JPH10163376A - 高周波電力用半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波電力用の半導体装置において、樹脂パ
ッケージの小型化と、信頼性及び歩留まりの向上との両
立を図る。 【解決手段】 支持金属板１０の上に高周波電力用の半
導体チップがダイボンディングされ、半導体チップは支
持金属板１０及び外部リード１１と共に直方体状の樹脂
パッケージ１２にモールドされている。支持金属板１０
は樹脂パッケージ１２の裏面に露出している。支持金属
板１０は樹脂パッケージ１２の前後両面から突出してお
らず、支持金属板１０の前後の両端面と樹脂パッケージ
１２の前後の両側面とは面一であって、支持金属板１０
の前後の両端面は樹脂パッケージ１２の前後の両側面に
おいて露出している。樹脂パッケージ１２における前部
及び後部の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａが形
成されており、支持金属板１０の表面における前後の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
して半田付け部１０ａとなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波電力用半導体装
置に関し、特に、高周波電力用の半導体チップと、該半
導体チップがダイボンディングされている支持金属板
と、半導体チップの信号用電極とボンディングワイヤー
等により電気的に接続された外部リードとが、モールド
樹脂によりパッケージされた高周波電力用半導体装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップと、該半導体チップがダイ
ボンディングされている支持金属板と、半導体チップの
信号用電極と電気的に接続された外部リードとが樹脂に
よりモールドされた高周波電力用半導体装置は、コスト
的に安価であると共に量産性に富んでいるため、現在最
も汎用的に用いられている。

【０００３】従来、樹脂モールドパッケージよりなる高
周波電力用半導体装置が用いられる機器は、テレビ、ビ
デオ及びパーソナルコンピューター等であって、その動
作周波数は高くても２００ＭＨｚ以下である。

【０００４】ところが、近年の移動体通信の端末機器に
おいては１ＧＨｚから２ＧＨｚの高周波電力が用いられ
ているため、このような端末機器に搭載される高周波電
力用半導体装置においては、高い周波数に対応する対策
が必要である。数百ＭＨｚと数ＧＨｚという動作周波数
の差が高周波電力用半導体装置に及ぼす影響としては、
主として２つ挙げられる。第１の留意点はインダクタン
スを低減するために接地電位の経路を最短にしなければ
ならないということであり、第２の留意点は樹脂パッケ
ージから外部に突出する外部リードに起因する容量及び
インダクタンスの増加によりインピーダンスが激変する
ことである。

【０００５】ところで、移動体通信の端末機器は、高周
波電力を扱う機器であると共に、小型化及び軽量化が求
められる機器であるため、該端末機器に搭載される高周
波電力用半導体装置の小型化及び軽量化が求められてい
ると共に、高周波電力用半導体装置における機能の高集
積化が求められている。機能の高集積化という第３の留
意点に対する対策としては、近時のシリコンＬＳＩのよ
うに微細化により高集積化を図るという第１の方法と、
機能及び製造プロセスが異なる複数の半導体チップを１
つの樹脂パッケージにモールドすることにより、別個の
樹脂パッケージを用いる場合に比べて実装効率を図ると
いう第２の方法とが挙げられる。

【０００６】第２の方法によると、複数の半導体チップ
を別々の樹脂パッケージにモールドする場合に比べて、
移動体通信の端末機器における機能の高集積化及び小型
化を図ることができる。このように複数の半導体チップ
を１つの樹脂パッケージにモールドすることにより、異
なる製造プロセスにより製造された複数の半導体チップ
を１つの高周波電力用半導体装置として機能させること
ができる。例えば、移動体通信の端末機器にそれぞれ用
いられる、シリコン基板上に形成された変調器ＩＣと化
合物半導体上に形成された高周波電力増幅用ＭＥＳＦＥ
Ｔとを同一の樹脂パッケージにモールドすること等が提
案されている。

【０００７】以下、図１５を参照しながら、第１の従来
例に係る半導体装置について説明する。図１５（ａ）〜
（ｄ）は高周波電力用の半導体チップを有する半導体装
置を示しており、図１５（ａ）は平面図、図１５（ｂ）
は図１５（ａ）におけるＸＶ−ＸＶ線の断面図、図１５
（ｃ）は正面図、図１５（ｄ）は裏面図である。

【０００８】図１５（ａ）〜（ｄ）に示すように、リー
ドフレームから切り離された支持金属板１００の上に図
示しない高周波電力用の半導体チップがダイボンディン
グされ、支持金属板１００及び半導体チップは、同じく
リードフレームから切り離された外部電極引き出し用の
外部リード１０１と共に扁平な直方体状の樹脂パッケー
ジ１０２にモールドされている。図示は省略している
が、半導体チップの信号用電極はボンディングワイヤー
等により外部リード１０１と電気的に接続されている。
この場合、外部リード１０１は樹脂パッケージ１０２の
互いに対向する一対の側面から外部に突出している。ま
た、支持金属板１００は樹脂パッケージ１０２の前後両
側面から突出すると共に裏面側に屈曲する突出部１００
ａを有している。支持金属板１００の突出部１００ａは
図示しないプリント基板の接地パターンに半田付けによ
って接続されることにより接地されている。これによ
り、第１の従来例に係る半導体装置は、前述した第１の
留意点に対する対策が講じられている。

【０００９】以下、図１６を参照しながら、第２の従来
例に係る半導体装置について説明する。図１６（ａ）〜
（ｄ）は高周波電力用の半導体チップを有する半導体装
置を示しており、図１６（ａ）は平面図、図１６（ｂ）
は側面図、図１６（ｃ）は正面図、図１６（ｄ）は裏面
図である。第２の従来例においては、第１の従来例と同
一の部材については、同一の符号を付すことにより説明
を省略する。第２の従来例が第１の従来例と異なるの
は、支持金属板１００は左右の両側面及び前後の両側側
のいずれにおいても樹脂パッケージ１０２に覆われてお
り、支持金属板１００の裏面の中央部においてのみ樹脂
パッケージ１０２から露出し、露出した裏面の中央部に
おいてプリント基板の接地パターンと半田により接続さ
れている。これにより、第２の従来例に係る半導体装置
も、前述した第１の留意点に対する対策が講じられてい
る。

【００１０】以下、図１７を参照しながら、第３の従来
例に係る半導体装置について説明する。図１７（ａ）及
び（ｂ）は低周波電力用の半導体チップを有する半導体
装置を示しており、図１７（ａ）は平面図、図１７
（ｂ）は側面図である。第３の従来例に係る半導体装置
は、低周波電力用の半導体装置であって、本発明に係る
高周波電力用の半導体装置とは技術分野が異なるが、共
通する部分を有しているため、ここで説明する。

【００１１】図１７（ａ）及び（ｂ）に示すように、リ
ードフレームから切り離された支持金属板１００の上に
図示しない半導体チップがダイボンディングされ、支持
金属板１００及び半導体チップは、同じくリードフレー
ムから切り離された外部電極引き出し用の外部リード１
０１と共に樹脂パッケージ１０２にモールドされてい
る。図示は省略しているが、半導体チップの信号用電極
はボンディングワイヤ等により外部リード１０１と電気
的に接続されている。第３の従来例の特徴として、外部
リード１０１は樹脂パッケージ１０２の前面側からのみ
突出している。また、樹脂パッケージ１０２の後面側の
両端部は切り欠かれ、該切り欠き部１０２ａにおいて支
持金属板１００は表面側に露出している。支持金属板１
００の露出部には孔部１００ｃが形成されており、該孔
部１００ｃに挿入されるネジにより支持金属板１００ひ
いては半導体装置はプリント基板に固定される。すなわ
ち、第３の従来例に係る半導体装置は、ネジによりプリ
ント基板に固定される。

【００１２】以下、図１８を参照しながら、第４の従来
例に係る半導体装置について説明する。図１８（ａ）及
び（ｂ）は複数例えば２つの高周波電力用の半導体チッ
プを有する半導体装置を示しており、図１８（ａ）は平
面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）におけるＸVIII−Ｘ
VIII線の断面図である。

【００１３】図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、リ
ードフレームから切り離された支持金属板１００の上に
高周波電力用の第１の半導体チップ１０５及び第２の半
導体チップ１０６がそれぞれダイボンディングされ、支
持金属板１００、第１及び第２の半導体チップ１０５、
１０６は、同じくリードフレームから切り離された外部
電極引き出し用の外部リード１０１と共に扁平な直方体
状の樹脂パッケージ１０２にモールドされている。図示
は省略しているが、第１及び第２の半導体チップ１０
５、１０６の信号用電極はボンディングワイヤー等によ
り外部リード１０１と電気的に接続されている。この場
合、外部リード１０１は樹脂パッケージ１０２の前後の
両側面から外部に突出していると共に、支持金属板１０
０は樹脂パッケージ１０２の左右の両側面から突出して
いる。支持金属板１００の上に第１及び第２の半導体チ
ップ１０５、１０６がダイボンディングされると共に、
外部リード１０１の突出部１００ａは図示しないプリン
ト基板の接地パターンと半田付けされることにより接地
されている。これらにより、第４の従来例に係る高周波
半導体用パッケージは、前述した第１及び第３の留意点
に対する対策が講じられている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１５
（ａ）〜（ｄ）に示す第１の従来例に係る半導体装置に
おいては、支持金属板１００が樹脂パッケージ１０２か
ら突出すると共に裏面側に屈曲する突出部１００ａを有
しているので、高周波電力における接地の問題は解決す
るが、パッケージの小型化という点で問題が残る。すな
わち、支持金属板１００の突出部１００ａの突出量は通
常約１ｍｍ程度が必要とされ、両側では合計約２ｍｍの
パッケージ寸法の増加をもたらす。樹脂パッケージ１０
２の長さが５ｍｍ〜６ｍｍ程度であるのに対して、支持
金属板１００に２ｍｍもの突出量を持つ突出部１００ａ
を設けると、樹脂パッケージ１０２の長さが実質的に４
０％程度も拡大することになる。このような半導体装置
の大型化は、移動体通信の端末機器のおける小型化の流
れの中では受け入れ難いものである。移動体通信の端末
機器においては、最大機能のＩＣを最小の面積で実現す
ることが強く求められているのである。

【００１５】また、図１６（ａ）〜（ｄ）に示す第２の
従来例に係る半導体装置においては、支持金属板１００
が樹脂パッケージ１０２の裏面の中央部で露出している
ので、高周波電力における接地の問題が解決すると共
に、樹脂パッケージ１０２の長さが実質的に拡大する事
態は回避できる。しかしながら、支持金属板１００がそ
の裏面の中央部においてのみプリント基板と半田付けさ
れる構造であるため、プリント基板への実装後に、支持
金属板１００が半田付けされている状態を外部から確認
することは困難である。このため、支持金属板１００の
プリント基板への半田付けが不良のままで次工程に移行
してしまい、最終の通電試験において動作不良としては
ねられる事態が発生する。つまり、第２の従来例におい
ては、樹脂パッケージ１０２の小型化を図ることは可能
であるが、デバイスの歩留まりが低下するという新たな
問題が発生する。

【００１６】また、図１７（ａ）及び（ｂ）に示す第３
の従来例に係る半導体装置においては、樹脂パッケージ
１０２の前面側から外部リード１０１が突出し、支持金
属板１００の後面側の両端部においてプリント基板にビ
ス止めされる構造であるため、移動体通信の端末機器に
用いられる高周波電力用の半導体装置のように、小型の
樹脂パッケージから多数の外部リードが突出する半導体
装置においては、適用することは不可能である。

【００１７】さらに、図１８（ａ）及び（ｂ）に示す第
４の従来例に係る半導体装置においては、以下に説明す
るような問題がある。すなわち、第１及び第２の半導体
チップ１０５、１０６を支持金属板１００にダイボンデ
ィングする際、金−シリコンの合金、金−錫の合金又は
銀ペースト等の接合材を半導体チップの裏面に付着させ
た状態で半導体チップを支持金属板１００に押しつける
が、第１及び第２の半導体チップ１０５、１０６のうち
先にダイボンディングされた半導体チップに付着してい
た接合材が半導体チップの裏面からはみ出して支持金属
板１００の上に広がる。そして、支持金属板１００の上
に広がった接合材が、第１及び第２の半導体チップ１０
５、１０６のうち後にダイボンディングされる半導体チ
ップのボンディング領域にまで広がってしまう。このた
め、後にダイボンディングされる半導体チップが支持金
属板１００の表面と平行にならず、該半導体チップの信
号用電極と外部リードとのワイヤボンディングが良好に
行なわれないことがある。もっとも、第１の半導体チッ
プ１０５と第２の半導体チップ１０６との間隔：ｗを大
きくすると、前記の問題は解決するが、樹脂パッケージ
１０２のサイズが大きくなってしまうという新たな問題
が発生する。すなわち、先にダイボンディングされた半
導体チップの接合材が後にダイボンディングされる半導
体チップの領域に広がる事態を回避するためには、第１
の半導体チップ１０５と第２の半導体チップ１０６との
間隔：ｗを０．６ｍｍ以上に設定する必要があるが、樹
脂パッケージ１０２の小型化を図るべく複数の半導体チ
ップを１つの支持金属板にダイボンディングする高周波
電力用の半導体装置においては、第１の半導体チップ１
０５と第２の半導体チップ１０６との間の０．６ｍｍ以
上の間隔は受け入れ難いものである。

【００１８】以上説明したように、第１、第３及び第４
の従来例に係る半導体装置は樹脂パッケージの小型化の
点で問題があり、第２の従来例に係る半導体装置は信頼
性及び歩留まりの点で問題がある。

【００１９】前記に鑑み、本発明は、高周波電力用の半
導体装置において、樹脂パッケージの小型化と、信頼性
及び歩留まりの向上との両立を図ることを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の高周
波電力用半導体装置は、高周波電力用の半導体チップ
と、表面に前記半導体チップがダイボンディングされて
いる支持金属板と、支持金属板を周囲からはみ出させる
ことなく且つ支持金属板の裏面を露出させた状態で半導
体チップ及び支持金属板をモールドしている直方体状の
樹脂パッケージと、樹脂パッケージの側面から外部に突
出するように設けられ半導体チップの信号用電極と電気
的に接続されている外部リードとを備え、接地パターン
を有するプリント基板上に実装される高周波電力用半導
体装置を対象とし、樹脂パッケージの縁部が切り欠かれ
ることにより露出した支持金属板の表面の縁部に設けら
れ、プリント基板の接地パターンと半田付けされる半田
付け部を備えている。

【００２１】第１の高周波電力用半導体装置によると、
樹脂パッケージの縁部が切り欠かれることにより露出し
た支持金属板の表面の縁部に半田付け部を備えているた
め、該半田付け部においてプリント基板の接地パターン
と半田付けすると、半田が半田付け部において広がるた
め、確実に半田付けできると共に半田を上方から目視検
査又はテレビカメラ等で確認することができる。

【００２２】第１の高周波電力用半導体装置において、
外部リードは、樹脂パッケージの互いに対向する一対の
側面からそれぞれ外部に突出するように設けられている
ことが好ましい。

【００２３】第１の高周波電力用半導体装置において、
半田付け部は、支持金属板の表面の互いに対向する一対
の側縁部にそれぞれ設けられていることが好ましい。

【００２４】この場合、半田付け部は、支持金属板の表
面における外部リードが突出していない方の互いに対向
する一対の側縁部にそれぞれ設けられていることが好ま
しい。

【００２５】さらに、この場合、支持金属板は、該支持
金属板の裏面における外部リードが突出していない方の
互いに対向する一対の側辺に架けて連続して樹脂パッケ
ージから露出する露出部を有し、露出部と半田付け部と
は支持金属板の側面を介して連続して樹脂パッケージか
ら露出していることがより好ましい。

【００２６】第１の高周波電力用半導体装置において、
外部リードは、樹脂パッケージの４つの側面からそれぞ
れ外部に突出するように設けられており、半田付け部
は、支持金属板の表面の少なくとも１つの隅部に設けら
れていることが好ましい。

【００２７】第１の高周波電力用半導体装置において、
外部リードは、樹脂パッケージの４つの側面からそれぞ
れ外部に突出するように設けられており、半田付け部
は、支持金属板の表面の４つの隅部にそれぞれ設けられ
ていることが好ましい。

【００２８】第１の高周波電力用半導体装置において、
半田との親和性に優れた材料よりなり、支持金属板にお
ける樹脂パッケージから露出している部分を覆うように
設けられた被覆材をさらに備えていることが好ましい。

【００２９】本発明に係る第２の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の半導体チップと、半導体チップが
該半導体チップの裏面に供給された接合材を介してダイ
ボンディングされている支持金属板と、半導体チップ及
び支持金属板をモールドしている樹脂パッケージと、樹
脂パッケージの側面から外部に突出するように設けられ
半導体チップの信号用電極と電気的に接続されている外
部リードとを備えた高周波電力用半導体装置を対象と
し、支持金属板における半導体チップがダイボンディン
グされる領域の周辺部に形成され、半導体チップの裏面
からはみ出した接合材を収納する収納凹部を備えてい
る。

【００３０】第２の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板における半導体チップがダイボンディングさ
れる領域の周辺部に、半導体チップの裏面からはみ出し
た接合材を収納する収納凹部を備えているため、半導体
チップの裏面からはみ出す程度に十分な量の接合材を供
給しても、接合材が収納凹部に収納されてダイボンディ
ング領域から外側に広がり難いので、支持金属板におけ
るダイボンディング領域の周辺に接合材の広がり領域を
確保しなくてもよい。

【００３１】本発明に係る第３の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の半導体チップと、半導体チップが
該半導体チップの裏面に供給された接合材を介してダイ
ボンディングされている支持金属板と、半導体チップ及
び支持金属板をモールドしている樹脂パッケージと、樹
脂パッケージの側面から外部に突出するように設けられ
半導体チップの信号用電極と電気的に接続されている外
部リードとを備えた高周波電力用半導体装置を対象と
し、支持金属板における半導体チップがダイボンディン
グされる領域の周辺部に形成され、半導体チップの裏面
からはみ出した接合材が流動することを阻止する流動阻
止用凸部を備えている。

【００３２】第３の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板における半導体チップがダイボンディングさ
れる領域の周辺部に、半導体チップの裏面からはみ出し
た接合材の流動を阻止する流動阻止用凸部を備えている
ため、半導体チップの裏面からはみ出す程度に十分な量
の接合材を供給しても、接合材が流動阻止用凸部に流動
を阻止されてダイボンディング領域から外側に広がり難
いので、支持金属板におけるダイボンディング領域の周
辺に接合材の広がり領域を確保しなくてもよい。

【００３３】本発明に係る第４の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の半導体チップと、半導体チップが
該半導体チップの裏面に供給された接合材を介してダイ
ボンディングされている支持金属板と、半導体チップ及
び支持金属板をモールドしている樹脂パッケージと、樹
脂パッケージの側面から外部に突出するように設けられ
半導体チップの信号用電極と電気的に接続されている外
部リードとを備えた高周波電力用半導体装置を対象と
し、支持金属板に形成され、半導体チップの平面形状よ
りも若干大きい平面形状を有する凹状部を備え、半導体
チップは凹状部内において支持金属板にダイボンディン
グされている。

【００３４】第４の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板に半導体チップの平面形状よりも若干大きい
平面形状を有する凹状部が形成され、半導体チップは凹
状部内において支持金属板にダイボンディングされてい
るため、半導体チップの裏面からはみ出す程度に十分な
量の接合材を供給しても、接合材が凹状部から流出しな
いので、支持金属板におけるダイボンディング領域の周
辺に接合材の広がり領域を確保しなくてもよい。

【００３５】本発明に係る第５の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の半導体チップと、半導体チップが
該半導体チップの裏面に供給された接合材を介してダイ
ボンディングされている支持金属板と、半導体チップ及
び支持金属板をモールドしている樹脂パッケージと、樹
脂パッケージの側面から外部に突出するように設けられ
前記半導体チップの信号用電極と電気的に接続されてい
る外部リードとを備えた高周波電力用半導体装置を対象
とし、支持金属板に形成され、半導体チップの平面形状
よりも若干大きい平面形状を有する凸状部を備え、半導
体チップは凸状部内において支持金属板にダイボンディ
ングされている。

【００３６】第５の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板に、半導体チップの平面形状よりも若干大き
い平面形状を有する凸状部が形成され、半導体チップは
凸状部内において支持金属板にダイボンディングされて
いるため、半導体チップの裏面からはみ出す程度に十分
な量の接合材を供給しても、接合材が凸状部の側面に付
着して支持金属板におけるダイボンディング領域の周辺
に広がり難いので、ダイボンディング領域の周辺に接合
材の広がり領域を確保しなくてもよい。

【００３７】本発明に係る第６の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の第１の半導体チップ及び第２の半
導体チップと、第１及び第２の半導体チップが該第１及
び第２の半導体チップの各裏面に供給された接合材を介
してダイボンディングされている支持金属板と、第１及
び第２の半導体チップ並びに支持金属板をモールドして
いる樹脂パッケージと、樹脂パッケージの側面から外部
に突出するように設けられ第１及び第２の半導体チップ
の信号用電極と電気的に接合されている外部リードとを
備えた高周波電力用半導体装置を対象とし、支持金属板
における第１の半導体チップがダイボンディングされる
第１の領域と第２の半導体チップがダイボンディングさ
れる第２の領域との間に形成され、第１の半導体チップ
及び第２の半導体チップのうちの少なくとも１つの半導
体チップの裏面からはみ出した接合材を収納する収納凹
部を備えている。

【００３８】第６の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板における第１の半導体チップがダイボンディ
ングされる第１の領域と第２の半導体チップがダイボン
ディングされる第２の領域との間に、第１の半導体チッ
プ及び第２の半導体チップのうちの少なくとも１つの半
導体チップの裏面からはみ出した接合材を収納する収納
凹部が形成されているため、第１の半導体チップ及び第
２の半導体チップのうち先にダイボンディングされる半
導体チップの裏面からはみ出した接合材が後にダイボン
ディングされる半導体チップのボンディング領域に侵入
しない。

【００３９】本発明に係る第７の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の第１の半導体チップ及び第２の半
導体チップと、第１及び第２の半導体チップが該第１及
び第２の半導体チップの各裏面に供給された接合材を介
してダイボンディングされている支持金属板と、第１及
び第２の半導体チップ並びに支持金属板をモールドして
いる樹脂パッケージと、樹脂パッケージの側面から外部
に突出するように設けられ第１及び第２の半導体チップ
の信号用電極と電気的に接合されている外部リードとを
備えた高周波電力用半導体装置を対象とし、支持金属板
における第１の半導体チップがダイボンディングされる
第１の領域と第２の半導体チップがダイボンディングさ
れる第２の領域との間に形成され、第１の半導体チップ
及び第２の半導体チップのうちの少なくとも１つの半導
体チップの裏面からはみ出した接合材が流動することを
阻止する流動阻止用凸部を備えている。

【００４０】第７の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板における第１の半導体チップがダイボンディ
ングされる第１の領域と第２の半導体チップがダイボン
ディングされる第２の領域との間に、第１の半導体チッ
プ及び第２の半導体チップのうちの少なくとも１つの半
導体チップの裏面からはみ出した接合材の流動を阻止す
る流動阻止用凸部が形成されているため、第１の半導体
チップ及び第２の半導体チップのうち先にダイボンディ
ングされる半導体チップの裏面からはみ出した接合材が
後にダイボンディングされる半導体チップのボンディン
グ領域に侵入しない。

【００４１】本発明に係る第８の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の第１の半導体チップ及び第２の半
導体チップと、第１及び第２の半導体チップが該第１及
び第２の半導体チップの各裏面に供給された接合材を介
してダイボンディングされている支持金属板と、第１及
び第２の半導体チップ並びに支持金属板をモールドして
いる樹脂パッケージと、樹脂パッケージの側面から外部
に突出するように設けられ第１及び第２の半導体チップ
の信号用電極と電気的に接合されている外部リードとを
備えた高周波電力用半導体装置を対象とし、支持金属板
に形成され、第１の半導体チップの平面形状よりも若干
大きい平面形状を有する第１の凹状部と、支持金属板に
形成され、第２の半導体チップの平面形状よりも若干大
きい平面形状を有する第２の凹状部とを備え、第１の半
導体チップは第１の凹状部内において支持金属板にダイ
ボンディングされており、第２の半導体チップは第２の
凹状部内において支持金属板にダイボンディングされて
いる。

【００４２】第８の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板に第１の半導体チップの平面形状よりも若干
大きい平面形状を有する第１の凹状部が形成され、半導
体チップは第１の凹状部内において支持金属板にダイボ
ンディングされていると共に、支持金属板に第１の半導
体チップの平面形状よりも若干大きい平面形状を有する
第２の凹状部が形成され、半導体チップは第２の凹状部
内において支持金属板にダイボンディングされているた
め、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップのうち
先にダイボンディングされる半導体チップの裏面からは
み出した接合材が後にダイボンディングされる半導体チ
ップのボンディング領域に侵入しない。

【００４３】本発明に係る第９の高周波電力用半導体装
置は、高周波電力用の第１の半導体チップ及び第２の半
導体チップと、第１及び第２の半導体チップが該第１及
び第２の半導体チップの各裏面に供給された接合材を介
してダイボンディングされている支持金属板と、第１及
び第２の半導体チップ並びに支持金属板をモールドして
いる樹脂パッケージと、樹脂パッケージの側面から外部
に突出するように設けられ第１及び第２の半導体チップ
の信号用電極と電気的に接合されている外部リードとを
備えた高周波電力用半導体装置を対象とし、支持金属板
に形成され、第１の半導体チップの平面形状よりも若干
大きい平面形状を有する第１の凸状部と、支持金属板に
形成され、第２の半導体チップの平面形状よりも若干大
きい平面形状を有する第２の凸状部とを備え、第１の半
導体チップは第１の凸状部内において支持金属板にダイ
ボンディングされており、第２の半導体チップは第２の
凸状部内において支持金属板にダイボンディングされて
いる。

【００４４】第９の高周波電力用半導体装置によると、
支持金属板に第１の半導体チップの平面形状よりも若干
大きい平面形状を有する第１の凸状部が形成され、半導
体チップは第１の凸状部内において支持金属板にダイボ
ンディングされていると共に、支持金属板に第１の半導
体チップの平面形状よりも若干大きい平面形状を有する
第２の凸状部が形成され、半導体チップは第２の凸状部
内において支持金属板にダイボンディングされているた
め、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップのうち
先にダイボンディングされる半導体チップの裏面からは
み出した接合材が後にダイボンディングされる半導体チ
ップのボンディング領域に侵入しない。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態に係る
半導体装置について図面を参照しながら説明する。尚、
以下の説明においては、便宜上、図面の左右方向を半導
体装置の左右方向と称し、図面の上下方向を半導体装置
の前後方向と称するが、半導体装置の左右方向及び前後
方向は限定されるものではない。

【００４６】（第１の実施形態）以下、本発明の第１の
実施形態に係る高周波電力用半導体装置について、図１
及び図２を参照しながら説明する。

【００４７】図１（ａ）〜（ｄ）及び図２は、第１の実
施形態に係る高周波電力用半導体装置を示しており、図
１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＩ
−Ｉ線の断面図、図１（ｃ）は正面図、図１（ｄ）は底
面図、図２は斜視図である。

【００４８】図１（ａ）〜図１（ｄ）及び図２に示すよ
うに、リードフレームから切り離された支持金属板１０
の上に、図示しない高周波電力用の半導体チップがダイ
ボンディングされ、支持金属板１０及び半導体チップ
は、同じくリードフレームから切り離された外部電極引
き出し用の外部リード１１と共に扁平な直方体状の樹脂
パッケージ１２にモールドされている。図示は省略して
いるが、半導体チップの信号用電極はボンディングワイ
ヤ等により外部リード１１と電気的に接続されている。

【００４９】第１の実施形態の特徴として、外部リード
１１は樹脂パッケージ１２の左右の両側面からそれぞれ
外部に突出していると共に、支持金属板１０は樹脂パッ
ケージ１２の裏面に露出している。

【００５０】支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の前
後の両側面から突出しておらず、支持金属板１０の前後
の両端面と樹脂パッケージ１２の前後の両側面とは面一
である。このため、第１の従来例のように、支持金属板
の突出部の突出量だけ樹脂パッケージのサイズが実質的
に拡大する事態が回避される。

【００５１】樹脂パッケージ１２における前部及び後部
の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれぞれ形
成されており、支持金属板１０の表面における前後の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
することにより半田付け部１０ａとなっている。

【００５２】また、支持金属板１０は、支持金属板１０
の裏面における外部リード１１が設けられていない方の
互いに対向する一対の側辺（支持金属板１０の裏面にお
ける前後の側辺）に架けて連続して樹脂パッケージ１２
から露出する露出部１０ｂを有しており、該露出部１０
ｂと半田付け部１０ａとは支持金属板１０の前後の側面
１０ｃを介して連続して樹脂パッケージ１２から露出し
ている。

【００５３】図４及び図５は、第１の実施形態に係る高
周波電力用半導体装置が移動体通信の端末機器のプリン
ト基板１５に搭載されてなる半導体装置セットを示して
おり、図５は図４におけるＶ−Ｖ線の断面図である。

【００５４】図４及び図５に示すように、樹脂パッケー
ジ１２は、表面にリードパターン１５ａ及び接地パター
ン１５ｂが形成されたプリント基板１５の上に載置され
た後、リードパターン１５ａと外部リード１１、接地パ
ターン１５ｂと支持金属板１０の半田付け部１０ａとは
半田１６によりそれぞれ接合されている。

【００５５】第１の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の前後の側面１０ｃには、半田、銀又はニッケル等
よりなる半田との親和性に優れた金属がメッキされてい
る。このような半田との親和性に優れた金属のメッキを
施す理由は次の通りである。すなわち、リードフレーム
は、通常、鉄系の金属例えばクロム−鉄合金により構成
されており半田が付着し難いので、半田の付着性を上げ
るために銀又はニッケル等の金属がメッキされている。
ところが、支持金属板１０の前後の側面１０ｃはリード
フレームから切り離されることにより鉄系の金属が露出
するので、半田が付着し難くなる。そこで、支持金属板
１０の前後の側面１０ｃに半田との親和性に優れた金属
をメッキして半田の付着性を向上させている。これによ
り、支持金属板１０における樹脂パッケージ１２から露
出している部分は全て半田との親和性に優れた金属より
なるメッキ層（被覆材）により覆われている。このた
め、支持金属板１０と接地パターン１５ｂとの接合性が
向上する。

【００５６】また、支持金属板１０が、その裏面におけ
る外部リード１１が設けられていない方の互いに対向す
る一対の側辺に架けて連続して露出する露出部１０ｂを
有し、該露出部１０ｂと半田付け部１０ａとは支持金属
板１０の前後の側面１０ｃを介して連続して樹脂パッケ
ージ１２から露出しているため、支持金属板１０の半田
付け部１０ａ、前後の側面１０ｃ及び露出部１０ｂが連
続して半田１６によりプリント基板１５の接地パターン
１５ｂに確実に接合された状態で、支持金属板１０ひい
ては高周波電力用半導体装置はプリント基板１５に固定
される。その理由は以下の通りである。すなわち、支持
金属板１０をプリント基板１５の接地パターン１５ｂに
半田付けする工程は、接地パターン１５ｂにおける支持
金属板１０を接合する領域に半田１６を塗布した後、塗
布された半田１６の上に高周波電力用半導体装置を載置
し、その後、半田付け部１０ａにも半田１６を塗布す
る。次に、プリント基板１５の上に載置された状態の高
周波電力用半導体装置をオーブン内に収納して加熱する
と、オーブン内の熱は、支持金属板１０の全面に亘って
スムーズに伝わる。このため、接地パターン１５ｂ及び
半田付け部１０ａの上に塗布された半田１６は均一に濡
れ状態になるので、支持金属板１０はプリント基板１５
の接地パターン１５ｂに確実に固定される。尚、接地パ
ターン１５ｂは、通常極めて薄いので、半田を濡れ状態
にするための熱は僅かしか伝達しない。

【００５７】また、第１の実施形態においては、支持金
属板１０における樹脂パッケージ１２から露出している
部分は全て半田との親和性に優れた金属よりなるメッキ
層により覆われているため、半田付け部１０ａの上に塗
布された半田及び接地パターン１５ｂの上に塗布された
半田は濡れ状態でスムーズに拡がるので、支持金属板１
０の裏面側における接地パターン１５ｂとの接合はより
一層確実になる。

【００５８】また、プリント基板１５の接地パターン１
５ｂと支持金属板１０の半田付け部１０ａとが半田１６
により接合されているため、支持金属板１０の接地性が
向上すると共に、半田１６が盛り上がった形状になるの
で該半田１６を目視検査又はテレビカメラ等によって容
易に確認することができる。このため、プリント基板１
５上に高周波電力用半導体装置が実装されてなる半導体
装置セットの信頼性が向上すると共に生産性及び歩留ま
りが向上する。

【００５９】また、支持金属板１０の半田付け部１０ａ
が樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出してい
るため、第１の実施形態に係る高周波電力用半導体装置
に対して高周波検査を行なう際、支持金属板１０の半田
付け部１０ａを接地電極に対して押圧できるので、支持
金属板１０の電位を接地電位と確実に同電位にすること
ができる。

【００６０】図３は第１の実施形態に係る高周波電力用
半導体装置の変形例を示しており、図３に示すように、
外部リード１１は樹脂パッケージ１２の左右両面から外
部に直線状に延びていると共に、樹脂パッケージ１２の
切り欠き部１２ａは半円の平面形状を有している。この
ため、支持金属板１０の半田付け部１０ａは半円状であ
る。このように、外部リード１１の形状、樹脂パッケー
ジ１２の切り欠き部１２ａの平面形状及び支持金属板１
０の半田付け部１０ａの形状については限定されるもの
ではない。

【００６１】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る高周波電力用半導体装置について、図６
及び図７を参照しながら説明する。

【００６２】図６及び図７に示すように、リードフレー
ムから切り離された支持金属板１０の上に、図示しない
高周波電力用の半導体チップがダイボンディングされ、
支持金属板１０及び半導体チップは、同じくリードフレ
ームから切り離された外部リード１１と共に扁平な直方
体状の樹脂パッケージ１２にモールドされている。図示
は省略しているが、半導体チップの信号用電極はボンデ
ィングワイヤ等により外部リード１１と電気的に接続さ
れている。

【００６３】第２の実施形態の特徴として、半導体チッ
プは、高周波電力用のＬＳＩ回路を有すると共に、外部
リード１１が樹脂パッケージ１２の左右及び前後の４側
面から外部に突出する多ピン構造を有している。支持金
属板１０は樹脂パッケージ１２の裏面に露出している。

【００６４】図７に示すように、支持金属板１０は、樹
脂パッケージ１２の四隅に向かってそれぞれ延びるよう
に形成された延出部１０ｄと該延出部１０ｄの先端に形
成された正方形状の半田付け部１０ａとを有している。

【００６５】樹脂パッケージ１２の四隅には正方形状の
切り欠き部１２ａがそれぞれ形成されており、支持金属
板１０の各半田付け部１０ａは樹脂パッケージ１２の切
り欠き部１２ａにそれぞれ露出している。

【００６６】図示は省略しているが、樹脂パッケージ１
２は、表面にリードパターン及び接地パターンが形成さ
れたプリント基板の上に載置された後、リードパターン
と外部リード、接地パターンと支持金属板１０の半田付
け部１０ａとは半田によりそれぞれ接合されている。こ
のため、支持金属板１０の接地性が向上すると共に、半
田が盛り上がった形状になるので該半田を目視検査等に
より容易に確認することができ、これによって、プリン
ト基板上に多ピン構造を有する半導体装置が実装されて
なる半導体装置セットの信頼性が向上する。

【００６７】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係る半導体装置について、図８及び図９を参
照しながら説明する。

【００６８】図８（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態に
係る高周波電力用半導体装置を示し、図８（ａ）は平面
図、図８（ｂ）は図８（ａ）におけるＶIII−ＶIII線の
断面図であり、図９はリードフレーム２０の平面図であ
る。

【００６９】図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、リー
ドフレーム２０から吊りリード部２０ａにおいて切り離
された支持金属板１０の上に、高周波電力用の第１の半
導体チップ２１及び第２の半導体チップ２２がダイボン
ディングされ、支持金属板１０、第１及び第２の半導体
チップ２１、２２は、同じくリードフレーム２０から切
り離された外部リード１１と共に扁平な直方体状の樹脂
パッケージ１２にモールドされている。図示は省略して
いるが、第１及び第２の半導体チップ２１、２２の各信
号用電極はボンディングワイヤ等により外部リード１１
と電気的に接続されている。

【００７０】外部リード１１は樹脂パッケージ１２の前
後の両側面からそれぞれ外部に突出していると共に、支
持金属板１０は樹脂パッケージ１２の裏面に露出してい
る。また、支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の左右
の両側面から突出しておらず、支持金属板１０の左右の
両端面と樹脂パッケージ１２の左右の両側面とは面一で
ある。

【００７１】樹脂パッケージ１２における左部及び右部
の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれぞれ形
成されており、支持金属板１０の表面における左右の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
して半田付け部１０ａとなっている。

【００７２】第３の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の表面における第１の半導体チップ２１がダイボン
ディングされる第１の領域と第２の半導体チップ２２が
ダイボンディングされる第２の領域との間には、上下方
向の延びる断面Ｖ字状の凹状溝２４が形成されている。

【００７３】このため、第１の半導体チップ２１及び第
２の半導体チップ２２のうち先にダイボンディングされ
る先の半導体チップの裏面に、金−シリコンの合金、金
−錫の合金又は銀ペースト等の接合材を付着させて該先
の半導体チップを支持金属板１０に押しつけると、接合
材が先の半導体チップの裏面からはみ出して、第１の半
導体チップ２１及び第２の半導体チップ２２のうち後に
ダイボンディングされる後の半導体チップのボンディン
グ領域に侵入しようとするが、その途中で凹状溝２４に
収納される。従って、第１の半導体チップ２１と第２の
半導体チップ２２との間隔：ｗが小さくても、先の半導
体チップの裏面からはみ出してきた接合材が後の半導体
チップのボンディング領域に侵入する事態を回避でき
る。また、先の半導体チップの裏面に付着する接合材の
量を控えめにする必要もなくなるので、樹脂パッケージ
１２の小型化と、高周波電力用半導体装置の信頼性及び
歩留まりの向上との両立を図ることができる。

【００７４】支持金属板１０に形成される凹状溝２４の
幅及び深さとしては、大きい方が接合材の収納量が多く
なる反面、支持金属板１０の強度が低下するので、接合
材の収納量及び支持金属板１０の強度の両方を考慮して
決定することが好ましい。支持金属板１０の厚さが０．
２ｍｍの場合には、凹状溝２４の幅は０．２ｍｍ程度で
深さは０．１ｍｍ以下が好ましい。このようにすると、
第１の半導体チップ２１と第２の半導体チップ２２との
間隔：ｗを０．２ｍｍ程度にまで小さくすることがで
き、従来の構造において必要であった０．６ｍｍ程度の
間隔に比べて半分以下にすることができる。

【００７５】以上説明したように、第３の実施形態によ
ると、支持金属板１０の左右の両端面と樹脂パッケージ
１２の左右の両側面とが面一であると共に、第１の半導
体チップ２１のダイボンディング領域と第２の半導体チ
ップ２２のダイボンディング領域との間に凹状溝２４が
形成されているため、樹脂パッケージ１２の左右方向の
寸法を極めて小さくすることができる。

【００７６】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係る高周波電力用半導体装置について図１０
を参照しながら説明する。

【００７７】図１０（ａ）及び（ｂ）は第４の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、図１０（ａ）は
平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）におけるＸ−Ｘ線
の断面図である。

【００７８】図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、第
３の実施形態と同様、支持金属板１０の上に、高周波電
力用の第１の半導体チップ２１及び第２の半導体チップ
２２がダイボンディングされ、支持金属板１０、第１及
び第２の半導体チップ２１、２２は樹脂パッケージ１２
にモールドされている。外部リード１１は樹脂パッケー
ジ１２の前後の両側面からそれぞれ外部に突出している
と共に、支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の裏面に
露出している。支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の
左右の両側面から突出しておらず、支持金属板１０の左
右の両端面と樹脂パッケージ１２の左右の両側面とは面
一である。

【００７９】樹脂パッケージ１２における左部及び右部
の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれぞれ形
成されており、支持金属板１０の表面における左右の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
して半田付け部１０ａとなっている。

【００８０】第４の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の表面における第１の半導体チップ２１がダイボン
ディングされる第１の領域と第２の半導体チップ２２が
ダイボンディングされる第２の領域との間、支持金属板
１０の表面における左側の半田付け部１０ａと第１の領
域との間、及び支持金属板１０の表面における右側の半
田付け部１０ａと第２の領域との間には、それぞれ上下
方向に延びる断面Ｖ字状の凹状溝２４が形成されてい
る。

【００８１】このため、第１の半導体チップ２１及び第
２の半導体チップ２２の裏面からはみ出した接合材は近
傍の凹状溝２４に収納されるので、接合材が隣接する半
導体チップのボンディング領域及び支持金属板１０の半
田付け部１０ａに侵入する事態が防止される。従って、
第１の半導体チップ２１と第２の半導体チップ２２との
間隔、並びに第１及び第２の半導体チップ２１、２２と
半田付け部１０ａとの間隔を小さくできるので、樹脂パ
ッケージ１２の小型化と、高周波電力用半導体装置の信
頼性及び歩留まりの向上との両立を図ることができる。

【００８２】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態に係る半導体装置について図１１を参照しなが
ら説明する。

【００８３】図１１（ａ）及び（ｂ）は第５の実施形態
に係る半導体装置を示し、図１１（ａ）は平面図、図１
１（ｂ）は図１１（ａ）におけるＸI−ＸI線の断面図で
ある。

【００８４】図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第
３の実施形態と同様、支持金属板１０の上に、高周波電
力用の第１の半導体チップ２１及び第２の半導体チップ
２２がダイボンディングされ、支持金属板１０、第１及
び第２の半導体チップ２１、２２は樹脂パッケージ１２
にモールドされている。外部リード１１は樹脂パッケー
ジ１２の前後の両側面からそれぞれ外部に突出している
と共に、支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の裏面に
露出している。支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の
左右の両側面から突出しておらず、支持金属板１０の左
右の両端面と樹脂パッケージ１２の左右の両側面とは面
一である。

【００８５】樹脂パッケージ１２における左部及び右部
の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれぞれ形
成されており、支持金属板１０の表面における左右の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
して半田付け部１０ａとなっている。

