JPH06182140A - オゾン層破壊物質の処理方法 - Google Patents
オゾン層破壊物質の処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、オゾン層破壊に関与するガス、特に
フロン化合物を分解処理する方法に関する。 【構成】本発明は、対抗する電極の少なくとも一方の電
極の表面に固体誘電体を配設してなる誘電被覆電極を有
するプラズマ反応装置にヘリウムまたはアルゴン又はこ
れら混合ガス、あるいは、アルゴンとアセトンからなる
気体組成物を導入し、該気体雰囲気下で大気圧グロ−放
電を起こし、その中にガス状のオゾン層破壊物質を導入
してグロ−放電プラズマにより該物質を分解し、生じた
分解生成物を水に吸収させることを特徴とするオゾン層
破壊物質の処理方法である。
フロン化合物を分解処理する方法に関する。 【構成】本発明は、対抗する電極の少なくとも一方の電
極の表面に固体誘電体を配設してなる誘電被覆電極を有
するプラズマ反応装置にヘリウムまたはアルゴン又はこ
れら混合ガス、あるいは、アルゴンとアセトンからなる
気体組成物を導入し、該気体雰囲気下で大気圧グロ−放
電を起こし、その中にガス状のオゾン層破壊物質を導入
してグロ−放電プラズマにより該物質を分解し、生じた
分解生成物を水に吸収させることを特徴とするオゾン層
破壊物質の処理方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオゾン層を破壊する物
質、特に、フロン化合物の処理方法に関する。
質、特に、フロン化合物の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、オゾン層を破壊する物質として、
主としてフロン化合物が考えられており、そのためフロ
ン化合物は、１９５５年に全廃するように叫ばれてい
る。しかし、現在、フロン化合物はカ−ク−ラや冷蔵庫
を始めとして、多方面で使用されており、これらのもの
から回収、無害化する必要がある。そのため、フロン化
合物の分解処理についての研究開発が急がれている。特
に、問題となっているフロン化合物の種類としては、分
子内に塩素を有しているモノフロロメタン（Ｒ−１
１）、ジフロロメタン（Ｒ−１２）、トリフロロトリク
ロロエタン（Ｒ１１３）テトラフルオロジクロロエタン
（Ｒ−１１４）、ペンタフロロモノクロロエタン（Ｒ−
１１５）或いはテトラフルオロエタン（ＣＦＣ−１３
４）等の特定フロンは分解が困難である。最近、発表さ
れたフロン化合物の分解処理手段の一つとして、１００
００℃の高温プラズマによる分解処理方法がある。しか
し、この方法は、１００００℃という極めて高温を発生
する必要があり、そのため、処理装置や処理費用等を考
える時、実用化にはまだ問題が多い。他方、本発明者は
先にアルゴンガス、ヘリウムガスの混合物またはアルゴ
ン、ケトンの混合ガス中で大気圧の中でグロ−放電を発
生しプラズマを励起して物質の表面を親水、又は疎水化
する方法について提案した（特開平３−２３６４７５
号、米国特許５１２４１７３号）。
主としてフロン化合物が考えられており、そのためフロ
ン化合物は、１９５５年に全廃するように叫ばれてい
る。しかし、現在、フロン化合物はカ−ク−ラや冷蔵庫
を始めとして、多方面で使用されており、これらのもの
から回収、無害化する必要がある。そのため、フロン化
合物の分解処理についての研究開発が急がれている。特
に、問題となっているフロン化合物の種類としては、分
子内に塩素を有しているモノフロロメタン（Ｒ−１
１）、ジフロロメタン（Ｒ−１２）、トリフロロトリク
ロロエタン（Ｒ１１３）テトラフルオロジクロロエタン
（Ｒ−１１４）、ペンタフロロモノクロロエタン（Ｒ−
１１５）或いはテトラフルオロエタン（ＣＦＣ−１３
４）等の特定フロンは分解が困難である。最近、発表さ
れたフロン化合物の分解処理手段の一つとして、１００
００℃の高温プラズマによる分解処理方法がある。しか
し、この方法は、１００００℃という極めて高温を発生
する必要があり、そのため、処理装置や処理費用等を考
える時、実用化にはまだ問題が多い。他方、本発明者は
先にアルゴンガス、ヘリウムガスの混合物またはアルゴ
ン、ケトンの混合ガス中で大気圧の中でグロ−放電を発
生しプラズマを励起して物質の表面を親水、又は疎水化
する方法について提案した（特開平３−２３６４７５
号、米国特許５１２４１７３号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、ガス状の
オゾン層破壊物質、特にフロン化合物の分解処理して無
害化する手段について、種々検討した結果、本発明者が
先に発明した大気圧プラズマによって高成績で分解する
ことを見出し本発明を完成したもので、本発明の目的
は、常温、常圧または常圧に近い加圧下または低圧下で
完全にガス状のオゾン層破壊物質、特に塩素を含有する
フロン化合物を分解して塩化水素と弗化水素とし且つこ
れらの酸を水に吸収せしめる処理方法を提供するもので
あり、経済的にも有利な塩素を化合物中に含むオゾン層
を破壊する物質、特にフロン化合物の分解処理方法を提
供するのである。
オゾン層破壊物質、特にフロン化合物の分解処理して無
害化する手段について、種々検討した結果、本発明者が
先に発明した大気圧プラズマによって高成績で分解する
ことを見出し本発明を完成したもので、本発明の目的
は、常温、常圧または常圧に近い加圧下または低圧下で
完全にガス状のオゾン層破壊物質、特に塩素を含有する
フロン化合物を分解して塩化水素と弗化水素とし且つこ
れらの酸を水に吸収せしめる処理方法を提供するもので
あり、経済的にも有利な塩素を化合物中に含むオゾン層
を破壊する物質、特にフロン化合物の分解処理方法を提
供するのである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、対抗す
る電極の少なくとも一方の電極の表面に固体誘電体を配
設してなる誘電被覆電極を有するプラズマ反応装置にヘ
リウムまたはアルゴン又はこれら混合ガス、あるいは、
アルゴンとアセトンからなる気体組成物を導入し、該気
体雰囲気下で大気圧グロ−放電を起こし、その中にガス
状のオゾン層破壊物質を導入してグロ−放電プラズマに
より該物質を分解し、生じた分解生成物を水に吸収させ
ることを特徴とするオゾン層破壊物質の処理方法であ
る。
る電極の少なくとも一方の電極の表面に固体誘電体を配
設してなる誘電被覆電極を有するプラズマ反応装置にヘ
リウムまたはアルゴン又はこれら混合ガス、あるいは、
アルゴンとアセトンからなる気体組成物を導入し、該気
体雰囲気下で大気圧グロ−放電を起こし、その中にガス
状のオゾン層破壊物質を導入してグロ−放電プラズマに
より該物質を分解し、生じた分解生成物を水に吸収させ
ることを特徴とするオゾン層破壊物質の処理方法であ
る。
【０００５】即ち、本発明は、本発明者等の発明にかか
る大気圧プラズマ処理方法の場合と同様に、ヘリウム、
アルゴン、アルゴンとケトン、窒素等の不活性ガス中で
大気圧グロ−放電を起こし、その中にガス状のオゾン層
破壊物質、特にフロン化合物のガス、または蒸気を導入
して、グロ−放電プラズマにより一挙に分解せしめ、分
解によって生成した塩化水素や弗化水素を水に吸収させ
て塩酸、弗化水素酸として処理し、ヘリウム、アルゴ
ン、アルゴンとケトン、窒素等の不活性ガスは、再びグ
ロ−放電発生に使用するもので極めて経済的且つ実用的
なガス状のオゾン層破壊物質、特にフロンの分解処理方
法によって関するもので、フロン化合物等のガス状のオ
ゾン層破壊物質、殊に塩素を含有するフロン化合物を分
解し、得られた分解生成物を水、若しくは酸性水溶液に
吸収させるのである。
る大気圧プラズマ処理方法の場合と同様に、ヘリウム、
アルゴン、アルゴンとケトン、窒素等の不活性ガス中で
大気圧グロ−放電を起こし、その中にガス状のオゾン層
破壊物質、特にフロン化合物のガス、または蒸気を導入
して、グロ−放電プラズマにより一挙に分解せしめ、分
解によって生成した塩化水素や弗化水素を水に吸収させ
て塩酸、弗化水素酸として処理し、ヘリウム、アルゴ
ン、アルゴンとケトン、窒素等の不活性ガスは、再びグ
ロ−放電発生に使用するもので極めて経済的且つ実用的
なガス状のオゾン層破壊物質、特にフロンの分解処理方
法によって関するもので、フロン化合物等のガス状のオ
ゾン層破壊物質、殊に塩素を含有するフロン化合物を分
解し、得られた分解生成物を水、若しくは酸性水溶液に
吸収させるのである。
【０００６】以下、本発明について詳細に述べる。本発
明のおけるガス状のオゾン層破壊物質とはオゾン層破壊
に関与する化合物であって、特に塩素を含有するフロン
化合物で、具体的には、モノフロロメタン（Ｒ−１
１）、ジフロロメタン（Ｒ−１２）、トリフロロトリク
ロロエタン（Ｒ１１３）テトラフルオロジクロロエタン
（Ｒ−１１４）、ペンタフロロモノクロロエタン（Ｒ−
１１５）或いはテトラフルオロエタン（ＣＦＣ−１３
４）等の化合物である。また、現在、規制の対象外では
あるが、トリフルオロメタン（Ｒ−３）、モノフルオロ
ペンタクロロエタン（Ｒ−１１１）、モノフロロペンタ
クロロプロパン（Ｒ−２１１）フロン化合物等のオゾン
層を破壊する物質としては考えられるものは、すべて処
理でき、更にフロン化合物以外でオゾン層破壊物質であ
る１、１、１、−トリクロロエタン等も、また、同様に
処理できる。これらのガス状化合物の処理にあたては、
該化合物又はその化合物の蒸気を大気圧プラズマ発生装
置内に導入する。その導入速度としては装置の大きさに
よって異なるが、例えば本願発明の実施例のような装置
では該化合物の蒸気として２００ｃ．ｃ．〜１０００
ｃ．ｃ／分が好ましい。
明のおけるガス状のオゾン層破壊物質とはオゾン層破壊
に関与する化合物であって、特に塩素を含有するフロン
化合物で、具体的には、モノフロロメタン（Ｒ−１
１）、ジフロロメタン（Ｒ−１２）、トリフロロトリク
ロロエタン（Ｒ１１３）テトラフルオロジクロロエタン
（Ｒ−１１４）、ペンタフロロモノクロロエタン（Ｒ−
１１５）或いはテトラフルオロエタン（ＣＦＣ−１３
４）等の化合物である。また、現在、規制の対象外では
あるが、トリフルオロメタン（Ｒ−３）、モノフルオロ
ペンタクロロエタン（Ｒ−１１１）、モノフロロペンタ
クロロプロパン（Ｒ−２１１）フロン化合物等のオゾン
層を破壊する物質としては考えられるものは、すべて処
理でき、更にフロン化合物以外でオゾン層破壊物質であ
る１、１、１、−トリクロロエタン等も、また、同様に
処理できる。これらのガス状化合物の処理にあたては、
該化合物又はその化合物の蒸気を大気圧プラズマ発生装
置内に導入する。その導入速度としては装置の大きさに
よって異なるが、例えば本願発明の実施例のような装置
では該化合物の蒸気として２００ｃ．ｃ．〜１０００
ｃ．ｃ／分が好ましい。
【０００７】大気圧プラズマ発生装置におけるプラズマ
発生条件についてのべる。グロ−放電を発生させる電源
としては周波数５０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、また放送周波
数以外で使用が認められている１３．５６ＭＨｚを使用
する事ができるが、常温に近い１００℃以下の温度で行
なうためには２００Ｈｚ〜５０ＫＨｚが好ましく、３０
℃〜６０℃と常温で行うには３ＫＨｚ〜１０ＫＨｚが最
も良い。また、電圧ガスの種類と電極の間隙によっても
異なるが、通常１０００Ｖ〜８０００Ｖである。
発生条件についてのべる。グロ−放電を発生させる電源
としては周波数５０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、また放送周波
数以外で使用が認められている１３．５６ＭＨｚを使用
する事ができるが、常温に近い１００℃以下の温度で行
なうためには２００Ｈｚ〜５０ＫＨｚが好ましく、３０
℃〜６０℃と常温で行うには３ＫＨｚ〜１０ＫＨｚが最
も良い。また、電圧ガスの種類と電極の間隙によっても
異なるが、通常１０００Ｖ〜８０００Ｖである。
【０００８】大気圧プラズマを発生させるためには装置
内に不活性ガス、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガ
ス、或いは、アルゴンガスとケトン等の存在下でグロ−
放電をさせることを要する。ただ、アルゴンガスの場合
には、これに少量のケトン蒸気を混合してグロ−放電さ
せることを必要としていたが、１、１、１、トリクロロ
エタンの場合には、ケトンの添加なしで安定なグロ−放
電を起こすことができ、トリクロロエタンは分解して塩
酸のような水溶性の物質に変化する。この場合、アルゴ
ンガスに添加するトリクロロエタンは数ｐｐｍから１５
％の場合でもグロ−放電は安定に持続し、従来、アルゴ
ンガス中でグロ−放電を起こすために必須であったケト
ン類、またヘリウムガスのようなグロ−放電を起こしや
すいガスの混合は不要である。なお、１、１、１、トリ
クロロエタンの場合、何故放電が容易になるのか明らか
ではないが、同じような沸点をもつフロンＲ−１１３は
アルゴン単独のガスに混合しても全く放電は起こらず、
分解もされない。したがって、フロンＲ−１１３の場合
には、実施例のようにヘリウム中か、アルゴンとヘリウ
ム、アルゴンとケトンの混合ガスを使用しなければなら
ない。
内に不活性ガス、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガ
ス、或いは、アルゴンガスとケトン等の存在下でグロ−
放電をさせることを要する。ただ、アルゴンガスの場合
には、これに少量のケトン蒸気を混合してグロ−放電さ
せることを必要としていたが、１、１、１、トリクロロ
エタンの場合には、ケトンの添加なしで安定なグロ−放
電を起こすことができ、トリクロロエタンは分解して塩
酸のような水溶性の物質に変化する。この場合、アルゴ
ンガスに添加するトリクロロエタンは数ｐｐｍから１５
％の場合でもグロ−放電は安定に持続し、従来、アルゴ
ンガス中でグロ−放電を起こすために必須であったケト
ン類、またヘリウムガスのようなグロ−放電を起こしや
すいガスの混合は不要である。なお、１、１、１、トリ
クロロエタンの場合、何故放電が容易になるのか明らか
ではないが、同じような沸点をもつフロンＲ−１１３は
アルゴン単独のガスに混合しても全く放電は起こらず、
分解もされない。したがって、フロンＲ−１１３の場合
には、実施例のようにヘリウム中か、アルゴンとヘリウ
ム、アルゴンとケトンの混合ガスを使用しなければなら
ない。
【０００９】大気圧プラズマ処理によって分解した分解
生成物は水に吸収させる。すなわち、分解生成物は、主
としてフッ素化合物又は塩素化合物であるので容易に水
に吸収され、塩酸やフッ酸なるのでこれらを水に溶解し
