JPH06195782A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザビームによる書き込み時にレーザ出力
マージン、バイアス磁界マージンが大きく、記録ノイズ
が小さい光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 キュリー温度が相対的に高く、室温において
垂直磁気異方性が小さい第１磁性層とキュリー温度が相
対的に低く、室温において垂直磁気異方性が大きい第２
磁性層の間に、記録温度よりも低い第３磁性層を設けた
記録膜を有する光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は例えばレーザ光照射によ
る熱磁気記録媒体に係わる。さらに詳しくはカー回転角
が大きく、記録再生信号が大きな磁性層とキュリー温度
が相対的に低く、記録感度が高い磁性層とが積層された
構成の光磁気記録媒体に関する発明である。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる光学的記録方法としては従来は
熱磁気記録が行われている。これは光学的記録媒体の記
録層面にレーザ光等を照射し、記録層の温度をキュリー
温度付近まで、または記録時に照射面へ印加するバイア
ス磁界よりも記録層の保磁力、垂直磁気異方性が十分に
小さくなる温度まで昇温させる記録方法である。この後
の降温中に記録層の磁化はバイアス磁界の向きに発生
し、それによって記録が行われるのである。記録する信
号に応じて印加するバイアス磁界の方向を変調させる方
式は磁界変調方式と呼ばれる。これに対して記録を行う
前に一度一定バイアス磁界の下にレーザ光を照射し、そ
れによって記録層の磁化を一方向に揃え（消去）、この
後に記録信号に応じて照射レーザ光をＯＮ／ＯＦＦ変調
する方式は光変調方式と呼ばれる。

【０００３】これにたいして光磁気記録では形成された
記録ビットは再生光（直線偏光）の偏光面の回転方向の
変化として信号再生される。このとき再生信号の大きさ
は偏光面の回転角に対応し、これは記録磁性膜の示すカ
ー回転角に対応する。そこで大きな再生信号を得るため
には、大きなカー回転角を示す記録膜を用いればよいと
いう結論になる。

【０００４】ところが従来検討されてきた光磁気記録材
料はカー回転角の大きなものほどキュリー温度も高く、
従って記録感度が低いという欠点があった。そこで特開
昭５７−７８６５２に開示されたように、キュリー温度
が高く、再生信号が大きな記録層と、キュリー温度が低
く、記録感度が高い記録層を積層させた記録媒体が考え
られた。この積層記録媒体を使用して記録する場合には
キュリー温度が低い記録層をキュリー温度付近までレー
ザ光照射によって昇温して、バイアス磁界を印加する。
ここでキュリー温度の高い層は保磁力、垂直磁気異方性
ともに小さく設計してあるので、バイアス磁界の方向へ
磁化が揃うことになる。次に降温中にキュリー温度の低
い層の磁化がキュリー温度の高い層の磁化方向に揃って
発生し、記録が終了する。ここでキュリー温度が低い層
は室温で大きな保磁力、大きな垂直磁気異方性を示すよ
うに設計されているので、安定な記録ビットが得られ
る。記録ビットへ再生光照射する際には、キュリー温度
が高く、カー回転角の大きな層からの反射が主となり、
大きな再生信号が得られる。

【０００５】現在光磁気記録再生方式の装置は商品化さ
れ、普及しつつあり、さらに装置の小型化、例えば記録
バイアス用の電磁石をより小型にする試み、記録の高速
化、例えば磁界変調方式でオーバーライトする試みなど
が検討されている。そこでより小さなバイアス磁界で記
録が行える記録媒体が必要とされるようになった。

【０００６】ここでこの積層記録媒体では記録過程でキ
ュリー温度が高く、垂直磁気異方性の小さい層の磁化反
転が重要な要点になる。すなわち小さなバイアス磁界で
磁化反転が均一に行われれば、キュリー温度の高い層の
無い単層記録膜に比べて、小さなバイアス磁界で良好な
記録ビットが形成される可能性を持つことになる。