【００８６】第５の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の表面における第１の半導体チップ２１がダイボン
ディングされる第１の領域と第２の半導体チップ２２が
ダイボンディングされる第２の領域との間には前後方向
に延びる凸条部２５が形成されている。

【００８７】このため、第１の半導体チップ２１及び第
２の半導体チップ２２のうち先にダイボンディングされ
る先の半導体チップの裏面からはみ出した接合材は、凸
条部２５に阻止されて第１の半導体チップ２１及び第２
の半導体チップ２２のうち後にダイボンディングされる
半導体チップのボンディング領域に侵入しない。従っ
て、第１の半導体チップ２１と第２の半導体チップ２２
との間隔を小さくできるので、樹脂パッケージ１２の小
型化と、高周波電力用半導体装置の信頼性及び歩留まり
の向上との両立を図ることができる。

【００８８】（第６の実施形態）以下、本発明の第６の
実施形態に係る高周波電力用半導体装置について、図１
２を参照しながら説明する。

【００８９】図１２（ａ）及び（ｂ）は第６の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、図１２（ａ）は
平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）におけるＸII−Ｘ
II線の断面図である。

【００９０】図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、第
３の実施形態と同様、支持金属板１０の上に、高周波電
力用の第１の半導体チップ２１及び第２の半導体チップ
２２がダイボンディングされ、支持金属板１０、第１及
び第２の半導体チップ２１、２２は樹脂パッケージ１２
にモールドされている。外部リード１１は樹脂パッケー
ジ１２の前後両面からそれぞれ外部に突出していると共
に、支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の裏面に露出
している。支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の左右
の両側面から突出しておらず、支持金属板１０の左右の
両端面と樹脂パッケージ１２の左右の両側面とは面一で
ある。

【００９１】樹脂パッケージ１２における左部及び右部
の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれぞれ形
成されており、支持金属板１０の表面における左右の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
して半田付け部１０ａとなっている。

【００９２】第６の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の表面における第１の半導体チップ２１がダイボン
ディングされる第１の領域及び第２の半導体チップ２２
がダイボンディングされる第２の領域には、それぞれダ
イボンディングされる半導体チップよりも若干大きい平
面形状を持つ凹状部２６が形成されており、第１及び第
２の半導体チップ２１、２２はそれぞれ凹状部２６にお
いて支持金属板１０にダイボンディングされている。

【００９３】このため、第１及び第２の半導体チップ２
２の裏面からはみ出した接合材は凹状部２６から流出し
ないので、他の半導体チップのボンディング領域に侵入
しない。従って、第１の半導体チップ２１と第２の半導
体チップ２２との間隔を小さくできるので、樹脂パッケ
ージ１２の小型化と、高周波電力用半導体装置の信頼性
及び歩留まりの向上との両立を図ることができる。

【００９４】（第７の実施形態）以下、本発明の第７の
実施形態に係る高周波電力用半導体装置について、図１
３を参照しながら説明する。

【００９５】図１３（ａ）及び（ｂ）は第７の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、図１３（ａ）は
平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）におけるＸIII−
ＸIII線の断面図である。

【００９６】図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第
３の実施形態と同様、支持金属板１０の上に、高周波電
力用の第１の半導体チップ２１及び第２の半導体チップ
２２がダイボンディングされ、支持金属板１０、第１及
び第２の半導体チップ２１、２２は樹脂パッケージ１２
にモールドされている。外部リード１１は樹脂パッケー
ジ１２の前後両面からそれぞれ外部に延びていると共
に、支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の裏面に露出
している。支持金属板１０は樹脂パッケージ１２の左右
の両側面から突出しておらず、支持金属板１０の左右の
両端面と樹脂パッケージ１２の左右の両側面とは面一で
ある。

【００９７】樹脂パッケージ１２における左部及び右部
の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれぞれ形
成されており、支持金属板１０の表面における左右の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
して半田付け部１０ａとなっている。

【００９８】第７の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の表面における第１の半導体チップ２１がダイボン
ディングされる第１の領域及び第２の半導体チップ２２
がダイボンディングされる第２の領域には、それぞれダ
イボンディングされる半導体チップよりも若干大きい平
面形状を持つ凸状部２７が形成されており、第１及び第
２の半導体チップ２１、２２は凸状部２７において支持
金属板１０にダイボンディングされている。

【００９９】このため、第１及び第２の半導体チップ２
２の裏面からはみ出した接合材は凸状部２７の周面に付
着し、他の半導体チップのボンディング領域に侵入しな
い。従って、第１の半導体チップ２１と第２の半導体チ
ップ２２との間隔を小さくできるので、樹脂パッケージ
１２の小型化と、高周波電力用半導体装置の信頼性及び
歩留まりの向上との両立を図ることができる。

【０１００】（第８の実施形態）以下、本発明の第８の
実施形態に係る半導体装置について、図１４を参照しな
がら説明する。

【０１０１】図１４（ａ）及び（ｂ）は第８の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、図１４（ａ）は
平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）におけるＸIV−Ｘ
IV線の断面図である。

【０１０２】図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、支
持金属板１０の上に高周波電力用の半導体チップ２３が
ダイボンディングされ、支持金属板１０及び半導体チッ
プ２３は樹脂パッケージ１２にモールドされている。外
部リード１１は樹脂パッケージ１２の前後の両側面から
それぞれ外部に突出していると共に、支持金属板１０は
樹脂パッケージ１２の裏面に露出している。支持金属板
１０は樹脂パッケージ１２の左右の両側面から突出して
おらず、支持金属板１０の左右の両端面と樹脂パッケー
ジ１２の左右の両側面とは面一である。

【０１０３】樹脂パッケージ１２における左部及び右部
の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれぞれ形
成されており、支持金属板１０の表面における左右の各
中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出
して半田付け部１０ａとなっている。

【０１０４】第８の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の表面における半導体チップ２３がダイボンディン
グされる領域の周囲には、該ダイボンディング領域に近
接し且つ半導体チップ２３の各辺に沿って延びる断面Ｖ
字状の凹状溝２４がそれぞれ形成されている。

【０１０５】このため、半導体チップ２３の裏面からは
み出した接合材は凹状溝２４に収納されて、支持金属板
１０の表面における半田付け部１０ａ及び支持金属板１
０の裏面には流動しないので、半導体チップ２３のボン
ディング領域ひいては樹脂パッケージ１２のサイズを小
さくすることができる。

【０１０６】凹状溝２４の幅を０．２ｍｍとすると、半
導体チップ２３のボンディング領域の各辺の長さを、半
導体チップ２３の各辺の長さに０．４ｍｍを加えた値に
まで小さくできる。従来、半導体チップの各辺の長さに
０．６×２＝１．２ｍｍを加えた値に設定されていた半
導体チップのボンディング領域の各辺の長さを０．８ｍ
ｍも小さくすることができる。このため、支持金属板１
０の左右の両端面と樹脂パッケージ１２の左右の両側面
とを面一にしたことにより、樹脂パッケージ１２の大き
さを５ｍｍ角から３ｍｍ角に小型化できる上に、さらに
各辺の長さを０．８ｍｍも小さくできるので、高周波電
力用半導体装置の小型化に大きく寄与することができ
る。

【０１０７】

【発明の効果】第１の高周波電力用半導体装置による
と、支持金属板の表面の縁部に設けられた半田付け部に
おいてプリント基板の接地パターンと確実に半田付けす
ることができると共に、半田を上方から目視検査又はテ
レビカメラ等で確認することができるため、支持金属板
を樹脂パッケージから突出させることなく、支持金属板
をプリント基板に確実に半田付けすることができる。こ
のため、樹脂パッケージの小型化とデバイスの信頼性及
び歩留まりの向上との両立を図ることができる。

【０１０８】第１の高周波電力用半導体装置において、
外部リードが樹脂パッケージの互いに対向する一対の側
面から外部に突出するように設けられていると、対向す
る一対の側面から突出する外部リードを有する構造の高
周波電力用半導体装置の小型化を実現できる。

【０１０９】この場合、半田付け部が、支持金属板の表
面における外部リードが突出していない方の互いに対向
する他の一対の側縁部に設けられていると、支持金属板
は対向する他の一対の側縁部においてプリント基板の接
地パターンに半田付けされるので、高周波電力用半導体
装置のプリント基板への接合がより確実になる。

【０１１０】また、支持金属板が、その裏面における外
部リードが突出していない方の互いに対向する一対の側
辺に架けて連続して樹脂パッケージから露出する露出部
を有し、該露出部と半田付け部とが支持金属板の側面を
介して連続して樹脂パッケージから露出していると、支
持金属板はプリント基板の接地パターンに、支持金属板
の半田付け部、側面及び露出部の全面に亘って確実に半
田付けされるので、高周波電力用半導体装置のプリント
基板への接合がより一層確実になる。

【０１１１】第１の高周波電力用半導体装置において、
外部リードが樹脂パッケージの４側面に設けられ、半田
付け部が支持金属板の表面の少なくとも１つの隅部に設
けられていると、４側面から突出する外部リードを有す
る構造の高周波電力用半導体装置の小型化を実現でき
る。

【０１１２】第１の高周波電力用半導体装置において、
外部リードが樹脂パッケージの４側面から設けられ、半
田付け部が支持金属板の表面の四隅に設けられている
と、支持金属板は四隅においてプリント基板の接地パタ
ーンに半田付けされるので、高周波電力用半導体装置の
プリント基板への接合がより確実になる。

【０１１３】第１の高周波電力用半導体装置において、
半田との親和性に優れた材料よりなり、支持金属板にお
ける樹脂パッケージから露出している部分を覆うように
設けられた被覆材を備えていると、半田が支持金属板の
半田付け部とプリント基板の接地パターンとに架けて確
実に広がるので、半田付けの強度が向上すると共に支持
金属板の接地性が向上する。特に、支持金属板の露出部
と半田付け部とが支持金属板の側面を介して連続して樹
脂パッケージから露出する構造の高周波電力用半導体装
置において、支持金属板における樹脂パッケージから露
出している部分を覆う被覆材を備えていると、半田が支
持金属板の半田付け部、側面及び露出部に架けて濡れた
状態でスムーズに拡がるので、支持金属板と接地パター
ンとの接合強度が向上する。

【０１１４】第２の高周波電力用半導体装置によると、
半導体チップの裏面からはみ出す程度に十分な量の接合
材を供給しても、接合材がダイボンディング領域から外
側に広がり難いため、支持金属板におけるダイボンディ
ング領域の周辺に接合材の広がり領域を確保しなくても
よいので、樹脂パッケージひいては高周波電力用半導体
装置の小型化を図ることができる。

【０１１５】第３の高周波電力用半導体装置によると、
半導体チップの裏面からはみ出す程度に十分な量の接合
材を供給しても、接合材がダイボンディング領域から外
側に広がり難いので、支持金属板におけるダイボンディ
ング領域の周辺に接合材の広がり領域を確保しなくても
よく、樹脂パッケージひいては高周波電力用半導体装置
の小型化を図ることができる。

【０１１６】第４の高周波電力用半導体装置によると、
半導体チップの裏面からはみ出す程度に十分な量の接合
材を供給しても、接合材が凹状部から流出しないため、
支持金属板におけるダイボンディング領域の周辺に接合
材の広がり領域を確保しなくてもよいので、樹脂パッケ
ージひいては高周波電力用半導体装置の小型化を図るこ
とができる。

【０１１７】第５の高周波電力用半導体装置によると、
半導体チップの裏面からはみ出す程度に十分な量の接合
材を供給しても、接合材が凸状部の側面に付着して支持
金属板におけるダイボンディング領域の周辺に広がり難
いため、ダイボンディング領域の周辺に接合材の広がり
領域を確保しなくてもよいので、樹脂パッケージひいて
は高周波電力用半導体装置の小型化を図ることができ
る。

【０１１８】第６の高周波電力用半導体装置によると、
第１の半導体チップのダイボンディング領域と第２の半
導体チップのダイボンディング領域との間に収納凹部が
形成されているため、先にダイボンディングされる半導
体チップの裏面からはみ出した接合材が後にダイボンデ
ィングされる半導体チップのボンディング領域に侵入し
ないので、第１の半導体チップと第２の半導体チップと
の間隔を小さくでき、これにより、複数の半導体チップ
がモールドされた樹脂パッケージひいては高周波電力用
半導体装置の小型化を図ることができる。

【０１１９】第７の高周波電力用半導体装置によると、
第１の半導体チップのダイボンディング領域と第２の半
導体チップのダイボンディング領域との間に流動阻止凸
部が形成されているため、先にダイボンディングされる
半導体チップの裏面からはみ出した接合材が後にダイボ
ンディングされる半導体チップのボンディング領域に侵
入しないので、第１の半導体チップと第２の半導体チッ
プとの間隔を小さくでき、これにより、複数の半導体チ
ップがモールドされた樹脂パッケージひいては高周波電
力用半導体装置の小型化を図ることができる。

【０１２０】第８の高周波電力用半導体装置によると、
第１の半導体チップ及び第２の半導体チップは第１の凹
状部及び第２の凹状部においてそれぞれ支持金属板にダ
イボンディングされているため、第１の半導体チップ及
び第２の半導体チップのうち先にダイボンディングされ
る半導体チップの裏面からはみ出した接合材が後にダイ
ボンディングされる半導体チップのボンディング領域に
侵入しないので、第１の半導体チップと第２の半導体チ
ップとの間隔を小さくでき、これにより、複数の半導体
チップがモールドされた樹脂パッケージひいては高周波
電力用半導体装置の小型化を図ることができる。

【０１２１】第９の高周波電力用半導体装置によると、
第１の半導体チップ及び第２の半導体チップは第１の凸
状部及び第２の凸状部においてそれぞれ支持金属板にダ
イボンディングされているため、第１の半導体チップ及
び第２の半導体チップのうち先にダイボンディングされ
る半導体チップの裏面からはみ出した接合材が後にダイ
ボンディングされる半導体チップのボンディング領域に
侵入しないので、第１の半導体チップと第２の半導体チ
ップとの間隔を小さくでき、これにより、複数の半導体
チップがモールドされた樹脂パッケージひいては高周波
電力用半導体装置の小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係
る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断面図、（ｃ）は正
面図、（ｄ）は底面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置の斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施形態の変形例に係る高周波
電力用半導体装置の斜視図である。

【図４】本発明の第１の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置がプリント基板に実装された状態を示す斜視図
である。

【図５】本発明の第１の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置がプリント基板に実装された状態を示す、図４
におけるＶ−Ｖ線の断面図である。

【図６】本発明の第２の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置の斜視図である。

【図７】本発明の第２の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置の平面図である。

【図８】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に
係る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）におけるＶIII−ＶIII線の断面図
である。

【図９】本発明の第３の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置に用いられるリードフレームの平面図である。

【図１０】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ線の断面図であ
る。

【図１１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第５の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸI−ＸI線の断面図で
ある。

【図１２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第６の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸII−ＸII線の断面図
である。

【図１３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第７の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸIII−ＸIII線の断面
図である。

【図１４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第８の実施形態
に係る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸIV−ＸIV線の断面図
である。

【図１５】（ａ）〜（ｄ）は第１の従来例に係る半導体
装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における
ＸV−ＸV線の断面図、（ｂ）は正面図、（ｄ）は底面図
である。

【図１６】（ａ）〜（ｄ）は第２の従来例に係る半導体
装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｂ）
は正面図、（ｄ）は底面図である。

【図１７】（ａ）及び（ｂ）は第３の従来例に係る半導
体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図であ
る。

【図１８】（ａ）及び（ｂ）は第４の従来例に係る半導
体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＸVIII−ＸVIII線の断面図である。

【符号の説明】

１０ 支持金属板 １０ａ 半田付け部 １０ｂ 露出部 １０ｃ 前後の側面 １０ｄ 延出部 １１ 外部リード １２ 樹脂パッケージ １２ａ 切り欠き部 １５ プリント基板 １５ａ リードパターン １５ｂ 接地パターン １６ 半田 ２０ リードフレーム ２０ａ 吊りリード部 ２１ 第１の半導体チップ ２２ 第２の半導体チップ ２３ 半導体チップ ２４ 凹状溝 ２５ 凸条部 ２６ 凹状部 ２７ 凸状部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西嶋 将明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山本 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 伊藤 順治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 藤原 俊夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村松 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波電力用の半導体チップと、表面に
   前記半導体チップがダイボンディングされている支持金
   属板と、前記支持金属板を周囲からはみ出させることな
   く且つ前記支持金属板の裏面を露出させた状態で前記半
   導体チップ及び支持金属板をモールドしている直方体状
   の樹脂パッケージと、該樹脂パッケージの側面から外部
   に突出するように設けられ前記半導体チップの信号用電
   極と電気的に接続されている外部リードとを備え、接地
   パターンを有するプリント基板上に実装される高周波電
   力用半導体装置において、 前記樹脂パッケージの縁部が切り欠かれることにより露
   出した前記支持金属板の表面の縁部に設けられ、前記プ
   リント基板の接地パターンと半田付けされる半田付け部
   を備えていることを特徴とする高周波電力用半導体装
   置。
2. 【請求項２】 前記外部リードは、前記樹脂パッケージ
   の互いに対向する一対の側面からそれぞれ外部に突出す
   るように設けられていることを特徴とする請求項１に記
   載の高周波電力用半導体装置。
3. 【請求項３】 前記半田付け部は、前記支持金属板の表
   面における前記外部リードが突出しいない方の互いに対
   向する一対の側縁部にそれぞれ設けられていることを特
   徴とする請求項２に記載の高周波電力用半導体装置。
4. 【請求項４】 前記支持金属板は、該支持金属板の裏面
   における前記外部リードが突出していない方の互いに対
   向する一対の側辺に架けて連続して前記樹脂パッケージ
   から露出する露出部を有し、 前記露出部と前記半田付け部とは前記支持金属板の側面
   を介して連続して前記樹脂パッケージから露出している
   ことを特徴とする請求項３に記載の高周波電力用半導体
   装置。
5. 【請求項５】 前記外部リードは、前記樹脂パッケージ
   の４つの側面からそれぞれ外部に突出するように設けら
   れており、前記半田付け部は、前記支持金属板の表面の
   少なくとも１つの隅部に設けられていることを特徴とす
   る請求項１に記載の高周波電力用半導体装置。
6. 【請求項６】 前記外部リードは、前記樹脂パッケージ
   の４つの側面からそれぞれ外部に突出するように設けら
   れており、前記半田付け部は、前記支持金属板の表面の
   ４つの隅部にそれぞれ設けられていることを特徴とする
   請求項１に記載の高周波電力用半導体装置。
7. 【請求項７】 半田との親和性に優れた材料よりなり、
   前記支持金属板における前記樹脂パッケージから露出し
   ている部分を覆うように設けられた被覆材をさらに備え
   ていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に
   記載の高周波電力用半導体装置。
8. 【請求項８】 高周波電力用の半導体チップと、該半導
   体チップが該半導体チップの裏面に供給された接合材を
   介してダイボンディングされている支持金属板と、前記
   半導体チップ及び支持金属板をモールドしている樹脂パ
   ッケージと、該樹脂パッケージの側面から外部に突出す
   るように設けられ前記半導体チップの信号用電極と電気
   的に接続されている外部リードとを備えた高周波電力用
   半導体装置において、 前記支持金属板における前記半導体チップがダイボンデ
   ィングされる領域の周辺部に形成され、前記半導体チッ
   プの裏面からはみ出した前記接合材を収納する収納凹部
   を備えていることを特徴とする高周波電力用半導体装
   置。
9. 【請求項９】 高周波電力用の半導体チップと、該半導
   体チップが該半導体チップの裏面に供給された接合材を
   介してダイボンディングされている支持金属板と、前記
   半導体チップ及び支持金属板をモールドしている樹脂パ
   ッケージと、該樹脂パッケージの側面から外部に突出す
   るように設けられ前記半導体チップの信号用電極と電気
   的に接続されている外部リードとを備えた高周波電力用
   半導体装置において、 前記支持金属板における前記半導体チップがダイボンデ
   ィングされる領域の周辺部に形成され、前記半導体チッ
   プの裏面からはみ出した前記接合材が流動することを阻
   止する流動阻止用凸部を備えていることを特徴とする高
   周波電力用半導体装置。
10. 【請求項１０】 高周波電力用の半導体チップと、該半
    導体チップが該半導体チップの裏面に供給された接合材
    を介してダイボンディングされている支持金属板と、前
    記半導体チップ及び支持金属板をモールドしている樹脂
    パッケージと、該樹脂パッケージの側面から外部に突出
    するように設けられ前記半導体チップの信号用電極と電
    気的に接続されている外部リードとを備えた高周波電力
    用半導体装置において、 前記支持金属板に形成され、前記半導体チップの平面形
    状よりも若干大きい平面形状を有する凹状部を備え、前
    記半導体チップは前記凹状部内において前記支持金属板
    にダイボンディングされていることを特徴とする高周波
    電力用半導体装置。
11. 【請求項１１】 高周波電力用の半導体チップと、該半
    導体チップが該半導体チップの裏面に供給された接合材
    を介してダイボンディングされている支持金属板と、前
    記半導体チップ及び支持金属板をモールドしている樹脂
    パッケージと、該樹脂パッケージの側面から外部に突出
    するように設けられ前記半導体チップの信号用電極と電
    気的に接続されている外部リードとを備えた高周波電力
    用半導体装置において、 前記支持金属板に形成され、前記半導体チップの平面形
    状よりも若干大きい平面形状を有する凸状部を備え、前
    記半導体チップは前記凸状部内において前記支持金属板
    にダイボンディングされていることを特徴とする高周波
    電力用半導体装置。
12. 【請求項１２】 高周波電力用の第１の半導体チップ及
    び第２の半導体チップと、該第１及び第２の半導体チッ
    プが該第１及び第２の半導体チップの各裏面に供給され
    た接合材を介してダイボンディングされている支持金属
    板と、前記第１及び第２の半導体チップ並びに支持金属
    板をモールドしている樹脂パッケージと、該樹脂パッケ
    ージの側面から外部に突出するように設けられ前記第１
    及び第２の半導体チップの信号用電極と電気的に接合さ
    れている外部リードとを備えた高周波電力用半導体装置
    において、 前記支持金属板における前記第１の半導体チップがダイ
    ボンディングされる第１の領域と前記第２の半導体チッ
    プがダイボンディングされる第２の領域との間に形成さ
    れ、前記第１の半導体チップ及び第２の半導体チップの
    うちの少なくとも１つの半導体チップの裏面からはみ出
    した前記接合材を収納する収納凹部を備えていることを
    特徴とする高周波電力用半導体装置。
13. 【請求項１３】 高周波電力用の第１の半導体チップ及
    び第２の半導体チップと、該第１及び第２の半導体チッ
    プが該第１及び第２の半導体チップの各裏面に供給され
    た接合材を介してダイボンディングされている支持金属
    板と、前記第１及び第２の半導体チップ並びに支持金属
    板をモールドしている樹脂パッケージと、該樹脂パッケ
    ージの側面から外部に突出するように設けられ前記第１
    及び第２の半導体チップの信号用電極と電気的に接合さ
    れている外部リードとを備えた高周波電力用半導体装置
    において、 前記支持金属板における前記第１の半導体チップがダイ
    ボンディングされる第１の領域と前記第２の半導体チッ
    プがダイボンディングされる第２の領域との間に形成さ
    れ、前記第１の半導体チップ及び第２の半導体チップの
    うちの少なくとも１つの半導体チップの裏面からはみ出
    した前記接合材が流動することを阻止する流動阻止用凸
    部を備えていることを特徴とする高周波電力用半導体装
    置。
14. 【請求項１４】 高周波電力用の第１の半導体チップ及
    び第２の半導体チップと、該第１及び第２の半導体チッ
    プが該第１及び第２の半導体チップの各裏面に供給され
    た接合材を介してダイボンディングされている支持金属
    板と、前記第１及び第２の半導体チップ並びに支持金属
    板をモールドしている樹脂パッケージと、該樹脂パッケ
    ージの側面から外部に突出するように設けられ前記第１
    及び第２の半導体チップの信号用電極と電気的に接合さ
    れている外部リードとを備えた高周波電力用半導体装置
    において、 前記支持金属板に形成され、前記第１の半導体チップの
    平面形状よりも若干大きい平面形状を有する第１の凹状
    部と、前記支持金属板に形成され、前記第２の半導体チ
    ップの平面形状よりも若干大きい平面形状を有する第２
    の凹状部とを備え、前記第１の半導体チップは前記第１
    の凹状部内において前記支持金属板にダイボンディング
    されており、前記第２の半導体チップは前記第２の凹状
    部内において前記支持金属板にダイボンディングされて
    いることを特徴とする高周波電力用半導体装置。
15. 【請求項１５】 高周波電力用の第１の半導体チップ及
    び第２の半導体チップと、該第１及び第２の半導体チッ
    プが該第１及び第２の半導体チップの各裏面に供給され
    た接合材を介してダイボンディングされている支持金属
    板と、前記第１及び第２の半導体チップ並びに支持金属
    板をモールドしている樹脂パッケージと、該樹脂パッケ
    ージの側面から外部に突出するように設けられ前記第１
    及び第２の半導体チップの信号用電極と電気的に接合さ
    れている外部リードとを備えた高周波電力用半導体装置
    において、 前記支持金属板に形成され、前記第１の半導体チップの
    平面形状よりも若干大きい平面形状を有する第１の凸状
    部と、前記支持金属板に形成され、前記第２の半導体チ
    ップの平面形状よりも若干大きい平面形状を有する第２
    の凸状部とを備え、前記第１の半導体チップは前記第１
    の凸状部内において前記支持金属板にダイボンディング
    されており、前記第２の半導体チップは前記第２の凸状
    部内において前記支持金属板にダイボンディングされて
    いることを特徴とする高周波電力用半導体装置。