KR102371718B1 - 온도 센싱 회로 - Google Patents

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KR102371718B1
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    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
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    • G01K7/42—Circuits effecting compensation of thermal inertia; Circuits for predicting the stationary value of a temperature

Abstract

본 발명은 온도 센싱 정밀도를 향상시키는 온도 센싱 회로에 대한 것이다. 본 발명은, 온도에 따라 저항값이 변하는 온도 센싱 소자; 상기 온도 센싱 소자의 센싱 결과값을 기준값과 비교하여 제어 신호를 출력하는 비교기; 상기 기준값을 상기 비교기에 제공하는 마이컴; 및 제 1 풀업 저항과 제 2 풀업 저항을 구비하고, 상기 제어 신호에 따라 상기 제 1 풀업 저항과 상기 제 2 풀업 저항을 상기 온도 센싱 소자에 선택적으로 제공하는 풀업 저항부;를 포함하는 온도 센싱 회로를 제공한다.

Description

온도 센싱 회로 {TEMPERATURE SENSING CIRCUIT}
본 발명은 온도 센싱 회로에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 온도 센싱 정밀도를 향상시키는 온도 센싱 회로에 대한 것이다.
온도 센싱 회로는 다양한 기술분야에서 사용된다. 일례로, 친환경 자동차에 있어서는 배터리로부터 에너지를 공급받아 모터를 구동하기 위하여 인버터가 구비된다. 차량용 인버터의 정확한 제어 및 고장 진단 등을 위하여 인버터의 온도를 측정하기 위한 온도 센싱 회로가 구비된다.
온도 센싱 회로는 통상 서미스터(thermister) 소자를 이용하여 구현될 수 있으며, 측정되는 온도에 따라 가변되는 서미스터의 저항값을 검출하여 온도를 센싱한다. 이러한 서미스터의 일례로 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터가 있다.
그런데, 서미스터의 저항값은 온도에 따라 선형적으로 변화하지 않고 비선형적인 특성을 갖고 있어 온도 범위에 따라 분해능이 저하되는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위하여 서미스터를 복수 개 구비하고 각각의 서미스터마다 별도의 센싱 회로를 구비하는 것을 고려할 수 있으나, 이는 부품 수의 증가뿐만 아니라 복수의 서미스터를 동일한 위치에 배치하여야 하는 문제를 발생시킨다.
대한민국 공개특허공보 제10-2016-0141939호 (2016.12.12. 공개)
본 발명은 온도 변화에 따른 측정 오차를 감소시키고 온도 센서의 분해능을 향상시키는 한편, 더 나아가 고장 진단을 용이하게 하는 것이 가능한 온도 센싱 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 온도에 따라 저항값이 변하는 온도 센싱 소자; 상기 온도 센싱 소자의 센싱 결과값을 기준값과 비교하여 제어 신호를 출력하는 비교기; 상기 기준값을 상기 비교기에 제공하는 마이컴; 및 제 1 풀업 저항과 제 2 풀업 저항을 구비하고, 상기 제어 신호에 따라 상기 제 1 풀업 저항과 상기 제 2 풀업 저항을 상기 온도 센싱 소자에 선택적으로 제공하는 풀업 저항부;를 포함하는 온도 센싱 회로를 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 풀업 저항부는, 상기 제 1 풀업 저항과 연결된 제 1 스위치와 상기 제 2 풀업 저항과 연결된 제 2 스위치를 포함하고, 상기 제 1 스위치와 상기 제 2 스위치는 상기 제어 신호에 의해 반대로 작동할 수 있다.
또한, 상기 마이컴은, 상기 센싱 결과값과 기저장된 비교전압을 비교하여 상기 기준값을 출력할 수 있다.
