JPH06188245A - 半導体装置およびその配線信頼性評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、集積回路を形成する金属配線に発
生するジュール熱を除去し、そのエレクトロマイグレー
ション耐性を正確かつ短時間に評価することができる半
導体装置およびその配線信頼性評価方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 ＳｉＯ₂ から成る絶縁膜２は熱伝導性を大き
く阻害しない膜厚を有し、Ｓｉから成る半導体基板１の
上面側に配置されている。高い熱伝導性を有するＡｌ合
金から成る金属薄膜３は絶縁膜２の内部に配置されてい
る。高い熱伝導性を有するＡｌ合金から成る金属配線４
は金属配線３より小さい層面積を成す配線幅を有し、絶
縁膜２の上部に配置されている。ＰＳＧから成るパッシ
ベーション膜５は金属配線４および絶縁膜２の上部に配
置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は集積回路を形成する金属
配線に発生するジュール熱の除去のための構造に特徴の
ある半導体装置および半導体装置における集積回路を形
成する金属配線の信頼性評価方法に関するもので、恒温
環境下の半導体装置における集積回路を形成する金属配
線のエレクトロマイグレーション耐性の評価に用いられ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の集積回路を形成する金属配
線では、比較的低温な環境においても一定値以上の電流
密度をもつ電流が流れると、金属配線を構成する金属原
子が電子の動く方向に移動することが知られている。そ
の金属原子が移動した跡にはボイドが生じ、その付近で
の金属原子の膜厚が減少するため電流密度が増加し、そ
のため発生するジュール熱によりますます金属原子の移
動が加速され、ついには金属配線が断線してしまう。こ
の現象はエレクトロマイグレーションと称される。

【０００３】従来、集積回路を形成する金属配線のエレ
クトロマイグレーション耐性を評価するため、恒温環境
において金属配線に過剰電流を流す加速試験が実施され
ている。この試験では、金属配線において電流によるジ
ュール熱が発生し、配線温度は環境温度より上昇する。
また、この試験を短時間で終了するには環境温度を比較
的高温にすることが効果的であるが、金属配線の温度が
３００℃付近を越えると金属配線を構成する金属の拡散
機構が実使用環境における場合と異なってしまう。その
ため、金属配線の温度がジュール熱によって上昇するこ
とは、エレクトロマイグレーション耐性の迅速な評価を
妨げることになる。このような試験に用いられる金属配
線の配線信頼性評価パターンとして、次の二つのものが
知られている。

【０００４】第１のパターンは図５に示すようにストレ
ートパターンと称され、細い配線幅である評価対象７の
単調な構造によりその内部で温度勾配を生じないため、
金属配線のエレクトロマイグレーション耐性を正確に評
価できる。第２のパターンは図６に示すようにＳＷＥＡ
Ｔパターンと称され、電流により発生したジュール熱を
太い配線幅である放熱部分８から放熱し、細い配線幅の
評価対象７の温度を減少させるため、エレクトロマイグ
レーション試験を短時間で終了することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の配線評価パターンを有する半導体装置では、そのエ
レクトロマイグレーション耐性を評価するために下記の
ような欠点がある。

【０００６】ストレートパターンによれば、電流により
発生したジュール熱の除去を考慮していない構造のため
金属配線の温度上昇を抑えることができず、エレクトロ
マイグレーション耐性を短時間で評価することができな
い。ＳＷＥＡＴパターンによれば、細い配線幅部分と太
い配線幅部分との境界領域に熱勾配が生じ、金属配線を
構成する金属原子の過不足を生じるため、その境界領域
附近で断線や金属が突起状に突き出すヒロック等のエレ
クトロマイグレーションに因らない効果が発生し、エレ
クトロマイグレーション耐性を正確に評価できない。

【０００７】そこで本発明は、上記従来のストレートパ
ターンを利用して、集積回路を形成する金属配線のエレ
クトロマイグレーション耐性を正確かつ短時間に評価す
ることができる半導体装置を提供することを目的とす
る。

【０００８】また本発明は、集積回路を形成する金属配
線のエレクトロマイグレーション耐性を正確かつ短時間
に評価することができる半導体装置を利用して、そうで
はない半導体装置の配線信頼性評価方法を提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の第１の態様のものは、半導体基板の上面側に集積回路
を形成する金属配線と、この金属配線の下部に配置され
熱伝導を大きく阻害しない膜厚を有する絶縁膜と、この
絶縁膜の下部に配置されその金属配線より大きな層面積
を成し良好な熱伝導性を有する金属薄膜とを備えること
を特徴とする。

【００１０】また本発明に係る半導体装置の第２の態様
のものは、半導体基板の上面側に集積回路を形成する金
属配線と、その集積回路の周辺に配置されこの金属配線
の一部とほぼ同一パターンを有する評価用の金属配線
と、この評価用の金属配線の下部に配置され熱伝導を大
きく阻害しない膜厚を有する絶縁膜と、この絶縁膜の下
部に配置されその評価用の金属配線より大きな層面積を
成し良好な熱伝導性を有する金属薄膜とを備えることを
特徴とする。

【００１１】また本発明に係る半導体装置の配線信頼性
評価方法の第１の態様のものは、一つの半導体ウェハに
本発明に係る半導体装置の第１の態様のものおよびその
半導体装置の金属配線とほぼ同一パターンを有して集積
回路を形成する金属配線を半導体基板の上面側に備える
評価対象の半導体装置を製造するステップと、本発明に
係る半導体装置の第１の態様のものにおける金属配線の
エレクトロマイグレーション耐性を評価するステップ
と、その評価の結果から評価対象の半導体装置における
金属配線のエレクトロマイグレーション耐性を推定する
ステップとを備えることを特徴とする。

【００１２】また本発明に係る半導体装置の配線信頼性
評価方法の第２の態様のものは、一つの半導体ウェハに
本発明に係る第２の態様のものを製造するステップと、
その半導体装置における評価用の金属配線のエレクトロ
マイグレーション耐性を評価するステップと、その評価
の結果からその半導体装置における集積回路を形成する
金属配線の一部のエレクトロマイグレーション耐性を推
定するステップとを備えることを特徴とする。

【００１３】

【作用】本発明に係る半導体装置の第１の態様のものは
以上の通りに構成されるので、集積回路を形成する金属
配線に対するエレクトロマイグレーション試験におい
て、その金属薄膜はその金属配線に発生するジュール熱
を放熱し、その金属配線の温度上昇を抑えるので、その
金属配線のエレクトロマイグレーション耐性を正確かつ
短時間に評価するように作用する。

【００１４】また本発明に係る半導体装置の第２の態様
のものは以上の通りに構成されるので、集積回路を形成
する金属配線の一部とほぼ同一パターンである評価用の
金属配線に対するエレクトロマイグレーション試験にお
いて、その金属薄膜はその評価用の金属配線に発生する
ジュール熱を放熱し、その評価用の金属配線の温度上昇
を抑えるので、その評価用の金属配線のエレクトロマイ
グレーション耐性を正確かつ短時間に評価するように作
用する。

【００１５】また本発明に係る半導体装置の配線信頼性
評価方法の第１の態様のものは以上の通りに構成される
ので、本発明に係る半導体装置の第１の態様のものにお
ける集積回路を形成する金属配線のエレクトロマイグレ
ーション耐性を正確かつ短時間に評価することにより、
その半導体装置と共に同一の半導体ウェハに製造されて
ほぼ同一パターンを有して集積回路を形成する金属配線
を半導体基板の上面側に備える評価対象の半導体装置に
おける金属配線のエレクトロマイグレーション耐性を推
定するように作用する。

【００１６】また本発明に係る半導体装置の配線信頼性
評価方法の第２の態様のものは以上の通りに構成される
ので、本発明に係る半導体装置の第２の態様のものにお
ける評価用の金属配線のエレクトロマイグレーション耐
性を正確かつ短時間に評価することにより、その評価用
の金属配線とほぼ同一パターンを有して集積回路を形成
する金属配線の一部のエレクトロマイグレーション耐性
を推定するように作用する。

【００１７】

【実施例】以下、添付図面の図１ないし図４を参照し
て、本発明の一実施例を説明する。なお、図面の説明に
おいて同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省
略する。

【００１８】まず、図１を参照して、本発明に係る第１
の半導体装置の構成を説明する。図１は本発明に係る半
導体装置の一実施例の構造を示す断面図である。図１に
示すように、本発明に係る第１の半導体装置は、半導体
基板１、絶縁膜２、金属薄膜３、金属配線４およびパッ
シベーション膜５で構成されている。ＳｉＯ₂ から成る
絶縁膜２は、熱伝導性を大きく阻害しない膜厚を有して
おり、Ｓｉから成る半導体基板１の上面側に配置され、
これにより半導体基板１はその上部を絶縁されている。
高い熱伝導性を有するＡｌ合金から成る金属薄膜３は絶
縁膜２の内部に配置され、その周囲を絶縁されている。
高い熱伝導性を有するＡｌ合金から成る金属配線４は、
金属配線３より層面積が小さい配線幅を有しており、絶
縁膜２の上部に配置され、これにより図示していない集
積回路は半導体基板の上面側に形成されている。ＰＳＧ
から成るパッシベーション膜５が金属配線４および絶縁
膜２の上部に配置され、これと共に絶縁膜２により金属
配線４の周囲は絶縁されている。

【００１９】次に、図１を参照して、上記実施例の第１
の半導体装置の作用を説明する。本発明に係る第１の半
導体装置における集積回路を形成する金属配線４のエレ
クトロマイグレーション試験で、金属配線４は電流を流
すとジュール熱を発生し、ジュール熱の一部は金属配線
４の下部に配置されている絶縁膜２に伝導される。絶縁
膜２は熱伝導を大きく阻害しない程度の膜厚に形成され
ているので、ジュール熱は絶縁膜２を媒介して金属薄膜
３に伝導される。金属薄膜３は金属配線４と比較して大
きい層面積を成しているので、金属配線４の下部に配置
されている絶縁膜２を媒介するジュール熱の多くは金属
薄膜３に吸熱される。また、金属薄膜３は絶縁膜２と比
較してかなり高い熱伝導性を有しているので、ジュール
熱は金属薄膜３の下部に配置している絶縁膜２に速やか
に伝導される。やはり、絶縁膜２は熱伝導を大きく阻害
しない程度の膜厚に形成されているので、ジュール熱は
絶縁膜２を媒介して半導体基板１に伝導される。半導体
基板１は絶縁膜２と比較してかなり高い熱伝導性を有し
ているので、ジュール熱は半導体装置の外部に速やかに
伝導される。従って、金属薄膜３が存在するために金属
配線４に発生するジュール熱の多くは速やかに半導体装
置の外部に伝導され、金属配線４の温度上昇は抑制され
ることになる。

【００２０】次に、図１を参照して、上記実施例の第１
の半導体装置の製造方法を説明する。まず、Ｓｉから成
る半導体基板１上にＳｉＯ₂ から成る絶縁膜２を熱酸化
法等により形成する。次に、Ａｌ原子の粒界拡散を抑え
るためＳｉおよびＣｕ等をそれぞれ一定の微少量のだけ
含むＡｌ合金をスパッタ法等により絶縁膜２上に堆積さ
せ、リソグラフィー技術、異方性エッチング法等により
半導体基板１に対し適当な層面積を成す幅に加工し、金
属薄膜３を形成する。次に、金属薄膜３の周囲を絶縁膜
２と共に被覆するように、Ｓｉ０₂ をＣＶＤ法等により
形成し、新たに絶縁膜２とする。次に、金属薄膜３と同
様にしてＳｉおよびＣｕをそれぞれ一定の微少量だけ含
むＡｌ合金を絶縁膜２上に堆積させ、金属薄膜３上に位
置し金属薄膜３より小さな幅に加工し、金属配線４を形
成する。さらに、金属配線４の周囲を絶縁膜２と共に被
覆するように、Ｓｉ₃ Ｎ₄ またはＰＳＧ等から成るパッ
シベーション膜５をＣＶＤ法等により形成する。

【００２１】次に、図１および図２を参照して、本発明
に係る第２の半導体装置の構成を説明する。図２は、評
価対象となる半導体装置の構造を示す断面図である。本
発明に係る第２の半導体装置は主として次の二つの部分
から構成されている。第１の部分は半導体基板の上面側
に集積回路を備えており、第２の部分はその集積回路の
周辺部となる半導体基板の上面側に評価用の金属配線を
備えている。第１の部分は図２に示すように半導体基板
１、絶縁膜２、金属配線４およびパッシベーション膜５
で構成され、その状態は金属薄膜３が無いことを除いて
本発明に係る第１の半導体装置とほぼ同一である。また
第２の部分は図１に示すように半導体基板１、絶縁膜
２、金属薄膜３、金属配線４およびパッシベーション膜
５で構成され、その状態は本発明に係る第１の半導体装
置とほぼ同一であり、評価用の金属配線である金属配線
４は第１の部分で図示していない集積回路を形成してい
る金属配線から選択された一部とほぼ同一パターンを有
している。

【００２２】次に、上記実施例の第２の半導体装置の作
用を説明する。本発明に係る第２の半導体装置における
集積回路の周辺に配置されている評価用の金属配線のエ
レクトロマイグレーション試験で、評価用の金属配線は
電流を流すとジュール熱を発生する。この評価用の金属
配線における断面構造は本発明に係る第１の半導体装置
における金属配線のものとほぼ同一であるので、上記と
同様にして評価用の金属配線に発生するジュール熱の多
くは速やかに半導体装置の外部に伝導され、評価用の金
属配線の温度上昇は抑制されることになる。

【００２３】次に、上記実施例の第２の半導体装置の製
造方法を説明する。集積回路を形成する金属配線を備え
ている部分は、上記の第１の半導体装置の製造方法から
金属薄膜を形成する工程を除いた製造方法により製造す
る。集積回路の周辺部で評価用の金属配線を備えている
部分は、上記の第１の半導体装置の製造方法により製造
する。

【００２４】次に、図１および図３を参照して、上記実
施例の半導体装置における金属薄膜の作用を確認する実
験を説明する。図３は、本発明の実施例に係る半導体装
置における金属薄膜の幅に対する金属配線の温度の関係
を示すグラフである。実験に用いる上記の半導体装置で
は、金属薄膜３および金属配線４を構成するＡｌ合金に
含まれるＳｉおよびＣｕの量をそれぞれ１％、０．５％
とした。エレクトロマイグレーション耐性を評価するた
めに、金属薄膜３に対する配線幅を２．４μｍに加工し
た金属配線４に実室温環境において電流密度が２０ｍＡ
／μｍ² となる電流を流した。金属配線４の抵抗値はオ
ームの法則により電流値及び電圧値を実測して求まる。
その抵抗値をｒ、絶対零度における配線抵抗値をｒ₀ と
して、金属配線４の温度ｔとの間に次の関係式が成り立
つ。ただし、αは配線温度に対する配線抵抗の変化率で
あり、一定温度における抵抗値を実測することにより求
める。

【００２５】ｒ＝ｒ₀ （１＋αｔ） この関係式によれば配線抵抗から配線温度が求まる。図
３のグラフによれば、金属薄膜３の幅を大きくするほど
金属配線４に発生するジュール熱に対する放熱効果が大
きくなることがわかる。従って、金属薄膜３を金属配線
４が形成する集積回路の全域に対応して配置すれば、金
属配線４に発生するジュール熱に対する放熱効果がさら
に大きくなる。

【００２６】次の表１は、上記実験において金属薄膜３
の材料としてＡｌ合金またはポリシリコンを用いたとき
の金属配線４の温度の比較を示す表である。

【００２７】

【表１】

【００２８】表１は、Ａｌ合金とポリシリコンとではそ
れぞれ熱伝導率が実室温度で２２０Ｗ／ｍ・Ｋ、１４８
Ｗ／ｍ・Ｋと同程度であるため、金属配線４に対してほ
ぼ同様な放熱効果が得られたものである。次の表２は、
上記実験においてパッシベーション膜５が有る場合と無
い場合での金属配線４の温度の比較を示す表である。

【００２９】

【表２】

【００３０】表２から、パッシベーション膜５の有無に
関わらず金属薄膜３による放熱効果が得られるとわか
る。従って、上記実施例の半導体装置における金属薄膜
は、エレクトロマイグレーション耐性を評価する金属配
線における温度上昇の抑制に有効であることがわかる。

【００３１】次に、図１および図２を参照して、本発明
に係る半導体装置の第１の配線信頼性評価方法の構成を
説明する。本発明に係る半導体装置の第１の配線信頼性
評価方法は、次の三つのステップから構成されている。
第１のステップでは、上記実施例の第１の半導体装置の
製造方法により上記実施例の第１の半導体装置を、また
その製造方法から金属薄膜３を形成する工程を除いた製
造方法により集積回路を形成する金属配線４の下部に金
属薄膜３を有しない評価対象の半導体装置を、同一の半
導体ウェハに製造する。それぞれの半導体装置で集積回
路を形成する金属配線における断面構造はそれぞれ図
１、図２に示す通りであり、これらの金属配線４のパタ
ーンはほぼ同一とする。第２のステップでは、上記実施
例の第１の半導体装置における金属配線４のエレクトロ
マイグレーション耐性を正確かつ短時間に評価する。第
３のステップでは、その評価の結果から評価対象の半導
体装置における金属配線４のエレクトロマイグレーショ
ン耐性を推定する。

【００３２】次に、図１および図２を参照して、上記実
施例の半導体装置の第１の配線信頼性評価方法の作用を
説明する。同一の半導体ウェハに上記実施例の第１の半
導体装置および集積回路を形成する金属配線４の下部に
金属薄膜３を有しない評価対象の半導体装置を製造する
ことにより、金属薄膜３の存在のみが異なって同一パタ
ーンを有して集積回路を形成する金属配線を備える２種
類の半導体装置を得る。上記実施例の第１の半導体装置
における金属配線のエレクトロマイグレーション耐性
は、金属薄膜３による放熱効果により正確かつ短時間に
評価される。従って、評価対象の半導体装置における金
属配線は上記実施例の第１の半導体装置における金属配
線と同一パターンを有するので、その評価の結果を用い
てそのエレクトロマイグレーション耐性が推定される。

【００３３】次に、図１および図２ならびに図４を参照
して、本発明に係る半導体装置の第２の配線信頼性評価
方法の構成を説明する。第１のステップでは、上記実施
例の第２の半導体装置の製造方法により上記実施例の第
２の半導体装置を一つの半導体ウェハに製造する。図４
は、本発明に係る半導体装置で集積回路の周辺にある評
価用の金属配線と集積回路を形成する金属配線との対応
を示す説明図である。図４に示すように、この半導体装
置６は集積回路６０の周辺に集積回路６０を形成する金
属配線の一部６１とほぼ同一のパターンである評価用の
金属配線６２を備える。その評価用の金属配線６２にお
ける断面構造は図１に示す通りでその下部に金属薄膜３
を有するが、集積回路６０を形成する金属配線の一部６
１における断面構造は図２に示す通りで金属薄膜３を有
しない。第２のステップでは、その半導体装置６におけ
る評価用の金属配線６２のエレクトロマイグレーション
耐性を正確かつ短時間に評価する。第３のステップで
は、その評価の結果から評価用の金属配線６２と同一パ
ターンを有して集積回路６０を形成する金属配線の一部
６１のエレクトロマイグレーション耐性を推定する。

【００３４】次に、図１および図４を参照して、上記実
施例の半導体装置の第２の配線信頼性評価方法の作用を
説明する。一つの半導体ウェハに上記実施例の第２の半
導体装置を製造することにより、集積回路６０を形成す
る金属配線の一部６１と同一パターンを有する評価用の
金属配線６２を備える半導体装置６を得る。評価用の金
属配線６２のエレクトロマイグレーション耐性は、金属
薄膜３による放熱効果により正確かつ短時間に評価され
る。従って、集積回路６を形成する金属配線の一部６１
は評価用の金属配線６２と同一パターンを有するので、
その評価の結果を用いてそのエレクトロマイグレーショ
ン耐性が推定される。

【００３５】本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、種々の変形が可能である。例えば、本発明に係る
半導体装置における金属薄膜はＡｌやポリシリコンに限
られず、良好な熱伝導性を有し、半導体基板および金属
配線の電導性に対し影響が少ないものであれば、金属配
線に発生するジュール熱を放熱する効果が得られるの
で、いかなるものでもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る半導体装置の第１の態様のものによれば、集積回路を
形成する金属配線に対するエレクトロマイグレーション
試験において、その金属配線に発生するジュール熱は金
属薄膜により放熱される。従って、その金属配線の温度
上昇を抑え、その金属配線のエレクトロマイグレーショ
ン耐性を正確かつ短時間に評価することができる効果が
ある。

【００３７】また本発明に係る半導体装置の第２の態様
のものによれば、集積回路を形成する金属配線の一部と
ほぼ同一パターンである評価用の金属配線に対するエレ
クトロマイグレーション試験において、その評価用の金
属配線に発生するジュール熱は金属薄膜により放熱され
る。従って、その評価用の金属配線の温度上昇を抑え、
その評価用の金属配線のエレクトロマイグレーション耐
性を正確かつ短時間に評価することができる効果があ
る。

【００３８】また本発明に係る半導体装置の配線信頼性
評価方法の第１の態様のものによれば、本発明に係る半
導体装置の第１の態様のものにおける集積回路を形成す
る金属配線のエレクトロマイグレーション耐性を正確か
つ短時間に評価する。従って、その半導体装置と共に同
一の半導体ウェハに製造されほぼ同一パターンを有して
集積回路を形成する金属配線を備える評価対象の半導体
装置における金属配線のエレクトロマイグレーション耐
性を推定することができる効果がある。

【００３９】また本発明に係る半導体装置の配線信頼性
評価方法の第２の態様のものによれば、本発明に係る半
導体装置の第２の態様のものにおける集積回路の周辺に
配置される評価用の金属配線のエレクトロマイグレーシ
ョン耐性を正確かつ短時間に評価する。従って、その評
価用の金属配線とほぼ同一パターンである集積回路を形
成する金属配線の一部のエレクトロマイグレーション耐
性を推定することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の構造を示す
断面図である。

【図２】評価対象となる半導体装置の構造を示す断面図
である。

【図３】本発明の実施例に係る半導体装置における金属
薄膜の幅に対する金属配線の温度の関係を示すグラフで
ある。

【図４】本発明に係る半導体装置で集積回路の周辺にあ
る評価用の金属配線と集積回路を形成する金属配線との
対応を示す説明図である。

【図５】配線信頼性評価に用いるストレートパターンを
示す説明図である。

【図６】配線信頼性評価に用いるＳＷＥＡＴパターンを
示す説明図である。

【符号の説明】

１…半導体基板，２…絶縁膜，３…金属薄膜，４…金属
配線，５…パッシベーション膜，６…半導体装置，６０
…集積回路，６１…金属配線の一部，６２…評価用の金
属配線，７…評価対象，８…放熱部分。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 集積回路を形成する金属配線を半導体基
   板の上面側に備える評価対象の半導体装置において、 前記金属配線の下部に配置され熱伝導を大きく阻害しな
   い膜厚を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の下部に配置され
   前記金属配線より大きな層面積を成し良好な熱伝導性を
   有する金属薄膜とを備えることを特徴とする半導体装
   置。
2. 【請求項２】 集積回路を形成する金属配線を半導体基
   板の上面側に備える半導体装置において、 前記集積回路の周辺に配置され前記金属配線の一部とほ
   ぼ同一パターンを有する評価用の金属配線と、評価用の
   金属配線の下部に配置され熱伝導を大きく阻害しない膜
   厚を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の下部に配置され評価
   用の金属配線より大きな層面積を成し良好な熱伝導性を
   有する金属薄膜とを備えることを特徴とする半導体装
   置。
3. 【請求項３】 一つの半導体ウェハに請求項１記載の半
   導体装置およびその半導体装置における前記金属配線と
   ほぼ同一パターンを有して集積回路を形成する金属配線
   を半導体基板の上面側に備える評価対象の半導体装置を
   製造するステップと、請求項１記載の半導体装置におけ
   る前記金属配線のエレクトロマイグレーション耐性を評
   価するステップと、その評価の結果から前記評価対象の
   半導体装置における前記金属配線のエレクトロマイグレ
   ーション耐性を推定するステップとを備えることを特徴
   とする半導体装置の配線信頼性評価方法。
4. 【請求項４】 一つの半導体ウェハに請求項２記載の半
   導体装置を製造するステップと、前記評価用の金属配線
   のエレクトロマイグレーション耐性を評価するステップ
   と、その評価の結果から前記金属配線の一部のエレクト
   ロマイグレーション耐性を推定するステップとを備える
   ことを特徴とする半導体装置の配線信頼性評価方法。