JPH06199534A - 分散シフトファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
分散シフトファイバ用母材の製造方法Info
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- JPH06199534A JPH06199534A JP4360374A JP36037492A JPH06199534A JP H06199534 A JPH06199534 A JP H06199534A JP 4360374 A JP4360374 A JP 4360374A JP 36037492 A JP36037492 A JP 36037492A JP H06199534 A JPH06199534 A JP H06199534A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 角型バーナによりセンターコアを形成し、続
いて同心円バーナでサイドコアを形成し、階段型屈折率
プロファイルを有するシフトファイバの母材を製造する
方法であって、サイドコアの構造パラメータの制御が容
易にできるシフトファイバ用母材の製造方法を提供す
る。 【構成】 角型バーナ１５によりセンターコア１を形成
し、続いて同心円バーナ４０でサイドコア４を形成し、
階段型屈折率プロファイルを有するシフトファイバの母
材を製造する方法であって、前記角型バーナ１５は、原
料ガス流出ノズル２０と、原料ガス流出ノズル２０を挟
んで相対向する位置に設けた２本の不活性ガス流出ノズ
ル２１，２２と、この３つのノズルを取り囲む酸水素炎
形成用ガス流出ノズル２３とからなり、酸水素炎形成用
ガス流出ノズル２３は、酸素ガス流の最内層２４、不活
性ガス流の中間層２５、水素ガス流の最外層２６の三層
に仕切られ、この中間層２５の不活性ガス流は不活性ガ
スと酸素ガスの混合流であること特徴とする方法であ
る。
いて同心円バーナでサイドコアを形成し、階段型屈折率
プロファイルを有するシフトファイバの母材を製造する
方法であって、サイドコアの構造パラメータの制御が容
易にできるシフトファイバ用母材の製造方法を提供す
る。 【構成】 角型バーナ１５によりセンターコア１を形成
し、続いて同心円バーナ４０でサイドコア４を形成し、
階段型屈折率プロファイルを有するシフトファイバの母
材を製造する方法であって、前記角型バーナ１５は、原
料ガス流出ノズル２０と、原料ガス流出ノズル２０を挟
んで相対向する位置に設けた２本の不活性ガス流出ノズ
ル２１，２２と、この３つのノズルを取り囲む酸水素炎
形成用ガス流出ノズル２３とからなり、酸水素炎形成用
ガス流出ノズル２３は、酸素ガス流の最内層２４、不活
性ガス流の中間層２５、水素ガス流の最外層２６の三層
に仕切られ、この中間層２５の不活性ガス流は不活性ガ
スと酸素ガスの混合流であること特徴とする方法であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、階段型屈折率プロファ
イルを有するＤＳＣ（Ｄｕａｌ ＳｈａｐｅＣｏｒｅ）
型分散シフトファイバの多孔質母材をＶＡＤ（Ｖａｐｏ
ｒ Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｓｉｔｉｏｎ））
法により製造する方法に関し、特に角型バーナによりセ
ンターコアを形成し、続いて同心円バーナでサイドコア
を形成し、所定の構造パラメータを持つものを容易に製
造することができる分散シフトファイバ用母材の製造方
法に関する。
イルを有するＤＳＣ（Ｄｕａｌ ＳｈａｐｅＣｏｒｅ）
型分散シフトファイバの多孔質母材をＶＡＤ（Ｖａｐｏ
ｒ Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｓｉｔｉｏｎ））
法により製造する方法に関し、特に角型バーナによりセ
ンターコアを形成し、続いて同心円バーナでサイドコア
を形成し、所定の構造パラメータを持つものを容易に製
造することができる分散シフトファイバ用母材の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常のＳＭ（単一モード）型光ファイバ