【０００７】反面キュリー温度付近で消磁した後に降温
過程で徐々に磁化を発生しながらバイアス磁界の方向に
備える単層記録膜に比べて、次の様な難点もある。すな
わち残留している大きな磁化を小さなバイアス磁界の向
きに揃えるためには、記録温度においてキュリー温度の
高い層の磁気異方性が充分に小さいことが必要条件にな
ってくる。また降温過程で両磁性層に磁化が発生、増大
する際の浮遊磁界の影響が単層の場合に比べて大きいこ
とが考えられる。また必要とされる小さな磁気異方性を
示す記録層は良好な形状の、しかも記録ノイズの小さい
記録ビットを形成しにくいことが考えられる。

【０００８】このため現在キュリー温度が高い層の材料
組成、膜厚などを適宜選択し、磁気異方性をより小さく
し、しかも記録ノイズは小さいという条件を満たす要件
を検討、調査中である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者達は上
記積層記録媒体を改良し、小さな記録バイアス磁界でも
安定に良好な記録を行える３層の記録媒体を提供するも
のである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は基本的にはキュ
リー温度が相対的に高く、室温では垂直磁気異方性の小
さい第１磁性層と、キュリー温度が相対的に低く、室温
では垂直磁気異方性の大きい第２磁性層との間に、記録
温度よりも低い、言換えれば第２磁性層よりもキュリー
温度が低い、第３磁性層が設けられた記録膜を有する光
磁気記録媒体とその製造方法の発明である。

【００１１】本発明の３層積層記録媒体の構成例を図１
に示し、この図によって本発明の概要を説明する。 １ 透明基板、 ２ 誘電体保護膜、 ３ 第１磁性
層、 ４ 第３磁性層、５ 第２磁性層、 ６ 誘電体
保護膜、 ７ 金属反射膜、 ８ 保護コート 本発明において光磁気記録媒体の透明基板の材料として
はガラスあるいは透光性のアクリル、ポリカーボネイ
ト、エポキシなどの樹脂を使用できる。磁性層記録媒体
の材料は種々の磁性材料によって構成することが考えら
れるが、 Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等の希
土類（ＲＥ）の１種或は２種以上が１０〜４０原子％
と、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金属
（ＴＭ）の１種あるいは２種以上が９０〜６０原子％と
で構成される非晶質合金ＲＥ−ＴＭによって構成するこ
とができる。

【００１２】またＰｄ，Ｐｔの元素とＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ
の元素との合金あるいは多層周期膜であって、垂直磁気
異方性を示すものでも良い。またＭｎＢｉ，ＰｔＭｎＳ
ｂ，ＭｎＳｂ，ＭｎＡｌなどの金属間化合物、ガーネッ
ト系などの結晶であっても可能である。

【００１３】非晶質合金ＲＥ−ＴＭ材料を使用する場合
には、第１磁性層、すなはち室温で垂直磁気異方性が相
対的に小さい層には、Ｇｄ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｈｏ等の希土
類元素を主として含有するものが良い。また第２磁性層
すなはち室温で垂直磁気異方性が相対的に大きい層には
Ｔｂ，Ｄｙなどの希土類元素を主として含有するものが
良い。

【００１４】また第３磁性層としては、記録温度よりキ
ュリー温度が低いことが条件であるが、Ｄｙ，Ｈｏなど
の希土類元素を主として含有する非晶質ＲＥ−ＴＭ材料
が好ましい。また更に好適な第３磁性層の条件としては
キュリー温度が再生時の温度よりも高いこと、あるいは
遷移元素を含有しない希土類元素の膜で構成し、かつ膜
厚を２〜１０ｎｍとすることあるいは、希土類元素の組
成が３０〜５０原子％の膜で構成し、かつ膜厚を２〜４
０ｎｍとすること、あるいは成膜時の基板の回転数を小
さく設定することなどが挙げられる。

