JPH06209131A - 高出力ビーム発生装置 - Google Patents
高出力ビーム発生装置Info
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- JPH06209131A JPH06209131A JP5166756A JP16675693A JPH06209131A JP H06209131 A JPH06209131 A JP H06209131A JP 5166756 A JP5166756 A JP 5166756A JP 16675693 A JP16675693 A JP 16675693A JP H06209131 A JPH06209131 A JP H06209131A
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- discharge
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/046—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/54—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高価な手段なしでも高い信頼性を以て点弧し
得る高出力のレーザビーム発生装置、例えばＵＶ−又は
ＶＵＶ用のエキシマレーザを提供する。 【構成】 外部石英管１と内部石英管２とで挟まれたエ
キシマレーザの放電空間７に対して、外部石英管１の一
部１２を内外石英管の間げきの約１／２まで突出させた
り、あるいは内部石英管２の一部を同様に放電空間７の
内側に向って突出させる。あるいは石英、酸化アルミニ
ウム又は酸化チタンからなる小球を内、外の両石英管
２，１の放電空間７に接する面上にとりつけて放電間げ
きを局部的に狭めてガス放電の開始を確実容易にする。
得る高出力のレーザビーム発生装置、例えばＵＶ−又は
ＶＵＶ用のエキシマレーザを提供する。 【構成】 外部石英管１と内部石英管２とで挟まれたエ
キシマレーザの放電空間７に対して、外部石英管１の一
部１２を内外石英管の間げきの約１／２まで突出させた
り、あるいは内部石英管２の一部を同様に放電空間７の
内側に向って突出させる。あるいは石英、酸化アルミニ
ウム又は酸化チタンからなる小球を内、外の両石英管
２，１の放電空間７に接する面上にとりつけて放電間げ
きを局部的に狭めてガス放電の開始を確実容易にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高出力ビーム発生装置例
えば紫外光用高出力ビーム発生装置であって、放電条件
下でビームを送出する充電ガスで充填された放電空間を
有し、該放電空間の壁が外側誘電体構成部分と両側誘電
体−構成部分（２）により形成されており、ここにおい
て、上記外側誘電体構成部分(１)の外側に第１電極が設
けられており、上記第２誘電体構成部分の、当該放電空
間から離隔したほうの表面に第２電極が設けられてお
り、更に上記第１第２電極に接続された交流電源が当該
放電に対する給電のために設けられている当該高出力ビ
ーム発生装置に関する。
えば紫外光用高出力ビーム発生装置であって、放電条件
下でビームを送出する充電ガスで充填された放電空間を
有し、該放電空間の壁が外側誘電体構成部分と両側誘電
体−構成部分（２）により形成されており、ここにおい
て、上記外側誘電体構成部分(１)の外側に第１電極が設
けられており、上記第２誘電体構成部分の、当該放電空
間から離隔したほうの表面に第２電極が設けられてお
り、更に上記第１第２電極に接続された交流電源が当該
放電に対する給電のために設けられている当該高出力ビ