또한, 상기 비교전압은 저온 구간과 고온 구간을 구분하는 온도에서의 상기 제 1 풀업 저항에 따른 제 1 비교전압과, 상기 제 2 풀업 저항에 따른 제 2 비교전압을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 풀업 저항은 상기 제 2 풀업 저항보다 크고, 상기 마이컴에 입력되는 상기 센싱 결과값이 상기 제 1 비교전압보다 큰 상태에서 상기 제 1 비교전압보다 작은 상태로 변화하면, 상기 마이컴은 상기 제어 신호를 변경할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 풀업 저항은 상기 제 2 풀업 저항보다 크고, 상기 마이컴에 입력되는 상기 센싱 결과값이 상기 제 2 비교전압보다 작은 상태에서 상기 제 2 비교전압보다 큰 상태로 변화하면, 상기 마이컴은 상기 제어 신호를 변경할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 마이컴은, 상기 입력단에 입력되는 전압을 상기 제 1 풀업 저항에 따른 상기 센싱 결과값의 측정 가능한 최대값 또는 상기 제 2 풀업 저항에 따른 상기 센싱 결과값의 측정 가능한 최소값을 비교하여 회로의 고장 여부를 판단할 수 있다.
또한, 상기 마이컴은 상기 비교기의 상기 제어 신호를 입력받는 피드백핀을 구비하고, 상기 기준값과 상기 피드백핀으로 입력되는 상기 제어 신호를 비교하여 회로의 고장 여부를 판단할 수 있다.
본 발명에 따르면, 온도 변화에 따라 풀업 저항의 크기를 변화시켜 온도 센서의 분해능을 향상시키고 온도 측정 오류를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 온도 측정을 위한 서미스터의 개수를 증가시키지 않아도 되고, 복수의 회로를 별도로 구비하여야 하는 문제를 해소할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 온도 센싱 회로의 고장 판단을 용이하게 할 수 있어 장치 운용의 신뢰성을 확보할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 온도 센싱 회로의 구성도이다.
도 2는 풀업 저항에 따른 온도 센싱 소자가 출력하는 결과값을 예시한 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 온도 센싱 회로의 구성도이고, 도 2는 풀업 저항에 따른 온도 센싱 소자가 출력하는 결과값을 예시한 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 온도 센싱 회로(10)는, 온도 센싱 소자(20)와, 온도 센싱 소자(20)의 센싱 결과값을 기준값과 비교하는 비교기(30)와, 상기 비교기(30)의 비교 결과에 따라 선택적으로 풀업 저항(R1, R2)을 제공하는 풀업 저항부(40)를 포함한다. 또한, 온도 센싱 회로(10)는 온도 센싱 소자(20)의 센싱 결과값을 이용하여 온도 정보를 산출하고, 비교기(30)의 작동을 제어하는 마이컴(100)을 추가로 포함할 수 있다.
온도 센싱 소자(20)는 측정되는 온도에 따라 저항값이 변하는 소자이다. 일례로서 온도 센싱 소자(20)는 NTC 서미스터일 수 있다.
온도 센싱 소자(20)의 센싱 정보(TEMP1)는 마이컴(100)의 입력단(110)으로 전달되고, 마이컴(100)은 아날로그-디지털 컨버터(ADC)를 이용하여 온도 센싱 정보를 디지털 값으로 변환하여 온도를 산출한다. 온도 센싱 소자(20)로부터 마이컴(100)의 입력단(110)의 사이에는 온도 센싱 소자(20)의 센싱 정보(TEMP1)인 전류를 제한하여 마이컴(100)을 보호하기 위한 보호 저항(R4)이 구비될 수 있다.
비교기(30)는 온도 센싱 소자(20)의 센싱 정보(TEMP1)에 따른 결과값을 기준값(V2)과 비교하고, 비교 결과에 따라 풀업 저항부(40)로 제어 신호를 출력한다. 비교기(30)로 입력되는 센싱 정보(TEMP1)에 따른 결과값은 마이컴(100)의 입력단(110)의 전압(V1)일 수 있다.
