JPH0618435A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents
欠陥検査装置及び欠陥検査方法Info
- Publication number
- JPH0618435A JPH0618435A JP17411592A JP17411592A JPH0618435A JP H0618435 A JPH0618435 A JP H0618435A JP 17411592 A JP17411592 A JP 17411592A JP 17411592 A JP17411592 A JP 17411592A JP H0618435 A JPH0618435 A JP H0618435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- pattern
- light
- chip
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パターンが規則正しく、繰り返し配置されてい
る基板上において隣接する同一パターンの画像データを
比較することにより欠陥検査を行う装置において、欠陥
の抽出と同時に、抽出された欠陥の凹凸も同時に自動判
定する。 【構成】半導体基板の構成単位であるチップが規則正し
く配置されている半導体基板における欠陥検査工程にお
いて、隣接したチップ間の同一パターンの画像データを
比較し、抽出した差画像を欠陥として認識する。更に、
欠陥部に一定の波長を有する光を照射し反射光の波長を
測定することにより、位相の差から欠陥の凹凸を測定す
る。
る基板上において隣接する同一パターンの画像データを
比較することにより欠陥検査を行う装置において、欠陥
の抽出と同時に、抽出された欠陥の凹凸も同時に自動判
定する。 【構成】半導体基板の構成単位であるチップが規則正し
く配置されている半導体基板における欠陥検査工程にお
いて、隣接したチップ間の同一パターンの画像データを
比較し、抽出した差画像を欠陥として認識する。更に、
欠陥部に一定の波長を有する光を照射し反射光の波長を
測定することにより、位相の差から欠陥の凹凸を測定す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成されたパ
ターンの欠陥や、前記基板上に付着した異物を検出する
欠陥検査装置に関する。
ターンの欠陥や、前記基板上に付着した異物を検出する
欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在までさまざまな欠陥検査方法が開発
されてきたが、その中の一つに比較による欠陥検査方法
として画像を用いるものがある。図３は従来の欠陥検査
装置において撮像された画像データを比較することによ
り欠陥、異物を検出する方法を示したものである。前記
欠陥検査方法を用いて、半導体基板上のパターンの一領
域に欠陥が存在し、前記パターン欠陥を検査する場合に
ついて述べる。前記半導体基板上には一つの構成単位で
あるチップが規則正しく配置されており、前記チップ内
のパターンは同一基板内のチップにおいて同様である。
図３（ａ）は半導体基板上に形成された一チップを光学
的に拡大し、前記撮像された画像を示す図であるが前記
撮像のうち一パターン３０１の一領域にパターン欠陥３
０２が存在した状態を示したものである。次に図３
（ｂ）は図３（ａ）と同一領域を撮像した画像であり前
記パターン欠陥が存在する同一画像内にはパターン欠陥
が存在しない状態を示す。更に図３（ｃ）は、図３
（ａ）と図３（ｂ）の画像を同一基準点を基に比較し図
３（ａ）と図３（ｂ）の差画像を抽出した画像３０２を
示したものである。これにより得られた差画像がパター
ン欠陥として検出できる。前述した様に従来の欠陥検査
装置は異なる２チップ間で同一座標に、同一欠陥が存在
しないということを利用した２チップ間のパターン比較
方式に基づくものであった。従って得られた差画像によ
り撮像された領域内にパターン欠陥及び異物の存在の有
無を確認することができるが比較した２チップのどちら
に前記パターン欠陥及び異物が存在するかは、目視によ
り観察し判断を行なっていた。さらに前記欠陥の発生工
程を同定するために必要となる欠陥の凹凸情報は、前記
目視検査に加え走査型電子顕微鏡から得られるコントラ
ストをもとにして推測を行う。
されてきたが、その中の一つに比較による欠陥検査方法
として画像を用いるものがある。図３は従来の欠陥検査
装置において撮像された画像データを比較することによ
り欠陥、異物を検出する方法を示したものである。前記
欠陥検査方法を用いて、半導体基板上のパターンの一領
域に欠陥が存在し、前記パターン欠陥を検査する場合に
ついて述べる。前記半導体基板上には一つの構成単位で
あるチップが規則正しく配置されており、前記チップ内
のパターンは同一基板内のチップにおいて同様である。
図３（ａ）は半導体基板上に形成された一チップを光学
的に拡大し、前記撮像された画像を示す図であるが前記
撮像のうち一パターン３０１の一領域にパターン欠陥３
０２が存在した状態を示したものである。次に図３
（ｂ）は図３（ａ）と同一領域を撮像した画像であり前
記パターン欠陥が存在する同一画像内にはパターン欠陥
が存在しない状態を示す。更に図３（ｃ）は、図３
（ａ）と図３（ｂ）の画像を同一基準点を基に比較し図
３（ａ）と図３（ｂ）の差画像を抽出した画像３０２を
示したものである。これにより得られた差画像がパター
ン欠陥として検出できる。前述した様に従来の欠陥検査
装置は異なる２チップ間で同一座標に、同一欠陥が存在
しないということを利用した２チップ間のパターン比較
方式に基づくものであった。従って得られた差画像によ
り撮像された領域内にパターン欠陥及び異物の存在の有
無を確認することができるが比較した２チップのどちら
に前記パターン欠陥及び異物が存在するかは、目視によ
り観察し判断を行なっていた。さらに前記欠陥の発生工
程を同定するために必要となる欠陥の凹凸情報は、前記
目視検査に加え走査型電子顕微鏡から得られるコントラ
ストをもとにして推測を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では以下なる問題点を有する。
術では以下なる問題点を有する。
【０００４】人手による目視検査のため、上述したよう
な異物、パターン欠陥検査方法においては、欠陥が発生
した工程を同定するために必要となる欠陥の凹凸情報
は、前記目視検査に加えＳＥＭ観察を行い前記画像デー
タから得られるコントラストをもとにして推測を行うた
め、検査工程を自動化できないばかりか凹凸情報を得る
ためには莫大な工数が必要になる。
な異物、パターン欠陥検査方法においては、欠陥が発生
した工程を同定するために必要となる欠陥の凹凸情報
は、前記目視検査に加えＳＥＭ観察を行い前記画像デー
タから得られるコントラストをもとにして推測を行うた
め、検査工程を自動化できないばかりか凹凸情報を得る
ためには莫大な工数が必要になる。
【０００５】そこで本発明はこのような問題を解決する
もので、その目的とするところは、パターン欠陥及び異
物の凹凸情報を人手を介すことなく円滑に同定すること
が可能な欠陥検査装置およびその検査方法を提供すると
ころにある。
もので、その目的とするところは、パターン欠陥及び異
物の凹凸情報を人手を介すことなく円滑に同定すること
が可能な欠陥検査装置およびその検査方法を提供すると
ころにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による欠陥検査装
置は、パターンが規則正しく、繰り返し配置されている
基板上に於て隣接する同一パターンの画像データを比較
することにより欠陥検査を行う装置に於て、前記画像デ
ータ比較により抽出された欠陥の凹凸を自動判定するこ
とを特徴とする。
置は、パターンが規則正しく、繰り返し配置されている
基板上に於て隣接する同一パターンの画像データを比較
することにより欠陥検査を行う装置に於て、前記画像デ
ータ比較により抽出された欠陥の凹凸を自動判定するこ
とを特徴とする。
【０００７】また、本発明による半導体装置の欠陥検査
方法は １）隣接したチップ間の同一パターンの画像データ比較
する工程と ２）比較検査により同一パターンの差画像を抽出する工
程と ３）前記抽出された差画像を基板上に形成された欠陥と
して認識する工程と ４）欠陥部および非欠陥部に一定の波長を有する光を照
射する工程と ５）欠陥部および非欠陥部に照射した光の反射光の波長
を測定する工程と ６）前記各々の位相の差を比較演算することにより欠陥
の凹凸を測定する工程と ７）欠陥の凹凸の大きさにより欠陥の状態もしくは形状
を判定する工程と を具備することを特徴とする。
方法は １）隣接したチップ間の同一パターンの画像データ比較
する工程と ２）比較検査により同一パターンの差画像を抽出する工
程と ３）前記抽出された差画像を基板上に形成された欠陥と
して認識する工程と ４）欠陥部および非欠陥部に一定の波長を有する光を照
射する工程と ５）欠陥部および非欠陥部に照射した光の反射光の波長
を測定する工程と ６）前記各々の位相の差を比較演算することにより欠陥
の凹凸を測定する工程と ７）欠陥の凹凸の大きさにより欠陥の状態もしくは形状
を判定する工程と を具備することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を従来技術と同様に、半導体
基板上に規則正しく配置されたチップ上の欠陥を光学系
により撮像された画像データを用いて、２チップ内の画
像認識によるパターン比較方式に基づき欠陥検査をし、
更に前記欠陥検査機能に加え、欠陥の凹凸検知を自動的
に行える本発明の検査の一実施例を以下にのべる。図１
（ａ）、図１（ｂ）に、本発明の欠陥検査装置の概略を
示す。
基板上に規則正しく配置されたチップ上の欠陥を光学系
により撮像された画像データを用いて、２チップ内の画
像認識によるパターン比較方式に基づき欠陥検査をし、
更に前記欠陥検査機能に加え、欠陥の凹凸検知を自動的
に行える本発明の検査の一実施例を以下にのべる。図１
（ａ）、図１（ｂ）に、本発明の欠陥検査装置の概略を
示す。
【０００９】本装置は、図（ａ）の半導体基板上に形成
された欠陥１１０の存在するチップ１０１及び図（ｂ）
の欠陥の存在しないチップ１０２にそれぞれ画像描画用
の光源１０３をＣＣＤセンサー１０４を利用して各々の
同一パターンの画像データを描画し演算装置を使い欠陥
検査を行う従来の欠陥検査機能を有する部分、更に欠陥
の凹凸を測定するために単一波長の光波を出す光源１０
５から、前記検出された欠陥、及び非欠陥部分に単一光
の照射を行い欠陥からの反射光１０７及び非欠陥部分か
らの反射光１０８を光センサー１０９により感知し、そ
の位相差を測定する機能を有する部分から成っている。
された欠陥１１０の存在するチップ１０１及び図（ｂ）
の欠陥の存在しないチップ１０２にそれぞれ画像描画用
の光源１０３をＣＣＤセンサー１０４を利用して各々の
同一パターンの画像データを描画し演算装置を使い欠陥
検査を行う従来の欠陥検査機能を有する部分、更に欠陥
の凹凸を測定するために単一波長の光波を出す光源１０
５から、前記検出された欠陥、及び非欠陥部分に単一光
の照射を行い欠陥からの反射光１０７及び非欠陥部分か
らの反射光１０８を光センサー１０９により感知し、そ
の位相差を測定する機能を有する部分から成っている。
【００１０】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、チップ１０１
及びチップ１０２の２チップ間の画像認識によるパター
ン比較検査を行い得られた欠陥１１０の凹凸を測定し欠
陥の状態を認識する過程を、順を追って説明したもので
ある。
及びチップ１０２の２チップ間の画像認識によるパター
ン比較検査を行い得られた欠陥１１０の凹凸を測定し欠
陥の状態を認識する過程を、順を追って説明したもので
ある。
【００１１】図２（ａ）に、描画されたチップ１０１及
びチップ１０２の画像をパターン比較方式により検査し
得られた欠陥１１０を示す。
びチップ１０２の画像をパターン比較方式により検査し
得られた欠陥１１０を示す。
【００１２】図２（ｂ）に、前記欠陥１１０及びチップ
１０１及びチップ１０２の和画像いわゆる本来のパター
ンとして形成された部分各々に単一波長を有する光１０
６を照射し、欠陥に照射した反射光１０７及びパターン
部に照射した反射光１０８が発生した状態を示す。
１０１及びチップ１０２の和画像いわゆる本来のパター
ンとして形成された部分各々に単一波長を有する光１０
６を照射し、欠陥に照射した反射光１０７及びパターン
部に照射した反射光１０８が発生した状態を示す。
【００１３】図２（ｃ）は、前記反射光１０７及び反射
光１０８を光センサー１０９を介して感知し前記反射光
１０７及び反射光１０８の波長の位相ズレを測定するこ
とにより、非欠陥部に対する欠陥の高さΔｔを求めた状
態を示す。
光１０８を光センサー１０９を介して感知し前記反射光
１０７及び反射光１０８の波長の位相ズレを測定するこ
とにより、非欠陥部に対する欠陥の高さΔｔを求めた状
態を示す。
【００１４】上記方法と同様にして半導体基板中に規則
正しく配設された複数のチップ内に存在する欠陥の非欠
陥部に対する高さΔｔをもとめ、各々の目的に応じてΔ
ｔに分類された特定の欠陥をＳＥＭ等により、更に詳細
に観察を行う。
正しく配設された複数のチップ内に存在する欠陥の非欠
陥部に対する高さΔｔをもとめ、各々の目的に応じてΔ
ｔに分類された特定の欠陥をＳＥＭ等により、更に詳細
に観察を行う。
【００１５】上記方法によれば、欠陥は予めΔｔに分類
されており、従来の様に全ての欠陥についてその形状を
走査型電子顕微鏡等により確認する必要が無くなった。
されており、従来の様に全ての欠陥についてその形状を
走査型電子顕微鏡等により確認する必要が無くなった。
【００１６】本実施例は、単一波長を有する光を利用し
て欠陥の高さを測定したが、例えば １）レーザーを利用して欠陥を測定する方法 ２）電子線を利用して測定する方法 等により欠陥の高さを測定する方法においても適応でき
る。
て欠陥の高さを測定したが、例えば １）レーザーを利用して欠陥を測定する方法 ２）電子線を利用して測定する方法 等により欠陥の高さを測定する方法においても適応でき
る。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば非欠
陥部に対する欠陥の高さΔｔは、は予め高さの大きさに
より分類されており、従来の様に全ての欠陥についてそ
の形状を走査型電子顕微鏡等により確認する必要が無く
なり欠陥解析の目的に応じて各々分類された特定の欠陥
をＳＥＭ等によりに詳細に観察を行うことができ、欠陥
解析時間を大幅に短縮できる。
陥部に対する欠陥の高さΔｔは、は予め高さの大きさに
より分類されており、従来の様に全ての欠陥についてそ
の形状を走査型電子顕微鏡等により確認する必要が無く
なり欠陥解析の目的に応じて各々分類された特定の欠陥
をＳＥＭ等によりに詳細に観察を行うことができ、欠陥
解析時間を大幅に短縮できる。
【図１】本発明による欠陥検査装置の概略を示す図。
【図２】本発明により得られた欠陥のウエハーマップと
その高さを示す図。
その高さを示す図。
【図３】従来の欠陥検査装置における欠陥検査方法を示
す図。
す図。
１０１：欠陥の存在するチップ １０２：欠陥の存在しないチップ １０３：画像描画用の光源 １０４：ＣＣＤセンサー １０５：凹凸測定用の光源 １０６：凹凸測定用の光源から照射される単一光 １０７：欠陥部からの反射光 １０８：非欠陥部からの反射光 １０９：光センサー １１０：欠陥 ３０１：チップを構成するパターン ３０２：パターン欠陥
Claims (2)
- 【請求項１】 パターンが規則正しく、繰り返し配置さ
れている基板上に於て隣接する同一パターンの画像デー
タを比較することにより欠陥検査を行う装置に於て、前
記画像比較により抽出された欠陥の凹凸を自動判定する
ことを特徴とする欠陥検査装置。 - 【請求項２】 半導体基板の構成単位であるチップが規
則正しく配置されている前記半導体基板における欠陥検
査工程において、 １）隣接したチップ間の同一パターンの画像データ比較
する工程と ２）比較検査により同一パターンの差画像を抽出する工
程と ３）前記抽出された差画像を基板上に形成された欠陥と
して認識する工程と ４）欠陥部及び非欠陥部に一定の波長を有する光を照射
する工程と ５）欠陥部及び非欠陥部に照射した光の反射光の波長を
測定する工程と ６）前記各々の位相の差を比較演算することにより欠陥
の凹凸を測定する工程と ７）欠陥の凹凸の大きさにより欠陥の状態もしくは形状
を判定する工程と を具備することを特徴とする欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411592A JPH0618435A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411592A JPH0618435A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618435A true JPH0618435A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=15972906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17411592A Pending JPH0618435A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674920B1 (en) | 1998-06-02 | 2004-01-06 | Minolta Co., Ltd. | Image processing apparatus |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17411592A patent/JPH0618435A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674920B1 (en) | 1998-06-02 | 2004-01-06 | Minolta Co., Ltd. | Image processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4351522B2 (ja) | パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法 | |
| JP3051279B2 (ja) | バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置 | |
| US7643668B2 (en) | Workpiece inspection apparatus, workpiece inspection method and computer-readable recording medium storing program | |
| JP4233556B2 (ja) | 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン検査方法 | |
| JP2010091361A (ja) | 画像検査方法および画像検査装置 | |
| JP2001209798A (ja) | 外観検査方法及び検査装置 | |
| JP4074624B2 (ja) | パターン検査方法 | |
| JP4523310B2 (ja) | 異物識別方法及び異物識別装置 | |
| JP3314217B2 (ja) | 外観検査装置 | |
| JP2002195958A (ja) | 表面検査方法 | |
| JPH0618435A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JP4052733B2 (ja) | パターン付きウエハの異物検査方法 | |
| JP3348059B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3142991B2 (ja) | レーザ走査装置および画像形成方法 | |
| JPH11325859A (ja) | バンプ外観検査方法及び装置 | |
| JP2008026072A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JP3219094B2 (ja) | チップサイズ検出方法およびチップピッチ検出方法およびチップ配列データ自動作成方法ならびにそれを用いた半導体基板の検査方法および装置 | |
| JP2996264B2 (ja) | Ｉｃチップの除去エリアの消去方法 | |
| JP4220061B2 (ja) | 周期性パターンの欠陥検査方法及び装置 | |
| JP3803677B2 (ja) | 欠陥分類装置及び欠陥分類方法 | |
| JP2003057193A (ja) | 異物検査装置 | |
| JP4009085B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
| JPH11274254A (ja) | 外観検査装置および外観検査方法 | |
| KR100564871B1 (ko) | 초소형반복패턴의검사방법및장치 | |
| JP3621222B2 (ja) | 半導体基板のパターン配列認識方法 |