JPH06198885A - インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッド用モノリシック集積回路 - Google Patents

インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッド用モノリシック集積回路

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JPH06198885A
JPH06198885A JP4348483A JP34848392A JPH06198885A JP H06198885 A JPH06198885 A JP H06198885A JP 4348483 A JP4348483 A JP 4348483A JP 34848392 A JP34848392 A JP 34848392A JP H06198885 A JPH06198885 A JP H06198885A
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文夫 室岡
Tatsuo Furukawa
達生 古川
Hiroyuki Maru
博之 丸
Junji Shimoda
準二 下田
Masaaki Izumida
昌明 泉田
Yoshinori Misumi
義範 三隅
Hiroyuki Ishinaga
博之 石永
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    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
    • B41J2/14072—Electrical connections, e.g. details on electrodes, connecting the chip to the outside...
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    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/13—Heads having an integrated circuit

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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 インクジェット記録ヘッド用集積回路の集積
度を高め、基板寸法の増大を防ぐ。 【構成】 インクを吐出させるための熱を発生させるた
めの電気熱変換素子と、電気熱変換素子を駆動するため
のバイポーラトランジスタと、バイポーラトランジスタ
の動作を制御するためのＣＭＯＳトランジスタとが同一
基板上に設けられたモノリシック集積回路である。ＣＭ
ＯＳトランジスタを構成するＮＭＯＳトランジスタおよ
びＰＭＯＳトランジスタがそれぞれＰ型ウエル拡散層お
よびＮ型ウエル拡散層中に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインクジェット記録ヘッ
ドおよび記録ヘッド用のモノリシック集積回路チップに
関する。
【０００２】
【従来の技術】膜沸騰現象を利用してインク滴を吐出す
るインクジェット記録ヘッドは複写機，ファクシミリ，
ワードプロセッサ，ホストコンピュータの出力用端末と
してのプリンタ，ビデオプリンタ等に用いられるインク
ジェット記録装置の記録ヘッドとして使用されている。
この記録ヘッドはインクを吐出する吐出口を有する液吐
出部、液吐出部に供給されたインクを吐出する為に利用
される熱エネルギーを発生する為の電気熱変換素子およ
び電気熱変換素子を駆動するための駆動素子が同一基板
上に一体形成された構造を有する。
【０００３】例えば、特願平３−１９４１１８号には同
一基板上に電気熱変換素子とシフトレジスタ部、ラッチ
回路、論理回路部等のロジック回路部を形成したヘッド
が提案されている。
【０００４】図２は上記出願に係るインクジェット記録
ヘッドの基板３１上の素子配置を示したものである。複
数の素子のアレーから成る電気熱変換素子部３２は、基
板３１の一辺の端部に配置されているが、これはインク
が素子が配された基板の一端面側から供給されるため端
部に近いインクの供給室に近い方が、流抵抗を小さくで
