士通株式会社 三次元実装半導体装置及びその製造方法
WO2024053246A1 (ja) * 2022-09-05 2024-03-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 制御装置及びインクジェット印刷装置

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561593A (en) * 1994-01-27 1996-10-01 Vicon Enterprises, Inc. Z-interface-board
US5506753A (en) * 1994-09-26 1996-04-09 International Business Machines Corporation Method and apparatus for a stress relieved electronic module
US6498074B2 (en) 1996-10-29 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
EP2270846A3 (en) 1996-10-29 2011-12-21 ALLVIA, Inc. Integrated circuits and methods for their fabrication
US6882030B2 (en) 1996-10-29 2005-04-19 Tru-Si Technologies, Inc. Integrated circuit structures with a conductor formed in a through hole in a semiconductor substrate and protruding from a surface of the substrate
RU2176134C2 (ru) 1998-07-02 2001-11-20 Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" Трехмерный электронный модуль и способ его изготовления
US6322903B1 (en) 1999-12-06 2001-11-27 Tru-Si Technologies, Inc. Package of integrated circuits and vertical integration
US6945315B1 (en) * 2000-10-31 2005-09-20 Sun Microsystems, Inc. Heatsink with active liquid base
US6717254B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Tru-Si Technologies, Inc. Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture
US6719038B2 (en) * 2001-08-09 2004-04-13 Celestica International Inc. Heat removal system
WO2003015488A1 (en) * 2001-08-09 2003-02-20 Celestica International Inc. Electronics cooling subassembly
US6635960B2 (en) * 2001-08-30 2003-10-21 Micron Technology, Inc. Angled edge connections for multichip structures
US6787916B2 (en) 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
US20030066626A1 (en) * 2001-10-04 2003-04-10 John Bird Cooling system having independent fan location
US6848177B2 (en) 2002-03-28 2005-02-01 Intel Corporation Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme
US6908845B2 (en) * 2002-03-28 2005-06-21 Intel Corporation Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme
US20030183943A1 (en) * 2002-03-28 2003-10-02 Swan Johanna M. Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme
US7092254B1 (en) 2004-08-06 2006-08-15 Apple Computer, Inc. Cooling system for electronic devices utilizing fluid flow and agitation
CN2727959Y (zh) * 2004-08-14 2005-09-21 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 散热器
US7230334B2 (en) * 2004-11-12 2007-06-12 International Business Machines Corporation Semiconductor integrated circuit chip packages having integrated microchannel cooling modules
US20070227698A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Conway Bruce R Integrated fluid pump and radiator reservoir
US20080029244A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Gilliland Don A Heat sinks for dissipating a thermal load
US8106505B2 (en) 2007-10-31 2012-01-31 International Business Machines Corporation Assembly including plural through wafer vias, method of cooling the assembly and method of fabricating the assembly
US20100085713A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Balandin Alexander A Lateral graphene heat spreaders for electronic and optoelectronic devices and circuits
US8269341B2 (en) 2008-11-21 2012-09-18 Infineon Technologies Ag Cooling structures and methods
US8910706B2 (en) * 2009-02-05 2014-12-16 International Business Machines Corporation Heat sink apparatus with extendable pin fins
US8198174B2 (en) * 2009-08-05 2012-06-12 International Business Machines Corporation Air channel interconnects for 3-D integration
US10937764B2 (en) 2019-03-13 2021-03-02 International Business Machines Corporation Three-dimensional microelectronic package with embedded cooling channels

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3851221A (en) * 1972-11-30 1974-11-26 P Beaulieu Integrated circuit package
US4254447A (en) * 1979-04-10 1981-03-03 Rca Corporation Integrated circuit heat dissipator
US4727410A (en) * 1983-11-23 1988-02-23 Cabot Technical Ceramics, Inc. High density integrated circuit package
JPS61288455A (ja) * 1985-06-17 1986-12-18 Fujitsu Ltd 多層半導体装置の製造方法
US4706166A (en) * 1986-04-25 1987-11-10 Irvine Sensors Corporation High-density electronic modules--process and product
US4764846A (en) * 1987-01-05 1988-08-16 Irvine Sensors Corporation High density electronic package comprising stacked sub-modules
US4868712A (en) * 1987-02-04 1989-09-19 Woodman John K Three dimensional integrated circuit package
US4731701A (en) * 1987-05-12 1988-03-15 Fairchild Semiconductor Corporation Integrated circuit package with thermal path layers incorporating staggered thermal vias
US5016138A (en) * 1987-10-27 1991-05-14 Woodman John K Three dimensional integrated circuit package
US4983533A (en) * 1987-10-28 1991-01-08 Irvine Sensors Corporation High-density electronic modules - process and product
EP0354708A3 (en) * 1988-08-08 1990-10-31 Texas Instruments Incorporated General three dimensional packaging
US5104820A (en) * 1989-07-07 1992-04-14 Irvine Sensors Corporation Method of fabricating electronic circuitry unit containing stacked IC layers having lead rerouting
US5081063A (en) * 1989-07-20 1992-01-14 Harris Corporation Method of making edge-connected integrated circuit structure
US5019943A (en) * 1990-02-14 1991-05-28 Unisys Corporation High density chip stack having a zigzag-shaped face which accommodates connections between chips
JP2518092B2 (ja) * 1990-06-18 1996-07-24 日本電気株式会社 電子回路モジュ―ル
CA2050091C (en) * 1990-10-03 1999-06-15 Richard C. Eden Electronic circuit and method with thermal management

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6443315B1 (en) 2000-07-28 2002-09-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Insertion and removal system in plug-in unit
JP2006210605A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Toyota Motor Corp 半導体装置および負荷駆動装置
JP4529706B2 (ja) * 2005-01-27 2010-08-25 トヨタ自動車株式会社 半導体装置および負荷駆動装置
WO2012132019A1 (ja) 2011-03-31 2012-10-04 富士通株式会社 三次元実装半導体装置及びその製造方法
US9252070B2 (en) 2011-03-31 2016-02-02 Fujitsu Limited Three-dimensional mounting semiconductor device and method of manufacturing three-dimensional mounting semiconductor device
WO2024053246A1 (ja) * 2022-09-05 2024-03-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 制御装置及びインクジェット印刷装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0566913A1 (en) 1993-10-27
US5309318A (en) 1994-05-03
JPH0779144B2 (ja) 1995-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0621291A (ja) 耐熱性半導体チップ・パッケージ
CA1192317A (en) Apparatus for cooling integrated circuit chips
US5241450A (en) Three dimensional, multi-chip module
US3812402A (en) High density digital systems and their method of fabrication with liquid cooling for semi-conductor circuit chips
US6670699B2 (en) Semiconductor device packaging structure
EP2023390B1 (en) Semiconductor device
JP5790039B2 (ja) 半導体装置
US20060180924A1 (en) Apparatus and methods for cooling semiconductor integrated circuit chip packages
JP3057386B2 (ja) 回路部品をパックする装置
JPH0334229B2 (ja)
EP0429759B1 (en) Three dimensional microelectronic packaging
US11837519B2 (en) Heatsink cutout and insulating through silicon vias to cut thermal cross-talk
JPS62502929A (ja) 電気的に絶縁した半導体の冷却積み重ね体
US4450505A (en) Apparatus for cooling integrated circuit chips
JP2023507050A (ja) 積層ボトムダイの冷却を改善する熱伝導スラグ/アクティブダイ
Eden Application of diamond substrates for advanced high density packaging
JP4034173B2 (ja) 半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ
US20230343669A1 (en) Electronic packaging structure
JPH08279578A (ja) マルチチップモジュールの冷却機構
JPH03139899A (ja) 冷却構造
JPH1093237A (ja) 電子基板
US20220199482A1 (en) Tec-embedded dummy die to cool the bottom die edge hotspot
Eden Application of bulk synthetic diamond for high heat flux thermal management
JP2004273834A (ja) 半導体集積回路
JPH01225145A (ja) 半導体チップキャリアとそれを用いた半導体チップの実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees