JPH061835B2 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
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- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、焦電型赤外検出器のような受光素子、ＥＬ表
示装置のような発光素子等の駆動に使用される薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと略す）に関するものである。
示装置のような発光素子等の駆動に使用される薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと略す）に関するものである。
従来例の構成とその問題点 一般的なＴＦＴについて第１図で説明する。ＴＦＴは、
絶縁基板１の上にゲート電極２、これを被覆する酸化物
層３、その上に半導体層４、前記半導体層４の両端に接
触するソース電極５およびドレイン電極６により構成さ
れている。
絶縁基板１の上にゲート電極２、これを被覆する酸化物
層３、その上に半導体層４、前記半導体層４の両端に接
触するソース電極５およびドレイン電極６により構成さ
れている。
絶縁基板１としては、ガラスまたはセラミック等が使用
される。ゲート電極２は、その材料としてアルミニウム
(Al)，金（Ａｕ），クロム（Ｃｒ）等の金属が使用さ
れ、真空蒸着，スパッタリング等の方法により、マスク
蒸着フォトエッチング技術を用いて形成される。酸化物
層３は、その材料として酸化アルミニウム(Al2O3)，一
酸化珪素(SiO)，二酸化珪素(SiO2)，窒化珪素(Si3N4)，
酸化タンタル(Ta2O5)等が使用され、真空蒸着、スパッ
タリング，ＣＶＤ等の方法により形成される。半導体層
４は、その材料として一般にセレン化カドミウム(CdS
e)，硫化カドミウム(CdS)，テルル（Ｔｅ）等が使用さ
れ、真空蒸着，スパッタリング等の方法で形成される。
ソース電極5，ドレイン電極6としては、一般には、Al,A
u,Cr等の金属が用いられる。
される。ゲート電極２は、その材料としてアルミニウム
(Al)，金（Ａｕ），クロム（Ｃｒ）等の金属が使用さ
れ、真空蒸着，スパッタリング等の方法により、マスク
蒸着フォトエッチング技術を用いて形成される。酸化物
層３は、その材料として酸化アルミニウム(Al2O3)，一
酸化珪素(SiO)，二酸化珪素(SiO2)，窒化珪素(Si3N4)，
酸化タンタル(Ta2O5)等が使用され、真空蒸着、スパッ
タリング，ＣＶＤ等の方法により形成される。半導体層
４は、その材料として一般にセレン化カドミウム(CdS
e)，硫化カドミウム(CdS)，テルル（Ｔｅ）等が使用さ
れ、真空蒸着，スパッタリング等の方法で形成される。
ソース電極5，ドレイン電極6としては、一般には、Al,A
u,Cr等の金属が用いられる。
ＴＦＴの相互コンダクタンスgmは以下のように表わされ
る。
る。
ｇｍ＝Ｗ／ＬμＣＯＸ（ＶＧ−ＶＴ）………(1) ここでＷはＴＦＴのチャネルの幅、Ｌはチャネルの長
さ、μは半導体層4のモビリティ、ＣＯＸは酸化膜層3の
単位面積当りの容量、ＶＧはＴＦＴのゲート電圧、ＶＴ
は閾値電圧である。ところでＣＯＸは、 と表わされる。ここで、εＯは真空の誘電率ε１とｔ
ＯＸはそれぞれ酸化物層3の比誘電率および厚さを表わ
している。したがってgmを大きくするためには、ε１の
大きな材料を選ぶ必要がある。
さ、μは半導体層4のモビリティ、ＣＯＸは酸化膜層3の
単位面積当りの容量、ＶＧはＴＦＴのゲート電圧、ＶＴ
は閾値電圧である。ところでＣＯＸは、 と表わされる。ここで、εＯは真空の誘電率ε１とｔ
ＯＸはそれぞれ酸化物層3の比誘電率および厚さを表わ
している。したがってgmを大きくするためには、ε１の
大きな材料を選ぶ必要がある。
ところで従来、ＴＦＴにおいてドレイン電流を変化させ
るためにゲートとソースとの間に電圧を加えると、その
ゲートとソースとの間にも電流が流れ（ゲートリーク）
ＴＦＴのgmが小さくなるという現象が見られた。またゲ
ート電圧でＯがソースとドレインとの間に電圧を加えた
ときのドレイン電流ＩＯＦＦは、前記ゲートリークが存
在すれば、大きくなる。したがって、ゲート電圧を加え
たときのドレイン電流ＩＯＮとＩＯＦＦとの比（以下オ
ン／オフ比という）は前記ゲートリークが大きくなれ
ば、いちじるしく小さくなる。
るためにゲートとソースとの間に電圧を加えると、その
ゲートとソースとの間にも電流が流れ（ゲートリーク）
ＴＦＴのgmが小さくなるという現象が見られた。またゲ
ート電圧でＯがソースとドレインとの間に電圧を加えた
ときのドレイン電流ＩＯＦＦは、前記ゲートリークが存
在すれば、大きくなる。したがって、ゲート電圧を加え
たときのドレイン電流ＩＯＮとＩＯＦＦとの比（以下オ
ン／オフ比という）は前記ゲートリークが大きくなれ
ば、いちじるしく小さくなる。
次に、前記ＴＦＴをマトリックス型ＥＬ表示装置の駆動
に使用した場合を考えてみる。
に使用した場合を考えてみる。
第２図は、一般的なＴＦＴを利用したマトリックス型Ｅ
Ｌ表示装置の一絵素の回路図を示したものである。すな
わち、スイッチングトランジスタＴ１，一方の端子が前
記スイッチングトランジスタＴ１のソース端子に接続さ
れている蓄積用コンデンサＣＳ，ゲート端子が前記スイ
ッチングトランジスタＴ１のソース端子に接続され、か
つそのソース端子がコンデンサの他方の端子と接続され
ている電力用トランジスタＴ２，および、一方の端子が
前記電力用トランジスタＴ２のドレイン端子に接続さ
れ、他方の端子が外部の高周波ドライブ電源7に接続さ
れているＥＬ素子ＣＥＬで構成されている。また、前記
スイッチングトランジスタＴ１のドレイン端子は情報信
号母線Ｘ１に、ゲート端子はスイッチング信号母線Ｙ１
にそれぞれ接続され、前記蓄積用コンデンサＣＳの一方
の端子と前記電力用トランジスタＴ２のドレイン端子
は、前記高周波ドライブ電源7に接続する共通垂直母線
Ｐに接続されている。
Ｌ表示装置の一絵素の回路図を示したものである。すな
わち、スイッチングトランジスタＴ１，一方の端子が前
記スイッチングトランジスタＴ１のソース端子に接続さ
れている蓄積用コンデンサＣＳ，ゲート端子が前記スイ
ッチングトランジスタＴ１のソース端子に接続され、か
つそのソース端子がコンデンサの他方の端子と接続され
ている電力用トランジスタＴ２，および、一方の端子が
前記電力用トランジスタＴ２のドレイン端子に接続さ
れ、他方の端子が外部の高周波ドライブ電源7に接続さ
れているＥＬ素子ＣＥＬで構成されている。また、前記
スイッチングトランジスタＴ１のドレイン端子は情報信
号母線Ｘ１に、ゲート端子はスイッチング信号母線Ｙ１
にそれぞれ接続され、前記蓄積用コンデンサＣＳの一方
の端子と前記電力用トランジスタＴ２のドレイン端子
は、前記高周波ドライブ電源7に接続する共通垂直母線
Ｐに接続されている。
Ｘ１，Ｙ１に電圧が加えられると、Ｔ１はオン状態とな
り、ＣＳに電荷が蓄積され、Ｔ２のゲート電圧が上昇す
るため、Ｔ２がオン状態となり、ＣＥＬが発光する。こ
の時、与えられた時間内にＣＳへの充電を完了するため
には、Ｔ１のＩＯＮが充分に大きくなければならない。
たとえば、ＳＳの容量が５０pFであり、２０マイクロ秒
以内に充電を完了するためには、Ｘ１に加えられた電圧
を２０Ｖとすれば、ＩＯＮは、５０μA以上必要であ
る。
り、ＣＳに電荷が蓄積され、Ｔ２のゲート電圧が上昇す
るため、Ｔ２がオン状態となり、ＣＥＬが発光する。こ
の時、与えられた時間内にＣＳへの充電を完了するため
には、Ｔ１のＩＯＮが充分に大きくなければならない。
たとえば、ＳＳの容量が５０pFであり、２０マイクロ秒
以内に充電を完了するためには、Ｘ１に加えられた電圧
を２０Ｖとすれば、ＩＯＮは、５０μA以上必要であ
る。
次にＸ１，Ｙ１の電圧がＯとなり、Ｔ１がオフ状態にな
ればＣＳに蓄積されている電荷は、Ｔ１のオフ抵抗を通
して放電を開始するが、Ｔ１のオフ抵抗が十分大きけれ
ば、その放電は徐々にしか行なわれず、Ｔ２のゲート電
