JPH0619296B2 - 温度検知回路 - Google Patents
温度検知回路Info
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- JPH0619296B2 JPH0619296B2 JP11150586A JP11150586A JPH0619296B2 JP H0619296 B2 JPH0619296 B2 JP H0619296B2 JP 11150586 A JP11150586 A JP 11150586A JP 11150586 A JP11150586 A JP 11150586A JP H0619296 B2 JPH0619296 B2 JP H0619296B2
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- resistor
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Description
【発明の詳細な説明】 <技術分野> この発明は、温度制御すべき対象物の温度を検知して、
温度制御を行う装置などに用いられる温度検知回路に関
し、特に、サーミスタの断線状態を確実に検知できるよ
うにしたものに関する。
温度制御を行う装置などに用いられる温度検知回路に関
し、特に、サーミスタの断線状態を確実に検知できるよ
うにしたものに関する。
<発明の概要> この発明に係る温度検知回路は、たとえば、複写機内に
設けられた定着装置の温度制御回路などに用いられるも
のである。特に、温度検知素子として用いられるサーミ
スタが断線したことによって異常な温度制御が行われる
ことを防止するために、サーミスタの断線状態を検知す
るようにしたものであり、対象物の温度を正確に検知す
るとともに、サーミスタの断線状態も確実に検知できる
ようにしたものである。
設けられた定着装置の温度制御回路などに用いられるも
のである。特に、温度検知素子として用いられるサーミ
スタが断線したことによって異常な温度制御が行われる
ことを防止するために、サーミスタの断線状態を検知す
るようにしたものであり、対象物の温度を正確に検知す
るとともに、サーミスタの断線状態も確実に検知できる
ようにしたものである。
<従来技術とその欠点> 従来、たとえば複写機において定着装置の定着温度を制
御するために、第4図に示すようなサーミスタRtを温
度検知素子として用いた抵抗ブリッジ回路が用いられて
いる。サーミスタの抵抗値は温度によって変化するため
に、図においてa点の電位は温度に応じて変化する。こ
のa点の電位をコンパレータAを用いて、b点の基準電
位と比較することによって、基準の温度に対して定着装
置の温度が高いか低いか検知することができる。
御するために、第4図に示すようなサーミスタRtを温
度検知素子として用いた抵抗ブリッジ回路が用いられて
いる。サーミスタの抵抗値は温度によって変化するため
に、図においてa点の電位は温度に応じて変化する。こ
のa点の電位をコンパレータAを用いて、b点の基準電
位と比較することによって、基準の温度に対して定着装
置の温度が高いか低いか検知することができる。
サーミスタの温度に対する抵抗値の特性は、通常R=R
a exp(C/T)として表される。ここで、Cは定
数、Tは絶対温度である。このため、第4図においてa
点の電位は第5図におけるとして表される特性とな
る。このような温度検知回路を複写機の定着装置の温度
制御回路に用いる場合は、その定着装置(通常150℃
〜200℃)付近の温度を精度よく検知する必要がある
が、同図に示すように直線性が低く、あまり高い検知精
度(分解能)が得られない。
a exp(C/T)として表される。ここで、Cは定
数、Tは絶対温度である。このため、第4図においてa
点の電位は第5図におけるとして表される特性とな
る。このような温度検知回路を複写機の定着装置の温度
制御回路に用いる場合は、その定着装置(通常150℃
〜200℃)付近の温度を精度よく検知する必要がある
が、同図に示すように直線性が低く、あまり高い検知精
度(分解能)が得られない。
このように比較的高温度領域における温度の検知精度を
改善するために、第4図において破線で示した特性補償
用抵抗R4をサーミスタRtに並列に接続した回路が用
いられる。ところがこの特性補償用抵抗R4の有無によ
る特性の違いを第5図に示す。第5図のは特性補償用
抵抗R4を接続しない場合の第4図におけるa点の電
位、は特性補償用抵抗R4を接続した場合の第4図に
おけるa点の電位を示す。第5図のととでは、サー
