JPH0619781A - データ処理装置 - Google Patents
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- JPH0619781A JPH0619781A JP19012091A JP19012091A JPH0619781A JP H0619781 A JPH0619781 A JP H0619781A JP 19012091 A JP19012091 A JP 19012091A JP 19012091 A JP19012091 A JP 19012091A JP H0619781 A JPH0619781 A JP H0619781A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】迅速製造，コスト低減を図りつつ適用性を拡大
する。 【構成】各種固定データを記憶した読み出し専用メモリ
２、各種可変更データを記憶する電気消去可能な不揮発
性メモリ３、及び各種データを一時記憶するＲＡＭ４と
を備え、及び所定のデータ処理を行うデータ処理装置で
あって、不揮発性メモリ３に読み出し専用メモリ２の特
定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２を記憶するための特定記
憶エリア２Ａ〜２Ｃに対応させた対応記憶エリア３Ａ〜
３Ｃを設け、かつこの対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃに該特
定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２が記憶されている場合に
は、該特定記憶エリア２Ａ〜２Ｃにデータが格納されて
いるか否かに拘わらず、その対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃ
に書き込まれている特定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２を
優先して読み出し、かつＲＡＭ４に書き込み制御する読
出・書込制御手段１，２を設ける。
する。 【構成】各種固定データを記憶した読み出し専用メモリ
２、各種可変更データを記憶する電気消去可能な不揮発
性メモリ３、及び各種データを一時記憶するＲＡＭ４と
を備え、及び所定のデータ処理を行うデータ処理装置で
あって、不揮発性メモリ３に読み出し専用メモリ２の特
定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２を記憶するための特定記
憶エリア２Ａ〜２Ｃに対応させた対応記憶エリア３Ａ〜
３Ｃを設け、かつこの対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃに該特
定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２が記憶されている場合に
は、該特定記憶エリア２Ａ〜２Ｃにデータが格納されて
いるか否かに拘わらず、その対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃ
に書き込まれている特定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２を
優先して読み出し、かつＲＡＭ４に書き込み制御する読
出・書込制御手段１，２を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、読み出し専用メモリ，
電気消去可能な不揮発性メモリ等を備えたデータ処理装
置に関する。
電気消去可能な不揮発性メモリ等を備えたデータ処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来データ処理装置を示す。同図
において、１はＣＰＵ，２は製造時に決まっている各種
固定データを記憶させた読み出し専用メモリであるＭＡ
ＳＫＲＯＭ，３は各種可変更データを記憶する電気消去
可能な不揮発性メモリとしてのＥＥＰＲＯＭ，４はデー
タ処理に際する一連必要データを一時記憶するランダム
アクセスメモリたるＲＡＭである。
において、１はＣＰＵ，２は製造時に決まっている各種
固定データを記憶させた読み出し専用メモリであるＭＡ
ＳＫＲＯＭ，３は各種可変更データを記憶する電気消去
可能な不揮発性メモリとしてのＥＥＰＲＯＭ，４はデー
タ処理に際する一連必要データを一時記憶するランダム
アクセスメモリたるＲＡＭである。
【０００３】かかる構成のデータ処理装置では、ＣＰＵ
１がＭＡＳＫＲＯＭに記憶されたプログラムデータをに
基づき、必要とする固定データや可変更データをＭＡＳ
ＫＲＯＭ２，ＥＥＰＲＯＭ３から読み出して、一旦ＲＡ
Ｍ４に書き込み、このＲＡＭ４に書き込まれた各データ
を用いて所定のデータ処理を行う。
１がＭＡＳＫＲＯＭに記憶されたプログラムデータをに
基づき、必要とする固定データや可変更データをＭＡＳ
ＫＲＯＭ２，ＥＥＰＲＯＭ３から読み出して、一旦ＲＡ
Ｍ４に書き込み、このＲＡＭ４に書き込まれた各データ
を用いて所定のデータ処理を行う。
【０００４】ところで、各種固定データ（プログラムデ
ータも含む）量と、使用者が適宜に設定変更可能な上記
可変更データ量との比は、例えば８０対２０の如く、前
者が後者に対して非常に大きいものとなるのが一般的で
ある。換言すれば、データ処理を行うに必要とするデー
タが全て固定データとすることができるならば、ＭＡＳ
ＫＲＯＭ２だけを設けかつＥＥＰＲＯＭ３を排斥してコ
スト低減を図れる。
ータも含む）量と、使用者が適宜に設定変更可能な上記
可変更データ量との比は、例えば８０対２０の如く、前
者が後者に対して非常に大きいものとなるのが一般的で
ある。換言すれば、データ処理を行うに必要とするデー
タが全て固定データとすることができるならば、ＭＡＳ
ＫＲＯＭ２だけを設けかつＥＥＰＲＯＭ３を排斥してコ
スト低減を図れる。
【０００５】しかし、実際問題としては、使用面での便
宜のために幾多のデータを設定変更可能とするためのに
ＥＥＰＲＯＭ３も設けているわけである。したがって、
装置構築上はＥＥＰＲＯＭ３の記憶容量を最小限にとど
めるように設計されている。
宜のために幾多のデータを設定変更可能とするためのに
ＥＥＰＲＯＭ３も設けているわけである。したがって、
装置構築上はＥＥＰＲＯＭ３の記憶容量を最小限にとど
めるように設計されている。
【０００６】なお、データ処理装置が、例えば、電子写
真装置の制御部として利用される場合、上記固定データ
は例えば感光ドラムの回転速度設定データ等であり、上
記可変更データは例えば印字対象の用紙厚さデータ等で
ある。
真装置の制御部として利用される場合、上記固定データ
は例えば感光ドラムの回転速度設定データ等であり、上
記可変更データは例えば印字対象の用紙厚さデータ等で
ある。
【０００７】ここに、固定データのうちの特定データＤ
１，Ｄ２，Ｄ３に着目すれば、かかる特定データＤ１，
Ｄ２，Ｄ３はＭＡＳＫＲＯＭ２の図４に示す特定記憶エ
リア２Ａ，２Ｂ，２Ｃに記憶格納されている。所定デー
タ処理に際して、ＣＰＵ１は図５のＳＴ２０で当該特定
記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃから特定データＤ１，Ｄ
２，Ｄ３を読み出してＲＡＭ４の記憶エリア４Ａ，４
Ｂ，４Ｃにそれぞれ記憶し、しかる後にＣＰＵ１はＳＴ
２１でＲＡＭ４に書き込まれた特定データＤ１，Ｄ２，
Ｄ３を用いて所定データ処理する。つまり、特定データ
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、図６（Ａ）に示す如く、ＭＡＳＫ
ＲＯＭ２から読み出され、ＲＡＭ４に記憶される。
１，Ｄ２，Ｄ３に着目すれば、かかる特定データＤ１，
Ｄ２，Ｄ３はＭＡＳＫＲＯＭ２の図４に示す特定記憶エ
リア２Ａ，２Ｂ，２Ｃに記憶格納されている。所定デー
タ処理に際して、ＣＰＵ１は図５のＳＴ２０で当該特定
記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃから特定データＤ１，Ｄ
２，Ｄ３を読み出してＲＡＭ４の記憶エリア４Ａ，４
Ｂ，４Ｃにそれぞれ記憶し、しかる後にＣＰＵ１はＳＴ
２１でＲＡＭ４に書き込まれた特定データＤ１，Ｄ２，
Ｄ３を用いて所定データ処理する。つまり、特定データ
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、図６（Ａ）に示す如く、ＭＡＳＫ
ＲＯＭ２から読み出され、ＲＡＭ４に記憶される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来構成によると、特に、本装置が多数のエンジンをコン
トロールする制御部を形成する場合等にあっては、エン
ジン側条件が確認された後でなければ特定データＤ１，
Ｄ２，Ｄ３の一部または全部を決定できないので、ＭＡ
ＳＫＲＯＭ２を完成できず製造期間が長引きかつ円滑な
データ処理ができないという問題がある。
来構成によると、特に、本装置が多数のエンジンをコン
トロールする制御部を形成する場合等にあっては、エン
ジン側条件が確認された後でなければ特定データＤ１，
Ｄ２，Ｄ３の一部または全部を決定できないので、ＭＡ
ＳＫＲＯＭ２を完成できず製造期間が長引きかつ円滑な
データ処理ができないという問題がある。
【０００９】かかる問題の従来解決策の一つとしては、
図６（Ｂ）に示す如く、ＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エ
リア２Ａ，２Ｂ，２Ｃには何も記憶させずに、あるいは
設計上推定される基準値（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）をとりあ
えずみなし特定データとして記憶させることで、ＭＡＳ
ＫＲＯＭ２の製造を行い、しかる後に決定された特定デ
ータＤ１，Ｄ２２（基準値Ｄ２をエンジン特性に合せ補
正決定した特定データである。），Ｄ３２（基準値Ｄ３
をエンジン特性に合せて補正決定した特定データであ
る。）を別個の記憶手段（１０）に格納して使用する方
法がある。
図６（Ｂ）に示す如く、ＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エ
リア２Ａ，２Ｂ，２Ｃには何も記憶させずに、あるいは
設計上推定される基準値（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）をとりあ
えずみなし特定データとして記憶させることで、ＭＡＳ
ＫＲＯＭ２の製造を行い、しかる後に決定された特定デ
ータＤ１，Ｄ２２（基準値Ｄ２をエンジン特性に合せ補
正決定した特定データである。），Ｄ３２（基準値Ｄ３
をエンジン特性に合せて補正決定した特定データであ
る。）を別個の記憶手段（１０）に格納して使用する方
法がある。
【００１０】しかし、この方法だと、特定データＤ１，
Ｄ２２，Ｄ３２は重要であるから、その記憶手段は図
４，図６（Ｂ）に点線で示す如く紫外線照射等の特殊な
方法を採らなければデータ消去されないＥＰＲＯＭ１０
等から形成しなければならなくなる。つまり、記憶エリ
ア１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃに特定データＤ１，Ｄ２２，
Ｄ３２を書き込んだＥＰＲＯＭ１０をバス接続し、所定
データ処理のための特定データの読出・書込制御手段
（１，２）は、図５に点線で示すように、ＥＰＲＯＭ１
０から読み出してＲＡＭ４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）に書き
込むように形成しなければならない。
Ｄ２２，Ｄ３２は重要であるから、その記憶手段は図
４，図６（Ｂ）に点線で示す如く紫外線照射等の特殊な
方法を採らなければデータ消去されないＥＰＲＯＭ１０
等から形成しなければならなくなる。つまり、記憶エリ
ア１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃに特定データＤ１，Ｄ２２，
Ｄ３２を書き込んだＥＰＲＯＭ１０をバス接続し、所定
データ処理のための特定データの読出・書込制御手段
（１，２）は、図５に点線で示すように、ＥＰＲＯＭ１
０から読み出してＲＡＭ４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）に書き
込むように形成しなければならない。
【００１１】したがって、必須構成要素たるＭＡＳＫＲ
ＯＭ２，ＥＥＰＲＯＭ３の他に高価なＥＰＲＯＭ１０を
付設しなければならずコスト高となるばかりか、製造時
に決定されていた特定データの一部はＭＡＳＫＲＯＭ２
から読み出し、かかる未定特定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ
３２は図６（Ｂ）に示すようにＥＰＲＯＭ１０から読み
出さなければならないのでプログラム変更も必要とな
り、製作期間を長引かせる原因となっている。
ＯＭ２，ＥＥＰＲＯＭ３の他に高価なＥＰＲＯＭ１０を
付設しなければならずコスト高となるばかりか、製造時
に決定されていた特定データの一部はＭＡＳＫＲＯＭ２
から読み出し、かかる未定特定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ
３２は図６（Ｂ）に示すようにＥＰＲＯＭ１０から読み
出さなければならないのでプログラム変更も必要とな
り、製作期間を長引かせる原因となっている。
【００１２】一方、上記従来構造によると、特定データ
がＭＡＳＫＲＯＭ２の製造前に決定されていた場合、Ｍ
ＡＳＫＲＯＭ２の製造期間は早くなるものの特定データ
の一つが変っても、そのＭＡＳＫＲＯＭ２を共通部品と
して他の機種に適用できないという問題がある。
がＭＡＳＫＲＯＭ２の製造前に決定されていた場合、Ｍ
ＡＳＫＲＯＭ２の製造期間は早くなるものの特定データ
の一つが変っても、そのＭＡＳＫＲＯＭ２を共通部品と
して他の機種に適用できないという問題がある。
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は特定データの決定時期に拘わらず製造の
迅速化が図れ、かつ低コストで適応性の広いデータ処理
装置を提供することにある。
で、その目的は特定データの決定時期に拘わらず製造の
迅速化が図れ、かつ低コストで適応性の広いデータ処理
装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、各種固定デー
タを記憶した読み出し専用メモリと、各種可変更データ
を記憶する電気消去可能な不揮発性メモリと、各種デー
タを一時記憶するランダムアクセスメモリとを備え、読
み出した該固定データおよび可変更データをランダムア
クセスメモリに書き込みこの書込データを用いて所定の
データ処理を行うデータ処理装置において、前記不揮発
性メモリに前記読み出し専用メモリの特定データを記憶
するための特定記憶エリアに対応させた対応記憶エリア
を設け、かつこの対応記憶エリアに該特定データが記憶
されている場合には該特定記憶エリアにデータが格納さ
れているか否かに拘わらずその対応記憶エリアに書き込
まれている特定データを優先して読み出しかつ前記ラン
ダムアクセスメモリに書き込み制御する読出・書込制御