ーム発生装置に関する。
【０００２】すなわち本発明ＥＰ-Ａ ０５４ １１１、
(ヨーロッパ特許出願公開公報第０５４１７号）、１９
９０年２月２７日付の米国特許出願０７／４８５５４
４、又は、１９９０年２月１７日付のＥＰ（ヨーロッパ
特許）出願９０１０３０８２．５の明細書に示されてい
る従来技術に係わる。
(ヨーロッパ特許出願公開公報第０５４１７号）、１９
９０年２月２７日付の米国特許出願０７／４８５５４
４、又は、１９９０年２月１７日付のＥＰ（ヨーロッパ
特許）出願９０１０３０８２．５の明細書に示されてい
る従来技術に係わる。
【０００３】
【従来の技術】光化学的手法の産業状の利用、応用面
（可用性）は適当なＵＶ（紫外線）源の利用可能性に依
存する。旧来のＵＶ（紫外線）ビーム発生器は幾つかの
離散的な（個別の）波長のもとで低い程度から中位程度
の強度の紫外線ビームを送出する。例えば、水銀低圧ラ
ンプは１８５ｎｍのもとで、また、殊に２５４ｎｍのも
とで紫外線ビームを送出する。実際に高いＵＶ出力は高
圧ランプ（Ｘｅ，Ｈｇ）から送出され、該高圧ランプは
比較的大きな波長領域に亘って、分布してそのビームを
送出する。新規なエキシマレーザでは光化学的基礎実験
にて幾つかの新たな波長が開拓されてているが、現在の
ところ、コストの理由から産業上のプロレスには例外的
場合にしか適していない。
（可用性）は適当なＵＶ（紫外線）源の利用可能性に依
存する。旧来のＵＶ（紫外線）ビーム発生器は幾つかの
離散的な（個別の）波長のもとで低い程度から中位程度
の強度の紫外線ビームを送出する。例えば、水銀低圧ラ
ンプは１８５ｎｍのもとで、また、殊に２５４ｎｍのも
とで紫外線ビームを送出する。実際に高いＵＶ出力は高
圧ランプ（Ｘｅ，Ｈｇ）から送出され、該高圧ランプは
比較的大きな波長領域に亘って、分布してそのビームを
送出する。新規なエキシマレーザでは光化学的基礎実験
にて幾つかの新たな波長が開拓されてているが、現在の
ところ、コストの理由から産業上のプロレスには例外的
場合にしか適していない。
【０００４】冒頭に述べたＥＰ（ヨーロッパ特許出願又
は会議、議事録、“Ｎｅｕｅ ＵＶ−ｕｎｄ ＶＵＶ Ｅ
ｘｃｉｍｅｒｓｔｒａｈｌｅｒ”Ｕ．Ｋｏｇｅｌｓｃｈ
ａｔｚ及びＢ．Ｅｌｉａｓｓｏｎ，著述ドイツ化学者協
会、光化学部会第１０回講演会にて頒布、１９８７年１
１月１８〜２０日。ドイツ連邦共和国ヴュルミブルクに
て。（１０． Ｖｏｒｔｒａｇｓｔａｇｕｎｇ ｄｅｒ
Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｄｅｕｔｓｃｈｅｒ Ｃｈｅ
ｍｉｋｅｒ，Ｆａｃｈｇｒｕｐｐｅ Ｐｈｏｔｏｃｈｅ
ｍｉｅ，ｉｎ Ｗｕｅｒｚｂｕｒｇ（ＢＲＤ）１８．−
２０．Ｎｏｖｅｍｂｅｒ１９８７，）。
は会議、議事録、“Ｎｅｕｅ ＵＶ−ｕｎｄ ＶＵＶ Ｅ
ｘｃｉｍｅｒｓｔｒａｈｌｅｒ”Ｕ．Ｋｏｇｅｌｓｃｈ
ａｔｚ及びＢ．Ｅｌｉａｓｓｏｎ，著述ドイツ化学者協
会、光化学部会第１０回講演会にて頒布、１９８７年１
１月１８〜２０日。ドイツ連邦共和国ヴュルミブルクに
て。（１０． Ｖｏｒｔｒａｇｓｔａｇｕｎｇ ｄｅｒ
Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｄｅｕｔｓｃｈｅｒ Ｃｈｅ
ｍｉｋｅｒ，Ｆａｃｈｇｒｕｐｐｅ Ｐｈｏｔｏｃｈｅ
ｍｉｅ，ｉｎ Ｗｕｅｒｚｂｕｒｇ（ＢＲＤ）１８．−
２０．Ｎｏｖｅｍｂｅｒ１９８７，）。
【０００５】新規なエキシマビーム発生器が記載されて
いる。当該の新規なビーム発生器方式は以下の技術に立
脚している、即ち、無声放電（サイレントディスチャー
ジ）においてもエキシマビームを発生できるという技
術、オゾン生成にて大規模技術で使用される放電型式に