は、コアの屈折率分布がステップ型である。このような
ＳＭ型光ファイバの多孔質母材の製造方法及び装置を図
４により、説明する。図において、１はコア２とクラッ
ド３からなる多孔質母材、１１は出発物質、１２は回転
・引上装置、１３は保護容器、１４は排気調節器であ
る。この保護容器１３内の半径方向に、コアバーナ１
５、第１クラッドバーナ１６、第２クラッドバーナ１
７、第３クラッドバーナ１８が配置されている。コアバ
ーナ１５は、ＳｉＣｌ4 とＧｅＣｌ4 の混合ガスを原料
ガスとして生成されるＳｉＯ2 の微粒子を出発物質又は
コア多孔質体に付着・堆積させ、同時に生成されるＧｅ
Ｏ2 をＳｉＯ2 の微粒子上に析出、固溶させるものであ
り、ＳｉＣｌ4 に対するＧｅＣｌ4 の量で所望の屈折率
のコアが得られる。第１、第２、第３クラッドバーナ１
６，１７，１８はＳｉＣｌ4 を原料ガスとして生成され
るＳｉＯ2の微粒子をコアの周囲に同時に付着・堆積さ
せてＳＭ型光ファイバの多孔質母材を得る方法である。
は、コアの屈折率分布がステップ型である。このような
ＳＭ型光ファイバの多孔質母材の製造方法及び装置を図
４により、説明する。図において、１はコア２とクラッ
ド３からなる多孔質母材、１１は出発物質、１２は回転
・引上装置、１３は保護容器、１４は排気調節器であ
る。この保護容器１３内の半径方向に、コアバーナ１
５、第１クラッドバーナ１６、第２クラッドバーナ１
７、第３クラッドバーナ１８が配置されている。コアバ
ーナ１５は、ＳｉＣｌ4 とＧｅＣｌ4 の混合ガスを原料
ガスとして生成されるＳｉＯ2 の微粒子を出発物質又は
コア多孔質体に付着・堆積させ、同時に生成されるＧｅ
Ｏ2 をＳｉＯ2 の微粒子上に析出、固溶させるものであ
り、ＳｉＣｌ4 に対するＧｅＣｌ4 の量で所望の屈折率
のコアが得られる。第１、第２、第３クラッドバーナ１
６，１７，１８はＳｉＣｌ4 を原料ガスとして生成され
るＳｉＯ2の微粒子をコアの周囲に同時に付着・堆積さ
せてＳＭ型光ファイバの多孔質母材を得る方法である。
【０００３】特に、コアバーナ１５においては、生成さ
れるコア多孔質体の直径が１０ｍｍ以下と細いため、細
径化が可能なバーナが求められる。この要請に答えるバ
ーナとして、出願人は角型バーナを提案した（特開平１
−２０８３３９号公報参照）。図１に示されるように、
この角型バーナ１５は、原料ガス流出ノズル２０と、原
料ガス流出ノズル２０を挟んで相対向する位置に設けた
２本の不活性ガス流出ノズル２１，２２と、この３つの
ノズルを取り囲む酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３と
からなり、酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３は、酸素
ガス（Ｏ2 ）流の最内層２４、不活性ガス（ＡｒとＨｅ
のみ）流の中間層２５、水素ガス（Ｈ2）流の最外層２
６の三層に仕切られたものである。
れるコア多孔質体の直径が１０ｍｍ以下と細いため、細
径化が可能なバーナが求められる。この要請に答えるバ
ーナとして、出願人は角型バーナを提案した（特開平１
−２０８３３９号公報参照）。図１に示されるように、
この角型バーナ１５は、原料ガス流出ノズル２０と、原
料ガス流出ノズル２０を挟んで相対向する位置に設けた
２本の不活性ガス流出ノズル２１，２２と、この３つの
ノズルを取り囲む酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３と
からなり、酸水素炎形成用ガス流出ノズル２３は、酸素
ガス（Ｏ2 ）流の最内層２４、不活性ガス（ＡｒとＨｅ
のみ）流の中間層２５、水素ガス（Ｈ2）流の最外層２
６の三層に仕切られたものである。
【０００４】このコアバーナ１５のガス流断面から明ら
かなように、各ノズルから流出したガス流は若干広がり
ながら進行する。そして、隣接したガス流同士は、その
接触部分を中心にして互いに重複して混合する。従っ
て、原料ガス流出ノズル２０の両側に２本の不活性ガス
流出ノズル２１，２２を配置することによって、原料ガ
ス流出ノズル２０から出た原料ガス流のうちのかなりの
部分２９，２９が不活性ガス流３０，３０で包容され
て、酸水素炎３１との接触が遮断される。そして、不活
性ガス流３０，３０によって包容されない２箇所の部分
３２，３３だけが酸水素炎１９と直接接触して、加水分
解反応及び熱酸化反応をおこし、細いガラス粒子の流れ
が２本作られる。この微粒子流の中の一本が出発物質や
コア多孔質体端面に当たるように、角型バーナ１５の位
置を向きを設定することにより、細径のコア多孔質体を
得る方法である。
かなように、各ノズルから流出したガス流は若干広がり
ながら進行する。そして、隣接したガス流同士は、その
接触部分を中心にして互いに重複して混合する。従っ
て、原料ガス流出ノズル２０の両側に２本の不活性ガス
流出ノズル２１，２２を配置することによって、原料ガ
ス流出ノズル２０から出た原料ガス流のうちのかなりの
部分２９，２９が不活性ガス流３０，３０で包容され
て、酸水素炎３１との接触が遮断される。そして、不活
性ガス流３０，３０によって包容されない２箇所の部分
３２，３３だけが酸水素炎１９と直接接触して、加水分
解反応及び熱酸化反応をおこし、細いガラス粒子の流れ
が２本作られる。この微粒子流の中の一本が出発物質や
コア多孔質体端面に当たるように、角型バーナ１５の位
置を向きを設定することにより、細径のコア多孔質体を
得る方法である。
【０００５】この角型ノズル１５を使用すると、良好な
ＳＭ型光ファイバ用多孔質母材を得ることができる。と
ころが、このＳＭ型光ファイバの改良として、図５に示
すような階段型屈折率プロファイルを有するＤＳＣ型分
散シフトファイバが用いられるようになった。山型の屈
折率変化を有するコア１の外周ａ１〜ａ２に、屈折率ｎ
１のサイドコア４が形成され、更に外周ａ２〜に屈折率
ｎ２（ｎ１＞ｎ２）のクラッド３が形成されたものであ
る。このＤＳＣ型分散シフトファイバはモードフィール
ド径を９μｍ程度と大きくしても曲げ損失が少ないとい
う特性を有しており、現在主流となりつつある。
ＳＭ型光ファイバ用多孔質母材を得ることができる。と
ころが、このＳＭ型光ファイバの改良として、図５に示
すような階段型屈折率プロファイルを有するＤＳＣ型分
散シフトファイバが用いられるようになった。山型の屈
折率変化を有するコア１の外周ａ１〜ａ２に、屈折率ｎ
１のサイドコア４が形成され、更に外周ａ２〜に屈折率
ｎ２（ｎ１＞ｎ２）のクラッド３が形成されたものであ
る。このＤＳＣ型分散シフトファイバはモードフィール
ド径を９μｍ程度と大きくしても曲げ損失が少ないとい
う特性を有しており、現在主流となりつつある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このＤＳＣ型分散シフ
トファイバ用多孔質母材を製造する方法としては、図４
に示された第１クラッドバーナ１６にＳｉＣｌ4 とＧｅ
Ｃｌ4 の混合ガスを流し、ＳｉＣｌ4 の量でサイドコア
４の厚みを調整し、ＧｅＣｌ4 の量を加減して所定の屈
折率のサイドコア４を得る方向が考えられる。
トファイバ用多孔質母材を製造する方法としては、図４
に示された第１クラッドバーナ１６にＳｉＣｌ4 とＧｅ
Ｃｌ4 の混合ガスを流し、ＳｉＣｌ4 の量でサイドコア
４の厚みを調整し、ＧｅＣｌ4 の量を加減して所定の屈
折率のサイドコア４を得る方向が考えられる。
【０００７】しかしながら、コアバーナに上述した角型
バーナを用い、第１クラッドバーナに同心円バーナを用
いてＳｉＣｌ4 とＧｅＣｌ4 の混合ガスを流した場合、
ＳｉＣｌ4 の量に応じてサイドコア４の厚みが増えず、
サイドコア４の厚み制御が難しいという現象が生じるこ
とが判明した。このＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔
質母材は、ａ１／ａ２で定義されるＲａが０．３〜０．
４付近にあり、またΔ１／Δ２で定義されるＲΔ（ここ
で、Δ１は（ｎ0 2−ｎ1 2）／２ｎ0 2、Δ２は（ｎ0 2−ｎ
2 2）／２ｎ0 2である）が０．８〜０．８５付近にあると
分散制御特性が良好であるという構造パラメータを有し
ているため、サイドコア４の厚み制御が難しいと所望の
特性を有するＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔質母材
が得られない恐れがある。
バーナを用い、第１クラッドバーナに同心円バーナを用
いてＳｉＣｌ4 とＧｅＣｌ4 の混合ガスを流した場合、
ＳｉＣｌ4 の量に応じてサイドコア４の厚みが増えず、
サイドコア４の厚み制御が難しいという現象が生じるこ
とが判明した。このＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔
質母材は、ａ１／ａ２で定義されるＲａが０．３〜０．
４付近にあり、またΔ１／Δ２で定義されるＲΔ（ここ
で、Δ１は（ｎ0 2−ｎ1 2）／２ｎ0 2、Δ２は（ｎ0 2−ｎ
2 2）／２ｎ0 2である）が０．８〜０．８５付近にあると
分散制御特性が良好であるという構造パラメータを有し
ているため、サイドコア４の厚み制御が難しいと所望の
特性を有するＤＳＣ型分散シフトファイバ用多孔質母材
が得られない恐れがある。
【０００８】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、角型バーナによりセンターコアを形成し、続い
て同心円バーナでサイドコアを形成し、階段型屈折率プ
ロファイルを有する分散シフトファイバの母材を製造す
る方法であって、サイドコアの構造パラメータの制御が
容易にできる分散シフトファイバ用母材の製造方法を提
供することにある。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、角型バーナによりセンターコアを形成し、続い
て同心円バーナでサイドコアを形成し、階段型屈折率プ
ロファイルを有する分散シフトファイバの母材を製造す
る方法であって、サイドコアの構造パラメータの制御が
容易にできる分散シフトファイバ用母材の製造方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明における分散シフトファイバ用母材の製造方法は、角
型バーナによりセンターコアを形成し、続いて同心円バ
ーナでサイドコアを形成し、階段型屈折率プロファイル
を有する分散シフトファイバの母材を製造する方法であ
って、前記角型バーナは、原料ガス流出ノズルと、原料
ガス流出ノズルを挟んで相対向する位置に設けた２本の
不活性ガス流出ノズルと、この３つのノズルを取り囲む
酸水素炎形成用ガス流出ノズルとからなり、酸水素炎形
成用ガス流出ノズルは、酸素ガス流の最内層、不活性ガ
ス流の中間層、水素ガス流の最外層の三層に仕切られ、
この中間層の不活性ガス流は不活性ガスと酸素ガスの混
合流であること特徴とする方法である。
明における分散シフトファイバ用母材の製造方法は、角
型バーナによりセンターコアを形成し、続いて同心円バ
ーナでサイドコアを形成し、階段型屈折率プロファイル
を有する分散シフトファイバの母材を製造する方法であ
って、前記角型バーナは、原料ガス流出ノズルと、原料
ガス流出ノズルを挟んで相対向する位置に設けた２本の
不活性ガス流出ノズルと、この３つのノズルを取り囲む
酸水素炎形成用ガス流出ノズルとからなり、酸水素炎形
成用ガス流出ノズルは、酸素ガス流の最内層、不活性ガ
ス流の中間層、水素ガス流の最外層の三層に仕切られ、
この中間層の不活性ガス流は不活性ガスと酸素ガスの混
合流であること特徴とする方法である。
【００１０】
【作用】所望の構造パラメータを有するサイドコアを形
成しようとして、サイドコアの原料流量が増加すると、
センターコアを形成する原料・ガス流との間に相互干渉
が生じ、そのため原料ガスの流量に応じてサイドコア４
の厚みが増えないという現象が発生していると想定され
る。そこで、センターコアの角型バーナにおける酸水素
炎形成用ガス流出ノズルの中間層の不活性ガス流を不活
性ガスと酸素ガスの混合流にすると、センターコアの酸
水素炎を形成する酸素と水素の反応がノズル先端側から
生じやすくなり、ガラス微粒子が形成されやすくなる。
また、ガラス原料ガス流の周囲が酸化性水蒸気雰囲気と
なり、ガラス微粒子の生成が安定化する。これらによっ
て、センターコアの角型バーナとサイドコアの同心円バ
ーナとの相互干渉が緩和されるものと考えられる。この
酸素ガスの混合割合は、酸素ガス／（不活性ガス＋酸素
ガス）の容積比で０．２２〜０．４３とすることが好ま
しい。０．４３を上回ると、サイドコア多孔質体の成長
速度が大幅に少なくなり、スート形状が不安定になる。
また、０．２２を下回ると、センターコア多孔質体の成
長速度がサイドコア多孔質体の成長速度を上回る。
成しようとして、サイドコアの原料流量が増加すると、
センターコアを形成する原料・ガス流との間に相互干渉
が生じ、そのため原料ガスの流量に応じてサイドコア４
の厚みが増えないという現象が発生していると想定され
る。そこで、センターコアの角型バーナにおける酸水素
炎形成用ガス流出ノズルの中間層の不活性ガス流を不活
性ガスと酸素ガスの混合流にすると、センターコアの酸
水素炎を形成する酸素と水素の反応がノズル先端側から
生じやすくなり、ガラス微粒子が形成されやすくなる。
また、ガラス原料ガス流の周囲が酸化性水蒸気雰囲気と
なり、ガラス微粒子の生成が安定化する。これらによっ
て、センターコアの角型バーナとサイドコアの同心円バ
ーナとの相互干渉が緩和されるものと考えられる。この
酸素ガスの混合割合は、酸素ガス／（不活性ガス＋酸素
ガス）の容積比で０．２２〜０．４３とすることが好ま
しい。０．４３を上回ると、サイドコア多孔質体の成長
速度が大幅に少なくなり、スート形状が不安定になる。
また、０．２２を下回ると、センターコア多孔質体の成
長速度がサイドコア多孔質体の成長速度を上回る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の分散シフトファイバ用母材の製造
方法及び装置を示す図である。なお、図１の角型バーナ
１５や同心円バーナ４０の構造は一例であって、発明の
趣旨を変更しない範囲で変形可能である。
する。図１は本発明の分散シフトファイバ用母材の製造
方法及び装置を示す図である。なお、図１の角型バーナ
１５や同心円バーナ４０の構造は一例であって、発明の
趣旨を変更しない範囲で変形可能である。
【００１２】図１において、角型バーナ１５の構造は従
来の説明と同様であるが、酸水素炎形成用ガス流出ノズ
ル２３の酸素ガス（Ｏ2 ）流の最内層２４、不活性ガス
流の中間層２５、水素ガス（Ｈ2 ）流の最外層２６の三
層の仕切りのうち、中間層２５に流す不活性ガス（Ａｒ
とＨｅ）に酸素（Ｏ2 ）を混合して使用する点が特徴的
である。
来の説明と同様であるが、酸水素炎形成用ガス流出ノズ
ル２３の酸素ガス（Ｏ2 ）流の最内層２４、不活性ガス
流の中間層２５、水素ガス（Ｈ2 ）流の最外層２６の三
層の仕切りのうち、中間層２５に流す不活性ガス（Ａｒ
とＨｅ）に酸素（Ｏ2 ）を混合して使用する点が特徴的
である。
【００１３】同心円バーナ４０は、中心の円形の原料ガ
ス流出ノズル４１と、この原料ガス流出ノズル４１と同
心の酸水素炎形成用ガス流出ノズル４２とからなり、酸
水素炎形成用ガス流出ノズル４２は、水素ガス流の最内
層４３、不活性ガス流の中間層４４、酸素ガス流の最外
層４５の三層に仕切られたものである。
ス流出ノズル４１と、この原料ガス流出ノズル４１と同
心の酸水素炎形成用ガス流出ノズル４２とからなり、酸
水素炎形成用ガス流出ノズル４２は、水素ガス流の最内
層４３、不活性ガス流の中間層４４、酸素ガス流の最外
層４５の三層に仕切られたものである。
【００１４】つぎに、図１の装置による分散シフトファ
イバ用母材の製造の具体的な本発明例を比較例と対比し
て説明する。
イバ用母材の製造の具体的な本発明例を比較例と対比し
て説明する。
【００１５】サイドコア径と同心円バーナの原料ガス
（ＳｉＣｌ4 ）流量の関係を図示したのが図２である。
ＳｉＣｌ4 流量が増えると、比例的にサイドコア径が大
きくなっている。すなわち、ＳｉＣｌ4 の量をコントロ
ールすると、所望のサイドコア径が得られる。また、図
２の成長速度は略一定となっている。さらに、表には示
されないが、屈折率はＧｅＣｌ4 の量に比例した大きく
なる。結局、ＳｉＣｌ4の量とＧｅＣｌ4 の量の比例的
コントロールで所望の構造パラメータが得られる。
（ＳｉＣｌ4 ）流量の関係を図示したのが図２である。
ＳｉＣｌ4 流量が増えると、比例的にサイドコア径が大
きくなっている。すなわち、ＳｉＣｌ4 の量をコントロ
ールすると、所望のサイドコア径が得られる。また、図
２の成長速度は略一定となっている。さらに、表には示
されないが、屈折率はＧｅＣｌ4 の量に比例した大きく
なる。結局、ＳｉＣｌ4の量とＧｅＣｌ4 の量の比例的
コントロールで所望の構造パラメータが得られる。
【００１６】サイドコア径及び成長速度と同心円バーナ
の原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）の関係を図示したのが図３で
ある。ＳｉＣｌ4 が増えると、サイドコア径が大きくな
っている部分もあるが、逆に減少している部分もある。
また、成長速度は、原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）流量が増え
ると共に、増加している。すなわち、サイドコア径はＳ
ｉＣｌ4 の量と成長速度の２つの因子の影響を受け、所
望の構造パラメータが得る条件に設定することは困難と
なる。
の原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）の関係を図示したのが図３で
ある。ＳｉＣｌ4 が増えると、サイドコア径が大きくな
っている部分もあるが、逆に減少している部分もある。
また、成長速度は、原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）流量が増え
ると共に、増加している。すなわち、サイドコア径はＳ
ｉＣｌ4 の量と成長速度の２つの因子の影響を受け、所
望の構造パラメータが得る条件に設定することは困難と
なる。
【００１７】
【発明の効果】本発明における分散シフトファイバ用母
材の製造方法は、センターコア用角型バーナにおける酸
水素炎形成用ガス流出ノズルの中間層の不活性ガス流を
不活性ガスと酸素ガスの混合流としたものであり、セン
ターコアの角型バーナとサイドコアの同心円バーナとの
相互干渉を緩和し、ＳｉＣｌ4 の量に応じて比例的にサ
イドコア４の厚みが増えるようにした。またＧｅＣｌ4
の量に応じて比例的にサイドコア４の屈折率が大きくな
るので、サイドコアのａ１／ａ２で定義されるＲａやΔ
１／Δ２で定義されるＲΔ等の構造パラメータが適切な
ものになるように、サイドコアの製造条件を変更でき、
所望の分散シフトファイバ用母材が簡単に得られる。
材の製造方法は、センターコア用角型バーナにおける酸
水素炎形成用ガス流出ノズルの中間層の不活性ガス流を
不活性ガスと酸素ガスの混合流としたものであり、セン
ターコアの角型バーナとサイドコアの同心円バーナとの
相互干渉を緩和し、ＳｉＣｌ4 の量に応じて比例的にサ
イドコア４の厚みが増えるようにした。またＧｅＣｌ4
の量に応じて比例的にサイドコア４の屈折率が大きくな
るので、サイドコアのａ１／ａ２で定義されるＲａやΔ
１／Δ２で定義されるＲΔ等の構造パラメータが適切な
ものになるように、サイドコアの製造条件を変更でき、
所望の分散シフトファイバ用母材が簡単に得られる。
【図１】本発明の分散シフトファイバ用母材の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明例におけるサイドコアスート径とＳｉＣ
ｌ4 流量の関係を示すグラフ図である。
ｌ4 流量の関係を示すグラフ図である。
【図３】比較例におけるサイドコアスート径とＳｉＣｌ
4 流量の関係を示すグラフ図である。
4 流量の関係を示すグラフ図である。
【図４】ＶＡＤ法による光ファイバ多孔質体の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図５】ＤＳＣ型分散シフトファイバにおける屈折率差
とファイバ半径の関係を示すグラフ図である。
とファイバ半径の関係を示すグラフ図である。
１ センターコア ４ サイドコア １５ 角型バーナ ２０ 原料ガス流出ノズル ２１，２２ 不活性ガス流出ノズル ２３ 酸水素炎形成用ガス流出ノズル ２４ 最内層 ２５ 中間層 ２６ 最外層 ４２ 同心円バーナ
Claims (2)
- 【請求項１】 角型バーナによりセンターコアを形成
し、続いて同心円バーナでサイドコアを形成し、階段型
屈折率プロファイルを有する分散シフトファイバの母材
を製造する方法であって、前記角型バーナは、原料ガス
流出ノズルと、原料ガス流出ノズルを挟んで相対向する
位置に設けた２本の不活性ガス流出ノズルと、この３つ
のノズルを取り囲む酸水素炎形成用ガス流出ノズルとか
らなり、酸水素炎形成用ガス流出ノズルは、酸素ガス流
の最内層、不活性ガス流の中間層、水素ガス流の最外層
の三層に仕切られ、この中間層の不活性ガス流は不活性
ガスと酸素ガスの混合流であることを特徴とする分散シ
フトファイバ用母材の製造方法。 - 【請求項２】 中間層に於ける酸素ガス／（不活性ガス
＋酸素ガス）の容積比は０．２２〜０．４３である請求
項１記載の分散シフトファイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360374A JPH06199534A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 分散シフトファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360374A JPH06199534A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 分散シフトファイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06199534A true JPH06199534A (ja) | 1994-07-19 |
Family
ID=18469138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360374A Pending JPH06199534A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 分散シフトファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06199534A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049976A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Pirelli S.P.A. | Method and deposition burner for manufacturing optical fibre preforms |
| WO2002049975A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Pirelli S.P.A. | Multi-flame deposition burner and method for manufacturing optical fibre preforms |
-
1992
- 1992-12-29 JP JP4360374A patent/JPH06199534A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049976A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Pirelli S.P.A. | Method and deposition burner for manufacturing optical fibre preforms |
| WO2002049975A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Pirelli S.P.A. | Multi-flame deposition burner and method for manufacturing optical fibre preforms |
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