JPH06211828A - 光学活性体及び液晶組成物 - Google Patents
光学活性体及び液晶組成物Info
- Publication number
- JPH06211828A JPH06211828A JP18104891A JP18104891A JPH06211828A JP H06211828 A JPH06211828 A JP H06211828A JP 18104891 A JP18104891 A JP 18104891A JP 18104891 A JP18104891 A JP 18104891A JP H06211828 A JPH06211828 A JP H06211828A
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- liquid crystal
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- carboxylic acid
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- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 一般式
具体的には、例えば
で示されるδ−バレロラクトン環を有する光学活性体。
【効果】 非強誘電性の液晶性組成物に混合して強誘電
性液晶性組成物とするための添加剤となり、あるいは強
誘電性液晶性組成物の配合成分として用いると組成物と
しての自発分極を高め、応答速度が速くなる。
性液晶性組成物とするための添加剤となり、あるいは強
誘電性液晶性組成物の配合成分として用いると組成物と
しての自発分極を高め、応答速度が速くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はその構造内に、δ−バレ
ロラクトン環を有する新規な光学活性体及びこれを含有
してなる強誘電性液晶組成物に関する。
ロラクトン環を有する新規な光学活性体及びこれを含有
してなる強誘電性液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、表示材料として広く用いられてい
る液晶はネマチック相に属するものであり、受光型のた
め目が疲れない、消費電力が極めて少ない等の特徴を有
しているものの、応答が遅い、見る角度によっては表示
が見えなくなる等の欠点を有している。
る液晶はネマチック相に属するものであり、受光型のた
め目が疲れない、消費電力が極めて少ない等の特徴を有
しているものの、応答が遅い、見る角度によっては表示
が見えなくなる等の欠点を有している。
【０００３】目が疲れない、消費電力が極めて少ないと
いったネマチック型液晶の特徴を有し、さらに発光型表
示素子に匹敵する高速応答性、高コントラストを有する
ものとして強誘電性液晶を用いる表示デバイスやプリン
ターヘッドが検討されている。
いったネマチック型液晶の特徴を有し、さらに発光型表
示素子に匹敵する高速応答性、高コントラストを有する
ものとして強誘電性液晶を用いる表示デバイスやプリン
ターヘッドが検討されている。
【０００４】強誘電性液晶は１９７５年にマイヤー（R.
B.Meyer)等によってその存在が初めて発表されたもので
（J.Physique ３６，Ｌ−６９（１９７５））、キラル
スメクチックＣ相（以下Ｓｍ*Ｃ相と略記する）を有す
るものであり、その代表例は次式に示すｐ−デシロキシ
ベンジリデン−ｐ' −アミノ−２−メチルブチルシンナ
メート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略記する）である。
B.Meyer)等によってその存在が初めて発表されたもので
（J.Physique ３６，Ｌ−６９（１９７５））、キラル
スメクチックＣ相（以下Ｓｍ*Ｃ相と略記する）を有す
るものであり、その代表例は次式に示すｐ−デシロキシ
ベンジリデン−ｐ' −アミノ−２−メチルブチルシンナ
メート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略記する）である。
【化３】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記ＤＯＢＡＭ
ＢＣやその後に提案されたいくつかの強誘電性液晶材料
の多くは強誘電性を示す温度範囲（Ｓｍ*Ｃ相が存在す
る温度範囲）が狭くしかもカイラルネマチック相のらせ
んピッチが短かく配向性が悪い為、単独では実用上使用
し難いものである。
ＢＣやその後に提案されたいくつかの強誘電性液晶材料
の多くは強誘電性を示す温度範囲（Ｓｍ*Ｃ相が存在す
る温度範囲）が狭くしかもカイラルネマチック相のらせ
んピッチが短かく配向性が悪い為、単独では実用上使用
し難いものである。
【０００６】従って一般には多種の強誘電性液晶を混合
し、Ｓｍ*Ｃ相を示す温度範囲を室温を中心に低温側及
び高温側に拡張する試みがなされている。また、カイラ
ルネマチック相のらせんピッチに関しては、らせんの巻
きの向きが互いに逆となるような強誘電性液晶を２種類
以上混合して、らせんピッチを補償する試みがなされて
いる。又、超高速応答が要求されるプリンターヘッド用
としては、従来開発されてきた強誘電性液晶よりさらに
大きな自発分極を有する強誘電性液晶が求められてい
る。
し、Ｓｍ*Ｃ相を示す温度範囲を室温を中心に低温側及
び高温側に拡張する試みがなされている。また、カイラ
ルネマチック相のらせんピッチに関しては、らせんの巻
きの向きが互いに逆となるような強誘電性液晶を２種類
以上混合して、らせんピッチを補償する試みがなされて
いる。又、超高速応答が要求されるプリンターヘッド用
としては、従来開発されてきた強誘電性液晶よりさらに
大きな自発分極を有する強誘電性液晶が求められてい
る。
【０００７】本発明の目的は化学的に安定で着色がな
く、光安定性にも優れ、液晶組成物に配合した時、該液
晶組成物が大きな自発分極を示し、かつカイラルネマチ
ック相のらせんピッチが長くなるような光学活性体及
び、これを配合してなる液晶組成物を提供することにあ
る。
く、光安定性にも優れ、液晶組成物に配合した時、該液
晶組成物が大きな自発分極を示し、かつカイラルネマチ
ック相のらせんピッチが長くなるような光学活性体及
び、これを配合してなる液晶組成物を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は化
１で示されるδ−バレロラクトン環を有する光学活性体
及びこれを１種類以上含有してなる液晶組成物にある。
１で示されるδ−バレロラクトン環を有する光学活性体
及びこれを１種類以上含有してなる液晶組成物にある。
【化１】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜１８の直鎖あるいは分岐鎖の
アルキル基、炭素数２〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のア
ルケニル基、アルコキシ部分の炭素数１〜３でアルキル
部分の炭素数１〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のアルコキ
シアルキル基、又はこれらの置換基のうち水素原子の１
つ以上がハロゲン置換されたものであって、光学活性基
を有しうる構造のものである場合はそれが光学活性基で
あってもよくラセミ体であってもよいものを示し、Ｒ2
は炭素数が４〜１８のアルキル基を示し、Ｘは単結合、
−Ｏ−、−ＣＯ2−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｙは単結
合、−ＣＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2Ｏ−又は−ＯＣＨ2−
を示し、Ａは
アルキル基、炭素数２〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のア
ルケニル基、アルコキシ部分の炭素数１〜３でアルキル
部分の炭素数１〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のアルコキ
シアルキル基、又はこれらの置換基のうち水素原子の１
つ以上がハロゲン置換されたものであって、光学活性基
を有しうる構造のものである場合はそれが光学活性基で
あってもよくラセミ体であってもよいものを示し、Ｒ2
は炭素数が４〜１８のアルキル基を示し、Ｘは単結合、
−Ｏ−、−ＣＯ2−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｙは単結
合、−ＣＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2Ｏ−又は−ＯＣＨ2−
を示し、Ａは
【化２】 を示し、Ｂ、Ｂ' 及びＢ" は各々水素、ハロゲン、シア
ノ基、メチル基、メトキシ基又はトリハロメチル基を示
し、Ｖは単結合、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＯ2
−又は−ＯＣＯ−を示し、＊はそれが付与された炭素が
不斉炭素であることを示す。）
ノ基、メチル基、メトキシ基又はトリハロメチル基を示
し、Ｖは単結合、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＯ2
−又は−ＯＣＯ−を示し、＊はそれが付与された炭素が
不斉炭素であることを示す。）
【０００９】本発明の光学活性体において化１のＲ1と
しては炭素数４〜１４の直鎖あるいは分岐鎖のアルキル
基、炭素数４〜１４の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニル
基、アルキル部分の炭素数４〜１４の直鎖あるいは分岐
鎖のアルコキシアルキル基を好ましいものと例示でき、
このような直鎖のアルキル基としては例えばｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ
−テトラデシル基などを例示でき、分岐鎖のアルキル基
としては −（ＣＨ2）aＣ（ＣＨ3）Ｈ（ＣＨ2）bＣＨ3 （ａは０〜１０の整数、ｂは１〜１１の整数を示し、１
≦ａ＋ｂ≦１１である。）のようなメチル分岐アルキル
基を例示でき、このようなメチル分岐アルキル基の場合
はこれが光学活性であるものもラセミ体であるものもい
ずれも好適に用いることができる。
しては炭素数４〜１４の直鎖あるいは分岐鎖のアルキル
基、炭素数４〜１４の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニル
基、アルキル部分の炭素数４〜１４の直鎖あるいは分岐
鎖のアルコキシアルキル基を好ましいものと例示でき、
このような直鎖のアルキル基としては例えばｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ
−テトラデシル基などを例示でき、分岐鎖のアルキル基
としては −（ＣＨ2）aＣ（ＣＨ3）Ｈ（ＣＨ2）bＣＨ3 （ａは０〜１０の整数、ｂは１〜１１の整数を示し、１
≦ａ＋ｂ≦１１である。）のようなメチル分岐アルキル
基を例示でき、このようなメチル分岐アルキル基の場合
はこれが光学活性であるものもラセミ体であるものもい
ずれも好適に用いることができる。
【００１０】直鎖のアルキル基でハロゲン置換さたもの
の例としては −（ＣＨ2）kＣ（Ｗ）Ｈ（ＣＨ2）iＣＨ3 （ここでＷはフッ素、塩素又は臭素原子を示し、ｋ及び
ｉは各々０〜１２の整数で、２≦ｋ＋ｉ≦１２であ
る。）を好ましいものとして例示でき、これが光学活性
基であることがより好ましい。分岐鎖のアルキル基でハ