きるため、インク吐出の高速応答性を達成することがで
きる。この電気熱変換素子は端面より１０００μｍ以内
に配置されていれば効果は高く、さらに端面に近づくほ
どその効果は高くなる。電気接点部３７，３８，３９は
電気熱変換素子部３２の端部である基板の両側に配置さ
れ、個々の電気熱変換素子に印加する電気エネルギー
（パルス）を供給するＶH 配線部３３の接点であるＶH
接点部３７、供給された電気エネルギーを接地する接地
（ＧＮＤ）配線部３５の接点であるＧＮＤ接点部３８、
ロジック回路を構成するロジック回路３６の信号接点で
あるロジック接点部３９から成る。また、ＶH 配線部３
３とＧＮＤ配線部３５の間にトランジスタアレー部３４
があり、電気熱変換素子の個々の素子と選択的に駆動す
るように個々に接続されている。またトランジスタアレ
ー部３４の個々のトランジスタはロジック部３６により
制御されるよう接続している。
【０００５】図３は従来のヒーターボード形成後のモノ
リシック集積回路チップの一部分の断面図である。
【０００６】電気熱変換素子１１およびそれを駆動する
素子として、高耐圧バイポーラＮＰＮトランジスタと、
ロジック回路を構成するＣＭＯＳ回路素子であるＰＭＯ
Ｓトランジスタ，ＮＭＯＳトランジスタが同一基板中に
形成されている。
【０００７】すなわち、Ｐ型シリコン基板１に形成され
たＮ+ 埋込拡散層２上のＮ- 型エピタキシャル層５にＰ
- 型拡散層１４，Ｐ+ 型拡散層１２，Ｎ+ 型拡散層１３
および第１層アルミニウム配線１０などからなるＮＰＮ
バイポーラトランジスタが形成されている。参照番号７
はバイポーラトランジスタ領域を示す。素子分離のため
のＰ+ 型埋込拡散層３上のＰ型のＰウエル拡散層４にＮ
+ 型拡散層１３のソース／ドレイン，ゲート電極１５お
よび第１層アルミニウム配線１０などからなるＮＭＯＳ
トランジスタが形成され、ＮＭＯＳトランジスタ領域８
を構成する。ここで、Ｐウエル拡散層４は表面からの素
子分離の役割りも果す。一方、Ｎ+ 型埋込拡散層２上の
Ｎ- 型エピタキシャル層５に、Ｐ+ 型拡散層１２のソー
ス／ドレイン、ゲート電極１５および第１層アルミニウ
ム配線１０などからなるＰＭＯＳトランジスタが形成さ
れている。参照番号９はＰＭＯＳトランジスタ領域を示
す。参照番号１６はＮ+ 型拡散層を、１７，１８および
１９はそれぞれＳｉＯ2 酸化膜，絶縁膜およびアルミニ
ウム層間の絶縁膜であり、２０は第２層アルミニウム配
線である。参照番号２１は表面保護膜を、２２はタンタ
ル表面保護膜を示す。
【０００８】以上の構造において、領域７の下に形成さ
れたＮＰＮトランジスタは、電気熱変換素子１１に供給
するエネルギー量によって決定される電源電圧に対し、
耐圧を確保するために、８〜１０μｍと比較的厚く形成
されたエピタキシャル層５の中に形成される。よってシ
リコンの表面における素子分離領域であるＰウエル拡散
層４との間隔も比較的大きく確保しなければならない。
【０００９】この様に従来の技術では図３に示すよう
に、ＮＰＮトランジスタの耐圧を確保するために決めら
れたエピタキシャル成長層５中に、ＰＭＯＳトランジス
タを形成しており、ＰＭＯＳトランジスタを形成する領
域９が、ＮＭＯＳトランジスタを形成する領域８と比較
して非常に大きな表面積を必要としていた。
【００１０】図４は図３に示した部分を含む集積回路の
等価回路である。参照番号４１は電気熱変換素子アレ
ー、４２および４３は第１および第２のトランジスタ、
４４は論理ゲート、４５はラッチロジック、４６はシフ
トレジスタであり、４７はヒータ〜ＶH 配線、４８はＶ
H 配線、４９はＧＮＤ配線、５０はイネーブル配線、５
１はラッチ配線、５２はシリアルデータ配線、５３はク
ロック配線である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成では次のような解決すべき課題がある。従来の図２
の様な素子配置の場合、電気熱変換素子と平行してそれ
を駆動するＮＰＮトランジスタ，論理回路部，ラッチ回
路，シフトレジスタ等が配置されている事が望ましい。
【００１２】電気熱変換素子群の配列は、記録密度によ
って決まるピッチに配列しなければならない。例えば３
６０ｄｐｉの記録密度では７０．５μｍピッチである。
【００１３】それと共に、それを駆動するＮＰＮトラン
ジスタ，論理回路部，ラッチ回路，シフトレジスタ部も
配置密度を上げて同じピッチに配列できる事が望まし
い。