圧は長時間高電位に保持され、Ｔ２はオン状態を維持
し、次にＸ１，Ｙ１に電圧が加えられるまで、ＣＥＬは
発光し続ける。この時Ｔ１のＩＯＦＦがゲートソース間
のゲートリークなどにより大きくなれば、ＣＳに蓄積さ
れた電荷はすみやかに放電され、Ｔ２がオフ状態とな
り、ＣＥＬの発光が停止する。したがって面順次方式の
利点がそこなわれることになる。
ればＣＳに蓄積されている電荷は、Ｔ１のオフ抵抗を通
して放電を開始するが、Ｔ１のオフ抵抗が十分大きけれ
ば、その放電は徐々にしか行なわれず、Ｔ２のゲート電
圧は長時間高電位に保持され、Ｔ２はオン状態を維持
し、次にＸ１，Ｙ１に電圧が加えられるまで、ＣＥＬは
発光し続ける。この時Ｔ１のＩＯＦＦがゲートソース間
のゲートリークなどにより大きくなれば、ＣＳに蓄積さ
れた電荷はすみやかに放電され、Ｔ２がオフ状態とな
り、ＣＥＬの発光が停止する。したがって面順次方式の
利点がそこなわれることになる。
ここで、たとえばＣＥＬの発光が１０ミリ秒以上持続す
るためには、Ｔ２のゲート電圧の降下が10Ｖまで許され
るとすれば、ＣＳの容量を５０pFとしてＴ１のＩＯＦＦ
は５nA以下でなければならない。したがって、前記のＩ
ＯＮの条件とあわせれば、Ｔ１のオン／オフ比は10000
倍以上必要である。
るためには、Ｔ２のゲート電圧の降下が10Ｖまで許され
るとすれば、ＣＳの容量を５０pFとしてＴ１のＩＯＦＦ
は５nA以下でなければならない。したがって、前記のＩ
ＯＮの条件とあわせれば、Ｔ１のオン／オフ比は10000
倍以上必要である。
一方、焦電型赤外検出器の高出力インピーダンスで微少
な出力信号を低雑音でインピーダンス変換を行う目的と
してＴＦＴを用いる場合、ゲート電圧がなるべく小さく
て電流値が大きく変化するgmが大きいことが重要なポイ
ントとなる。そのために、比誘電率ε１が５０以上で耐
圧が大きく、ゲートリークが小さなゲート酸化膜が望ま
れる。しかし比誘電率ε１が５０以上の誘電体薄膜に
は、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロン
チウムといったいわゆるペロブスカイト型酸化物薄膜が
あるが、耐圧が高く、欠陥における絶縁破壊が電気的に
開放するには、ゲート電極、ソース、ドレイン取り出し
電極の厚みと材質に制限が出て来る。通常、電極の抵抗
を下げるためにアルミニウムで２００mm程度の厚みが必
要であるが前記に示したペロブスカイト型酸化物薄膜で
は、膜形成時に発生した欠陥のためゲートリークが大き
くＴＦＴの動作は極めて不安定であった。一方、従来よ
りゲート酸化物層に用いられている前記の酸化アルミニ
ウム、酸化タンタル等は、膜形成時に発生した欠陥によ
るリークは、電圧印加後電気的に短絡から開放状態にな
る自己回復型絶縁破壊する膜である。自己回復型絶縁破
壊は、絶縁膜内に欠陥があって一度は電気的に短絡する
が、その時の電気的エネルギーにより膜上の電極である
金属あるいは半導体の一部が蒸発したり破壊して飛散し
微小な開放穴が形成され、その結果その部分では絶縁性
が維持できることが特長である。したがってこの膜は、
絶縁性に関しては有利であるがε１が小さかった。
な出力信号を低雑音でインピーダンス変換を行う目的と
してＴＦＴを用いる場合、ゲート電圧がなるべく小さく
て電流値が大きく変化するgmが大きいことが重要なポイ
ントとなる。そのために、比誘電率ε１が５０以上で耐
圧が大きく、ゲートリークが小さなゲート酸化膜が望ま
れる。しかし比誘電率ε１が５０以上の誘電体薄膜に
は、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロン
チウムといったいわゆるペロブスカイト型酸化物薄膜が
あるが、耐圧が高く、欠陥における絶縁破壊が電気的に
開放するには、ゲート電極、ソース、ドレイン取り出し
電極の厚みと材質に制限が出て来る。通常、電極の抵抗
を下げるためにアルミニウムで２００mm程度の厚みが必
要であるが前記に示したペロブスカイト型酸化物薄膜で
は、膜形成時に発生した欠陥のためゲートリークが大き