手段を設けた、ことを特徴とする。
タを記憶した読み出し専用メモリと、各種可変更データ
を記憶する電気消去可能な不揮発性メモリと、各種デー
タを一時記憶するランダムアクセスメモリとを備え、読
み出した該固定データおよび可変更データをランダムア
クセスメモリに書き込みこの書込データを用いて所定の
データ処理を行うデータ処理装置において、前記不揮発
性メモリに前記読み出し専用メモリの特定データを記憶
するための特定記憶エリアに対応させた対応記憶エリア
を設け、かつこの対応記憶エリアに該特定データが記憶
されている場合には該特定記憶エリアにデータが格納さ
れているか否かに拘わらずその対応記憶エリアに書き込
まれている特定データを優先して読み出しかつ前記ラン
ダムアクセスメモリに書き込み制御する読出・書込制御
手段を設けた、ことを特徴とする。
【００１５】
【作用】上記構成の本発明では、読み出し専用メモリの
特定記憶エリアには、既に決定された特定データはその
まま、未定の特定データについては設計基準値（みなし
特定データ）を格納することとして、読み出し専用メモ
リを迅速製造できる。かくして、製造した読み出し専用
メモリを接続すれば、データ処理テストができる。しか
る後、決定された特定データを、電気消去可能な不揮発
性メモリの対応記憶エリアに記憶する。
特定記憶エリアには、既に決定された特定データはその
まま、未定の特定データについては設計基準値（みなし
特定データ）を格納することとして、読み出し専用メモ
リを迅速製造できる。かくして、製造した読み出し専用
メモリを接続すれば、データ処理テストができる。しか
る後、決定された特定データを、電気消去可能な不揮発
性メモリの対応記憶エリアに記憶する。
【００１６】ここに、通常運転時、読出・書込制御手段
は、不揮発性メモリの対応記憶エリアに特定データが記
憶されている場合には、当該特定データを優先して読み
取りランダムアクセスメモリに書き込みする。対応記憶
エリアに記憶されていない場合には、読み出し専用メモ
リの特定記憶エリアに記憶されている特定データを読み
取ってランダムアクセスメモリに書き込む。よって、迅
速で円滑な所定データ処理を行える。
は、不揮発性メモリの対応記憶エリアに特定データが記
憶されている場合には、当該特定データを優先して読み
取りランダムアクセスメモリに書き込みする。対応記憶
エリアに記憶されていない場合には、読み出し専用メモ
リの特定記憶エリアに記憶されている特定データを読み
取ってランダムアクセスメモリに書き込む。よって、迅
速で円滑な所定データ処理を行える。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して説明する。本
データ処理装置は、図１に示すように、基本的構成が従
来例（図４）と同じく、ＣＰＵ１，ＭＡＳＫＲＯＭ２，
ＥＥＰＲＯＭ３，ＲＡＭ４を備え、かつＥＥＰＲＯＭ３
に対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃを設けるとともにＭ
ＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃより
も対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃを優先して読み取る
読取・書込制御手段（１，２）を設けた構成としてい
る。
データ処理装置は、図１に示すように、基本的構成が従
来例（図４）と同じく、ＣＰＵ１，ＭＡＳＫＲＯＭ２，
ＥＥＰＲＯＭ３，ＲＡＭ４を備え、かつＥＥＰＲＯＭ３
に対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃを設けるとともにＭ
ＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃより
も対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃを優先して読み取る
読取・書込制御手段（１，２）を設けた構成としてい
る。
【００１８】なお、本装置は、電子写真装置の各種エン
ジンをコントロールする制御部を形成する。
ジンをコントロールする制御部を形成する。
【００１９】すなわち、読み出し専用メモリであるＭＡ
ＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃには、
各種エンジンの組立・調整後に決定される特定データ
（Ｄ１，Ｄ２２，Ｄ３２）が記憶される。しかし、未だ
決定されていない特定データ（Ｄ２２，Ｄ３２）につい
ては、その設計基準値（Ｄ２，Ｄ３）をみなし特定デー
タとして、図３に示す如く書込む。したがって、未決定
の特定データ（Ｄ２２，Ｄ３２）があっても、ＭＡＳＫ
ＲＯＭ２の製造に着手できる。
ＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃには、
各種エンジンの組立・調整後に決定される特定データ
（Ｄ１，Ｄ２２，Ｄ３２）が記憶される。しかし、未だ
決定されていない特定データ（Ｄ２２，Ｄ３２）につい
ては、その設計基準値（Ｄ２，Ｄ３）をみなし特定デー
タとして、図３に示す如く書込む。したがって、未決定
の特定データ（Ｄ２２，Ｄ３２）があっても、ＭＡＳＫ
ＲＯＭ２の製造に着手できる。
【００２０】次に、電気消去可能な不揮発性メモリ３に
は、従来と同じ可変更データを書き込む記憶エリアの他
に、図１に示す対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃが設け
られる。この対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃとは、最
終的特定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２を記憶させるＭＡ
ＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃに対応
するものである。したがって、この対応記憶エリア３
Ａ，３Ｂ，３Ｃには、特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃ
に記憶させる筈の特定データしか書き込みしない。
は、従来と同じ可変更データを書き込む記憶エリアの他
に、図１に示す対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃが設け
られる。この対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃとは、最
終的特定データＤ１，Ｄ２２，Ｄ３２を記憶させるＭＡ
ＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃに対応
するものである。したがって、この対応記憶エリア３
Ａ，３Ｂ，３Ｃには、特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃ
に記憶させる筈の特定データしか書き込みしない。
【００２１】しかし、特定記憶エリア２Ａ，２Ｂ，２Ｃ
に既に書き込まれた特定データがありかつその書込済特
定データを用いる場合には、対応記憶エリア３Ａ，３
Ｂ，３Ｃに同じ特定データを重複して記憶させる必要は
ない。
に既に書き込まれた特定データがありかつその書込済特
定データを用いる場合には、対応記憶エリア３Ａ，３
Ｂ，３Ｃに同じ特定データを重複して記憶させる必要は
ない。
【００２２】例えば、特定記憶エリア２Ａに記憶させる
べき特定データは“Ｄ１”と決定されているが、他の特
定記憶エリア２Ｂ，２Ｃに記憶させるべき特定データは
未だ決定されていない場合には、その特定記憶エリア２
Ａには図３に示す如く特定データＤ１を書き込み、他の
特定記憶エリア２Ｂ，２Ｃには設計値から妥当性あるも
のと推定される基準値（みなし特定データ）Ｄ２，Ｄ３
を書き込むものとして、ＭＡＳＫＲＯＭ２を製造する。
べき特定データは“Ｄ１”と決定されているが、他の特
定記憶エリア２Ｂ，２Ｃに記憶させるべき特定データは
未だ決定されていない場合には、その特定記憶エリア２
Ａには図３に示す如く特定データＤ１を書き込み、他の
特定記憶エリア２Ｂ，２Ｃには設計値から妥当性あるも
のと推定される基準値（みなし特定データ）Ｄ２，Ｄ３
を書き込むものとして、ＭＡＳＫＲＯＭ２を製造する。
【００２３】その後に、特定記憶エリア２Ｂ，２Ｃに書
き込むべき特定データが決定されると、その決定特定デ
ータＤ２２，Ｄ３２は、図３に示すように、その対応す
るＥＰＰＲＯＭ３の対応記憶エリア３Ｂ，３Ｃに電気的
に書き込まれる。しかし、対応記憶エリア３Ａには、何
も書き込まない。なぜなら、ＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記
憶エリア２Ａに特定データＤ１が既に記憶されているか
らである。
き込むべき特定データが決定されると、その決定特定デ
ータＤ２２，Ｄ３２は、図３に示すように、その対応す
るＥＰＰＲＯＭ３の対応記憶エリア３Ｂ，３Ｃに電気的
に書き込まれる。しかし、対応記憶エリア３Ａには、何
も書き込まない。なぜなら、ＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記
憶エリア２Ａに特定データＤ１が既に記憶されているか
らである。
【００２４】ここに、読取・書込制御手段は、図２に示
すプログラムを格納したＭＡＳＫＲＯＭ２とこれを実行
するＣＰＵ１とから形成されている。すなわち、読出・
書込制御手段（１，２）は、所定のデータ処理を実行す
るために必要とする特定データを読み取ってＲＡＭ４に
書き込む際は、まずＥＥＰＲＯＭ３を優先してサーチす
る。
すプログラムを格納したＭＡＳＫＲＯＭ２とこれを実行
するＣＰＵ１とから形成されている。すなわち、読出・
書込制御手段（１，２）は、所定のデータ処理を実行す
るために必要とする特定データを読み取ってＲＡＭ４に
書き込む際は、まずＥＥＰＲＯＭ３を優先してサーチす
る。
【００２５】具体的に、ＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エ
リア２Ｃに記憶されるべき特定データを読み取る場合、
読出・書込制御手段（１，２）は、図２のＳＴ１０でＥ