【００１４】電気熱変換素子は、形状やシート抵抗の最
適化により、配列密度を増加させる事は可能であるが、
論理回路部，ラッチ回路，シフトレジスタ部を上記のよ
うな電気熱変換素子と平行にして配置配線効率を高めた
状態で記録密度の増大に対応しようとすると、図５に示
すように、電気熱変換素子の配列長に対し、論理回路，
ラッチ回路，シフトレジスタ部の配列長が非常に長くな
り、基板の寸法が必然的に大きくなり、製品の小型化に
逆行し、また製造コストも高くなる。
【００１５】本発明は上述した従来の欠点を解消し、素
子群の配列密度を増し、よって基板寸法の増大化を防ぐ
ことを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるインクジェット記録ヘッドはインクを
吐出する吐出口を有する液吐出部と該液吐出部に供給さ
れたインクを吐出する為に利用される熱エネルギーを発
生する為の電気熱変換素子と、前記電気熱変換素子を駆
動・制御する機能素子が同一基板上に設けられた記録ヘ
ッドにおいて、前記機能素子は前記電気熱変換素子を駆
動するＮＰＮバイポーラトランジスタおよび該バイポー
ラトランジスタの動作を制御するＣＭＯＳトランジスタ
を含み、該ＣＭＯＳトランジスタを構成するＮＭＯＳト
ランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタは、それぞれＰ
型半導体基板上に形成されたＮ- 型エピタキシャル成長
層の中に形成されたＰウエル拡散層およびＮウエル拡散
層中に形成されていることを特徴とする。
【００１７】本発明によるインクジェット記録ヘッド用
モノリシック集積回路はインクを吐出させるための熱を
発生させるための電気熱変換素子と、該電気熱変換素子
を駆動するためのバイポーラトランジスタと、該バイポ
ーラトランジスタの動作を制御するためのＣＭＯＳトラ
ンジスタとが同一基板上に設けられたモノリシック集積
回路において、前記ＣＭＯＳトランジスタを構成するＮ
ＭＯＳトランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタがそれ
ぞれＰ型ウエル拡散層およびＮ型ウエル拡散層中に形成
されていることを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明においては、電気熱変換素子を駆動する
論理回路部，ラッチ回路部，シフトレジスタ部を構成す
るＣＭＯＳ回路のＭＯＳトランジスタの形成方法をツイ
ンウエル構造にしたので、記録密度の増大化に対し、素
子群の配列密度の増大を計り、基板寸法の増大化を防ぐ
ことが可能である。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示し、参照番号
１は半導体基板としてのＰ型のシリコン基板、２はＮＰ
Ｎトランジスタのコレクタ領域を形成するＮ+ 型埋込
層、３は基板側から素子分離するためのＰ+ 型埋込拡散
層、４はＮＭＯＳトランジスタの形成と共に表面からの
素子分離のためのＰ型Ｐウエル拡散層、５はＮ- 型エピ
タキシャル成長層、６はＰＭＯＳトランジスタを形成す
るためのＮ型Ｎウエル拡散層であり、Ｐウエル拡散層４
およびＮウエル拡散層６はＮ- 型エピタキシャル成長層
５中に形成されている。
【００２０】領域７下のＮ- 型エピタキシャル層５中に
は、Ｐ- 型拡散層１４，Ｐ+ 型拡散層１２，Ｎ+ 型拡散
層１３およびアルミニウム配線１０などの各種拡散及び
配線の工程が施され、バイポーラＮＰＮトランジスタが
形成されている。
【００２１】領域８の下にはＰウエル拡散領域４中に、
Ｎ+ 型拡散層１３，ゲート電極１５，Ｐ+ 型拡散層１２
およびアルミニウム配線などの各種拡散及び配線の工程
が施され、ＮＭＯＳトランジスタが形成されている。
【００２２】領域９の下にはＮウエル拡散領域６中にＰ
+ 型拡散領域１２，ゲート電極１５，Ｎ+ 型拡散領域１
３およびアルミニウム配線などの各種拡散および配線の
工程が施され、ＰＭＯＳトランジスタが形成されてい
る。
【００２３】参照番号１１は、バイポーラＮＰＮトラン
ジスタのコレクタを引き出すためのアルミニウム配線と
接続された電気熱変換素子である。この電気熱変換素子
は例えばＨf Ｂz からなり、図示しない液吐出部まで延
在し、インクを加熱して吐出口からインク滴として吐出
させる。
【００２４】電気熱変換素子１１を駆動させるためのＮ
ＰＮバイポーラトランジスタの動作は、ＮＭＯＳトラン