풀업 저항부(40)는 온도 센싱 소자(20)에 연결되어 온도 센싱 소자(20)에 인가되는 전압을 조절하는 풀업 저항(R1, R2)을 제공한다. 풀업 저항부(40)는 비교기(30)의 제어 신호에 의해 제 1 풀업 저항(R1) 또는 제 2 풀업 저항(R2)을 온도 센싱 소자(20)에 선택적으로 제공한다.
일 실시예에 있어서 제 1 풀업 저항(R1)은 제 2 풀업 저항(R2)보다 크게 구비된다. 예를 들면, 제 1 풀업 저항(R1)은 33kΩ이고, 제 2 풀업 저항(R2)는 3kΩ이다. 도 2를 참조하면, 풀업 저항(R1, R2)에 따라 온도 센싱 소자(20)에서 출력되는 온도에 따른 전압 변화가 예시된다. 풀업 저항이 큰 경우(예를 들면, 제 1 풀업 저항(R1)이 연결된 경우), 저온 구간에서(예를 들면, 25℃ 이하) 온도에 따른 전압 변화가 명확히 나타난다. 반대로 풀업 저항이 작은 경우(예를 들면, 제 2 풀업 저항(R2)이 연결된 경우), 고온 구간에서(예를 들면, 25℃ 이상) 온도에 따른 전압 변화가 명확히 나타난다. 즉, 저온 구간에서는 풀업 저항이 큰 경우에 온도 센싱 소자(20)의 분해능이 우수하고, 고온 구간에서는 풀업 저항이 작은 경우에 온도 센싱 소자(20)의 분해능이 우수한다. 본 발명은 전체 온도 구간에서의 우수한 분해능을 확보하기 위하여 저온 구간에는 제 1 풀업 저항(R1)을 연결하고, 고온 구간에서는 제 2 풀업 저항(R2)을 연결하는 것을 일 특징으로 한다.
풀업 저항부(40)는 제 1 풀업 저항(R1)과 제 2 풀업 저항(R2)을 선택적으로 인가하기 위하여, 각각의 풀업 저항(R1, R2)을 바이어스 전압과 연결하는 제 1 스위치(T1)와 제 2 스위치(T2)를 구비한다. 제 1 스위치(T1)는 제 1 풀업 저항(R1)과 연결되고, 제 2 스위치(T2)는 제 2 풀업 저항(R2)과 연결된다.
일 실시예에 있어서, 제 1 스위치(T1)는 npn 트랜지스터로 구성되고, 제 2 스위치(T2)는 pnp 트랜지스터로 구성될 수 있다. 다만, 본 발명의 실시에 있어서 제 1 스위치(T1)와 제 2 스위치(T2)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 제어기(40)의 제어 신호에 의해 서로 반대로 작동되는 방식이라면 다른 방식의 스위치 구성 또는 추가적인 회로 구성을 구비하는 것도 가능할 수 있다.
도 1의 실시예에서, 비교기(30)의 제어 신호는 각각의 스위치(T1, T2)의 베이스로 입력되는데, 제 1 스위치(T1)의 베이스에 입력되는 신호를 위하여 제어 신호 입력 저항(R3, R5)을 구비하고, 제어 신호 입력 저항(R3, R5)의 연결부에 비교기(30)의 제어 신호 출력단이 연결되도록 구성하였다.
비교기(30)에 입력되는 기준값(V2)은 마이컴(100)의 기준값 제공핀(120)을 통해 제공된다. 마이컴(100)은 입력단(110)으로 입력되는 전압(V1)과, 비교기(30)의 비교 결과에 따른 제어 신호를 이용하여 기준값(V2)의 출력을 제어할 수 있다. 한편, 비교기(30)의 비교 결과를 입력받아 모니터링하기 위하여, 마이컴(100)은 피드백핀(130)을 더 포함할 수 있다.
마이컴(100)이 기준값 제공핀(120)을 통하여 기준값(V2)을 제공하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
· 온도 센싱 회로 초기 동작시
초기 동작시, 제 1 스위치(T1)은 온(On), 제 2 스위치(T2)는 오프(Off) 상태로 동작을 시작한다. 즉, 초기 상태에서는 제 1 풀업 저항(R1)이 온도 센싱 소자(20)에 연결된다.
마이컴(100)은 온도 센싱 소자(20)의 출력값(V1)을 입력단(110)을 통해 입력받는다. 마이컴(100)은 ADC를 이용하여 출력값(V1)을 디지털 값으로 변환할 수 있다. 마이컴(100)은 도 2에서 예시한 바와 같은 풀업 저항에 따른 온도와 전압의 관계를 보유하고, 풀업 저항을 전환하는 온도(예를 들면, 25℃)에서의 제 1 풀업 저항(R1)에 따른 전압을 제 1 비교전압(V21)으로, 제 2 풀업 저항(R2)에 따른 전압을 제 2 비교전압(V22)로 설정하고 있다.
출력값(V1)은 도 2의 제 1 비교전압(V21)과 비교된다. 출력값(V1)이 제 1 비교전압(V21) 이상이면, 마이컴(100)은 기준값 제공핀(120)을 통해 로우(Low) 신호(예를 들면, V2=0V)를 출력한다. 출력값(V1)이 기준값(V2)보다 크므로 비교기(30)에서 출력되는 제어 신호는 하이(High)가 되어 제 1 스위치(T1)는 온(On), 제 2 스위치(T2)는 오프(Off) 상태로 되어 제 1 풀업 저항(R1)이 온도 센싱 소자(20)에 연결된다.
출력값(V1)이 제 1 비교전압(V21)보다 작으면 마이컴(100)은 기준값 제공핀(120)을 통해 하이(High) 신호(예를 들면, 5V)를 출력한다. 출력값(V1)이 기준값(V2)보다 작으므로 비교기(30)에서 출력되는 제어 신호는 로우(Low)가 되어 제 1 스위치(T1)는 오프(Off), 제 2 스위치(T2)는 오프(On) 상태로 되어 제 2 풀업 저항(R2)이 온도 센싱 소자(20)에 연결된다.
· 온도가 저온 구간에서 고온 구간으로 변하는 경우
온도가 저온 구간인 경우에는 제 1 스위치(T1)은 온(On), 제 2 스위치(T2)는 오프(Off) 상태로서 제 1 풀업 저항(R1)이 온도 센싱 소자(20)에 연결되어 있다.
온도가 저온 구간에서 고온 구간으로 상승하면 출력값(V1)은 점점 작아지고, 출력값(V1)이 제 1 비교전압(V21)보다 작게 되면, 마이컴(100)은 기준값 제공핀(120)을 통해 하이(High) 신호를 출력한다. 이에 따라 비교기(30)에서 출력되는 제어 신호는 로우(Low)가 되어 제 1 스위치(T1)는 오프(Off), 제 2 스위치(T2)는 오프(On) 상태로 되고, 제 2 풀업 저항(R2)이 온도 센싱 소자(20)에 연결된다.
· 온도가 고온 구간에서 저온 구간으로 변하는 경우
온도가 고온 구간인 경우에는 제 1 스위치(T1)은 오프(Off), 제 2 스위치(T2)는 온(On) 상태로서 제 2 풀업 저항(R2)이 온도 센싱 소자(20)에 연결되어 있다.
온도가 고온 구간에서 저온 구간으로 하강하면 출력값(V1)은 점점 커진다. 출력값(V1)이 제 2 비교전압(V22)보다 크게 되면, 마이컴(100)은 기준값 제공핀(120)을 통해 로우(Low) 신호를 출력한다. 이에 따라 비교기(30)에서 출력되는 제어 신호는 하이(High)가 되어 제 1 스위치(T1)는 온(On), 제 2 스위치(T2)는 오프(Off) 상태로 되고, 제 1 풀업 저항(R1)이 온도 센싱 소자(20)에 연결된다.