くＴＦＴの動作は極めて不安定であった。一方、従来よ
りゲート酸化物層に用いられている前記の酸化アルミニ
ウム、酸化タンタル等は、膜形成時に発生した欠陥によ
るリークは、電圧印加後電気的に短絡から開放状態にな
る自己回復型絶縁破壊する膜である。自己回復型絶縁破
壊は、絶縁膜内に欠陥があって一度は電気的に短絡する
が、その時の電気的エネルギーにより膜上の電極である
金属あるいは半導体の一部が蒸発したり破壊して飛散し
微小な開放穴が形成され、その結果その部分では絶縁性
が維持できることが特長である。したがってこの膜は、
絶縁性に関しては有利であるがε１が小さかった。
以上説明したように、酸化物層3の材料としては、ＴＦ
Ｔのオン／オフ比を大きくするためには、比誘電率ε１
が大きく、リーク電流の極めて小さいことが要求され
る。また、ＴＦＴの安定な特性を得るためには、界面準
位の少ないことも必要である。
Ｔのオン／オフ比を大きくするためには、比誘電率ε１
が大きく、リーク電流の極めて小さいことが要求され
る。また、ＴＦＴの安定な特性を得るためには、界面準
位の少ないことも必要である。
前記ゲートリークは、酸化物層の製造方法にも起因して
いるが、ＴＦＴのゲートリークが極めて小さく、同一基
板上および製造ロット間のばらつきも小さくなるよう
に、各製造パラメータの正確な制御を行なうことは、非
常に困難であった。
いるが、ＴＦＴのゲートリークが極めて小さく、同一基
板上および製造ロット間のばらつきも小さくなるよう
に、各製造パラメータの正確な制御を行なうことは、非
常に困難であった。
発明の目的 本発明は、ゲートリークが極めて小さく、gmが大きな、
界面準位の少ない安定な特性のＴＦＴを提供することを
目的とする。
界面準位の少ない安定な特性のＴＦＴを提供することを
目的とする。
発明の構成 本発明は、ＴＦＴの半導体層とゲート電極との間のゲー
ト酸化物層が、比誘電率５０以上の誘電体薄膜の両面に
自己回復型絶縁破壊する絶縁膜を配した積層構造を持つ
複合酸化物膜であることを特徴とする。
ト酸化物層が、比誘電率５０以上の誘電体薄膜の両面に
自己回復型絶縁破壊する絶縁膜を配した積層構造を持つ
複合酸化物膜であることを特徴とする。
実施例の説明 本発明によるＴＦＴの具体的な一実施例を第３図を用い
て説明する。ガラスからなる絶縁基板７以上に2000Å程
度の膜厚を有するＡｌからなるゲート電極８が設けられ
ている。その上には、絶縁層９a，９c及び誘電体層９b
の積層体である酸化物層９が設けられている。絶縁層９
ａ及び９cは、BaTa2O6からなるセラミックターゲット
を、アルゴン８０％、酸素２０％の混合ガス中で高周波
マグネトロンスパッタすることにより形成した、１００
０Å程度の膜厚を有する自己回復型絶縁破壊する膜であ
る。誘電体層９ｂは、SrTiO3を主成分とするセラミック
ターゲットを、アルゴン２０％、酸素８０％の混合ガス
中で高周波マグネトロンスパッタすることにより形成し
た2000Å程度の膜厚を有する高誘電率を持つ膜である。
酸化物層９の上には、５００Å程度の膜厚を有するＣｄ
Ｓｅからなる半導体層10が、その上には１０００Å程度
の膜厚を有するＡｌからなるソース電極１１およびドレ
イン電極１２が積層されている。
て説明する。ガラスからなる絶縁基板７以上に2000Å程
度の膜厚を有するＡｌからなるゲート電極８が設けられ
ている。その上には、絶縁層９a，９c及び誘電体層９b
の積層体である酸化物層９が設けられている。絶縁層９
ａ及び９cは、BaTa2O6からなるセラミックターゲット
を、アルゴン８０％、酸素２０％の混合ガス中で高周波
マグネトロンスパッタすることにより形成した、１００
０Å程度の膜厚を有する自己回復型絶縁破壊する膜であ
る。誘電体層９ｂは、SrTiO3を主成分とするセラミック
ターゲットを、アルゴン２０％、酸素８０％の混合ガス
中で高周波マグネトロンスパッタすることにより形成し
た2000Å程度の膜厚を有する高誘電率を持つ膜である。
酸化物層９の上には、５００Å程度の膜厚を有するＣｄ