ジスタおよびＰＭＯＳトランジスタからなるＣＭＯＳト
ランジスタで構成されるシフトレジスタ，ラッチ回路お
よび論理ゲートによって制御される。その等価回路は図
４に示したものと同様である。
【００２５】図１において、参照番号１６はＮ+ 型拡散
層、１７，１８および１９はそれぞれＳｉＯ2 膜，絶縁
膜およびアルミニウム層間の絶縁膜であり、２０は第２
層アルミニウム配線、２１および２２はそれぞれ表面保
護膜およびタンタル表面保護膜である。
【００２６】以上の構造において、領域７の下に形成さ
れたＮＰＮトランジスタは、電気熱変換素子１１に供給
するエネルギー量によって決定される電源電圧に対し、
耐圧を確保するために、８〜１０μｍと比較的厚く形成
されたエピタキシャル層５の中に形成される。
【００２７】上述したように、従来の技術ではＰＭＯＳ
トランジスタをＮＰＮトランジスタの耐圧を確保するた
めに決められたエピタキシャル成長層５中に形成してお
り、そのためＰＭＯＳトランジスタを形成する領域９
が、ＮＭＯＳトランジスタを形成する領域８と比較して
非常に大きな表面積を必要としていた。
【００２８】これに対し、本発明においては、Ｎウエル
およびＰウエル両拡散領域中にＰＭＯＳトランジスタお
よびＮＭＯＳトランジスタを形成することにより、各々
のＭＯＳトランジスタの形状をほぼ同じ大きさにする事
ができる。
【００２９】また本基板中に構成されるシフトレジスタ
部，ラッチ回路部，論理ゲート部は、ＣＭＯＳ構成の回
路が動作可能な電源電圧（〜５Ｖ）に対して耐圧が確保
されていれば良く、ＭＯＳトランジスタを構成する各拡
散層の間隔をその条件を満たす範囲で設定すれば良い。
【００３０】また各素子を形成するための加工方法とし
て、一層微細化が可能な加工技術を使用する事により、
シフトレジスタ部，ラッチ回路部，論理ゲート部の高密
度化を計ることが可能である。
【００３１】（その他）なお、本発明は、特にインクジ
ェット記録方式の中でも、インク吐出を行わせるために
利用されるエネルギとして熱エネルギを発生する手段
（例えば電気熱変換体やレーザ光等）を備え、前記熱エ
ネルギによりインクの状態変化を生起させる方式の記録
ヘッド、記録装置において優れた効果をもたらすもので
ある。かかる方式によれば記録の高密度化，高精細化が
達成できるからである。
【００３２】その代表的な構成や原理については、例え
ば、米国特許第４７２３１２９号明細書，同第４７４０
７９６号明細書に開示されている基本的な原理を用いて
行うものが好ましい。この方式は所謂オンデマンド型，
コンティニュアス型のいずれにも適用可能であるが、特
に、オンデマンド型の場合には、液体（インク）が保持
されているシートや液路に対応して配置されている電気
熱変換体に、記録情報に対応していて核沸騰を越える急
速な温度上昇を与える少なくとも１つの駆動信号を印加
することによって、電気熱変換体に熱エネルギを発生せ
しめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰を生じさせて、結
果的にこの駆動信号に一対一で対応した液体（インク）
内の気泡を形成できるので有効である。この気泡の成
長，収縮により吐出用開口を介して液体（インク）を吐
出させて、少なくとも１つの滴を形成する。この駆動信
号をパルス形状とすると、即時適切に気泡の成長収縮が
行われるので、特に応答性に優れた液体（インク）の吐
出が達成でき、より好ましい。このパルス形状の駆動信
号としては、米国特許第４４６３３５９号明細書，同第
４３４５２６２号明細書に記載されているようなものが
適している。なお、上記熱作用面の温度上昇率に関する
発明の米国特許第４３１３１２４号明細書に記載されて
いる条件を採用すると、さらに優れた記録を行うことが
できる。
【００３３】記録ヘッドの構成としては、上述の各明細
書に開示されているような吐出口，液路，電気熱変換体
の組合せ構成（直線状液流路または直角液流路）の他に
熱作用部が屈曲する領域に配置されている構成を開示す
る米国特許第４５５８３３３号明細書，米国特許第４４
５９６００号明細書を用いた構成も本発明に含まれるも
のである。加えて、複数の電気熱変換体に対して、共通
するスリットを電気熱変換体の吐出部とする構成を開示
する特開昭５９−１２３６７０号公報や熱エネルギの圧
力波を吸収する開孔を吐出部に対応させる構成を開示す
る特開昭５９−１３８４６１号公報に基いた構成として
も本発明の効果は有効である。すなわち、記録ヘッドの
形態がどのようなものであっても、本発明によれば記録
を確実に効率よく行うことができるようになるからであ
る。
【００３４】さらに、記録装置が記録できる記録媒体の
最大幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録
ヘッドに対しても本発明は有効に適用できる。そのよう
な記録ヘッドとしては、複数記録ヘッドの組合せによっ
てその長さを満たす構成や、一体的に形成された１個の
記録ヘッドとしての構成のいずれでもよい。
【００３５】加えて、上例のようなシリアルタイプのも
のでも、装置本体に固定された記録ヘッド、あるいは装
置本体に装着されることで装置本体との電気的な接続や
装置本体からのインクの供給が可能になる交換自在のチ
ップタイプの記録ヘッド、あるいは記録ヘッド自体に一
体的にインクタンクが設けられたカートリッジタイプの
記録ヘッドを用いた場合にも本発明は有効である。
【００３６】また、本発明の記録装置の構成として、記
録ヘッドの吐出回復手段、予備的な補助手段等を付加す
ることは本発明の効果を一層安定できるので、好ましい
ものである。これらを具体的に挙げれば、記録ヘッドに
対してのキャッピング手段、クリーニング手段、加圧或
は吸引手段、電気熱変換体或はこれとは別の加熱素子或
はこれらの組み合わせを用いて加熱を行う予備加熱手
段、記録とは別の吐出を行なう予備吐出手段を挙げるこ
とができる。
【００３７】また、搭載される記録ヘッドの種類ないし
個数についても、例えば単色のインクに対応して１個の
みが設けられたものの他、記録色や濃度を異にする複数
のインクに対応して複数個数設けられるものであっても
よい。すなわち、例えば記録装置の記録モードとしては
黒色等の主流色のみの記録モードだけではなく、記録ヘ
ッドを一体的に構成するか複数個の組み合わせによるか
いずれでもよいが、異なる色の複色カラー、または混色
によるフルカラーの各記録モードの少なくとも一つを備
えた装置にも本発明は極めて有効である。
【００３８】さらに加えて、以上説明した本発明実施例
においては、インクを液体として説明しているが、室温
やそれ以下で固化するインクであって、室温で軟化もし
くは液化するものを用いてもよく、あるいはインクジェ
ット方式ではインク自体を３０℃以上７０℃以下の範囲
内で温度調整を行ってインクの粘性を安定吐出範囲にあ
るように温度制御するものが一般的であるから、使用記
録信号付与時にインクが液状をなすものを用いてもよ
い。加えて、熱エネルギによる昇温を、インクの固形状
態から液体状態への状態変化のエネルギとして使用せし
めることで積極的に防止するため、またはインクの蒸発
を防止するため、放置状態で固化し加熱によって液化す
るインクを用いてもよい。いずれにしても熱エネルギの
記録信号に応じた付与によってインクが液化し、液状イ
ンクが吐出されるものや、記録媒体に到達する時点では
すでに固化し始めるもの等のような、熱エネルギの付与
によって初めて液化する性質のインクを使用する場合も
本発明は適用可能である。このような場合のインクは、
特開昭５４−５６８４７号公報あるいは特開昭６０−７
１２６０号公報に記載されるような、多孔質シート凹部
または貫通孔に液状又は固形物として保持された状態
で、電気熱変換体に対して対向するような形態としても
よい。本発明においては、上述した各インクに対して最
も有効なものは、上述した膜沸騰方式を実行するもので
ある。
【００３９】さらに加えて、本発明インクジェット記録
装置の形態としては、コンピュータ等の情報処理機器の
画像出力端末として用いられるものの他、リーダ等と組
合せた複写装置、さらには送受信機能を有するファクシ
ミリ装置の形態を採るもの等であってもよい。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればバ
イポーラＮＰＮトランジスタを形成するためのＮ型エピ
タキシャル層中に、ＮウエルおよびＰウエルのＮ型，Ｐ
型両拡散層を形成し、その領域中にＰＭＯＳトランジス
タおよびＮＭＯＳトランジスタを形成することにより、
両ＭＯＳトランジスタの形成領域をほぼ等しくでき、シ
フトレジスタ部，ラッチ回路部，論理ゲート部の配列密
度を向上させることができる。これにより、記録密度の
増大化による電気熱変換素子の多ビット化に対する駆動
系の機能素子の配列密度を向上させることができ、基板
