JPH06204052A - トランス - Google Patents
トランスInfo
- Publication number
- JPH06204052A JPH06204052A JP4348337A JP34833792A JPH06204052A JP H06204052 A JPH06204052 A JP H06204052A JP 4348337 A JP4348337 A JP 4348337A JP 34833792 A JP34833792 A JP 34833792A JP H06204052 A JPH06204052 A JP H06204052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- pattern
- transformer
- coils
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電力伝達効率を高める。
【構成】 トランス１０は、絶縁層１２が多層に積層さ
れかつ一体化された多層基板１１と、多層基板１１内の
厚さ方向に互いに独立して設けられかつ厚さ方向に券回
された３つのコイルＸ，Ｙ，Ｚとから主に構成されてい
る。各コイルＸ，Ｙ，Ｚは、絶縁層１２間に形成された
３ターンのコイルパターン１３が互いに連結されたもの
からなる。各コイルパターン１３は、パターン幅Ｌ1 が
パターン間隔Ｌ2 の３倍以上に設定されている。
れかつ一体化された多層基板１１と、多層基板１１内の
厚さ方向に互いに独立して設けられかつ厚さ方向に券回
された３つのコイルＸ，Ｙ，Ｚとから主に構成されてい
る。各コイルＸ，Ｙ，Ｚは、絶縁層１２間に形成された
３ターンのコイルパターン１３が互いに連結されたもの
からなる。各コイルパターン１３は、パターン幅Ｌ1 が
パターン間隔Ｌ2 の３倍以上に設定されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランス、特に、絶縁
性基板内にコイルを備えたトランスに関する。
性基板内にコイルを備えたトランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路基板の電源回路に搭載されるト
ランスとして、絶縁性基板内に複数のコイルを設けたも
のが知られている（例えば実開平１−１００４７１
号）。この種のトランス１は、図６に示すように、多数
の絶縁層３が積層されかつ一体化された多層基板２内
に、複数のコイル、例えば３つのコイルＡ，Ｂ，Ｃが多
数基板２の中心線Ｏを中心として互いに独立して形成さ
れている。また、多層基板２には、コイルＡ，Ｂ，Ｃの
中心部を貫通する穴６が形成されており、この穴６には
各コイルＡ，Ｂ，Ｃのコアとなる磁性体コア部材７が挿
入されている。
ランスとして、絶縁性基板内に複数のコイルを設けたも
のが知られている（例えば実開平１−１００４７１
号）。この種のトランス１は、図６に示すように、多数
の絶縁層３が積層されかつ一体化された多層基板２内
に、複数のコイル、例えば３つのコイルＡ，Ｂ，Ｃが多
数基板２の中心線Ｏを中心として互いに独立して形成さ
れている。また、多層基板２には、コイルＡ，Ｂ，Ｃの
中心部を貫通する穴６が形成されており、この穴６には
各コイルＡ，Ｂ，Ｃのコアとなる磁性体コア部材７が挿
入されている。
【０００３】このトランス１に含まれる各コイルＡ，
Ｂ，Ｃは、絶縁層３間に形成されたコイルパターン４が
互いに接続されたものである。各コイルパターン４は、
図７に示すように、絶縁層３上に形成されており、例え
ば４ターン分の渦巻き状に形成されている。ここで、コ
イルパターン４は、小型のトランスを形成するために、
パターン幅Ｌ1 やパターン間隔Ｌ2 を小さくし、各絶縁
層３でのターン数を多く設定している。また、各コイル
パターン４は、その端部が絶縁層３を貫通する導電性の
ビアホール５により隣接する絶縁層３上に形成されたコ
イルパターン４に接続されている。
Ｂ，Ｃは、絶縁層３間に形成されたコイルパターン４が
互いに接続されたものである。各コイルパターン４は、
図７に示すように、絶縁層３上に形成されており、例え
ば４ターン分の渦巻き状に形成されている。ここで、コ
イルパターン４は、小型のトランスを形成するために、
パターン幅Ｌ1 やパターン間隔Ｌ2 を小さくし、各絶縁
層３でのターン数を多く設定している。また、各コイル
パターン４は、その端部が絶縁層３を貫通する導電性の
ビアホール５により隣接する絶縁層３上に形成されたコ
イルパターン４に接続されている。
【０００４】この種のトランス１では、コイルＡを電力
入力側となる一次巻線とした場合、コイルＡから発生し
た磁界が２次巻線となるコイルＢ及び３次巻線となるコ
イルＣに作用し、コイルＢ及びコイルＣに誘導起電力が
発生する。これにより、コイルＡからコイルＢ及びコイ
ルＣに電力が伝達される。
