JPH06201719A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH06201719A JPH06201719A JP5250432A JP25043293A JPH06201719A JP H06201719 A JPH06201719 A JP H06201719A JP 5250432 A JP5250432 A JP 5250432A JP 25043293 A JP25043293 A JP 25043293A JP H06201719 A JPH06201719 A JP H06201719A
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- JP
- Japan
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- plate
- acceleration sensor
- silicon
- plates
- hollow chamber
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加速度センサの中空室内に規定された圧力を
封入し得るようにする。 【構成】 3つの上下に重なったシリコン板1・2・3
の中央のシリコン板2に可動要素4が形成されている。
これによって形成された中空室5は加速度センサの製作
の際に外側のシリコン板3に形成されている穴6によっ
て排気される。穴6は別の板10によって閉鎖されてい
る。
封入し得るようにする。 【構成】 3つの上下に重なったシリコン板1・2・3
の中央のシリコン板2に可動要素4が形成されている。
これによって形成された中空室5は加速度センサの製作
の際に外側のシリコン板3に形成されている穴6によっ
て排気される。穴6は別の板10によって閉鎖されてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,中央のシリコン板と2
つの外側のシリコン板とを有する加速度センサであっ
て,中央のシリコン板には,中央のシリコン板に固定さ
れていてセンサの加速度によって可動である要素が形成
されており,この可動要素は3つのシリコン板によって
形成されている中空室内に封入されており,外側のシリ
コン板がこの中空室の壁を形成している形式のものに関
する。
つの外側のシリコン板とを有する加速度センサであっ
て,中央のシリコン板には,中央のシリコン板に固定さ
れていてセンサの加速度によって可動である要素が形成
されており,この可動要素は3つのシリコン板によって
形成されている中空室内に封入されており,外側のシリ
コン板がこの中空室の壁を形成している形式のものに関
する。
【0002】
【従来の技術】ヨーロッパ特許出願公開(EP A1)369 3
52 号明細書及び図面には,中央のシリコン板と2つの
外側のシリコン板とを有する加速度センサが既に記載さ
れており,この場合中央のシリコン板には,加速度によ
って可動である要素が形成されている。この可動要素は
3つのシリコン板によって形成されている中空室内に封
入されている。中央のシリコン板と両方の外側のシリコ
ン板との結合は,シリコン板を前処理して重ね合わせ,
次いで酸素雰囲気又は窒素雰囲気中で800〜1000
°Cの温度で熱処理することによって,行われる。
52 号明細書及び図面には,中央のシリコン板と2つの
外側のシリコン板とを有する加速度センサが既に記載さ
れており,この場合中央のシリコン板には,加速度によ
って可動である要素が形成されている。この可動要素は
3つのシリコン板によって形成されている中空室内に封
入されている。中央のシリコン板と両方の外側のシリコ
ン板との結合は,シリコン板を前処理して重ね合わせ,
次いで酸素雰囲気又は窒素雰囲気中で800〜1000
°Cの温度で熱処理することによって,行われる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は,中空
室内に規定された圧力を封入し得るようにすることであ
る。
室内に規定された圧力を封入し得るようにすることであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に,本発明の構成では,最初に述べた形式の加速度セン
サにおいて,外側のシリコン板の少なくとも一方が1つ
の別の板と結合されており,この少なくとも一方の外側
のシリコン板によって形成されている中空室の壁に穴が
形成されていて,この穴は別の板によって気密に閉じら
れているようにした。
に,本発明の構成では,最初に述べた形式の加速度セン
サにおいて,外側のシリコン板の少なくとも一方が1つ
の別の板と結合されており,この少なくとも一方の外側
のシリコン板によって形成されている中空室の壁に穴が
形成されていて,この穴は別の板によって気密に閉じら