寸法の増大化を防ぐことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるヒーターボート形成後のモノリ
シック集積回路の部分断面図である。
【図２】従来の基板上の素子配置図である。
【図３】従来のヒーターボード形成後のモノリシック集
積回路の部分断面図である。
【図４】基板の一部を示す等価回路図である。
【図５】従来の方法における多ビット化時の素子配置図
である。
【符号の説明】
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ+ 型埋込拡散層 ３ Ｐ+ 型埋込拡散層 ４ Ｐ型Ｐウエル拡散層 ５ Ｎ- 型エピタキシャル成長層 ６ Ｎ型Ｎウエル拡散層 ７ ＮＰＮトランジスタ形成領域 ８ ＮＭＯＳトランジスタ形成領域 ９ ＰＭＯＳトランジスタ形成領域 １０ 第１層アルミニウム配線 １１ 電気熱変換素子 １２ Ｐ+ 型拡散層 １３ Ｎ+ 型拡散層 １４ Ｐ- 型拡散層 １５ ＭＯＳトランジスタゲート電極 １６ Ｎ+ 型拡散層 １７ ＳｉＯ2 酸化膜 １８ 絶縁膜 １９ アルミ層間絶縁膜 ２０ 第２層アルミ配線 ２１ 表面保護膜 ２２ タンタル表面保護膜 ３１ 基板 ３２ 電気熱変換素子部 ３３ ＶH 配線部 ３４ トランジスタアレー部 ３５ グランド配線部 ３６ ロジック部 ３７，３８，３９ 電気接点部 ４１ 電気熱変換素子アレー ４２ 第１トランジスタ ４３ 第２トランジスタ ４４ 論理ゲート ４５ ラッチロジック ４６ シフトレジスタ ４７ ヒータ〜ＶH 配線 ４８ ＶH 配線 ４９ ＧＮＤ配線 ５０ トランジスタゲート配線 ５１ イネーブル配線 ５２ ラッチ配線 ５３ シリアルデータ配線 ５４ クロック配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下田 準二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 泉田 昌明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 三隅 義範 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 石永 博之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 インクを吐出する吐出口を有する液吐出
    部と該液吐出部に供給されたインクを吐出する為に利用
    される熱エネルギーを発生する為の電気熱変換素子と、
    前記電気熱変換素子を駆動・制御する機能素子が同一基
    板上に設けられた記録ヘッドにおいて、 前記機能素子は前記電気熱変換素子を駆動するＮＰＮバ
    イポーラトランジスタおよび該バイポーラトランジスタ
    の動作を制御するＣＭＯＳトランジスタを含み、該ＣＭ
    ＯＳトランジスタを構成するＮＭＯＳトランジスタおよ
    びＰＭＯＳトランジスタは、それぞれＰ型半導体基板上
    に形成されたＮ- 型エピタキシャル成長層の中に形成さ
    れたＰウエル拡散層およびＮウエル拡散層中に形成され
    ていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
  2. 【請求項２】 インクを吐出させるための熱を発生させ
    るための電気熱変換素子と、該電気熱変換素子を駆動す
    るためのバイポーラトランジスタと、該バイポーラトラ
    ンジスタの動作を制御するためのＣＭＯＳトランジスタ
    とが同一基板上に設けられたモノリシック集積回路にお
    いて、 前記ＣＭＯＳトランジスタを構成するＮＭＯＳトランジ
    スタおよびＰＭＯＳトランジスタがそれぞれＰ型ウエル
    拡散層およびＮ型ウエル拡散層中に形成されていること
    を特徴とするインクジェット記録ヘッド用モノリシック
    集積回路。
  3. 【請求項３】 前記ＣＭＯＳトランジスタがシフトレジ
    スタ，ラッチ回路および論理ゲートを構成することを特
    徴とする請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド用
    モノリシック集積回路。
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