入力側となる一次巻線とした場合、コイルＡから発生し
た磁界が２次巻線となるコイルＢ及び３次巻線となるコ
イルＣに作用し、コイルＢ及びコイルＣに誘導起電力が
発生する。これにより、コイルＡからコイルＢ及びコイ
ルＣに電力が伝達される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のトランス１
では、コイルＡからコイルＢ及びコイルＣへの電力伝達
効率が不十分である。これは、コイルＡで発生した磁界
の一部が互いに打ち消し合い、この結果、コイルＢ及び
コイルＣに誘導気電力を発生させるためのコイルＡから
の磁界が弱まるためと考えられている。この現象を示し
たものが図８である。図８は、図７のVIII−VIII線に沿
った断面に生じる磁界を模式的に表したものである。図
から明らかなように、コイルパターン４，４には同方向
に電流が流れるために両者間ではそれぞれの磁界の向き
が逆になり、両コイルパターン４，４間の磁界は互いに
打ち消し合って弱くなる。
では、コイルＡからコイルＢ及びコイルＣへの電力伝達
効率が不十分である。これは、コイルＡで発生した磁界
の一部が互いに打ち消し合い、この結果、コイルＢ及び
コイルＣに誘導気電力を発生させるためのコイルＡから
の磁界が弱まるためと考えられている。この現象を示し
たものが図８である。図８は、図７のVIII−VIII線に沿
った断面に生じる磁界を模式的に表したものである。図
から明らかなように、コイルパターン４，４には同方向
に電流が流れるために両者間ではそれぞれの磁界の向き
が逆になり、両コイルパターン４，４間の磁界は互いに
打ち消し合って弱くなる。
【０００６】本発明の目的は、電力伝達効率を改善する
ことにある。
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のトランスは、絶
縁層が多層に積層されかつ一体化された絶縁性基板と、
絶縁性基板内の厚さ方向に互いに独立して設けられかつ
厚さ方向に巻回された複数のコイルとを備えている。コ
イルは、絶縁層間に形成された１ターンを超えるコイル
パターンが互いに連結されたものからなり、コイルパタ
ーンは、パターン幅がパターン間隔の３倍以上に設定さ
れている。
縁層が多層に積層されかつ一体化された絶縁性基板と、
絶縁性基板内の厚さ方向に互いに独立して設けられかつ
厚さ方向に巻回された複数のコイルとを備えている。コ
イルは、絶縁層間に形成された１ターンを超えるコイル
パターンが互いに連結されたものからなり、コイルパタ
ーンは、パターン幅がパターン間隔の３倍以上に設定さ
れている。
【０００８】
【作用】本発明に係るトランスでは、絶縁性基板内に形
成されたコイル間の誘導起電力により、コイル間で電力
が伝達される。ここで、各コイルパターンは、パターン
幅がパターン間隔の３倍以上に設定されているため、従
来例のような磁界の打ち消し合いを引き起こしにくい。
このため、コイルで生じた磁界は弱まりにくく、他のコ
イルに効率良く電力を伝達し得る。
成されたコイル間の誘導起電力により、コイル間で電力
が伝達される。ここで、各コイルパターンは、パターン
幅がパターン間隔の３倍以上に設定されているため、従
来例のような磁界の打ち消し合いを引き起こしにくい。
このため、コイルで生じた磁界は弱まりにくく、他のコ
イルに効率良く電力を伝達し得る。
【０００９】
【実施例】図１及び図２を参照して、本発明の一実施例
に係るトランスを説明する。図において、トランス１０
は、内部に３つのコイルＸ，Ｙ，Ｚを備えた多層基板１
１からなる。多層基板１１は、例えばガラス−セラミッ
ク材料からなる多数の絶縁層１２が積層されかつ一体化
されたものであり、概ね立方体である。
に係るトランスを説明する。図において、トランス１０
は、内部に３つのコイルＸ，Ｙ，Ｚを備えた多層基板１
１からなる。多層基板１１は、例えばガラス−セラミッ
ク材料からなる多数の絶縁層１２が積層されかつ一体化
されたものであり、概ね立方体である。
【００１０】多層基板１１の中心には、厚み方向に貫通
する穴１７が形成されている。この穴１７には、コイル
Ｘ，Ｙ，Ｚのコアとなるフェライトや磁性体金属等から
なる磁性体コア部材１８が挿入されている。コイルＸ，
Ｙ，Ｚは、互いに独立しており、穴１７の中心線Ｏが軸
線と一致するように多層基板１１の厚み方向に互いに独
立して配列されている。各コイルＸ，Ｙ，Ｚは、絶縁層
１２間に設けられたコイルパターン１３が連結されたも
のである。
する穴１７が形成されている。この穴１７には、コイル
Ｘ，Ｙ，Ｚのコアとなるフェライトや磁性体金属等から
なる磁性体コア部材１８が挿入されている。コイルＸ，
Ｙ，Ｚは、互いに独立しており、穴１７の中心線Ｏが軸
線と一致するように多層基板１１の厚み方向に互いに独
立して配列されている。各コイルＸ，Ｙ，Ｚは、絶縁層
１２間に設けられたコイルパターン１３が連結されたも
のである。
【００１１】図３及び図４を参照して、コイルＸを形成
するためのコイルパターン１３について説明する。な
お、図３は図２のIII −III 部分の横断面図、図４はIV
−IV部分の横断面図である。すなわち、図３は、コイル
Ｘを構成する最上層のコイルパターン１３（以下、コイ
ルパターン１３ａ）を示し、図４はコイルＸを構成する
ための第２層目のコイルパターン１３（以下、コイルパ
ターン１３ｂ）を示している。
するためのコイルパターン１３について説明する。な
お、図３は図２のIII −III 部分の横断面図、図４はIV
−IV部分の横断面図である。すなわち、図３は、コイル
Ｘを構成する最上層のコイルパターン１３（以下、コイ
ルパターン１３ａ）を示し、図４はコイルＸを構成する
ための第２層目のコイルパターン１３（以下、コイルパ
ターン１３ｂ）を示している。
【００１２】図３のコイルパターン１３ａは、絶縁層１
２の外周部から中心部に向けて時計回りの渦巻き形状に
形成されており、コイルＸの３周期、すなわち３ターン
を形成している。このコイルパターン１３の外周部側端
部１４ａは、絶縁基板１１の端面に露出しており、図示
しない外部電極を形成している。一方、図４のコイルパ
ターン１３ｂは、絶縁層１２の中心から外周部にかけて
右回りの渦巻き状に形成されており、図３のコイルパタ
ーン１３ａと同様に３ターン分形成されている。このコ
イルパターン１３ｂの中心側端部１６ａは、絶縁層１２
を貫通するビアホール１５によりコイルパターン１３ａ
の中心側端部１４ｂと接続されている。これにより、コ
イルパターン１３ａとコイルパターン１３ｂとが接続さ
れている。コイルＸは、このようなコイルパターン１３
ａとコイルパターン１３ｂとが交互にビアホールを介し
て接続されることにより所定の巻き数に形成されてい
る。コイルＹ及びコイルＺについても同様である。
２の外周部から中心部に向けて時計回りの渦巻き形状に
形成されており、コイルＸの３周期、すなわち３ターン
を形成している。このコイルパターン１３の外周部側端
部１４ａは、絶縁基板１１の端面に露出しており、図示
しない外部電極を形成している。一方、図４のコイルパ
ターン１３ｂは、絶縁層１２の中心から外周部にかけて
右回りの渦巻き状に形成されており、図３のコイルパタ
ーン１３ａと同様に３ターン分形成されている。このコ
イルパターン１３ｂの中心側端部１６ａは、絶縁層１２
を貫通するビアホール１５によりコイルパターン１３ａ
の中心側端部１４ｂと接続されている。これにより、コ
イルパターン１３ａとコイルパターン１３ｂとが接続さ
れている。コイルＸは、このようなコイルパターン１３
ａとコイルパターン１３ｂとが交互にビアホールを介し
て接続されることにより所定の巻き数に形成されてい
る。コイルＹ及びコイルＺについても同様である。
【００１３】上述のコイルパターン１３ａ，１３ｂは、
パターン幅Ｌ1 がパターン間隔Ｌ2の３倍以上に設定さ
れている。また、上述のコイルパターン１３ａ，１３ｂ
を含むコイルパターン３は、銀系の導体材料、例えば銀
や銀−パラジウム合金により形成されている。次に、前
記トランス１０の作用効果について説明する。
パターン幅Ｌ1 がパターン間隔Ｌ2の３倍以上に設定さ
れている。また、上述のコイルパターン１３ａ，１３ｂ
を含むコイルパターン３は、銀系の導体材料、例えば銀
や銀−パラジウム合金により形成されている。次に、前
記トランス１０の作用効果について説明する。
【００１４】トランス１０では、例えば、コイルＸが１
次巻線となり、コイルＹ及びコイルＺがそれぞれ２次巻
線及び３次巻線となる。一次巻線であるコイルＸに電力
を入力すると、コイルＸに磁界が発生する。この磁界
は、磁性体コア部材１８を介してコイルＹ及びコイルＺ
に伝達され、コイルＹ及びコイルＺには誘導起電力が発
生する。すなわち、コイルＸに入力された電力がコイル
Ｙ及びコイルＺに伝達される。
次巻線となり、コイルＹ及びコイルＺがそれぞれ２次巻
線及び３次巻線となる。一次巻線であるコイルＸに電力
を入力すると、コイルＸに磁界が発生する。この磁界
は、磁性体コア部材１８を介してコイルＹ及びコイルＺ
に伝達され、コイルＹ及びコイルＺには誘導起電力が発
生する。すなわち、コイルＸに入力された電力がコイル
Ｙ及びコイルＺに伝達される。
【００１５】ここで、各コイルＸ，Ｙ，Ｚを構成するコ
イルパターン１３は、パターン幅Ｌ 1 とパターン間隔Ｌ
2 との関係が上述のように設定されているため、図５に
示すように、従来例の場合のような磁界の打ち消し合い
が起こりにくい。また、従来例に比べてコイルパターン
１３のパターン幅Ｌ1 を広く設定したため、コイルパタ
ーン１３は、断面積が大きくなり、抵抗値が従来例に比
べて低くなる。このため、各コイルＸ，Ｙ，Ｚでは、ジ
ュール熱の発生が抑制されるため、電力損失、すなわち
ジュール損が発生しにくい。これらの結果、コイルＸか
らコイルＹ及びコイルＺへは効率良く電力が伝達され
る。また、トランス１０はジュール熱による温度上昇が
起こりにくくなるため、周辺回路素子に悪影響を与えに
くくなる。
イルパターン１３は、パターン幅Ｌ 1 とパターン間隔Ｌ
2 との関係が上述のように設定されているため、図５に
示すように、従来例の場合のような磁界の打ち消し合い
が起こりにくい。また、従来例に比べてコイルパターン
１３のパターン幅Ｌ1 を広く設定したため、コイルパタ
ーン１３は、断面積が大きくなり、抵抗値が従来例に比
べて低くなる。このため、各コイルＸ，Ｙ，Ｚでは、ジ
ュール熱の発生が抑制されるため、電力損失、すなわち
ジュール損が発生しにくい。これらの結果、コイルＸか
らコイルＹ及びコイルＺへは効率良く電力が伝達され
る。また、トランス１０はジュール熱による温度上昇が
起こりにくくなるため、周辺回路素子に悪影響を与えに
くくなる。
【００１６】次に、前記トランス１０の製造方法の一例
を説明する。まず、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ及びＢ2 Ｏ3 を主成分とするガラス粉末７０重量％
と、無機物フィラーとしてのＡｌ2 Ｏ3 粉末３０重量％
とをバインダー、可塑剤及び溶剤とともに混練してスラ
リー状とする。このスラリーを、ドクターブレード法を
用いて成形し、絶縁層１２を形成するためのグリーンシ
ートを作成する。所定のグリーンシートには、ビアホー
ル１５を形成するためのスルーホールをパンチング加工
により設ける。
を説明する。まず、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ及びＢ2 Ｏ3 を主成分とするガラス粉末７０重量％
と、無機物フィラーとしてのＡｌ2 Ｏ3 粉末３０重量％
とをバインダー、可塑剤及び溶剤とともに混練してスラ
リー状とする。このスラリーを、ドクターブレード法を
用いて成形し、絶縁層１２を形成するためのグリーンシ
ートを作成する。所定のグリーンシートには、ビアホー
ル１５を形成するためのスルーホールをパンチング加工
により設ける。
【００１７】次に、グリーンシートのスルーホールに銀
系の導電性材料からなる導電性ペーストをスクリーン印
刷法により充填する。この導電性ペーストは、例えば粒
径が０．５〜５μｍの銀粉末と、低熱膨張性ガラスフリ
ットと、バインダーとしてのエチルセルロースと、溶剤
としての２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオ
ールモノイソブチレートとを均質に混練したものであ
る。
系の導電性材料からなる導電性ペーストをスクリーン印
刷法により充填する。この導電性ペーストは、例えば粒
径が０．５〜５μｍの銀粉末と、低熱膨張性ガラスフリ
ットと、バインダーとしてのエチルセルロースと、溶剤
としての２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオ
ールモノイソブチレートとを均質に混練したものであ
る。
【００１８】また、所定のグリーンシートの表面に、導
電性ペーストを用いてコイルパターン１３を印刷する。
なお、コイルパターン用の導電性ペーストとしては、上
述の導電性ペーストに含まれる低熱膨張性ガラスフリッ
トに代えて屈伏点が７００〜８５０℃のガラスフリット
を加えたものが用いられる。この導電性ペーストによれ
ば、焼結開始温度とグリーンシートの焼結開始温度とが
接近する。
電性ペーストを用いてコイルパターン１３を印刷する。
なお、コイルパターン用の導電性ペーストとしては、上
述の導電性ペーストに含まれる低熱膨張性ガラスフリッ
トに代えて屈伏点が７００〜８５０℃のガラスフリット
を加えたものが用いられる。この導電性ペーストによれ
ば、焼結開始温度とグリーンシートの焼結開始温度とが
接近する。
【００１９】次に、グリーンシートを所定の順に積層
し、これを熱圧着して一体化する。そして、このような
グリーンシートの積層体の中心に穴１７に対応する貫通
孔をパンチ加工やドリル加工等により形成する。この積
層体を９００℃の大気雰囲気中においてかつピーク時間
を３０分に設定して焼成すると、コイルＸ，Ｙ，Ｚを内
蔵した多層基板１１が得られる。
し、これを熱圧着して一体化する。そして、このような
グリーンシートの積層体の中心に穴１７に対応する貫通
孔をパンチ加工やドリル加工等により形成する。この積
層体を９００℃の大気雰囲気中においてかつピーク時間
を３０分に設定して焼成すると、コイルＸ，Ｙ，Ｚを内
蔵した多層基板１１が得られる。
【００２０】この多層基板１１の穴１７に磁性体コア部
材１８を挿入すると、上述のトランス１０が得られる。 〔実験例〕前記実施例において、コイルパターンのパタ
ーン幅、パターン間隔及びパターン厚みをそれぞれ３０
０μｍ、１００μｍ及び１７μｍに設定し、また、コイ
ルＸ，コイルＹ及びコイルＺの巻き数をそれぞれ２５
回、３９回及び９回に設定した。このトランスについ
て、各コイルＸ，Ｙ，Ｚの配線抵抗は、それぞれ４．０
Ω、６．１Ω及び１．３Ωであった。また、漏れインダ
クタンスは５．９μＨであった。
材１８を挿入すると、上述のトランス１０が得られる。 〔実験例〕前記実施例において、コイルパターンのパタ
ーン幅、パターン間隔及びパターン厚みをそれぞれ３０
０μｍ、１００μｍ及び１７μｍに設定し、また、コイ
ルＸ，コイルＹ及びコイルＺの巻き数をそれぞれ２５
回、３９回及び９回に設定した。このトランスについ
て、各コイルＸ，Ｙ，Ｚの配線抵抗は、それぞれ４．０
Ω、６．１Ω及び１．３Ωであった。また、漏れインダ
クタンスは５．９μＨであった。
【００２１】比較のため、図６の従来例について、コイ
ルパターン４のパターン幅、パターン間隔及びパターン
厚みをそれぞれ１５０μｍ、１５０μｍ及び１１μｍに
設定し、また、コイルＡ、コイルＢ及びコイルＣの巻き
数をそれぞれ２５回、３９回及び９回に設定した。各コ
イルＡ，Ｂ，Ｃの配線抵抗を調べたところ、それぞれ２
０．７Ω、３１．０Ω及び６．３Ωであった。また、漏
れインダクタンスは２６．２μＨであった。
ルパターン４のパターン幅、パターン間隔及びパターン
厚みをそれぞれ１５０μｍ、１５０μｍ及び１１μｍに
設定し、また、コイルＡ、コイルＢ及びコイルＣの巻き
数をそれぞれ２５回、３９回及び９回に設定した。各コ
イルＡ，Ｂ，Ｃの配線抵抗を調べたところ、それぞれ２
０．７Ω、３１．０Ω及び６．３Ωであった。また、漏
れインダクタンスは２６．２μＨであった。
【００２２】以上から、前記実施例のトランスでは、従
来例のトランスに比べて各コイルの配線抵抗及び漏れイ
ンダクタンスをそれぞれ約１／５及び約１／４に低減で
きたことになる。この結果、従来例のジュール損が３５
９．０６ｍＷであったのに対し、前記実施例では６８．
９８ｍＷに減少した。また、漏れインダクタンスが減少
したことから、前記実施例のトランスは、従来例のトラ
ンスに比べて電力伝達効率が高いことがわかる。
来例のトランスに比べて各コイルの配線抵抗及び漏れイ
ンダクタンスをそれぞれ約１／５及び約１／４に低減で
きたことになる。この結果、従来例のジュール損が３５
９．０６ｍＷであったのに対し、前記実施例では６８．
９８ｍＷに減少した。また、漏れインダクタンスが減少
したことから、前記実施例のトランスは、従来例のトラ
ンスに比べて電力伝達効率が高いことがわかる。
【００２３】〔他の実施例〕前記実施例では、絶縁層１
２としてガラス−セラミック材料を用い、またコイルパ
ターン１３用の材料として銀系の導電性材料を用いた
が、本発明はこれに限定されない。例えば、絶縁層１２
をエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の有機材料により形
成し、コイルパターン１３を金系や銅系の導電性材料を
用いて形成した場合も本発明を同様に実施できる。
２としてガラス−セラミック材料を用い、またコイルパ
ターン１３用の材料として銀系の導電性材料を用いた
が、本発明はこれに限定されない。例えば、絶縁層１２
をエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の有機材料により形
成し、コイルパターン１３を金系や銅系の導電性材料を
用いて形成した場合も本発明を同様に実施できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明のトランスでは、コイルパターン
のパターン幅をパターン間隔の３倍以上に設定したた
め、電力伝達効率が改善される。
のパターン幅をパターン間隔の３倍以上に設定したた
め、電力伝達効率が改善される。
【図１】本発明の一実施例の斜視図。
【図２】前記実施例の縦断面図。
【図３】図２のIII −III 部分の横断面図。
【図４】図２のIV−IV部分の横断面図。
【図５】図３のＶ−Ｖ断面部分に生じる磁界の模式図。
【図６】従来例の縦断面図。
【図７】図６のVII −VII 部分の横断面図。
【図８】図７のVIII−VIII断面部分に生じる磁界の模式
図。
図。
１０ トランス １１ 多層回路基板 １２ 絶縁層 １３，１３ａ，１３ｂ コイルパターン Ｘ，Ｙ，Ｚ コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井本 晃 鹿児島県国分市山下町１−１ 京セラ株式 会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 末永 弘 鹿児島県国分市山下町１−１ 京セラ株式 会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 米澤 真一 鹿児島県国分市山下町１−１ 京セラ株式 会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 生田 貴紀 鹿児島県国分市山下町１−１ 京セラ株式 会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 田中 康行 鹿児島県国分市山下町１−１ 京セラ株式 会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 横手 伸行 埼玉県飯能市南町10番13号 新電元工業株 式会社工場内 (72)発明者 比留間 義明 埼玉県飯能市南町10番13号 新電元工業株 式会社工場内
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁層が多層に積層されかつ一体化された
絶縁性基板と、 前記絶縁性基板内の厚さ方向に互いに独立して設けられ
かつ前記厚さ方向に巻回された複数のコイルとを備え、 前記コイルは、前記絶縁層間に形成された１ターンを超
えるコイルパターンが互いに連結されたものからなり、
前記コイルパターンは、パターン幅がパターン間隔の３
倍以上に設定されている、トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4348337A JPH06204052A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4348337A JPH06204052A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | トランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204052A true JPH06204052A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18396359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4348337A Pending JPH06204052A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204052A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969304A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-03-13 | 电子科技大学 | 三维集成微型变压器 |
| JP2013191846A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | コモンモードフィルタ及びその製造方法 |
| KR101326677B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2013-11-08 | (주)동양화학 | 1개의 레이어에 1개 이상의 코어가 구현된 서로 다른 권선부재들이 적층되어 형성되는 온-칩 트랜스포머 밸룬 및 권선부재 제조방법 |
| US10660193B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-05-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Multilayer substrate |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4348337A patent/JPH06204052A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013191846A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | コモンモードフィルタ及びその製造方法 |
| KR101326677B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2013-11-08 | (주)동양화학 | 1개의 레이어에 1개 이상의 코어가 구현된 서로 다른 권선부재들이 적층되어 형성되는 온-칩 트랜스포머 밸룬 및 권선부재 제조방법 |
| CN102969304A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-03-13 | 电子科技大学 | 三维集成微型变压器 |
| US10660193B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-05-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Multilayer substrate |
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