ＥＰＲＯＭ３の対応記憶エリア３Ｃに特定データ（Ｄ３
２）が書き込まれているか否かを判断し、ＹＥＳの場合
には当該対応記憶エリア３Ｃの特定データＤ３２を読み
出してＲＡＭ４の記憶エリア４Ｃに書き込む（ＳＴ１
１）。この際、特定記憶エリア２Ｃに記憶されているみ
なし特定データＤ３は読み取らない。なお、特定データ
Ｄ２２についても同様（ＳＴ１０，１１）である。
リア２Ｃに記憶されるべき特定データを読み取る場合、
読出・書込制御手段（１，２）は、図２のＳＴ１０でＥ
ＥＰＲＯＭ３の対応記憶エリア３Ｃに特定データ（Ｄ３
２）が書き込まれているか否かを判断し、ＹＥＳの場合
には当該対応記憶エリア３Ｃの特定データＤ３２を読み
出してＲＡＭ４の記憶エリア４Ｃに書き込む（ＳＴ１
１）。この際、特定記憶エリア２Ｃに記憶されているみ
なし特定データＤ３は読み取らない。なお、特定データ
Ｄ２２についても同様（ＳＴ１０，１１）である。
【００２６】しかし、対応記憶エリア３Ａには、何も書
き込まれていない（ＳＴ１０のＮＯ判断）から、この場
合には特定記憶エリア２Ａに記憶されている特定データ
Ｄ１を読み出してＲＡＭ４の記憶エリア４Ａに書き込む
（ＳＴ１２）。
き込まれていない（ＳＴ１０のＮＯ判断）から、この場
合には特定記憶エリア２Ａに記憶されている特定データ
Ｄ１を読み出してＲＡＭ４の記憶エリア４Ａに書き込む
（ＳＴ１２）。
【００２７】以下、所定のデータ処理は、ＲＡＭ４の記
憶エリア４Ａ，４Ｂ，４Ｃに一時記憶された特定データ
Ｄ１，Ｄ２２，Ｄ３２を用いて実行される。
憶エリア４Ａ，４Ｂ，４Ｃに一時記憶された特定データ
Ｄ１，Ｄ２２，Ｄ３２を用いて実行される。
【００２８】なお、さらにその後、エンジン調整完全終
了等により、特定データが予めＭＡＳＫＲＯＭ２の特定
記憶エリア２Ｂ，２Ｃに記憶させていたみなし特定デー
タＤ２，Ｄ３で良くなった場合には、ＥＥＰＲＯＭ３の
対応記憶エリア３Ｂ，３Ｃの書込済特定データＤ２２，
Ｄ３２を消去すればよい。一方、ＥＥＰＲＯＭ３の対応
記憶エリア３Ｂ，３Ｃに書き込んだ特定データＤ２２，
Ｄ３２を、データＤ２，Ｄ３とも異なる他のデータＤ２
Ｘ，Ｄ３Ｘに変更したい場合には、対応記憶エリア３
Ｂ，３Ｃ内をデータＤ２Ｘ，Ｄ３Ｘに書き変えればよ
い。
了等により、特定データが予めＭＡＳＫＲＯＭ２の特定
記憶エリア２Ｂ，２Ｃに記憶させていたみなし特定デー
タＤ２，Ｄ３で良くなった場合には、ＥＥＰＲＯＭ３の
対応記憶エリア３Ｂ，３Ｃの書込済特定データＤ２２，
Ｄ３２を消去すればよい。一方、ＥＥＰＲＯＭ３の対応
記憶エリア３Ｂ，３Ｃに書き込んだ特定データＤ２２，
Ｄ３２を、データＤ２，Ｄ３とも異なる他のデータＤ２
Ｘ，Ｄ３Ｘに変更したい場合には、対応記憶エリア３
Ｂ，３Ｃ内をデータＤ２Ｘ，Ｄ３Ｘに書き変えればよ
い。
【００２９】しかして、この実施例によれば、ＥＥＰＲ
ＯＭ３にＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２
Ｂ，２Ｃに対応させた対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃ
を設け、かつ特定記憶エリア２Ａ〜２Ｃにデータが記憶
されているか否かに拘わらず対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃ
に書き込まれている特定データ（Ｄ２２，Ｄ３２）を優
先して読み出してＲＡＭ４（４Ｂ，４Ｃ）に書き込み制
御する読出・書込制御手段（１，２）を設けた構成であ
るから、従来のＭＡＳＫＲＯＭ２の製造遅れや高価なＥ
ＰＲＯＭ１０の付設等の不利を一掃でき、低コストで適
応性の広いデータ処理装置を確立できる。
ＯＭ３にＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア２Ａ，２
Ｂ，２Ｃに対応させた対応記憶エリア３Ａ，３Ｂ，３Ｃ
を設け、かつ特定記憶エリア２Ａ〜２Ｃにデータが記憶
されているか否かに拘わらず対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃ
に書き込まれている特定データ（Ｄ２２，Ｄ３２）を優
先して読み出してＲＡＭ４（４Ｂ，４Ｃ）に書き込み制
御する読出・書込制御手段（１，２）を設けた構成であ
るから、従来のＭＡＳＫＲＯＭ２の製造遅れや高価なＥ
ＰＲＯＭ１０の付設等の不利を一掃でき、低コストで適
応性の広いデータ処理装置を確立できる。
【００３０】また、ＥＥＰＲＯＭ３の対応記憶エリア３
Ａ〜３Ｃは、ＭＡＳＫＲＯＭ２に記憶する固定データの
うちのある種特定データのみを書き込みできればよいの
で、ＥＥＰＲＯＭ３の記憶容量は従来例とほとんど変わ
らない。
Ａ〜３Ｃは、ＭＡＳＫＲＯＭ２に記憶する固定データの
うちのある種特定データのみを書き込みできればよいの
で、ＥＥＰＲＯＭ３の記憶容量は従来例とほとんど変わ
らない。
【００３１】また、ＭＡＳＫＲＯＭ２の特定記憶エリア
２Ａ〜２Ｃには、設計基準値等のみなし特定データを記
憶することができるから、全ての特定データが決定され
なくともその製造に着手できる。もっとも、エンジン等
の最終的調整によりそのみなし特定データで良くなった
場合には、対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃに記憶された特定
データを消去するだけで、そのみなし特定データを特定
データとして所定データ処理できる。
２Ａ〜２Ｃには、設計基準値等のみなし特定データを記
憶することができるから、全ての特定データが決定され
なくともその製造に着手できる。もっとも、エンジン等
の最終的調整によりそのみなし特定データで良くなった
場合には、対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃに記憶された特定
データを消去するだけで、そのみなし特定データを特定
データとして所定データ処理できる。
【００３２】また、対応記憶エリア３Ａ〜３Ｃは、不揮
発性のＥＥＰＲＯＭ３に設けられているので、ＭＡＳＫ
ＲＯＭ２に記憶させた場合と同様に、停電等があっても
再書き込みする必要がない。
発性のＥＥＰＲＯＭ３に設けられているので、ＭＡＳＫ
ＲＯＭ２に記憶させた場合と同様に、停電等があっても
再書き込みする必要がない。
【００３３】さらに、エンジン調整等との関係で、何回
も変更され得る固定データ（特定データ）を対応記憶エ
リア３Ａ〜３Ｃに記憶させれば、最新の特定データに容
易に書き変えてデータ処理できる。
も変更され得る固定データ（特定データ）を対応記憶エ
リア３Ａ〜３Ｃに記憶させれば、最新の特定データに容
易に書き変えてデータ処理できる。
【００３４】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、各種固定
データを記憶した読み出し専用メモリと、各種可変更デ
ータを記憶する電気消去可能な不揮発性メモリと、各種
データを一時記憶するランダムアクセスメモリとを備
え、読み出した該固定データおよび可変更データをラン
ダムアクセスメモリに書き込みこの書込データを用いて
所定のデータ処理を行うデータ処理装置において、不揮
発性メモリに読み出し専用メモリの特定データを記憶す
るための特定記憶エリアに対応させた対応記憶エリアを
設け、かつこの対応記憶エリアに該特定データが記憶さ
れている場合には該特定記憶エリアにデータが格納され
ているか否かに拘わらずその対応記憶エリアに書き込ま
れている特定データを優先して読み出しかつランダムア
クセスメモリに書き込み制御する読出・書込制御手段を
設けた構成とされ、読み出し専用メモリの特定記憶エリ
アに優先して不揮発性メモリの対応記憶エリアに記憶さ
れた特定データを読み取り、これをもって所定データ処
理するように形成されているので、固定データのうちの
ある特定データが未決定でも読み出し専用メモリの製造
に着手でき、全体のコスト低減が図れ適用性も拡大でき
る。
データを記憶した読み出し専用メモリと、各種可変更デ
ータを記憶する電気消去可能な不揮発性メモリと、各種
データを一時記憶するランダムアクセスメモリとを備
え、読み出した該固定データおよび可変更データをラン
ダムアクセスメモリに書き込みこの書込データを用いて
所定のデータ処理を行うデータ処理装置において、不揮
発性メモリに読み出し専用メモリの特定データを記憶す
るための特定記憶エリアに対応させた対応記憶エリアを
設け、かつこの対応記憶エリアに該特定データが記憶さ
れている場合には該特定記憶エリアにデータが格納され
ているか否かに拘わらずその対応記憶エリアに書き込ま
れている特定データを優先して読み出しかつランダムア
クセスメモリに書き込み制御する読出・書込制御手段を
設けた構成とされ、読み出し専用メモリの特定記憶エリ
アに優先して不揮発性メモリの対応記憶エリアに記憶さ
れた特定データを読み取り、これをもって所定データ処
理するように形成されているので、固定データのうちの
ある特定データが未決定でも読み出し専用メモリの製造
に着手でき、全体のコスト低減が図れ適用性も拡大でき
る。
【図１】本発明の実施例を示す全体構成図である。
【図２】同じく、動作を説明するためのフローチャート
である。
である。
【図３】同じく、特定記憶エリアと対応記憶エリアへの
特定データ書き込み例を説明するための図である。
特定データ書き込み例を説明するための図である。
【図４】従来例を示す全体構成図である。
【図５】従来例の動作を説明するためのフローチャート
である。
である。
【図６】従来例の問題点を説明するための図である。
１ ＣＰＵ（読出・書込制御手段） ２ ＭＡＳＫＲＯＭ（読み出し専用メモリ，読出・書込
制御手段） ２Ａ〜２Ｃ 特定記憶エリア ３ ＥＥＰＲＯＭ（電気消去可能な不揮発性メモリ） ３Ａ〜３Ｃ 対応記憶エリア ４ ＲＯＭ（ランダムアクセスメモリ） ４Ａ〜４Ｃ 記憶エリア １０ ＥＰＲＯＭ １０Ａ〜１０Ｃ 記憶エリア
制御手段） ２Ａ〜２Ｃ 特定記憶エリア ３ ＥＥＰＲＯＭ（電気消去可能な不揮発性メモリ） ３Ａ〜３Ｃ 対応記憶エリア ４ ＲＯＭ（ランダムアクセスメモリ） ４Ａ〜４Ｃ 記憶エリア １０ ＥＰＲＯＭ １０Ａ〜１０Ｃ 記憶エリア
Claims (1)
- 【請求項１】 各種固定データを記憶した読み出し専用
メモリと、各種可変更データを記憶する電気消去可能な
不揮発性メモリと、各種データを一時記憶するランダム
アクセスメモリとを備え、読み出した該固定データおよ
び可変更データをランダムアクセスメモリに書き込みこ
の書込データを用いて所定のデータ処理を行うデータ処
理装置において、 前記不揮発性メモリに前記読み出し専用メモリの特定デ
ータを記憶するための特定記憶エリアに対応させた対応
記憶エリアを設け、かつこの対応記憶エリアに該特定デ
ータが記憶されている場合には該特定記憶エリアにデー
タが格納されているか否かに拘わらずその対応記憶エリ
アに書き込まれている特定データを優先して読み出しか
つ前記ランダムアクセスメモリに書き込み制御する読出
・書込制御手段を設けたことを特徴とするデータ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19012091A JPH0619781A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | データ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19012091A JPH0619781A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | データ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0619781A true JPH0619781A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16252726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19012091A Pending JPH0619781A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | データ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006178746A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Rinnai Corp | 電子基板 |
| JP2008071101A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Megachips Lsi Solutions Inc | 記憶装置及びデータ出力回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115155A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-02 | Nec Corp | 情報処理装置の制御方式 |
| JPS61221935A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Toshiba Corp | マイクロプログラム格納方式 |
| JPH03160524A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Canon Inc | 情報処理装置 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP19012091A patent/JPH0619781A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115155A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-02 | Nec Corp | 情報処理装置の制御方式 |
| JPS61221935A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Toshiba Corp | マイクロプログラム格納方式 |
| JPH03160524A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Canon Inc | 情報処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006178746A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Rinnai Corp | 電子基板 |
| JP4699021B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-06-08 | リンナイ株式会社 | 電子基板 |
| JP2008071101A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Megachips Lsi Solutions Inc | 記憶装置及びデータ出力回路 |
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