ミスタの断線状態の出力電圧がコンパレータA1に対す
る最大電圧Voに等しくなるようにブリッジ回路の電源
電圧+Vを異ならせている。なぜなら、a点の電圧を判
定するコンパレータA1には、入力電圧範囲の定格があ
り、その定格電圧範囲を最大限に用いて検出精度を高め
るよう、入力電圧のとり得る範囲を設計するのが通例で
あるためである。このように特性補償用抵抗R4を接続
した場合の特性と、これを接続しない場合の特性を
比較すると、制御温度範囲t1−t2付近では特性補償
用抵抗R4を接続した場合の特性のほうが直線性が良
く、特に温度の高いところでは温度に対する電位の変化
量が大きく、高い検知精度(分解能)が得られる。ただ
し、制御温度付近の特性が改善される代償として低温度
領域での検知精度はに比較して低下する。
改善するために、第4図において破線で示した特性補償
用抵抗R4をサーミスタRtに並列に接続した回路が用
いられる。ところがこの特性補償用抵抗R4の有無によ
る特性の違いを第5図に示す。第5図のは特性補償用
抵抗R4を接続しない場合の第4図におけるa点の電
位、は特性補償用抵抗R4を接続した場合の第4図に
おけるa点の電位を示す。第5図のととでは、サー
ミスタの断線状態の出力電圧がコンパレータA1に対す
る最大電圧Voに等しくなるようにブリッジ回路の電源
電圧+Vを異ならせている。なぜなら、a点の電圧を判
定するコンパレータA1には、入力電圧範囲の定格があ
り、その定格電圧範囲を最大限に用いて検出精度を高め
るよう、入力電圧のとり得る範囲を設計するのが通例で
あるためである。このように特性補償用抵抗R4を接続
した場合の特性と、これを接続しない場合の特性を
比較すると、制御温度範囲t1−t2付近では特性補償
用抵抗R4を接続した場合の特性のほうが直線性が良
く、特に温度の高いところでは温度に対する電位の変化
量が大きく、高い検知精度(分解能)が得られる。ただ
し、制御温度付近の特性が改善される代償として低温度
領域での検知精度はに比較して低下する。
ところで、複写機の定着装置などのように、対象物を比
較的高温度に加熱する装置においては、サーミスタが断
線した場合に生じる温度の異常上昇を防止するために、
サーミスタの断線状態を検知する必要がある。サーミス
タが断線した状態はその抵抗値が無限大の場合であっ
て、低温の極限状態の特性に対応する。したがって、サ
ーミスタが断線した場合のa点の電位は第5図に示した
ようにV0の値となる。したがって、a点の電位がV0
に達したことを検出してサーミスタが断線したことを一
応検知することができるが、電源オン直後など、温度制
御の対象物がまだあたたまっていない時には、サーミス
タの抵抗値はかなり高く、サーミスタ出力電圧はV0と
ほとんど変わらない。また、対象物が所定の温度で制御
されている状態であっても、上述のように低温度領域に
おける検知精度が低いために、回路定数のばらつきや雑
音などによって誤検知する虞があった。
較的高温度に加熱する装置においては、サーミスタが断
線した場合に生じる温度の異常上昇を防止するために、
サーミスタの断線状態を検知する必要がある。サーミス
タが断線した状態はその抵抗値が無限大の場合であっ
て、低温の極限状態の特性に対応する。したがって、サ
ーミスタが断線した場合のa点の電位は第5図に示した
ようにV0の値となる。したがって、a点の電位がV0
に達したことを検出してサーミスタが断線したことを一
応検知することができるが、電源オン直後など、温度制
御の対象物がまだあたたまっていない時には、サーミス
タの抵抗値はかなり高く、サーミスタ出力電圧はV0と
ほとんど変わらない。また、対象物が所定の温度で制御
されている状態であっても、上述のように低温度領域に
おける検知精度が低いために、回路定数のばらつきや雑
音などによって誤検知する虞があった。
<発明の目的> この発明の目的は、比較的高温度領域における温度検出
の検知精度(分解能)を低下させることなく、サーミス
タ出力電圧によってサーミスタの断線状態を確実に検知
できるようにした温度検知回路を提供することにある。
の検知精度(分解能)を低下させることなく、サーミス
タ出力電圧によってサーミスタの断線状態を確実に検知
できるようにした温度検知回路を提供することにある。
<発明の構成および効果> この発明は、1辺にサーミスタを用いた抵抗ブリッジ回
路を備え、この抵抗ブリッジ回路の出力電圧により温度
検知を行うとともに前記サーミスタの出力電圧によって
そのサーミスタの断線有無を検知するようにした温度検
知回路において、サーミスタに隣接してブリッジ回路の