【００１５】また第１磁性層、第３磁性層としてＰｄ，
Ｐｔの元素とコバルト、鉄、ニッケルの元素の多層周期
膜を使用する場合には、第１磁性層ではＰｄ／Ｐｔは１
層あたり０．５〜３ｎｍ膜厚、コバルト、鉄、ニッケル
あるいは、これらの合金より成る層は１層あたり０．２
〜１ｎｍの膜厚が好ましい。また第３磁性層はキュリー
温度を低下させるために第１磁性層にたいしてＰｄ／Ｐ
ｔ層の１層あたりの膜厚さを大きくするか、コバルト、
鉄、ニッケルより成る層の１層あたりの膜厚を小さく
し、膜厚を１〜５ｎｍ程度にすることが好ましい。ここ
で、第１、第３磁性層がＰｄ，Ｐｔ／コバルト、鉄、ニ
ッケル多層周期膜の場合の第３磁性層の磁化状態につい
て考える。第３磁性層は第１磁性層に対してＰｔおよび
Ｐｄ層の膜厚が大きいので、Ｐｔ，Ｐｄ層とコバルト、
鉄、ニッケル層との交換結合力が弱くなり、キュリー温
度、磁気異方性共に低下する。

【００１６】記録媒体の反射率の低減、カー回転角の増
大、ヒートシンクなどの効果が期待される金属反射膜材
料としてはＡｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕなどを挙げる
ことができる。

【００１７】また保護コートの材料は種々の金属の酸化
物、窒化物および弗化物から選択される。この目的に使
用できる金属としてはＡｌ，Ｓｉ，Ｙ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉなどを挙
げることができる。図１において保護コートに接着剤を
用いて１から７までの構成の基板を２枚、基板１が最外
側を向く様に貼り合わせて、両面記録可能な媒体構成と
することもできる。

【００１８】

【作用】次に図２を用いて本発明の構成の記録層の記録
過程を説明する。図２（イ）は比較のために従来の積層
記録膜すなはちキュリー温度が高く、室温で垂直磁気異
方性が小さい第１磁性層とキュリー温度が低く、室温で
垂直磁気異方性が大きい第２磁性層の積層構成の記録過
程を示すものである。

【００１９】まず両層の磁化が平行なときに安定な、界
面磁壁を生じない場合を考える。磁化が上向きのときが
消去状態であり、バイアス磁界Ｈｂは下向きと仮定す
る。レーザ光照射により記録膜の昇温が始まり、室温状
態（ａ）から、状態（ｂ）を経て、第２磁性層のキュリ
ー温度Ｔｃ付近の状態（ｃ）となる。ここでは第２磁性
層は磁化を消失し、第１磁性層はバイアス磁界Ｈｂによ
り磁化反転し、第１磁性層内では記録ビットの周りに磁
壁を生じる。第２磁性層内では反転磁化は発生していな
いので、磁壁はまだできていない。次にレーザビームの
スポット部を通過して降温が始まり、状態（ｄ）になる
と第２磁性層にも磁化が生じる。このとき第１磁性層の
磁化に安定な（図では平行）方向、あるいはバイアス磁
界の方向である下向きに第２磁性層の磁化が生じる。

【００２０】ここで問題になるのは、バイアス磁界Ｈｂ
が充分大きくない場合に限って、第１磁性層はＴｃの温
度ではまだ大きな磁化を持ち、その場合には垂直磁気異
方性が小さいので、第１磁性層内で形成された記録ビッ
トのフリンジ（磁壁形成部）は浮遊磁界、反磁界の影響
によって上向きおよび下向きの磁化が交互に並んだギザ
ギザ状となる。あるいは完全に垂直方向に配列しない磁
化などを生じている。言い替えれば、形成された記録ビ
ット内の周辺、あるいは内部の一部に磁化方向が不揃い
な微細構造を持つのである。

【００２１】状態（ｄ）において第１磁性層の磁化状態
が第２磁性層に充分に転写されて降温が進んだ場合に
は、室温状態（ｅ）においても、第２磁性層の記録ビッ
トが微細構造を持ち、この結果ノイズの大きな記録とな
る。

【００２２】次に図２（ロ）を用いて本発明の３層積層
記録膜の記録過程を示す。

【００２３】ここでも３層の磁化が平行なときには安定
な、界面磁壁を生じない場合を考える。磁化がそれぞれ
上向きである場合には消去状態であり、バイアス磁界Ｈ
ｂは下向きと仮定する。

【００２４】まずレーザ光照射により室温状態（ａ）か
ら状態（ｂ）へ昇温する。ここでは第３磁性層のキュリ
ー温度付近ではあるが、第１，第２層の磁化が残ってい
るので、３層とも磁化は弱く、上向きに揃っている。従
って、小さい矢印にこのことをしめす。さらに第２磁性
層のキュリー温度Ｔｃ付近の状態（ｃ）となる、ここで
は第２，第３磁性層は磁化を消失し、第１磁性層はバイ
アス磁界Ｈｂにより磁化反転し、第１磁性層内では記録
ビット周りに磁壁を生じる。また第２，第３磁性層内で
は反転磁化は発生していないので、磁壁はまだできな
い。

【００２５】次にレーザビームのスポット部を通過して
降温が始まり、状態（ｄ）になると第２磁性層にも磁化
が生じる。さらに第３磁性層はキュリー温度付近である
が、第１，第２磁性層にはさまれて弱く、磁化の配向、
磁化の発生が起こることになる。従って小さな矢印でこ
れを示す。このとき第１磁性層の磁化に安定な方向、図
では平行方向、あるいはバイアス磁界の方向である下向
きに第２，第３磁性層の磁化が生じる。

【００２６】図２（イ）の記録過程で説明した様な微細
構造を持つ第１磁性層の記録ビットを転写する際に、第
３磁性層の存在のために第１，第２磁性層は弱く交換結
合しているので、第２磁性層内にはなめらかな均一な下
向き磁化のビットが転写形成される。更に降温が進み、
室温状態（ｅ）になった場合には、第２磁性層は大きな
保磁力、大きな垂直磁気異方性を示し、強く交換結合す
る第１，第３磁性層は第２磁性層の記録ビット状態を転
写し、良好な再生信号を示す。

【００２７】

【実施例】

実施例 1〜3 、比較例 1〜4 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基
板上にスパッタリング法によって、厚さ約８０ｎｍのＳ
ｉ₃ Ｎ₄ からなる誘電体保護膜を、次にＧｄ２２Ｆｅ７
８（原子％）の第１磁性層を約２０ｎｍの厚さに設け、
次にＤｙ２４Ｆｅ７６（原子％）の第３磁性層を約５ｎ
ｍの厚さに設けた。更にＴｂ２４Ｆｅ６９Ｃｏ７（原子
％）の第２磁性層を約２０ｎｍの厚さに設けた。さらに
厚さ約４０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ からなる誘電体保護膜を、
さらに約５０ｎｍのＡｌ９５Ｃｒ５（原子％）からなる
金属反射膜を設け、スパッタリングを終了した。最後に
スピンナーにより、アクリレート系樹脂をコートし保護
コートとした。こうして実施例１のサンプルは作製され
た。

【００２８】次に同様の方法で、第１，第２，第３磁性
層の材料及び膜厚を変えたサンプルを作製した。これら
を実施例 2〜3 、比較例１〜４とする。

【００２９】次にそれぞれのサンプルディスク媒体を１
８００ｒｐｍで回転させ、半径３５ｍｍの位置で、周波
数３．７ＭＨｚのレーザビームを２〜１０ｍＷの範囲で
変化させながら記録し、１ｍＷの連続ビームで再生した
信号のキヤリアとノイズのレベルを測定した。ただしこ
のときの記録バイアス磁界は１１０ Ｏｅとした。

【００３０】

【表１】 表１中の（）内の材料については表３の後の注 参照の
こと 表１に各サンプルについての測定結果を示す。最適記録
パワーはＣ／Ｎ比が最大になる値を示し、Ｈｃはそれぞ
れの磁性層の室温での保磁力を示す。またＫｕはトルク
メータで測定した室温でのそれぞれの磁性層の異方性定
数を示す。

【００３１】表１の結果により、実施例 1の様に第３磁
性層を持つ記録膜は小さな記録バイアス磁界においても
記録ノイズが小さく、良好な記録特性を示すことが明ら
かである。

【００３２】実施例 4、比較例 5〜7 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基
板上にスパッタリング方法によって厚さ約７０ｎｍのＺ
ｎＳからなる誘電体保護膜を、次にＴｂ２３Ｆｅ７０Ｃ
ｏ７（原子％）の第２磁性層を約３０ｎｍの厚さに設
け、次にＰｔとＣｏ多層膜の第３磁性層を約５．８ｎｍ
の厚さに設けた。ここで第３磁性層の第１磁性層との界
面で接するＰｔ層は２．５ｎｍ、つぎのＣｏ層は０．４
ｎｍ、さらに同様にしてＰｔ２．５ｎｍ、Ｃｏ０．４ｎ
ｍを積層後にＰｔ１ｎｍ／Ｃｏ０．４ｎｍの繰り返しで
２周期、１４ｎｍのＰｔ／Ｃｏ多層膜を設けた。次に厚
さ約３５ｎｍのＺｎＳからなる誘電体保護膜を、さらに
約５０ｎｍのＡｌからなる金属反射膜を設け，スパッタ
リングを終了した。最後にスピンナーによりアクリレー
ト系樹脂をコートし保護コートとした。（実施例 5）次
に同様の方法で、第１、第２、第３磁性層の材料及び膜
厚を変えたサンプルを作製した。

【００３３】次にそれぞれのサンプルディスク媒体を１
８００ｒｐｍで回転させ、半径３５ｍｍの位置で、周波
数３．７ＭＨｚのレーザービームを２〜１０ｍＷの範囲
で変化させながら記録し、１ｍＷの連続ビームで再生し
た信号のキヤリアとノイズのレベルを測定した。ただし
この時の記録バイアス磁界は１１０ Ｏｅとした。

【００３４】

【表２】 表２中の（）内の材料については表３の後の注 参照の
こと 表２に各サンプルについての測定結果を示す。最適記録
パワーはＣ／Ｎ比が最大になる値を示し、Ｈｃはそれぞ
れの磁性層の室温での保磁力を示す。またＴｃはそれぞ
れの磁性層のキュリー温度を示す。またＫｕはトルクメ
ータで測定した室温でのそれぞれの磁性層の異方性定数
を示す。

【００３５】第１磁性層、第２磁性層と第３磁性層との
界面部分については、ＰｔまたはＰｄ膜とコバルト、
鉄、またはニッケル膜の多層膜と他の部分とを比較する
と、他の部分ではＰｔまたはＰｄの膜厚が大きいので、
ＰｔまたはＰｄ層とコバルト、鉄またはニッケル層との
交換結合が弱くなり、キュリー温度、磁気異方性が低下
する。

【００３６】表２の結果より、実施例 4のような第３磁
性層を持つ記録膜は小さな記録バイアス磁界においても
記録ノイズが小さく、良好な記録特性を示すことが明ら
かである。

【００３７】実施例 6〜 9、比較例 8 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基
板上にスパッタリング方法により、Ｓｉ₃ Ｎ₄ ターゲッ
トをスパッタし、厚さ約８０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄からなる
誘電体保護膜を、次にＧｄターゲットとＦｅターゲット
を同時にスパッタしてＧｄ２２Ｆｅ７８（原子％）の第
１磁性層を約２０ｎｍの厚さに設けた。さらにＧｄター
ゲットをスパッタしてＧｄの第３磁性層を約３ｎｍの厚
さに設けた。さらにＴｂターゲットとＴｂ２４Ｆｅ６９
Ｃｏ７（原子％）ターゲットを同時スパッタして、Ｔｂ
２４Ｆｅ６９Ｃｏ７（原子％）の第２磁性層を約２０ｎ
ｍの厚さに設けた。次に厚さ約４０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ か
らなる誘電体保護膜を、さらにＡｌＣｒターゲットをス
パッタし、約５０ｎｍのＡｌ９５Ｃｒ５（原子％）から
なる金属反射膜を設け、スパッタリングを終了した。最
後にスピンナーにより、アクリレート系樹脂をコートし
保護コートとした。次に同様の方法で、第１、第２、第
３磁性層の材料及び膜厚を変えたサンプルを作製した。

【００３８】次にそれぞれのサンプルディスク媒体を１
８００ｒｐｍで回転させ、半径３５ｍｍの位置で、周波
数３．７ＭＨｚのレーザービームを２〜１０ｍＷの範囲
で変化させながら記録し、１ｍＷの連続ビームで再生し
た信号のキヤリアとノイズのレベルを測定した。ただし
この時の記録バイアス磁界は１１０ Ｏｅとした。最適
記録パワーはＣ／Ｎ比が最大になる値を示し、Ｈｃはそ
れぞれの磁性層の室温での保磁力（ｋＯｅ）を示す。ま
たＴｃはそれぞれの磁性層のキュリー温度を示す。また
Ｋｕはトルクメータで測定した室温でのそれぞれの磁性
層の垂直磁気異方性定数を示す。

【００３９】

【表３】 注 表中の（）内の材料は下の意味を有する。ただし、
(10)，(11)，(14)，(15) を除いて元素記号の後の数値
はその材料中の原子％を示す。 (1) Ｇｄ２２Ｆｅ７８ (2) Ｇｄ２４Ｃｏ７６ (3) Ｇｄ２２Ｆｅ６８Ｃｏ１０ (4) Ｔｂ２４Ｆｅ６９Ｃｏ７ (5) Ｔｂ２７Ｆｅ６７Ｃｏ６ (6) Ｇｄ９Ｔｂ１５Ｆｅ７６ (7) Ｄｙ２４Ｆｅ７６ (8) Ｔｂ１５Ｈｏ１０Ｆｅ７５ (9) Ｄｙ１７Ｈｏ７Ｆｅ７６ (10) Ｐｔ１．０ｎｍ，Ｃｏ０．４ｎｍの交互の層が１
０回積層されている。 (11) Ｐｔ１．０ｎｍ，Ｃｏ０．５ｎｍの交互の層が１
０回積層されている。 (12) Ｔｂ２３Ｆｅ７０Ｃｏ７ (13) Ｄｙ２４Ｆｅ６５Ｃｏ１１ (14) Ｐｔ２．５ｎｍ，Ｃｏ０．４ｎｍの交互の層が２
回積層されている。 (15) Ｐｔ３．０ｎｍ，Ｃｏ０．５ｎｍの交互の層が２
回積層されている。 (16) Ｇｄ４５Ｆｅ５５ (17) Ｔｂ４０（Ｆｅ９３Ｃｏ７）６０ (18) Ｇｄ３０Ｆｅ７０ 表３の結果より実施例 6の様に第３磁性層を持つ記録膜
は小さな記録バイアス磁界においても記録ノイズが小さ
く，良好な記録特性を示すことが明らかになった。

【００４０】実施例10〜13 実施例10〜13ではスパッタ時に基板を３５ｒｐｍで回転
させた。Ｓｉ₃ Ｎ₄ ターゲットのスパッタ速度は約１０
ｎｍ／分、Ｇｄ、Ｔｂターゲットのスパッタ速度は３〜
６ｎｍ／分、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏターゲットのスパッタ速
度は５〜９ｎｍ／分であった。ＲＥ−ＴＭ膜同時スパッ
タの際に１〜３原子層づつが積層され均一な合金膜とな
る。第３磁性層の材料として希土類元素だけを使うこと
もできるが、これは腐食されやすいので，出来るだけ遷
移元素を添加する。ここで成膜時の基板回転を遅くする
と、第３磁性層の希土類元素と遷移金属が充分混合せ
ず、遷移金属が多く添加されてもキュリー温度は高くな
らない。

【００４１】実施例 6と同様にしてサンプルを作製する
が、第３磁性層を次のようにして成膜した。ＧｄとＦｅ
のターゲットを同時スパッタしてＧｄ３０Ｆｅ７０（原
子％）の組成の膜１０ｎｍを設ける。基板回転数は５ｒ
ｐｍとした。（実施例１０）実施例10と同様にして、基
板回転を１０、２０、３５ｒｐｍとしたサンプル実施例
11〜13を作製した。これらの実施例も同様の記録評価を
行った。結果を表３に示す。

【００４２】

【発明の効果】本発明による光磁気記録媒体はレーザビ
ームにより情報をこの媒体に書き込む際において、小さ
な記録バイアス磁界においても良好なＣ／Ｎ比を確保で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る光磁気記録媒体の断面説
明図である。

【図２】本発明の記録媒体の記録過程を説明する図であ
る。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 誘電体保護膜 ３ 第１磁性層 ４ 第３磁性層 ５ 第２磁性層 ６ 誘電体保護膜 ７ 金属反射膜 ８ 保護コート

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１、第２磁性層において、希土類−遷
   移金属元素の非晶質合金であって、室温で垂直磁気異方
   性が小さい第１磁性層と、室温で垂直磁気異方性が大き
   い第２磁性層との間に、キュリー温度が記録温度よりも
   低い第３磁性層が設けられた記録膜を有することを特徴
   とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 キュリー温度が高く、室温で垂直磁気異
   方性が小さいコバルト、鉄、又はニッケルの０．２−１
   ｎｍの膜とＰｔまたはＰｄの０．５−３ｎｍの膜が交互
   に積層された、５−５０ｎｍの第１磁性層とキュリー温
   度が第１磁性層より低く、室温で垂直磁気異方性が大き
   い第２磁性層と、該第１、第２の両磁性層間にキュリー
   温度が記録温度より低く、かつＰｔあるいはＰｄの層の
   厚さが大きく、相対的にコバルト、鉄、あるいはニッケ
   ルの層の厚さが小さく、第２磁性層との接触界面部分で
   はＰｔまたはＰｄ層が接触している第３磁性層とを有す
   ることを特徴とする光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 キュリー温度が相対的に高く、室温で垂
   直磁気異方性が小さい第１磁性層と、キュリー温度が相
   対的に低く、室温で垂直磁気異方性が大きい第２磁性層
   との間に、キュリー温度が再生時の温度よりも高く、か
   つ記録温度よりも低い第３磁性層が設けられた記録膜を
   有することを特徴とする光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１による光磁気記録媒体におい
   て、該第３磁性層は遷移金属元素を含有せず、膜厚が２
   −１０ｎｍである光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１による光磁気記録媒体におい
   て、第３磁性層の希土類元素の組成が３０−５０原子％
   の遷移金属元素との合金であって、その膜厚が２−４０
   ｎｍである光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 キュリー温度が相対的に高く、室温で垂
   直磁気異方性が小さい第１磁性層と、キュリー温度が相
   対的に低く、室温で垂直磁気異方性が大きい第２磁性層
   との間に、キュリー温度が再生時の温度よりも高く、か
   つ記録温度よりも低い第３磁性層を設けた記録膜を有す
   ることを特徴とする光磁気記録媒体において、それぞれ
   独立した希土類元素と遷移金属元素の蒸発源から第３磁
   性層を成膜する場合に、その基板の回転数を第１、第２
   磁性層の成膜回転数より小さくすることを特徴とする光
   磁気記録媒体の製造方法。