ロゲン置換されたものの例としてはトリフルオロメチル
分岐を有するアルキル基〔−（ＣＨ2）aＣ（ＣＦ3）Ｈ
（ＣＨ2）bＣＨ3〕を例示でき、これも、光学活性基で
あることがより好ましい。（ａ、ｂは上述の意味を表わ
す。）
の例としては −（ＣＨ2）kＣ（Ｗ）Ｈ（ＣＨ2）iＣＨ3 （ここでＷはフッ素、塩素又は臭素原子を示し、ｋ及び
ｉは各々０〜１２の整数で、２≦ｋ＋ｉ≦１２であ
る。）を好ましいものとして例示でき、これが光学活性
基であることがより好ましい。分岐鎖のアルキル基でハ
ロゲン置換されたものの例としてはトリフルオロメチル
分岐を有するアルキル基〔−（ＣＨ2）aＣ（ＣＦ3）Ｈ
（ＣＨ2）bＣＨ3〕を例示でき、これも、光学活性基で
あることがより好ましい。（ａ、ｂは上述の意味を表わ
す。）
【００１１】直鎖のアルコキシアルキル基としては −（ＣＨ2）CＯＣjＨ2j+1 分岐鎖のアルコキシアルキル基としては −（ＣＨ2）kＣ（ＣＨ3）Ｈ（ＣＨ2）jＯＣjＨ2j+1 -(CH2）kＣ（ＯＣjＨ2j+1）Ｈ（ＣＨ2）iＣＨ3 （ｊは１〜３の整数、ｃは４〜１４の整数、ｋ、ｉは上
述の意味を表わす。）を例示でき、分岐鎖のアルコキシ
アルキル基の場合はラセミ混合物であっても光学活性基
であってもよい。
述の意味を表わす。）を例示でき、分岐鎖のアルコキシ
アルキル基の場合はラセミ混合物であっても光学活性基
であってもよい。
【００１２】Ｒ2としては化合物が低粘性で、かつ自発
分極を大きくする必要から炭素数４〜１２のアルキル基
であることが好ましい。Ａとしては
分極を大きくする必要から炭素数４〜１２のアルキル基
であることが好ましい。Ａとしては
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】 を好ましいものとして例示できる。
【００１３】本発明の光学活性体を配合してなる液晶性
組成物の応答速度を高める観点からは不斉炭素まわりの
ダイポールモーメントを大きくしたり回転障害を大きく
することが好ましいことから化１に於けるＹとしては単
結合、−Ｏ−又は−ＣＯ2−であることが好ましく、分
子の直線性、誘起双極子モーメントによる傾斜液晶相の
出易さの観点からは−ＣＯ2−、−Ｏ−、−ＯＣＨ2−又
は−ＣＨ2Ｏ−であることが好ましく、合成のし易さの
観点からは単結合、−ＣＯ2−、−Ｏ−又は−ＣＨ2Ｏ−
であることが好ましい。
組成物の応答速度を高める観点からは不斉炭素まわりの
ダイポールモーメントを大きくしたり回転障害を大きく
することが好ましいことから化１に於けるＹとしては単
結合、−Ｏ−又は−ＣＯ2−であることが好ましく、分
子の直線性、誘起双極子モーメントによる傾斜液晶相の
出易さの観点からは−ＣＯ2−、−Ｏ−、−ＯＣＨ2−又
は−ＣＨ2Ｏ−であることが好ましく、合成のし易さの
観点からは単結合、−ＣＯ2−、−Ｏ−又は−ＣＨ2Ｏ−
であることが好ましい。
【００１４】又、Ｘは合成のし易さという観点からは単
結合、−Ｏ−、−ＣＯ2−又は−ＯＣＯ−であることが
好ましく、Ｖとしてはダイポールモーメントの大きさ、
回転障害、誘起双極子モーメントによる傾斜液晶相の出
易さ及び合成のし易さなどの観点から−ＣＯ2−、−Ｏ
ＣＯ−、−ＯＣＨ2−又は−ＣＨ2Ｏ−であることが好ま
しい。
結合、−Ｏ−、−ＣＯ2−又は−ＯＣＯ−であることが
好ましく、Ｖとしてはダイポールモーメントの大きさ、
回転障害、誘起双極子モーメントによる傾斜液晶相の出
易さ及び合成のし易さなどの観点から−ＣＯ2−、−Ｏ
ＣＯ−、−ＯＣＨ2−又は−ＣＨ2Ｏ−であることが好ま
しい。
【００１５】化１の化合物は下記の方法で製造できる。 ・Ｙが−ＣＯ2−の場合
【化１１】
【００１６】化１の化合物は下記の方法でも合成でき
る。
る。
【化１２】
【００１７】・Ｙが−Ｏ−の場合
【化１３】
【００１８】・Ｙが−ＯＣＨ2−の場合
【化１４】
【００１９】強誘電性液晶あるいは強誘電性液晶への配
合材料としての分子に自発分極あるいは潜在的な自発分
極を発現させるのに最も大きく寄与すると考えられてい
るものは不斉炭素の回りの回転が規制された大きな永久
双極子モーメントであると考えられている。
合材料としての分子に自発分極あるいは潜在的な自発分
極を発現させるのに最も大きく寄与すると考えられてい
るものは不斉炭素の回りの回転が規制された大きな永久
双極子モーメントであると考えられている。
【００２０】本発明の化１で示される光学活性体はδ−
バレロラクトン環で固定された不斉炭素を有しており、
これはメソーゲンの一部ともみなし得る。
バレロラクトン環で固定された不斉炭素を有しており、
これはメソーゲンの一部ともみなし得る。
【００２１】δ−バレロラクトン環の場合、無置換では
疑似ボート型と疑似チェア型のコンホメーションの間の
エネルギー差は０．５４ｋｃａｌ／ｍｏｌで低く、容易
にコンホメーション変化をするものといわれている。
（T.Philip, N.L.Allinger, J.Am.Chem.Soc., １０３
２１５１， １９８１）
疑似ボート型と疑似チェア型のコンホメーションの間の
エネルギー差は０．５４ｋｃａｌ／ｍｏｌで低く、容易
にコンホメーション変化をするものといわれている。
（T.Philip, N.L.Allinger, J.Am.Chem.Soc., １０３
２１５１， １９８１）
【００２２】しかし、δ−バレロラクトンの２位と５位
に置換基を導入すると、置換基がｃｉｓ配置では疑似ボ
ート型をとり易く、ｔｒａｎｓ配置では疑似チェア型を
とり易くなっているものと推定される。 この時、疑似
チェア型ではラクトン結合がより平面に近くなっている
のでより大きなダイポールモーメントが期待されるが、
ｔｒａｎｓ配置では分子長軸回りの回転に対して非対称
性を与えないのであまり大きな自発分極は期待できな
い。ところが、化１で示されるような２，５，５−置換
δ−バレロラクトンとすると５，５位の置換基の相互作
用によってδ−バレロラクトン環はより平面構造をとり
易く、従って平衡は疑似ボート型から疑似チェア型へ大
きく移行しているものと考えられる。
に置換基を導入すると、置換基がｃｉｓ配置では疑似ボ
ート型をとり易く、ｔｒａｎｓ配置では疑似チェア型を
とり易くなっているものと推定される。 この時、疑似
チェア型ではラクトン結合がより平面に近くなっている
のでより大きなダイポールモーメントが期待されるが、
ｔｒａｎｓ配置では分子長軸回りの回転に対して非対称
性を与えないのであまり大きな自発分極は期待できな
い。ところが、化１で示されるような２，５，５−置換
δ−バレロラクトンとすると５，５位の置換基の相互作
用によってδ−バレロラクトン環はより平面構造をとり
易く、従って平衡は疑似ボート型から疑似チェア型へ大
きく移行しているものと考えられる。
【００２３】更に５，５−ジ置換とすることにより分子
長軸回りの回転に対し一方の置換基がより立体障害の大
きなアキシャル位に存在するので大きな非対称効果が生
じ、結果として大きな自発分極が生ずる。言い換える
と、本発明においては５，５−ジ置換ラクトンを用いる
ことによりコンホメーションを固定させながら融点が低
く、自発分極の大きな強誘電性液晶用光学活性体とする
ことができるという優れた特徴を有する。
長軸回りの回転に対し一方の置換基がより立体障害の大
きなアキシャル位に存在するので大きな非対称効果が生
じ、結果として大きな自発分極が生ずる。言い換える
と、本発明においては５，５−ジ置換ラクトンを用いる
ことによりコンホメーションを固定させながら融点が低
く、自発分極の大きな強誘電性液晶用光学活性体とする
ことができるという優れた特徴を有する。
【００２４】本発明の光学活性体の中には液晶相を示す
ものと、それ自身では液晶相を示さないものとがある。
それ自身では液晶相を示さないものでも、等方相−ネマ
チック相−スメクチックＡ相−スメクチックＣ相あるい
は等方相−ネマチック相−スメクチックＣ相の相系列を
示す非カイラル液晶または液晶組成物に、液晶性を破壊
しない範囲で０．１〜９０ｍｏｌ％添加することによっ
て強誘電相（カイラルスメクチックＣ相）を誘起する性
質を有する。従って、それ自身では液晶相を示さないも
のでも強誘電性液晶組成物の添加剤として有用である。
ものと、それ自身では液晶相を示さないものとがある。
それ自身では液晶相を示さないものでも、等方相−ネマ
チック相−スメクチックＡ相−スメクチックＣ相あるい
は等方相−ネマチック相−スメクチックＣ相の相系列を
示す非カイラル液晶または液晶組成物に、液晶性を破壊
しない範囲で０．１〜９０ｍｏｌ％添加することによっ
て強誘電相（カイラルスメクチックＣ相）を誘起する性
質を有する。従って、それ自身では液晶相を示さないも
のでも強誘電性液晶組成物の添加剤として有用である。
【００２５】液晶としては、例えば液晶をディスプレイ
等の表示デバイスに用いる場合、単一の液晶化合物のみ
を使用するより、複数の液晶化合物あるいはこれらと配
合用化合物とを混合して用いる方が、使用温度範囲（強
誘電性を示す温度範囲）、チルト角、らせんピッチ、自
発分極値、回転粘性などの物性値を変えることができる
ので有利である。
等の表示デバイスに用いる場合、単一の液晶化合物のみ
を使用するより、複数の液晶化合物あるいはこれらと配
合用化合物とを混合して用いる方が、使用温度範囲（強
誘電性を示す温度範囲）、チルト角、らせんピッチ、自
発分極値、回転粘性などの物性値を変えることができる
ので有利である。
【００２６】本発明の液晶組成物としては化１で表わさ
れる光学活性体を１種類以上含有していればよく、これ
と混合できるものとしては強誘電性を示す化合物あるい
は組成物、上記の非カイラル液晶または液晶組成物等を
含んでもよく、液晶組成物として化１で表わされる光学
活性体と混合し得る好ましい化合物として下記のものを
例示できる。
れる光学活性体を１種類以上含有していればよく、これ
と混合できるものとしては強誘電性を示す化合物あるい
は組成物、上記の非カイラル液晶または液晶組成物等を
含んでもよく、液晶組成物として化１で表わされる光学
活性体と混合し得る好ましい化合物として下記のものを
例示できる。
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【００２７】
【実施例】以下に本発明を実施例を用いて更に詳しく説
明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００２８】［参考例１］（Ｓ）−γ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチ
ルエステルの合成 （Ｓ）−γ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸はD.L.Co
ffenらの方法（J.Org.Chem., １９８８，５３，ｐ４７
８０−４７８６）に従って合成した。即ち、５００ｍｌ
の水にＬ−グルタミン酸１４７ｇを懸濁させて激しく撹
拌しながら、これに亜硝酸ナトリウム１０４ｇを水１４
４ｍｌに溶かした溶液と、５．６Ｎ塩酸２５０ｍｌとを
同時に５時間以上かけて滴下した。滴下中、反応温度は
１５〜２０℃に保った。
ルエステルの合成 （Ｓ）−γ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸はD.L.Co
ffenらの方法（J.Org.Chem., １９８８，５３，ｐ４７
８０−４７８６）に従って合成した。即ち、５００ｍｌ
の水にＬ−グルタミン酸１４７ｇを懸濁させて激しく撹
拌しながら、これに亜硝酸ナトリウム１０４ｇを水１４
４ｍｌに溶かした溶液と、５．６Ｎ塩酸２５０ｍｌとを
同時に５時間以上かけて滴下した。滴下中、反応温度は
１５〜２０℃に保った。
【００２９】滴下終了後、室温で一晩撹拌した後、４０
℃を越えないように保ちながら減圧で水を留去し、酢酸
エチルを加え、硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを
濾過して濾液に酸型イオン交換樹脂（アンバーライトＩ
Ｒ−１２０Ｂ）２０ｇを加えて残留するグルタミン酸を
除去した。次いで、この混合物を濾過し、濾液から溶媒
を減圧で留去し、更に残留した水をベンゼンと共沸させ
て除去した。
℃を越えないように保ちながら減圧で水を留去し、酢酸
エチルを加え、硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを
濾過して濾液に酸型イオン交換樹脂（アンバーライトＩ
Ｒ−１２０Ｂ）２０ｇを加えて残留するグルタミン酸を
除去した。次いで、この混合物を濾過し、濾液から溶媒
を減圧で留去し、更に残留した水をベンゼンと共沸させ
て除去した。
【００３０】これに塩化メチレンを加え、冷蔵庫内で結
晶化させ、７４ｇの（Ｓ）−γ−ブチロラクトン−γ−
カルボン酸を得た。これをエーテル２００ｍｌに懸濁
し、酸型イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲ−１２０
Ｂ）２５ｇを加え、−２０℃に冷却し、イソブチレン６
０ｍｌ（１．２当量）を加え、０℃で４時間撹拌、反応
させた。反応後、固形物を濾過して濾液からイソブチレ
ンとエーテルとを留去した後、減圧蒸留して（Ｓ）−γ
−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエステル
を得た。（１２０〜１２３℃／４ｍｍＨｇ、〔α〕
D（２３．５℃）＝＋４．８１（Ｃ＝０．９３５、ＣＨ
Ｃｌ3））
晶化させ、７４ｇの（Ｓ）−γ−ブチロラクトン−γ−
カルボン酸を得た。これをエーテル２００ｍｌに懸濁
し、酸型イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲ−１２０
Ｂ）２５ｇを加え、−２０℃に冷却し、イソブチレン６
０ｍｌ（１．２当量）を加え、０℃で４時間撹拌、反応
させた。反応後、固形物を濾過して濾液からイソブチレ
ンとエーテルとを留去した後、減圧蒸留して（Ｓ）−γ
−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエステル
を得た。（１２０〜１２３℃／４ｍｍＨｇ、〔α〕
D（２３．５℃）＝＋４．８１（Ｃ＝０．９３５、ＣＨ
Ｃｌ3））
【００３１】［実施例１］（Ｓ）−２−（４’−オクチルオキシビフェニル−４−
カルボキシ）−５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクト
ンの合成 （Ｓ）−γ−ブチロラクトンカルボン酸ｔ−ブチルエス
テル５ｇ（２７ｍｍｏｌ）を乾燥ジエチルエーテル１０
０ｍｌに溶解し、アルゴン置換し、ドライアイスアセト
ン浴で冷却し、この中に２モルのヘキシルマグネシウム
ブロミドエーテル溶液３０ｍｌ（２．１当量）をゆっく
り滴下し、滴下終了後同じ温度で２時間撹拌して反応さ
せた。次いで、飽和塩化アンモニウム溶液をゆっくり滴
下した後、ジエチルエーテルで抽出し抽出液を希塩酸、
次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。乾燥後の溶液から溶媒を留去し、残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製して２．２５ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−ヘキシル−ウンデ
カンｔ−ブチルエステルを得た。
カルボキシ）−５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクト
ンの合成 （Ｓ）−γ−ブチロラクトンカルボン酸ｔ−ブチルエス
テル５ｇ（２７ｍｍｏｌ）を乾燥ジエチルエーテル１０
０ｍｌに溶解し、アルゴン置換し、ドライアイスアセト
ン浴で冷却し、この中に２モルのヘキシルマグネシウム
ブロミドエーテル溶液３０ｍｌ（２．１当量）をゆっく
り滴下し、滴下終了後同じ温度で２時間撹拌して反応さ
せた。次いで、飽和塩化アンモニウム溶液をゆっくり滴
下した後、ジエチルエーテルで抽出し抽出液を希塩酸、
次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。乾燥後の溶液から溶媒を留去し、残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製して２．２５ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−ヘキシル−ウンデ
カンｔ−ブチルエステルを得た。
【００３２】これをベンゼン５０ｍｌに溶解し、ｐ−ト
ルエンスルホン酸を加え、５時間還流し、得られた反応
生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して、０．９
ｇの（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−δ−
バレロラクトンを得た。
ルエンスルホン酸を加え、５時間還流し、得られた反応
生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して、０．９
ｇの（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−δ−
バレロラクトンを得た。
【００３３】この０．１ｇと４’−オクチルオキシビフ
ェニル−４−カルボン酸０．２ｇとを塩化メチレンに溶
解し、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）０．
２ｇ、ジメチルアミノピリジン０．０５ｇを加え、室温
で一夜反応させた。濾過後の反応液を濃縮し、カラムク
ロマトグラフィーで精製して０．１３ｇの（Ｓ）−２−
（４’−オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）
−５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクトンを得た。こ
のものの融点は８３℃であった。 1Ｈ−ＮＭＲ＝８．１
０（２Ｈ，ｄ）、７．５９（４Ｈ，ｑ）、６．９５（２
Ｈ，ｄ）、５．４６（１Ｈ，ｔ）、４．０（２Ｈ，
ｔ）、１．１〜２．４（３６Ｈ，ｍ）、０．９０（９
Ｈ，ｔ）
ェニル−４−カルボン酸０．２ｇとを塩化メチレンに溶
解し、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）０．
２ｇ、ジメチルアミノピリジン０．０５ｇを加え、室温
で一夜反応させた。濾過後の反応液を濃縮し、カラムク
ロマトグラフィーで精製して０．１３ｇの（Ｓ）−２−
（４’−オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）
−５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクトンを得た。こ
のものの融点は８３℃であった。 1Ｈ−ＮＭＲ＝８．１
０（２Ｈ，ｄ）、７．５９（４Ｈ，ｑ）、６．９５（２
Ｈ，ｄ）、５．４６（１Ｈ，ｔ）、４．０（２Ｈ，
ｔ）、１．１〜２．４（３６Ｈ，ｍ）、０．９０（９
Ｈ，ｔ）
【００３４】デシルブロミドの代わりにｎ＝４〜５のア
ルキルブロミドあるいはｎ＝７〜１８のアルキルブロミ
ドとマグネシウムを用いてグリニア試薬を作成し、上記
と同様にすることにより、化１で示される化合物の中、
Ｒ2のｎ＝４〜５又はｎ＝７〜１８である誘導体を合成
できる。
ルキルブロミドあるいはｎ＝７〜１８のアルキルブロミ
ドとマグネシウムを用いてグリニア試薬を作成し、上記
と同様にすることにより、化１で示される化合物の中、
Ｒ2のｎ＝４〜５又はｎ＝７〜１８である誘導体を合成
できる。
【００３５】又、４’−オクチルオキシビフェニル−４
−カルボン酸の代わりに炭素数１〜７あるいは９〜１８
の直鎖アルコキシビフェニル−４−カルボン酸、炭素数
３〜１８の分岐アルコキシビフェニル−４−カルボン
酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数１〜１
８のアルコキシアルキルオキシビフェニル−４−カルボ
ン酸、炭素数２〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニ
ルオキシビフェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８
の直鎖又は分岐鎖のアルキルビフェニル−４−カルボン
酸、炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルケニルビフ
ェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基
を有する炭素数１〜１８のアルコキシアルキルビフェニ
ル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖
のアルコキシカルボニルビフェニル−４−カルボン酸、
炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルケニルオキシカ
ルボニルビフェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜３の
アルコキシ基を有する炭素数１〜１８のアルコキシアル
キルオキシカルボニルビフェニル−４−カルボン酸、炭
素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルキルカルボニルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１８の直
鎖又は分岐鎖のアルケニルカルボニルオキシビフェニル
−４−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有す
る炭素数１〜１８のアルコキシアルキルカルボニルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換アルコキ
シビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換アルキル
ビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換アルコキシ
カルボニルビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換
アルキルカルボニルオキシビフェニル−４−カルボン
酸、ハロゲン置換アルケニルオキシビフェニル−４−カ
ルボン酸あるいは、ハロゲン置換アルコキシアルキルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸を用いて上記と同様に
することにより化１で示される化合物の中Ｒ1 が直鎖あ
るいは分岐鎖のアルキル基あるいはアルケニル基、炭素
数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数１〜１８のアル
コキシアルキル基又はこれらの中ハロゲン置換されたも
のであって、Ｘがエーテル結合、単結合、カルボニルオ
キシ基あるいはオキシカルボニル基であってＡがビフェ
ニルでＹがカルボニルオキシ基である誘導体を合成でき
る。
−カルボン酸の代わりに炭素数１〜７あるいは９〜１８
の直鎖アルコキシビフェニル−４−カルボン酸、炭素数
３〜１８の分岐アルコキシビフェニル−４−カルボン
酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数１〜１
８のアルコキシアルキルオキシビフェニル−４−カルボ
ン酸、炭素数２〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニ
ルオキシビフェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８
の直鎖又は分岐鎖のアルキルビフェニル−４−カルボン
酸、炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルケニルビフ
ェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基
を有する炭素数１〜１８のアルコキシアルキルビフェニ
ル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖
のアルコキシカルボニルビフェニル−４−カルボン酸、
炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルケニルオキシカ
ルボニルビフェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜３の
アルコキシ基を有する炭素数１〜１８のアルコキシアル
キルオキシカルボニルビフェニル−４−カルボン酸、炭
素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルキルカルボニルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１８の直
鎖又は分岐鎖のアルケニルカルボニルオキシビフェニル
−４−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有す
る炭素数１〜１８のアルコキシアルキルカルボニルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換アルコキ
シビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換アルキル
ビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換アルコキシ
カルボニルビフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン置換
アルキルカルボニルオキシビフェニル−４−カルボン
酸、ハロゲン置換アルケニルオキシビフェニル−４−カ
ルボン酸あるいは、ハロゲン置換アルコキシアルキルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸を用いて上記と同様に
することにより化１で示される化合物の中Ｒ1 が直鎖あ
るいは分岐鎖のアルキル基あるいはアルケニル基、炭素
数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数１〜１８のアル
コキシアルキル基又はこれらの中ハロゲン置換されたも
のであって、Ｘがエーテル結合、単結合、カルボニルオ
キシ基あるいはオキシカルボニル基であってＡがビフェ
ニルでＹがカルボニルオキシ基である誘導体を合成でき
る。
【００３６】又、４’−オクチルオキシビフェニル−４
−カルボン酸の代わりに炭素数１〜１８の直鎖又は分岐
鎖のアルコキシフェニルオキシメチルフェニル−４−カ
ルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数
１〜１８のアルコキシアルキルオキシフェニルオキシメ
チルフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１８の直鎖
あるいは分岐鎖のアルケニルオキシフェニルオキシメチ
ルフェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８の直鎖又
は分岐鎖のアルキルフェニルオキシメチルフェニル−４
−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭
素数１〜１８のアルコキシアルキルフェニルオキシメチ
ルフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１８の直鎖あ
るいは分岐鎖のアルケニルフェニルオキシメチルフェニ
ル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖
のアルコキシカルボニルフェニルオキシメチルフェニル
−４−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有す
る炭素数１〜１８のアルコキシアルキルオキシカルボニ
ルフェニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸、炭
素数２〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニルオキシ
カルボニルフェニルオキシメチルフェニル−４−カルボ
ン酸、炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルキルカル
ボニルオキシフェニルオキシメチルフェニル−４−カル
ボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数１
〜１８のアルコキシアルキルカルボニルオキシフェニル
オキシメチルフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１
８の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニルカルボニルオキシ
フェニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸、ハロ
ゲン置換アルコキシフェニルオキシメチルフェニル−４
−カルボン酸、ハロゲン置換アルコキシカルボニルフェ
ニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン
置換アルケニルオキシフェニルオキシメチルフェニル−
４−カルボン酸あるいは、ハロゲン置換アルコキシアル
キルオキシフェニルオキシメチルフェニル−４−カルボ
ン酸を用いて上記と同様にすることにより化１で示され
る化合物の中Ａがフェニルオキシメチルフェニルである
誘導体を合成できる。
−カルボン酸の代わりに炭素数１〜１８の直鎖又は分岐
鎖のアルコキシフェニルオキシメチルフェニル−４−カ
ルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数
１〜１８のアルコキシアルキルオキシフェニルオキシメ
チルフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１８の直鎖
あるいは分岐鎖のアルケニルオキシフェニルオキシメチ
ルフェニル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８の直鎖又
は分岐鎖のアルキルフェニルオキシメチルフェニル−４
−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭
素数１〜１８のアルコキシアルキルフェニルオキシメチ
ルフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１８の直鎖あ
るいは分岐鎖のアルケニルフェニルオキシメチルフェニ
ル−４−カルボン酸、炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖
のアルコキシカルボニルフェニルオキシメチルフェニル
−４−カルボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有す
る炭素数１〜１８のアルコキシアルキルオキシカルボニ
ルフェニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸、炭
素数２〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニルオキシ
カルボニルフェニルオキシメチルフェニル−４−カルボ
ン酸、炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルキルカル
ボニルオキシフェニルオキシメチルフェニル−４−カル
ボン酸、炭素数１〜３のアルコキシ基を有する炭素数１
〜１８のアルコキシアルキルカルボニルオキシフェニル
オキシメチルフェニル−４−カルボン酸、炭素数２〜１
８の直鎖あるいは分岐鎖のアルケニルカルボニルオキシ
フェニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸、ハロ
ゲン置換アルコキシフェニルオキシメチルフェニル−４
−カルボン酸、ハロゲン置換アルコキシカルボニルフェ
ニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸、ハロゲン
置換アルケニルオキシフェニルオキシメチルフェニル−
４−カルボン酸あるいは、ハロゲン置換アルコキシアル
キルオキシフェニルオキシメチルフェニル−４−カルボ
ン酸を用いて上記と同様にすることにより化１で示され
る化合物の中Ａがフェニルオキシメチルフェニルである
誘導体を合成できる。
【００３７】さらに、４’−オクチルオキシビフェニル
−４−カルボン酸の代わりに用いるものとして上述のフ
ェニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸誘導体の
代わりに同様のベンジルオキシフェニル−４−カルボン
酸誘導体、フェニルカルボニルオキシフェニル−４−カ
ルボン酸誘導体あるいはフェニルオキシカルボニルフェ
ニル−４−カルボン酸誘導体を用いると化１で示される
化合物の中Ａがベンジルオキシフェニル、フェニルカル
ボニルオキシフェニルあるいはフェニルオキシカルボニ
ルフェニルであるものを合成できる。
−４−カルボン酸の代わりに用いるものとして上述のフ
ェニルオキシメチルフェニル−４−カルボン酸誘導体の
代わりに同様のベンジルオキシフェニル−４−カルボン
酸誘導体、フェニルカルボニルオキシフェニル−４−カ
ルボン酸誘導体あるいはフェニルオキシカルボニルフェ
ニル−４−カルボン酸誘導体を用いると化１で示される
化合物の中Ａがベンジルオキシフェニル、フェニルカル
ボニルオキシフェニルあるいはフェニルオキシカルボニ
ルフェニルであるものを合成できる。
【００３８】同様に、カルボン酸誘導体の代わりに同様
のアルコール誘導体を用いると化１でＹがエーテル結合
であるものを合成できる。
のアルコール誘導体を用いると化１でＹがエーテル結合
であるものを合成できる。
【００３９】［実施例２］（Ｓ）−２−（４’−オクチルオキシビフェニル−４−
カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン
の合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと１５．０ｇのデシルブロミドからグリニア試薬を
調製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）
−δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエス
テル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液に
これを添加した以外は実施例２と同様にして２．３ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−デシルペンタデカ
ンｔ−ブチルエステルを得た。
カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン
の合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと１５．０ｇのデシルブロミドからグリニア試薬を
調製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）
−δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエス
テル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液に
これを添加した以外は実施例２と同様にして２．３ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−デシルペンタデカ
ンｔ−ブチルエステルを得た。
【００４０】これをベンゼン１５０ｍｌに溶解し、ｐ−
トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間還流し、反
応生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して（Ｓ）
−２−ヒドロキシ−５，５−ジエチル−δ−バレロラク
トン１ｇを得た。この０．１ｇを用いた以外は実施例２
と同様にして０．１ｇの（Ｓ）−２−（４’−オクチル
オキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジエチ
ル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融点は６
６．２℃であった。 1Ｈ−ＮＭＲ＝８．１０（２Ｈ，
ｄ）、７．５６（４Ｈ，ｑ）、６．９５（２Ｈ，ｄ）、
５．４５（１Ｈ，ｔ）、４．０（２Ｈ，ｔ）、１．１〜
２．４（５２Ｈ，ｍ）、０．９０（９Ｈ，ｔ）
トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間還流し、反
応生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して（Ｓ）
−２−ヒドロキシ−５，５−ジエチル−δ−バレロラク
トン１ｇを得た。この０．１ｇを用いた以外は実施例２
と同様にして０．１ｇの（Ｓ）−２−（４’−オクチル
オキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジエチ
ル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融点は６
６．２℃であった。 1Ｈ−ＮＭＲ＝８．１０（２Ｈ，
ｄ）、７．５６（４Ｈ，ｑ）、６．９５（２Ｈ，ｄ）、
５．４５（１Ｈ，ｔ）、４．０（２Ｈ，ｔ）、１．１〜
２．４（５２Ｈ，ｍ）、０．９０（９Ｈ，ｔ）
【００４１】［実施例３］下記の化合物を下記の配合比
で混合して液晶組成物を得た。
で混合して液晶組成物を得た。
【化２３】
【００４２】この組成物は下記の相転移を示す。
【数１】
【００４３】上記において、Ｃｒｙｓｔは結晶、ＳｍＣ
はスメクチックＣ相、ＳｍＡはスメクチックＡ相、Ｎは
ネマチック相、Ｉｓｏは等方相を示し、矢印近傍の数字
はその相への転移温度（℃）を示す。この液晶組成物は
非カイラル化合物のみからなるので強誘電性液晶ではな
く、自発分極を示さない。
はスメクチックＣ相、ＳｍＡはスメクチックＡ相、Ｎは
ネマチック相、Ｉｓｏは等方相を示し、矢印近傍の数字
はその相への転移温度（℃）を示す。この液晶組成物は
非カイラル化合物のみからなるので強誘電性液晶ではな
く、自発分極を示さない。
【００４４】この組成物９８ｍｏｌ％と実施例１で得た
光学活性体２ｍｏｌ％とを混合して強誘電性液晶組成物
を得た。この強誘電性液晶組成物は０℃近傍から５１℃
までの温度範囲でＳｍ*Ｃ相を示し、５１〜６２℃でＳ
ｍＡ相、６２〜６５℃でカイラルネマチック相、それ以
上で等方性の液体となった。
光学活性体２ｍｏｌ％とを混合して強誘電性液晶組成物
を得た。この強誘電性液晶組成物は０℃近傍から５１℃
までの温度範囲でＳｍ*Ｃ相を示し、５１〜６２℃でＳ
ｍＡ相、６２〜６５℃でカイラルネマチック相、それ以
上で等方性の液体となった。
【００４５】別途、配向処理剤としてポリイミドを塗布
し、表面をラビング処理して平行配向処理した透明電極
を備えた２μｍのセルを準備し、これにこの強誘電性液
晶組成物を注入し、強誘電性液晶素子を得た。この素子
を２枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加し
た。±２０Ｖの印加によって透過光の強度が変化するの
が認められ、その透過光強度が０％から５０％まで変化
する時間（応答時間）を求めたところ７０μｓ（２５℃
で測定）であった。
し、表面をラビング処理して平行配向処理した透明電極
を備えた２μｍのセルを準備し、これにこの強誘電性液
晶組成物を注入し、強誘電性液晶素子を得た。この素子
を２枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加し
た。±２０Ｖの印加によって透過光の強度が変化するの
が認められ、その透過光強度が０％から５０％まで変化
する時間（応答時間）を求めたところ７０μｓ（２５℃
で測定）であった。
【００４６】また、応答時間測定と同様な処理を施した
８μｍのセルにこの液晶組成物を入れ、三角波法によ
り、２５℃における自発分極値を測定したところ１０．
３ｎＣ／ｃｍ2であった。
８μｍのセルにこの液晶組成物を入れ、三角波法によ
り、２５℃における自発分極値を測定したところ１０．
３ｎＣ／ｃｍ2であった。
【００４７】さらにくさび形セルを用いてCano-Wedge法
でこの液晶組成物のカイラルネマチック相のらせんピッ
チを測定したところ、ＳｍＡ相への転移近傍の６３℃で
は、測定不能（＞３００μｍ）な程長くなった。
でこの液晶組成物のカイラルネマチック相のらせんピッ
チを測定したところ、ＳｍＡ相への転移近傍の６３℃で
は、測定不能（＞３００μｍ）な程長くなった。
【００４８】［実施例４］実施例１及び２で得た下記の
化合物を以下に示す非カイラル化合物からなる液晶組成
物中に各々２ｍｏｌ％添加した。 ・化合物１
化合物を以下に示す非カイラル化合物からなる液晶組成
物中に各々２ｍｏｌ％添加した。 ・化合物１
【化２４】 （実施例１で得られた化合物） ・化合物２
【化２５】 （実施例２で得られた化合物）
【化２６】
【００４９】上記の非カイラル化合物からなる液晶組成
物は下記の相転移を示す。
物は下記の相転移を示す。
【数２】 化合物１及び２を上記非カイラル液晶組成物に各々２ｍ
ｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極及び
カイラルネマチック相のらせんピッチを表１に示す。
ｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極及び
カイラルネマチック相のらせんピッチを表１に示す。
【表１】
【発明の効果】以上述べたように本発明の光学活性体は
非強誘電性の液晶組成物に混合して強誘電性液晶組成物
とするための添加剤として、あるいは強誘電性液晶組成
物への配合成分として用いると組成物としての自発分極
を高め、応答速度の改善に効果がある。また十分に大き
な自発分極を誘起するにもかかわらず、カイラルネマチ
ック相のらせんピッチが極めて長いので、従来の組成物
調合に要していたカイラルネマチック相のらせんピッチ
の補償がまったく不必要となる。また添加、配合に当た
って組成物を着色させることもなく、組成物の化学的あ
るいは光に対する安定性を低下させることがないという
優れた性質を示すものであり、本発明の液晶組成物も上
記に述べたように優れた性能の組成物となる。
非強誘電性の液晶組成物に混合して強誘電性液晶組成物
とするための添加剤として、あるいは強誘電性液晶組成
物への配合成分として用いると組成物としての自発分極
を高め、応答速度の改善に効果がある。また十分に大き
な自発分極を誘起するにもかかわらず、カイラルネマチ
ック相のらせんピッチが極めて長いので、従来の組成物
調合に要していたカイラルネマチック相のらせんピッチ
の補償がまったく不必要となる。また添加、配合に当た
って組成物を着色させることもなく、組成物の化学的あ
るいは光に対する安定性を低下させることがないという
優れた性質を示すものであり、本発明の液晶組成物も上
記に述べたように優れた性能の組成物となる。
【手続補正書】
【提出日】平成３年８月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】 上記の非カイラル化合物からなる液晶組
成物は下記の相転移を示す。
成物は下記の相転移を示す。
【数２】 化合物１及び２を上記非カイラル液晶組成物に各々２ｍ
ｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極及び
カイラルネマチック相のらせんピッチを表１に示す。
ｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極及び
カイラルネマチック相のらせんピッチを表１に示す。
【表１】 ［実施例５］実施例１で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクトン０．１ｇと、
４−（３’−フルオロ−４’−オクチルオキシビフェニ
ル）−カルボン酸０．２４ｇとを実施例１と同様にして
反応させ、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して
０．０５ｇの（Ｓ）−２−（３’−フルオロ−４’−オ
クチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−
ジヘキシル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は４６℃であった。 ［実施例６］実施例２で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カルボン酸
０．０３ｇとを実施例１と同様にして反応させ、シリカ
ゲルクロマトグラフィーで精製して０．０３ｇの（Ｓ）
−２−（４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カル
ボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトンを得
た。このものの融点は５６℃であった。 ［実施例７］４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−
カルボン酸の代わりに０．０２ｇの４’−ヘキシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸を用いた以外は実施例６
と同様にして、（Ｓ）−２−（４’−ヘキシルオキシビ
フェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−
バレロラクトン０．０２ｇを得た。このものの融点は６
９℃であった。 ［実施例８］（Ｓ）−２−（４’−オクチルオキシビフ
ェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジブチル−δ−バ
レロラクトンの合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと９．２ｇのブチルブロミドからグリニヤ試薬を調
製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）−
δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエステ
ル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液にこ
れを添加した以外は実施例１と同様にして１．５ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−ブチルデカンｔ−
ブチルエステルを得た。これをベンゼン１５０ｍｌに溶
解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間
還流し、反応生成物をカラムクロマトグラフィ−で精製
して（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジブチル−δ−
バレロラクトン０．８ｇを得た。この０．１ｇと４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボン酸０．２ｇと
を実施例１と同様にして反応させ、シリカゲルクロマト
グラフィ−で精製して０．２ｇの（Ｓ）−２−（４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５
−ジブチル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は７８℃であった。 ［実施例９］実施例８で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフタレン−２−カ
ルボン酸０．０４ｇとを実施例８と同様にして反応さ
せ、シリカゲルクロマトグラフィー精製して０．０３ｇ
の（Ｓ）−２−［６−（７−オクテン−１−オキシ）ナ
フトイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクト
ンを得た。この化合物は室温で油状であった。 ［実施例１０］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０３ｇの４−
（１−メチルヘプトキシ）安息香酸を用いた以外は実施
例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−（１−メチルヘ
プトキシ）フェニルカルボキシ］−５，５−ジブチル−
δ−バレロラクトン０．０３ｇを得た。この化合物は室
温で油状であった。 ［実施例１１］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキシ）安息
香酸を用いた以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２
−［４−（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキ
シ）ベンゾイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロ
ラクトン０．０４ｇを得た。このものの融点は７９℃で
あった。 ［実施例１２］６−（７−オクテン−１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（４−オクチロキシフェノキシメチル）安息香酸を用い
た以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−
（４−オクチルオキシフェノキシメチル）ベンゾイロキ
シ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０４
ｇを得た。このものの融点は９３℃であった。 ［実施例１３］実施例５〜１２で得た下記の化合物を化
２６に示す非カイラル化合物からなる液晶組成物中に各
々２ｍｏｌ％添加した。 ・化合物３
５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクトン０．１ｇと、
４−（３’−フルオロ−４’−オクチルオキシビフェニ
ル）−カルボン酸０．２４ｇとを実施例１と同様にして
反応させ、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して
０．０５ｇの（Ｓ）−２−（３’−フルオロ−４’−オ
クチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−
ジヘキシル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は４６℃であった。 ［実施例６］実施例２で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カルボン酸
０．０３ｇとを実施例１と同様にして反応させ、シリカ
ゲルクロマトグラフィーで精製して０．０３ｇの（Ｓ）
−２−（４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カル
ボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトンを得
た。このものの融点は５６℃であった。 ［実施例７］４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−
カルボン酸の代わりに０．０２ｇの４’−ヘキシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸を用いた以外は実施例６
と同様にして、（Ｓ）−２−（４’−ヘキシルオキシビ
フェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−
バレロラクトン０．０２ｇを得た。このものの融点は６
９℃であった。 ［実施例８］（Ｓ）−２−（４’−オクチルオキシビフ
ェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジブチル−δ−バ
レロラクトンの合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと９．２ｇのブチルブロミドからグリニヤ試薬を調
製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）−
δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエステ
ル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液にこ
れを添加した以外は実施例１と同様にして１．５ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−ブチルデカンｔ−
ブチルエステルを得た。これをベンゼン１５０ｍｌに溶
解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間
還流し、反応生成物をカラムクロマトグラフィ−で精製
して（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジブチル−δ−
バレロラクトン０．８ｇを得た。この０．１ｇと４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボン酸０．２ｇと
を実施例１と同様にして反応させ、シリカゲルクロマト
グラフィ−で精製して０．２ｇの（Ｓ）−２−（４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５
−ジブチル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は７８℃であった。 ［実施例９］実施例８で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフタレン−２−カ
ルボン酸０．０４ｇとを実施例８と同様にして反応さ
せ、シリカゲルクロマトグラフィー精製して０．０３ｇ
の（Ｓ）−２−［６−（７−オクテン−１−オキシ）ナ
フトイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクト
ンを得た。この化合物は室温で油状であった。 ［実施例１０］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０３ｇの４−
（１−メチルヘプトキシ）安息香酸を用いた以外は実施
例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−（１−メチルヘ
プトキシ）フェニルカルボキシ］−５，５−ジブチル−
δ−バレロラクトン０．０３ｇを得た。この化合物は室
温で油状であった。 ［実施例１１］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキシ）安息
香酸を用いた以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２
−［４−（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキ
シ）ベンゾイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロ
ラクトン０．０４ｇを得た。このものの融点は７９℃で
あった。 ［実施例１２］６−（７−オクテン−１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（４−オクチロキシフェノキシメチル）安息香酸を用い
た以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−
（４−オクチルオキシフェノキシメチル）ベンゾイロキ
シ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０４
ｇを得た。このものの融点は９３℃であった。 ［実施例１３］実施例５〜１２で得た下記の化合物を化
２６に示す非カイラル化合物からなる液晶組成物中に各
々２ｍｏｌ％添加した。 ・化合物３
【化２７】 （実施例５で得られた化合物） ・化合物４
【化２８】 （実施例６で得られた化合物） ・化合物５
【化２９】 （実施例７で得られた化合物） ・化合物６
【化３０】 （実施例８で得られた化合物） ・化合物７
【化３１】 （実施例９で得られた化合物） ・化合物８
【化３２】 （実施例１０で得られた化合物） ・化合物９
【化３３】 （実施例１１で得られた化合物） ・化合物１０
【化３４】 （実施例１２で得られた化合物）化２６の非カイラル化
合物からなる液晶組成物は数２の相転移を示す。化合物
３〜１０を化２６に示した非カイラル液晶組成物に各々
２ｍｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極
を表２に示す。
合物からなる液晶組成物は数２の相転移を示す。化合物
３〜１０を化２６に示した非カイラル液晶組成物に各々
２ｍｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極
を表２に示す。
【表２】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年９月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】 これをベンゼン５０ｍｌに溶解し、ｐ−
トルエンスルホン酸を加え、５時間還流し、得られた反
応生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して、０．
９ｇの（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジヘキシル−
δ−バレロラクトンを得た。
トルエンスルホン酸を加え、５時間還流し、得られた反
応生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して、０．
９ｇの（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジヘキシル−
δ−バレロラクトンを得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】 ヘキシルブロミドの代わりにｎ＝４〜５
のアルキルブロミドあるいはｎ＝７〜１８のアルキルブ
ロミドとマグネシウムを用いてグリニア試薬を作成し、
上記と同様にすることにより、化１で示される化合物の
中、Ｒ2のｎ＝４〜５又はｎ＝７〜１８である誘導体を
合成できる。
のアルキルブロミドあるいはｎ＝７〜１８のアルキルブ
ロミドとマグネシウムを用いてグリニア試薬を作成し、
上記と同様にすることにより、化１で示される化合物の
中、Ｒ2のｎ＝４〜５又はｎ＝７〜１８である誘導体を
合成できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】［実施例２］（Ｓ）−２−（４’−オクチルオキシビフェニル−４−
カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン
の合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと１５．０ｇのデシルブロミドからグリニア試薬を
調製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）
−δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエス
テル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液に
これを添加した以外は実施例１と同様にして２．３ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−デシルペンタデカ
ンｔ−ブチルエステルを得た。
カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン
の合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと１５．０ｇのデシルブロミドからグリニア試薬を
調製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）
−δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエス
テル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液に
これを添加した以外は実施例１と同様にして２．３ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−デシルペンタデカ
ンｔ−ブチルエステルを得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】 これをベンゼン１５０ｍｌに溶解し、ｐ
−トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間還流し、
反応生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して
（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジデシル−δ−バレ
ロラクトン１ｇを得た。この０．１ｇを用いた以外は実
施例１と同様にして０．１ｇの（Ｓ）−２−（４’−オ
クチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−
ジデシル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融点
は６６．２℃であった。 1Ｈ−ＮＭＲ＝８．１０（２
Ｈ，ｄ）、７．５６（４Ｈ，ｑ）、６．９５（２Ｈ，
ｄ）、５．４５（１Ｈ，ｔ）、４．０（２Ｈ，ｔ）、
１．１〜２．４（５２Ｈ，ｍ）、０．９０（９Ｈ，ｔ）
−トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間還流し、
反応生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して
（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジデシル−δ−バレ
ロラクトン１ｇを得た。この０．１ｇを用いた以外は実
施例１と同様にして０．１ｇの（Ｓ）−２−（４’−オ
クチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−
ジデシル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融点
は６６．２℃であった。 1Ｈ−ＮＭＲ＝８．１０（２
Ｈ，ｄ）、７．５６（４Ｈ，ｑ）、６．９５（２Ｈ，
ｄ）、５．４５（１Ｈ，ｔ）、４．０（２Ｈ，ｔ）、
１．１〜２．４（５２Ｈ，ｍ）、０．９０（９Ｈ，ｔ）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】［実施例３］下記の化合物を下記の配合比
で混合して液晶組成物を得た。
で混合して液晶組成物を得た。
【化２３】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】 上記の非カイラル化合物からなる液晶組
成物は下記の相転移を示す。
成物は下記の相転移を示す。
【数２】 化合物１及び２を上記非カイラル液晶組成物に各々２ｍ
ｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極及び
カイラルネマチック相のらせんピッチを表１に示す。
ｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極及び
カイラルネマチック相のらせんピッチを表１に示す。
【表１】 ［実施例５］実施例１で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクトン０．１ｇと、
４−（３’−フルオロ−４’−オクチルオキシビフェニ
ル）−カルボン酸０．２４ｇとを実施例１と同様にして
反応させ、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して
０．０５ｇの（Ｓ）−２−（３’−フルオロ−４’−オ
クチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−
ジヘキシル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は４６℃であった。 ［実施例６］実施例２で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カルボン酸
０．０３ｇとを実施例１と同様にして反応させ、シリカ
ゲルクロマトグラフィーで精製して０．０３ｇの（Ｓ）
−２−（４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カル
ボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトンを得
た。このものの融点は５６℃であった。 ［実施例７］４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−
カルボン酸の代わりに０．０２ｇの４’−ヘキシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸を用いた以外は実施例６
と同様にして、（Ｓ）−２−（４’−ヘキシルオキシビ
フェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−
バレロラクトン０．０２ｇを得た。このものの融点は６
９℃であった。 ［実施例８］（Ｓ）−２−（４’−オクチルオキシビフェニル−４−
カルボキシ）−５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン
の合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと９．２ｇのブチルブロミドからグリニヤ試薬を調
製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）−
δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエステ
ル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液にこ
れを添加した以外は実施例１と同様にして１．５ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−ブチルデカンｔ−
ブチルエステルを得た。これをベンゼン１５０ｍｌに溶
解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間
還流し、反応生成物をカラムクロマトグラフィ−で精製
して（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジブチル−δ−
バレロラクトン０．８ｇを得た。この０．１ｇと４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボン酸０．２ｇと
を実施例１と同様にして反応させ、シリカゲルクロマト
グラフィ−で精製して０．２ｇの（Ｓ）−２−（４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５
−ジブチル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は７８℃であった。 ［実施例９］実施例８で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフタレン−２−カ
ルボン酸０．０４ｇとを実施例８と同様にして反応さ
せ、シリカゲルクロマトグラフィー精製して０．０３ｇ
の（Ｓ）−２−［６−（７−オクテン−１−オキシ）ナ
フトイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクト
ンを得た。この化合物は室温で油状であった。 ［実施例１０］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０３ｇの４−
（１−メチルヘプトキシ）安息香酸を用いた以外は実施
例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−（１−メチルヘ
プトキシ）フェニルカルボキシ］−５，５−ジブチル−
δ−バレロラクトン０．０３ｇを得た。この化合物は室
温で油状であった。 ［実施例１１］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキシ）安息
香酸を用いた以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２
−［４−（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキ
シ）ベンゾイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロ
ラクトン０．０４ｇを得た。このものの融点は７９℃で
あった。 ［実施例１２］６−（７−オクテン−１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（４−オクチロキシフェノキシメチル）安息香酸を用い
た以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−
（４−オクチルオキシフェノキシメチル）ベンゾイロキ
シ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０４
ｇを得た。このものの融点は９３℃であった。 ［実施例１３］実施例５〜１２で得た下記の化合物を化
２６に示す非カイラル化合物からなる液晶組成物中に各
々２ｍｏｌ％添加した。 ・化合物３
５，５−ジヘキシル−δ−バレロラクトン０．１ｇと、
４−（３’−フルオロ−４’−オクチルオキシビフェニ
ル）−カルボン酸０．２４ｇとを実施例１と同様にして
反応させ、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して
０．０５ｇの（Ｓ）−２−（３’−フルオロ−４’−オ
クチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５−
ジヘキシル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は４６℃であった。 ［実施例６］実施例２で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジデシル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カルボン酸
０．０３ｇとを実施例１と同様にして反応させ、シリカ
ゲルクロマトグラフィーで精製して０．０３ｇの（Ｓ）
−２−（４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−カル
ボキシ）−５，５−ジデシル−δ−バレロラクトンを得
た。このものの融点は５６℃であった。 ［実施例７］４’−ヘキサデシロキシビフェニル−４−
カルボン酸の代わりに０．０２ｇの４’−ヘキシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸を用いた以外は実施例６
と同様にして、（Ｓ）−２−（４’−ヘキシルオキシビ
フェニル−４−カルボキシ）−５，５−ジデシル−δ−
バレロラクトン０．０２ｇを得た。このものの融点は６
９℃であった。 ［実施例８］（Ｓ）−２−（４’−オクチルオキシビフェニル−４−
カルボキシ）−５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン
の合成 １００ｍｌのジエチルエーテル中で１．９ｇのマグネシ
ウムと９．２ｇのブチルブロミドからグリニヤ試薬を調
製し、ドライアイス冷却下、アルゴン気流中で（Ｓ）−
δ−ブチロラクトン−γ−カルボン酸ｔ−ブチルエステ
ル５ｇをジエチルエーテル５０ｍｌに溶解した溶液にこ
れを添加した以外は実施例１と同様にして１．５ｇの
（Ｓ）−２，５−ジヒドロキシ−５−ブチルデカンｔ−
ブチルエステルを得た。これをベンゼン１５０ｍｌに溶
解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．２ｇを加えて５時間
還流し、反応生成物をカラムクロマトグラフィ−で精製
して（Ｓ）−２−ヒドロキシ−５，５−ジブチル−δ−
バレロラクトン０．８ｇを得た。この０．１ｇと４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボン酸０．２ｇと
を実施例１と同様にして反応させ、シリカゲルクロマト
グラフィ−で精製して０．２ｇの（Ｓ）−２−（４’−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシ）−５，５
−ジブチル−δ−バレロラクトンを得た。このものの融
点は７８℃であった。 ［実施例９］実施例８で得た（Ｓ）−２−ヒドロキシ−
５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０３ｇと、
６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフタレン−２−カ
ルボン酸０．０４ｇとを実施例８と同様にして反応さ
せ、シリカゲルクロマトグラフィー精製して０．０３ｇ
の（Ｓ）−２−［６−（７−オクテン−１−オキシ）ナ
フトイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクト
ンを得た。この化合物は室温で油状であった。 ［実施例１０］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０３ｇの４−
（１−メチルヘプトキシ）安息香酸を用いた以外は実施
例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−（１−メチルヘ
プトキシ）フェニルカルボキシ］−５，５−ジブチル−
δ−バレロラクトン０．０３ｇを得た。この化合物は室
温で油状であった。 ［実施例１１］６−（７−オクテン-１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキシ）安息
香酸を用いた以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２
−［４−（３−クロロ−４−オクチロキシベンゾイロキ
シ）ベンゾイロキシ］−５，５−ジブチル−δ−バレロ
ラクトン０．０４ｇを得た。このものの融点は７９℃で
あった。 ［実施例１２］６−（７−オクテン−１−オキシ）ナフ
タレン−２−カルボン酸の代わりに０．０５ｇの４−
（４−オクチロキシフェノキシメチル）安息香酸を用い
た以外は実施例９と同様にして、（Ｓ）−２−［４−
（４−オクチルオキシフェノキシメチル）ベンゾイロキ
シ］−５，５−ジブチル−δ−バレロラクトン０．０４
ｇを得た。このものの融点は９３℃であった。 ［実施例１３］実施例５〜１２で得た下記の化合物を化
２６に示す非カイラル化合物からなる液晶組成物中に各
々２ｍｏｌ％添加した。 ・化合物３
【化２７】 （実施例５で得られた化合物） ・化合物４
【化２８】 （実施例６で得られた化合物） ・化合物５
【化２９】 （実施例７で得られた化合物） ・化合物６
【化３０】 （実施例８で得られた化合物） ・化合物７
【化３１】 （実施例９で得られた化合物） ・化合物８
【化３２】 （実施例１０で得られた化合物） ・化合物９
【化３３】 （実施例１１で得られた化合物） ・化合物１０
【化３４】 （実施例１２で得られた化合物）化２６の非カイラル化
合物からなる液晶組成物は数２の相転移を示す。化合物
３〜１０を化２６に示した非カイラル液晶組成物に各々
２ｍｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極
を表２に示す。
合物からなる液晶組成物は数２の相転移を示す。化合物
３〜１０を化２６に示した非カイラル液晶組成物に各々
２ｍｏｌ％添加した液晶組成物の相転移挙動、自発分極
を表２に示す。
【表２】
フロントページの続き (72)発明者 寺田 文子 神奈川県川崎市多摩区登戸3816番地三菱レ イヨン株式会社東京研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 化１で示されるδ−バレロラクトン環を
有する光学活性体。 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜１８の直鎖あるいは分岐鎖の
アルキル基、炭素数２〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のア
ルケニル基、アルコキシ部分の炭素数１〜３でアルキル
部分の炭素数１〜１８の直鎖あるいは分岐鎖のアルコキ
シアルキル基、又はこれらの置換基のうち水素原子の１
つ以上がハロゲン置換されたものであって、光学活性基
を有しうる構造のものである場合はそれが光学活性基で
あってもよくラセミ体であってもよいものを示し、Ｒ2
は炭素数が４〜１８のアルキル基を示し、Ｘは単結合、
−Ｏ−、−ＣＯ2−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｙは単結
合、−ＣＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2Ｏ−又は−ＯＣＨ2−
を示し、Ａは 【化２】 を示し、Ｂ、Ｂ' 及びＢ" は各々水素、ハロゲン、シア
ノ基、メチル基、メトキシ基又はトリハロメチル基を示
し、Ｖは単結合、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＯ2
−又は−ＯＣＯ−を示し、＊はそれが付与された炭素が
不斉炭素であることを示す。） - 【請求項２】 請求項１記載の光学活性体を１種類以上
含有してなる液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3181048A JP2974827B2 (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 光学活性体及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3181048A JP2974827B2 (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 光学活性体及び液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211828A true JPH06211828A (ja) | 1994-08-02 |
| JP2974827B2 JP2974827B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=16093866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3181048A Expired - Fee Related JP2974827B2 (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 光学活性体及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2974827B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP3181048A patent/JP2974827B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2974827B2 (ja) | 1999-11-10 |
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