て中和しソ−ダ塩で除去し、未分解物のガスは常圧タン
クに入れ、再度グロ−放電中を循環させて使用する。ま
た、グロ−放電管を数本直列に接続して処理を行えば、
残存するフロン化合物やクロル化合物の完全除去も可能
となり、極めて経済的な処理方法である。
生成物は水に吸収させる。すなわち、分解生成物は、主
としてフッ素化合物又は塩素化合物であるので容易に水
に吸収され、塩酸やフッ酸なるのでこれらを水に溶解し
て中和しソ−ダ塩で除去し、未分解物のガスは常圧タン
クに入れ、再度グロ−放電中を循環させて使用する。ま
た、グロ−放電管を数本直列に接続して処理を行えば、
残存するフロン化合物やクロル化合物の完全除去も可能
となり、極めて経済的な処理方法である。
【００１０】次に本発明を実施するための装置を図面を
もって説明する。図１は、本発明で使用する大気圧プラ
ズマ発生装置、図２は、その縦断面図、図３は本発明の
処理方法を実施するための説明図である。また、図４は
本発明で使用する電極の一例の側面図、図５は本発明で
使用する他の例の大気圧プラズマ発生装置の斜視図であ
る。
もって説明する。図１は、本発明で使用する大気圧プラ
ズマ発生装置、図２は、その縦断面図、図３は本発明の
処理方法を実施するための説明図である。また、図４は
本発明で使用する電極の一例の側面図、図５は本発明で
使用する他の例の大気圧プラズマ発生装置の斜視図であ
る。
【００１１】図１において、ガラス性の円筒管１の外側
に、金属の薄板２を巻き付け一方の電極とした。ガラス
性の円筒管１の中心線上に円筒の中心線上に金属の棒３
を位置せしめ、他方の電極とし、夫々の電極に接続用タ
−ミナル６及び７を設けてある。ガラス性の円筒１の両
端部にはガラスのＴ字管４、５を嵌合し、これらガス管
の一つの口をガス導入口または排出口とし、ガラス性の
円筒１の中心線上にある口を金属棒の支持部とし、この
口を閉鎖し、他方の口をプラズマ発生装置につなぐ。
に、金属の薄板２を巻き付け一方の電極とした。ガラス
性の円筒管１の中心線上に円筒の中心線上に金属の棒３
を位置せしめ、他方の電極とし、夫々の電極に接続用タ
−ミナル６及び７を設けてある。ガラス性の円筒１の両
端部にはガラスのＴ字管４、５を嵌合し、これらガス管
の一つの口をガス導入口または排出口とし、ガラス性の
円筒１の中心線上にある口を金属棒の支持部とし、この
口を閉鎖し、他方の口をプラズマ発生装置につなぐ。
【００１２】このような装置において、両電極に高電圧
をかけると、ガラス性円筒１のガラスは誘電体の作用を
し、図２に示すように、円筒内にグロ−放電を発生す
る。グロ−放電を発生させる条件の一例を示すと、Ｔ字
管４の一つの口から図３の矢印に示すように、ヘリウム
ガスを導入し、Ｔ字管５の一つの口から排出させ、金属
薄板１と金属棒３の間に３ＫＨｚ、２５００Ｖの電圧を
印加すると円筒の内部にグロ−放電が発生しプラズマ状
態に入る。このときの電流は３０ｍＡ、出力８０Ｗであ
った。
をかけると、ガラス性円筒１のガラスは誘電体の作用を
し、図２に示すように、円筒内にグロ−放電を発生す
る。グロ−放電を発生させる条件の一例を示すと、Ｔ字
管４の一つの口から図３の矢印に示すように、ヘリウム
ガスを導入し、Ｔ字管５の一つの口から排出させ、金属
薄板１と金属棒３の間に３ＫＨｚ、２５００Ｖの電圧を
印加すると円筒の内部にグロ−放電が発生しプラズマ状
態に入る。このときの電流は３０ｍＡ、出力８０Ｗであ
った。
【００１３】本発明において、反応管内は常圧に近い加
圧下または低圧下である。常圧に近い加圧下または低圧
下と言うのは、図３においてガス導入口４からガスを導
入した場合は、水の吸収容器をガスが通過する際の抵抗
で円筒内は加圧状態となり、ガスの出口８からポンプに
よって吸引しながら４からガスを導入する場合、円筒内
は大気圧より低圧となる。低圧になると、グロ−放電
も、より低い電圧で起こるようになるが、本発明の場合
は、真空ではなく１気圧を７６０ｔｏｒｒとすれば５０
０ｔｏｒｒまでの常圧に近い低圧を意味する。また、上
記の装置において使用する電極の一例として、ガラス円
筒の外側に図４のように帯状の金属薄板を巻き付けたも
のを使用する場合には、ガラス管内のグロ−放電状態が
良く見えるので好ましい。
圧下または低圧下である。常圧に近い加圧下または低圧
下と言うのは、図３においてガス導入口４からガスを導
入した場合は、水の吸収容器をガスが通過する際の抵抗
で円筒内は加圧状態となり、ガスの出口８からポンプに
よって吸引しながら４からガスを導入する場合、円筒内
は大気圧より低圧となる。低圧になると、グロ−放電
も、より低い電圧で起こるようになるが、本発明の場合
は、真空ではなく１気圧を７６０ｔｏｒｒとすれば５０
０ｔｏｒｒまでの常圧に近い低圧を意味する。また、上
記の装置において使用する電極の一例として、ガラス円
筒の外側に図４のように帯状の金属薄板を巻き付けたも
のを使用する場合には、ガラス管内のグロ−放電状態が
良く見えるので好ましい。
【００１４】上記の装置は一例であり、グロ−放電中に
フロンを導入する事が分解の手段であるから円筒でなく
て、図５のように上下電極でグロ−放電を発生させて
も、またコットレル電気集塵機のような大きな容器中に
多数の誘電体でカバ−された電極を設けてお行ってもよ
い。また、ガラスは弗化水素に弱く腐食されて寿命が短
いから、プラスチック例えばポリエステル、ＡＢＳ、メ
タアクリル、ポリイミド、ＡＳ、弗素樹脂のような耐酸
性の樹脂を使用しても良く、これらは良好な誘電体でも
ある。次に、上記の装置を用いてフロン溶剤の蒸気を分
解した例を実施例として述べる。
フロンを導入する事が分解の手段であるから円筒でなく
て、図５のように上下電極でグロ−放電を発生させて
も、またコットレル電気集塵機のような大きな容器中に
多数の誘電体でカバ−された電極を設けてお行ってもよ
い。また、ガラスは弗化水素に弱く腐食されて寿命が短
いから、プラスチック例えばポリエステル、ＡＢＳ、メ
タアクリル、ポリイミド、ＡＳ、弗素樹脂のような耐酸
性の樹脂を使用しても良く、これらは良好な誘電体でも
ある。次に、上記の装置を用いてフロン溶剤の蒸気を分
解した例を実施例として述べる。
【００１５】
実施例１ ガス洗浄瓶の中に低沸点の機器洗浄用のフロン溶剤を入
れ、ヘリウムをその中に通してフロン溶剤の蒸気とヘリ
ウムガスの混合ガスを作り、これをＴ字管４から円筒の
中に導入した。この場合ヘリウムの中に容量で約１０％
の塩素含有フロン化合物が混合されたが直ちに分解され
てオゾン層に全く無害な塩化水素と弗化水素になり図３
のように排出ガスを分解物吸収容器６に収納されている
水中に導く事で、塩化水素と弗化水素はそれぞれ塩酸と
弗化水素酸となり、ガスを水中に入れるとすぐ水のＰＨ
は７から１〜２となり酸性を示す。
れ、ヘリウムをその中に通してフロン溶剤の蒸気とヘリ
ウムガスの混合ガスを作り、これをＴ字管４から円筒の
中に導入した。この場合ヘリウムの中に容量で約１０％
の塩素含有フロン化合物が混合されたが直ちに分解され
てオゾン層に全く無害な塩化水素と弗化水素になり図３
のように排出ガスを分解物吸収容器６に収納されている
水中に導く事で、塩化水素と弗化水素はそれぞれ塩酸と
弗化水素酸となり、ガスを水中に入れるとすぐ水のＰＨ
は７から１〜２となり酸性を示す。
【００１６】また、塩化水素の確認のため排出ガスにア
ンモニア水をつけたガラス棒を近づけると塩化アンモン
の白煙を発生しフロン中の塩素が分解して塩化水素にな
った事が分かった。円筒内を通過させるガスの流量と速
度により分解率は異なるが、上記実施例のものは放電部
分の長さ５００ｍｍ，ガラスの円筒の内径が１６ｍｍで
あり、５リットル／分の流量で１０％フロンを含んだヘ
リウム／フロン混合物を通過させた時、分解率は約３４
％、２リットル／分の流量では６０％以上の分解率を示
し、この処理方法が極めて効果的な事が分かる。処理前
のフロン混合ヘリウムガスとプラズマ処理後のガスのガ
スクロマトグラフチャ−トを表１に示す。なお、ガスク
ロマトグラフ測定における試料ガスの採取は、プラズマ
処理管の出口（例えば図３における５）で行った。
ンモニア水をつけたガラス棒を近づけると塩化アンモン
の白煙を発生しフロン中の塩素が分解して塩化水素にな
った事が分かった。円筒内を通過させるガスの流量と速
度により分解率は異なるが、上記実施例のものは放電部
分の長さ５００ｍｍ，ガラスの円筒の内径が１６ｍｍで
あり、５リットル／分の流量で１０％フロンを含んだヘ
リウム／フロン混合物を通過させた時、分解率は約３４
％、２リットル／分の流量では６０％以上の分解率を示
し、この処理方法が極めて効果的な事が分かる。処理前
のフロン混合ヘリウムガスとプラズマ処理後のガスのガ
スクロマトグラフチャ−トを表１に示す。なお、ガスク
ロマトグラフ測定における試料ガスの採取は、プラズマ
処理管の出口（例えば図３における５）で行った。
【００１７】
【表１】
【００１８】また図３のように水中で分解生成物の塩化
水素と弗化水素を取り除いた後、ヘリウムは管７より再
び乾燥して再利用が出来るのでランニングコストも非常
に安いのも大きな特徴である。
水素と弗化水素を取り除いた後、ヘリウムは管７より再
び乾燥して再利用が出来るのでランニングコストも非常
に安いのも大きな特徴である。
【００１９】実施例２ ヘリウムガス中に、１、１、１、トリクロロエタンを添
加して５リットル／分の流速で前述のフロン分解の装置
と全く同様の装置で処理した結果、分解率は約２６％で
あった。同様に３リットル／分の流速でアルゴンガスに
添加したときの分解率は極めて良く、７５％に近い。こ
れを表２で示す。
加して５リットル／分の流速で前述のフロン分解の装置
と全く同様の装置で処理した結果、分解率は約２６％で
あった。同様に３リットル／分の流速でアルゴンガスに
添加したときの分解率は極めて良く、７５％に近い。こ
れを表２で示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】また、アルゴンガスを乾燥しないで水分を
含有させ、同様の処置を行うと、分解率は更に良くなり
８０％に達する。これを表３で示す。
含有させ、同様の処置を行うと、分解率は更に良くなり
８０％に達する。これを表３で示す。
【００２２】
【表３】
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は大気圧プラ
ズマによってフロン化合物を分解し、無害化するもので
あり、従来のような高価なプラズマ発生装置を必要とせ
ず、極めて簡単な設備でフロン化合物を容易に分解出来
て無害化しうるので、その効果は大きい。
ズマによってフロン化合物を分解し、無害化するもので
あり、従来のような高価なプラズマ発生装置を必要とせ
ず、極めて簡単な設備でフロン化合物を容易に分解出来
て無害化しうるので、その効果は大きい。
【図１】 本発明で使用する大気圧プラズマ発生装置
【図２】 図１に示した大気圧プラズマ発生装置の縦断
面図
面図
【図３】 本発明の処理方法を実施するための説明図
【図４】 本発明で使用する電極の一例の側面図
【図５】 本発明で使用する他の例の大気圧プラズマ発
生装置の斜視図
生装置の斜視図
１ ガラス性の円筒管 ２ 金属薄板 ３ 中央金属棒 ４、５ ガラス製Ｔ字管 ６ 分解物吸収容器 ７ ガス再使用口 ８、９ 接続用タ−ミナル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】以下、本発明について詳細に述べる。本発
明のおけるガス状のオゾン層破壊物質とはオゾン層破壊
に関与する化合物であって、特に塩素を含有するフロン
化合物で、具体的には、モノフロロメタン（Ｒ−１
１）、ジフロロメタン（Ｒ−１２）、トリフロロトリク
ロロエタン（Ｒ１１３）テトラフルオロジクロロエタン
（Ｒ−１１４）、ペンタフロロモノクロロエタン（Ｒ−
１１５）或いはテトラフルオロエタン（ＣＦＣ−１３
４）等の化合物である。また、現在、規制の対象外では
あるが、トリフルオロメタン（Ｒ−３）、モノフルオロ
ペンタクロロエタン（Ｒ−１１１）、モノフロロペンタ
クロロプロパン（Ｒ−２１１）フロン化合物等のオゾン
層を破壊する物質としては考えられるものは、すべて処
理でき、更にフロン化合物以外でオゾン層破壊物質であ
る１、１、１、−トリクロロエタン、パ−クロロエチレ
ン等も、また、同様に処理できる。これらのガス状化合
物の処理にあたては、該化合物又はその化合物の蒸気を
大気圧プラズマ発生装置内に導入する。その導入速度と
しては装置の大きさによって異なるが、例えば本願発明
の実施例のような装置では該化合物の蒸気として２００
ｃ．ｃ．〜１０００ｃ．ｃ／分が好ましい。
明のおけるガス状のオゾン層破壊物質とはオゾン層破壊
に関与する化合物であって、特に塩素を含有するフロン
化合物で、具体的には、モノフロロメタン（Ｒ−１
１）、ジフロロメタン（Ｒ−１２）、トリフロロトリク
ロロエタン（Ｒ１１３）テトラフルオロジクロロエタン
（Ｒ−１１４）、ペンタフロロモノクロロエタン（Ｒ−
１１５）或いはテトラフルオロエタン（ＣＦＣ−１３
４）等の化合物である。また、現在、規制の対象外では
あるが、トリフルオロメタン（Ｒ−３）、モノフルオロ
ペンタクロロエタン（Ｒ−１１１）、モノフロロペンタ
クロロプロパン（Ｒ−２１１）フロン化合物等のオゾン
層を破壊する物質としては考えられるものは、すべて処
理でき、更にフロン化合物以外でオゾン層破壊物質であ
る１、１、１、−トリクロロエタン、パ−クロロエチレ
ン等も、また、同様に処理できる。これらのガス状化合
物の処理にあたては、該化合物又はその化合物の蒸気を
大気圧プラズマ発生装置内に導入する。その導入速度と
しては装置の大きさによって異なるが、例えば本願発明
の実施例のような装置では該化合物の蒸気として２００
ｃ．ｃ．〜１０００ｃ．ｃ／分が好ましい。
Claims (1)
- 【請求項１】 対抗する電極の少なくとも一方の電極の
表面に固体誘電体を配設してなる誘電被覆電極を有する
プラズマ反応装置にヘリウムまたはアルゴン又はこれら
混合ガス、あるいは、アルゴンとアセトンからなる気体
組成物を導入し、該気体雰囲気下で大気圧グロ−放電を
起こし、その中にガス状のオゾン層破壊物質を導入して
グロ−放電プラズマにより該物質を分解し、生じた分解
生成物を水に吸収させることを特徴とするオゾン層破壊
物質の処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33919892A JP3421954B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | オゾン層破壊物質の処理方法 |
| DE69317632T DE69317632T2 (de) | 1992-12-18 | 1993-12-07 | Verfahren zur Behandlung von Ozonschicht dezimierenden Substanzen |
| EP93119722A EP0602510B1 (en) | 1992-12-18 | 1993-12-07 | Method for treating ozone layer depleting substances |
| US08/163,077 US5439568A (en) | 1992-12-18 | 1993-12-08 | Method for treating ozone layer depleting substances |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33919892A JP3421954B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | オゾン層破壊物質の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06182140A true JPH06182140A (ja) | 1994-07-05 |
| JP3421954B2 JP3421954B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=18325172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33919892A Expired - Fee Related JP3421954B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | オゾン層破壊物質の処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5439568A (ja) |
| EP (1) | EP0602510B1 (ja) |
| JP (1) | JP3421954B2 (ja) |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838011B2 (en) | 2000-03-13 | 2005-01-04 | Seiko Epson Corporation | Method of processing PFC and apparatus for processing PFC |
| JP2006068743A (ja) * | 1999-05-06 | 2006-03-16 | Japan Science & Technology Agency | 微量有害物質の酸化分解装置 |
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| US6309514B1 (en) | 1994-11-07 | 2001-10-30 | Ti Properties, Inc. | Process for breaking chemical bonds |
| WO1997013266A2 (en) | 1995-06-19 | 1997-04-10 | The University Of Tennessee Research Corporation | Discharge methods and electrodes for generating plasmas at one atmosphere of pressure, and materials treated therewith |
| US5750823A (en) * | 1995-07-10 | 1998-05-12 | R.F. Environmental Systems, Inc. | Process and device for destruction of halohydrocarbons |
| DE19525749A1 (de) * | 1995-07-14 | 1997-01-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zur plasmachemischen Zersetzung und/oder Vernichtung von Schadstoffen |
| DE19525754A1 (de) * | 1995-07-14 | 1997-01-16 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur plasmachemischen Zersetzung und/oder Vernichtung von Schadstoffen |
| US5609736A (en) * | 1995-09-26 | 1997-03-11 | Research Triangle Institute | Methods and apparatus for controlling toxic compounds using catalysis-assisted non-thermal plasma |
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| AU4484897A (en) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Thermo Power Corporation | Preparation and use of independently generated highly reactive chemical species |
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| US6673323B1 (en) | 2000-03-24 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Treatment of hazardous gases in effluent |
| US6391146B1 (en) | 2000-04-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant gas energizer |
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| US6909972B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-06-21 | Steris Inc. | Method and apparatus for formulating and controlling chemical concentrations in a solution |
| US7569193B2 (en) | 2003-12-19 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants |
| US7736599B2 (en) | 2004-11-12 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Reactor design to reduce particle deposition during process abatement |
| KR101036734B1 (ko) | 2005-10-31 | 2011-05-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공정 저감 반응로 |
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| GB2226552B (en) * | 1988-11-10 | 1992-09-16 | Jeol Ltd | Method and apparatus for decomposing halogenated organic compound |
| JP3063769B2 (ja) * | 1990-07-17 | 2000-07-12 | イーシー化学株式会社 | 大気圧プラズマ表面処理法 |
| JPH0669499B2 (ja) * | 1991-02-22 | 1994-09-07 | 東和科学株式会社 | フロン類の分解方法 |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP33919892A patent/JP3421954B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-07 DE DE69317632T patent/DE69317632T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-07 EP EP93119722A patent/EP0602510B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-08 US US08/163,077 patent/US5439568A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5439568A (en) | 1995-08-08 |
| EP0602510B1 (en) | 1998-03-25 |
| DE69317632T2 (de) | 1998-07-30 |
| DE69317632D1 (de) | 1998-04-30 |
| EP0602510A1 (en) | 1994-06-22 |
| JP3421954B2 (ja) | 2003-06-30 |
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