れているようにした。
【0005】
【発明の効果】中空室の壁に穴を形成し,この穴を別の
板によって気密に閉じることによって,中空室内に規定
された圧力を封入することができる。
板によって気密に閉じることによって,中空室内に規定
された圧力を封入することができる。
【0006】請求項2以下に記載した手段によって請求
項1に記載した加速度センサを更に改善することができ
る。ガラス板あるいはガラスの表面層を有するシリコン
板を使用することによって,中空室内の圧力の再現可能
性が高められる。ガラスの薄い表面層はスパッタリング
・蒸着あるいはスクリーン印刷によってシリコン板に取
り付けることができる。外側シリコン板と別の板との間
の機械的なひずみを特にわずかにするには,別の板を金
属のろう層を有するシリコン板として構成するとよい。
このような層順序によって,ろう接の際に,中空室内の
圧力を変化させないような低温プロセスを使用すること
ができる。加速度センサをできるだけ安価に構成するた
めには,別の板をケーシングの底との結合板としても使
用する。穴だけを取り囲む小さな結合範囲を使用するこ
とによって,センサ内の機械的なひずみが減少せしめら
れる。この場合,別の板は結合範囲と同じ大きさに構成
することができ,あるいは別の板又は外側のシリコン板
にその表面から突出している結合範囲を形成しておくこ
とができる。
項1に記載した加速度センサを更に改善することができ
る。ガラス板あるいはガラスの表面層を有するシリコン
板を使用することによって,中空室内の圧力の再現可能
性が高められる。ガラスの薄い表面層はスパッタリング
・蒸着あるいはスクリーン印刷によってシリコン板に取
り付けることができる。外側シリコン板と別の板との間
の機械的なひずみを特にわずかにするには,別の板を金
属のろう層を有するシリコン板として構成するとよい。
このような層順序によって,ろう接の際に,中空室内の
圧力を変化させないような低温プロセスを使用すること
ができる。加速度センサをできるだけ安価に構成するた
めには,別の板をケーシングの底との結合板としても使
用する。穴だけを取り囲む小さな結合範囲を使用するこ
とによって,センサ内の機械的なひずみが減少せしめら
れる。この場合,別の板は結合範囲と同じ大きさに構成
することができ,あるいは別の板又は外側のシリコン板
にその表面から突出している結合範囲を形成しておくこ
とができる。
【0007】
【実施例】以下においては図1〜図5に示した実施例に
基づいて本発明の構成を具体的に説明する。
基づいて本発明の構成を具体的に説明する。
【0008】図1に示した加速度センサは,中央のシリ
コン板2と,2つの外側のシリコン板1・3と,1つの
別の板10とから構成されている。中央のシリコン板2
には可動要素4が形成されており,これは,振動質量体
31を有する曲げ舌状部30として構成されている。こ
の可動要素4は,中央のシリコン板2と両方の外側のシ
リコン板1・2とによって形成されている中空室5内に
配置されている。一方の外側のシリコン板3は穴6を有
している。しかしながらこの穴は,外側のシリコン板3
と結合されている別の板10によって閉じられている。
更に加速度センサはケーシング7の底上に配置されてい
る。
コン板2と,2つの外側のシリコン板1・3と,1つの
別の板10とから構成されている。中央のシリコン板2
には可動要素4が形成されており,これは,振動質量体
31を有する曲げ舌状部30として構成されている。こ
の可動要素4は,中央のシリコン板2と両方の外側のシ
リコン板1・2とによって形成されている中空室5内に
配置されている。一方の外側のシリコン板3は穴6を有
している。しかしながらこの穴は,外側のシリコン板3
と結合されている別の板10によって閉じられている。
更に加速度センサはケーシング7の底上に配置されてい
る。
【0009】中央のシリコン板2と両方の外側のシリコ
ン板1・3とだけによっても充分に価値のある加速度セ
ンサが構成される。このような加速度センサは最初に指
摘したヨーロッパ特許出願公開(EP A1)369 352 号明
細書及び図面に記載されている。加速度によって可動要
素4は図示の休止位置から変位せしめられる。換言すれ
ば振動質量体31は外側のシリコン板1・3の一方に近
付く。シリコン板は互いに絶縁されている。振動質量体
31が外側のシリコン板1・3の一方に近付くことによ
って,中央のシリコン板2と両方の外側のシリコン板と
の間の測定可能な容量が変化する。この容量変化は測定
される加速度のための尺度となる。可動要素4の運動は
中空室5内に封入されている空気によって緩衝される。
振動質量体31と外側のシリコン板1・3との間の間隔
はわずかであるので,この可動要素4の運動の空気緩衝
作用は比較的に大きい。したがって,中空室5内に規定
された負圧を封入しておくのが望ましい。なぜならこの
負圧によって加速度センサの緩衝特性ひいては動作が決
定されるからである。この場合,誤差が5%以下の再現
可能性を有する 0.01 〜 10 ミリバールの負圧が希求さ
れる。加速度センサを製作する場合,中空室5は穴6を
介して排気され,次いで別の板10によって閉じられ
る。中央のシリコン板2を穴を有していない外側のシリ
コン板と結合して,中空室5を直接に閉じる場合,中空
室5内に規定された負圧を生ぜしめることができない。
その1つの理由は,シリコン板を直接に結合するのに必
要な高い温度である。800〜1000°Cの大きさの
温度では,中空室5内に場合によって存在している残存
ガスがシリコン板1・2・3のケイ素と反応したり,あ
るいは既にケイ素と反応しているガス分子が再び中空室
内に放出されることがある。これらの反応はあらかじめ
予測したり,再現させたりすることが困難である。温度
を800°Cよりも低い危険でない範囲に低下させる
と,一般に結合の品度が悪くなる。更に真空内でシリコ
ン板を直接に結合することは困難であり,歩留りが悪
い。シリコン板1・2・3を結合するためには,結合の
前に化学的な前処理が行われ,親水性の表面が生ぜしめ
られる。この親水性の表面は真空内では変化し,シリコ
ン板の結合の品度が減少せしめられる。
ン板1・3とだけによっても充分に価値のある加速度セ
ンサが構成される。このような加速度センサは最初に指
摘したヨーロッパ特許出願公開(EP A1)369 352 号明
細書及び図面に記載されている。加速度によって可動要
素4は図示の休止位置から変位せしめられる。換言すれ
ば振動質量体31は外側のシリコン板1・3の一方に近
付く。シリコン板は互いに絶縁されている。振動質量体
31が外側のシリコン板1・3の一方に近付くことによ
って,中央のシリコン板2と両方の外側のシリコン板と
の間の測定可能な容量が変化する。この容量変化は測定
される加速度のための尺度となる。可動要素4の運動は
中空室5内に封入されている空気によって緩衝される。
振動質量体31と外側のシリコン板1・3との間の間隔
はわずかであるので,この可動要素4の運動の空気緩衝
作用は比較的に大きい。したがって,中空室5内に規定
された負圧を封入しておくのが望ましい。なぜならこの
負圧によって加速度センサの緩衝特性ひいては動作が決
定されるからである。この場合,誤差が5%以下の再現
可能性を有する 0.01 〜 10 ミリバールの負圧が希求さ
れる。加速度センサを製作する場合,中空室5は穴6を
介して排気され,次いで別の板10によって閉じられ
る。中央のシリコン板2を穴を有していない外側のシリ
コン板と結合して,中空室5を直接に閉じる場合,中空
室5内に規定された負圧を生ぜしめることができない。
その1つの理由は,シリコン板を直接に結合するのに必
要な高い温度である。800〜1000°Cの大きさの
温度では,中空室5内に場合によって存在している残存
ガスがシリコン板1・2・3のケイ素と反応したり,あ
るいは既にケイ素と反応しているガス分子が再び中空室
内に放出されることがある。これらの反応はあらかじめ
予測したり,再現させたりすることが困難である。温度
を800°Cよりも低い危険でない範囲に低下させる
と,一般に結合の品度が悪くなる。更に真空内でシリコ
ン板を直接に結合することは困難であり,歩留りが悪
い。シリコン板1・2・3を結合するためには,結合の
前に化学的な前処理が行われ,親水性の表面が生ぜしめ
られる。この親水性の表面は真空内では変化し,シリコ
ン板の結合の品度が減少せしめられる。
【0010】本発明のように,外側のシリコン板3に穴
6を形成し,別の板10によって閉じるようにすると,
中空室5内に申し分なく再現可能な負圧を生ぜしめるこ
とができる。すなわち,まず両方の外側のシリコン板1
・3を,可動要素4が形成されている中央のシリコン板
2と結合する。この結合は800〜1000°Cの大き
さの温度での熱処理によって申し分のない品度で行われ
る。次にこのシリコン板結合体を別の板10と結合す
る。この別の板10はガラス板であって,いわゆる陽極
酸化結合法でシリコン板結合体と結合される。この場合
シリコン板結合体が別の板10上に置かれ,加速度セン
サの周囲が負圧にされる。穴6によって中空室内の空気
がシリコン板3と別の板10との間を通って外部に逃が
され,したがって中空室5内に規定された負圧を生ぜし
めることができる。30〜1000ボルトの電圧を作用
させることによってガラスの板10が静電的にシリコン
板結合体に引き付けられる。ガラスの板10はナトリウ
ムを含有するガラス板であって,例えば Corning Glass
社から Pyrex という商品名で販売されているものを使
用することができる。200〜400°Cの大きさの温
度での熱処理及び電界の作用によって,別の板10と外
側のシリコン板3とが解離不能に結合される。
6を形成し,別の板10によって閉じるようにすると,
中空室5内に申し分なく再現可能な負圧を生ぜしめるこ
とができる。すなわち,まず両方の外側のシリコン板1
・3を,可動要素4が形成されている中央のシリコン板
2と結合する。この結合は800〜1000°Cの大き
さの温度での熱処理によって申し分のない品度で行われ
る。次にこのシリコン板結合体を別の板10と結合す
る。この別の板10はガラス板であって,いわゆる陽極
酸化結合法でシリコン板結合体と結合される。この場合
シリコン板結合体が別の板10上に置かれ,加速度セン
サの周囲が負圧にされる。穴6によって中空室内の空気
がシリコン板3と別の板10との間を通って外部に逃が
され,したがって中空室5内に規定された負圧を生ぜし
めることができる。30〜1000ボルトの電圧を作用
させることによってガラスの板10が静電的にシリコン
板結合体に引き付けられる。ガラスの板10はナトリウ
ムを含有するガラス板であって,例えば Corning Glass
社から Pyrex という商品名で販売されているものを使
用することができる。200〜400°Cの大きさの温
度での熱処理及び電界の作用によって,別の板10と外
側のシリコン板3とが解離不能に結合される。
【0011】図2に示した実施例においては,別の板1
1は薄い表面層15を有している。符号1〜7で示した
部分は図1の部分と同じである。別の板11はやはりシ
リコンから成り,そのガラスの表面層15は陽極酸化接
合法で外側のシリコン板3に結合することができる。ガ
ラスの薄い表面層15はスパッタリングあるいはガラス
混入ペーストのスクリーン印刷並びにその後の焼結によ
って設けられる。この実施例では,図1について説明し
た利点のほかに,シリコンから成る別の板11を使用す
ることによって,加速度センサの内部の機械的ひずみが
減少するという利点が得られる。それは別の板11が3
つのシリコン板1・2・3と同じ熱膨張率を有している
からである。
1は薄い表面層15を有している。符号1〜7で示した
部分は図1の部分と同じである。別の板11はやはりシ
リコンから成り,そのガラスの表面層15は陽極酸化接
合法で外側のシリコン板3に結合することができる。ガ
ラスの薄い表面層15はスパッタリングあるいはガラス
混入ペーストのスクリーン印刷並びにその後の焼結によ
って設けられる。この実施例では,図1について説明し
た利点のほかに,シリコンから成る別の板11を使用す
ることによって,加速度センサの内部の機械的ひずみが
減少するという利点が得られる。それは別の板11が3
つのシリコン板1・2・3と同じ熱膨張率を有している
からである。
【0012】図3は第3実施例を示す。符号1〜7で示
した部分は図1のものと同じである。別の板12はシリ
コンから成り,その表面に薄いろう層16を有してお
り,穴6だけを取り囲んでいる結合範囲20にわたって
外側のシリコン板3と結合されている。別の板12の幾
何学的寸法が小さいことによって,3つのシリコン板1
・2・3の結合体は大部分ケーシング7に対して自由に
膨張することができ,ケーシング7と3つのシリコン板
1・2・3との間にひずみが生ずることはない。したが
ってこの手段によって,加速度センサの温度に基づくひ
ずみが減少せしめられる。ろう層16のために適当なろ
う材を選択することによって,別の板12は,200〜
400°Cの大きさの温度で外側のシリコン板3と結合
することができる。適当な材料は例えば金であり,この
金は370°Cの温度でシリコンとろう結合するのに適
している。外側のシリコン板3と結合するためのこのよ
うな金層は,例えばニッケル及びクロームから成る中間
層によって,板12がガラスから成っている場合でも,
使用することができる。
した部分は図1のものと同じである。別の板12はシリ
コンから成り,その表面に薄いろう層16を有してお
り,穴6だけを取り囲んでいる結合範囲20にわたって
外側のシリコン板3と結合されている。別の板12の幾
何学的寸法が小さいことによって,3つのシリコン板1
・2・3の結合体は大部分ケーシング7に対して自由に
膨張することができ,ケーシング7と3つのシリコン板
1・2・3との間にひずみが生ずることはない。したが
ってこの手段によって,加速度センサの温度に基づくひ
ずみが減少せしめられる。ろう層16のために適当なろ
う材を選択することによって,別の板12は,200〜
400°Cの大きさの温度で外側のシリコン板3と結合
することができる。適当な材料は例えば金であり,この
金は370°Cの温度でシリコンとろう結合するのに適
している。外側のシリコン板3と結合するためのこのよ
うな金層は,例えばニッケル及びクロームから成る中間
層によって,板12がガラスから成っている場合でも,
使用することができる。
【0013】図4に示した第4実施例はケーシング7に
対する温度に基づくひずみがわずかである。符号1〜7
で示した部分は図1のものと同じである。別の板13は
その表面から突出している結合範囲21を有しており,
この結合範囲21によって外側のシリコン板3の穴6の
回りと結合されている。穴6はこの結合範囲21によっ
て閉じられる。結合範囲21が突出していることによっ
て,3つのシリコン板1・2・3の結合体が温度変化に
よって膨張・収縮を行っても,別の板13若しくはケー
シング7の熱膨張率がシリコンとは異なっていても,こ
れらに対して著しい機械的なひずみが生ずることはな
い。したがって,穴6だけを取り囲む範囲にわたって別
の板13を外側のシリコン板3と結合する結合範囲21
によって,センサの測定精度の温度による変化が減少せ
しめられる。
対する温度に基づくひずみがわずかである。符号1〜7
で示した部分は図1のものと同じである。別の板13は
その表面から突出している結合範囲21を有しており,
この結合範囲21によって外側のシリコン板3の穴6の
回りと結合されている。穴6はこの結合範囲21によっ
て閉じられる。結合範囲21が突出していることによっ
て,3つのシリコン板1・2・3の結合体が温度変化に
よって膨張・収縮を行っても,別の板13若しくはケー
シング7の熱膨張率がシリコンとは異なっていても,こ
れらに対して著しい機械的なひずみが生ずることはな
い。したがって,穴6だけを取り囲む範囲にわたって別
の板13を外側のシリコン板3と結合する結合範囲21
によって,センサの測定精度の温度による変化が減少せ
しめられる。
【0014】図5に示した第5実施例はやはり穴6を取
り囲む結合範囲22を有している。符号1〜7で示した
部分は図1のものと同じである。この場合には,結合範
囲22は外側のシリコン板3から突出して,別の板10
と結合している。この結合範囲22によって,図3及び
図4の実施例におけると同じ利点が得られる。しかも図
5の実施例では,別の板10を外側のシリコン板3に対
して調整する精度は極めてわずかでよい。したがって,
この図5の手段によってセンサの製作プロセスが簡単に
なる。
り囲む結合範囲22を有している。符号1〜7で示した
部分は図1のものと同じである。この場合には,結合範
囲22は外側のシリコン板3から突出して,別の板10
と結合している。この結合範囲22によって,図3及び
図4の実施例におけると同じ利点が得られる。しかも図
5の実施例では,別の板10を外側のシリコン板3に対
して調整する精度は極めてわずかでよい。したがって,
この図5の手段によってセンサの製作プロセスが簡単に
なる。
【図1】別の板がガラス板である加速度センサを示した
図である。
図である。
【図2】別の板がシリコン板である加速度センサを示し
た図である。
た図である。
【図3】結合範囲が小さい加速度センサを示した図であ
る。
る。
【図4】小さな結合範囲が別の板の表面から突出してい
る加速度センサを示した図である。
る加速度センサを示した図である。
【図5】小さな結合範囲が外側のシリコン板から突出し
ている加速度センサを示した図である。
ている加速度センサを示した図である。
1〜3 シリコン板, 4 可動要素, 5 中空室,
6 穴, 7 ケーシング, 10〜13 板, 1
5 表面層, 16 ろう層, 20〜22結合範囲,
30 曲げ舌状部, 31 振動質量体
6 穴, 7 ケーシング, 10〜13 板, 1
5 表面層, 16 ろう層, 20〜22結合範囲,
30 曲げ舌状部, 31 振動質量体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディートリッヒ シューベルト ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ペー ター−ローゼガー−シュトラーセ 84 (72)発明者 ヘルムート バウマン ドイツ連邦共和国 ゴマリンゲン エンゲ ルハークシュトラーセ 16 (72)発明者 ホルスト ミュンツェル ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン グル オバッハシュトラーセ 60 (72)発明者 ミヒャエル オッフェンベルク ドイツ連邦共和国 テュービンゲン オプ デア グラーフェンハルデ 17 (72)発明者 マルティン ヴィルマン ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン アー ヘナー シュトラーセ 146
Claims (13)
- 【請求項1】 中央のシリコン板(2)と2つの外側の
シリコン板(1・3)とを有する加速度センサであっ
て,中央のシリコン板(2)には,中央のシリコン板
(2)に固定されていてセンサの加速度によって可動で
ある要素(4)が形成されており,この可動要素(4)
は3つのシリコン板(1・2・3)によって形成されて
いる中空室(5)内に封入されており,外側のシリコン
板(1・3)がこの中空室(5)の壁を形成している形
式のものにおいて,外側のシリコン板(1・3)の少な
くとも一方が1つの別の板(10〜13)と結合されて
おり,この少なくとも一方の外側のシリコン板によって
形成されている中空室(5)の壁に穴(6)が形成され
ていて,この穴(6)は別の板(10〜13)によって
気密に閉じられていることを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項2】 別の板(10)がガラスから成っていす
る請求項1記載の加速度センサ。 - 【請求項3】 別の板(11)が,ガラスの薄い表面層
(15)を有するシリコン板として構成されている請求
項1記載の加速度センサ。 - 【請求項4】 ガラスの薄い表面層(15)がスパッタ
リング又は蒸着によって取り付けられている請求項3記
載の加速度センサ。 - 【請求項5】 ガラスの薄い表面層(15)がスクリー
ン印刷によって取り付けられている請求項3記載の加速
度センサ。 - 【請求項6】 別の板(11)が,金属のろう層(1
6)を有するシリコン板として構成されている請求項1
記載の加速度センサ。 - 【請求項7】 ろう層(16)が複数の層から構成され
ている請求項6記載の加速度センサ。 - 【請求項8】 3つシリコン板(1・2・3)が別の板
(10〜13)によってケーシング(7)と結合されて
いる請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の
加速度センサ。 - 【請求項9】 別の板(10〜13)が,穴(6)を取
り囲む結合範囲(20・21・22)においてだけ外側
のシリコン板(1・3)と結合されている請求項1から
請求項8までのいずれか1項に記載の加速度センサ。 - 【請求項10】 別の板(12)の表面全体が結合範囲
(20)を形成している請求項9記載の加速度センサ。 - 【請求項11】 別の板(13)がその表面から突出し
ている結合範囲を(21)を有している請求項9記載の
加速度センサ。 - 【請求項12】 別の板(10〜13)と結合されてい
る外側の板(1・3)がその表面から突出している結合
範囲(22)を有している請求項9記載の加速度セン
サ。 - 【請求項13】 中空室(5)内に負圧が封入されてい
る請求項1から請求項12までのいずれか1項に記載の
加速度センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4234238.4 | 1992-10-10 | ||
| DE4234238A DE4234238A1 (de) | 1992-10-10 | 1992-10-10 | Beschleunigungssensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06201719A true JPH06201719A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=6470185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5250432A Pending JPH06201719A (ja) | 1992-10-10 | 1993-10-06 | 加速度センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5461917A (ja) |
| JP (1) | JPH06201719A (ja) |
| CH (1) | CH687568A5 (ja) |
| DE (1) | DE4234238A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19600400C2 (de) * | 1996-01-08 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Ag | Mikromechanisches Bauteil mit planarisiertem Deckel auf einem Hohlraum und Herstellverfahren |
| US6035714A (en) * | 1997-09-08 | 2000-03-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same |
| US6718605B2 (en) | 1997-09-08 | 2004-04-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same |
| US6167757B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-01-02 | The Regents Of The University Of Michigan | Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same |
| US6036872A (en) * | 1998-03-31 | 2000-03-14 | Honeywell Inc. | Method for making a wafer-pair having sealed chambers |
| US6871544B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-03-29 | Input/Output, Inc. | Sensor design and process |
| CA2365868C (en) * | 1999-03-17 | 2014-11-04 | Input/Output, Inc. | Hydrophone assembly |
| JP2006226743A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
| US7687126B2 (en) | 2005-08-22 | 2010-03-30 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive articles and release liners |
| US8322216B2 (en) * | 2009-09-22 | 2012-12-04 | Duli Yu | Micromachined accelerometer with monolithic electrodes and method of making the same |
| JP7087479B2 (ja) | 2018-03-09 | 2022-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、物理量センサーデバイスを用いた傾斜計、慣性計測装置、構造物監視装置、及び移動体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0340476B1 (en) * | 1988-04-11 | 1993-06-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Acceleration sensor |
| JPH0623782B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ |
| US4901570A (en) * | 1988-11-21 | 1990-02-20 | General Motors Corporation | Resonant-bridge two axis microaccelerometer |
| US5228341A (en) * | 1989-10-18 | 1993-07-20 | Hitachi, Ltd. | Capacitive acceleration detector having reduced mass portion |
| US5090254A (en) * | 1990-04-11 | 1992-02-25 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon resonating beam transducers |
| US5181156A (en) * | 1992-05-14 | 1993-01-19 | Motorola Inc. | Micromachined capacitor structure and method for making |
-
1992
- 1992-10-10 DE DE4234238A patent/DE4234238A1/de not_active Ceased
-
1993
- 1993-09-07 CH CH02663/93A patent/CH687568A5/de not_active IP Right Cessation
- 1993-10-05 US US08/131,821 patent/US5461917A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-06 JP JP5250432A patent/JPH06201719A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4234238A1 (de) | 1994-04-14 |
| CH687568A5 (de) | 1996-12-31 |
| US5461917A (en) | 1995-10-31 |
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