JPH06188602A - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュールInfo
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- JPH06188602A JPH06188602A JP35532092A JP35532092A JPH06188602A JP H06188602 A JPH06188602 A JP H06188602A JP 35532092 A JP35532092 A JP 35532092A JP 35532092 A JP35532092 A JP 35532092A JP H06188602 A JPH06188602 A JP H06188602A
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- JP
- Japan
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- package
- case
- gap
- microstrip substrate
- frequency module
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 接地を強化し、共振点の発生を防止し、損
失、アイソレーション、反射特性等の性能劣化を少なく
する。 【構成】 中心コンタクト下部のパッケージおよびケー
ス間のギャップにばね性の金属薄板や金属波板あるいは
導電性樹脂を介在させて、接地を強化する。
失、アイソレーション、反射特性等の性能劣化を少なく
する。 【構成】 中心コンタクト下部のパッケージおよびケー
ス間のギャップにばね性の金属薄板や金属波板あるいは
導電性樹脂を介在させて、接地を強化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ドロップインタイプ
デバイスのパッケージとマイクロストリップ基板を接地
強化接続する高周波モジュールに関するものである。
デバイスのパッケージとマイクロストリップ基板を接地
強化接続する高周波モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８および図９は従来の高周波モジュー
ルを示す平面図および正面断面図であり、図において、
１はケース、２はマイクロストリップ基板３ａ，３ｂと
はんだ付け又は樹脂接着されたキャリヤで、ケース１に
ねじ止めされたり、樹脂接着されている。
ルを示す平面図および正面断面図であり、図において、
１はケース、２はマイクロストリップ基板３ａ，３ｂと
はんだ付け又は樹脂接着されたキャリヤで、ケース１に
ねじ止めされたり、樹脂接着されている。
【０００３】また、４はドロップインタイプデバイスが
収められたパッケージで、これがアイソレータの中心コ
ンタクト４ａ，４ｂと、マイクロストリップ基板３の線
路パターン先端部とをハンダ付け等により（図示せず）
接続して、使用される。なお、パッケージには高周波デ
バイスが収められている。
収められたパッケージで、これがアイソレータの中心コ
ンタクト４ａ，４ｂと、マイクロストリップ基板３の線
路パターン先端部とをハンダ付け等により（図示せず）
接続して、使用される。なお、パッケージには高周波デ
バイスが収められている。
【０００４】一般的に、１つ以上の高周波デバイスが収
められたパッケージ４が金属からなり、中心コンタクト
４ａ，４ｂが棒状、タブあるいはリボン等の接続される
ものをドロップインタイプと呼ばれている。
められたパッケージ４が金属からなり、中心コンタクト
４ａ，４ｂが棒状、タブあるいはリボン等の接続される
ものをドロップインタイプと呼ばれている。
【０００５】一般的に一つ以上の高周波デバイスが収め
されたパッケージ４が金属で、中心コンタクト４ａ，４
ｂのように棒状、あるいはタブ、リボン等により接続さ
れるものをドロップインタイプと呼ぶ。
されたパッケージ４が金属で、中心コンタクト４ａ，４
ｂのように棒状、あるいはタブ、リボン等により接続さ
れるものをドロップインタイプと呼ぶ。
【０００６】以下、本文ではドロップインタイプアイソ
レータ（以下、アイソレータと呼ぶ）で取付けられてい
るものについて述べる。ここで、高周波デバイスを含め
て総称するときにはドロップインタイプデバイスと呼
び、特に、上記高周波デバイスが組み合わされたものを
攻守巣はモジュールと呼ぶ。
レータ（以下、アイソレータと呼ぶ）で取付けられてい
るものについて述べる。ここで、高周波デバイスを含め
て総称するときにはドロップインタイプデバイスと呼
び、特に、上記高周波デバイスが組み合わされたものを
攻守巣はモジュールと呼ぶ。
【０００７】次に動作について説明する。マイクロスト
リップ基板３ａの線路を通過してきた高周波電力は、ア
イソレータのパッケージ４の中心コンタクト４ａから中
心コンタクト４ｂを介して、マイクロストリップ基板３
ｂの線路へ出てくることになる。この高周波電力の入出
力方向を挿入損失又は単に損失という。
リップ基板３ａの線路を通過してきた高周波電力は、ア
イソレータのパッケージ４の中心コンタクト４ａから中
心コンタクト４ｂを介して、マイクロストリップ基板３
ｂの線路へ出てくることになる。この高周波電力の入出
力方向を挿入損失又は単に損失という。
【０００８】これに対し、逆にマイクロストリップ基板
３ｂの線路より通過してきた電力は、中心コンタクト４
ｂを介してアイソレータのパッケージ４に入るが、理想
的には中心コンタクト４ａには高周波電力は出力され
ず、アイソレータの中で吸収されることになる。ここ
で、理想的には出力されないと述べたが、実際にはわず
かであるが、中心コンタクト４ａの側へ高周波電力が出
てくる。この高周波電力が通過する方向をアイソレーシ
ョンという。
３ｂの線路より通過してきた電力は、中心コンタクト４
ｂを介してアイソレータのパッケージ４に入るが、理想
的には中心コンタクト４ａには高周波電力は出力され
ず、アイソレータの中で吸収されることになる。ここ
で、理想的には出力されないと述べたが、実際にはわず
かであるが、中心コンタクト４ａの側へ高周波電力が出
てくる。この高周波電力が通過する方向をアイソレーシ
ョンという。
【０００９】なお、当然ながらマイクロストリップ基板
３ａ，３ｂの線路および中心コンタクト４ａ，４ｂのコ
ンタクト部は同インピーダンスで整合がとれている。ま
た、ドロップインタイプデバイスを使用した高周波モジ
ュールのケース１は、図９に示すように、ドロップイン
タイプの構造上、高周波線路との高さ合わせのため、ド
ロップインタイプデバイス底面を削るなどの処理が必要
で、一般的にもこのようにして使用される。
３ａ，３ｂの線路および中心コンタクト４ａ，４ｂのコ
ンタクト部は同インピーダンスで整合がとれている。ま
た、ドロップインタイプデバイスを使用した高周波モジ
ュールのケース１は、図９に示すように、ドロップイン
タイプの構造上、高周波線路との高さ合わせのため、ド
ロップインタイプデバイス底面を削るなどの処理が必要
で、一般的にもこのようにして使用される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波モジュー
ルは以上のように構成されているので、図９に示すよう
にアイソレータのパッケージ４の中心コンタクト４ａ，
４ｂの下部に、ギャップＡ、Ｂが深さＣだけ出来ること
になり、これらのギャップＡ、Ｂおよび深さＣの寸法を
極力小さくするように設計、製作する必要があるもの
の、零にすることは不可能であるなどの問題点があっ
た。
ルは以上のように構成されているので、図９に示すよう
にアイソレータのパッケージ４の中心コンタクト４ａ，
４ｂの下部に、ギャップＡ、Ｂが深さＣだけ出来ること
になり、これらのギャップＡ、Ｂおよび深さＣの寸法を
極力小さくするように設計、製作する必要があるもの
の、零にすることは不可能であるなどの問題点があっ
た。
【００１１】また、このギャップＡ、Ｂの部分でインピ
ーダンスの不連続が発生し、前述の損失、アイソレーシ
ョン、反射特性が劣化したり、共振点が出てきたり等の
悪影響を与え、この影響が特に周波数が高くなる程顕著
となり、無視することができないなどの問題点があっ
た。
ーダンスの不連続が発生し、前述の損失、アイソレーシ
ョン、反射特性が劣化したり、共振点が出てきたり等の
悪影響を与え、この影響が特に周波数が高くなる程顕著
となり、無視することができないなどの問題点があっ
た。
【００１２】請求項１の発明は上記のような問題点を解
消するためになされたものでギャップがあっても共振点
の発生を防止出来ると共に損失、アイソレーション、反
射特性等の性能劣化を極力少なくすることができる高周
波モジュールを得ることを目的とする。
消するためになされたものでギャップがあっても共振点
の発生を防止出来ると共に損失、アイソレーション、反
射特性等の性能劣化を極力少なくすることができる高周
波モジュールを得ることを目的とする。
【００１３】請求項２の発明は構成部品の削減により、
組付工数の削減とローコスト化を実現できる高周波モジ
ュールを得ることを目的とする。
組付工数の削減とローコスト化を実現できる高周波モジ
ュールを得ることを目的とする。
【００１４】請求項３の発明はマイクロストリップ基板
側への金属薄板の面倒な敷込みを行うことなく、パッケ
ージ下面からギャップを介して、金属薄板をケースに対
し、簡単に接触させることができる高周波モジュールを
得ることを目的とする。
側への金属薄板の面倒な敷込みを行うことなく、パッケ
ージ下面からギャップを介して、金属薄板をケースに対
し、簡単に接触させることができる高周波モジュールを
得ることを目的とする。
【００１５】請求項４の発明は、ギャップに導電性樹脂
を埋めるだけで、接地強化による性能向上を図れる高周
波モジュールを得ることを目的とする。
を埋めるだけで、接地強化による性能向上を図れる高周
波モジュールを得ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る高
周波モジュールは、ケース上にキャリアを介して設けら
れたマイクロストリップ基板と、パッケージに突設さ
れ、上記マイクロストリップ基板の線路パターン先端部
に接続される中心コンタクトとを設け、上記キャリヤ側
より突設したばね性の金属薄板を、上記中心コンタクト
下部の上記パッケージおよびケース間のギャップを介し
て、上記パッケージに接触させたものである。
周波モジュールは、ケース上にキャリアを介して設けら
れたマイクロストリップ基板と、パッケージに突設さ
れ、上記マイクロストリップ基板の線路パターン先端部
に接続される中心コンタクトとを設け、上記キャリヤ側
より突設したばね性の金属薄板を、上記中心コンタクト
下部の上記パッケージおよびケース間のギャップを介し
て、上記パッケージに接触させたものである。
【００１７】請求項２の発明に係る高周波モジュール
は、ばね性の金属薄板をマイクロストリップ基板を取り
付けるキャリヤと兼用させ、これを中心コンタクト下部
のパッケージおよびケース間のギャップを介して、その
パッケージに接触させたものである。
は、ばね性の金属薄板をマイクロストリップ基板を取り
付けるキャリヤと兼用させ、これを中心コンタクト下部
のパッケージおよびケース間のギャップを介して、その
パッケージに接触させたものである。
【００１８】請求項３の発明に係る高周波モジュール
は、ばね性の金属薄板をパッケージ側から突設させて、
パッケージを設置する凹所内の側壁に接触させるように
したものである。
は、ばね性の金属薄板をパッケージ側から突設させて、
パッケージを設置する凹所内の側壁に接触させるように
したものである。
【００１９】請求項４の発明に係る高周波モジュール
は、中心コンタクト下部のパッケージおよびケース間の
ギャップに導電性樹脂を介在したものである。
は、中心コンタクト下部のパッケージおよびケース間の
ギャップに導電性樹脂を介在したものである。
【００２０】
【作用】請求項１の発明における高周波モジュールは、
キャリヤとパッケージとの間に、ギャップを覆うように
金属薄板を設けることで接地を強化し、損失、アイソレ
ーション、反射特性などの安定化、向上を図れるように
する。
キャリヤとパッケージとの間に、ギャップを覆うように
金属薄板を設けることで接地を強化し、損失、アイソレ
ーション、反射特性などの安定化、向上を図れるように
する。
【００２１】請求項２の発明における高周波モジュール
は、金属薄板とマイクロストリップ基板に設けられるキ
ャリヤとを兼用することで、構成および組立作業の簡素
化とローコスト化を図れるようにする。
は、金属薄板とマイクロストリップ基板に設けられるキ
ャリヤとを兼用することで、構成および組立作業の簡素
化とローコスト化を図れるようにする。
【００２２】請求項３の発明における高周波モジュール
は、パッケージ側からケースの凹所内の側壁に金属薄板
を接触させることで、接地を強化し、損失、アイソレー
ション、反射特性などの安定化、向上を図れるようにす
る。
は、パッケージ側からケースの凹所内の側壁に金属薄板
を接触させることで、接地を強化し、損失、アイソレー
ション、反射特性などの安定化、向上を図れるようにす
る。
【００２３】請求項４の発明における高周波モジュール
は、ギャップを埋めた導電性樹脂によって、簡単かつ容
易に接地の強化と特性の向上を図れるようにする。
は、ギャップを埋めた導電性樹脂によって、簡単かつ容
易に接地の強化と特性の向上を図れるようにする。
【００２４】
【実施例】実施例１．以下、請求項１の発明の一実施例
を図について説明する。図１において、４はアイソレー
タのパッケージ、１はケース、２はマイクロストリップ
基板３が取付けられたキャリヤである。
を図について説明する。図１において、４はアイソレー
タのパッケージ、１はケース、２はマイクロストリップ
基板３が取付けられたキャリヤである。
【００２５】また、５ａ，５ｂは接地強化のために設け
られた金属薄板で、図２および図３に拡大して示すよう
に、本実施例では、バネ性のある金属薄板をケース１と
キャリヤ２との間に敷き、弧状に折り曲げた先端部分５
ｒをパッケージ４の側面に押し当てるような構造として
いる。
られた金属薄板で、図２および図３に拡大して示すよう
に、本実施例では、バネ性のある金属薄板をケース１と
キャリヤ２との間に敷き、弧状に折り曲げた先端部分５
ｒをパッケージ４の側面に押し当てるような構造として
いる。
【００２６】次に動作について説明する。まず、金属薄
板５ａ，５ｂは中心コンタクト４ａ，４ｂ下部のギャッ
プＡ、Ｂを塞ぎ、アイソレータのパッケージ４とマイク
ロストリップ基板３との間の上記ギャップＡ、Ｂによる
インピーダンスの不連続や、損失、アイソレーション、
反射特性などへの悪影響を小さくする。
板５ａ，５ｂは中心コンタクト４ａ，４ｂ下部のギャッ
プＡ、Ｂを塞ぎ、アイソレータのパッケージ４とマイク
ロストリップ基板３との間の上記ギャップＡ、Ｂによる
インピーダンスの不連続や、損失、アイソレーション、
反射特性などへの悪影響を小さくする。
【００２７】また、これらの金属薄板５ａ，５ｂの先端
部分５ｒによってパッケージ４を両面から押えることに
より、一方のギャップＡまたはＢが大きくなるというこ
とを防止することが出来る。
部分５ｒによってパッケージ４を両面から押えることに
より、一方のギャップＡまたはＢが大きくなるというこ
とを防止することが出来る。
【００２８】さらに、図２に示すように、金属薄板をく
し歯状に加工しておくことにより、アイソレータのパッ
ケージ４やケース１の加工精度や面あらさ等が多少悪く
ても、一様にそのパッケージ４を押えることとなり、性
能の安定化が図られ、接地強化による上記各性能の向上
も期待出来る。
し歯状に加工しておくことにより、アイソレータのパッ
ケージ４やケース１の加工精度や面あらさ等が多少悪く
ても、一様にそのパッケージ４を押えることとなり、性
能の安定化が図られ、接地強化による上記各性能の向上
も期待出来る。
【００２９】実施例２．なお、上記実施例ではキャリヤ
２とケース１との間に金属薄板５ａ，５ｂを敷くものを
示したが、図４に示すように、キャリヤを兼用する一体
の金属薄板５ｃを用いることにより、高周波モジュール
の構成部材の使用数を削減できるほか、上記実施例と同
様の効果を奏する。
２とケース１との間に金属薄板５ａ，５ｂを敷くものを
示したが、図４に示すように、キャリヤを兼用する一体
の金属薄板５ｃを用いることにより、高周波モジュール
の構成部材の使用数を削減できるほか、上記実施例と同
様の効果を奏する。
【００３０】実施例３．また、上記実施例１，２ではマ
イクロストリップ基板３側に金属薄板５ａ，５ｂを設け
て、パッケージ４を両側から押えるものを示したが、図
５に示すように、パッケージ４の下面とケース１との間
に金属薄板５ｄを敷き、具体的にはこの金属薄板５ｄを
パッケージ４の下面に予め取付けておき、これの先端部
分５Ｓを、ケース１に形成した凹所１ａ内の側壁１ｂに
弾性的に接触させてもよく、上記実施例１，２と同様の
効果を奏する。
イクロストリップ基板３側に金属薄板５ａ，５ｂを設け
て、パッケージ４を両側から押えるものを示したが、図
５に示すように、パッケージ４の下面とケース１との間
に金属薄板５ｄを敷き、具体的にはこの金属薄板５ｄを
パッケージ４の下面に予め取付けておき、これの先端部
分５Ｓを、ケース１に形成した凹所１ａ内の側壁１ｂに
弾性的に接触させてもよく、上記実施例１，２と同様の
効果を奏する。
【００３１】実施例４．さらに、上記実施例１，２では
マイクロストリップ基板３側に金属薄板５ａ，５ｂを設
けてパッケージ４を両側から押えるものを示したが、図
６に示すように、予めパッケージ４に取付けた金属波板
５ｅを、ケース１に形成した凹所１ａ内の、側壁１ｂと
パッケージ４とのギャップＡ，Ｂに介在することによ
り、上記実施例と同様の効果を奏する。
マイクロストリップ基板３側に金属薄板５ａ，５ｂを設
けてパッケージ４を両側から押えるものを示したが、図
６に示すように、予めパッケージ４に取付けた金属波板
５ｅを、ケース１に形成した凹所１ａ内の、側壁１ｂと
パッケージ４とのギャップＡ，Ｂに介在することによ
り、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００３２】実施例５．また、上記実施例１〜４はばね
上の金属薄板５ａ，５ｂやコイル状のばね５ｅを設ける
ものを示したが、組立作業性、組立後のリワーク作業性
等に若干の問題はあるが、図７に示すように、ギャップ
Ａ，Ｂを導電性樹脂６により埋めるようにしてもよく、
上記実施例１〜４と同様の効果を奏する。
上の金属薄板５ａ，５ｂやコイル状のばね５ｅを設ける
ものを示したが、組立作業性、組立後のリワーク作業性
等に若干の問題はあるが、図７に示すように、ギャップ
Ａ，Ｂを導電性樹脂６により埋めるようにしてもよく、
上記実施例１〜４と同様の効果を奏する。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれば
ケース上にキャリアを介して設けられたマイクロストリ
ップ基板と、パッケージに突設され、上記マイクロスト
リップ基板の線路パターン先端部に接続される中心コン
タクトとを設け、上記キャリヤ側より突設したばね性の
金属薄板を上記中心コンタクト下部の上記パッケージお
よびケース間のギャップを介して、上記パッケージに接
触さえるように構成したので、上記ギャップがあって
も、接地の強化により、共振点の発生を防止でき、また
損失、アイソレーション、反射特性等の性能劣化を防止
できるものが得られる効果がある。
ケース上にキャリアを介して設けられたマイクロストリ
ップ基板と、パッケージに突設され、上記マイクロスト
リップ基板の線路パターン先端部に接続される中心コン
タクトとを設け、上記キャリヤ側より突設したばね性の
金属薄板を上記中心コンタクト下部の上記パッケージお
よびケース間のギャップを介して、上記パッケージに接
触さえるように構成したので、上記ギャップがあって
も、接地の強化により、共振点の発生を防止でき、また
損失、アイソレーション、反射特性等の性能劣化を防止
できるものが得られる効果がある。
【００３４】請求項２の発明によればばね性の金属薄板
をマイクロストリップ薄板を取り付けるキャリヤと兼用
させ、これを中心コンタクト下部のパッケージおよびケ
ース間のギャップを介して、そのパッケージに接触させ
るように構成したので、高周波モジュールの構成および
組立工数の削減とローコスト化を実現できるものが得ら
れる効果がある。
をマイクロストリップ薄板を取り付けるキャリヤと兼用
させ、これを中心コンタクト下部のパッケージおよびケ
ース間のギャップを介して、そのパッケージに接触させ
るように構成したので、高周波モジュールの構成および
組立工数の削減とローコスト化を実現できるものが得ら
れる効果がある。
【００３５】請求項３の発明によればばね性の金属薄板
をパッケージ側から突設させて、パッケージを設置する
凹所内の側壁に接触させるように構成したので、マイク
ロストリップ基板側への金属薄板の面倒な敷込みを行う
ことなく、容易に接地の強化並びにこれによる損失、ア
イソレーション、反射特性を劣化を防止でき、共振点の
発生を簡単に防止できるものが得られる効果がある。
をパッケージ側から突設させて、パッケージを設置する
凹所内の側壁に接触させるように構成したので、マイク
ロストリップ基板側への金属薄板の面倒な敷込みを行う
ことなく、容易に接地の強化並びにこれによる損失、ア
イソレーション、反射特性を劣化を防止でき、共振点の
発生を簡単に防止できるものが得られる効果がある。
【００３６】請求項４の発明によれば導電性樹脂を中心
コンタクト下部のパッケージおよびケース間のギャップ
に介在するように構成したので、極めて簡単な作業およ
び構成にて、接地の強化並びにこれによる損失、アイソ
レーション、反射特性の劣化を防止でき、共振点の発生
を防止できるものが得られる効果がある。
コンタクト下部のパッケージおよびケース間のギャップ
に介在するように構成したので、極めて簡単な作業およ
び構成にて、接地の強化並びにこれによる損失、アイソ
レーション、反射特性の劣化を防止でき、共振点の発生
を防止できるものが得られる効果がある。
【図１】請求項１の発明の一実施例による高周波モジュ
ールを示す平面図である。
ールを示す平面図である。
【図２】図１における金属薄板付近を示す平面図であ
る。
る。
【図３】図１における金属薄板付近を拡大して示す正面
断面図である。
断面図である。
【図４】請求項２の発明の一実施例による高周波モジュ
ールの要部を示す正面断面図である。
ールの要部を示す正面断面図である。
【図５】請求項３の発明の一実施例による高周波モジュ
ールの要部を示す正面断面図である。
ールの要部を示す正面断面図である。
【図６】請求項３の発明の他の実施例による高周波モジ
ュールの要部を示す正面断面図である。
ュールの要部を示す正面断面図である。
【図７】請求項４の発明の一実施例による高周波モジュ
ールの要部を示す正面断面図である。
ールの要部を示す正面断面図である。
【図８】従来の高周波モジュールを示す平面図である。
【図９】図８における高周波モジュールの正面断面図で
ある。
ある。
１ ケース １ａ 凹所 ２ キャリヤ ３ マイクロストリップ基板 ４ パッケージ ４ａ，４ｂ 中心コンタクト ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ 金属薄板 ５ｅ 金属波板 ６ 導電性樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 ケース上に設けられたドロップインタイ
プデバイスの金属製のパッケージと、上記ケース上にキ
ャリヤを介して設けられたマイクロストリップ基板と、
上記パッケージに突設され、上記マイクロストリップ基
板の線路パターン先端部に接続される中心コンタクト
と、上記キャリヤ側より突設されて、上記中心コンタク
ト下部の上記パッケージおよびケース間のギャップを介
して、上記パッケージに接触するばね性の金属薄板とを
備えた高周波モジュール。 - 【請求項２】 ケース上に設けられたドロップインタイ
プデバイスの金属製のパッケージと、上記ケース上に設
けられたマイクロストリップ基板と、上記パッケージに
突設され、上記マイクロストリップ基板の線路パターン
先端部に接続される中心コンタクトと、上記マイクロス
トリップ基板を取り付けており、かつ上記中心コンタク
ト下部の上記パッケージおよびケース間のギャップを介
して、上記パッケージに接触するキャリヤ兼用のばね性
の金属薄板とを備えた高周波モジュール。 - 【請求項３】 ケース上に設けられたドロップインタイ
プデバイスの金属製のパッケージと、上記ケース上に設
けられたマイクロストリップ基板と、上記パッケージに
突設され、上記マイクロストリップ基板の線路パターン
先端部に接続される中心コンタクトと、上記パッケージ
側より突設されて、上記中心コンタクト下部の上記パッ
ケージおよびケース間のギャップを介して、上記パッケ
ージを設置する凹所内の側壁に接触するばね性の金属薄
板または金属波板とを備えた高周波モジュール。 - 【請求項４】 ケース上に設けられたドロップインタイ
プデバイスの金属製のパッケージと、上記ケース上に設
けられたマイクロストリップ基板と、上記パッケージに
突設され、上記マイクロストリップ基板の線路パターン
先端部に接続される中心コンタクトと、該中心コンタク
ト下部の上記パッケージおよびケース間のギャップに介
在した導電性樹脂とを備えた高周波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35532092A JPH06188602A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 高周波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35532092A JPH06188602A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 高周波モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188602A true JPH06188602A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18443242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35532092A Pending JPH06188602A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 高周波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188602A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028498A (en) * | 1997-09-05 | 2000-02-22 | Hewlett-Packard Company | Low inductance interconnect having a comb-like resilient structure |
| WO2009054046A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Panasonic Corporation | 無線装置 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP35532092A patent/JPH06188602A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028498A (en) * | 1997-09-05 | 2000-02-22 | Hewlett-Packard Company | Low inductance interconnect having a comb-like resilient structure |
| WO2009054046A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Panasonic Corporation | 無線装置 |
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