一辺を構成する隣接抵抗とサーミスタとの間に順方向に
ダイオードを介挿し、隣接抵抗とダイオードの接続点と
サーミスタの一端が接続されている基準電位または電源
電位との間に特性補償用抵抗を接続し、サーミスタとダ
イオードの接続点と隣接抵抗の一端が接続されている電
源電位または基準電位との間に接続点をプルアップまた
はプルダウンするサーミスタ断線検出用抵抗を接続する
とともに、検知すべき温度範囲におけるサーミスタの抵
抗値に対するサーミスタ断線検出用抵抗の抵抗値比を、
特性補償用抵抗に対する隣接抵抗の抵抗値比より大きく
なる関係としたことを特徴とする。
路を備え、この抵抗ブリッジ回路の出力電圧により温度
検知を行うとともに前記サーミスタの出力電圧によって
そのサーミスタの断線有無を検知するようにした温度検
知回路において、サーミスタに隣接してブリッジ回路の
一辺を構成する隣接抵抗とサーミスタとの間に順方向に
ダイオードを介挿し、隣接抵抗とダイオードの接続点と
サーミスタの一端が接続されている基準電位または電源
電位との間に特性補償用抵抗を接続し、サーミスタとダ
イオードの接続点と隣接抵抗の一端が接続されている電
源電位または基準電位との間に接続点をプルアップまた
はプルダウンするサーミスタ断線検出用抵抗を接続する
とともに、検知すべき温度範囲におけるサーミスタの抵
抗値に対するサーミスタ断線検出用抵抗の抵抗値比を、
特性補償用抵抗に対する隣接抵抗の抵抗値比より大きく
なる関係としたことを特徴とする。
以上のように構成したことによって、サーミスタが断線
していない通常の状態では、検知すべき温度範囲におけ
るサーミスタの抵抗値に対するサーミスタ断線検出用抵
抗の比が、特性補償用抵抗に対する隣接抵抗の抵抗値比
より大きいため、ダイオードに対し順方向の電流が流
れ、サーミスタと特性補償用抵抗は順方向のダイオード
を介して等価的に並列に接続され抵抗ブリッジ回路の1
辺を構成する。そのため、検知すべき温度範囲における
温度変化に対する抵抗ブリッジ回路の出力電圧の直線性
が高く、高い検知精度が得られる。もし、サーミスタが
断線すれば、サーミスタとダイオードの接続点はサーミ
スタ断線検出用抵抗によって、隣接抵抗の一端が接続さ
れている電源電位または基準電位にプルアップまたはプ
ルダウンされ、サーミスタ出力電圧は電源電位または基
準電位となる。従って、サーミスタが断線していない通
常状態でサーミスタ出力電圧が最も大きくなる低温度時
におけるサーミスタ出力電圧と比較しても大きく異なる
電圧が出力されるため、サーミスタの断線有無を確実に
検知することができる。
していない通常の状態では、検知すべき温度範囲におけ
るサーミスタの抵抗値に対するサーミスタ断線検出用抵
抗の比が、特性補償用抵抗に対する隣接抵抗の抵抗値比
より大きいため、ダイオードに対し順方向の電流が流
れ、サーミスタと特性補償用抵抗は順方向のダイオード
を介して等価的に並列に接続され抵抗ブリッジ回路の1
辺を構成する。そのため、検知すべき温度範囲における
温度変化に対する抵抗ブリッジ回路の出力電圧の直線性
が高く、高い検知精度が得られる。もし、サーミスタが
断線すれば、サーミスタとダイオードの接続点はサーミ
スタ断線検出用抵抗によって、隣接抵抗の一端が接続さ
れている電源電位または基準電位にプルアップまたはプ
ルダウンされ、サーミスタ出力電圧は電源電位または基
準電位となる。従って、サーミスタが断線していない通
常状態でサーミスタ出力電圧が最も大きくなる低温度時
におけるサーミスタ出力電圧と比較しても大きく異なる
電圧が出力されるため、サーミスタの断線有無を確実に
検知することができる。
<実施例> 第1図はこの発明の実施例である温度検知回路である。
第1図においてサーミスタRt、抵抗R1,R2,R3
は抵抗ブリッジ回路の4辺の主要部を構成する。サーミ
スタRtには特性補償用抵抗R4をダイオードDを介し
て等価的に並列に接続している。従って、サーミスタR
tと特性補償用抵抗R4との並列回路は抵抗ブリッジ回
路の1辺を構成する。コンパレータA1はa点とb点の
電位差を検出して、その検出信号を出力端子OUT1に
出力する。
第1図においてサーミスタRt、抵抗R1,R2,R3
は抵抗ブリッジ回路の4辺の主要部を構成する。サーミ
スタRtには特性補償用抵抗R4をダイオードDを介し
て等価的に並列に接続している。従って、サーミスタR
tと特性補償用抵抗R4との並列回路は抵抗ブリッジ回
路の1辺を構成する。コンパレータA1はa点とb点の
電位差を検出して、その検出信号を出力端子OUT1に
出力する。