Ｓｅからなる半導体層10が、その上には１０００Å程度
の膜厚を有するＡｌからなるソース電極１１およびドレ
イン電極１２が積層されている。
本発明によるＴＦＴでは、ゲートリークが非常に小さい
ため、ＩＯＦＦは１nA以下となり、酸化物層９の比誘電
率ε１は、約３２とＡｌ２Ｏ３の７に比べ約５倍近く大
きく、オン／オフ比は容易に104以上となり、マトリッ
クス型ＥＬ表示装置の駆動用ＴＦＴとしても十分使用で
きる。また、gmがゲート酸化膜にＡｌ２Ｏ３を用いたＴ
ＦＴに較べ、同一ドレイン電流で４倍以上となるためゲ
ート電圧が５Ｖ程度でもオン／オフ比が103程度と非常
に大きくなり微小信号を扱う焦電型赤外検出器に組み込
む低雑音のインピーダンス変換器としても十分使用可能
である。
ため、ＩＯＦＦは１nA以下となり、酸化物層９の比誘電
率ε１は、約３２とＡｌ２Ｏ３の７に比べ約５倍近く大
きく、オン／オフ比は容易に104以上となり、マトリッ
クス型ＥＬ表示装置の駆動用ＴＦＴとしても十分使用で
きる。また、gmがゲート酸化膜にＡｌ２Ｏ３を用いたＴ
ＦＴに較べ、同一ドレイン電流で４倍以上となるためゲ
ート電圧が５Ｖ程度でもオン／オフ比が103程度と非常
に大きくなり微小信号を扱う焦電型赤外検出器に組み込
む低雑音のインピーダンス変換器としても十分使用可能
である。
また、ＣｄＳｅとこのＢａＴａ２Ｏ６，ＳｒＴｉＯ３，
ＢａＴａ２Ｏ６の積層構造を持つ酸化物層との界面特性
は良好であり、経時変化の少ない安定なＴＦＴが得られ
た。
ＢａＴａ２Ｏ６の積層構造を持つ酸化物層との界面特性
は良好であり、経時変化の少ない安定なＴＦＴが得られ
た。
BaTa2O6の代りに、PbNb2O6,Pb0.6Sr0.4Nb2O6,Ba0.8Sr
0.2Nb2O6のターゲットを用いて同様なＴＦＴを作製した
時の特性は、いずれも良好であった。このことからタン
グステンブロンズ型酸化物が、本発明の積層構造を作る
際極めて有利であることがわかる。またペロブスカイト
型酸化物と積層することにより高誘電率、高耐圧、低リ
ーク電流にすることができる。さらに、自己回復型絶縁
破壊する膜としてAl-Ta-O,Al2O3,SiO2,Si3N4を用いると
さらにε１を大きくでき、リーク電流の少ないＴＦＴが
できた。
0.2Nb2O6のターゲットを用いて同様なＴＦＴを作製した
時の特性は、いずれも良好であった。このことからタン
グステンブロンズ型酸化物が、本発明の積層構造を作る
際極めて有利であることがわかる。またペロブスカイト
型酸化物と積層することにより高誘電率、高耐圧、低リ
ーク電流にすることができる。さらに、自己回復型絶縁
破壊する膜としてAl-Ta-O,Al2O3,SiO2,Si3N4を用いると
さらにε１を大きくでき、リーク電流の少ないＴＦＴが
できた。
発明の効果 以上のように本発明によれば、ゲート酸化物層として、
リーク電流が小さく比誘電率の大きい自己回復型絶縁破
壊する絶縁膜を高誘電率を持つ誘電体膜の両側に配した
積層構造を持つ酸化物層を使用することにより、Ｉ
ＯＦＦが小さく、オン／オフ比の大きいＴＦＴを提供す
ることができる。
リーク電流が小さく比誘電率の大きい自己回復型絶縁破
壊する絶縁膜を高誘電率を持つ誘電体膜の両側に配した
積層構造を持つ酸化物層を使用することにより、Ｉ
ＯＦＦが小さく、オン／オフ比の大きいＴＦＴを提供す
ることができる。
第１図は従来のＴＦＴの断面図、第２図はＴＦＴを用い
たマトリックス型ＥＬ表示装置の一絵素の回路の概略
図、第３図は本発明の一実施例を示すＴＦＴの断面図で
ある。 ７……絶縁基板、８……ゲート電極、９……酸化物層、
９ａ，９ｃ……自己回復型絶縁破壊する絶縁層、９ｂ…
…比誘電率５０以上の誘電体層、１０……半導体層、１
１……ソース電極、１２……ドレイン電極。
たマトリックス型ＥＬ表示装置の一絵素の回路の概略
図、第３図は本発明の一実施例を示すＴＦＴの断面図で
ある。 ７……絶縁基板、８……ゲート電極、９……酸化物層、
９ａ，９ｃ……自己回復型絶縁破壊する絶縁層、９ｂ…
…比誘電率５０以上の誘電体層、１０……半導体層、１
