JPH06190269A - ドライ洗浄方法およびその装置 - Google Patents
ドライ洗浄方法およびその装置Info
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- JPH06190269A JPH06190269A JP34712992A JP34712992A JPH06190269A JP H06190269 A JPH06190269 A JP H06190269A JP 34712992 A JP34712992 A JP 34712992A JP 34712992 A JP34712992 A JP 34712992A JP H06190269 A JPH06190269 A JP H06190269A
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- gas
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 ガラス、金属、半導体等の表面に付着した有
機物、あるいは有機物に覆われたまたは接着された無機
物の洗浄法の提供。 【構成】 本発明は、大気圧近傍において、少なくとも
酸素を含むガスを流し、放電発生用電極に高周波電圧を
印加して放電を発生させ、その放電により生成される酸
素イオン、その励起種等の活性種を含むガスにより被処
理物表面の有機物を除去する。 【効果】 真空を必要としないで、かつ水系も不用な高
速ドライ洗浄方法、装置を提供できるだけでなく簡単
で、かつ装置コストが低くてすむという効果を有する。
さらには、移動しずらい被処理物に対して被処理物の使
用現場での洗浄が可能であるばかりか、凹凸の激しい被
処理物の洗浄にも対応できるという効果を有する。
機物、あるいは有機物に覆われたまたは接着された無機
物の洗浄法の提供。 【構成】 本発明は、大気圧近傍において、少なくとも
酸素を含むガスを流し、放電発生用電極に高周波電圧を
印加して放電を発生させ、その放電により生成される酸
素イオン、その励起種等の活性種を含むガスにより被処
理物表面の有機物を除去する。 【効果】 真空を必要としないで、かつ水系も不用な高
速ドライ洗浄方法、装置を提供できるだけでなく簡単
で、かつ装置コストが低くてすむという効果を有する。
さらには、移動しずらい被処理物に対して被処理物の使
用現場での洗浄が可能であるばかりか、凹凸の激しい被
処理物の洗浄にも対応できるという効果を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガラス、金属、半導体等
の表面に付着した有機物、あるいは有機物に覆われたま
たは接着された無機物の洗浄に関する。
の表面に付着した有機物、あるいは有機物に覆われたま
たは接着された無機物の洗浄に関する。
【0002】
【従来の技術】ガラス、金属、半導体等の表面に付着し
た有機物の洗浄は有機溶剤等を用いたウェット法が主流
である。また、ドライ洗浄としては、オゾン、紫外線を
被処理物に照射し化学反応させて除去する方法が知られ
ている。
た有機物の洗浄は有機溶剤等を用いたウェット法が主流
である。また、ドライ洗浄としては、オゾン、紫外線を
被処理物に照射し化学反応させて除去する方法が知られ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では以下の問題を有する。
では以下の問題を有する。
【0004】まずウェット法では、洗浄工程後に洗浄剤
を除去するためのリンス工程、被処理物を乾燥させるた
めの乾燥工程が必要となりプロセスが高価となるばかり
か、被処理物が例えば射出成形の型などの場合は、被処
理物を射出成形機から取り外さなければならず手間がか
かった。
を除去するためのリンス工程、被処理物を乾燥させるた
めの乾燥工程が必要となりプロセスが高価となるばかり
か、被処理物が例えば射出成形の型などの場合は、被処
理物を射出成形機から取り外さなければならず手間がか
かった。
【0005】また、ドライ洗浄として、オゾン、紫外線
を被処理物に照射する方法は有機物に対する除去能力が
低いため、薄く残る程度の有機物除去にしか使えない。
を被処理物に照射する方法は有機物に対する除去能力が
低いため、薄く残る程度の有機物除去にしか使えない。
【0006】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところはこびりついた有機物
でも、またどのような形状の被処理物でも、さらには前
記被処理物の使用状態(使用位置)で簡単に早く有機物
を除去する方法、および装置を提供するところにある。
るもので、その目的とするところはこびりついた有機物
でも、またどのような形状の被処理物でも、さらには前
記被処理物の使用状態(使用位置)で簡単に早く有機物
を除去する方法、および装置を提供するところにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のドライ洗浄方法
は、大気圧、あるいはその近傍圧力下において、少なく
とも酸素を含むガス雰囲気中にて放電を生じさせ、その
放電により生成された励起、イオン等の活性種と被処理
物表面上の有機物とを化学反応せしめ、前記有機物を除
去することを特徴とする。
は、大気圧、あるいはその近傍圧力下において、少なく
とも酸素を含むガス雰囲気中にて放電を生じさせ、その
放電により生成された励起、イオン等の活性種と被処理
物表面上の有機物とを化学反応せしめ、前記有機物を除
去することを特徴とする。
【0008】また、少なくとも酸素を含む放電用ガスの
流れあるいは別に設けたガス流、または振動により、有
機物、および有機物に覆われているか接着されている無
機物を、除去することを特徴とする。
流れあるいは別に設けたガス流、または振動により、有
機物、および有機物に覆われているか接着されている無
機物を、除去することを特徴とする。
【0009】さらに、被処理物に紫外光を照射してなる
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【0010】そして、前記被処理物に対して、その近傍
に放電発生用電極を配置し、前記放電発生用電極に高周
波電圧を印加して、前記被処理物と前記放電発生用電極
との空間で放電せしめることを特徴とする。
に放電発生用電極を配置し、前記放電発生用電極に高周
波電圧を印加して、前記被処理物と前記放電発生用電極
との空間で放電せしめることを特徴とする。
【0011】加えて、放電発生用電極と対電極の間に高
周波電圧を印加して放電せしめ、その放電空間に少なく
とも酸素ガスを通過させて励起、イオン等の活性種を生
成し、前記酸素の活性種を含むガス流を、放電にさらさ
れない被処理物にガス吹き出し口より吹き付けることを
特徴とする。
周波電圧を印加して放電せしめ、その放電空間に少なく
とも酸素ガスを通過させて励起、イオン等の活性種を生
成し、前記酸素の活性種を含むガス流を、放電にさらさ
れない被処理物にガス吹き出し口より吹き付けることを
特徴とする。
【0012】さらには、前記被処理物を放電にさらして
行う場合の放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガ
ス流を吹き付ける場合のガス吹き出し口をスポット、ラ
イン、面状とすることを特徴とする。
行う場合の放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガ
ス流を吹き付ける場合のガス吹き出し口をスポット、ラ
イン、面状とすることを特徴とする。
【0013】前記被処理物を放電にさらして行う場合の
放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹き
付ける場合のガス吹き出し口を多数個設けることを特徴
とする。
放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹き
付ける場合のガス吹き出し口を多数個設けることを特徴
とする。
【0014】前記被処理物と前記放電発生用電極あるい
は前記ガス吹き出し口を相対的に移動させることを特徴
とする。
は前記ガス吹き出し口を相対的に移動させることを特徴
とする。
【0015】前記放電発生用電極を冷却あるいは加熱し
てなることを特徴とする。
てなることを特徴とする。
【0016】前記被処理物を冷却あるいは加熱してなる
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【0017】本発明のドライ洗浄装置は、大気圧、ある
いはその近傍圧力下において、放電発生用電極と、前記
放電発生用電極に高周波電圧を印加する手段と、少なく
とも酸素を含むガスを前記放電発生用電極近傍に導入す
る手段と、放電により生成された気体、有機物との反応
ガス等のガスを排気する手段とを具備することを特徴と
する。
いはその近傍圧力下において、放電発生用電極と、前記
放電発生用電極に高周波電圧を印加する手段と、少なく
とも酸素を含むガスを前記放電発生用電極近傍に導入す
る手段と、放電により生成された気体、有機物との反応
ガス等のガスを排気する手段とを具備することを特徴と
する。
【0018】また、少なくとも酸素を含む放電用ガス
流、あるいはそれとは別の手段で、被処理物に対してガ
スを吹き付ける手段、または前記被処理物を振動させ得
る手段を具備し、有機物に覆われているか接着されてい
る無機物を除去することを特徴とする。
流、あるいはそれとは別の手段で、被処理物に対してガ
スを吹き付ける手段、または前記被処理物を振動させ得
る手段を具備し、有機物に覆われているか接着されてい
る無機物を除去することを特徴とする。
【0019】さらに、前記被処理物対して紫外光を照射
する手段を具備することを特徴とする。
する手段を具備することを特徴とする。
【0020】そして、前記被処理物の近傍に放電発生用
電極を配置し、前記被処理物と前記放電発生用電極との
空間で放電せしめる構造となすことを特徴とする。
電極を配置し、前記被処理物と前記放電発生用電極との
空間で放電せしめる構造となすことを特徴とする。
【0021】加えて、前記放電発生用電極と対電極とを
具備し、両者の間に高周波電圧を印加する手段、その両
者の放電空間に少なくとも酸素ガスを通過させる手段、
励起、イオン化された酸素の活性種を含むガス流を、放
電にさらされない被処理物にガス吹き出し口より吹き付
ける手段を設けることを特徴とする。
具備し、両者の間に高周波電圧を印加する手段、その両
者の放電空間に少なくとも酸素ガスを通過させる手段、
励起、イオン化された酸素の活性種を含むガス流を、放
電にさらされない被処理物にガス吹き出し口より吹き付
ける手段を設けることを特徴とする。
【0022】さらには、前記被処理物を放電にさらして
行う場合の放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガ
ス流を吹き付ける場合のガス吹き出し口をスポット、ラ
イン、面状とすることを特徴とする。
行う場合の放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガ
ス流を吹き付ける場合のガス吹き出し口をスポット、ラ
イン、面状とすることを特徴とする。
【0023】前記被処理物を放電にさらして行う場合の
放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹き
付ける場合のガス吹き出し口を、多数個設けてなること
を特徴とする。
放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹き
付ける場合のガス吹き出し口を、多数個設けてなること
を特徴とする。
【0024】前記被処理物と前記放電発生用電極あるい
は前記ガス吹き出し口を相対的に移動させ得る手段を具
備することを特徴とする。
は前記ガス吹き出し口を相対的に移動させ得る手段を具
備することを特徴とする。
【0025】前記放電発生用電極に冷却あるいは加熱す
る手段を具備することを特徴とする。
る手段を具備することを特徴とする。
【0026】前記被処理物を冷却あるいは加熱する手段
を具備することを特徴とする。
を具備することを特徴とする。
【0027】
【作用】本発明の上記の構成によれば、大気圧近傍にお
いて、少なくとも酸素を含むガスを流し、放電発生用電
極に高周波電圧を印加して放電を発生させ、その放電に
より生成される酸素イオン、その励起種を含むガスによ
り被処理物表面の有機物を除去することができる。
いて、少なくとも酸素を含むガスを流し、放電発生用電
極に高周波電圧を印加して放電を発生させ、その放電に
より生成される酸素イオン、その励起種を含むガスによ
り被処理物表面の有機物を除去することができる。
【0028】従って、本装置を可動タイプのガン構造と
することで、移動しずらい大きな被処理物たとえばレジ
ストスピンナー、レジストコーターの有機物で汚染され
た装置内面等を、または取り外しに手間がかかる被処理
物たとえば射出成形機の型、CDスタンパー等を射出成
形機に装着したまま、本装置を動かすことで洗浄でき
る。
することで、移動しずらい大きな被処理物たとえばレジ
ストスピンナー、レジストコーターの有機物で汚染され
た装置内面等を、または取り外しに手間がかかる被処理
物たとえば射出成形機の型、CDスタンパー等を射出成
形機に装着したまま、本装置を動かすことで洗浄でき
る。
【0029】さらには、平板なウエハー(ガラス、半導
体、セラミック)が被処理物である場合は、ライン状の
本装置を用いて、ウエハーを動かす、あるいは面状の本
装置にて洗浄できる。
体、セラミック)が被処理物である場合は、ライン状の
本装置を用いて、ウエハーを動かす、あるいは面状の本
装置にて洗浄できる。
【0030】加えて、ガスを吹き出すことで、凹凸の激
しいまたはパイプの内面等の洗浄が可能なばかりか、局
所的な洗浄たとえば実装部分だけ、たとえばCOGのリ
ペア等も可能となる。
しいまたはパイプの内面等の洗浄が可能なばかりか、局
所的な洗浄たとえば実装部分だけ、たとえばCOGのリ
ペア等も可能となる。
【0031】
【実施例】以下、本発明について図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【0032】実施例1 図1は本発明の実施例1を示す模式図である。
【0033】大気圧下で行う洗浄であり従って雰囲気は
空気である。ア−スに接地された金属カバー2内に絶縁
物6で電気的に浮かした放電発生用電極3を取り付け
る。前記金属カバー2内に、ガス供給装置5よりまず不
活性ガスであるヘリウムガスを流し、放電発生用電極3
と被処理物1近傍の雰囲気を前記ヘリウムガスで置換す
る。次に前記放電発生用電極3に高周波電源4より高周
波電力を印加すると、前記放電発生用電極3の先端部と
被処理物1との間で放電し、薄いブルーの放電部9を形
成する。次にガス供給装置5より、ヘリウムガスは流し
たままの状態で酸素を加える。放電の色は酸素特有の白
色を帯びてくる。放電部9ではプラズマによるガスの解
離、電離、励起等種々の反応が存在する。前記被処理物
1の表面に付着した有機物8は酸素のイオン、励起種等
の活性種と反応し一酸化炭素、二酸化炭素と水の蒸気に
なり、前記被処理物1表面から離脱しダクト7にて排気
される。
空気である。ア−スに接地された金属カバー2内に絶縁
物6で電気的に浮かした放電発生用電極3を取り付け
る。前記金属カバー2内に、ガス供給装置5よりまず不
活性ガスであるヘリウムガスを流し、放電発生用電極3
と被処理物1近傍の雰囲気を前記ヘリウムガスで置換す
る。次に前記放電発生用電極3に高周波電源4より高周
波電力を印加すると、前記放電発生用電極3の先端部と
被処理物1との間で放電し、薄いブルーの放電部9を形
成する。次にガス供給装置5より、ヘリウムガスは流し
たままの状態で酸素を加える。放電の色は酸素特有の白
色を帯びてくる。放電部9ではプラズマによるガスの解
離、電離、励起等種々の反応が存在する。前記被処理物
1の表面に付着した有機物8は酸素のイオン、励起種等
の活性種と反応し一酸化炭素、二酸化炭素と水の蒸気に
なり、前記被処理物1表面から離脱しダクト7にて排気
される。
【0034】結果として、前記被処理物1表面は洗浄さ
れる。放電の形態はグロー放電と思われる。
れる。放電の形態はグロー放電と思われる。
【0035】ここでは、放電を起こすためのガスとして
ヘリウムガスを用いたがアルゴンガスでもよい。また、
放電を起こすための条件としては金属カバー2は必ずし
も必要ではない。さらには、金属カバー2は金属である
必要はなく、セラミックでもよい。
ヘリウムガスを用いたがアルゴンガスでもよい。また、
放電を起こすための条件としては金属カバー2は必ずし
も必要ではない。さらには、金属カバー2は金属である
必要はなく、セラミックでもよい。
【0036】実施例2 図2は本発明の実施例2を示す模式図である。
【0037】前記実施例1の金属カバー2を前記放電発
生用電極3の先端近傍まで延ばしこれを放電発生のため
の対電極10とする。前記同様に前記金属カバー2内
に、ガス供給装置5よりまず不活性ガスであるヘリウム
ガスを流し、内部をヘリウムガスで置換し、前記放電発
生用電極3に高周波電源4より高周波電圧を印加する
と、前記放電発生用電極3の先端部と対電極10との間
で放電する。次にガス供給装置5より、ヘリウムガスは
流したままの状態で酸素を加える。放電部9を酸素ガス
が通過する過程で前記酸素ガスの一部はイオン、励起種
等の活性種となり、金属カバー2の先端部である対電極
10の形状で任意に決定されるガス吹き出し口11よ
り、ヘリウムガスと共に反応性ガス流20となり吹き出
す。前記ガス吹き出し口11から3〜5mm離して被処
理物1を設置する。前記ガス吹き出し口11から吹き出
す前記反応性ガス流20中の酸素のイオン、励起種等の
活性種と前記被処理物1の表面の有機物8とが反応し、
前記同様に一酸化炭素、二酸化炭素と水の蒸気になり、
前記被処理物1表面から離脱しダクト7にて排気され
る。結果として、前記被処理物1表面は洗浄される。こ
の場合も放電の形態はグロー放電と思われる。
生用電極3の先端近傍まで延ばしこれを放電発生のため
の対電極10とする。前記同様に前記金属カバー2内
に、ガス供給装置5よりまず不活性ガスであるヘリウム
ガスを流し、内部をヘリウムガスで置換し、前記放電発
生用電極3に高周波電源4より高周波電圧を印加する
と、前記放電発生用電極3の先端部と対電極10との間
で放電する。次にガス供給装置5より、ヘリウムガスは
流したままの状態で酸素を加える。放電部9を酸素ガス
が通過する過程で前記酸素ガスの一部はイオン、励起種
等の活性種となり、金属カバー2の先端部である対電極
10の形状で任意に決定されるガス吹き出し口11よ
り、ヘリウムガスと共に反応性ガス流20となり吹き出
す。前記ガス吹き出し口11から3〜5mm離して被処
理物1を設置する。前記ガス吹き出し口11から吹き出
す前記反応性ガス流20中の酸素のイオン、励起種等の
活性種と前記被処理物1の表面の有機物8とが反応し、
前記同様に一酸化炭素、二酸化炭素と水の蒸気になり、
前記被処理物1表面から離脱しダクト7にて排気され
る。結果として、前記被処理物1表面は洗浄される。こ
の場合も放電の形態はグロー放電と思われる。
【0038】前記被処理物1が図10に示すように凹凸
の形状をしていて、かつ凹部のくぼみの部分22に有機
物8が付着している場合などは、この方式にて反応性ガ
ス流20を前記くぼみの部分22に吹きかけることで洗
浄を可能ならしめる。また、パイプの内面、大きな被処
理物1でかつ複雑な形状の場合の洗浄にも有効である。
の形状をしていて、かつ凹部のくぼみの部分22に有機
物8が付着している場合などは、この方式にて反応性ガ
ス流20を前記くぼみの部分22に吹きかけることで洗
浄を可能ならしめる。また、パイプの内面、大きな被処
理物1でかつ複雑な形状の場合の洗浄にも有効である。
【0039】本発明者は射出成形機の型を被処理物1と
して実験した。まず、真空中でのアッシングでは、前記
くぼみの部分22(特に細くて、深い部分)は洗浄され
なかった。しかし、本装置を用いた場合は前記くぼみの
部分22まで洗浄できた。このように、放電にさらされ
ない、あるいは放電状態を形成できない場所の洗浄が可
能となる。
して実験した。まず、真空中でのアッシングでは、前記
くぼみの部分22(特に細くて、深い部分)は洗浄され
なかった。しかし、本装置を用いた場合は前記くぼみの
部分22まで洗浄できた。このように、放電にさらされ
ない、あるいは放電状態を形成できない場所の洗浄が可
能となる。
【0040】以上実施例1、2は放電を起こす場所の違
いであるが、イオンの介在という意味では、実施例2の
方は弱い。被処理物1をガス吹き出し口11より離せば
離すほどその傾向は強くなる。あるいは、イオンの介在
が被処理物1にとって弊害をもたらす場合は図3に示す
ように、前記ガス吹き出し口11に金属メッシュ15を
取り付けイオンをニュートライズし、前記反応性ガス流
20にイオンを含まなくすればよい。従って、イオンを
含まない活性種と有機物8との反応となる。この場合の
適用例として実装分野のCOGリペアが考えられる。図
11にCOGリペアに本装置を用いた場合の模式図を示
す。液晶パネル用ガラス基板23上に実装されたIC2
4に不良品が発見されそれを取り除き新たにIC24を
装着する場合(図11(a))に、前に実装した時の接
着剤(有機物8)が残り装着できない(図11
(b))。そのような場合には実装されている他のIC
24にダメージを与えずかつ局所的な洗浄を行う必要が
生じる。本発明者は実装された液晶パネル用ガラス基板
23と本装置との間に簡単なマスク25を設けることで
(図11(c))、前記COGリペアが可能なことを確
認している。もう少し、工夫することで前記マスク25
は不要となるであろう。
いであるが、イオンの介在という意味では、実施例2の
方は弱い。被処理物1をガス吹き出し口11より離せば
離すほどその傾向は強くなる。あるいは、イオンの介在
が被処理物1にとって弊害をもたらす場合は図3に示す
ように、前記ガス吹き出し口11に金属メッシュ15を
取り付けイオンをニュートライズし、前記反応性ガス流
20にイオンを含まなくすればよい。従って、イオンを
含まない活性種と有機物8との反応となる。この場合の
適用例として実装分野のCOGリペアが考えられる。図
11にCOGリペアに本装置を用いた場合の模式図を示
す。液晶パネル用ガラス基板23上に実装されたIC2
4に不良品が発見されそれを取り除き新たにIC24を
装着する場合(図11(a))に、前に実装した時の接
着剤(有機物8)が残り装着できない(図11
(b))。そのような場合には実装されている他のIC
24にダメージを与えずかつ局所的な洗浄を行う必要が
生じる。本発明者は実装された液晶パネル用ガラス基板
23と本装置との間に簡単なマスク25を設けることで
(図11(c))、前記COGリペアが可能なことを確
認している。もう少し、工夫することで前記マスク25
は不要となるであろう。
【0041】長時間にわたり洗浄を行う場合は放電発生
用電極3が加熱するため、図4に示すように冷却装置1
2を用いて冷却水をパイプ13、14より前記放電発生
用電極3に循環させて冷却してもよい。あるいは、前記
放電発生用電極3に水滴等の付着が懸念される場所での
使用にあたっては、図示しないがヒータを利用して前記
放電発生用電極3および金属カバー2の周囲を加熱して
もよい。
用電極3が加熱するため、図4に示すように冷却装置1
2を用いて冷却水をパイプ13、14より前記放電発生
用電極3に循環させて冷却してもよい。あるいは、前記
放電発生用電極3に水滴等の付着が懸念される場所での
使用にあたっては、図示しないがヒータを利用して前記
放電発生用電極3および金属カバー2の周囲を加熱して
もよい。
【0042】これらの洗浄装置はスポット的に洗浄を行
うもので、本発明者は後に説明する他の実施例の洗浄装
置(ガン)と区別するために、これらをS−ガンと呼
ぶ。
うもので、本発明者は後に説明する他の実施例の洗浄装
置(ガン)と区別するために、これらをS−ガンと呼
ぶ。
【0043】以上S−ガンの構成について説明したが、
以下被処理物1を洗浄するにあたりアシスト的役割をは
たす要素について説明する。このアシスト要素はS−ガ
ンだけに限らず、後に説明する他のガンについても言え
ることである。
以下被処理物1を洗浄するにあたりアシスト的役割をは
たす要素について説明する。このアシスト要素はS−ガ
ンだけに限らず、後に説明する他のガンについても言え
ることである。
【0044】図5にアシスト要素の一つを示す。
【0045】前記被処理物1のホルダとして加熱、冷却
装置18を用いた。前記被処理物1は放電、あるいは前
記放電発生用電極3の輻射熱により条件によっては50
度〜100度に加熱される。前記被処理物1が低融点の
材料である場合、あるいは酸化されては困る場合等、熱
に対して何等かの保護が必要である場合には前記被処理
物1を冷却して洗浄することができる。本発明者の実験
では冷却無しの条件で被処理物1としてSUS304を
用いた場合に30分程で酸化が観測された。
装置18を用いた。前記被処理物1は放電、あるいは前
記放電発生用電極3の輻射熱により条件によっては50
度〜100度に加熱される。前記被処理物1が低融点の
材料である場合、あるいは酸化されては困る場合等、熱
に対して何等かの保護が必要である場合には前記被処理
物1を冷却して洗浄することができる。本発明者の実験
では冷却無しの条件で被処理物1としてSUS304を
用いた場合に30分程で酸化が観測された。
【0046】また被処理物1が熱に対して保護を必要と
しないときは、逆に積極的に加熱を行うべきである。化
学反応を利用した洗浄方法であるがゆえに熱はそれを促
進する。本発明者の実験では150度位で室温時に比べ
洗浄スピードは3倍以上となった。また、こびりついた
接着材も容易に洗浄できることが分かった。また、前記
放電発生用電極3近傍の温度が高い方が放電開始のトリ
ガがかかり易いようでもある。
しないときは、逆に積極的に加熱を行うべきである。化
学反応を利用した洗浄方法であるがゆえに熱はそれを促
進する。本発明者の実験では150度位で室温時に比べ
洗浄スピードは3倍以上となった。また、こびりついた
接着材も容易に洗浄できることが分かった。また、前記
放電発生用電極3近傍の温度が高い方が放電開始のトリ
ガがかかり易いようでもある。
【0047】図6にアシスト要素の2つ目を示す。
【0048】前記被処理物1を加熱する別の方法として
光を利用することもできる。ハロゲンランプ等の光源1
6を用いて、被処理物1を加熱する方法である。この方
法を用いることにより洗浄すべき面を早く加熱すること
が可能となり、時間的ロスを少なくできるのみだけでは
なく、平面ではない形状の被処理物1の加熱も比較的簡
単になる。
光を利用することもできる。ハロゲンランプ等の光源1
6を用いて、被処理物1を加熱する方法である。この方
法を用いることにより洗浄すべき面を早く加熱すること
が可能となり、時間的ロスを少なくできるのみだけでは
なく、平面ではない形状の被処理物1の加熱も比較的簡
単になる。
【0049】また、光源16に短波長すなわち紫外線を
用いると、加熱という効果だけではなく有機物8の化学
的結合を切断する効果も得られ、さらに洗浄能力を向上
することとなる。
用いると、加熱という効果だけではなく有機物8の化学
的結合を切断する効果も得られ、さらに洗浄能力を向上
することとなる。
【0050】図7にアシスト要素の3つ目を示す。
【0051】前記被処理物1に、ガスのブロウ装置17
を用いてガス流21を照射する。被処理物1表面の有機
物8を除去しながら、前記有機物8に覆われている、あ
るいは接着されている無機物のゴミ19を、このガス流
21にて前記被処理物1表面から飛ばしてしまうことを
目的としている。従って、放電を起こすためのガスの流
量を大きくとって、前記反応性ガス流20を本目的に兼
用してもかまわない。また、このガスを被処理物1の冷
却、ガスを熱することによる加熱装置として用いること
もできる。
を用いてガス流21を照射する。被処理物1表面の有機
物8を除去しながら、前記有機物8に覆われている、あ
るいは接着されている無機物のゴミ19を、このガス流
21にて前記被処理物1表面から飛ばしてしまうことを
目的としている。従って、放電を起こすためのガスの流
量を大きくとって、前記反応性ガス流20を本目的に兼
用してもかまわない。また、このガスを被処理物1の冷
却、ガスを熱することによる加熱装置として用いること
もできる。
【0052】実施例3 図8、図9に実施例3の模式図を示す。図8は正面図、
図9は側面図である。放電発生用電極3は棒状であり、
これを覆うように金属カバー2を取り付けてある。前記
同様に前記金属カバー2内に、ガス供給装置5よりまず
不活性ガスであるヘリウムガスを流し、内部をヘリウム
ガスで置換し、前記放電発生用電極3に高周波電源4よ
り高周波電力を印加すると、前記放電発生用電極3の先
端部と対電極10との間で放電する。もちろん前述した
ようにヘリウムガスでなくアルゴンガスでもよく、さら
には前記放電発生用電極3は金属カバー2から被処理物
1側に飛び出した構造として、前記放電発生用電極3と
前記被処理物1との間で放電させてもかまわない。次に
ガス供給装置5より、ヘリウムガスは流したままの状態
で酸素を加える。放電部9を酸素ガスが通過する課程で
前記酸素ガスの一部はイオン、励起種等の活性種とな
り、金属カバー2の先端部の長細いガス吹き出し口11
より、ヘリウムガスと共に反応性ガス流20として吹き
出す。前記ガス吹き出し口11から3〜5mm離して被
処理物1を設置する。前記ガス吹き出し口11から吹き
出す酸素のイオン、励起種等の活性種と前記被処理物1
の表面の有機物8とが反応し、前記同様に一酸化炭素、
二酸化炭素と水の蒸気になり、前記被処理物1表面から
離脱する。この洗浄は図示しないダクトフードに覆われ
た容器内で行われる。また、前述したように金属カバー
2は必ずしも必要ではない。また、反応性ガス流20の
方向を規制するための手段としてはセラミックでもよ
い。
図9は側面図である。放電発生用電極3は棒状であり、
これを覆うように金属カバー2を取り付けてある。前記
同様に前記金属カバー2内に、ガス供給装置5よりまず
不活性ガスであるヘリウムガスを流し、内部をヘリウム
ガスで置換し、前記放電発生用電極3に高周波電源4よ
り高周波電力を印加すると、前記放電発生用電極3の先
端部と対電極10との間で放電する。もちろん前述した
ようにヘリウムガスでなくアルゴンガスでもよく、さら
には前記放電発生用電極3は金属カバー2から被処理物
1側に飛び出した構造として、前記放電発生用電極3と
前記被処理物1との間で放電させてもかまわない。次に
ガス供給装置5より、ヘリウムガスは流したままの状態
で酸素を加える。放電部9を酸素ガスが通過する課程で
前記酸素ガスの一部はイオン、励起種等の活性種とな
り、金属カバー2の先端部の長細いガス吹き出し口11
より、ヘリウムガスと共に反応性ガス流20として吹き
出す。前記ガス吹き出し口11から3〜5mm離して被
処理物1を設置する。前記ガス吹き出し口11から吹き
出す酸素のイオン、励起種等の活性種と前記被処理物1
の表面の有機物8とが反応し、前記同様に一酸化炭素、
二酸化炭素と水の蒸気になり、前記被処理物1表面から
離脱する。この洗浄は図示しないダクトフードに覆われ
た容器内で行われる。また、前述したように金属カバー
2は必ずしも必要ではない。また、反応性ガス流20の
方向を規制するための手段としてはセラミックでもよ
い。
【0053】このようなライン状の洗浄を行う装置を本
開発者はL−ガンと呼ぶ。この場合の放電形態はグロー
放電と思われる。
開発者はL−ガンと呼ぶ。この場合の放電形態はグロー
放電と思われる。
【0054】前記S−ガン、L−ガンと前記被処理物1
とは相対的に移動することで、前記被処理物1の洗浄ポ
イント、面積を増やすことが可能である。例えば、被処
理物1が平板状のウエハーの場合などは、L−ガンを固
定して、前記被処理物1を水平方向に動かして洗浄すれ
ばよい。
とは相対的に移動することで、前記被処理物1の洗浄ポ
イント、面積を増やすことが可能である。例えば、被処
理物1が平板状のウエハーの場合などは、L−ガンを固
定して、前記被処理物1を水平方向に動かして洗浄すれ
ばよい。
【0055】また、前記被処理物1を放電にさらして行
う場合の放電発生用電極3、あるいは放電にさらさずガ
ス流を吹き付ける場合のガス吹き出し口11を面状とす
ることで、前記S−ガン、L−ガンと前記被処理物1を
固定したままの洗浄も可能である。さらには、放電発生
用電極3を球面、非球面形状としてもよい。
う場合の放電発生用電極3、あるいは放電にさらさずガ
ス流を吹き付ける場合のガス吹き出し口11を面状とす
ることで、前記S−ガン、L−ガンと前記被処理物1を
固定したままの洗浄も可能である。さらには、放電発生
用電極3を球面、非球面形状としてもよい。
【0056】排気についてはガン内部に排気口を設ける
ことで、ガンをロボットの腕に取り付けて洗浄を行うこ
とも可能である。
ことで、ガンをロボットの腕に取り付けて洗浄を行うこ
とも可能である。
【0057】実施例4 図12に実施例4の模式図を示す。
【0058】L−ガンの変形タイプである。
【0059】放電発生用電極3が金属カバー2に包まれ
た構成である。この場合は、金属カバー2に多数個のガ
ス吹き出し口11が開けられている。放電を生じる場所
は(a)については中央のみ、(b)については前記ガ
ス吹き出し口11の近傍全てである。このように、放電
の場所の位置、放電を生じる場所の数、ガス吹き出し口
11等はガンの設計しだいで任意に変えることができ
る。また、これらは面状のガンについても言える。この
ような構成にすることで、多数個の被処理物1を同時に
洗浄することが可能となる。
た構成である。この場合は、金属カバー2に多数個のガ
ス吹き出し口11が開けられている。放電を生じる場所
は(a)については中央のみ、(b)については前記ガ
ス吹き出し口11の近傍全てである。このように、放電
の場所の位置、放電を生じる場所の数、ガス吹き出し口
11等はガンの設計しだいで任意に変えることができ
る。また、これらは面状のガンについても言える。この
ような構成にすることで、多数個の被処理物1を同時に
洗浄することが可能となる。
【0060】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、大気
圧で放電させ酸素のイオン、励起種等の活性種を生成
し、それらと有機物との反応を生じせしめて被処理物か
ら有機物を離脱させるという方法であるため、従って、
水系を用いない、かつ高速のドライ洗浄が可能となるば
かりか、簡単で、かつ装置コストが低くてすむという効
果を有する。
圧で放電させ酸素のイオン、励起種等の活性種を生成
し、それらと有機物との反応を生じせしめて被処理物か
ら有機物を離脱させるという方法であるため、従って、
水系を用いない、かつ高速のドライ洗浄が可能となるば
かりか、簡単で、かつ装置コストが低くてすむという効
果を有する。
【0061】さらには、移動しずらい被処理物に対し
て、被処理物の使用現場での洗浄が可能であるばかり
か、凹凸の激しい被処理物、パイプの内面の洗浄にも対
応できる、ウエット洗浄では実現困難な洗浄を可能なら
しめるという効果を有する。
て、被処理物の使用現場での洗浄が可能であるばかり
か、凹凸の激しい被処理物、パイプの内面の洗浄にも対
応できる、ウエット洗浄では実現困難な洗浄を可能なら
しめるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1を示す模式図。
【図2】本発明の実施例2を示す模式図。
【図3】本発明の実施例2の変形を示す模式図。
【図4】本発明の実施例2の変形を示す模式図。
【図5】本発明の実施例2のアシストタイプを示す模式
図。
図。
【図6】本発明の実施例2のアシストタイプを示す模式
図。
図。
【図7】本発明の実施例2のアシストタイプを示す模式
図。
図。
【図8】本発明の実施例3を示す模式図(正面図)。
【図9】本発明の実施例3を示す模式図(側面図)。
【図10】本発明の実施例2による用途例を示す模式
図。
図。
【図11】本発明の実施例2による用途例を示す模式
図。
図。
【図12】本発明の実施例4を示す模式図。
1 被処理物 2 金属カバー 3 放電発生用電極 4 高周波電源 5 ガス供給装置 6 絶縁物 7 ダクト 8 有機物 9 放電部 10 対電極 11 ガス吹き出し口 20 反応性ガス流
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉科 修 長野県諏訪市大和3丁目3番5号セイコー エプソン株式会社内 (72)発明者 村井 正己 長野県諏訪市大和3丁目3番5号セイコー エプソン株式会社内 (72)発明者 森 勇藏 大阪府交野市私市8丁目16番9号
Claims (20)
- 【請求項1】 大気圧、あるいはその近傍圧力下におい
て、少なくとも酸素を含むガス雰囲気中にて放電を生じ
させ、その放電により生成された励起、イオン等の活性
種と被処理物表面上の有機物とを化学反応せしめ、前記
有機物を除去することを特徴とするドライ洗浄方法。 - 【請求項2】少なくとも酸素を含む放電用ガスの流れあ
るいは別に設けたガス流、または振動により、有機物、
および有機物に覆われているか接着されている無機物
を、除去することを特徴とする請求項1記載のドライ洗
浄方法。 - 【請求項3】被処理物に紫外光を照射してなることを特
徴とする請求項1記載のドライ洗浄方法。 - 【請求項4】前記被処理物に対して、その近傍に放電発
生用電極を配置し、前記放電発生用電極に高周波電圧を
印加して、前記被処理物と前記放電発生用電極との空間
で放電せしめることを特徴とする請求項1記載のドライ
洗浄方法。 - 【請求項5】放電発生用電極と対電極の間に高周波電圧
を印加して放電せしめ、その放電空間に少なくとも酸素
ガスを通過させて励起、イオン等の活性種を生成し、前
記酸素の活性種を含むガス流を、放電にさらされない被
処理物にガス吹き出し口より吹き付けることを特徴とす
る請求項1記載のドライ洗浄方法。 - 【請求項6】前記被処理物を放電にさらして行う場合の
放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹き
付ける場合のガス吹き出し口をスポット、ライン、面状
とすることを特徴とする請求項4、請求項5記載のドラ
イ洗浄方法。 - 【請求項7】前記被処理物を放電にさらして行う場合の
放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹き
付ける場合のガス吹き出し口を多数個設けることを特徴
とする請求項4、請求項5記載のドライ洗浄方法。 - 【請求項8】前記被処理物と前記放電発生用電極あるい
は前記ガス吹き出し口を相対的に移動させることを特徴
とする請求項4、請求項5記載のドライ洗浄方法。 - 【請求項9】前記放電発生用電極を冷却あるいは加熱し
てなることを特徴とする請求項4、請求項5記載のドラ
イ洗浄方法。 - 【請求項10】前記被処理物を冷却あるいは加熱してな
ることを特徴とする請求項4、請求項5記載のドライ洗
浄方法。 - 【請求項11】大気圧、あるいはその近傍圧力下におい
て、放電発生用電極と、前記放電発生用電極に高周波電
圧を印加する手段と、少なくとも酸素を含むガスを前記
放電発生用電極近傍に導入する手段と、放電により生成
された気体、有機物との反応ガス等のガスを排気する手
段とを具備することを特徴とするドライ洗浄装置。 - 【請求項12】少なくとも酸素を含む放電用ガス流、あ
るいはそれとは別の手段で、被処理物に対してガスを吹
き付ける手段、または前記被処理物を振動させ得る手段
を具備し、有機物に覆われているか接着されている無機
物を除去することを特徴とする請求項11記載のドライ
洗浄装置。 - 【請求項13】前記被処理物対して紫外光を照射する手
段を具備することを特徴とする請求項11記載のドライ
洗浄装置。 - 【請求項14】前記被処理物の近傍に放電発生用電極を
配置し、前記被処理物と前記放電発生用電極との空間で
放電せしめる構造となすことを特徴とする請求項11記
載のドライ洗浄装置。 - 【請求項15】前記放電発生用電極と対電極とを具備
し、両者の間に高周波電圧を印加する手段、その両者の
放電空間に少なくとも酸素ガスを通過させる手段、励
起、イオン化された酸素の活性種を含むガス流を、放電
にさらされない被処理物にガス吹き出し口より吹き付け
る手段を設けることを特徴とする請求項11記載のドラ
イ洗浄装置。 - 【請求項16】前記被処理物を放電にさらして行う場合
の放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹
き付ける場合のガス吹き出し口をスポット、ライン、面
状とすることを特徴とする請求項14、請求項15記載
のドライ洗浄装置。 - 【請求項17】前記被処理物を放電にさらして行う場合
の放電発生用電極、あるいは放電にさらさずガス流を吹
き付ける場合のガス吹き出し口を、多数個設けてなるこ
とを特徴とする請求項14、請求項15記載のドライ洗
浄装置。 - 【請求項18】前記被処理物と前記放電発生用電極ある
いは前記ガス吹き出し口を相対的に移動させ得る手段を
具備することを特徴とする請求項14、請求項15記載
のドライ洗浄装置。 - 【請求項19】前記放電発生用電極に冷却あるいは加熱
する手段を具備することを特徴とする請求項14、請求
項15記載のドライ洗浄装置。 - 【請求項20】前記被処理物を冷却あるいは加熱する手
段を具備することを特徴とする請求項14、請求項15
記載のドライ洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34712992A JPH06190269A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ドライ洗浄方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34712992A JPH06190269A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ドライ洗浄方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06190269A true JPH06190269A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=18388109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34712992A Pending JPH06190269A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ドライ洗浄方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06190269A (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09161931A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
US5831238A (en) * | 1993-12-09 | 1998-11-03 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material at approximately atmospheric pressure |
US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
US6004631A (en) * | 1995-02-07 | 1999-12-21 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method of removing unnecessary matter and coating process using such method |
US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
US6051150A (en) * | 1995-08-07 | 2000-04-18 | Seiko Epson Corporation | Plasma etching method and method of manufacturing liquid crystal display panel |
US6086710A (en) * | 1995-04-07 | 2000-07-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment apparatus |
US6332567B1 (en) | 1996-03-18 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, manufacturing method thereof, and mounting apparatus of piezoelectric resonators |
US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
WO2004006318A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Limited | 処理装置及び処理方法 |
JP2007311757A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Ind Technol Res Inst | フィルム除去方法およびフィルム除去装置 |
WO2007148470A1 (ja) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | River Bell Co. | 処理装置、処理方法及びプラズマ源 |
JP2008027657A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Tokyo Institute Of Technology | プラズマ源、処理装置及び処理方法 |
JP2009021595A (ja) * | 2008-07-08 | 2009-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
CN110662363A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 雷立强光电科技股份有限公司 | 清洁方法 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34712992A patent/JPH06190269A/ja active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
US6158648A (en) * | 1993-04-05 | 2000-12-12 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
US5831238A (en) * | 1993-12-09 | 1998-11-03 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material at approximately atmospheric pressure |
US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
US6004631A (en) * | 1995-02-07 | 1999-12-21 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method of removing unnecessary matter and coating process using such method |
US6086710A (en) * | 1995-04-07 | 2000-07-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment apparatus |
US6051150A (en) * | 1995-08-07 | 2000-04-18 | Seiko Epson Corporation | Plasma etching method and method of manufacturing liquid crystal display panel |
JPH09161931A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
US6332567B1 (en) | 1996-03-18 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, manufacturing method thereof, and mounting apparatus of piezoelectric resonators |
US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
WO2004006318A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Limited | 処理装置及び処理方法 |
JP2007311757A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Ind Technol Res Inst | フィルム除去方法およびフィルム除去装置 |
US8075790B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-12-13 | Industrial Technology Research Institute | Film removal method and apparatus |
WO2007148470A1 (ja) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | River Bell Co. | 処理装置、処理方法及びプラズマ源 |
JP2008027657A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Tokyo Institute Of Technology | プラズマ源、処理装置及び処理方法 |
JP2009021595A (ja) * | 2008-07-08 | 2009-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
CN110662363A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 雷立强光电科技股份有限公司 | 清洁方法 |
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