ダイオードDは抵抗R1を介してサーミスタRtに電圧
が印加される方向に介挿されているため、図に示すよう
にa点の電位はサーミスタに流れる電流i1と特性補償
用抵抗R4に流れる電流i2によって定まる。なお、抵
抗R5はサーミスタ断線検出用抵抗であるが、抵抗R
1,R4およびサーミスタRtのいずれよりもかなり高
抵抗であるため、サーミスタ断線検出用抵抗R5からサ
ーミスタRtに流れる電流i3は電流i1より極めて小
さい。このため、サーミスタ断線検出用抵抗が温度検知
特性に与える影響は無視することができる。
が印加される方向に介挿されているため、図に示すよう
にa点の電位はサーミスタに流れる電流i1と特性補償
用抵抗R4に流れる電流i2によって定まる。なお、抵
抗R5はサーミスタ断線検出用抵抗であるが、抵抗R
1,R4およびサーミスタRtのいずれよりもかなり高
抵抗であるため、サーミスタ断線検出用抵抗R5からサ
ーミスタRtに流れる電流i3は電流i1より極めて小
さい。このため、サーミスタ断線検出用抵抗が温度検知
特性に与える影響は無視することができる。
サーミスタRtが断線したとき、電流i1とi3が流れ
なくなって、c点の電位は電源電圧+Vcにプルアップ
される。コンパレータA2は電源に接続された抵抗R6
とR7によって得られるd点の基準電位と前記c点の電
位との比較を行い、その検出信号を出力端子OUT2に
出力する。d点の電位を低温度領域においてc点に発生
する電位と電源電圧Vcの電位との間に設定することに
よって、サーミスタの断線状態を確実に検知することが
できる。
なくなって、c点の電位は電源電圧+Vcにプルアップ
される。コンパレータA2は電源に接続された抵抗R6
とR7によって得られるd点の基準電位と前記c点の電
位との比較を行い、その検出信号を出力端子OUT2に
出力する。d点の電位を低温度領域においてc点に発生
する電位と電源電圧Vcの電位との間に設定することに
よって、サーミスタの断線状態を確実に検知することが
できる。
次に、具体的な回路定数とその特性の一例を示す。
サーミスタとして、第2図に示すような特性、たとえば
170℃においてその抵抗値が1.5KΩ、190℃で
1.0KΩのものを用い、180℃付近の分解能を高め
るための回路定数として次に示すような値が考えられ
る。
170℃においてその抵抗値が1.5KΩ、190℃で
1.0KΩのものを用い、180℃付近の分解能を高め
るための回路定数として次に示すような値が考えられ
る。
電源電圧Vc: 20V R1 :5.1KΩ R2 :5.1KΩ R3 :590 Ω R4 :1.5KΩ R5 : 5MΩ 以上のように回路定数を定めて第1図に示した回路を構
成すれば、サーミスタが断線していない通常の状態にお
いて、a点の電位とc点の電位は第3図に示すような特
性が得られる。図に示すように−20℃付近の極めて低
温の領域においてもc点の電位は約4.2Vまで上昇す
るだけであって、サーミスタが断線した場合にc点に生
じる電源電圧(20V)と比べて大きく異なる。このた
め、低温度領域におけるサーミスタ出力電圧とサーミス
タの断線状態におけるサーミスタ出力電圧とを明確に区
別することができる。
成すれば、サーミスタが断線していない通常の状態にお
いて、a点の電位とc点の電位は第3図に示すような特
性が得られる。図に示すように−20℃付近の極めて低
温の領域においてもc点の電位は約4.2Vまで上昇す
るだけであって、サーミスタが断線した場合にc点に生
じる電源電圧(20V)と比べて大きく異なる。このた
め、低温度領域におけるサーミスタ出力電圧とサーミス
タの断線状態におけるサーミスタ出力電圧とを明確に区
別することができる。
実施例は第1図において、b点の電位を基準にしてa点
の電位を検出することによって温度検知を行う例であっ
たが、サーミスタが断線していない通常の状態において
は、a点とc点の電位差はダイオードの順方向降下電圧
(約0.7V)だけであるため、c点の電位を検出して
温度検知を行うこともできる。
の電位を検出することによって温度検知を行う例であっ
たが、サーミスタが断線していない通常の状態において
は、a点とc点の電位差はダイオードの順方向降下電圧
(約0.7V)だけであるため、c点の電位を検出して
温度検知を行うこともできる。
また、第1図においてA1をコンパレータに代えて差動
増幅回路とし、a点とb点より出力される抵抗ブリッジ
回路の出力電圧を差動増幅して温度測定を行うこともで
きる。
増幅回路とし、a点とb点より出力される抵抗ブリッジ
回路の出力電圧を差動増幅して温度測定を行うこともで
きる。
