JPH03139899A - 冷却構造 - Google Patents
冷却構造Info
- Publication number
- JPH03139899A JPH03139899A JP1277596A JP27759689A JPH03139899A JP H03139899 A JPH03139899 A JP H03139899A JP 1277596 A JP1277596 A JP 1277596A JP 27759689 A JP27759689 A JP 27759689A JP H03139899 A JPH03139899 A JP H03139899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- cooling
- cooling plate
- semiconductor devices
- branched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置、特に高速コンピュータ用の集積回路等を冷
却するための冷却構造に関し、冷却効率の高い冷却構造
を提供することを目的とし、 （１）回路基板ｌ上に縦横に整列実装された複数の半導
体装置２を液冷する冷却構造であって、該回路基板１と
対向し且つ該半導体装置２に近接して液冷板４が配設さ
れ、該液冷板４と該回路基板１と隣接する該半導体装置
２の対向する二つの側面２Ａとで囲んでなる縦方向およ
び横方向の管状空間Ｐは冷却液供給手段に連通しており
、該管状空間Ｐの縦横少なくとも一方が冷却液の流路と
なるように構成する。
却するための冷却構造に関し、冷却効率の高い冷却構造
を提供することを目的とし、 （１）回路基板ｌ上に縦横に整列実装された複数の半導
体装置２を液冷する冷却構造であって、該回路基板１と
対向し且つ該半導体装置２に近接して液冷板４が配設さ
れ、該液冷板４と該回路基板１と隣接する該半導体装置
２の対向する二つの側面２Ａとで囲んでなる縦方向およ
び横方向の管状空間Ｐは冷却液供給手段に連通しており
、該管状空間Ｐの縦横少なくとも一方が冷却液の流路と
なるように構成する。
（２）前記管状空間Ｐの縦横交差部分には仕切り板２７
が斜め上下の関係にある二つの半導体装置２を結ぶ位置
に配設されて該管状空間Ｐが直角に曲げられ、縦横双方
の該管状空間Ｐが冷却液の流路となるように構成する。
が斜め上下の関係にある二つの半導体装置２を結ぶ位置
に配設されて該管状空間Ｐが直角に曲げられ、縦横双方
の該管状空間Ｐが冷却液の流路となるように構成する。
本発明は、半導体装置、特に高速コンピュータ用の集積
回路等を冷却するための冷却構造に関する。
回路等を冷却するための冷却構造に関する。
近年、大型コンピュータやスーパーコンピュータ等にお
いては、使用する集積回路の高速化と高集積化に伴って
消費電力は増大し、しかもその集積回路実装の高密度化
が並行して進められているため、発熱密度が著しく上昇
するに至っている。
いては、使用する集積回路の高速化と高集積化に伴って
消費電力は増大し、しかもその集積回路実装の高密度化
が並行して進められているため、発熱密度が著しく上昇
するに至っている。
このため、このような高速コンピュータ等の温度上昇を
防止してその性能を維持するために、より一層効率良く
集積回路を冷却することが可能な冷却構造の開発が望ま
れている。
防止してその性能を維持するために、より一層効率良く
集積回路を冷却することが可能な冷却構造の開発が望ま
れている。
従来から、発熱が特゛に大きい半導体装置の冷却には液
冷方式が採用されている。その代表例を以下に説明する
。第４図は従来の冷却構造の一例を示す模式断面図であ
る。図中、■は回路基板、２は回路基板１に実装されて
いる半導体装置、４ｏは冷却モジュールである。この冷
却モジュール４ｏは基体４１、この基体４１に固着され
ている複数個のベローズ４２、これらのベローズ４２の
底部に接合されている良熱伝導材料からなる伝熱ｔｆｉ
、４３（表層は半導体装置２との密着性を良くするため
に熱伝導性と共に弾力性を有する材料が用いられている
）、各ベローズ４２に冷却水を供給するノズル４４等か
らなる。尚、構造を簡略化させるため、冷却水は各ベロ
ーズ４２に並列的に供給されるのではなく、複数のベロ
ーズ４２に直列的に供給される構造となっている。
冷方式が採用されている。その代表例を以下に説明する
。第４図は従来の冷却構造の一例を示す模式断面図であ
る。図中、■は回路基板、２は回路基板１に実装されて
いる半導体装置、４ｏは冷却モジュールである。この冷
却モジュール４ｏは基体４１、この基体４１に固着され
ている複数個のベローズ４２、これらのベローズ４２の
底部に接合されている良熱伝導材料からなる伝熱ｔｆｉ
、４３（表層は半導体装置２との密着性を良くするため
に熱伝導性と共に弾力性を有する材料が用いられている
）、各ベローズ４２に冷却水を供給するノズル４４等か
らなる。尚、構造を簡略化させるため、冷却水は各ベロ
ーズ４２に並列的に供給されるのではなく、複数のベロ
ーズ４２に直列的に供給される構造となっている。
この冷却構造は基本的には伝熱板４３を半導体装置２に
接触せしめて半導体装置２０発熱を伝熱板４３に伝え、
これを冷却水で冷却するものである。
接触せしめて半導体装置２０発熱を伝熱板４３に伝え、
これを冷却水で冷却するものである。
即ち、各伝熱板４３が各半導体装置２に接触するよう冷
却モジュール４０を回路基板１に対峙せしめ、熱交換器
、送水ポンプ等からなる冷却水供給装置（図示は省略）
からホース（図示は省略）等を介して供給される冷却水
を冷却モジュール４０の基体４１内に導き、これをノズ
ル４４からベローズ４２内に注入して伝熱Ｕｉ、４３の
熱を吸収し、基体４１を経て上記冷却水供給装置に戻す
ことにより、半導体装置２を冷却する構造としていた。
却モジュール４０を回路基板１に対峙せしめ、熱交換器
、送水ポンプ等からなる冷却水供給装置（図示は省略）
からホース（図示は省略）等を介して供給される冷却水
を冷却モジュール４０の基体４１内に導き、これをノズ
ル４４からベローズ４２内に注入して伝熱Ｕｉ、４３の
熱を吸収し、基体４１を経て上記冷却水供給装置に戻す
ことにより、半導体装置２を冷却する構造としていた。
しかしながらこのような従来の冷却構造では、冷却する
半導体装置のパッケージの種類がキャビティアップ型の
場合には、発熱体であるチップがボンディングされてい
るパッケージの基体ではなくパッケージの蓋を冷却する
ことになり、冷却効率が悪いという問題があった。
半導体装置のパッケージの種類がキャビティアップ型の
場合には、発熱体であるチップがボンディングされてい
るパッケージの基体ではなくパッケージの蓋を冷却する
ことになり、冷却効率が悪いという問題があった。
本発明は、このような問題を解決して、キャビティアッ
プ型のパンケージであっても良好な冷却効率の得られる
冷却構造を提供することを目的とする。
プ型のパンケージであっても良好な冷却効率の得られる
冷却構造を提供することを目的とする。
二の目的は、本発明によれば、（１）回路基板１上に縦
横に整列実装された複数の半導体装置２を液冷する冷却
構造であって、該回路基板１と対向し且つ該半導体装置
２に近接して液冷板４が配設され、該液冷板４と該回路
基板１と隣接する該半導体装置２の対向する二つの側面
２Ａとで囲んでなる縦方向および横方向の管状空間Ｐは
冷却液供給手段に連通しており、該管状空間Ｐの縦横少
なくとも一方が冷却液の流路となることを特徴とする冷
却構造とし、（２）前記管状空間Ｐの縦横交差部分には
仕切り板２７が斜め上下の関係にある二つの半導体装置
２を結ぶ位置に配設されて該管状空間Ｐが直角に曲げら
れ、縦横双方の該管状空間Ｐが冷却液の流路となること
を特徴とする冷却構造とすることにより、達成される。
横に整列実装された複数の半導体装置２を液冷する冷却
構造であって、該回路基板１と対向し且つ該半導体装置
２に近接して液冷板４が配設され、該液冷板４と該回路
基板１と隣接する該半導体装置２の対向する二つの側面
２Ａとで囲んでなる縦方向および横方向の管状空間Ｐは
冷却液供給手段に連通しており、該管状空間Ｐの縦横少
なくとも一方が冷却液の流路となることを特徴とする冷
却構造とし、（２）前記管状空間Ｐの縦横交差部分には
仕切り板２７が斜め上下の関係にある二つの半導体装置
２を結ぶ位置に配設されて該管状空間Ｐが直角に曲げら
れ、縦横双方の該管状空間Ｐが冷却液の流路となること
を特徴とする冷却構造とすることにより、達成される。
第３図は半導体装置（集積回路）のパッケージの一例を
示す模式断面図である。このパッケージでは基体３２の
上面にキャビティ３２Ａを有し、このキャビティ３２八
内にチ・ンブ３４をポンディングし、この上に蓋３３を
被せて気密封止しである。このようなキャビティアップ
型の場合は基体３２の底部全面にピン３１を設けたピン
グリッドアレイ型パッケージとすることが出来、パッケ
ージの小型化、実装密度の向上に好都合である。
示す模式断面図である。このパッケージでは基体３２の
上面にキャビティ３２Ａを有し、このキャビティ３２八
内にチ・ンブ３４をポンディングし、この上に蓋３３を
被せて気密封止しである。このようなキャビティアップ
型の場合は基体３２の底部全面にピン３１を設けたピン
グリッドアレイ型パッケージとすることが出来、パッケ
ージの小型化、実装密度の向上に好都合である。
このようなキャビティアップ型のパッケージの場合、チ
ップ３４の熱はパッケージの基体３２を経てパッケージ
の１３３に伝わるため、蓋３３での冷却より基体３２で
の冷却の方が当然熱抵抗が低くなる。
ップ３４の熱はパッケージの基体３２を経てパッケージ
の１３３に伝わるため、蓋３３での冷却より基体３２で
の冷却の方が当然熱抵抗が低くなる。
本発明では、液冷板を半導体装置のパッケージ上にあて
がうように配設することにより、隣接するパッケージの
対向する基体側面と液冷板と回路基板からなる管状空間
を形成し、この管状空間を流路として冷却液を流すこと
により、半導体装置のパッケージをその基体側面から直
接冷却する冷却構造としたため、効率良く冷却出来る。
がうように配設することにより、隣接するパッケージの
対向する基体側面と液冷板と回路基板からなる管状空間
を形成し、この管状空間を流路として冷却液を流すこと
により、半導体装置のパッケージをその基体側面から直
接冷却する冷却構造としたため、効率良く冷却出来る。
本発明に基づく冷却構造の実施例を第１図及び第２図に
より説明する。
より説明する。
第１図は本発明の第一の実施例を示す模式図である。図
中、１は回路基板であり、垂直に立てて搭載される。２
は半導体装置であり、多数個の集積回路２が回路基板ｌ
上に一定の間隔を置いて縦横に整列実装されている。３
はハウジングであり、回路基板の周縁部でこれに固着さ
れている。４は液冷板であり、その周縁部以外は半導体
装置２の搭載高さより若干大なる深さを持つ凹所４Ａと
なっている。この凹所４Ａに上記の多数個の半導体装置
２を収納する形で液冷板４をハウジング３にシール３ａ
を介して密着し、複数のねじ３ｂにより固定されている
。液冷板４の下周縁部４Ｂには給液孔５が、上周縁部４
Ｃには速波孔６がそれぞれ明けられており、これら給液
孔５、速波孔６はそれぞれ複数個の技給液孔５Ａ、技還
液孔６Ａを有し、それらの全てが液冷板４の凹所４Ａに
通じている。これら技給液孔５Ａ、技還液孔６Ａは共に
整列実装されている半導体装置２の垂直方向の間隙部、
即ち隣接する半導体装置２の対向する側面２Ａと回路基
板ｌと液冷板４とで囲まれた管状空間Ｐ（但し垂直方向
の）の延長上に面して設けられている。
中、１は回路基板であり、垂直に立てて搭載される。２
は半導体装置であり、多数個の集積回路２が回路基板ｌ
上に一定の間隔を置いて縦横に整列実装されている。３
はハウジングであり、回路基板の周縁部でこれに固着さ
れている。４は液冷板であり、その周縁部以外は半導体
装置２の搭載高さより若干大なる深さを持つ凹所４Ａと
なっている。この凹所４Ａに上記の多数個の半導体装置
２を収納する形で液冷板４をハウジング３にシール３ａ
を介して密着し、複数のねじ３ｂにより固定されている
。液冷板４の下周縁部４Ｂには給液孔５が、上周縁部４
Ｃには速波孔６がそれぞれ明けられており、これら給液
孔５、速波孔６はそれぞれ複数個の技給液孔５Ａ、技還
液孔６Ａを有し、それらの全てが液冷板４の凹所４Ａに
通じている。これら技給液孔５Ａ、技還液孔６Ａは共に
整列実装されている半導体装置２の垂直方向の間隙部、
即ち隣接する半導体装置２の対向する側面２Ａと回路基
板ｌと液冷板４とで囲まれた管状空間Ｐ（但し垂直方向
の）の延長上に面して設けられている。
このように構成された冷却構造の給液孔５に、熱交換器
、ポンプ等からなる冷却液供給装置（図示は省略）から
供給ホース（図示は省略）等を介して冷却液を供給する
と、冷却液は枝給液孔５Ａから液冷板４の凹所４八に入
ってこれを満たし、技還液孔６八から速波孔６に入り、
帰還ホース（図示は省略）等を介して上記冷却液供給装
置に戻る。液冷板４の凹所４＾底面は半導体装置２の上
面に近接しているため、冷却液は主として上記の管状空
間Ｐを流路として、図の矢印の如く半導体装置２の垂直
の側面２Ａに沿って上昇することになる。このようにし
て冷却液が半導体装置２の側面２Ａに直接触れて、半導
体装置２の発熱を効率良く吸収する。
、ポンプ等からなる冷却液供給装置（図示は省略）から
供給ホース（図示は省略）等を介して冷却液を供給する
と、冷却液は枝給液孔５Ａから液冷板４の凹所４八に入
ってこれを満たし、技還液孔６八から速波孔６に入り、
帰還ホース（図示は省略）等を介して上記冷却液供給装
置に戻る。液冷板４の凹所４＾底面は半導体装置２の上
面に近接しているため、冷却液は主として上記の管状空
間Ｐを流路として、図の矢印の如く半導体装置２の垂直
の側面２Ａに沿って上昇することになる。このようにし
て冷却液が半導体装置２の側面２Ａに直接触れて、半導
体装置２の発熱を効率良く吸収する。
尚、使用する冷却液は電気絶縁性が良く、不活性のもの
でなければならないため、フロロカーボンの不活性液体
（例えば米・３Ｍ社の［フロリナートＪ）を使用する。
でなければならないため、フロロカーボンの不活性液体
（例えば米・３Ｍ社の［フロリナートＪ）を使用する。
次に本発明の第二の実施例を説明する。前述の第一の実
施例では、冷却水は主として垂直方向にのみ流れて半導
体装置２の側面２Ａのうち垂直の２面を主として冷却す
るのに対して、この第二の実施例では半導体装置２の側
面２Ａの４面全てを冷却するように工夫したものである
。この第二の実施例は前述の第一の実施例をベースにし
たものであるから、異なる部分のみ述べる。第２図は本
発明の第二の実施例を示す模式図であり、同図では第１
図のものと異なる部材にのみ異なる参照番号を付してあ
り、他は同一番号とした。
施例では、冷却水は主として垂直方向にのみ流れて半導
体装置２の側面２Ａのうち垂直の２面を主として冷却す
るのに対して、この第二の実施例では半導体装置２の側
面２Ａの４面全てを冷却するように工夫したものである
。この第二の実施例は前述の第一の実施例をベースにし
たものであるから、異なる部分のみ述べる。第２図は本
発明の第二の実施例を示す模式図であり、同図では第１
図のものと異なる部材にのみ異なる参照番号を付してあ
り、他は同一番号とした。
縦方向および横方向の管状空間Ｐ（第１図参照）の交差
部分には、仕切り板２７が溜槽方向に対して右または左
に４５°傾斜する角度で（斜め上下の関係にある半導体
装置２のエツジを結ぶ形で）配設されている。この仕切
り板２７の高さは半導体装置２の実装高さに略等しく、
液冷板２４の凹所２４＾の底部に接着されている（回路
基ｔｆｉｌ上に接着しても効果に変わりはない）。これ
により管状空間Ｐは右または左に９０″曲げられ、縦の
管状空間Ｐだけでなく、横の管状空間Ｐをも冷却液の主
たる流路とすることが出来る。第２図では実装されてい
る全ての半導体装置２の四つの側面２Ａの全部が冷却液
の主たる流路に面するように仕切り板２７を配置しであ
る。但し、左右最外側については対向する半導体装置２
がないため、液冷板２４の凹所２４への彫り込み形状を
工夫すると共に特別の仕切り板２８を適宜配設しである
。この結果、第一の実施例よりも更に冷却効率の良い冷
却構造となった。
部分には、仕切り板２７が溜槽方向に対して右または左
に４５°傾斜する角度で（斜め上下の関係にある半導体
装置２のエツジを結ぶ形で）配設されている。この仕切
り板２７の高さは半導体装置２の実装高さに略等しく、
液冷板２４の凹所２４＾の底部に接着されている（回路
基ｔｆｉｌ上に接着しても効果に変わりはない）。これ
により管状空間Ｐは右または左に９０″曲げられ、縦の
管状空間Ｐだけでなく、横の管状空間Ｐをも冷却液の主
たる流路とすることが出来る。第２図では実装されてい
る全ての半導体装置２の四つの側面２Ａの全部が冷却液
の主たる流路に面するように仕切り板２７を配置しであ
る。但し、左右最外側については対向する半導体装置２
がないため、液冷板２４の凹所２４への彫り込み形状を
工夫すると共に特別の仕切り板２８を適宜配設しである
。この結果、第一の実施例よりも更に冷却効率の良い冷
却構造となった。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。
変形して実施出来る。
以上説明したように、本発明によれば、回路基板上に整
列実装された半導体装置を効率良く冷却する冷却構造を
提供することが出来、大型コンピュータやスーパーコン
ピュータ等の高性能化、信転性向上に寄与するところが
大きい。
列実装された半導体装置を効率良く冷却する冷却構造を
提供することが出来、大型コンピュータやスーパーコン
ピュータ等の高性能化、信転性向上に寄与するところが
大きい。
図、
第２図は本発明の第二の実施例を示す模式断面図、
第３図は集積回路のパッケージの一例を示す模式断面図
、 第４図は従来の冷却構造の一例を示す模式断面図である
。
、 第４図は従来の冷却構造の一例を示す模式断面図である
。
図中、■は回路基板、
２は半導体装置、
２Ａは側面、
４．２４は液冷板、
２７．２８は仕切り板、
Ｐは管状空間である。
第１図は本発明の第一の実施例を示す模式断面（σ）側
断面 （ｂ） 正面断簡 本光明の第二の実方１例を示す８１成断面図第 図 集積回路のパッケージの一例を示す議式断菌図第 図 ｔｔ来のン令去Ｐ構造の一イ列を示寸１１代釘百近図第 図
断面 （ｂ） 正面断簡 本光明の第二の実方１例を示す８１成断面図第 図 集積回路のパッケージの一例を示す議式断菌図第 図 ｔｔ来のン令去Ｐ構造の一イ列を示寸１１代釘百近図第 図
Claims (2)
- （１）回路基板（１）上に縦横に整列実装された複数の
半導体装置（２）を液冷する冷却構造であって、該回路
基板（１）と対向し且つ該半導体装置（２）に近接して
液冷板（４）が配設され、 該液冷板（４）と該回路基板（１）と隣接する該半導体
装置（２）の対向する二つの側面（２Ａ）とで囲んでな
る縦方向および横方向の管状空間（Ｐ）は冷却液供給手
段に連通しており、 該管状空間（Ｐ）の縦横少なくとも一方が冷却液の流路
となることを特徴とする冷却構造。 - （２）前記管状空間（Ｐ）の縦横交差部分には仕切り板
（２７）が斜め上下の関係にある二つの半導体装置（２
）を結ぶ位置に配設されて該管状空間（Ｐ）が直角に曲
げられ、 縦横双方の該管状空間（Ｐ）が冷却液の流路となること
を特徴とする請求項（１）記載の冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277596A JPH03139899A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277596A JPH03139899A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03139899A true JPH03139899A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=17585653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277596A Pending JPH03139899A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03139899A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369717B1 (ko) * | 1996-08-06 | 2003-06-18 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 전자디바이스실장프린트기판 |
| US7064953B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Electronic package with direct cooling of active electronic components |
| US7579847B2 (en) | 2001-12-27 | 2009-08-25 | Formfactor, Inc. | Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components |
| WO2010050133A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置、回路モジュール、および、製造方法 |
| WO2010050132A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および回路モジュール |
| US20120331433A1 (en) * | 2007-09-17 | 2012-12-27 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit stack |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP1277596A patent/JPH03139899A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369717B1 (ko) * | 1996-08-06 | 2003-06-18 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 전자디바이스실장프린트기판 |
| US7768777B2 (en) | 2001-12-27 | 2010-08-03 | Formfactor, Inc. | Electronic package with direct cooling of active electronic components |
| US7433188B2 (en) | 2001-12-27 | 2008-10-07 | Formfactor, Inc. | Electronic package with direct cooling of active electronic components |
| US7579847B2 (en) | 2001-12-27 | 2009-08-25 | Formfactor, Inc. | Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components |
| US7064953B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Electronic package with direct cooling of active electronic components |
| US7863915B2 (en) | 2001-12-27 | 2011-01-04 | Formfactor, Inc. | Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components |
| US20120331433A1 (en) * | 2007-09-17 | 2012-12-27 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit stack |
| US8659898B2 (en) * | 2007-09-17 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit stack |
| WO2010050133A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置、回路モジュール、および、製造方法 |
| WO2010050132A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および回路モジュール |
| CN102197314A (zh) * | 2008-10-28 | 2011-09-21 | 爱德万测试株式会社 | 测试装置，电路模块，以及制造方法 |
| CN102197313A (zh) * | 2008-10-28 | 2011-09-21 | 爱德万测试株式会社 | 测试装置及电路模块 |
| JPWO2010050133A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2012-03-29 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置、回路モジュール、および、製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1303238C (en) | Flat cooling structure of integrated circuit | |
| US8232637B2 (en) | Insulated metal substrates incorporating advanced cooling | |
| US5362986A (en) | Vertical chip mount memory package with packaging substrate and memory chip pairs | |
| US4283754A (en) | Cooling system for multiwafer high density circuit | |
| US7473993B2 (en) | Semiconductor stack package and memory module with improved heat dissipation | |
| JPH0563119B2 (ja) | ||
| JPH0621291A (ja) | 耐熱性半導体チップ・パッケージ | |
| JPS60126853A (ja) | 半導体デバイス冷却装置 | |
| JPH04250698A (ja) | 電子回路冷却モジュール | |
| US5343360A (en) | Containing and cooling apparatus for an integrated circuit device having a thermal insulator | |
| JPH04273466A (ja) | 電子回路とその熱制御 | |
| JPWO2019146724A1 (ja) | 三次元積層集積回路 | |
| JPH0834284B2 (ja) | 三次元チップパッケージ | |
| US10062632B2 (en) | Semiconductor device having improved heat dissipation efficiency | |
| JPH03139899A (ja) | 冷却構造 | |
| JPH1187574A (ja) | 垂直実装形半導体チップパッケージ及びそれを含むパッケージモジュール | |
| US20230343669A1 (en) | Electronic packaging structure | |
| US11974387B2 (en) | Power module and heat sink system | |
| JPS6188547A (ja) | 半導体装置 | |
| CN102034805B (zh) | 整合热电组件与芯片的封装体 | |
| CA1203640A (en) | Apparatus for cooling integrated circuit chips | |
| JPH03209859A (ja) | 半導体冷却装置 | |
| CN220233173U (zh) | 一种集成电路芯片封装结构 | |
| JPH0557756B2 (ja) | ||
| TWI821083B (zh) | 半導體封裝裝置 |