한편, 본 발명에 따른 온도 센싱 회로(10)는 배터리 단락상태(Short Circuit to Battery : SCB) 검출, 접지 단락상태(Short Circuit to Ground : SCG) 검출, 부하 단락상태(Open Loop) 검출이 가능하여 회로의 고장 여부를 판단할 수 있다.
· 제 1 풀업 저항(R1) 적용시 마이컴(100)의 고장 상황 인지
- SCB 진단 : 기준값 제공핀(120)이 로우 신호를 출력하는 상태에서 SCB로 인해 입력단(110)에 배터리 전압(예를 들면, 5V)이 입력된다. 제 1 풀업 저항(R1)연결시 온도 센싱 소자(20)의 센싱 결과값(V1)의 최대값은 5V보다 작다. 예를 들면, 도 2의 예에서, 온도 센싱 회로(10)의 최저 동작 가능온도 -40℃에서의 온도 센싱 소자(20)의 최대 전압은 약 4.758V이므로, 입력단(110)에 입력되는 결과값(V1)이 5V라면 고장 상황으로 진단할 수 있다.
- SCG 진단 : 기준값 제공핀(120)이 로우 신호를 출력하는 상태에서 SCG로 인해 입력단(110)에 0V가 입력된다. 기준값 제공핀(120)이 로우 신호를 출력하고 있음에도, 입력단(110)에 0V가 입력되어 비교기(30)는 로우 신호를 출력하고, 피드백핀(130)에 로우 신호가 확인된다. 이러한 상황은 SCG로 진단될 수 있다.
- OL 진단 : 기준값 제공핀(120)이 로우 신호를 출력하는 상태에서 OL로 인해 입력단(110)에 5V가 입력된다. 예를 들면, 도 2의 예에서, 온도 센싱 회로(10)의 최저 동작 가능온도 -40℃에서의 온도 센싱 소자(20)의 최대 전압은 약 4.758V이므로, 입력단(110)에 입력되는 결과값(V1)이 5V라면 고장 상황으로 진단할 수 있다.
· 제 2 풀업 저항(R2) 적용시 마이컴(100)의 고장 상황 인지
- SCB 진단 : 기준값 제공핀(120)이 하이 신호를 출력하는 상태에서 SCB로 인해 입력단(110)에 배터리 전압(예를 들면, 5V)이 입력된다. 기준값 제공핀(120)이 하이 신호를 출력하고 있음에도 비교기(30)는 하이 신호가 출력하고, 피드백 제공핀(130)에도 하이 신호가 입력된다. 이러한 비정상 상황 발생에 대해 고장 상황으로 진단할 수 있다.
- SCG 진단 : 기준값 제공핀(120)이 하이 신호를 출력하는 상태에서 SCG로 인해 입력단(110)에 0V가 입력된다. 제 2 풀업 저항(R1)연결시 온도 센싱 소자(20)의 센싱 결과값(V1)의 최소값은 0V보다 크다. 예를 들면, 도 2의 예에서, 온도 센싱 회로(10)의 최고 동작 가능온도 120℃에서의 온도 센싱 소자(20)의 최소 전압은 약 0.578V이므로, 입력단(110)에 입력되는 결과값(V1)이 0V라면 SCG로 진단할 수 있다.
- OL 진단 : 기준값 제공핀(120)이 하이 신호를 출력하는 상태에서 OL로 인해 입력단(110)에 5V가 입력된다. 기준값 제공핀(120)이 하이 신호를 출력하고 있음에도 비교기(30)는 하이 신호가 출력하고, 피드백 제공핀(130)에도 하이 신호가 입력된다. 이러한 비정상 상황 발생에 대해 고장 상황으로 진단할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 온도 센싱 회로 20 : 온도 센싱 소자
30 : 비교기 40 : 풀업 저항부
100 : 마이컴

Claims (8)

  1. 온도에 따라 저항값이 변하는 온도 센싱 소자;
    상기 온도 센싱 소자의 센싱 결과값을 기준값과 비교하여 제어 신호를 출력하는 비교기;
    상기 기준값을 상기 비교기에 제공하는 마이컴; 및
    제 1 풀업 저항과 제 2 풀업 저항을 구비하고, 상기 제어 신호에 따라 상기 제 1 풀업 저항과 상기 제 2 풀업 저항을 상기 온도 센싱 소자에 선택적으로 제공하는 풀업 저항부;
    를 포함하고,
    상기 마이컴은, 상기 센싱 결과값과 기저장된 비교전압을 비교하여 상기 기준값을 출력하며,
    상기 비교전압은 저온 구간과 고온 구간을 구분하는 온도에서의 상기 제 1 풀업 저항에 따른 제 1 비교전압과, 상기 제 2 풀업 저항에 따른 제 2 비교전압을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 온도 센싱 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 풀업 저항부는, 상기 제 1 풀업 저항과 연결된 제 1 스위치와 상기 제 2 풀업 저항과 연결된 제 2 스위치를 포함하고, 상기 제 1 스위치와 상기 제 2 스위치는 상기 제어 신호에 의해 반대로 작동하는 것을 특징으로 하는 온도 센싱 회로.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 풀업 저항은 상기 제 2 풀업 저항보다 크고,
    상기 마이컴에 입력되는 상기 센싱 결과값이 상기 제 1 비교전압보다 큰 상태에서 상기 제 1 비교전압보다 작은 상태로 변화하면, 상기 마이컴은 상기 제어 신호를 변경하는 것을 특징으로 하는 온도 센싱 회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 풀업 저항은 상기 제 2 풀업 저항보다 크고,
    상기 마이컴에 입력되는 상기 센싱 결과값이 상기 제 2 비교전압보다 작은 상태에서 상기 제 2 비교전압보다 큰 상태로 변화하면, 상기 마이컴은 상기 제어 신호를 변경하는 것을 특징으로 하는 온도 센싱 회로.
  7. 제 1, 2, 5, 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이컴은, 입력단으로 입력되는 전압을 상기 제 1 풀업 저항에 따른 상기 센싱 결과값의 측정 가능한 최대값 또는 상기 제 2 풀업 저항에 따른 상기 센싱 결과값의 측정 가능한 최소값과 비교하여 회로의 고장 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 온도 센싱 회로.
  8. 제 1, 2, 5, 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이컴은 상기 비교기의 상기 제어 신호를 입력받는 피드백핀을 구비하고, 상기 기준값과 상기 피드백핀으로 입력되는 상기 제어 신호를 비교하여 회로의 고장 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 온도 센싱 회로.
KR1020190165289A 2019-12-12 2019-12-12 온도 센싱 회로 KR102371718B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102560375B1 (ko) * 2021-07-07 2023-07-27 주식회사 현대케피코 인버터의 온도 측정 장치 및 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310807A (ja) * 2001-04-18 2002-10-23 Aisin Seiki Co Ltd 温度検出装置
KR101317781B1 (ko) * 2006-08-29 2013-10-15 삼성전자주식회사 서미스터 이상을 감지하는 화상형성장치
KR101887903B1 (ko) * 2016-11-11 2018-09-06 현대오트론 주식회사 저항성 센서의 고장 진단 장치 및 진단 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140105146A (ko) * 2013-02-22 2014-09-01 현대자동차주식회사 모터 온도센서의 고장 검출과 온도 측정범위 확장 시스템 및 방법
KR20160017514A (ko) * 2014-08-06 2016-02-16 엘지이노텍 주식회사 온도측정장치
KR20160141939A (ko) 2015-06-01 2016-12-12 엘에스산전 주식회사 인버터용 온도 검출 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310807A (ja) * 2001-04-18 2002-10-23 Aisin Seiki Co Ltd 温度検出装置
KR101317781B1 (ko) * 2006-08-29 2013-10-15 삼성전자주식회사 서미스터 이상을 감지하는 화상형성장치
KR101887903B1 (ko) * 2016-11-11 2018-09-06 현대오트론 주식회사 저항성 센서의 고장 진단 장치 및 진단 방법

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