また、実施例は電源側にサーミスタ断線検出用抵抗を接
続し、設置側にサーミスタを接続した例であったが、こ
の位置関係を逆とし、これに伴ってダイオードの方向を
逆にして回路を構成することも可能である。この場合、
サーミスタ出力電圧が接地電圧に略等しくなったことを
検出してサーミスタの断線状態を検知することができ
る。
続し、設置側にサーミスタを接続した例であったが、こ
の位置関係を逆とし、これに伴ってダイオードの方向を
逆にして回路を構成することも可能である。この場合、
サーミスタ出力電圧が接地電圧に略等しくなったことを
検出してサーミスタの断線状態を検知することができ
る。
第1図はこの発明の実施例である温度検知回路を表す
図、第2図は具体的なサーミスタの温度特性を表す図、
第3図は具体的な温度とサーミスタ出力電圧との関係を
表す図、第4図は従来の温度検知回路を表す図、第5図
は従来の温度検知回路の特性を説明するための図であ
る。 Rt……サーミスタ、 R4……特性補償用抵抗、 R5……サーミスタ断線検出用抵抗、 R1,R2,R3,R4,Rt……抵抗ブリッジ、 D……ダイオード。
図、第2図は具体的なサーミスタの温度特性を表す図、
第3図は具体的な温度とサーミスタ出力電圧との関係を
表す図、第4図は従来の温度検知回路を表す図、第5図
は従来の温度検知回路の特性を説明するための図であ
る。 Rt……サーミスタ、 R4……特性補償用抵抗、 R5……サーミスタ断線検出用抵抗、 R1,R2,R3,R4,Rt……抵抗ブリッジ、 D……ダイオード。
Claims (1)
- 【請求項1】1辺にサーミスタを用いた抵抗ブリッジ回
路を備え、この抵抗ブリッジ回路の出力電圧により温度
検知を行うとともに前記サーミスタの出力電圧によって
そのサーミスタの断線有無を検知するようにした温度検
知回路において、 サーミスタRtに隣接してブリッジ回路の一辺を構成す
る隣接抵抗R1とサーミスタRtとの間に順方向にダイ
オードDを介挿し、隣接抵抗R1とダイオードDの接続
点aとサーミスタRtの一端が接続されている基準電位
または電源電位との間に特性補償用抵抗R4を接続し、
サーミスタRtとダイオードDの接続点cと隣接抵抗R
1の一端が接続されている電源電位または基準電位との
間に接続点cをプルアップまたはプルダウンするサーミ
スタ断線検出用抵抗R5を接続するとともに、検知すべ
き温度範囲におけるサーミスタRtの抵抗値に対するサ
ーミスタ断線検出用抵抗R5の抵抗値比を、特性補償用
抵抗R4に対する隣接抵抗R1の抵抗値比より大きくな
る関係としたことを特徴とする温度検知回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11150586A JPH0619296B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 温度検知回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11150586A JPH0619296B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 温度検知回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62266426A JPS62266426A (ja) | 1987-11-19 |
JPH0619296B2 true JPH0619296B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=14563005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11150586A Expired - Fee Related JPH0619296B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 温度検知回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0619296B2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP11150586A patent/JPH0619296B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62266426A (ja) | 1987-11-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |