JPH06202119A - 液晶配向剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】ポリアミック酸及び／または可溶性ポリイミド
中に、シアノ基及び／またはニトロ基を含有することを
特徴とする液晶配向剤。 【効果】液晶セルの残像消去時間の短い液晶配向剤を得
ることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶配向剤に関する。さ
らに詳しくは、液晶セルの電圧印加時の残像消去時間の
短い液晶配向剤に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、正の誘電異方性を有するネマチッ
ク型液晶を、ポリイミドなどからなる液晶配向膜を有す
る透明電極付き基板でサンドイッチ構造にし、液晶分子
の長軸が基板間で９０〜２７０度連続的に捻れるように
してなるＴＮ，ＳＴＮ型液晶セルを有する液晶表示素子
（ＴＮ，ＳＴＮ型表示素子）が知られている。このＴ
Ｎ，ＳＴＮ型表示素子における液晶の配向は、ラビング
処理が施された液晶配向膜により形成されているが、電
圧印加時に残像が生じるため、十分なコントラストが得
られないという問題を有している。この際、残像が消去
するまでの時間（残像消去時間）は用途などにより異な
るが、直流電圧１０Ｖを１時間印加した場合では５秒以
下が好ましい。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来の問題点を解決するため、液晶セルの電圧印加時の
残像消去時間の短い液晶配向剤を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記問題点につき、鋭意
検討した結果、ポリマー中にシアノ基またはニトロ基を
含有させることにより、ポリマー自体の比誘電率が高く
なり、残像消去時間が短くなることを見いだした。

【０００５】本発明は、下記一般式（Ｉ）

【０００６】

【化１】

【０００７】で表されるテトラカルボン酸二無水物（以
下「化合物Ｉ」という）及び下記一般式（ＩＩ）

【０００８】

【化２】

【０００９】で表されるジアミン化合物（以下「化合物
ＩＩ」という）とを反応させて得られる重合体（以下
「特定重合体Ｉ」という）及び／またはそのイミド化重
合体（以下「特定重合体ＩＩ」という）を含有すること
を特徴とする液晶配向剤に関する。

【００１０】本発明において用いられる化合物Ｉは上記
式（Ｉ）で表される。上記式中、Ｒ¹はテトラカルボン
酸二無水物から無水物基を除去した残基に相当する。

【００１１】かかる化合物Ｉのテトラカルボン酸二無水
物としては、例えばブタンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル
酢酸二無水物、テトラシクロ［６，２，１，１，
０^{2, 7}］ドデカ−４，５，９，１０−テトラカルボン酸
二無水物、３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−
２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフラ
ンテトラカルボン酸二無水物、（５−（２，５−ジオキ
ソテトラヒドロフラン−３−イル）テトラリン−１，２
−ジカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテト
ラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−
１，２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，
２］−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物などの脂肪族または脂環族テトラカルボ
ン酸二無水物；ピロメリット酸二無水物、３，３’，
４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
３，３’，４，４’−ビフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエ
ーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’
−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水
物、３，３’，４，４’−テトラフェニルシランテトラ
カルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラカ
ルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，
４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェ
ニルスルホン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−パーフルオロイソプロピリデンジ
フタル酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルホ
スフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス
（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−
ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフ
ェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルエーテル二無
水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフ
ェニルメタン二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二
無水物を挙げることができる。これらのうちではブタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５−トリカル
ボキシシクロペンチル酢酸二無水物、テトラシクロ
［６，２，１，１，０^2,7］ドデカ−４，５，９，１０
−テトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソ
テトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセ
ン−１，２−ジカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジ
オキソテトラヒドロフラン−３−イル）テトラリン−
１，２−ジカルボン酸二無水物が好ましい。

【００１２】本発明において用いられる化合物ＩＩは上
記式（ＩＩ）で表される。上記式中、Ｒ²はシアノ基を
含有するジアミン化合物からアミノ基を除去した残基に
相当する。

【００１３】かかる化合物ＩＩとしては、例えば２，３
−ジアミノベンゾニトリル、２，４−ジアミノベンゾニ
トリル、２，５−ジアミノベンゾニトリル、２，６−ジ
アミノベンゾニトリル、３，５−ジアミノベンゾニトリ
ル、３，４−ジアミノベンゾニトリル、２，３−ジアミ
ノベンジルシアニド、２，４−ジアミノベンジルシアニ
ド、２，５−ジアミノベンジルシアニド、２，６−ジア
ミノベンジルシアニド、３，５−ジアミノベンジルシア
ニド、３，４−ジアミノベンジルシアニド、２，３−ジ
アミノ−１−シアノエチルベンゼン、２，４−ジアミノ
−１−シアノエチルベンゼン、２，５−ジアミノ−１−
シアノエチルベンゼン、２，６−ジアミノ−１−シアノ
エチルベンゼン、３，５−ジアミノ−１−シアノエチル
ベンゼン、３，４−ジアミノ−１−シアノエチルベンゼ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジシアノベンゼ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジシアノジフェニ
ルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジシアノ
ジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジ
シアノジフェニルスルホン、下記式で表されるジアミ
ン、

【００１４】

【化３】

【００１５】２，３−ジアミノニトロベンゼン、２，４
−ジアミノニトロベンゼン、２，５−ジアミノニトロベ
ンゼン、２，６−ジアミノニトロベンゼン、３，５−ジ
アミノニトロベンゼン、３，４−ジアミノニトロベンゼ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジニトロビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジニトロジフェニ
ルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジニトロ
ジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジ
ニトロジフェニルスルホン、下記式で表されるジアミン

【００１６】

【化４】

【００１７】などを挙げることができる。これら化合物
ＩＩの中では、比誘電率の観点から、特にシアノ基を含
有する化合物ＩＩが好ましい。

【００１８】また、化合物ＩＩの他に、本発明の効果を
失わない程度で、他のジアミンを併用することができ
る。この他のジアミン化合物としては、例えばｐ−フェ
ニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−
ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェ
ニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、１，５−ジアミノナフ
タレン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフ
ェニル、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノベ
ンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、
４，４’−ジアミノベンゾフェノン、２，２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，
２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−
（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ビスアニリン、
４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ビス
アニリン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）−１０−ヒド
ロアントラセン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）
フルオレン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロア
ニリン）、２，２’，５，５’−テトラクロロ−４，
４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジクロロ−４，
４’−ジアミノ−５，５’−ジメトキシビフェニル、
３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル
などの芳香族ジアミン；ジアミノテトラフェニルチオフ
ェンなどのヘテロ原子を有する芳香族ジアミン；１，１
−メタキシリレンジアミン、１，２−エチレンジアミ
ン、１，３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミ
ン、ノナメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘ
キサン、イソホロンジアミン、テトラヒドロジシクロペ
ンタジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−４，７−メタ
ノインダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ［６，
２，１，０^2.7］−ウンデシレンジメチルジアミン、
４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）など
の脂肪族または脂環族ジアミン；

【００１９】

【化５】

【００２０】（式中、Ｒ⁵はメチル基、エチル基、プロ
ピル基などのアルキル基、シクロヘキシル基などのシク
ロアルキル基またはフェニル基などのアリール基のよう
な炭素数１〜１２の炭化水素基を示し、ｐは１〜３、ｑ
は１〜２０のそれぞれ整数を示す）などで表されるジア
ミノオルガノシロキサンが挙げられる。これらのうち、
ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フ
ルオレン 、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパンが好ま
しい。これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使
用できる。また、これらジアミン化合物は市販品をその
まま使用しても、再還元して使用してもよい。

【００２１】かかる他のジアミンの使用は、全ジアミン
化合物中、通常０〜９５モル％、好ましくは０〜９０モ
ル％である。

【００２２】本発明に用いられる特定重合体Ｉは、化合
物Ｉと化合物ＩＩを反応させて得られる。かかる反応は
有機溶媒中で、通常０〜１５０℃、好ましくは０〜１０
０℃の温度で行われる。

【００２３】反応に用いられる上記有機溶媒とては、反
応で生成する特定重合体Ｉを溶解しうるものであれば特
に制限はない。例えば、γ−ブチロラクトン，Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルトリアミ
ドなどの非プロトン系極性溶媒；ｍ−クレゾール、キシ
レノール、フェノール、ハロゲン化フェノールなどのフ
ェノール系溶媒を挙げることができる。有機溶媒の使用
量は、通常、化合物Ｉ及び全アミン化合物の総量が、反
応溶液の全量に対して０．１〜３０重量％になるように
するのが好ましい。

【００２４】テトラカルボン酸二無水物と全アミン化合
物の使用割合は、全アミン化合物中のアミノ基１等量に
対してテトラカルボン酸二無水物の酸無水物基を０．２
〜２等量とするのが好ましく、より好ましくは０．３〜
１．４等量である。

【００２５】本発明に用いられる特定重合体ＩＩは、上
記した特定重合体Ｉを、加熱して、または脱水剤及びイ
ミド化触媒の存在下でイミド化することにより得られ
る。加熱によりイミド化する場合の反応温度は、通常６
０〜２００℃、好ましくは１００〜１７０℃である。反
応温度が６０℃未満では反応の進行が遅れ、また２００
℃を越えると可溶性ポリイミドの分子量が大きく低下す
ることがある。また、脱水剤及びイミド化触媒の存在下
でイミド化する場合の反応は、前記した有機溶媒中で行
うことができる。反応温度は、通常０〜１８０℃、好ま
しくは６０〜１５０℃である。脱水剤としては、無水酢
酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸
無水物を用いることができる。また、イミド化触媒とし
ては、例えばピリジン、コリジン、ルチジン、トリエチ
ルアミンなどの３級アミンを用いることができるが、こ
れらに限定されるものではない。脱水剤の使用量は、特
定重合体Ｉの繰り返し単位１モルに対して１．６〜２０
モルとするのが好ましい。また、イミド化触媒の使用量
は使用する脱水剤１モルに対し、０．５〜１０モルとす
るのが好ましい。

【００２６】このようにして得られる特定重合体Ｉ及び
／または特定重合体ＩＩの固有粘度［η_inh＝（ｌｎ η
ｒｅｌ／Ｃ、Ｃ＝０．５ｇ／ｄｌ、３０℃、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン中、以下同条件にて固有粘度を測定］
は、通常、０．０５〜１０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．０
５〜５ｄｌ／ｇである。

【００２７】なお、前記有機溶媒には、貧溶媒であるア
ルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、ハロ
ゲン化炭化水素類、炭化水素類を生成する重合体が析出
しない程度に併用することができる。かかる貧溶媒とし
ては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、シクロヘキサノール、エチレン
グリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジ
オール、トリエチレングリコール、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジ
エチル、マロン酸ジエチル、ジエチルエーテル、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール−
ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコール−ｉ−プロ
ピルエーテル、ブチルセロソルブ、エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル
アセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２−ジクロ
ロエタン、１，４−ジクロロブタン、トリクロロエタ
ン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどを挙げることができる。

【００２８】また、本発明の液晶配向剤は、特定重合体
Ｉ及び／または特定重合体ＩＩと基板との接着性を改善
する目的で、官能性シラン含有化合物を含有することが
できる。

【００２９】官能性シラン含有化合物としては、例えば
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプ
ロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル
−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエ
トキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−ト
リメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１
０−トリメトキシイシリル−１，４，７−トリアザデカ
ン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザ
デカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニ
ルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジア
ザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレ
ン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビ
ス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキ
シシランなどが挙げられる。

【００３０】本発明の液晶配向剤を用いて得られる液晶
表示素子は、例えば次の方法によって製造することがで
きる。

【００３１】まず、透明導電膜が設けられた基板の透明
導電膜側に、本発明の液晶配向剤を印刷により塗布し、
８０〜２００℃、好ましくは１２０〜２００℃の温度で
加熱して塗膜を形成させる。この塗膜は、通常、０．０
０１〜１μｍ、好ましくは０．００５〜０．５μｍであ
る。

【００３２】上記の様に形成された塗膜は、ナイロンな
どの合成繊維からなる布を巻き付けたロールでラビング
処理を行うことにより、液晶配向膜とされる。

【００３３】上記基板としては、例えばフロートガラ
ス、ソーダガラスなどのガラス、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルス
ルホン、ポリカーボネートなどのプラスチックフィルム
などからなる透明基板を用いることができる。

【００３４】上記透明導電膜としては、ＳｎＯ₂からな
るＮＥＳＡ膜、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂からなるＩＴＯ膜な
どを用いることができ、これらの透明導電膜のパターニ
ングには、フォト・エッチング法、予めマスクを用いる
方法などが用いられる。

【００３５】液晶配向剤の塗布に際しては、基板及び透
明導電膜と塗膜との接着性をさらに良好にするために、
基板及び透明導電膜上に、予め官能性シラン含有化合
物、チタネートなどを塗布することもできる。

【００３６】液晶配向膜が形成された基板は、その２枚
を液晶配向膜をラビング方向が直交または逆平行となる
よう対向させ、基板の間の周辺部をシール剤でシール
し、液晶を充填し、充填孔を封止して液晶セルとし、そ
の両面に偏光方向がそれぞれ基板の液晶配向膜のラビン
グ方向と一致または直交するように張り合わせることに
より液晶表示素子とされる。

【００３７】上記シール剤としては、例えば硬化剤及び
スペーサーとしての酸化アルミニウム球を含有したエポ
キシ樹脂などを用いることができる。

【００３８】上記液晶としては、ネマティック型液晶、
スメクティック型液晶、その中でもネマティック型液晶
を形成させるものが好ましく、例えばシッフベース系液
晶、アゾキシ系液晶、ビフェニル系液晶、フェニルシク
ロヘキサン系液晶、エステル系液晶、ターフェニル系液
晶、ビフェニルシクロヘキサン系液晶、ピリミジン系液
晶、ジオキサン系液晶、ビシクロオクタン系液晶、キュ
バン系液晶などが用いられる。また、これらの液晶に、
例えばコレスチルクロライド、コレステリルノナエー
ト、コレステリルカーボネートなどのコレステリック液
晶や商品名Ｃ−１５，ＣＢ−１５（メルク社製）として
販売されているようなカイラル剤などを添加して使用す
ることもできる。さらに、ｐ−デシロキシベンジリデン
−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメートなどの強
誘電性液晶も使用することができる。

【００３９】液晶セルの外側に使用される偏光板として
は、ポリビニルアルコールを延伸配向させながら、ヨウ
素を吸収させたＨ膜と呼ばれる偏光膜を酢酸セルロース
保護膜で挟んだ偏光板、またはＨ膜そのものからなる偏
光板などを挙げることができる。

【００４０】

【実施例】以下、本発明を実施例により、さらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるも
のではない。なお、液晶配向膜の比誘電率は、２５μｍ
の液晶配向膜をアルミニウム電極に挟み、ＬＣＲメータ
ーで測定した（１ｋＨｚでの値）。また、残像消去時間
は液晶セルに１０Ｖの直流電圧を１時間印加した後電圧
をＯＦＦし、目視で残像が消去するまでの時間を測定し
た。

【００４１】合成例１ ２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水
物４４．８ｇ及び２，５−ジアミノベンゾニトリル２
６．６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン９８８ｇに溶解
させ、室温で６時間反応させた。次いで、反応混合物を
大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈澱させた。
その後、メタノールで洗浄し、減圧下４０℃で１５時間
乾燥させて、固有粘度０．９６ｄｌ／ｇの特定重合体Ｉ
ａ５６．２ｇを得た。

【００４２】合成例２ 合成例１で得られた特定重合体Ｉａ３０．０ｇを５７０
ｇのγ−ブチロラクトンに溶解し、２１．６ｇのピリジ
ンと１６．７４ｇの無水酢酸を添加し、１２０℃で３時
間イミド化反応反応をさせた。次いで、反応生成液を合
成例１と同様に沈澱させ、固有粘度０．９８ｄｌ／ｇの
特定重合体ＩＩａ２４．０ｇを得た。

【００４３】合成例３ 合成例１において、ジアミンを２，５−ジアミノベンゾ
ニトリル１３．３ｇ及びｐ−フェニレンジアミン１０．
８ｇとした以外は、合成例１と同様にして特定重合体Ｉ
ｂを得、さらにこの特定重合体Ｉｂを用いて合成例２と
同様にしてイミド化反応を行い、固有粘度１．０８ｄｌ
／ｇの特定重合体ＩＩｂ２２．２ｇを得た。

【００４４】合成例４ 合成例１において、テトラカルボン酸二無水物をシクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物３９．２ｇとした以外
は合成例１と同様にして、固有粘度１．１６ｄｌ／ｇ特
定重合体Ｉｃ５０．５ｇを得た。

【００４５】合成例５ 合成例１において、テトラカルボン酸二無水物を１，
３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラ
ヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト
［１，２−ｃ］フラン−１，３−ジオン６０．０ｇとし
た以外は合成例１と同様にして特定重合体Ｉｄを得、さ
らにこの特定重合体Ｉｄを用いて合成例２と同様にして
イミド化反応を行い、固有粘度１．１８ｄｌ／ｇの特定
重合体ＩＩｄ２２．２ｇを得た。

【００４６】合成例６ 合成例１において、２，５−ジアミノベンゾニトリルの
かわりに、下記のジアミン

【００４７】

【化６】

【００４８】５０．４ｇをとした以外は合成例１と同様
にして特定重合体Ｉｅを得、さらにこの特定重合体Ｉｅ
を用いて合成例２と同様にしてイミド化反応を行い、固
有粘度１．０６ｄｌ／ｇの特定重合体ＩＩｅ２１．２ｇ
を得た。

【００４９】合成例７ 合成例１において、２，５−ジアミノベンゾニトリルの
かわりに、３，５−ジアミノニトロベンゼン３０．６ｇ
とした以外は合成例１と同様にして特定重合体Ｉｆを
得、さらにこの特定重合体Ｉｆを用いて合成例２と同様
にしてイミド化反応を行い、固有粘度１．２６ｄｌ／ｇ
の特定重合体ＩＩｆ２１．２ｇを得た。

【００５０】合成例８ 合成例１において、２，５−ジアミノベンゾニトリルの
かわりに、下記のジアミン

【００５１】

【化７】

【００５２】５４．４ｇとした以外は合成例１と同様に
して特定重合体Ｉｇを得、さらにこの特定重合体Ｉｇを
用いて合成例２と同様にしてイミド化反応を行い、固有
粘度１．１６ｄｌ／ｇの特定重合体ＩＩｇ２１．２ｇを
得た。

【００５３】合成例９ シクロブタンテトラカルボン酸二無水物３９．２ｇ及び
ジアミノジフェニルメタン３９．６ｇとした以外は、合
成例１と同様にして固有粘度１．３５ｄｌ／ｇの特定重
合体Ｉｈを得た。

【００５４】実施例１ 合成例１で得られた特定重合体Ｉａ（比誘電率８．８）
をγ−ブチロラクトンに溶解させて、固形分濃度４重量
％の溶液とし、この溶液を孔径１μｍのフィルターで濾
過し、液晶配向剤溶液を調製した。この溶液を、液晶配
向膜塗布用印刷機を用いて、ＩＴＯ膜からなる透明電極
付きガラス基板の上に透明電極面に塗布し、１８０℃で
１時間乾燥し、乾燥膜厚０．０５μｍの塗膜を形成し
た。この塗膜にナイロン製の布を巻き付けたロールを有
するラビングマシーンにより、ロールの回転数５００ｒ
ｐｍ、ステージの移動速度１ｃｍ／秒でラビング処理を
行った。

【００５５】次に、一対のラビング処理された基板の液
晶配向膜を有するそれぞれの外縁に、直径１７μｍの酸
化アルミニウム球入りエポキシ樹脂接着剤をスクリーン
印刷塗布した後、一対の基板を液晶配向膜面が相対する
ように、しかもラビング方向が直交するように重ね合わ
せて圧着し、接着剤を硬化させた。次いで、液晶注入口
より一対の基板間に、ネマティック型液晶（メルク社
製、ＺＬＩ−１５６５）を充填した後、エポキシ系接着
剤で液晶注入口を封止し、基板の外側の両面に偏光板
を、偏光板の偏光方向がそれぞれの基板の液晶配向膜の
ラビング方向と一致するように張り合わせ、液晶表示素
子を作製した。液晶セルに１０Ｖの直流電圧を１時間印
加した後の残像消去時間は、２．３ｓｅｃと短いもので
あった。

【００５６】実施例２〜８ 実施例１において、合成例２〜７で得られた特定重合体
Ｉ及び特定重合体ＩＩを用い、液晶配向剤を調製した以
外は、実施例１と同様にして液晶セル作製を行った。残
像消去時間を測定し、結果を表１に示した。

【００５７】

【表１】

【００５８】比較例１ 合成例９で得られた特定重合体Ｉｈ（比誘電率３．１）
を用いた以外は、実施例１と同様にして液晶セル作製を
行ったところ、残像消去時間は２５．０ｓｅｃと長時間
にわたって残像が生じた。

【００５９】

【発明の効果】本発明の液晶配向剤によれば、液晶セル
の残像消去時間の短い、特にＴＮ，ＳＴＮ型液晶表示素
子用として好適な液晶配向膜が得られる。また、本発明
の液晶配向剤を用いて形成した液晶配向膜を有する液晶
表示素子は、使用する液晶を選択することにより、ＳＨ
（Super Homeotropic），強誘電性，反強誘電性液晶表
示素子にも好適に使用することができる。さらに、本発
明の液晶配向剤を用いて形成した配向膜を有する液晶表
示素子は、液晶の配向性及び信頼性に優れ、種々の装置
に有効に使用でき、例えば卓上計算機、腕時計、置時
計、係数表示板、ワードプロセッサ、パーソナルコンピ
ューター、液晶テレビなどの表示装置に用いられる。

フロントページの続き (72)発明者 別所 信夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式（Ｉ） 【化１】 で表されるテトラカルボン酸二無水物及び下記一般式
   （ＩＩ） 【化２】 で表されるジアミン化合物とを反応させて得られる重合
   体及び／またはそのイミド化重合体を含有することを特
   徴とする液晶配向剤。