立脚している。短時間のみ（＜１ｍｓ）存在する当該放
電の電流フィラメントにおいて、電子衝突により希ガス
が耐起されそれによりさらなる反応を起こして分子複合
体が耐起される（エキシマレーザ）。このようなエキシ
マはたんに数１００ｎｓしか寿命が存続せず、それの崩
解の際にそれの結合エネルギをＵＶビームの形態で放出
する。
いる。当該の新規なビーム発生器方式は以下の技術に立
脚している、即ち、無声放電（サイレントディスチャー
ジ）においてもエキシマビームを発生できるという技
術、オゾン生成にて大規模技術で使用される放電型式に
立脚している。短時間のみ（＜１ｍｓ）存在する当該放
電の電流フィラメントにおいて、電子衝突により希ガス
が耐起されそれによりさらなる反応を起こして分子複合
体が耐起される（エキシマレーザ）。このようなエキシ
マはたんに数１００ｎｓしか寿命が存続せず、それの崩
解の際にそれの結合エネルギをＵＶビームの形態で放出
する。
【０００６】無声放電（サイレントディスチャージ）の
原理に基づくエキシマーＵＶ−ビーム発生器は最初の点
弧の際ないし比較的長い休止期間の後は、通常作動に必
要な電圧より遥かに高い電圧を必要とする。このことは
以下のことに関連している、即ち、当該作動中は当該誘
電体上にて表面電荷が形成され、それにより、そのつ
ど、後続の電圧半波において容易化された点弧が行なわ
れるということに関連する。最初の点弧の際及び比較的
長い休止期間の後では当該表面電荷は欠除する。
原理に基づくエキシマーＵＶ−ビーム発生器は最初の点
弧の際ないし比較的長い休止期間の後は、通常作動に必
要な電圧より遥かに高い電圧を必要とする。このことは
以下のことに関連している、即ち、当該作動中は当該誘
電体上にて表面電荷が形成され、それにより、そのつ
ど、後続の電圧半波において容易化された点弧が行なわ
れるということに関連する。最初の点弧の際及び比較的
長い休止期間の後では当該表面電荷は欠除する。
【０００７】全く一般的に云えることはガス放電の点弧
のためには２つの基準、要件が充足されねばならない。
すなわち、１つには初期電子が存在しなければならず、
もう１つは電界が臨界値を越えなければならず（点火基
準、要件）、もって、初期電子の充分な増倍、ひおいて
は印加電界の作用下での電子なだれの形成を達成し得る
ようにすることである。
のためには２つの基準、要件が充足されねばならない。
すなわち、１つには初期電子が存在しなければならず、
もう１つは電界が臨界値を越えなければならず（点火基
準、要件）、もって、初期電子の充分な増倍、ひおいて
は印加電界の作用下での電子なだれの形成を達成し得る
ようにすることである。
【０００８】ランプ技術から公知の手法は放射性物質
（例えばトリウム）又はガス（クリプトン８５）を利用
してステート（初期）電子を生成し、そして、また、過
電圧パルスを利用して初期（スタート）電界強度を増大
させることである。殊に後者の手段は給電装置及びケー
ブル、プラグ、保持体の設計構成上付加的コストを要す
るのである。
（例えばトリウム）又はガス（クリプトン８５）を利用
してステート（初期）電子を生成し、そして、また、過
電圧パルスを利用して初期（スタート）電界強度を増大
させることである。殊に後者の手段は給電装置及びケー
ブル、プラグ、保持体の設計構成上付加的コストを要す
るのである。
【０００９】
【発明の目的】本発明の基礎を成す課題ないし目的とす
るところは、高価な手段なしでも高い信頼性を以て点弧
し得る高出力ビーム発生装置、例えばＵＶ−又はＶＵＶ
ビーム用のビーム発生装置を提供することにある。
るところは、高価な手段なしでも高い信頼性を以て点弧
し得る高出力ビーム発生装置、例えばＵＶ−又はＶＵＶ
ビーム用のビーム発生装置を提供することにある。
【００１０】
【発明の構成】上記課題の解決のため本発明によれば冒
頭に越えた形式の高出力ビーム発生装置において、当該
放電空間中に局所的なフィールドディストーションない
し電界ひずみを起こさせるための手段が設けられる。
頭に越えた形式の高出力ビーム発生装置において、当該
放電空間中に局所的なフィールドディストーションない
し電界ひずみを起こさせるための手段が設けられる。
【００１１】その場合本発明の基礎を成す認識によれ
ば、１個所ないし所定個所にて局所的なフィールド（な
いし電界）のひずみないし増大を生じさせるのである。
その際生じるＵＶビーム及び当該の局所的放電の電荷キ
ャリヤにより、当該放電容積の高い信頼度を以ての点弧
を行なわせ得るというものである。
ば、１個所ないし所定個所にて局所的なフィールド（な
いし電界）のひずみないし増大を生じさせるのである。
その際生じるＵＶビーム及び当該の局所的放電の電荷キ
ャリヤにより、当該放電容積の高い信頼度を以ての点弧
を行なわせ得るというものである。
【００１２】当該の局所的フィールドディストーション
は例えば、放電ギャップの狭窄ないし狭隘化、例えば、
当該放電ギャップ中にギャップ容積のほうに向けられた
凹入部又は隆起部、又は有利には誘電体材料から成る外
乱生成（構成）体により生ぜしめられ得る。上記の変形
ないしバリエーションは当該放電ギャップ中で、石英
（水晶）球又は酸化アルミニウム又は酸化チタンにより
実現され得る。
は例えば、放電ギャップの狭窄ないし狭隘化、例えば、
当該放電ギャップ中にギャップ容積のほうに向けられた
凹入部又は隆起部、又は有利には誘電体材料から成る外
乱生成（構成）体により生ぜしめられ得る。上記の変形
ないしバリエーションは当該放電ギャップ中で、石英
（水晶）球又は酸化アルミニウム又は酸化チタンにより
実現され得る。
【００１３】本発明によりはじめて、確実に点弧するエ
キシマ−ＵＶ−ビーム発生装置を創出し得るのである。
その際論ぜられるべき手段は簡単且経済的である。上記
手段は外乱生成（構成）体（これはフィールドディスト
−ションのための有利な手段として見做せる）の場合、
既存のユニット中に後からでも組込実施し得るのであ
る。
キシマ−ＵＶ−ビーム発生装置を創出し得るのである。
その際論ぜられるべき手段は簡単且経済的である。上記
手段は外乱生成（構成）体（これはフィールドディスト
−ションのための有利な手段として見做せる）の場合、
既存のユニット中に後からでも組込実施し得るのであ
る。
【００１４】次に、本発明の実施例及び達成可能な利点
を図を用いて詳述する。
を図を用いて詳述する。
【００１５】
【実施例】図１及び図２に示すように、ほぼ０．５〜
１．５ｍｍの肉厚及びほぼ２０〜３０ｍｍの外径を有す
る外側石英（水晶）管１中に内側石英（水晶）管２が同
軸的に配置されている。内側石英管２の内面にはらせん
状の内部電極３が当接している。
１．５ｍｍの肉厚及びほぼ２０〜３０ｍｍの外径を有す
る外側石英（水晶）管１中に内側石英（水晶）管２が同
軸的に配置されている。内側石英管２の内面にはらせん
状の内部電極３が当接している。
【００１６】ワイヤグレーティング（メッシュ）又は被
着された電極構造の形態の外部電極４が、外側石英管１
の外周全体に亘って延在している。
着された電極構造の形態の外部電極４が、外側石英管１
の外周全体に亘って延在している。
【００１７】内側石英管３内にはワイヤ４が装着されて
いる。このワイヤ４はビーム発生装置の内部電極を形
成、ワイヤグレーティング（メッシュ）２は当該ビーム
発生装置の外部電極を形成する。上記石英管１，２は両
端にて各１つのカバー５ないし６により閉鎖又は給封さ
れている。上記両管１と２の間の空間、即ち放電管は放
電条件下でビームを送出するガス／ガス混合物で充填さ
れている。内側石英管２の内部８は高い誘電定数の液
体、有利には非ミネラル化された水（ε＝８１）で充填
される。上記液体は同時にビーム発生装置の冷却に用い
られる。冷却液体は接続部９、１０を介して供給、排出
される。当該冷却液体は上記内側石英管２への内部電極
３の電気的結合のためにも用いられる。その結果らせん
状電極３が内壁にいたるところで当接している。
いる。このワイヤ４はビーム発生装置の内部電極を形
成、ワイヤグレーティング（メッシュ）２は当該ビーム
発生装置の外部電極を形成する。上記石英管１，２は両
端にて各１つのカバー５ないし６により閉鎖又は給封さ
れている。上記両管１と２の間の空間、即ち放電管は放
電条件下でビームを送出するガス／ガス混合物で充填さ
れている。内側石英管２の内部８は高い誘電定数の液
体、有利には非ミネラル化された水（ε＝８１）で充填
される。上記液体は同時にビーム発生装置の冷却に用い
られる。冷却液体は接続部９、１０を介して供給、排出
される。当該冷却液体は上記内側石英管２への内部電極
３の電気的結合のためにも用いられる。その結果らせん
状電極３が内壁にいたるところで当接している。
【００１８】両電極３，４は交流電源１１の両極に接続
されている。上記交流電源は電極幾何形状、放電空間内
の圧力、充填ガスの組成に依存して、数１０００ＫＨｚ
までの交流の周波数の領域にて、数１００Ｖ〜２０００
０Ｖのオーダの可調整交流電圧を供給する。
されている。上記交流電源は電極幾何形状、放電空間内
の圧力、充填ガスの組成に依存して、数１０００ＫＨｚ
までの交流の周波数の領域にて、数１００Ｖ〜２０００
０Ｖのオーダの可調整交流電圧を供給する。
【００１９】充填ガスは例えば、水銀、希ガス、希ガス
−金属蒸気−混合物、稀ガス−ハロゲン−混合物、であ
り、場合により付加的な別の希ガス、有利にはＡｒ，Ｈ
ｅ，Ｎｅをバッファガスとして使用する。
−金属蒸気−混合物、稀ガス−ハロゲン−混合物、であ
り、場合により付加的な別の希ガス、有利にはＡｒ，Ｈ
ｅ，Ｎｅをバッファガスとして使用する。
【００２０】その場合、ビームの所望のスペクトル組成
に応じて、物質／物質混合物が下記のテーブルに従って
用いられ得る。
に応じて、物質／物質混合物が下記のテーブルに従って
用いられ得る。
【００２１】充填ガス ビーム ヘリウム ６０−１００ｎｍ ネオン ８０−９０ｎｍ アルゴン １０７−１６５ｎｍ アルゴン＋フッ素 １８０−２００ｎｍ アルゴン＋塩素 １６５−１９０ｎｍ アルゴン＋クリプトン １６５−１９０，２００−２４０ｎｍ キセノン １６０−１９０ｎｍ 窒素 ３３７−４１５ｎｍ クリプトン １２４，１４０−１６０ｎｍ クリプトン＋フッ素 ２４０−２５５ｎｍ クリプトン＋塩素 ２００−２４０ｎｍ 水銀 １８５，２５４,３２０−３７０,３９０−４２０ｎｍ セレン １９６，２０４，２０６ｎｍ ヂュテリウム １５０−２５０ｎｍ キセノン＋フッ素 ３４０−３６０ｎｍ，４００−５５０ｎｍ キセノン＋塩素 ３００−３２０ｎｍ そのためにほかの一連の充填ガスが使用され得る。
【００２２】―希ガス（Ａｒ，Ｈｅ，Ｋｒ，Ｎｅ，Ｘ
ｅ）又はＦ2，Ｊ2，Ｂｒ2，Ｃｌ2から成るガスないし蒸
気を有する水銀、又は化合物（これは放電にて１つ又は
複数の原子Ｆ，Ｊ，Ｂｒ又はＣｌを分解する） 希ガス（Ａｒ，Ｈｅ，Ｋｒ，Ｎｅ，Ｘｅ）又はＯ2を有
するＨｇ又は化合物（これは当該放電にて１つ又は複数
のＯ原子を分解する）。
ｅ）又はＦ2，Ｊ2，Ｂｒ2，Ｃｌ2から成るガスないし蒸
気を有する水銀、又は化合物（これは放電にて１つ又は
複数の原子Ｆ，Ｊ，Ｂｒ又はＣｌを分解する） 希ガス（Ａｒ，Ｈｅ，Ｋｒ，Ｎｅ，Ｘｅ）又はＯ2を有
するＨｇ又は化合物（これは当該放電にて１つ又は複数
のＯ原子を分解する）。
【００２３】―Ｈｇを有する希ガス（Ａｒ，Ｈｅ，Ｋ
ｒ，Ｎｅ，Ｘｅ） 電極３と４との間に交流電圧が印加されると、放電空間
中に多数の放電チャネルが形成される（部分放電）。そ
れらの放電チャネルは充電ガスの原子／分子と相互作用
をし、おれによりＵＶ又はＶＵＶビームが生ぜしめられ
る。
ｒ，Ｎｅ，Ｘｅ） 電極３と４との間に交流電圧が印加されると、放電空間
中に多数の放電チャネルが形成される（部分放電）。そ
れらの放電チャネルは充電ガスの原子／分子と相互作用
をし、おれによりＵＶ又はＶＵＶビームが生ぜしめられ
る。
【００２４】形成される無声放電（サイレントディスチ
ャージ）において電子エネルギ分布が、誘電体（構成部
分）の厚さと、それの特性及び放電空間内の圧力および
／又は温度により最適に調整され得る。
ャージ）において電子エネルギ分布が、誘電体（構成部
分）の厚さと、それの特性及び放電空間内の圧力および
／又は温度により最適に調整され得る。
【００２５】ここまでの点はエキシマーザに就いて公知
のことである。
のことである。
【００２６】冒頭に述べた点弧上の問題を解決するため
本発明によれば当該放電空間７内にて或１個所にて局所
的にフィールドディストーションないしフィールド増大
を行なわせるという技術思想に全面的に立脚する一連の
手段を論ずるものである。その際形成されるＵＶビーム
及び当該放電の電荷キャリヤにより放電容積全体の確実
な点弧が達成される。
本発明によれば当該放電空間７内にて或１個所にて局所
的にフィールドディストーションないしフィールド増大
を行なわせるという技術思想に全面的に立脚する一連の
手段を論ずるものである。その際形成されるＵＶビーム
及び当該放電の電荷キャリヤにより放電容積全体の確実
な点弧が達成される。
【００２７】図１中右上方半部に第１の変形が示してあ
る（図２では同じく破線で示す）。外側誘電体管１は内
側に向いた凹みないし隆起部１２を有する。上記隆起部
は内側誘電体管２のほうに向ってほぼギャップ幅半分の
ところまで延びている。
る（図２では同じく破線で示す）。外側誘電体管１は内
側に向いた凹みないし隆起部１２を有する。上記隆起部
は内側誘電体管２のほうに向ってほぼギャップ幅半分の
ところまで延びている。
【００２８】図１の右下半部（図２にも破線で示す）に
第２変形を示す。ここでは内側誘電体管２は凹み又は隆
起部１２ａを有し、この凹み又は隆起は外側誘電体管１
のほうに向ってギャップ幅半分のところまで延びてい
る。
第２変形を示す。ここでは内側誘電体管２は凹み又は隆
起部１２ａを有し、この凹み又は隆起は外側誘電体管１
のほうに向ってギャップ幅半分のところまで延びてい
る。
【００２９】上記の両変形のフィールドディストーショ
ン生成機構部は当初から設けなければならないが、図１
の左半部、及び図２に示す実施形態は後からでも、構成
されたビーム発生装置にて使用され得る。
ン生成機構部は当初から設けなければならないが、図１
の左半部、及び図２に示す実施形態は後からでも、構成
されたビーム発生装置にて使用され得る。
【００３０】放電空間７中には誘電体材料、例えば酸化
アルミニウム又は酸化チタンから成る球が挿入されてお
り、その球外径は放電空間７のギャップ幅と等しいかそ
れよりわずかに小さい。この球は１つ又は２つの誘電体
壁に取付けられ得るが、取付けられなくともよい。その
場合、球の幾何学的形状を精確にすることは重要ではな
い。また、殊に長く延びたビーム発生装置の場合は当該
球を２つ又は複数設けてもよい。また、球と凹み又は隆
起の組合せも可能である。
アルミニウム又は酸化チタンから成る球が挿入されてお
り、その球外径は放電空間７のギャップ幅と等しいかそ
れよりわずかに小さい。この球は１つ又は２つの誘電体
壁に取付けられ得るが、取付けられなくともよい。その
場合、球の幾何学的形状を精確にすることは重要ではな
い。また、殊に長く延びたビーム発生装置の場合は当該
球を２つ又は複数設けてもよい。また、球と凹み又は隆
起の組合せも可能である。
【００３１】後からでもビーム発生装置にて論ぜられる
べき別の手段によれば外側誘電体管１の内面に、又は内
側誘電体管２の外面に石英滴１２ｂないし１２ｃを融着
させて、所望のフィールドディストーションないし電界
ひずみを生じさせ得るようにするのである。
べき別の手段によれば外側誘電体管１の内面に、又は内
側誘電体管２の外面に石英滴１２ｂないし１２ｃを融着
させて、所望のフィールドディストーションないし電界
ひずみを生じさせ得るようにするのである。
【００３２】
【発明の効果】高価な手段なしでも高い信頼性を以て点
弧し得る高出力ビーム発生装置、例えばＵＶ−又はＶＵ
Ｖビーム用のビーム発生装置を実現できるという高価が
奏される。
弧し得る高出力ビーム発生装置、例えばＵＶ−又はＶＵ
Ｖビーム用のビーム発生装置を実現できるという高価が
奏される。
【図１】内側及び外側誘電体管を同軸的に配置したＵＶ
円筒形ビーム発生装置の実施例の縦断面図である。
円筒形ビーム発生装置の実施例の縦断面図である。
【図２】図１のＵＶビーム発生装置を切断線Ａ−Ａに沿
って切断して示す断面図である。
って切断して示す断面図である。
１ 外側石英管 ２ 内側石英管 ３ 内部電極 ４ 外部電極 ５，６ カバー ７ 放電空間
Claims (6)
- 【請求項１】 高出力ビーム発生装置例えば紫外光用高
出力ビーム発生装置であって、放電条件下でビームを送
出する充填ガスで充填された放電空間（７）を有し、該
放電空間の壁が外側誘電体構成部分（１）と両側誘電体
−構成部分（２）により形成されており、ここにおい
て、上記外側誘電体構成部分（１）の外側に第１電極
（４）が設けられており、上記第２誘電体構成部分の、
当該放電空間から離隔したほうの表面に第２電極（３；
３′）が設けられており、更に上記第１（４）、第２電
極（３；３′）に接続された交流電源（１１）が当該放
電に対する給電のために設けられている当該高出力ビー
ム発生装置において、上記放電空間（７）中に局所的な
フィールドディストーションないし電界のひずみを生じ
させるための手段（１２；１２ａ…１３）が設けられて
いることを特徴とする高出力ビーム発生装置。 - 【請求項２】 上記手段は上記放電空間（７）の局所的
狭窄（狭隘化）構成部分によって形成されている請求項
１記載の装置。 - 【請求項３】 上記狭窄（構成）部は上記放電空間のほ
うに向いた、誘電体管（１，２）の壁上に設けられた凹
み部又は隆起部によって形成されており、該凹み部又は
隆起部は上記の内側および／又は外側誘電体構成部分
（１，２）と一体的に構成されている請求項２記載の装
置。 - 【請求項４】 上記狭窄部は上記放電空間のほうに向い
た、誘電体管（１，２）の壁上への誘電体材料から成る
付加材料部分（１２ｂ，１２ｃ）の取付けにより形成さ
れている請求項２記載の装置。 - 【請求項５】 上記放電空間（７）中に、誘電体材料か
ら成る外乱（生成）構成体が設けられており、該構成体
は上記誘電体構成部分の一方又は他方又はその両者と接
触するように構成されている請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 上記の外乱構成体は石英（水晶）、酸化
アルミニウム又は酸化チタンから成る請求項５記載の装
置。
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