１……ソース電極、１２……ドレイン電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 洋介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 阿部 惇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 新田 恒治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】半導体層とゲート電極との間のゲート酸化
物層が、比誘電率５０以上の誘電体薄膜の両面に自己回
復型絶縁破壊する絶縁膜を配した積層構造を持つ複合酸
化物膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 【請求項２】比誘電率５０以上の誘電体薄膜が、チタン
酸ストロンチウムを主成分とすることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。 - 【請求項３】自己回復型絶縁破壊する絶縁膜が、タング
ステンブロンズ型酸化物薄膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。 - 【請求項４】自己回復型絶縁破壊する絶縁膜が、ＡＢ２
Ｏ６なる化学式で表記され、上記一般式中のＡがＢａ，
Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａおよびＣｄよりなるグループのなかか
ら選ばれた少なくとも一種からなり、同ＢがＴａ，Ｎｂ
の内少なくとも一種からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181304A JPH061835B2 (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181304A JPH061835B2 (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159779A JPS6159779A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH061835B2 true JPH061835B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16098332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181304A Expired - Lifetime JPH061835B2 (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061835B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA874786B (en) * | 1986-07-02 | 1989-03-29 | Biotox Pty Ltd | Dehalogenation of halogenated compounds |
| JPH01281142A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハロゲン化非環式炭化水素化合物の光分解装置 |
| JPH067474A (ja) * | 1992-06-27 | 1994-01-18 | Makoto Ogose | ハロゲン化化合物の分解方法及びその分解装置 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59181304A patent/JPH061835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6159779A (ja) | 1986-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |